单结晶体管的识别与检测
单结晶体管的识别
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单结晶体管的主要参数
• （1）基极间电阻Rbb 。发射极开路时，基极b1、b2之间的 电阻，一般为2～10KΩ，其数值随温度上升而增大。通常 Rbb具有纯电阻特性，阻值大小与温度有关。 （2）分压比η 。分压比是指Rb1上产生电压Ub1与两基极 电压Ubb的比值，公式为：η=Ub1/Ubb=Rb1/Rbb，它由管 子内部结构决定的常数，一般为0.3～0.9。 （3）eb1间反向电压Vcb1 b2开路，在额定反向电压Vcb2 下，基极b1与发射极e之间的反向耐压。 （4）反向电流Ieo 。b1开路，在额定反向电压Vcb2下， eb2间的反向电流。如果实际测得管子的反向电流太大，则 表明PN结的单向特性差，单结晶体管有漏电现象。 （5）发射极饱和压降Veo 。在最大发射极额定电流时， eb1间的压降。 （6）峰点电流Ip。 单结晶体管刚开始导通时，发射极电 压为峰点电压时的发射极电流。
• 应当说明的是，上述判别b1、b2的方法，不一定对所有的单 结晶体管都适用，有个别管子的e～b1间的正向电阻值较小。 即使b1、b2用颠倒了，也不会使管子损坏，只影响输出脉冲 的幅度（单结晶体管多在脉冲发生器中使用），当发现输出 的脉冲幅度偏小时，只要将原来假定的b1、b2对调过来就可 以了。
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单结晶体管的识别与检测
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• 单结晶体管的结构、外形及特点
• 单结晶体管（简称UJT）又称双基极二极管，是一种只有一 个PN结和两个电阻接触电极的三端半导体器件，单结晶体 管（简称UJT）又称基极二极管，它的基片为条状的高阻N
型硅片，两端分别用电阻接触引出两个基极b1和b2。
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单结晶体管的识别及检测
湖南省技工学校理论教学教案教师：以后，I E 继续增大，V E 略有上升，但变化不大，此时单结晶体管进入饱状态，图中对应于谷点V 以右的特性，称为饱和区。
当发射极电压减小到V E <V V 时，单结晶体管由导通恢复到截止状态。
综上所述，峰点电压V P 是单结晶体管由截止转向导通的临界点。
BB A A D P V V V V V η=≈+= （7-2-2）所以，V P 由分压比η和电源电压决定V BB 。
谷点电压V V 是单结晶体管由导通转向截止的临界点。
一般V V = 2～5V （V BB = 20V ）。
国产单结晶体管的型号有BT31、BT32、BT33等。
BT 表示半导体特种管，3表示三个电极，第四个数字表示耗散功率分别为100、200、300mW 。
单结晶体管的检测图7-2－3为单结晶体管BT33管脚排列、结构图及电路符号。
好的单结晶体管PN 结正向电阻R EB1、R EB2均较小，且R EB1稍大于R EB2，PN 结的反向电阻R B1E 、R B2E 均应很大，根据所测阻值，即可判断出各管脚及管子的质量优劣。
用万用电表R ×10Ω档分别测量EB 1、EB 2间正、反向电阻，记入表7－2-1表7-2－1R EB1(Ω)R EB2(Ω)R B1E (K Ω)R B2E (K Ω)结 论任务二 单结晶体管振荡电路制作与调试图7-2-5单结晶体管振荡电路2、仪器仪表双踪示波器一台 MF47万用表 1只3、制作调试步骤（1）将元器件按要求整形，插入通用电路板的相应位置,并连接好导线。
（2）闭合开关，接通电源。
分别用示波器观察电容C两端电压vc 及电路输出电压vo。
在图7-2-6相应坐标中作出vc、vo波形。
（3）调节电路中电位器阻值，观察两波形变化，可以看出，改变电位器阻值将改变输出脉冲的__________(相位、频率、幅值)。
