硅片清洗剂SDJ3270
2024年硅片清洗剂市场发展现状
2024年硅片清洗剂市场发展现状摘要硅片清洗剂是一种针对硅片表面污染物进行去除的特殊清洗剂。
随着半导体行业的不断发展，硅片清洗剂市场也呈现出持续增长的趋势。
本文将介绍硅片清洗剂市场的发展现状，包括市场规模、竞争态势、主要应用领域以及发展趋势等。
1. 硅片清洗剂市场规模由于硅片在半导体制造过程中的关键地位，硅片清洗剂市场得到了长期稳定的发展。
根据市场调研数据显示，2019年全球硅片清洗剂市场规模达到X亿元，并且预计在未来几年内将保持稳定增长。
亚太地区是全球硅片清洗剂市场的主要消费地，占据了市场的较大份额。
2. 竞争态势硅片清洗剂市场是一个竞争激烈的行业，市场上存在着多家知名企业。
这些企业之间的竞争主要体现在产品质量、技术研发能力和售后服务方面。
目前，全球硅片清洗剂市场的主要竞争企业包括ABC公司、DEF公司和GHI公司等。
3. 主要应用领域硅片清洗剂在半导体制造、光伏产业以及电子设备制造领域都有广泛应用。
在半导体制造领域，硅片清洗剂用于去除硅片表面的颗粒、化学物质残留以及有机物污染物，确保硅片的表面洁净度和光洁度。
在光伏产业中，硅片清洗剂用于去除硅片表面的灰尘、油脂和污渍，提高光伏组件的发电效率。
在电子设备制造领域，硅片清洗剂用于清洗电子元件和电路板，确保电子设备的正常运行。
4. 发展趋势未来几年，硅片清洗剂市场将呈现以下几个发展趋势：•技术升级：随着半导体行业的不断发展，对硅片清洗剂的技术要求也在不断提高，未来市场将迎来更先进、更高效的清洗剂产品。
•环保意识提升：随着环境保护意识的增强，对硅片清洗剂的环境友好性要求也在提高，未来市场将更加注重研发环保型清洗剂。
•区域市场发展：亚太地区是硅片清洗剂市场的主要消费地，未来该地区市场将继续保持稳定增长，并且新兴市场如拉丁美洲和中东地区也有望成为硅片清洗剂市场的新增长点。
结论随着半导体行业的不断发展，硅片清洗剂市场将继续保持稳定的增长，并且面临技术升级、环保意识提升和区域市场发展等发展趋势。
清洗硅片流程
清洗硅片流程
清洗硅片是半导体制造中非常重要的一个步骤，主要用于去除硅片表
面的杂质和污染物，保证硅片的表面洁净度达到要求。
下面我将详细介绍
清洗硅片的流程。
首先，在开始清洗硅片之前，需要准备好一些必要的实验设备和材料，例如离子交换水、去离子水、溶液盛器、超声波清洗器、干燥箱等。
清洗硅片的流程主要包括以下几个步骤：
1.去除有机污染物：将硅片浸泡在有机溶剂，如醇类、醚类溶剂中，
通过超声波清洗去除硅片表面的有机污染物。
2.酸洗：将硅片放入酸性溶液中，一般常用的有盐酸、氢氟酸、硝酸等，通过酸洗去除硅片表面的无机杂质和金属离子。
此步骤可以分为冷酸
洗和热酸洗两个过程，冷酸洗温度一般为20-25℃，热酸洗温度可达60-70℃。
3.碱洗：将硅片放入碱性溶液中，常用的有氨水、氢氧化钠等碱性溶液，通过碱洗去除硅片表面的残余酸性和有机物质。
4.水洗：将硅片放入离子交换水中，通过超声波清洗去除硅片表面残
留的酸、碱等溶液。
5.去离子水清洗：将硅片放入去离子水中，通过超声波清洗去除离子
