模电B2017复习纲要

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模拟电路学习提纲及主要内容

模拟电路学习提纲及主要内容
1、本征半导体、N型半导体、P型半导体分别有什么特性。

2、掌握PN结的形成及其单向导电特性、PN结伏安特性。

3、掌握晶体三极管工作原理。

4、晶体管放大电路为什么要设置静态工作点，如何计算静
态工作点？
5、四个h参数的物理意义分别是什么？
6、掌握单管放大电路的分析方法（图解法、等效电路法），
如何画出h参数等效电路，如何计算放大倍数、输入电阻、输出电阻等参数。

7、放大电路的共射、共集、共基三种接法分别有何特点？
8、放大电路有几种耦合方式？
9、掌握差分放大电路的特点及其对共模、差模信号的作
用。

10、掌握放大电路中反馈的概念、反馈性质和反馈类型的分
析及判断方法。

11、引入负反馈，对放大电路有些什么影响？
12、理想集成运放有哪些主要性质和参数？掌握集成运放
组成的比例运算、加减运算和微分、积分运算电路、振荡电路和电压比较器。

13、掌握有源一阶低通、高通滤波电路的组成及其传递函
数、频率特性的求取方法和波特图的作法。

14、掌握RC、LC振荡电路的工作原理以及满足起振条件的
分析判断方法。

15、掌握单限比较器、滞回比较器的工作原理。

16、掌握OCL、OTL功率放大电路的工作原理及有关计算。

17、掌握单相半波、桥式整流电路、滤波电路工作原理及整
流二极管有关电压电流参数的计算与确定。

18、掌握串联型稳压电路的组成和工作原理。

模电b知识点总结

模电b知识点总结第一章：基本概念1.1 模拟电子学基本概念模拟电子学是指对模拟信号进行处理的电子学科，其主要研究对象是模拟信号的放大、滤波、混频、调制、解调等处理技术。

模拟电子学的研究内容主要包括线性电路、非线性电路、反馈电路等方面。

1.2 信号与系统的基本概念信号是指随时间、空间或其它独立变量而变化的信息，系统是对信号进行处理的装置。

信号与系统是模拟电子学研究的基础。

1.3 电子元件的物理特性电子元件是模拟电子学的基本组成部分，其性能包括基本元件特性、动态特性和静态特性等。

1.4 信号的表示及其变换信号的表示方法包括时域表示和频域表示两种。

信号的变换主要包括傅里叶变换、拉普拉斯变换等。

第二章：放大器2.1 放大器的基本概念放大器是模拟电子学中常见的电子装置，其功能是放大输入信号的幅度。

放大器的常见类型有电压放大器、电流放大器、功率放大器等。

2.2 BJT放大器双极型晶体管（BJT）是一种常见的放大器元件，在电子电路中有着广泛的应用。

BJT放大器主要有共射放大器、共集放大器、共基放大器等种类。

2.3 MOSFET放大器场效应晶体管（MOSFET）是另一种常见的放大器元件，其原理和应用与BJT放大器有所不同。

MOSFET放大器主要有共源放大器、共漏放大器、共栅放大器等种类。

2.4 集成放大器集成放大器是一种利用集成电路技术制作的放大器，其具有很高的性能和可靠性，广泛应用于各种电子设备中。

2.5 运放电路运放是一种特殊的集成放大器，其具有高增益、宽带宽等特点，被广泛应用于模拟电子学中的各种电路中。

第三章：滤波器3.1 滤波器的基本概念滤波器是模拟电子电路中常用的元件，其功能是对输入信号进行滤波处理，滤波器主要有低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器、带阻滤波器等种类。

3.2 有源滤波电路有源滤波电路是指在滤波器中加入有源元件（如运放、BJT等）以提高滤波器的性能。

3.3 无源滤波电路无源滤波电路是指在滤波器中只使用被动元件（如电阻、电容、电感等）以实现滤波功能。

模电期末复习提纲

期末复习提纲一、复习大纲：第一章绪论1.基本要求1．了解信号、频谱、模拟电路与数字电路等一些基本概念。

2．理解电压放大电路、电流放大电路、互阻放大电路和互导放大电路的基本概念，理解放大电路的模型。

3．掌握放大电路的输入电阻、输出电阻、增益、通频带等主要性能指标。

2.重点：电压放大电路、电流放大电路、互阻放大电路和互导放大电路的输入电阻、输出电阻、增益及每种电路的应用场合第二章运算放大器1.基本要求1）了解集成运放电路的组成及成为线性电路的条件。

