模拟电子技术及应用思考与练习参考答案
模拟电子技术习题答案
模拟电子技术习题答案电工电子教学部2021.2第一章 绪论一、填空题：1. 自然界的各种物理量必须首先经过 传感器 将非电量转换为电量，即 电信号 。
2. 信号在频域中表示的图形或曲线称为信号的 频谱 。
3. 通过傅立叶变换可以实现信号从 时域 到频域的变换。
4. 各种信号各频率分量的 振幅 随角频率变化的分布，称为该信号的幅度频谱。
5. 各种信号各频率分量的 相位 随角频率变化的分布，称为该信号的相位频谱。
6. 周期信号的频谱都由 直流分量 、基波分量 以及 无穷多项高次谐波分量 组成。
7. 在时间上和幅值上均是连续的信号 称为模拟信号。
8. 在时间上和幅值上均是离散的信号 称为数字信号。
9. 放大电路分为 电压放大电路 、电流放大电路、互阻放大电路 以及 互导放大电路 四类。
10. 输入电阻 、输出电阻 、增益 、 频率响应 和 非线性失真 等主要性能指标是衡量放大电路的标准。
11. 放大电路的增益实际上反映了 电路在输入信号控制下，将供电电源能量转换为信号能量 的能力。
12. 放大电路的电压增益和电流增益在工程上常用“分贝〞表示，其表达式分别是 dB lg 20v A =电压增益 、dB lg 20i A =电流增益 。
13. 放大电路的频率响应指的是，在输入正弦信号情况下，输出随 输入信号频率连续变化 的稳态响应。
14. 幅频响应是指 电压增益的模与角频率 之间的关系 。
15. 相频响应是指 放大电路输出与输入正弦电压信号的相位差与角频率 之间的关系 。
二、某放大电路输入信号为10pA 时，输出为500mV ，它的增益是多少？属于哪一类放大电路？ 解： Ω105A10V 50pA 10mV 5001011i o r ⨯====-.i v A 属于互阻放大电路 三、某电唱机拾音头内阻为1M Ω，输出电压为1V 〔有效值〕，如果直接将它与10Ω扬声器连接，扬声器上的电压为多少？如果在拾音头与扬声器之间接入一个放大电路，它的输入电阻R i =1M Ω，输出电阻R o =10Ω，电压增益为1，试求这时扬声器上的电压。
(完整版)模拟电子技术教程课后习题答案大全
第1章习题答案1. 判断题：在问题的后面括号中打√或×。
（1）当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。
（√）（2）当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。
（×）（3）线性电路一定是模拟电路。
（√）（4）模拟电路一定是线性电路。
（×）（5）放大器一定是线性电路。
（√）（6）线性电路一定是放大器。
（×）（7）放大器是有源的线性网络。
（√）（8）放大器的增益有可能有不同的量纲。
（√）（9）放大器的零点是指放大器输出为0。
（×）（10）放大器的增益一定是大于1的。
（×）2 填空题：（1）放大器输入为10mV电压信号，输出为100mA电流信号，增益是10S。
（2）放大器输入为10mA电流信号，输出为10V电压信号，增益是1KΩ。
（3）放大器输入为10V电压信号，输出为100mV电压信号，增益是0.01 。
（4）在输入信号为电压源的情况下，放大器的输入阻抗越大越好。
（5）在负载要求为恒压输出的情况下，放大器的输出阻抗越大越好。
（6）在输入信号为电流源的情况下，放大器的输入阻抗越小越好。
（7）在负载要求为恒流输出的情况下，放大器的输出阻抗越小越好。
（8）某放大器的零点是1V，零漂是+20PPM，当温度升高10℃时，零点是 1.0002V 。
（9）某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V，其最大不失真正电压输出+U OM是14V，最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。
（10）某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内，增益是100V/V，在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V，该放大器的下限截止频率f L是0HZ，上限截止频率f H是250KHZ，通频带f BW是250KHZ。
3. 现有：电压信号源1个，电压型放大器1个，1K电阻1个，万用表1个。
如通过实验法求信号源的内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗，请写出实验步骤。
电子技术及应用习题解答第1章
思考与练习1－、选择题：（请将唯一正确选项的字母填入对应的括号内）1、如图1-1所示，电路中所有的二极管都为理想二极管（即二极管正向压降可忽略不计），则哪个选项对D1、D2和D3的工作状态判断正确？（ ）（A ）D1、D2导通，D3截止 （B ）D1、D3导通，D2截止 （C ）D1、D2截止，D3导通 （D ）D1、D3截止，D2导通D 10V4V图1-1 题1.1图答案：C 。
原因：3D 的负极所接电压为-7V ，是最低电压，所以3D 导通。
3D 导通后1D 和2D 承受反向电压而截止。
2、如图1-2所示，电路中所有的二极管都为理想二极管，且L1、L2、L3、L4四盏灯都相同，则哪个灯最亮？（ ）（A ）L1 （B ）L2 （C ）L3 （D ）L4R图1-2题1.2图答案：D 。
原因：当电源~220V 正半周时，只有4D 承受正向电压导通，L4不亮；1D 、2D 和3D 承受反向电压截止，L1、L2和L3同时点亮；当电源~220V 负半周时，只有4D 承受反向电压截止，只有L4点亮；1D 、2D 和3D 承受正向电压导通，L1、L2和L3同时不亮；由此可见，灯泡L4最亮。
