晶体管的识别与检测.(DOC)
项目十场效晶体管的识别与检测
源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效晶体管的栅极G,将
人体的感应电压信号加到栅极上。观察表针有较大幅度的摆动。
电子元器件与电路基础
任务2
检测场效晶体管
2.绝缘栅型场效晶体管的检测
对于MOS场效晶体管的管型引脚和性能判断可参考结型场
电子元器件与电路基础
任务1
识别场效晶体管
4. 场效晶体管与晶体管在电气特性方面的主要区别
(1)场效晶体管是电压控制器件,管子的导电情况取决于栅 极电压的高低。晶体管是电流控制器件,管子的导电情况取决 于基极电流的大小。 (2)场效晶体管漏源静态伏安特性以栅极电压VGS为参变量, 晶体管输出特性曲线以基极电流Ib为参变量。 (3)场效晶体管电流IDS与栅极VGS之间的关系由跨导gm决定, 晶体管电流Ic与Ib之间的关系由放大系数β决定。 (4)场效晶体管的输入阻抗很大,输入电流极小;晶体管输 入阻抗很小,在导电时输入电流较大。 (5)一般场效晶体管功率较小,晶体管功率较大。
电子元器件与电路基础
任务1
识别场效晶体管
2.识别场效晶体管的引脚
大功率场效晶体管引脚识别
小功率金属封装场效晶体管引脚识别
电子元器件与电路基础
课题 班级 任务实施 实训过程 记录 仪器仪表使用 安全文明生产 团队协作 姓名 学号 日期
实训收获
实训体会 评定人 自己评 评 语 等级 签名
实训评价
同学评
电子元器件与电路基础
任务1
识别场效晶体管
2.场效晶体管的分类
按结构分:结型场效应管(JFET)、
绝缘栅型场效应管(IGFET)
单结晶体管的识别与检测
湖南省技工学校理论教学教案教师姓名:注:教案首页,教案用纸由学校另行准备湖南省劳动厅编制益阳高级技工学校益阳高级技工学校益阳高级技工学校以后,I E 继续增大,V E 略有上升,但变化不大,此时单结晶体管进入饱状态,图中对应于谷点V 以右的特性,称为饱和区。
当发射极电压减小到V E <V V 时,单结晶体管由导通恢复到截止状态。
综上所述,峰点电压V P 是单结晶体管由截止转向导通的临界点。
BB A A D P V V V V V η=≈+= (7-2-2)所以,V P 由分压比η和电源电压决定V BB 。
谷点电压V V 是单结晶体管由导通转向截止的临界点。
一般V V = 2~5V (V BB = 20V )。
国产单结晶体管的型号有BT31、BT32、BT33等。
BT 表示半导体特种管,3表示三个电极,第四个数字表示耗散功率分别为100、200、300mW 。
单结晶体管的检测图7-2-3为单结晶体管BT33管脚排列、结构图及电路符号。
好的单结晶体管PN 结正向电阻R EB1、R EB2均较小,且R EB1稍大于R EB2,PN 结的反向电阻R B1E 、R B2E 均应很大,根据所测阻值,即可判断出各管脚及管子的质量优劣。
用万用电表R ×10Ω档分别测量EB 1、EB 2间正、反向电阻,记入表7-2-1表7-2-1R EB1(Ω)R EB2(Ω)R B1E (K Ω)R B2E (K Ω)结 论任务二 单结晶体管振荡电路制作与调试益阳高级技工学校图7-2-5单结晶体管振荡电路2、仪器仪表双踪示波器一台 MF47万用表 1只3、制作调试步骤(1)将元器件按要求整形,插入通用电路板的相应位置,并连接好导线。
(2)闭合开关,接通电源。
分别用示波器观察电容C两端电压vc及电路输出电压vo。
在图7-2-6相应坐标中作出vc、vo波形。
(3)调节电路中电位器阻值,观察两波形变化,可以看出,改变电位器阻值将改变输出脉冲的__________(相位、频率、幅值)。
晶体管的识别与检测
1、检测小功率晶体二极管A、判别正、负电极(a)、观察外壳上的的符号标记。
通常在二极管的外壳上标有二极管的符号,带有三角形箭头的一端为正极,另一端是负极。
(b)、观察外壳上的色点。
在点接触二极管的外壳上,通常标有极性色点(白色或红色)。
一般标有色点的一端即为正极。