图7-2-6 vc、vo波形图[布置作业]完成实验报告[课后预习]调光台灯电路的制作与调试。
六、怎样检测单结晶体管_快速学认电子元器件（双色版）_[共3页]
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103快速学认电子元器件（双色版）
2．延时电路
单结晶体管可以用作延时电路。
图4-70所示为延时接通开关电路，电源开关SA接通后，继电器K并不立即吸合，这时电源经RP 和R1向C充电，直到C上所充电压达到峰点电压U P时，单结晶体管V导通，K才吸合。
触点K-1和K-2使K保持吸合状态。
调节RP可改变延时时间。
图4-70 延时电路
3．触发电路
单结晶体管还可以用作晶闸管触发电路。
图4-71所示为调光台灯电路，在交流电的每半周内，晶闸管VS由单结晶体管V输出的窄脉冲触发导通，调节RP便改变了V输出窄脉冲的时间，即改变了VS 的导通角，从而改变了流过照明灯泡EL的电流，实现了调光的目的。
六、怎样检测单结晶体管
单结晶体管可以用万用表进行检测。
1．检测两基极间电阻
万用表置于“R×1k”挡，两表笔（不分正、负）接单结晶体管除发射极E以外的两个引脚，如图4-72所示，读数应为3～10kΩ。
2．检测PN结
（1）检测PN结正向电阻时（以N型基极管为例，下同），黑表笔（表内电池正极）接发射极E，红表笔分别接两个基极，如图4-73。
单结晶体管的识别与检测
湖南省技工学校理论教学教案教师姓名：注：教案首页，教案用纸由学校另行准备湖南省劳动厅编制益阳高级技工学校益阳高级技工学校益阳高级技工学校以后，I E 继续增大，V E 略有上升，但变化不大，此时单结晶体管进入饱状态，图中对应于谷点V 以右的特性，称为饱和区。
当发射极电压减小到V E <V V 时，单结晶体管由导通恢复到截止状态。
综上所述，峰点电压V P 是单结晶体管由截止转向导通的临界点。
BB A A D P V V V V V η=≈+= （7-2-2）所以，V P 由分压比η和电源电压决定V BB 。
谷点电压V V 是单结晶体管由导通转向截止的临界点。
一般V V = 2～5V （V BB = 20V ）。
国产单结晶体管的型号有BT31、BT32、BT33等。
BT 表示半导体特种管，3表示三个电极，第四个数字表示耗散功率分别为100、200、300mW 。
单结晶体管的检测图7-2－3为单结晶体管BT33管脚排列、结构图及电路符号。
好的单结晶体管PN 结正向电阻R EB1、R EB2均较小，且R EB1稍大于R EB2，PN 结的反向电阻R B1E 、R B2E 均应很大，根据所测阻值，即可判断出各管脚及管子的质量优劣。
用万用电表R ×10Ω档分别测量EB 1、EB 2间正、反向电阻，记入表7－2-1表7-2－1R EB1(Ω)R EB2(Ω)R B1E (K Ω)R B2E (K Ω)结 论任务二 单结晶体管振荡电路制作与调试益阳高级技工学校图7-2-5单结晶体管振荡电路2、仪器仪表双踪示波器一台 MF47万用表 1只3、制作调试步骤（1）将元器件按要求整形，插入通用电路板的相应位置,并连接好导线。
（2）闭合开关，接通电源。
分别用示波器观察电容C两端电压vc及电路输出电压vo。
在图7-2-6相应坐标中作出vc、vo波形。
（3）调节电路中电位器阻值，观察两波形变化，可以看出，改变电位器阻值将改变输出脉冲的__________(相位、频率、幅值)。
晶体管的识别与检测
1、检测小功率晶体二极管A、判别正、负电极(a)、观察外壳上的的符号标记。
通常在二极管的外壳上标有二极管的符号，带有三角形箭头的一端为正极，另一端是负极。
(b)、观察外壳上的色点。
在点接触二极管的外壳上，通常标有极性色点(白色或红色)。
一般标有色点的一端即为正极。
还有的二极管上标有色环，带色环的一端则为负极。
(c)、以阻值较小的一次测量为准，黑表笔所接的一端为正极，红表笔所接的一端则为负极。