杂质和微量污染物。
6.高纯化学品清洗：将硅片放入高纯的有机溶剂和酸性溶液中，通过
超声波清洗去除硅片表面的微量杂质。
7.烘干：将洗净的硅片放入干燥箱中，通过加热将硅片表面的水分蒸发掉。
以上是清洗硅片的主要流程，每个步骤的细节和参数可以根据具体的要求进行调整。
需要注意的是，在整个清洗过程中，要保持操作环境的洁净度，避免再次污染硅片。
清洗硅片是半导体制造过程中非常关键的一环，只有通过精细而规范的清洗流程，才能得到表面洁净度达到要求的硅片，从而保证半导体产品的质量。
硅片清洗原理与方法介绍
硅片清洗原理与方法介绍1引言硅片经过切片、倒角、研磨、表面处理、抛光、外延等不同工序加工后，表面已经受到严重的沾污，清洗的目的就是为了去除硅片表面颗粒、金属离子以及有机物等污染。
2硅片清洗的常用方法与技术在半导体器件生产中，大约有20％的工序和硅片清洗有关，而不同工序的清洗要求和目的也是各不相同的，这就必须采用各种不同的清洗方法和技术手段，以达到清洗的目的。
由于晶盟现有的清洗设备均为Wet-bench类型，因此本文重点对湿法化学清洗的基本原理、常用方法及其它与之密切相关的技术手段等进行论述3．1湿法化学清洗化学清洗是指利用各种化学试剂和有机溶剂与吸附在被清洗物体表面上的杂质及油污发生化学反应或溶解作用，或伴以超声、加热、抽真空等物理措施，使杂质从被清除物体的表面脱附（解吸），然后用大量高纯热、冷去离子水冲洗，从而获得洁净表面的过程。
化学清洗又可分为湿法化学清洗和干法化学清洗，其中湿法化学清洗技术在硅片表面清洗中仍处于主导地位，因此有必要首先对湿法化学清洗及与之相关的技术进行全面的介绍。
3．1．1常用化学试剂、洗液的性质常用化学试剂及洗液的去污能力，对于湿法化学清洗的清洗效率有决定性的影响，根据硅片清洗目的和要求选择适当的试剂和洗液是湿法化学清洗的首要步骤。
CL2+UV（〈400nm〉表一、用以清除particle、metal、organic、nature-oxide的适当化学液3．1．2溶液浸泡法溶液浸泡法就是通过将要清除的硅片放入溶液中浸泡来达到清除表面污染目的的一种方法，它是湿法化学清洗中最简单也是最常用的一种方法。
它主要是通过溶液与硅片表面的污染杂质在浸泡过程中发生化学反应及溶解作用来达到清除硅片表面污染杂质的目的。
选用不同的溶液来浸泡硅片可以达到清除不同类型表面污染杂质的目的。
如采用有机溶剂浸泡来达到去除有机污染的目的，采用1号液（即SC1，包含H2O2、NH3OH化学试剂以及H2O）浸泡来达到清除有机、无机和金属离子的目的，采用2号液（即SC2，包含HCL、H2O2化学试剂以及H2O）浸泡来达到清除AL、Fe、Na等金属离子的目的。
硅片清洗工艺参数标准
第一次换75kg(3桶）脱80刀，再加半桶脱40刀，到120刀
再加半桶脱30刀，到150刀全换。
插片
隔板放置间距 脱胶后拿片数
脱胶后硅片放置
拿片数量 水浸硅片程度
插片要领
各清洗槽水温
40±5 mm/片 ≤20mm（长度计） 轻放物料周转箱内，箱底和侧壁接触硅片的位置要垫上泡 沫垫，水溢过硅片表面.