还有的二极管上标有色环,带色环的一端则为负极。
(c)、以阻值较小的一次测量为准,黑表笔所接的一端为正极,红表笔所接的一端则为负极。
B、检测最高工作频率FM。
晶体二极管工作频率,除了可从有关特性表中查阅出外,实用中常常用眼睛观察二极管内部的触丝来加以区分,如点接触型二极管属于高频管,面接触型二极管多为低频管。
另外,也可以用万用表R×1k挡进行测试,一般正向电阻小于1k的多为高频管。
C、检测最高反向击穿电压VRM。
对于交流电来说,因为不断变化,因此最高反向工作电压也就是二极管承受的交流峰值电压。
需要指出的是,最高反向工作电压并不是二极管的击穿电压。
一般情况下,二极管的击穿电压要比最高反向工作电压高得多(约高一倍)。
2、检测玻封硅高速开关二极管检测硅高速开关二极管的方法与检测普通二极管的方法相同。
不同的是,这种管子的正向电阻较大。
用R×1k电阻挡测量,一般正向电阻值为5k~10k,反向电阻值为无穷大。
3、检测快恢复、超快恢复二极管用万用表检测快恢复、超快恢复二极管的方法基本与检测塑封硅整流二极管的方法相同。
即先用R×1k挡检测一下其单向导电性,一般正向电阻为4.5k左右,反向电阻为无穷大;再用R×1挡复测一次,一般正向电阻为几欧,反向电阻仍为无穷大。
4、检测双向触发二极管A、将万用表置于R×1k挡,测双向触发二极管的正、反向电阻值都应为无穷大。
若交换表笔进行测量,万用表指针向右摆动,说明被测管有漏电性故障。
将万用表置于相应的直流电压挡。
测试电压由兆欧表提供。
测试时,摇动兆欧表,万用表所指示的电压值即为被测管子的VBO值。
晶体管与场效应管的识别与检测.
晶体管与场效应管检测
先用万用表R×10kΩ挡(内置有9V或15V电池),把负表笔(黑) 接栅极(G),正表笔(红)接源极(S)。给栅、源极之间充电,此时万用 表指针有轻微偏转。再改用万用表R×1Ω挡,将负表笔接漏极(D), 正表笔接源极(S),万用表指示值若为几欧姆,则说明NMOS场效应 管是好的。PMOS管的判断方法如图所示。与NMOS管相似,正负 表笔与NMOS相反即可
通信技术专业教学资源库 广东轻工职业技术学院
《移动终端技术与设备维修》 课程
晶体管与场效应管的 识别与检测
主讲:罗德宇
晶体管与场效应管(MOS)的识别
1、外形:大多数为三只脚,少数为四只脚。 2、颜色:一般为黑色
晶体管与场效应管(MOS)的识别
D 漏极
G
S
栅极
源极
ห้องสมุดไป่ตู้
晶体管和场效应管的符号
晶体管与场效应管检测
通信技术专业教学资源库 广东轻工职业技术学院
谢谢
主讲:罗德宇
手机半导体元件识别与检测实训
(1)实训目的 掌握手机半导体元件的识别技能,能对手机半导体元件进行简单检测。 (2)实训器材与工作环境 1)手机主要元器件、手机主板若干,具体种类、数量由指导教师根据实际情况 确定。 2)数字、模拟万用表各一只。 3)手机维修平台、热风枪、防静电调温电烙铁各一台。 4)建立一个良好的工作环境。 (3)实训内容 1)识别手机主板的三极管、场效应管。 2)拆焊手机主板上的三极管、场效应管,仔细观察三极管、场效应管的特点( 颜色、标识、引脚等),并做简单检测。
1、 用指针万用表表判别三极管类型和管脚的方法 根据PN结正向电阻小,反向电阻大的性质,可以用万用表判别管子的 类型和基极。将万用表调至R × 1k档(数字万用表用二极管档)来测量。 在手机元件分布图中的晶体三极管两脚在一边的是基极和发射极,管脚为另 一侧的是集电极。关键是要判别出何为基极,何为发射极。可假定一管脚为 :“基极”,用正表笔接“基极”,负表笔分别接另外两管脚,如果测得的 均为低阻值,则正表笔接的就是“基极”,而且是PNP型的管子,如将正 负表笔对调,即负表笔接基极,正表笔接另两管脚,读数均为高阻值,则证 明上述假定正确。若正表笔接基极,照上述方法测得均为高阻值,而用负表 笔接基极,正表笔接另两极引线,测得均低阻值,则所接的基极是NPN型 的管子的基极。如果按上述方法测得结果一个是低阻值,一个是高阻值,则 假定基极是错的,则可推断此管脚为发射极。