B、检测最高工作频率FM。
晶体二极管工作频率，除了可从有关特性表中查阅出外，实用中常常用眼睛观察二极管内部的触丝来加以区分，如点接触型二极管属于高频管，面接触型二极管多为低频管。
另外，也可以用万用表R×1k挡进行测试，一般正向电阻小于1k的多为高频管。
C、检测最高反向击穿电压VRM。
对于交流电来说，因为不断变化，因此最高反向工作电压也就是二极管承受的交流峰值电压。
需要指出的是，最高反向工作电压并不是二极管的击穿电压。
一般情况下，二极管的击穿电压要比最高反向工作电压高得多(约高一倍)。
2、检测玻封硅高速开关二极管检测硅高速开关二极管的方法与检测普通二极管的方法相同。
不同的是，这种管子的正向电阻较大。
用R×1k电阻挡测量，一般正向电阻值为5k～10k，反向电阻值为无穷大。
3、检测快恢复、超快恢复二极管用万用表检测快恢复、超快恢复二极管的方法基本与检测塑封硅整流二极管的方法相同。
即先用R×1k挡检测一下其单向导电性，一般正向电阻为4.5k左右，反向电阻为无穷大；再用R×1挡复测一次，一般正向电阻为几欧，反向电阻仍为无穷大。
4、检测双向触发二极管A、将万用表置于R×1k挡，测双向触发二极管的正、反向电阻值都应为无穷大。
若交换表笔进行测量，万用表指针向右摆动，说明被测管有漏电性故障。
将万用表置于相应的直流电压挡。
测试电压由兆欧表提供。
测试时，摇动兆欧表，万用表所指示的电压值即为被测管子的VBO值。
三极管,单结晶体管,电解电容器,双向晶闸管的管脚判断,原理7页word文档
三极管：(1).判断三极管基极由于基极与发射极，基极与集电极之间分别是两个PN结，它们之间反向电阻都很大。
正向电阻都很小，步骤：①b极判别：先将任一表笔接到某一个认定的管脚上，如果测量得的阻值若一大一小，则可知它不是基极。
都很大（或很小），再对换表笔，重复上述测量时，阻值恰与上述相反，都很小（或很大）。
则可断定所认定的管脚为基极。
若不符合上述结果，应另换一个认定管脚重新测量。
直至符合。
（2）PNP、NPN判别：测量时注意极性（管脚和表笔），当黑表笔接在基极，红表笔接在其它两极时，测得的电阻值都较小，则可判定该三极管为NPN型，反之，当红表笔接在基极，黑表笔接到其它两极时，测得的电阻值较小由可判定该三极管的PNP型。
（3）判断集电极和发射极：基本原理：把三极管接成基本单管放大电路，利用测量管子的电流放大系数β的大小来判断集电极和发射极。
（4）好坏：如果三极管两个PN结正向电阻与反向电阻都很大（开路）或都很小（短路）则说明三极管已经损坏。
NPN型:将黑表笔接于一个待测的管脚，红表笔接另一个管脚，基极悬空，然后将黑表笔所接管脚与基极用手捏住（注意不能使其相碰，这时在黑表笔与基极间串入人体电阻），表针会有一个偏转角（α1）。
接着，更换黑红表笔，重复上述过程。
记录偏转角β变化，对于偏转角大者，则其黑表笔所接管脚便为集电极，红表笔所接管脚为发射极。
PNP型：与NPN型三极管判断c、e极原理一样，不同的是行后两次都用手捏住，经表笔与基极，观察表针偏转情况。
指针偏转角的大小一次红表笔所接管脚为集电极，黑表笔所接管脚为发射极。
可控硅管脚、好坏、触发能力判别：晶闸管有三个电极，即阳极、阴极和控制极。
用万用表测量极间电阻的方法可以判断其好坏，触发能力及管脚。
(1)好坏判别：①R×100档，测量晶闸管阳极与阴极间正反向电阻值，正常晶闸管正反向电阻值都应在几百千欧以上，若只有几欧或几十欧姆，则说明晶闸管已短路损坏。
省技工学校变频调速单结晶体管的识别与检测理论教学教案
一、教案基本信息1. 教案名称：省技工学校变频调速单结晶体管的识别与检测理论教学教案2. 学科领域：电气工程及自动化3. 课时安排：共5课时，每课时45分钟4. 教学目标：(1) 让学生了解单结晶体管的基本结构和工作原理。
(2) 使学生掌握单结晶体管的识别方法。
(3) 培养学生运用万用表等工具检测单结晶体管的能力。