≤25pcs/次 硅片完全浸泡在水中，硅片顶端勿露出水面。 必须带手套/轻拿轻放，尽量减少崩边/破片。 全自动7槽：1# 设定45℃，2#0℃，3#50℃、4#、5#设定 60℃，6#设定55℃,7#设定50℃，在线槽设定40℃。
5.1 硅片清洗工艺标准
管制项目
管制标准
管制数据文件/表单
预清洗 脱胶
预冲洗时间 预冲洗水温 第三、四槽超声 第五槽脱胶 第六槽脱胶
药剂更换
第一槽：400s,第二槽：400s
0.80-1.0 mpa ; 25℃（常温）Leabharlann 温度35℃时间
400S
温度
70℃
时间
500s
温度
70℃
时间
500s
药剂使用量为---乳酸：水=1:1
清洗时间
第一至第四槽各300秒，第五、六槽300秒，七槽和在线槽 各300秒。
甩干
甩干机碎片清理 每天早上接班后 甩干时间及温度 甩干时间：300s,转速：500rph。
6、检验要求及方法
1.清洗机每次更换药剂后先空跑3个篮子再清洗硅片。 2.脱胶机喷淋槽底部导向条/碎硅片等杂物每天清理，保持喷淋槽无堵塞现象。 3.脱胶机/清洗机时间和温度设定如有变更见《脱胶机药剂更换标准表》、《清洗机药剂更换标准表》
《硅片清洗作业 指导书》
硅片清洗剂
4.产品的作用机理
配臵好准备清洗用的碱性清洗液pH值在 1 2~1 3 , 碱性很强, Si片浸人清洗液后,表面会产生大量直径在0.5mm 左右的气泡, 认为是Si和清洗液中大量存在的-OH 发生如下反应: Si+4OH-→(SiO4)4+2H2 （1） 反应持续进行, 过程测量药槽中清洗液pH值, 相比开始降 低 0.1-0.3,但是继续测量, pH值将保持在一定水平11. 5-1 2 左右 不再继续下降,这是因为上步反应生成的 (SiO4)4是不稳定的, 它在水溶液中继续和水发生如下反应： (SiO4)4+ 4H20→Si(OH)4 + 4OH-（2） 基本 保持不变,如此清洗液的pH值可以保持在一定范围而不持续下 降, 能够获得稳定的清洗效果.
在硅片清洗中为避免离子沾污通常使用非离子型表面活性剂。 在切片过程中, 切屑、油污、金属原子等易粘附在Si 片表面,清 洗液中的表面活性剂一方面能吸附各种粒子、有机分子, 并在 Si 表面形成一层吸附膜, 阻止粒子和有机分子污粘附在Si 表面上, 另一方面可渗入到粒子和油污粘附的界面上, 把粒子和油污从界 面分离随清洗液带走, 起到清洗作用使Si片表面洁净。一般来说 在碱性清洗液中加人表面活性剂主要有以下2 个作用 ： 1）降低表面张力 表面活性剂在溶液中的排列情况与浓度有关,只有当浓度达一 定值时, 才能在溶液表面聚集足够的数量形成单分子膜, 从而降 低表面张力, 增强清洗液的润湿和渗透作用。 2）提高超声效率 其机理是借助于表面活性剂的润湿、渗透、乳化、增溶、分 散等作用, 使沾污在Si片表面的附着力削弱, 再施以加热、超声 波等物理方法, 使沾污脱离 Si片表面, 而进人清洗液中被乳化 、 分散开。
2.产品主要成分
硅片清洗剂大多数呈碱性液体，主要成分是苛性碱、磷酸盐、 硅酸盐、碳酸盐、鳌合剂和表面活性剂。
清洗硅片流程范文
清洗硅片流程范文清洗硅片是在硅片制造过程中的关键步骤之一，目的是去除硅片上的杂质和污染物，保证硅片的纯净度和表面质量。
以下是一种常用的清洗硅片的流程，供参考。
1.硅片接收：接收硅片后，首先要进行外观检查，确保硅片无明显破损和污染。
然后，在严格的洁净室环境下进行下一步处理。
2.前处理：硅片表面常常附着有机物、金属离子和沉淀物等杂质。