晶体管的识别与检测
(二极管和三极管)
• 一、二极管的识别与检测
• 二极管的种类很多只介绍普通的二极管 • 下面请看外观如图;
• 1、二极管的型号命名方法 • 由五部分组成、见下表 • 第五部分表示规格号(在表上无法显示)
• 下面列举实例: • 如图
• 2、二极管的极性判别 • 1)直观法(如图)
2、三极管的识别、与检测
1)NPN型和PNP型的识别 a)直观法 b)万用表识别法;NPN和PNP型如图。再看 视频。
• 直观法
• C)三极管引脚识别;上是NPN,下是PNP
• 下面请看视频
• 请稍等
课题五手工焊接方法
• 主要介绍直角插焊工艺过程
• • • • • 1)插装导线或元件 2)焊接 3)剪头 下面对一般元器件的插装方法及要求 请看图和视频
• 焊接要求
• 焊点的要求
• • • •
2)用万用表极性判别 其方法是用万用表R×100或R×1K挡 请看下图 下面再看视频
• a)晶体二极管的性能检测 • b)反向击穿电压的检测 • 用摇表来判断如图
• 二、三极管的识别与检测
• 常用三极管的有硅和锗材料。外观如图
ห้องสมุดไป่ตู้
• 1、三极管的命名;国产如图
• 进口的命名方法;如图
晶体管(三极管)识别与检测
认识晶体管
• 晶体管(transistor)是最常用的固体半导 体器件之一。具有检波、整流、放大、开关、 稳压、信号调制等多种功能,通常在开关、 放大、混频电路中被使用。 • 晶体管有三个极:双极性晶体管的三个 • 极,分别由N型跟P型组成发射极 (Emitter)、基极(Base) 和集电极 (Collector)
三极管输入特性曲线
三极管输出特性曲线
晶体管分类
• 晶体管可以按照其材料、工艺、电流容量、 工作频率、封装结构、功能和用途进行分 类。 • 常见的晶体管种类有:半导体晶体管、电 力晶体管、光晶体管、双极晶体管、双极 结型晶体管 、场效应晶体管、静电感应晶 体管、单电子晶体管、绝缘栅双极晶体管 等。
三极管结构
三极管主要参数
• • • • • 三极管直流参数 三极管交流参数 三极管极限参数 三极管输入特性曲线 三极管输出特性曲线
三极管直流参数
• (1)集电极一基极反向饱和电流Icbo,发射极开路(Ie=0)时, 基极和集电极之间加上规定的反向电压Vcb时的集电极反向电流, 它只与温度有关,在一定温度下是个常数,所以称为集电极一基 极的反向饱和电流。良好的三极管,Icbo很小,小功率锗管的 Icbo约为1~10微安,大功率锗管的Icbo可达数毫安,而硅管的 Icbo则非常小,是毫微安级。 • (2)集电极一发射极反向电流Iceo(穿透电流)基极开路(Ib=0) 时,集电极和发射极之间加上规定反向电压Vce时的集电极电流。 Iceo大约是Icbo的β倍即Iceo=(1+β)IcbooIcbo和Iceo受温度影响 极大,它们是衡量管子热稳定性的重要参数,其值越小,性能越 稳定,小功率锗管的Iceo比硅管大。 • (3)发射极---基极反向电流Iebo集电极开路时,在发射极与基 极之间加上规定的反向电压时发射极的电流,它实际上是发射结 的反向饱和电流。 • (4)直流电流放大系数β1(或hEF)这是指共发射接法,没有 交流信号输入时,集电极输出的直流电流与基极输入的直流电流 的比值,即:β1=Ic/Ib
晶体管特性的鉴别与测试
二 晶体管特性的鉴别与测试一.实验目的1、掌握用万用表粗略鉴别晶体管性能的方法。
2、进一步熟悉晶体管参数和特性曲线的物理意义。
二、实验预习要求1、复习晶体管的基本特性。
2、根据晶体管特性拟出测试电路和方案。
三、实验原理晶体管性能的优劣,可以从它的特性曲线或一些参数上加以判别。
本次实验主要介绍采用简易的仪器设备鉴别晶体管性能的方法,即用万用表粗测晶体管的性能和用逐点法测管子的特性曲线。
1、利用万用表测试晶体二极管(1)鉴别正负极性万用表欧姆档的内部电路可以用图2.2.1(b)所示电路等效,由图可见,黑棒为正极性,红棒为负极性。