2）熟练掌握运用虚短和虚断的概念来分析基本运放电路。

3）熟练掌握比例、加减、积分运算电路。

2.重点：虚短和虚断的概念，理想运放所组成的电路的分析方法，并结合比例、加减、积分运算电路理解如何分析。

（大题出题点）。

第三章二极管及其基本电路1.基本要求1．了解本征半导体、空穴及其导电作用，2．理解P型半导体和N型半导体中的多子与少子及其决定因素以及与本征半导体导电的区别3．了解PN结的形成，掌握PN的单向导电性和V-I特性，理解PN结的反向击穿现象4．了解半导体二极管的结构，掌握它的V-I特性曲线。

5．掌握二极管的正向V-I特性建模，并会分析和计算由二极管组成的不同电路。

（P78-P81这4点应用）6．掌握稳压管工作特性，并分析常用的稳压电路，了解其它的特殊二极管。

2.重点：二极管V-I特性，二极管电路的分析与计算（出中大题点）。

第四章双极结型三极管及其放大电路基础1.基本要求1．了解BJT结构，理解电流分配与放大作用，各极电流间的关系，掌握BJT的输入、输出特性曲线和主要参数。

注意αβ的定义式及其应用2．理解共射极放大电路的工作原理。

3．理解用图解法来分析放大电路的静态工作点和动态工作情况。

（注意静态工作点设置与失真问题）4．掌握用小信号模型法分析共射电路的电压增益、输入电阻和输出电阻。

5．理解温度对静态工作点的影响，掌握射极偏置电路能稳定Q点的工作原理。

6．理解用小信号模型来分析共集电极电路和共基极电路的分析，并能对三种基本组态电路进行比较。

模电复习纲要

〈〈模拟电子技术基础〉〉复习纲要第一章：常用半导体器件（1）熟悉下列定义、概念及原理：本征半导体、P型和N型半导体形成、自由电子与空穴，扩散与漂移，复合，空间电荷区、PN结、耗尽层，导电沟道，二极管的单向导电性，稳压管、发光/光电二极管的作用，晶体管与场效应管的放大作用及三个工作区域。

（2）掌握二极管、稳压管、晶体管、场效应管的外特性、主要参数的物理意义。

掌握其应用电路。

（3）了解选用器件的原则。

了解集成电路制造工艺。

第二章：基本放大电路（1）掌握以下基本概念和定义：放大、静态工作点、饱和失真与截止失真、直流通路与交流通路、直流负载线与交流负载线、h参数等效模型、放大倍数、输入电阻和输出电阻、最大不失真输出电压。

掌握静态工作点稳定的必要性及稳定方法。

（2）掌握组成放大电路的原则和各种基本放大电路的工作原理及特点，理解派生电路的特点，能够根据具体要求选择电路的类型。

（3）掌握放大电路的分析方法，能够正确估算常用基本放大电路（共射、共集、共源为主）的静态工作点，掌握微变等效电路并据此估算动态参数Au、Ri、Ro，正确分析电路的输出波形和产生截止失真、饱和失真的原因及波形。