3、在如图1-3所示的电路中，已知10V E 稳压管Z1D 和Z2D 的稳定电压分别为5V 和3V ，正向压降都是0.7V ，则A 、B 两点间的电压O U 为多少？（ ）（A ）－2.3V （B ）4.3V （C ）2.3V （D ）－4.3VED Z 22图1-3 题1.3图答案：C 。
原因：A 点电位：A 100.79.3V V =-=；B 点电位：1037B V V =-=；所以，9.37 2.3O A B U V V V=-=-=4、下面关于二极管表述不正确的是？（ ） （A ）具有单向导电性； （B ）由硅材料或锗材料构成；（C ）既有点接触型二极管，也有面接触型二极管；（D ）只能工作在反向击穿区，不能加正向电压。
模拟电子技术基础课后答案(完整版)
模拟电子技术基础课后答案(完整版)第一章简介1.描述模拟信号和数字信号的区别。
模拟信号是连续变化的信号，可以表示任意数值；数字信号是离散变化的信号，只能表示有限的数值。
2.简要介绍电子技术的分类和应用领域。
电子技术可以分为模拟电子技术和数字电子技术。
模拟电子技术主要应用于信号处理、放大、调制、解调等领域；数字电子技术主要应用于数字电路设计、逻辑运算、通信、计算机等领域。
第二章电压电流基本概念1.定义电压和电流，并给出它们的单位。
电压（V）是电势差，单位为伏特（V）；电流（I）是电荷通过导体的速率，单位为安培（A）。
2.列举常见的电压源和电流源。
常见的电压源有电池、发电机、电源等；常见的电流源有电流表、发电机、电源等。
3.简述欧姆定律的定义和公式。
欧姆定律规定了电压、电流和电阻之间的关系。
根据欧姆定律，电流等于电压与电阻之间的比值，即I=V/R，其中I为电流，V为电压，R为电阻。
第三章电阻与电阻电路1.简述电阻的定义和单位。
电阻是指导体对电流的阻碍程度，单位为欧姆（Ω）。
2.串联电阻和并联电阻的计算方法是什么？给出示意图。
–串联电阻的计算方法是将所有电阻值相加，即R= R1 + R2 + … + Rn，其中R为总电阻，R1、R2、…、Rn为各个电阻值。
–并联电阻的计算方法是将所有电阻的倒数相加，再取倒数，即1/R= 1/R1 + 1/R2 + … + 1/Rn，其中R为总电阻，R1、R2、…、Rn为各个电阻值。
串联和并联电阻示意图3.简述电压分压原理并给出示意图。
电压分压原理指的是当在一个电阻网络中，多个电阻串联，电压将按照电阻值的比例分配给各个电阻。
电压分压原理示意图第四章电容与电容电路1.简述电容的定义和单位。
电容是指导体上储存电荷的能力，单位为法拉（F）。
2.串联电容和并联电容的计算方法是什么？给出示意图。
–串联电容的计算方法是将所有电容的倒数相加，再取倒数，即1/C= 1/C1 + 1/C2 + … + 1/Cn，其中C为总电容，C1、C2、…、Cn为各个电容值。
模拟电子技术基础学习指导与习题解答（谢红主编）第三章思考题与习题解答
模拟电⼦技术基础学习指导与习题解答（谢红主编）第三章思考题与习题解答第三章思考题与习题解答3-1 选择填空(只填a 、b 、c 、d)(1)直接耦合放⼤电路能放⼤，阻容耦合放⼤电路能放⼤。
(a.直流信号，b.交流信号，c.交、直流信号)(2)阻容耦合与直接耦合的多级放⼤电路之间的主要不同点是。
(a.所放⼤的信号不同，b.交流通路不同，c.直流通路不同)(3)因为阻容耦合电路 (a1.各级Q 点互相独⽴，b1.Q 点互相影响，c1.各级Au 互不影响，d1.Au 互相影响)，所以这类电路 (a2.温漂⼩,b2.能放⼤直流信号，c2.放⼤倍数稳定)，但是 (a3.温漂⼤，b3.不能放⼤直流信号，c3.放⼤倍数不稳定)。
⽬的复习概念。
解 (1)a 、b 、c ，b 。
(2)a 、c 。
(3)a1，a2，b3。
3-2 如图题3-2所⽰两级阻容耦合放⼤电路中，三极管的β均为100，be1 5.3k Ωr =，be26k Ωr =,S 20k ΩR =,b 1.5M ΩR =,e17.5k ΩR =，b2130k ΩR =，b2291k ΩR =，e2 5.1k ΩR =,c212k ΩR =,1310µF C C ==，230µF C =，e 50µF C =，C C V =12 V 。
图题3-2(a)放⼤电路；(b)等效电路(答案)(1)求i r 和o r ;(2)分别求出当L R =∞和L 3.6k ΩR =时的S u A 。
⽬的练习画两级放⼤电路的微变等效电路，并利⽤等效电路求电路的交流参数。
分析第⼀级是共集电路，第⼆级是分压供偏式⼯作点稳定的典型电路，1V 、2V 均为NPN 管。
解 (1)求交流参数之前先画出两级放⼤电路的微变等效电路如图题3-2(b)所⽰。
注意图中各级电流⽅向及电压极性均为实际。
第⼀级中b1I 的⽅向受输⼊信号i U 极性的控制，⽽与1V 的导电类型(NPN 还是PNP)⽆关，i U 上正下负，因此b1I 向⾥流，输出电压o1U 与i U 极性相同；第⼆级中b 2I 的⽅向受o1U 极性的控制，o1U 上正下负，因此b 2I 向⾥流，也与2V 的导电类型⽆关，或者根据c1I 的⽅向(由1c 流向1e )也能确定b 2I 的⽅向是向⾥流。
大学模拟电子技术实验课思考题及参考答案
实验报告简要分析及参考答案以下为简要分析，答题时请详细规范作答——实验一仪器的使用P178：交流毫伏表的使用（1）将信号发生器输出值与毫伏表测量值相比较，得到的结论是：信号发生器输出的电压是用峰峰值表示的，而毫伏表测量的电压是用有效值表示的，正弦波峰峰值电压是有效值电压的（2）用毫伏表的MANU和AUTO模式测量信号发生器的输出电压，其不同之处是：用MANU 模式测量时要把量程旋钮置于合适的量程才能显示正确的测量电压；AUTO模式则自动显示测量电压。