将万用表选在R*100档,两棒接到二极管两端如图2.2.1(a),若表针指在几千欧以下的阻值,则接黑棒一端为二极管的正极,二极管正向导通;反之,如果表针指很大(几百千欧)的阻值,则接红棒的那一端为正极。
(2)鉴别性能将万用表的黑棒接二极管正极,红棒接二极管负极,测得二极管的正向电阻。
一般在几千欧下为好,要求正向电阻愈小愈好。
将红棒接二极管的正极,黑棒接二极管负极,可测出反向电阻。
一般应大200千欧以上。
若反向电阻太小,二极管失去单向导点作用。
如果正反向电阻都为无穷大,表明管子已断路;反之,二者都为零表明管子短路。
2,利用万用表测试小功率晶体三极管晶体三极管的结构犹如“背靠背”两个二极管,如图,2.2.2所示。
测试时用R*100或*1K档。
(1) 判断基极b和管子的类型用万用表的红棒接晶体管的某一极,黑棒依次接其它两个极,若两次测得电阻都很小(在几百K欧以下),则红棒的为PNP型管子的基极b;若量得电阻都很大(在几百千欧以上),则红棒所接的是NPN型管子的基极b。
若两次量得的阻值为一大小 ,应换一个极再试量。
(2) 确定发射极e和集电极c以PNP型管为例,基极确定以后,用万用表两根棒分别接另两个未知电极,假设红棒所接电极为c,黑棒所接电极是e,用一个100千欧的电阻一端接b。
一端接红棒(相当于注入一个Ib),观察接上电阻时表针摆动的幅度大小。
三极管的识别与检测-17页word资料
晶体三极管的识别和检测晶体三极管又称半导体三极管,简称晶体管或三极管。
在三极管内,有两种载流子:电子与空穴,它们同时参与导电,故晶体三极管又称为双极型晶体三极管,它的基本功能是具有电流放大作用。
一、结构NPN和PNP型两类三极管的结构如图。
它有两个PN结(分别称为发射结和集电结),三个区(分别称为发射区、基区和集电区),从三个区域引出三个电极(分别称为发射极e、基极b和集电极c)。
发射极的箭头方向代表发射结正向导通时的电流的实际流向。
为了保证三极管具有良好的电流放大作用,在制造三极管的工艺过程中,必须作到:①使发射区的掺杂浓度最高,以有效地发射载流子;②使基区掺杂浓度最小,且区最薄,以有效地传输载流子;③使集电区面积最大,且掺杂浓度小于发射区,以有效地收集载流子。
半导体三极管亦称双极型晶体管,其种类非常多。
按照结构工艺分类,有PNP和NPN型;按照制造材料分类,有锗管和硅管;按照工作频率分类,有低频管和高频管;一般低频管用以处理频率在3MHz以下的电路中,高频管的工作频率可以达到几百兆赫。
按照允许耗散的功率大小分类,有小功率管和大功率管;一般小功率管的额定功耗在1W以下,而大功率管的额定功耗可达几十瓦以上。
1、共射电流放大系数β:β值一般在20~200,它是表征三极管电流放大作用的最主要的参数。
2、反向击穿电压值U(BR)CEO:指基极开路时加在c、e两端电压的最大允许值,一般为几十伏,高压大功率管可达千伏以上。
3、最大集电极电流I CM :指由于三极管集电极电流I C过大使β值下降到规定允许值时的电流(一般指β值下降到2/3正常值时的I C值)。
实际管子在工作时超过I CM并不一定损坏,但管子的性能将变差。
4、最大管耗P CM :指根据三极管允许的最高结温而定出的集电结最大允许耗散功率。
在实际工作中三极管的I C与U CE的乘积要小于P CM值,反之则可能烧坏管子。
5、穿透电流I CEO:指在三极管基极电流I B=0时,流过集电极的电流I C。
晶体管的检测经验
晶体管的检测经验(一)晶体管材料与极性的判别1.从晶体管的型号命名上识别其材料与极性国产晶体管型号命名的第二部分用英文字母A'D表示晶体管的材料和极性。
其中,“A”代表锗材料PNP型管,“B”代表锗材料NPN型管,“C”代表硅材料PNP型管,“D”代表硅材料NPN型管。
***产晶体管型号命名的第三部分用字母A'D来表示晶体管的材料和类型(不代表极性)。
其中,“A”、“B”为PNP型管,“C”、“D”为NPN型管。
通常,“A”、“C”为高频管,“B”、“D”为低频管。