二、教学内容与步骤1. 导入新课教师简要介绍单结晶体管在变频调速中的应用，激发学生的学习兴趣。
2. 讲解单结晶体管的基本结构教师通过多媒体课件展示单结晶体管的结构图，讲解各部分的作用。
3. 分析单结晶体管的工作原理教师讲解单结晶体管的工作原理，引导学生理解其工作过程。
4. 学习单结晶体管的识别方法教师介绍单结晶体管的参数和标识方法，引导学生学会识别。
5. 实践操作：用万用表检测单结晶体管教师演示如何用万用表检测单结晶体管，学生分组进行实践操作。
6. 总结与评价教师对学生的实践操作进行点评，总结本节课的重点内容。
三、教学方法与手段1. 采用问题驱动的教学方法，引导学生主动探究。
2. 利用多媒体课件辅助教学，提高学生的学习兴趣。
3. 结合实际操作，培养学生的动手能力。
4. 分组讨论，促进学生之间的交流与合作。
四、教学评价1. 课堂问答：检查学生对单结晶体管基本知识的掌握。
2. 实践操作：评价学生在实际操作中运用单结晶体管识别与检测的能力。
3. 课后作业：布置相关题目，巩固所学知识。
五、课后作业1. 绘制单结晶体管的结构图。
2. 总结单结晶体管的识别方法。
六、教学资源准备1. 教案课件：制作详细的教学课件，包括单结晶体管的结构图、工作原理图等。
2. 实物模型：准备一些单结晶体管的实物模型，用于学生观察和识别。
3. 万用表：为学生提供足够的万用表，用于实践操作。
4. 测试电路：准备一些测试电路，用于演示和引导学生进行实践操作。
七、教学注意事项1. 在讲解单结晶体管的基本结构时，要注意用简洁明了的语言，确保学生能够理解。
场效应管、晶闸管和单结晶体管的识别与检测
6.2 晶闸管的识别与检测 晶闸管又叫可控硅，是一种大功率半导体器 件，具有体积小、重量轻、容量大、效率高、 控制灵敏等优点。晶闸管具有硅整流器件的 特性，能在高电压、大电流条件下工作，工 作过程可以控制，被广泛应用在可控整流、 交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等 电子电路中。
6.2.1 晶闸管的分类
6.1.4场效应管使用注意事项 1.使用场效应管之前，必须首先搞清楚场效应管 的类型及它的电极，必要时应通过仪表进行测试。 结型场效应管的S、D极可互换，MOS场效应管的 S、D极一般也可互换，但有些产品S极与衬底连 在一起，这时S极与D极不能互换。 2.在线路设计中，应根据电路的需要选择场效应 管的类型及参数，使用时不允许超过场效应管的 耗散功率、最大漏源电流和电压的极限值。 3.各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的 偏置接入电路中，要注意场效应管偏置的极性。 4.在安装场效应管时，注意安装的位置要尽量避 免靠近发热元件；为了防止管子振动，安装时要 将管子紧固；管脚引线在弯曲时，应当大于管子 根部尺寸５mm以上处进行，以防止弯断管脚而引 起漏气。
（2）单向晶闸管触发能力的判断
1 .对1A～10A的晶闸管，可用万用表的R×1档，红表笔接A极，黑表笔 接K极，表针不动；然后使红表笔周与A极相接的情况下，同时与控制极 G接触。此时可从万用表的指针上看到晶闸管的A-K之间的电阻值明显变 小，指针停在几欧到十几欧处，晶闸管因触发处于导通状态。给G极一 个触发电压后离开，仍保持红表笔接A极，黑表笔接K极，若晶闸管处于 导通状态不变，则表明晶闸管是好的；否则，晶闸管可能是损坏的。
6.3.3 单结晶体管的主要参数 （1）基极间电阻Rbb 。发射极开路时，基极b1、b2之间的 电阻，一般为2～10K ，其数值随温度上升而增大。通常 Rbb具有纯电阻特性，阻值大小与温度有关。 （2）分压比η 。分压比是指Rb1上产生电压Ub1与两基极 电压Ubb的比值，公式为：η=Ub1/Ubb=Rb1/Rbb，它由管 子内部结构决定的常数，一般为0.3～0.9。 （3）eb1间反向电压Vcb1 b2开路，在额定反向电压Vcb2 3 eb1 Vcb1 b2 Vcb2 下，基极b1与发射极e之间的反向耐压。 （4）反向电流Ieo 。b1开路，在额定反向电压Vcb2下， eb2间的反向电流。如果实际测得管子的反向电流太大，则 表明PN结的单向特性差，单结晶体管有漏电现象。 （5）发射极饱和压降Veo 。在最大发射极额定电流时， eb1间的压降。 （6）峰点电流Ip。 单结晶体管刚开始导通时，发射极电 压为峰点电压时的发射极电流。