P178：思考题1．因为交流毫伏表的电压测量范围为100U A～300V，它能感应并测量仪器周围很微弱的干扰信号，所以交流毫伏表一接通电源显示屏上就有数码显示。
2．图（a）：（1）调节触发方式选择开关在AUTO状态；（2）调节垂直位移旋钮在适当的位置；（3）调节亮度旋钮在适当的位置。
图（b）：（1）T/DIV旋钮不要置于X-Y显示方式；（2）扫描时间选择旋钮的扫描频率不要选得太高，图（c）：调节聚焦和垂直位移旋钮在适当的位置。
3．示波器的红夹子应于毫伏表测试线上的红夹子相接，示波器的黑夹子应于毫伏表的黑夹子相接。
如果互换使用将引入干扰，产生较大的测量误差，甚至不能测量。
原因参阅课本P10。
实验二元件的识别与测量P1804.（2）用两手抓住表笔捏紧电阻两端测量其阻值,相当于把人体的电阻与所测电阻并联，所测电阻越大，影响越大，测量值越小。
P1816（2）用×100Ω档测出的阻值小，而用×1KΩ档测出的阻值大。
因为万用表不同的欧姆档流出的电流不同，×100Ω档时流出的电流大，×1KΩ档时流出的电流小。
当用不同的欧姆档测量同一只二极管时，由于二极管是非线性元件，等效电阻不是一个固定值，其值随电流的改变而改变，所以当用不同的量程测其正、反向电阻值时，测量值也不同。
P183：思考题用×1档电流大，×10k档电压大，都容易烧坏晶体管。
模拟电子技术与应用[华永平][习题解答]思考与练习题2
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模拟电⼦技术与应⽤[华永平][习题解答]思考与练习题2178 1.什么叫反馈？什么叫直流反馈和交流反馈？答：把电⼦系统的输出量（电压或电流）的⼀部分或全部，经过⼀定的电路（称为反馈⽹络）送到它的输⼊端，与原来的输⼊量（电压或电流）共同控制该电⼦系统，这种连接称为反馈。
2.试在已学过的放⼤电路中，列举⼀、两种引⼊反馈的电路，判断它们是直流反馈还是交流反馈？并⽤瞬时极性法判断它们的反馈极性和组态。
答：⼯作点稳定的放⼤电路就是引⼊反馈的电路下图中的Rf 、Re 都是反馈元件其中图（a ）（b ）中Re 、Rf 的是交、直流反馈元件，图（a ）R 和图（b ）（c ）Re 是直流反馈。
这三个电路都是串联电压负反馈。
（a ）3.为什么在串联负反馈中，信号源内阻R s 的值越⼩，其反馈效果越好？⽽在并联负反馈中情况相反，信号源内阻R s 的值越⼤，其反馈效果越好？答：增加反馈的⽬的是希望放⼤器稳定。
串联负反馈中，信号源内阻R s 的值越⼩，放⼤电路获得的净输⼊电压u’i 就越⾼，⽽且输⼊电压不会因放⼤器的输⼊电阻发⽣变化⽽发⽣变化。
因此输⼊电压会越稳定。
所以反馈效果好。
⽽在并联负反馈中情况相反，信号源内阻R s 的值越⼤，放⼤器内阻R i 越⼩，获得的净输⼊电流i i 就越⾼，⽽且输⼊电流不会因放⼤器的输⼊电阻发⽣变化⽽发⽣变化。
因此输⼊电流会越稳定。
所以反馈效果好。
4.反馈放⼤电路的闭环增益表达式中FA 1f≈的物理意义是什么？答：满⾜∣1＋F A∣>>1条件的负反馈，称为深度负反馈。
在深度负反馈条件下，闭环放⼤倍数只取决于反馈系数，⽽与基本放⼤器⼏乎⽆关。
所以∣1＋F A∣>>1时?≈+==F1F A 1A X X A i o f1795.试列举在放⼤电路中引⼊负反馈后产⽣的四种效果，并从物理概念上加以说明。
答：1、电压串联负反馈：因串联反馈可以提⾼输⼊电阻，使输⼊电阻由R i 提⾼到R if ，能从电压源分得更⾼的电压，所以适合于电压源电路，并能稳定输⼊电压。
模拟电子技术教程习题答案
模拟电子技术教程习题答案Document number【SA80SAB-SAA9SYT-SAATC-SA6UT-SA18】第6章习题答案1. 概念题：（1）由运放组成的负反馈电路一般都引入深度负反馈，电路均可利用虚短路和虚断路的概念来求解其运算关系。
（2）反相比例运算电路的输入阻抗小，同相比例运算电路的输入阻抗大，但会引入了共模干扰。
（3）如果要用单个运放实现：A＝－10的放大电路，应选用 A 运算电路；将u正弦波信号移相＋90O，应选用 D 运算电路；对正弦波信号进行二倍频，应选用F 运算电路；将某信号叠加上一个直流量，应选用 E 运算电路；将方波信号转换成三角波信号，应选用 C 运算电路；将方波电压转换成尖顶波信号，应选用 D 运算电路。
A. 反相比例B. 同相比例C. 积分D. 微分E. 加法 F. 乘方（4）已知输入信号幅值为1mV，频率为10kHz～12kHz，信号中有较大的干扰，应设置前置放大电路及带通滤波电路进行预处理。
（5）在隔离放大器的输入端和输出端之间加100V的电压会击穿放大器吗（不会）加1000V的交流电压呢（不会）（6）有源滤波器适合于电源滤波吗（不适用）这是因为有源滤波器不能通过太大的电流或太高的电压。
（7）正弦波发生电路中，输出端的晶体管一定工作在放大区吗（一定）矩形波发生电路中，输出端的晶体管一定工作在放大区吗（不一定）（8）作为比较器应用的运放，运放一般都工作在非线性区，施密特比较器中引入了正反馈，和基本比较器相比，施密特比较器有速度快和抗干扰性强的特点。
（9）正弦波发生电路的平衡条件与放大器自激的平衡条件不同，是因为反馈耦合端的极性不同，RC正弦波振荡器频率不可能太高，其原因是在高频时晶体管元件的结电容会起作用。
（10）非正弦波发生器离不开比较器和延时两个环节。