欧洲产晶体管型号命名的第一部分用字母“A”和“B”表示晶体管的材料(不表示NPN或PNP型极性)。
其中,“A”表示锗材料,“B”表示硅材料。
2.从封装外形上识别晶体管的引脚在使用权晶体管之前,首先要识别晶体管各引脚的极性。
不同种类、不同型号、不同功能的晶体管,其引脚排列位置也不同。
通过阅读上述“晶体管的封装外形”中的内容,可以快速识别也常用晶体管各引脚的极性。
3.用万用表判别晶体管的极性与材料对于型号标志不清或虽有型号但无法识别其引脚的晶体管,可以通过万用表测试来判断出该晶体管的极性、引脚及材料。
对于一般小功率晶体管,可以用万用表R&TImes;100Ω档或R&TImes;1k档,用两表笔测量晶体管任意两个引脚间的正、反向电阻值。
在测量中会发现:当黑表笔(或红表笔)接晶体管的某一引脚时,用红表笔(或黑表笔)去分别接触另外两个引脚,万用表上指示均为低阻值。
此时,所测晶体管与黑表笔(或红表笔)连接的引脚便是基极B,而别外两个引脚为集电极C和发射极E。
若基极接的是红表笔,则该管为PNP 管;若基极接的是黑表笔,则该管国 NPN管。
也可以先假定晶体管的任一个引脚为基极,与红表笔或黑表笔接触,再用另一表笔去分别接触另外两个引脚,若测出两个均较小的电阻值时,则固定不动的表笔所接的引脚便是基极B,而另外两个引脚为发射极E和集电极C。
单结晶体管的识别及检测
单结晶体管的识别及检测(共8页)--本页仅作为文档封面,使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--湖南省技工学校理论教学教案教师姓名:2345饱状态,图中对应于谷点V 以右的特性,称为饱和区。
当发射极电压减小到V E <V V 时,单结晶体管由导通恢复到截止状态。
综上所述,峰点电压V P 是单结晶体管由截止转向导通的临界点。
BB A A D P V V V V V η=≈+= (7-2-2)所以,V P 由分压比η和电源电压决定V BB 。
谷点电压V V 是单结晶体管由导通转向截止的临界点。
一般V V = 2~5V (V BB = 20V )。
国产单结晶体管的型号有BT31、BT32、BT33等。
BT 表示半导体特种管,3表示三个电极,第四个数字表示耗散功率分别为100、200、300mW 。
单结晶体管的检测图7-2-3为单结晶体管BT33管脚排列、结构图及电路符号。
好的单结晶体管PN 结正向电阻R EB1、R EB2均较小,且R EB1稍大于R EB2,PN 结的反向电阻R B1E 、R B2E 均应很大,根据所测阻值,即可判断出各管脚及管子的质量优劣。
用万用电表R ×10Ω档分别测量EB 1、EB 2间正、反向电阻,记入表7-2-1表7-2-1 R EB1(Ω)R EB2(Ω)R B1E (K Ω)R B2E (K Ω)结 论任务二 单结晶体管振荡电路制作与调试6图7-2-5单结晶体管振荡电路2、仪器仪表双踪示波器一台 MF47万用表 1只3、制作调试步骤(1)将元器件按要求整形,插入通用电路板的相应位置,并连接好导线。
(2)闭合开关,接通电源。
分别用示波器观察电容C两端电压vc 及电路输出电压vo。
在图7-2-6相应坐标中作出vc、vo波形。
(3)调节电路中电位器阻值,观察两波形变化,可以看出,改变电位器阻值将改变输出脉冲的__________(相位、频率、幅值)。
实验二晶体管识别、检测与传输特性测试
、实验目的1、掌握用万用表判断晶体三极管类型与管脚的方法2、掌握测量晶体三极管性能参数的方法。
3、掌握晶体三极管应用电路的测试方法,加深对晶体管放大特性及工作状态的理解二、实验仪器万用表,晶体三极管若干;直流稳压电源1台,硅NPN 晶体管1只,10 k Q 、100 k Q 、2 kQ 电阻各1只.三、实验内容原理:(一)用万用表测试晶体管的方法 1•目测法3XXX ,其中,3AXX 为 锗PNP 型;3BXX 为锗NPN 型;3CXX为硅 PNP 型;3DXX 为硅NPN 型。
b 判定管脚:一般三极管的管脚排列如图,准确判别可查手册。