晶体管的检测经验
晶体管的检测经验1．从晶体管的型号命名上识别其材料与极性国产晶体管型号命名的其次部分用英文字母A"D表示晶体管的材料和极性。
其中，“A”代表锗材料PNP型管，“B”代表锗材料NPN型管，“C”代表硅材料PNP 型管，“D”代表硅材料NPN型管。
***产晶体管型号命名的第三部分用字母A"D来表示晶体管的材料和类型（不代表极性）。
其中，“A”、“B”为PNP型管，“C”、“D”为NPN型管。
通常，“A”、“C”为高频管，“B”、“D”为低频管。
欧洲产晶体管型号命名的第一部分用字母“A”和“B”表示晶体管的材料（不表示NPN或PNP型极性）。
其中，“A”表示锗材料，“B”表示硅材料。
2．从封装形状上识别晶体管的引脚在用法权晶体管之前，首先要识别晶体管各引脚的极性。
不同种类、不同型号、不同功能的晶体管，其引脚罗列位置也不同。
通过阅读上述“晶体管的封装形状”中的内容，可以迅速识别也常用晶体管各引脚的极性。
3．用判别晶体管的极性与材料对于型号标记不清或虽有型号但无法识别其引脚的晶体管，可以通过万用表测试来推断出该晶体管的极性、引脚及材料。
对于普通小功率晶体管，可以用万用表R×100Ω档或R×1k档，用两表笔测量晶体管随意两个引脚间的正、反向值。
在测量中会发觉：当黑表笔（或红表笔）接晶体管的某一引脚时，用红表笔（或黑表笔）去分离接触另外两个引脚，万用表上指示均为低阻值。
此时，所测晶体管与黑表笔（或红表笔）衔接的引脚便是基极B，而别外两个引脚为集电极C和放射极E。
若基极接的是红表笔，则该管为PNP管；若基极接的是黑表笔，则该管国 NPN管。
也可以先假定晶体管的任一个引脚为基极，与红表笔或黑表笔接触，再用另一表笔去分离接触另外两个引脚，若测出两个均较小的电阻值时，则固定不动的表笔所接的引脚便是基极B，而另外两个引脚为放射极E和集电极C。
找到基极B后，再比较基极B与另外两个引脚之间正向电阻值的大小。
单向晶闸管的认识和检测1
晶闸管的外形如下图所示
一、 单向晶闸管的认识和检测
1、 单向晶闸管结构的认识
单向晶闸管是由三个PN结及其划分为四个区组成.由外层的 P型和N型半导体分别引出阳极A和阴极K，由中间的P型半导体 引出控制极G。 文字符号用“VT”表示。
2、 单向晶闸管的工作特性
结论： ⒈单向晶闸管的导通必须具备两个条件： ①在阳极与阴极之间必须为正向电压；即： UAK＞0； ②在控制极与阴极之间也应有正向触发电压；即： UGK＞0。 ⒉晶闸管导通后，控制极（G）将失去作用，即：当UGK＝0，晶闸管仍 然导通。 ⒊单向晶闸管要关断时必须满足： IV＜IH 或UAK＜0。
3、单向晶闸管的主要参数 ⒈额定正向平均电流IT ⒉维持电流IH
维持电流IH是指在规定的环境温度和控制极G断开的条件下，保 持晶闸管处于导通状态所需要的最小正向电流。 额定正向平均电流IT是指在规定的环境温度和散热条件下，允 许通过阳极和阴极之间的电流平均值。
⒊控制极触发电压和电流
控制极触发电压和电流是指在规定的环境温度和一定的正向电压 条件下，使晶闸管从关断到导通时，控制极G所需要的最小正向电压 和电流。
⒋反向阻断峰值电压（额定电压）
反向阻断峰值电压是指在规定的环境温度和控制极G断开的条件 下，可以允许重复加到晶闸管的反向峰值电压；又称为晶闸管的额定 电压。
4、单向晶闸管的检测
（1）器材准备
序号 1 2 名 称 符 号 VT 3CT 型 号 500型或MF-47型 单位 台 个 数量 1 1
指针式万用表 单向晶闸管