（11）当信号频率等于石英晶体的串联谐振或并联谐振频率时，石英晶体呈阻性；当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时，石英晶体呈感性；其余情况下石英晶体呈容性。
《模拟电子技术》思考与练习解答
模拟电子技术节后思考与练习解答思考与练习1、半导体具有哪些独特性能在导电机理上，半导体与金属导体有何区别答：半导体只所以应用广泛，是因为它具有光敏性、热敏性和掺杂性的独特性能，在导电机理上，金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电，而半导体中有多子和少子两种载流子同时参与导电，这是它们导电机理上的本质区别。
2、何谓本征半导体什么是“本征激发”什么是“复合”答：天然半导体材料经过特殊的高度提纯工艺，成为晶格结构完全对称的纯净半导体时，称为本征半导体。
由于光照、辐射、温度的影响在本征半导体中产生电子—空穴对的现象称为本征激发．．．．；本征激发的同时，共价键中的另外一些价电子“跳进”相邻原子由本征激发而产生的空穴中的现象称为复合．．。
复合不同于本征激发，本征激发的主要导电方式是完全脱离了共价键的自由电子载流子逆着电场方向而形成的定向迁移，而复合运动的导电方式是空穴．．．的定向迁移，空穴载流子带正电，顺电场方向定向运动形成电流。
．．载流子3、N型半导体和P型半导体有何不同各有何特点它们是半导体器件吗答：本征半导体中掺入五价杂质元素后可得到N型半导体，N型半导体中多子是自由电子，少子是空穴，定域的离子带正电；本征半导体中掺入三价杂质元素后可得到P型半导体，P型半导体中多子是空穴，少子是自由电子，定域的离子带负电。
这两种类型的半导体是构成半导体器件的基本元素，但它们都不能称之为半导体器件。
4、何谓PN结PN结具有什么特性答：在同一块晶体中的两端注入不同的杂质元素后，在两端分别形成P区和N区，而在P区和N区交界处因为浓度上的差别而出现扩散，扩散的结果在两区交界处形成一个干净的离子区，这个离子区就是PN结，PN结具有单向导电性：正向偏置时导通，反向偏置时截止。
5、电击穿和热击穿有何不同试述雪崩击穿和齐纳击穿的特点。
答：电击穿包括雪崩击穿和齐纳击穿，前者是一种碰撞的击穿，后者属于场效应的击穿，这两种电击穿一般可逆，不会造成PN结的永久损坏。
模拟电子技术与应用[华永平][习题解答]思考与练习题1
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普通高等教育“十一五”国家规划教材中国电子教育学会推荐教材全国高职高专院校规划教材·精品与示范系列模拟电子技术与应用华永平 主 编Publishing House of Electronics Industry北京·BEIJING1.二极管的单向导电性是在什么外部条件下才能显示出来？答：在外部施加了正、反向电压，出现正向导通、反向截止。
2.如何用万用表的欧姆挡来辨别一只二极管的阳、阴两极？（提示：模拟型万用表的黑笔接表内直流电源的正端，而红笔接负端）答：用万用表的测量二极管的电阻，如果测得阻值较小，则万用表的黑笔接的是P端，而红笔接的是N端。
如果测得阻值较大，则万用表的黑笔接的是N端，而红笔接的是P端。
3.比较硅、锗两种二极管的性能。
在工程实践中，为什么硅二极管应用得较普遍？答：锗有32个电子、硅有14 个电子，最外围都有四个价电子。
电子数量越多，受热激发的后价电子脱离共价健束缚的可能性就越大，所以，硅半导体更稳定。
4.在用万用表R×10, R×100, R×1k 三个欧姆档测量某二极管的正向电阻时，共测得三个数值：4k、85Ω、680Ω。
试判断它们各是哪一档测出的。
答：用万用表测出的二极管电阻值是它的直流电阻。
由于二极管是非线性元件，它的电压和电流不成正比，所以通过管子的电流也不同，测出的直流电阻也不同。
当用低阻档测量时，由于万用表的内阻小，通过二极管的电流大，管子工作在较低工作点处, 所以直流电阻(V D1/I D1) 小。
当用高阻档测量时,万用表内阻大,通过二极管的电流小,管子工作在较高工作点处, 所以直流电阻(V D2/I D2)大。
因此，4k对应于R×1k；85Ω对应于R×10；680Ω对应于R×100。
5.有A、B两个小功率二极管，它们的反向饱和电流分别为0.5μA和0.01μA；在外加相同的正向电压时的电流分别为20mA和8mA。
模拟电子技术课后习题解答
第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594TV T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1e TV V >>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
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第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594T V T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1eTV V>>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
模拟电子技术 课后参考答案
图(c)运算电路A1 的输出电压为
vo1 = −
R 21
100
vi1 = −
× 0.6V = −1.2 V
R1
50
差分式运算电路A2 的输出电压为
v0 = −
=−
R 22
R2
50
100
vo1 + 1 +