三极管等效电路2.用万用表判别三极管管脚NPN 图3—1三极管等效电路实验二晶体管的识别、检测与传输特性测试a 、根据型号判别三极管的材料和类型:国产三极管的型号标记为晶体三极管是由两个 PN 结组成的有源三端器件,分为 NPN 和PNP 两种类型。
等效为:PNPSEOCOKVoaA.指针式万用表判别法:指针式万用表的黑表笔(插在万用表的■”插孔)接的是万用表电源的正极,为高电位端;红表笔为低电位端。
1)三极管基极与类型的判断当我们将万用表的红表笔接在NPN型晶体管的基极b,而用黑表笔分别去接该管的集电极c和发射极e时,两个二极管都反偏,万用表指针偏转角度都很小。
也就是说两次测得的电阻都很大。
当我们用同样的方法去测PNP型晶体管时,两次测得的电阻都很小。
根据上述原理,可采用如下方法判别三极管的管型(NPN型或PNP型)和基极:用万用表的红表笔接晶体管的某一极,黑表笔分别去接其它两个极时,1.若两次测得的电阻都很小或者都很大时,可以确定红表笔接的就是管子的基极2.若两次测得的电阻均很小,则该管子为PNP型;若两次测得电阻均很大,则为NPN型;或者说测得电阻都大时,则黑表笔所接的是PNP型管子的基极,若测得电阻都小时,则黑表笔所接的是NPN型管子的基极。
若两次测得的电阻一大一小,应将红表笔换接一个极再测试。
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1、检测小功率晶体二极管A、判别正、负电极(a)、观察外壳上的的符号标记。
通常在二极管的外壳上标有二极管的符号,带有三角形箭头的一端为正极,另一端是负极。
(b)、观察外壳上的色点。
在点接触二极管的外壳上,通常标有极性色点(白色或红色)。
一般标有色点的一端即为正极。
还有的二极管上标有色环,带色环的一端则为负极。
(c)、以阻值较小的一次测量为准,黑表笔所接的一端为正极,红表笔所接的一端则为负极。
B、检测最高工作频率FM。
晶体二极管工作频率,除了可从有关特性表中查阅出外,实用中常常用眼睛观察二极管内部的触丝来加以区分,如点接触型二极管属于高频管,面接触型二极管多为低频管。
另外,也可以用万用表R×1k挡进行测试,一般正向电阻小于1k的多为高频管。
C、检测最高反向击穿电压VRM。
对于交流电来说,因为不断变化,因此最高反向工作电压也就是二极管承受的交流峰值电压。
需要指出的是,最高反向工作电压并不是二极管的击穿电压。
一般情况下,二极管的击穿电压要比最高反向工作电压高得多(约高一倍)。
2、检测玻封硅高速开关二极管检测硅高速开关二极管的方法与检测普通二极管的方法相同。
不同的是,这种管子的正向电阻较大。
用R×1k电阻挡测量,一般正向电阻值为5k~10k,反向电阻值为无穷大。
3、检测快恢复、超快恢复二极管用万用表检测快恢复、超快恢复二极管的方法基本与检测塑封硅整流二极管的方法相同。
即先用R×1k挡检测一下其单向导电性,一般正向电阻为4.5k左右,反向电阻为无穷大;再用R×1挡复测一次,一般正向电阻为几欧,反向电阻仍为无穷大。
4、检测双向触发二极管A、将万用表置于R×1k挡,测双向触发二极管的正、反向电阻值都应为无穷大。
若交换表笔进行测量,万用表指针向右摆动,说明被测管有漏电性故障。
将万用表置于相应的直流电压挡。
测试电压由兆欧表提供。
测试时,摇动兆欧表,万用表所指示的电压值即为被测管子的VBO值。
然后调换被测管子的两个引脚,用同样的方法测出VBR值。
最后将VBO与VBR进行比较,两者的绝对值之差越小,说明被测双向触发二极管的对称性越好。
5、瞬态电压抑制二极管(TVS)的检测A、用万用表R×1k挡测量管子的好坏对于单极型的TVS,按照测量普通二极管的方法,可测出其正、反向电阻,一般正向电阻为4kΩ左右,反向电阻为无穷大。
对于双向极型的TVS,任意调换红、黑表笔测量其两引脚间的电阻值均应为无穷大,否则,说明管子性能不良或已经损坏。
6、高频变阻二极管的检测A、识别正、负极高频变阻二极管与普通二极管在外观上的区别是其色标颜色不同,普通二极管的色标颜色一般为黑色,而高频变阻二极管的色标颜色则为浅色。
