2SA935三极管封装TO-92L

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KSA928A三极管(TO-92L)

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors

KSA928A TRANSISTOR(PNP)

FEATURE

y Audio P ower A mplifier y Complement to Application

a Parameter

Symbol Test conditions

M in

T ype Max

U nit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO I C = -100µA, I E =0 -30 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO I C = -10 mA, I B =0 -30 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO I E = -1mA, I C =0 -5

V Collector cut-off current I CBO V CB = -30V, I E =0 -0.1 μA Emitter cut-off current I EBO V EB = -5V, I C =0 -0.1 μA

DC current gain

h FE V CE =-2V, I C = -500mA 100 320 Collector-emitter saturation voltage V CE(sat) I C = -1.5 A, I B = -0.03A -2 V Base-emitter voltage V BE

2SA683 三极管-TO-92L

2SA683 2SA684 2SA683 2SA684
VCBO VCEO VEBO hFE1 hFE2 VCE(sat) VBE(sat) fT Cob
*
3.2
1
2
3
1:Emitter 2:Collector 3:Base EIAJ:SC–51 TO–92L Package
V V
FE1
Байду номын сангаас
Rank classification
2.54±0.15
+0.3 +0.2
s Absolute Maximum Ratings
Parameter Collector to base voltage Collector to 2SA683 2SA684 2SA683 VCBO VCEO VEBO ICP IC PC Tj Tstg Symbol
2SA683, 2SA684
Silicon PNP epitaxial planer type
For low-frequency power amplification and driver amplification Complementary to 2SC1383 and 2SC1384
5.9±0.2
*h
(Ta=25˚C)
Symbol ICBO Conditions VCB = –20V, IE = 0 IC = –10µA, IE = 0 IC = –2mA, IB = 0 IE = –10µA, IC = 0 VCE = –10V, IC = –500mA VCE = –5V, IC = –1A IC = –500mA, IB = –50mA IC = –500mA, IB = –50mA VCB = –10V, IE = 50mA, f = 200MHz VCB = –10V, IE = 0, f = 1MHz –30 –60 –25 –50 –5 85 50 – 0.2 – 0.85 200 20 30 – 0.4 –1.2 V V MHz pF 340 min typ max – 0.1 Unit µA V

2SA719三极管参数 TO-92三极管2SA719规格书

-25
2SA720
-50
Emitter-base breakdown voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage
VCEO
Collector-Emitter Voltage 2SA719 2SA720
VEBO
Emitter-Base Voltage
IC
Collector Current -Continuous
PC
Collector Power Dissipation
TJ
Junction Temperature
Tstg
Symbol A1 A T d P P0 P2
F1,F2 △h W W0 W1 W2 H H0 L1 D0 t1 t2 P1 △P
Value & Tolerance 4.5 ± 0.2 4.5 ± 0.2 3.5 ± 0.2
0.46 ± 0.05 12.7 ± 0.3 12.7 ± 0.2 6.35 ± 0.3 2.5 ± 0.3
VBE(sat)
IC= -300mA, IB=-30mA
VCE= -10V, IC= -50mA fT

2SB892三极管(TO-92L)

Item
Body width Body height Body thickness Lead wire diameter Lead wire diameter1 Pitch of component Feed hole pitch Hole center to component center Lead to lead distance Component alignment, F-R Type width Hole down tape width Hole position Hole down tape position Height of component from tape center Lead wire clinch height Lead wire(tape portion) Feed hole diameter Taped Lead Thickness Carrier Tape Thickness Position of hole Component alignment
Unit V V V μA μA
V V MHz
U 280-560
B,Apr,2012
【南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】
www.nscn.com.cn
Typical Characteristics
2SB892
COLLECTOR CURRENT IC (mA)

2SA673A三极管参数 TO-92三极管2SA673A规格书

A,Dec,2010

2. COLLECTOR

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

2SA673A TRANSISTOR (PNP)