在清洗之前，首先要将硅片放入超声波清洗槽中，用氢氟酸和浓硝酸混合液进行化学清洗，去除表面的有机污染物和氧化层。
3.水洗：化学清洗后，将硅片放入纯净水中进行漂洗，去除化学清洗剂残留。
漂洗过程一般使用多级流动清洗装置，确保水质的纯净度，以防止二次污染。
4.酸性清洗：在水洗之后，可以使用酸性溶液来清除硅片表面的金属离子和沉淀物。
常用的酸性清洗剂有硝酸、氢氟酸和硫酸等。
清洗时间和温度需根据具体的硅片特性来确定。
5.碱性清洗：酸性清洗之后，硅片还需要进行碱性清洗，以便进一步去除酸性清洗剂残留和其他有机污染物。
常见的碱性清洗剂有氢氧化钠和氢氧化铵等。
碱性清洗过程也需要严格控制温度和时间，以免对硅片产生不可逆的损害。
6.再次水洗：用纯净水进行漂洗，将碱性清洗剂彻底清除，防止二次污染。
水洗时还可以利用超声波等物理作用，增强清洗效果。
7.干燥：将硅片放入高温的烘箱或真空烘箱中，以除去水分，使硅片表面干燥。
干燥温度要适当，过高会烧毁硅片，过低则干燥时间过长、效率低下。
8.检验：清洗完成后，对硅片进行外观检查和检测，确保硅片符合质量要求。
常用的检验方法包括目视检查、显微镜观察、吸光度测试等。
以上是一种常用的清洗硅片的流程，硅片的制造厂商可以根据自身需求进行调整和改进。
在整个流程中，关键是严格控制洁净室环境、选择合适的清洗剂和工艺参数，并进行合适的检验，以保证硅片的质量和纯净度。
硅片清洗剂化学品安全技术说明书 (MSDS)
硅片清洗剂化学品安全技术说明书(MSDS)第一部分：化学品名称1.1 化学品中文名称：硅片清洗剂1.2 化学品英文名称：1.3 分子式：1.4 分子量：第二部分：成分/组成信息2.1主要成分：磺酸钠、石油表面活性剂、乳化剂2.2 含量：100G/L；50G/L；5G/L2.3 CAS No.：第三部分：危险性概述3.1 危险性类别：腐蚀性。
3.2 侵入途径：皮肤接触。
3.3 健康危害：清洗剂对人无毒，但浓度过高时，对皮肤有腐蚀作用。
在空气中不挥发，不会对呼吸道产生腐蚀。
3.4 环境危害:不挥发，对大气无污染；不含磷及重金属离子，不会对水体产生富营养化物质；但可能引起水质变化。
第四部分：急救措施4.1 皮肤接触：若皮肤接触到高浓度原液，即用清水冲洗数分钟。
4.2 眼睛接触：冲洗或就医。
4.3 吸入：会对呼吸道黏膜有伤害，应及时就医清洗呼吸道。
4.4 摄入：只对呼吸道黏膜有伤害，无毒害性，应及时就医清洗呼吸道。
第五部分：消防措施5.1 危险特性：不燃烧。
5.2 有害燃烧产物：温度过高时会有挥发气体产生，但不有害燃烧产物。
5.3 灭火方法：砂填埋法。
第六部分：泄漏应急处理6.1 应急处理：撤离泄漏污染区人员至上风处，用大量水稀释、溶解，构筑围堤或挖坑收容产生的大量废水。
如有可能可用稀醋酸中和废水。
6.2 大量泄漏：收集回收或运至废物处理场所处置。
第七部分：操作处置与储存7.1 操作注意事项：操作人员必须经过专门培训，严格遵守操作规程。
避免与酸性化学物质接触。
搬运时轻装轻卸，防止塑料桶破损。
配备相应品种和数量的劳保及消防器材及汇漏应急处理设备。
7.2 储存于阴凉、通风的库房。
库温不宜超过30℃。
应与酸性液体或氧化剂等分开存放，切忌混储。
储区应备有泄漏应急处理设备。
第八部分：接触控制/个体防护8.1 职业接触限值：未制定规定8.2 监测方法：无8.3 工程控制：一般控制。
8.4 呼吸系统防护：一般不需要特殊防护。
硅片清洗技术
硅片清洗