其极性规律与普通二极管相似,即带绿色环的一端为负极,不带绿色环的一端为正极。
B、测量正、反向电阻来判断其好坏具体方法与测量普通二极管正、反向电阻的方法相同,当使用500型万用表R×1k挡测量时,正常的高频变阻二极管的正向电阻为5k~5.5k,反向电阻为无穷大。
7、变容二极管的检测将万用表置于R×10k挡,无论红、黑表笔怎样对调测量,变容二极管的两引脚间的电阻值均应为无穷大。
如果在测量中,发现万用表指针向右有轻微摆动或阻值为零,说明被测变容二极管有漏电故障或已经击穿损坏。
对于变容二极管容量消失或内部的开路性故障,用万用表是无法检测判别的。
必要时,可用替换法进行检查判断。
8、单色发光二极管的检测在万用表外部附接一节1.5V干电池,将万用表置R×10或R×100挡。
这种接法就相当于给万用表串接上了1.5V电压,使检测电压增加至3V(发光二极管的开启电压为2V)。
检测时,用万用表两表笔轮换接触发光二极管的两管脚。
若管子性能良好,必定有一次能正常发光,此时,黑表笔所接的为正极,红表笔所接的为负极。
9、红外发光二极管的检测A、判别红外发光二极管的正、负电极。
红外发光二极管有两个引脚,通常长引脚为正极,短引脚为负极。
因红外发光二极管呈透明状,所以管壳内的电极清晰可见,内部电极较宽较大的一个为负极,而较窄且小的一个为正极。
B、将万用表置于R×1k挡,测量红外发光二极管的正、反向电阻,通常,正向电阻应在30k左右,反向电阻要在500k以上,这样的管子才可正常使用。
要求反向电阻越大越好。
10、红外接收二极管的检测A、识别管脚极性(a)、从外观上识别。
常见的红外接收二极管外观颜色呈黑色。
识别引脚时,面对受光窗口,从左至右,分别为正极和负极。
另外,在红外接收二极管的管体顶端有一个小斜切平面,通常带有此斜切平面一端的引脚为负极,另一端为正极。
(b)、将万用表置于R×1k挡,用来判别普通二极管正、负电极的方法进行检查,即交换红、黑表笔两次测量管子两引脚间的电阻值,正常时,所得阻值应为一大一小。
以阻值较小的一次为准,红表笔所接的管脚为负极,黑表笔所接的管脚为正极。
B、检测性能好坏。
用万用表电阻挡测量红外接收二极管正、反向电阻,根据正、反向电阻值的大小,即可初步判定红外接收二极管的好坏。
11、激光二极管的检测A、将万用表置于R×1k挡,按照检测普通二极管正、反向电阻的方法,即可将激光二极管的管脚排列顺序确定。
但检测时要注意,由于激光二极管的正向压降比普通二极管要大,所以检测正向电阻时,万用表指针仅略微向右偏转而已,而反向电阻则为无穷大。
三极管的检测方法1、中、小功率三极管的检测A、已知型号和管脚排列的三极管,可按下述方法来判断其性能好坏(a)、测量极间电阻。
将万用表置于R×100或R×1k挡,按照红、黑表笔的六种不同接法进行测试。
其中,发射结和集电结的正向电阻值比较低,其他四种接法测得的电阻值都很高,约为几百千欧至无穷大。
但不管是低阻还是高阻,硅材料三极管的极间电阻要比锗材料三极管的极间电阻大得多。
(b)、三极管的穿透电流ICEO的数值近似等于管子的倍数β和集电结的反向电流ICBO 的乘积。
ICBO随着环境温度的升高而增长很快,ICBO的增加必然造成ICEO的增大。
而ICEO 的增大将直接影响管子工作的稳定性,所以在使用中应尽量选用ICEO小的管子。
通过用万用表电阻直接测量三极管e-c极之间的电阻方法,可间接估计ICEO的大小,具体方法如下:万用表电阻的量程一般选用R×100或R×1k挡,对于PNP管,黑表管接e极,红表笔接c极,对于NPN型三极管,黑表笔接c极,红表笔接e极。
要求测得的电阻越大越好。
e-c间的阻值越大,说明管子的ICEO越小;反之,所测阻值越小,说明被测管的ICEO越大。
一般说来,中、小功率硅管、锗材料低频管,其阻值应分别在几百千欧、几十千欧及十几千欧以上,如果阻值很小或测试时万用表指针来回晃动,则表明ICEO很大,管子的性能不稳定。