FEATURES

z Low Frequency Amplifier

z Complementary Pair with 2SC1213A

MAXIMUM RATINGS (T a =25℃ unless otherwise noted)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a =25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V (BR)CBO I C =-0.01mA,I E =

0 -50 V Collector-emitter breakdown voltage V (BR)CEO

I C =-1mA,I B =

0 -50

V Emitter-base breakdown voltage V (BR)EBO

I E =-0.01mA,I C =0 -4

Collector cut-off current I CBO V CB =-20V,I E =

0 -0.5 μA Emitter cut-off current I EBO V EB =-3V,I C =0 -0.5 μA h FE(1) V CE =-3V, I C =

常用三极管型号

可与8050配对使用,一般用作放大或开关作用, 基本是TO-92与SOT-23Βιβλιοθήκη Baidu种封装.
可与9015配对使用,一般用作放大或开关作用, 基本是TO-92与SOT-23两种封装.
可与9014配对使用,一般用作放大或开关作用, 基本是TO-92与SOT-23两种封装.
一般用作高频振荡管,作高频放大用.基本是TO92与SOT-23两种封装.
常用三极管及封装简述
型号 8050 8550 9014 9015 1815 9018 3904 3906 C945 380 772 882 928A
类型 NPN PNP NPN PNP NPN NPN NPN PNP NPN NPN PNP NPN PNP
备注
可与8550配对使用,一般用作放大或开关作用, 基本是TO-92与SOT-23两种封装.
一般用作高频振荡管.基本是TO-92与SOT-23两种封装. 一种功率较大的开关管,一般是TO-126封装,可与882配对使用. 一种功率较大的开关管,一般是TO-126封装,可与772配对使用.
一种功率较大的开关管,一般是TO-92L封装.
常用插件封装型号 TO-92
常用贴片封装型号 SOT-23
TO-92L
SOT-89
TO-126
SOT-323
TO-220
SOT-235

[VIP专享]三极管封装的种类

三极管封装：TO-92、TO-92S、TO-92NL、TO-126、TO-251、TO-251A、TO-

252、TO-263（3线）、TO-220、T0-3、SOT-23、SOT-143、SOT-143R、SOT-

25、SOT-26、TO-50。

电源芯片封装：SOT-23、T0-220、TO-263、SOT-223。

以TO-92,T0-3,TO-220,TO-263,SOT-23最常用

[attachment=297]（这是TO-220封装）

1、BGA(ball grid array)

球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200，是多引脚LSI 用的一种封装。封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如，引脚中心距为1.5mm 的360 引脚BGA 仅为31mm 见方；而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚QFP 为40mm 见方。而且BGA 不用担心QFP 那样的引脚变形问题。该封装是美国Motorola 公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初，BGA 的引脚(凸点)中心距为1.5mm，引脚数为225。现在也有一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。BGA 的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。美国Motorola

常见三极管封装

1.9、SOT363 SC706L
1.10、SOT416|SC75
1.11、SOT-563 1.12、SOT666
1.13、SOT753
wenku.baidu.com
1.14、SOT883
1.15、SOT89|TO243AA SC62 1.16、SOT89-5
2.1、
SOT-23-5L
SOT-23
SOT-89
TO-263-5L 10.00*8.40*4.57 TO-220-5L 10.00*8.40*4.57 TO-220F-4 10.20*9.10*4.57 TO-247 15.60*20.45*5.00 TO-264 TO-3P 15.75*20.45*4.8 TO-3P-5 15.75*20.45*4.8
常见三极管封装2014日wuminhao目录11sot143to25312sot223to261aasmd13sot2314sot23314sot235l15sot23617sot346sc5918sot353sot25sc705l1019sot363sc706l
常见三极管封装
（2014 年 3 月 5 日 Wuminhao）
SOT-223
SOT-323
SOT-363
SOT-523
SOT-563
TO-92
TO-92L
TO-92MOD
TO-92S