R 22
R2
vi2
× −1.2 V + 1 +
50
100
× 0.8 V
R 1 R 2 +R 3 +R 2 R 3
R 2 R 1 +R 3 +R 1 R 3
R 2 R 3 v i1 +R 1 R 3 v i2 +R 1 R 2 v i3
R 1 R 2 +R 2 R 3 +R 1 R 3
vi3
vi2 +
R1 R2
R 3 R 1 +R 2 +R 1 R 2
vi3
当R 1 = R 2 = R 3 时，则
电压为
vo′ = −
R3
R1
= −
vo1 −
30
30
R3
R2
vo2
× −3 −
30
30
× 4 V= −1 V
当vo1 = 0，vo2 = 0，V3 = +3 V时，A3 的输出电压为
vo’‘ = 1 +
vp3 =
R3
R 1 ∥R 2
R5
R 4 +R 5
V3 =
vp3
30
15 +30
×3V=2V
vo’‘ = 1 +
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、单项选择题（每题2分，共10分）1. 模拟电路中，以下哪个元件不是基本的线性元件？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 二极管答案：D2. 在理想运算放大器中，输入阻抗是：A. 有限值B. 无穷大C. 零D. 负值答案：B3. 晶体管的放大作用主要取决于其：A. 集电极B. 发射极C. 基极D. 所有极答案：C4. 以下哪种波形不是周期性波形？A. 正弦波B. 方波C. 三角波D. 锯齿波答案：D5. 在运算放大器电路中，虚短是指：A. 同相输入端和反相输入端电压相等B. 同相输入端和反相输入端电压相等且为零C. 同相输入端和反相输入端电流相等D. 同相输入端和反相输入端电流相等且为零答案：A二、多项选择题（每题3分，共15分）1. 以下哪些是模拟信号的特点？A. 连续变化B. 数字化C. 可以进行模拟放大D. 可以进行模拟滤波答案：ACD2. 运算放大器的典型应用包括：A. 放大器B. 信号整形C. 振荡器D. 电源答案：ABC3. 模拟电路中常用的滤波器类型包括：A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 带阻滤波器答案：ABCD4. 以下哪些因素会影响晶体管的放大能力？A. 基极电流B. 集电极电流C. 发射极电流D. 温度答案：ABD5. 在模拟电路中，负反馈的作用包括：A. 提高增益稳定性B. 降低输出阻抗C. 增加输入阻抗D. 减少非线性失真答案：ABD三、填空题（每题2分，共10分）1. 在模拟电路中，信号的放大是通过________来实现的。
答案：晶体管或运算放大器2. 理想运算放大器的输出阻抗是________。
答案：零3. 模拟电路中的噪声通常来源于________和________。
答案：电源和环境4. 模拟信号的频率范围通常从直流（DC）到________赫兹。
答案：几十兆5. 在模拟电路设计中，________是用来减少信号失真的。
答案：负反馈四、简答题（每题5分，共20分）1. 简述模拟电路与数字电路的区别。
模拟电子技术习题集参考答案
第一章参考答案一、判断题1、√2、×3、√4、√5、×6、×二、单项选择1、(a)2、(c)3、(c)4、(a)5、(c)6、(c)7、(c)8、(b)9、(b) 10、(b)11、(c) 12、(a) 13、(a) 14、(b) 15、(a) 16、(c) 17、(b) 8、(a) 19、(a) 20、(b)21、(c)三、解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、解：U O1＝6V，U O2＝5V。
五、解：u i和u o的波形如题5解图所示。
题6解图题5解图六、解：u i和u o的波形如题6解图所示。
题6解图七、解：1、当U I＝10V时，若U O＝U Z＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故V 33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V同理，当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝6V 。
2、 =-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
八、解：波形如题8解图所示。
题8解图第二章 参考答案一、判断1、√2、×3、×4、√5、×6、√7、×8、×9、√ 10、× 11、√二、单项选择题1、(c)2、(a)3、(b)4、(b)5、(c)6、(a)7、(a)8、(a)9、(b) 10、(c) 11、(b) 12、(a) 13、(c) 14、(b) 15、(c) 16、(b) 17、(b) 18、(c) 19、(b) 20、(a) 21、(c) 22、(a) 23、(c) 24、(c) 25、(a) 26、(c) 27、(c) 28、(c) 29、(a) 30、(b) 31、(c) 32、(b) 33、(b) 34、(a) (a) (a) 35、(c) 36、(a) 37、(c) 38、(c) 39、(b) 40、(c) 41、(c) 42、(b) 43、(b) 44、(c) 45、(c) 46、(b) 47、(b) 48、(b) 49、(a) 50、(a) 51、(c) 52、(c) 53、(c) (c) 54、(c) (a)二、填空题1、NPN,PNP ；硅，锗；电子和空穴。
《电子技术及应用 第2版》 第六章思考与练习答案