(c)、测量放大能力(β)。
目前有些型号的万用表具有测量三极管hFE的刻度线及其测试插座,可以很方便地测量三极管的放大倍数。
先将万用表功能开关拨至挡,量程开关拨到ADJ位置,把红、黑表笔短接,调整调零旋钮,使万用表指针指示为零,然后将量程开关拨到hFE位置,并使两短接的表笔分开,把被测三极管插入测试插座,即可从hFE刻度线上读出管子的放大倍数。
另外:有此型号的中、小功率三极管,生产厂家直接在其管壳顶部标示出不同色点来表明管子的放大倍数β值,其颜色和β值的对应关系如表所示,但要注意,各厂家所用色标并不一定完全相同。
B、检测判别电极(a)、判定基极。
用万用表R×100或R×1k挡测量三极管三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。
当用第一根表笔接某一电极,而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时,则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。
这时,要注意万用表表笔的极性,如果红表笔接的是基极b。
黑表笔分别接在其他两极时,测得的阻值都较小,则可判定被测三极管为PNP型管;如果黑表笔接的是基极b,红表笔分别接触其他两极时,测得的阻值较小,则被测三极管为NPN型管。
(b)、判定集电极c和发射极e。
(以PNP为例)将万用表置于R×100或R×1k挡,红表笔基极b,用黑表笔分别接触另外两个管脚时,所测得的两个电阻值会是一个大一些,一个小一些。
在阻值小的一次测量中,黑表笔所接管脚为集电极;在阻值较大的一次测量中,黑表笔所接管脚为发射极。
C、判别高频管与低频管高频管的截止频率大于3MHz,而低频管的截止频率则小于3MHz,一般情况下,二者是不能互换的。
D、在路电压检测判断法在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上,由于元件的安装密度大,拆卸比较麻烦,所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡,去测量被测三极管各引脚的电压值,来推断其工作是否正常,进而判断其好坏。
2、大功率晶体三极管的检测利用万用表检测中、小功率三极管的极性、管型及性能的各种方法,对检测大功率三极管来说基本上适用。
但是,由于大功率三极管的工作电流比较大,因而其PN结的面积也较大。
PN结较大,其反向饱和电流也必然增大。
所以,若像测量中、小功率三极管极间电阻那样,使用万用表的R×1k挡测量,必然测得的电阻值很小,好像极间短路一样,所以通常使用R×10或R×1挡检测大功率三极管。
3、普通达林顿管的检测用万用表对普通达林顿管的检测包括识别电极、区分PNP和NPN类型、估测放大能力等项内容。
因为达林顿管的E-B极之间包含多个发射结,所以应该使用万用表能提供较高电压的R×10k挡进行测量。
4、大功率达林顿管的检测检测大功率达林顿管的方法与检测普通达林顿管基本相同。
但由于大功率达林顿管内部设置了V3、R1、R2等保护和泄放漏电流元件,所以在检测量应将这些元件对测量数据的影响加以区分,以免造成误判。
具体可按下述几个步骤进行:A、用万用表R×10k挡测量B、C之间PN结电阻值,应明显测出具有单向导电性能。
正、反向电阻值应有较大差异。
B、在大功率达林顿管B-E之间有两个PN结,并且接有电阻R1和R2。
用万用表电阻挡检测时,当正向测量时,测到的阻值是B-E结正向电阻与R1、R2阻值并联的结果;当反向测量时,发射结截止,测出的则是(R1+R2)电阻之和,大约为几百欧,且阻值固定,不随电阻挡位的变换而改变。
但需要注意的是,有些大功率达林顿管在R1、R2、上还并有二极管,此时所测得的则不是(R1+R2)之和,而是(R1+R2)与两只二极管正向电阻之和的并联电阻值。
5、带阻尼行输出三极管的检测将万用表置于R×1挡,通过单独测量带阻尼行输出三极管各电极之间的电阻值,即可判断其是否正常。