常见三极管封装

SOT23 和 SOT23-3 不一样
1.1、SOT143|TO253 1.2、SOT-223|TO-261AA SMD
1.3、SOT23
1.4、SOT23-3
1.4、SOT23-5L
1.5、SOT23-6
1.6、SOT323/SC70-3 1.7、SOT346/SC59
1.8、SOT-353/SOT25/sc70 5L
SOT143 SOT-223|TO-261AA SMD
SOT23 SOT23-3L SOT23-5L SOT23-6L SOT23-8L SOT323/SC70-3 SOT343 SOT346/SC59 SOT-353/SOT25/sc70 5L SOT363 SC706L SOT416/SC75 SOT428 SOT457 SC74 SOT490-SC89 SOT505-1 SOT523 SOT552-1 SOT563 SOT663 SOT666 SOT753 SOT883 SOT89/TO243AA SC62 SOT-89-5L SOT-89-6L
1.9、SOT363 SC706L
1.10、SOT416|SC75
1.11、SOT-563 1.12、SOT666
1.13、SOT753
1.14、SOT883
1.15、SOT89|TO243AA SC62 1.16、SOT89-5
2.1、

贴片二三极管封装图大全

贴片二三极管封装图大全(总7页)

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了解

直插、贴片二三极管封装形式图片以及尺寸大全

来源：霍芯电子时间：2011-12-13

贴片二极管封装形式图片贴片三极管封装形式图片直插二极管封装形式图片直插三极管封装形片以及尺寸大全：SOD-723SOT-23SOT-89TO-220SOT-143SOT23-6TO-92TO-263等等

SOD-723**

SOD-523**

SOD-323**

SOD-123**

SOT-143

SOT-523**

SOT-363/SOT26**

SOT-353/SOT25**

SOT343** SOT-323** SOT-23** SOT23-3L** SOT23-5L** SOT23-6L** SOT-89** `SOT-89-3L** `SOT-89-5L** `SOT-89-6L** SOT-223** TO-92**

TO-92S-2L** TO-92S-3L** TO-92L** TO-92MOD** TO-94** TO-126** TO-126B** TO-126C** TO-251** TO-252-2L** TO-252-3L** TO-252-5L**

TO-263-2L** TO-263-3L** TO-263-5L** TO-220-2L** TO-220-3L** TO-220-5L** TO-220F** TO-220F-4** TO-247** TO-264

TO-3P** TO-3P-5 **

2sa92三极管参数

哎，今儿咱们来摆摆龙门阵，聊点新鲜嘞，就说说这个2sa92三极管参数吧。咱们先从四川话开讲。

四川的兄弟伙些，你们听好啦，这个2sa92三极管啊，那可是个好东西。参数嘛，咱得说详细点。首先呢，它的最大集电极电流，那就像咱们四川的火锅一样，辣得够劲儿，大得很！然后嘞，它的最大反向电压，就像咱们四川的麻辣香锅，耐得住高温，扛得住压力。

好，咱们再转到贵州话。贵州的哥们儿，你们听我说哈，这个三极管的最大功耗，那就像你们贵州的茅台酒一样，醇香可口，耐用得很。还有它的频率特性，就像你们贵州的山水一样，清澈见底，响应快得很。

接下来咱们说说陕西方言。陕西的老乡们，你们听好了，这个2sa92三极管的稳定性，那就像咱们陕西的兵马俑一样，历经千年，依旧屹立不倒。而它的温度特性呢，就像咱们陕西的羊肉泡馍，无论寒暑，都能保持那份独特的美味。

最后咱们来点儿北京味儿。北京的兄弟姐妹们，您们看这儿，这个三极管的体积小巧，就像咱们北京的四合院一样，虽然地方不大，但五脏俱全。它的封装形式呢，就像咱们北京的烤鸭一样，精美又实用。