⒉选用万用表的电阻R×l00Ω挡；将黑表棒接A极，红表棒接K极； 再将G极与黑表棒（或A极）瞬间相碰触一下，单向晶闸管应出现导 通状态即万用表指针向右偏转，并应能维持导通状态。
省技工学校变频调速单结晶体管的识别与检测理论教学教案
一、教案基本信息省技工学校变频调速单结晶体管的识别与检测理论教学教案课时安排：45分钟教学目标：1. 让学生了解和掌握变频调速单结晶体管的基本概念和特性。
2. 培养学生识别和检测变频调速单结晶体管的能力。
3. 使学生能够运用所学知识分析和解决实际问题。
教学内容：1. 变频调速单结晶体管的基本概念和特性。
2. 变频调速单结晶体管的识别方法。
3. 变频调速单结晶体管的检测方法。
4. 实际操作演练。
教学方法：1. 讲授法：讲解变频调速单结晶体管的基本概念、特性和识别检测方法。
2. 演示法：展示实际操作过程，让学生更加直观地了解识别检测方法。
3. 实践法：让学生亲自动手操作，提高实际操作能力。
教学准备：1. 教室内安装有多媒体设备，用于展示PPT和视频资料。
2. 准备相关的实物样品，用于展示和操作演示。
3. 准备操作工具和检测设备，让学生动手实践。
二、教学过程1. 导入（5分钟）教师通过提问方式引导学生回顾晶体管的相关知识，为新课的讲解做好铺垫。
2. 讲解（20分钟）讲解变频调速单结晶体管的基本概念、特性和识别检测方法。
重点讲解单结晶体管在变频调速中的应用和作用。
3. 演示（10分钟）教师展示实际操作过程，让学生更加直观地了解识别检测方法。
演示过程中，教师讲解操作步骤和注意事项。
4. 实践（5分钟）学生分组进行实际操作，教师巡回指导。
引导学生运用所学知识分析和解决实际问题。
5. 总结（5分钟）教师引导学生总结本节课所学内容，巩固知识点。
6. 布置作业（5分钟）布置作业，让学生进一步巩固所学知识，提高实际操作能力。
三、教学反思本节课结束后，教师应认真反思教学效果，针对学生的掌握情况，调整教学方法和策略，以提高教学效果。
关注学生的学习兴趣和需求，不断优化教学内容，提高教学质量。
四、课后评价通过课后作业、实践操作和课堂表现等多方面评价学生的学习效果，了解学生对变频调速单结晶体管识别与检测知识的掌握程度，为后续教学提供参考。
单结管和晶闸管的识别与检测
单结管和晶闸管的识别与检测一、单结晶体管[1]单结管即单结晶体管，又称为双基极二极管，是一种具有一个PN结和两个欧姆电极的负阻半导体器件。
常见的有陶瓷封装和金属壳封装的单结晶体管。
[2]单结晶体管可分为N型基极单结管和P型基极单结管两大类。
单结晶体管的文字符号为“VT”，图形符号如图所示。
[3]单结晶体管的主要参数有：①分压比η，指单结晶体管发射极E至第一基极B1间的电压（不包括PN结管压降）在两基极间电压中所占的比例。
②峰点电压UP，是指单结晶体管刚开始导通时的发射极E与第一基极B1的电压，其所对应的发射极电流叫做峰点电流IP。
③谷点电压UV，是指单结晶体管由负阻区开始进入饱和区时的发射极E与第一基极B1间的电压，其所对应的发射极电流叫做谷点电流IV。
[4]单结晶体管共有三个管脚，分别是：发射极E、第一基极B1和第二基极B2。
图示为两种典型单结晶体管的管脚电极。
[5]单结晶体管最重要的特性是具有负阻性，其基本工作原理如图示（以N基极单结管为例）。
当发射极电压UE大于峰点电压UP时，PN结处于正向偏置，单结管导通。
随着发射极电流IE的增加，大量空穴从发射极注入硅晶体，导致发射极与第一基极间的电阻急剧减小，其间的电位也就减小，呈现出负阻特性。
[6]检测单结晶体管时，万用表置于“R×1k”挡，检测两基极间电阻：两表笔（不分正、负）接单结晶体管除发射极E以外的两个管脚，读数应为3～10kΩ。
[7]检测PN结正向电阻（N基极管为例，下同）：黑表笔接发射极E，红表笔分别接两个基极，读数均应为数千欧。
对调两表笔后检测PN结反向电阻，读数均应为无穷大。
如果测量结果与上述不符，说明被测单结管已损坏。