第六章思考与练习答案1、将下列不同进制的数按权展开,转化成十进制数.(I)⑴O1.Olb(3207.()4)x、、(F3D8.A)16解：二进制数(IIOl.01)；的按权展开式：(I(X)1.Ol)2=1×2'+O×22+0×2,+l×20+()×2",+l×2-2=(9.25)l0八进利数(3207.(M)It的按权展开式：(3207.04)s=3×8Λ+2×82+0×8l+7×8u+0×8,+4×82=(I67I.O625)IOI•六进制数(F3D8.A),,的按权展开式：(F3D8.A)16=15×I6,+3×162+13×16I+8×16U+10×I6,=(62424.625)102、将(3O∙75}K,转换成二进制数、八进制数和卜六进制数.解：整数部分(30)“,根据“除2取余”的原理.则(30)“,=(111也：小数部分(0.75)”根据“柒2取整”的原理：则(0.7S%=(0∙∣∣b.所以：结果(3075)”,=(IllIO.11)?同理，转换成八诳制数，结果(3O∙75%=(38.6)⅛转换成十六进制数，结果(30.75%=(1£劭，3、将二进制数(K)IllKX)IO01.1(X)IIOlOID,转换成八进制数和十六进制数。
解：Ia1.l1.1.fil1.Q!11.11K!HI!IQl侬57 11.4654所以.(101111001001.1001IOlOl1)2=(5711.4654)tIO1.lHOO1QO1J()OIJ0∣5IIQQBC9 9AC所以，(IO1III(X)1(X)1.100IIOIOI1),=(ΛC9.9AC)m4、号出图6T中所示电路输出端的逻辑表达式,不用化简.严y^=Θ——图61题4图M（八）图：Y=AH(A+fi)CD(b)图：Y=(AH+AB)BCD(c)图：Y=ABC5、根帚嵬*«达方式■出运*电踣图(1)Y=ΛBCD+AD^BC(2)Y=At3C：+(A®B)C ft?：<l)y=∕18而+而的逻辑电路图如图6-2所示.图62题5(1)逻辑电路图（2）Y=AHC：+（A®B）C的逻辑电路图如图6-3所示.6、一门实现逻辑函数y=AB+后C,画出逻辑电路图，解：用与非门实现：丫=八8+&'=八8+&'=福・反\选辑电路如图64所示・（也可以用其他门电路实现）图6-4题6逻辑电路图7、证明等式A8+8C+CA=4f+tfC+CA证明：左边=4"+/?3+。
模拟电子技术及应用 习题解答
习题解答第1章1.1简述半导体的导电特性。
答：半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。
半导体一般呈晶体结构，其原子核对价电子的束缚较弱，当半导体受到外界光和热的刺激时，它便释放价电子，从而使导电能力发生变化。
例如纯净的锗从20℃升高到30℃时，它的电阻率几乎减小为原来的1/2。
又如一种硫化镉薄膜，在暗处其电阻为几十兆欧姆，受光照后，电阻可以下降到几十千欧姆，只有原来的百分之一。
利用这些敏感性可制成各种光敏元件和热敏元件。
若在纯净的半导体中加入微量的杂质，则半导体的导电能力会有更显著的增加，例如在半导体硅中，只要掺入亿分之一的硼，电阻率就会下降到原来的几万分之一，这是半导体最显著的导电特征。
利用这个特性，可制造出各种半导体器件。
1.2 简述PN结是如何形成的。
答：当P型和N型半导体结合在一起时，由于交界面两侧多数载流子浓度的差别，N区的多数载流子电子向P区扩散，P区的多数载流子空穴也要向N区扩散，于是电子与空穴复合，在交界面附近P区一侧因复合失去空穴而形成负离子区，N 区一侧也因复合失去电子而形成正离子区。
这些不能移动的带电离子形成了空间电荷区，称为PN结。
PN结内存在一个由N区指向P区的内电场。
内电场的形成将阻止多数载流子的继续扩散，另一方面又会促进少数载流子的漂移，即N区的少数载流子空穴向P区移动，P区的少数载流子电子向N区移动。
因此，在交界面两侧存在两种对立的运动，漂移运动欲使PN结变窄，扩散运动运动欲使PN结变宽。
当扩散运动产生的扩散电流和漂移运动产生的漂移电流大小相等，两种运动达到动态平衡时，PN结宽度不再变化，即PN结维持一定的宽度。
由于内电场的存在，使载流子几乎不能在PN结内部停留，所以，PN结也称为耗尽层。
1.3 二极管的特性曲线有哪几个区域？二极管的单向导电能力是指特性曲线上的哪个区域的性质？二极管的稳压能力又是指特性曲线上的哪个区域性质？答：二极管的特性曲线有正向特性、方向特性和反向击穿特性三个区域。
模拟电子技术课后习题及答案
模拟电子技术课后习题及答案1(总18页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P 型半导体。
（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ）（3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。
（ ）（6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e UB. T U U I e SC.)1e (S －TU U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏（5）U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝。
解：U O1≈，U O2＝0，U O3≈－，U O4≈2V，U O5≈，U O6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。