1.N2喷时使液体通过很小的喷口，使其形成很细的雾状，至硅片表面达到更好的清洗目的。
2.刷洗器主要用于硅片抛光后的清洗，可有效地去除硅片正反两面1μm以及更大的颗粒。
主要配置包括专用刷洗器、优化的化学清洗液及超纯水或者IPA。
在水动力条件下，颗粒被旋转的海绵状刷子赶出。
3.化学清洗
①溶解反应；②剥离去除
如：RCA清洗法
a、APM（SC-1）氨和双氧水→去除有机物与细颗粒；
b、HPM（SC-2）盐酸和双氧水→去除金属污染；
c、SPM 硫酸和双氧水→去除有机物、光刻胶
d、DHF 稀氢氟酸→去除薄氧化层
e、BHF 氢氟酸缓冲溶液→去除自然氧化膜
4.存在问题：①加热引起化学溶液蒸发使得溶液浓度发生变化；②对环境造成污染，成本高
5.将晶圆一片一片进行处理的工艺设备，是未来的一种趋势（随着晶圆直径的增大，无法确保晶圆表面清洗的均匀性）
6.对硅片进行干燥
硅表面存在悬空键（即硅共价键的未配对电子），硅表面是疏水性（即排斥水）。
当硅表面形成热氧化膜或自然氧化膜时，硅片会变得具有亲水性（即容易被水弄湿）。
注：水渍多发生在疏水性表面/有图形的地方/在甩干的时候/到干燥完毕时所需时间过长。
7.IPA(异丙醇）
8.马兰戈尼干燥（慢提拉）、罗塔戈尼干燥（旋转+N2）
9.污染物根据其发生情况分为四类：颗粒物、有机物、金属污染物和氧化物。
硅片清洗助手
硅片清洗助手
佚名
【期刊名称】《《现代制造》》
【年(卷),期】2013(000)017
【摘要】硅片生产好之后，为了便于运输，它们会被装在晶片承载器中。
这里提到的装置是用来清洗这些硅片承载器的。
【总页数】1页(P9-9)
【正文语种】中文
【中图分类】TN305.2
【相关文献】
1.金刚石线切割太阳能硅片高效节能型清洗剂的制备及清洗效果研究 [J], 马瑾
2.基于超声波清洗技术的太阳能多晶硅片清洗装置设计 [J], 牛艳娥;李宁;孙文迪
3.一种电解法清洗硅片的设计 [J], 乔旭;马帅;张亮;王超;付苗苗
4.用含表面活性剂和螯合剂的清洗液清洗硅片的研究 [J], 曹宝成;于新好;马瑾;马洪磊;刘忠立
5.太阳能硅片清洗剂TF-014的研制 [J], 陈同军;袁炜;唐晨;姚佳丽
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12 水溶性（1:20）
完全溶于水
主要成分 13
特效助剂、表面活性剂、络合剂、腐蚀抑 制剂等
14 适用材质
单晶硅、多晶硅、硅片切割、硅片研磨等
三、性能特点
1）对硅片切割悬浮液、硅片碾磨液、动物油、植物油、矿物油等都具有较好乳化、分散及洗净作用 ,且
使用寿命长，易于漂洗；
2）适合切片后硅片清洗、硅片研磨后清洗，适合手动、自动线清洗；
六、服务事项
在使用过程中，无论贵司有任何问题，请致电：联系人：杨振东 手机：18912694649 或 15050217660 电
话/传真:86-512-50361749 E-mail:kssdjhg@
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SDJ3270 硅片清洗剂
一、简介
本产品为单组分产品，主要采用进口表面活性剂、特效助剂、络合剂、腐蚀抑制剂等按最佳比例配制而
成，该产品针对硅片切割悬浮液、硅片碾磨液、动物油、植物油、矿物油等都具有较好乳化、分散及洗净作
浸泡清洗 浸泡清洗 浸泡清洗 浸泡清洗 浸泡漂洗 浸泡漂洗 浸泡清洗
慢拉 烘干
超声波 超声波 超声波 超声波 超声波 超声波 超声波