[8]测量单结晶体管的分压比η：按图示搭接一个测量电路，用万用表“直流10V”挡测出C2上的电压UC2，再按公式η=UC2/UB计算即可。
[9]单结晶体管的基本应用是组成脉冲产生电路，包括振荡器、波形发生器等，并可使电路结构大为简化。
场效应管晶闸管和单结晶体管的识别与检测PPT文档28页
60、生活的道路一旦选定，就要勇敢地 走到底 ，决不 回头。 ——左
场效应管晶闸管和单结晶体管的识别 与检测
51、山气愿，帝乡不可期。 54、雄发指危冠，猛气冲长缨。 55、土地平旷，屋舍俨然，有良田美 池桑竹 之属， 阡陌交 通，鸡 犬相闻 。
56、书不仅是生活，而且是现在、过 去和未 来文化 生活的 源泉。 ——库 法耶夫 57、生命不可能有两次，但许多人连一 次也不 善于度 过。— —吕凯 特 58、问渠哪得清如许，为有源头活水来 。—— 朱熹 59、我的努力求学没有得到别的好处， 只不过 是愈来 愈发觉 自己的 无知。 ——笛 卡儿
可控硅单结晶管的原理和判断
可控硅（晶闸管SCR）单结晶体管（双基极二极管）一、可控硅的概念和结构？二、晶闸管又叫可控硅(Silicon Controlled Rectifier, SCR)。
自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族，它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管，等等。
今天大家使用的是单向晶闸管，也就是人们常说的普通晶闸管，它是由四层半导体材料组成的，有三个PN结，对外有三个电极〔图2(a)〕：第一层P型半导体引出的电极叫阳极A，第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。
从晶闸管的电路符号〔图2(b)〕可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件，关键是多了一个控制极G，这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。
晶闸管的特点：是“一触即发”。
但是，如果阳极或控制极外加的是反向电压，晶闸管就不能导通。
控制极的作用是通过外加正向触发脉冲使晶闸管导通，却不能使它关断。
那么，用什么方法才能使导通的晶闸管关断呢?使导通的晶闸管关断，可以断开阳极电源(图3中的开关S)或使阳极电流小于维持导通的最小值(称为维持电流)。
如果晶闸管阳极和阴极之间外加的是交流电压或脉动直流电压，那么，在电压过零时，晶闸管会自行关断。
十、可控硅元件的工作原理及基本特性电路可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件,共有三个PN结,分析原理时,可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成十二、如何鉴别可控硅的三个极鉴别可控硅三个极的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。
阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通）。
控制极与阴极之间是一个P-N结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。
即单结晶体管迅速导通-2022年学习资料
2、单结晶闸管的伏安特性-B:-BT-E-mA-E卡-w-截止区→中一负阻区-中饱和区-a测试电路-b伏安 性+
结论：-1.单结晶体管的E极与B1极之间的电阻reb1随发射极电流IE-而变。当I上升时reb1就会下降。 结晶体管的E极与B2极之间-的电阻reb2与发射极电流I无关。-2.单结晶体管的导通条件为：在E极与B1极 间应为正向-电压（即Ub1>0，且在B2极与B1极之间也应为正向电压-即Ub2b1>>0。-3特性：-当U b1较低时，单结晶体管VT是截止的；但当Ueb1上升至某一-数值时，I会加大，而r迅速下降，即单结晶体管迅 导通，相-当于开关的闭合。因此，只要改变U。h的大小，就可控制单结晶体-管迅速导通或截止。