求图所示电路中U和O1U各O2为多少伏。
模拟电子技术（模电课后习题含标准答案）（第三版）
模拟电⼦技术（模电课后习题含标准答案）（第三版）第1章常⽤半导体器件1.1选择合适答案填⼊空内。
(l)在本征半导体中加⼊( A )元素可形成N 型半导体，加⼊( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升⾼时，⼆极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增⼤ B.不变 C.减⼩(3)⼯作在放⼤区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增⼤到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增⼤；B.不变；C.减⼩ 1.3电路如图P1.2 所⽰，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。
设⼆极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所⽰。
1.4电路如图P1.3所⽰，已知t u i ωsin 5=(V )，⼆极管导通电压U D =0.7V 。
试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。
1.6电路如图P1.4所⽰, ⼆极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。
试问⼆极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：⼆极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω故动态电流的有效值：/1di D I U r mA =≈1.7现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。
试问： (1)若将它们串联相接，则可得到⼏种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则⼜可得到⼏种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。
1、两个管⼦都正接。
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思考与练习一参考答案1-1、(1) √(2) × (3) √ (4) × (5) × (6) × (7)×。
1-2、（1）C （2）C （3）C （4）A ，C （5）A （6）C 。
1-3、略。
1-4、4.4V 、0V 、0V 。
1-5、（a ）截止，-12V ；（b ）V 1导通，V 2截止，0V 。
1-6、略 1-7、略1-8、（1）2V ，5V ，6V ；（2）不能，I Z ＞I Zmax 。
1-9、12V ，8.7V1-10、动态电阻越小，反向击穿线越陡，电流发生变化时电压变化小，稳压性能越好。
思考与练习二参考答案2-1、(1)× (2)√ (3)× (4) × (5)√ (6)√ (7)√ (8)√ (9)√ (10)×。
2-2、（1）B （2）C （3）D （4）C （5）A 。
2-3、（1）NPN 型硅管，1为e ，2为b ，3为c ；（2）PNP 型硅管，1为c ，2为b ，3为e ；（3）PNP 型锗管，1为e ，2为b ，3为c 。
2-4、（1）放大；（2）截止；（3）临界饱和2-5、当在A 处时，三极管处于饱和状态，3C I m =A ；当在B 处时，三极管处于放大状态， 1.92C I m =A ；当在C 处时，三极管处于截止状态，0C I =2-6、（1）不能 （2）不能2-7、共基极放大电路；共集电极放大电路；共发射极放大电路2-8、V 4,mA 4,μA 40)1(CEQ CQ BQ -===U I I ；Ω=Ω≈-=k 2,857,6.155)3(o i u R R A （4）截止失真，减少R B2-9、V 2.5,mA 75.1,μA 22)1(CEQ CQ BQ ===U I I ；Ω=Ω=-=k 75.3,k 4.1,156)2(o i u R R A2-10、V 5.6,mA 53.1)1(CEQ CQ ==U I ，Ω=≈k 98,1)2(i u R A ，Ω=≈32,V 2)3(o R u o 。
2-11、Ω=Ω==k 3,28,105o i u R R A2-12、Ω=Ω=-=k 10,M 2,7.2o i u R R A2-13、)//(,1S L 'L 'Lm 'L m u R R R R g R g A =+=，G2G1G3i //R R R R +=，m S o 1//g R R =。
思考与练习三参考答案3-1、（1）60dB ，100Hz ，20KHz ；（2）克服温漂，对称电路，直流负反馈，四种，共模电压放大倍数，差模电压放大倍数，抑制共模信号；（3）)(21S2S1U U +，)(21S2S1U U -，)(S2S1U U -，Id ud U A ； （4）深度负反馈，虚短，虚断；（5）∞，∞，0；（6）跳变，单值电压，滞回电压，施密特触发器。
3-2、（1）√（2）×（3）×（4）×（5）×（6）×3-3、（1）ABBA （2）C （3）C （4）BA （5）C3-4、62dB ，3.15V3-5、375.7，329.9，7.2 KΩ，5.1 KΩ。