哎呀，说了这么多，想必大家对这个2sa92三极管的参数也有了个大概的了解了吧。咱这可是用科学的方式，结合各地的方言，给大家讲解的，既有趣又实用。大家要是觉得好的话，就给个赞，咱们下次再聊！

2SA950三极管参数 TO-92三极管2SA950规格书

-35
V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
-30
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
-5
V
IC
Collector Current -Continuous
-0.8
A
PC
Collector Power Dissipation
0.6
W
Tj
Junction Temperature
Seal the box with the tape
QA Label
Outer Box: 350 mm× 340mm× 250mm
Label on the Outer Box
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Inner Box: 240 mm×165mm×９５mm
100
320
hFE(2)
VCE=-1V, IC= -700mA
35
Collector-emitter saturation voltage
VCE(sat)
IC= -500mA, IB= -20mA
-0.7
V
Emitter-base voltage
VBE
VCE=-1V, IC=-10mA
-0.5

2SC2655三极管(TO-92L)

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors

2SC2655 TRANSISTOR (NPN)

FEATURES

z Low S aturation V oltage: V CE(sat)=0.5V(Max)(I C =1A) z High S peed S witching T ime: t stg =1μs(Typ.) z

Complementary to 2SA1020

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a =25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol Test conditions

M in T yp Max

U nit

Collector-base breakdown voltage V (BR)CBO I C =100μA,I E =

0 50 V

Collector-emitter breakdown voltage V (BR)CEO I C =10mA,I B =

0 50 V

Emitter-base breakdown voltage V (BR)EBO I E =100μA,I C =0 5 V

Collector cut-off current I CBO V CB =50V,I E =

0 1 μA

Emitter cut-off current I EBO V EB =5V,I C =0 1 μA

常用三极管参数

(A)(V)(V)(A)(V)(V)I C (A)I B (A)3DA1360A 2SC1360A TO-92L(M) NPN E C B 6060450m 11500.1u 2020-100 1010m 0.4／20m 2m ≥3003DA13832SC1383TO-92L(M)NPN E C B 30255111500.1u 2085-34010500m 0.4 1.2500m 50m 2003DG14172SC1417TO-92NPN E C B 2015330m 100m 150 1.0u 1040-20061m 0.7／10m 1m 3003DG14732SC1473TO-92NPN E C B 250200770m 750m 150／／30-220105m 1.5／50m 5m ≥503DG1473A 2SC1473A TO-92

NPN E C B 300300770m 750m 150／／30-220105m 1.5／50m 5m ≥503DA15732SC1573TO-92L(M)NPN E C B 250250770m 11502u 12030-220105m 1.2／50m 5m ≥503DA1573A 2SC1573A TO-92L(M)NPN E C B 300300770m 11502u 12030-220105m 1.2／50m 5m ≥50E B C

E C B 3DG16752SC1675TO-92NPN E C B 5030530m 250m 1250.1u 5040-18061m 0.3／10m 1m ≥150

三极管封装的种类

三极管封装：TO-92、TO-92S、TO-92NL、TO-126、TO-251、TO-251A、TO-252、TO-263（3线）、TO-220、T0-3、SOT-23、SOT-143、SOT-143R、SOT-25、SOT-26、TO-50。

电源芯片封装：SOT-23、T0-220、TO-263、SOT-223。

以TO-92,T0-3,TO-220,TO-263,SOT-23最常用

[attachment=297]（这是TO-220封装）

1、BGA(ball grid array)

2SA836三极管参数 TO-92直插三极管2SA836规格书

Value -55 -55 -5 -0.1 200 625 150
-55~+150
Unit V V V A
mW ℃/W
℃ ℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified)
Parameter Collector-base breakdown voltage Collector-emitter breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Collector-emitter saturation voltage Base-emitter voltage Collector output capacitance Transition frequency
RANK RANGE
C 160-320
D 250-500
B,Nov,2012
【南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】
Typical Characteristics
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
-8
COMMON EMITTER -7 T =25℃
a
-6