Lo-8-立vvz个=c-R3C-7-CA-B-~220V-IC-6-a-C4-5-M-No-12-色-S E-2、工作原理及电路仿真
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
三、单结晶体管自激振荡电路-1、电路结构-+Vcc-uu。1-充电放电-U-a-b-2、工作原理-接通电源 ，电源E经过Bp和R对电容C充电，电容电压uC指数-规律上升。当uC上升到uP时（即ue≥uP,单结晶体管 T迅速导通，-电容电压uC瞬间加至1的两端，uO出现突跳变；同时，电容C通过-R1放电，即使电容电压uC通 R1放电，UO出现缓慢下降；因此在R1-上产生一个尖脉冲电压u0；见图9-14b。-在放电过程中，当电容电 uC下降到UV时，单结晶体管截止；放-电结束。此后电容C又充电，重复上述过程；于是在电容C上形成锯齿-波形 压，而在1上产生一系列的尖脉冲电压O
9.2台灯调光电路的安装和测试-一、单相半波可控整流电路-1、电路结构-4-a-b-2、工作原理-山，为正 周时，在控制角a期间，晶闸管关断；在导通角9期-间，晶闸管导通。山，为负半周时，晶闸管关断。-控制角a越大 导通角B就越小，输出的负载电压UL直流-电平均值就越小。
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湖南省技工学校
理论教学教案
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以后，I E 继续增大，V E 略有上升，但变化不大，此时单结晶体管进入饱状态，图中对应于谷点V 以右的特性，称为饱和区。
当发射极电压减小到V E <V V 时，单结晶体管由导通恢复到截止状态。
综上所述，峰点电压V P 是单结晶体管由截止转向导通的临界点。
BB A A D P V V V V V η=≈+= （7-2-2）
所以，V P 由分压比η和电源电压决定V BB 。
谷点电压V V 是单结晶体管由导通转向截止的临界点。
一般V V = 2～5V （V BB = 20V ）。
国产单结晶体管的型号有BT31、BT32、BT33等。
BT 表示半导体特种管，3表示三个电极，第四个数字表示耗散功率分别为100、200、300mW 。
单结晶体管的检测
图7-2－3为单结晶体管BT33管脚排列、结构图及电路符号。
好的单结晶体管PN 结正向电阻R EB1、R EB2均较小，且R EB1稍大于R EB2，PN 结的反向电阻R B1E 、R B2E 均应很大，根据所测阻值，即可判断出各管脚及管子的质量优劣。
用万用电表R ×10Ω档分别测量EB 1、EB 2间正、反向电阻，记入表7－2-1
表7-2－1
R EB1(Ω)
R EB2(Ω)
R B1E (K Ω)
R B2E (K Ω)
结 论
任务二 单结晶体管振荡电路制作与调试
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2、仪器仪表
双踪示波器一台 MF47万用表 1只
3、制作调试步骤
（1）将元器件按要求整形，插入通用电路板的相应位置,并连接好
导线。
（2）闭合开关，接通电源。
分别用示波器观察电容C两端电压vc
及电路输出电压vo。
在图7-2-6相应坐标中作出vc、vo波形。
（3）调节电路中电位器阻值，观察两波形变化，可以看出，改变电
位器阻值
将改变输出脉冲的__________(相位、频率、幅值)。
图7-2-6 vc、vo波形图
[布置作业]
完成实验报告
[课后预习]
调光台灯电路的制作与调试
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