3-6、（1）0.831mA ，2.4V ；（2）-293 ；（3）5.46KΩ，20KΩ。
3-7、（1）0.465mA ，7.1V ；（2）-93 ；（3）11.7KΩ，24KΩ。
3-8、（1）0.535mA ，6.65V ；（2）-13.3；（3）-0.47。
3-9、（1）-68.85mV ，64.15mV ；（2）-66.5mV ，66.5mV 。
3-10、（1）36.6 KΩ，20KΩ，-68.3；（2）1519,2KΩ，0，∞；（3）273.2mV ，137.5mV 。
3-11、（1）3.5V ；（2）46 ；（3）10.9KΩ，10KΩ。
3-12、（a ）-1.8V ；（b ）5V ；（c ）5V ；（d ）6.2V ；（e ）2.8V 。
3-13、（a ）-20，1KΩ；（b ）21，∞。
3-14、（a ）10V ；（b ）4V 。
3-15、i3i2i1o 52020u u u u -+=。
3-16、⎰-=i i o 101u dt u u 。
3-18、2i21i1o R u R u dt du C +=。
思考与练习四参考答案4-1、（1）输出、输入（2）净输入量、负反馈（3）电压串联（4）减小、增大（5）瞬时极性（6）电压、电流（7）降低放大倍数（8）增大、减小4-2、（1）×（2）×（3）×（4）×（5）√（6）√（7）×（8）×4-3、（1）b （2）b （3）b （4）b （5）c （6）b （7）a （8）b4-4、反馈就是将放大电路输出量的一部分或全部，经过一定的电路反向送回到输入端，并对输入信号产生影响的过程。
在反馈放大器中，若反馈回来的信号是直流量则称为直流反馈；若反馈回来的信号是交流量则称为交流反馈。
4-5、（a ）交直流电压串联负反馈；（b ）交直流电压并联负反馈；（c ）直流电压串联负反馈；（d ）交流电压并联负反馈；（e ）交流电压串联负反馈4-6、电压串联负反馈，电压并联负反馈，电流串联负反馈，电流并联负反馈。
4-7、对于串联负反馈，若信号源内阻为0，即为恒压源时，则可使Ui 恒定，这样Uf 的增加量为横流源时，则可使Ii 恒定，此时反馈效果最强。
4-8、直流负反馈的作用是稳定工作点；交流负反馈的作用是改善放大器的性能。
4-9、（1）引入直流负反馈；（2）引入电压负反馈；（3）引入电流负反馈；（4）引入串联负反馈；（5）引入电压负反馈。
4-10、V 1,m V 99,m V 1o f d ===u u u 。
4-11、61,33.8f =+=AF A 。
4-12、2180/1=+=AF F 。
4-13、25/1,100==F A 。
4-14、能。
4-15、由附加相移考虑。
在电路中增加适当的阻容元件，改变频率特性，破坏自激条件，可使电路工作稳定。
思考与练习五参考答案5-1、（1）× （2）× （3）×（4）× （5）× （6）√5-2、(1)B,(2)D,(3)B,(4)B,(5)C,(6)B 。
5-3、相位平衡条件为:2a f n ϕϕπ+=,在电路(a)中,当01RCωω==时,180,0o a f ϕϕ=-=,不满足相位平衡条件,不能振荡。
在电路(b)中,,0a f o ϕϕ==满足相位平衡条件,可能振荡。
5-4、图5-27所示各电路中变压器的同名端如图题5-4解图所示。
题5-4解图5-5、（a ）不能振荡。
（b ）能振荡。
其振荡频率：5-6、 (1) 0011592Z f f H ωπ=== (2) 2。
（3）可将1R 选用正温度导数的电阻,或者将f R 选用负温度导数的电阻。
5-7、电路的电压传输特性如图题5-7解图所示。
（a ） (b)题5-7解图思考与练习六参考答案 6-1、(1) 双电源互补对称电路，单电源互补对称电路；(2)交越失真，甲乙类；(3)工作点太低，进入截至区；(4)9W ；(5)乙类工作状态；(6)交越失真，适当增大功放管静态|U BE |值，使之处于微导通状态；(7)360度，180度；大与180度小于360度。
6-2、(1)× (2) × (3) × (4) × (5)√ (6) √ (7) ×6-3、A 5.2,V 40,W 5CM (BR)CEO CM ≥≥≥I U P6-4、（1）W 25.6om =P ，晶体管能安全工作。
(2) W 3.5o =P6-5、选20W 、4Ω的音箱。
思考与练习七参考答案7-2、（1）⨯（2）√（3）√（4）√（5）√（6）√（7）⨯ （8）⨯（9）⨯（10）√7-1、(1)变压器、整流电路、滤波器、稳压电路。
(2）12V ；9V ；稳压管将烧坏；增大；变压器有半周被短路，会引起元器件的损坏；基本不变。
(3）全波整流电路、半波整流电路。
（4）桥式整流电容滤波电路、半波整流电容滤波电路。
（5) 桥式、电容型、稳压管、串联型。
（6) 放大；20。
7-3、I F ＞0.3A ，U RM ＞20.74VMHz 25.2105.12104.028.612112321210≈⨯⨯⨯=+=--C C C C L fπ7-4、(1)选择2CZ56C 型 (2)变压器变比n =220V/29.3V=7.5，电源变压器伏安容量选容量为50V A 、二次侧电压、电流有效值为30V/1.5A 的变压器。
7-5、(1)选择二极管2CZ52B 型I F =100mA ，最高反向工作U RM 为50V ，符合要求。
(2)选择滤波电容标称值耐压50V 、电容量200μF 或500μF 的电解电容。
7-6、V 5.40o U7-7、a 、（1）调整环节 T 1 ；（2）放大环节T 2 ，R C2；（3）基准环节D Z ，R ；（4）取样环节R 1 R 2，R P 。
b 、R W = 100Ω的值。
c 、 U O = 10V 。