/
/
纯净水 SDJ3270 SDJ3270 SDJ3270 纯净水
纯水 纯水 纯水
/
/
/
3-5
3-5
45-65
3-5
3-5
45-65
3-5
表中具体参
3-5
45-65
3-5
3) 注意事项：
a) 必须保持切割前后的晶棒及硅片润湿性，不可自然干燥，如不能及时清洗，最好先浸没在悬浮
液或清洗剂中；
b) 必须周期性更换漂洗槽，漂洗槽水应定时溢流，以保持水质纯度满足漂洗要求，槽液更换时，
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时更换一次，4 槽和 5 槽一般 24-72 小时更换一次。
药剂检测方法:1. 游离碱度 用移液管将 10 毫升槽液移入锥形瓶中，加入 3~4 酚酞指示剂，然后用 0.1N
的盐酸滴定，颜色由红色至无色即为终点，此时所消耗的 0.1N 的盐酸毫升数即为槽液的游离碱度；
2. PH 值：用 PH 计进行测试。
3）该产品不含磷、铜等有害硅片的金属离子，不含 ODS（臭氧层破坏物质）、不含有 ROHS 禁用物质，
对人体无毒副作用，具有一定的生物降解性。
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三、清洗工艺
1、工艺流程
一槽清水清洗 二槽清水清洗 三槽药剂清洗四槽药剂清洗五槽药剂清洗六槽清水漂洗 七槽纯水漂洗 八槽纯水漂洗 烘干或甩干
2、工艺பைடு நூலகம்件表
序号 工序名称 物理强化 1 槽 浸泡清洗 超声波
表 1 清洗工艺条件表
药剂
浓度 （％）
纯净水
/
温度 （℃）
/
时间 (min) 3-5
备注
2槽 3槽 4槽 5槽 6槽 7槽 8槽 9槽 10 槽
用，同时对硅片表面的金属离子有很强的络合及洗净效果，对油污的洗净率可达 99%以上，对铜、铁等金属
离子有着较强的剥离、络合作用，同时该产品不含磷、铁、铜、铅等有害硅片的金属离子，并符合欧盟 ROHS
要求，环保性好，清洗能力强。
二、质量指标
序号
表 1 性能指标
项目
指标
1
外观
无色透明液体
2
密度（25℃），g/ml
要对更换槽清洗干净后再配新槽液，清洗槽使用时要开循环功能；
c) 拿清洗好的工件时应戴干净橡胶手套，禁止裸手抓工件，以免产生指纹印。
四、废水排放
使用过的 SDJ3270 水基环保清洗剂溶液必须经过处理，达到国家和地方排放标准后方可排放。
五、包装及存储
塑料桶包装，每桶净重 25 公斤；储存于通风、阴凉、干燥的库房内。
数可根据现
/
/
3-5
场实际使用
/
/
3-5
情况调整。
/
/
3-5
/
85
待定
/
80-120
3-6
3、说明
1) 清洗工序：以上清洗工序可根据实际情况而定，如果是客户是自动线清洗，也可以采用 3 槽和 4 槽两槽
药剂清洗，5 槽可以不需要，如果客户是甩干，可以不用慢拉工序。
2) 清洗剂更换周期：
1.手动线 3 槽一般 12 小时更换一次，4 槽和 5 槽一般 24 小时更换一次；2.自动线 3 槽一般 12-24 小
约 1.01
3
PH 值（25℃）
3%水溶液
11-12
4
闪点（开口），℃
不小于
无
5
自燃点 ℃
不小于
无
6
钙镁含量 ppm
不大于
10
7
铅含量 ppm
不大于
1
8
镉含量 ppm
不大于
1
9
汞含量 ppm
不大于
1
10 铬含量 ppm
不大于
1
高温（80℃,6h）
11
稳定性
低温（－5±2℃,24h）
均匀，不分层，无沉淀析出