第三章：多级放大电路（1）掌握以下概念和定义：零点漂移与温度漂移，共模信号与共模放大倍数，差模信号与差模放大倍数，共模抑制比，互补电路。

（2）掌握各种耦合方式的优缺点，能够正确估算多级放大电路的Au、Ri、Ro。

（3）掌握差动放大器静态工作点和动态参数的计算方法，理解共模抑制比的意义及计算方法。

（4）掌握互补输出级（OCL电路）的正确接法和原理。

第四章：集成运算放大电路（1）熟悉集成运放的组成及各部分电路的特点和作用，正确理解其主要指标参数的物理意义、使用注意事项。

（2）理解电流源电路的工作原理和电流推导。

理解电流源电路在集成运放中的应用及作用。

（3）理解F007的电路原理，能分析运放电路。

第五章：放大电路的频率响应（1）掌握以下概念：上限频率，下限频率，通频带，波特图，增益带宽积，幅值裕度，相位裕度，相位补偿。

《模拟电路基础（B）》期末复习提纲（终极版）

《模拟电路基础（B）》期末复习提纲（终极版）《模拟电路基础（B）》期末复习提纲（终极版）第一章1.电流与电压的关系，关联参考方向与非关联参考方向电路中没有电压就一定没有电流吗？电流电压的正负与参考方向有什么关系？怎么才是关联参考、非关系参考？联系后面的知识，关联参考与非关联参考会造成什么样的不同？2.欧姆定律注意电流与电压是否为关联参考方向，U=RI公式前面的“+”、“-”3.基尔霍夫定律KCL、KVL，计算时注意符号，使用KCL时注意要标明电流的方向，使用KVL时注意选择的回路绕行方向4.功率及功率计算P=UI，注意U和I的参考方向是否为关联参考，公式前面的“+”、“-”注意吸收功率（消耗功率）、提供功率（释放功率）、功率平衡（可用于验算）熟悉P19页1.4、1.7第二章1.电源的等效变换注意电压源与电流源的转换条件，分别是什么样的电路结构才可以进行变换，变换后的电路结构是怎么样的；电压变电流，电流的大小与方向；电流变电压，电压的大小及方向等2.电路的一般分析方法熟悉支路电流法、网孔电流法、结点电压法（弥尔曼定理，这个定理用好了有意想不到的效果），重点关注一下结点电压法，想想什么情况下使用此方法会使求解更简单熟悉P56页2.6、2.9（用结点电压法也求一次）3.电路定理注意叠加定理的适用情况，功率是否可以叠加，非线性电路里是否可以使用叠加定理？第三章1.正弦量的三要素幅值（峰值）、角频率、初相（P61-62）有效值与幅值的关系P63正弦电压的表达式P61页式3.1.1，注意Um（幅值）、ω、Ψ这三个参数的意义，给你其中一个参数能够写出其瞬时表达式相位差，注意只有同频率的正弦量才可以比较相位差（这点要十分小心），比较相位差时都要化成标准的3.1.1式即都要是sin的形式，如果是cos则要先变成sin，相位差即初相相减即可熟悉P64例3.1.12.正弦量的相量表示注意相量的运算法则（与复数运算相同），注意角度与复坐标的运用，注意旋转因子j 与角度的关系（P67），熟悉P66例3.2.13.阻抗与导纳注意电容与电感这两个元件的容抗与感抗阻抗的组成（例如R与L的串联而成的阻抗与多少？表达式怎么写？）与阻抗三角形熟悉P81例3.5.14.一般正弦交流电的计算注意方法，一般需要将电容和电感先化成容抗与感抗的形式，再按正常的电路分析方法（支路电流、网孔电流、结点电压法等）求解，注意相量的运算熟悉P81例3.5.15.无功功率、视在功率与平均功率的关系无功功率是不是表示元件在电路中不起任何作用？6.谐振的产生条件（了解）7.三相交流电注意三相四线制的特点（中性线电流为0）第五章1.换路定则电容、电感换路前后的不变量，初值的计算，P133例5.1.12.零输入、零状态、全响应三种情况的计算注意全响应的计算，三要素法，注意时间常数τ的计算（需要作电阻等效变换）熟悉P143例5.4.2、例5.4.1第六章1.P、N型半导体的概念注意多子、少子的组成及其与温度的关系2.二极管单向导电特性击穿与烧坏的关系稳压管的工作状态（工作在反向击穿区）3.三极管三极管的三个电极、硅管（锗管）、PNP（NPN）型的判别，P176习题6.14，P173例6.4.1三极管三个电流的关系、电流放大倍数4.三极管的微变等效电路第七章1.静态工作点的计算（7.3节，P188-P191）静态工作点与失真情况的关系P186-1872.动态分析（放大倍数、输入电阻、输出电阻）（7.3节，P188-P191）求解过程中注意分步计算3.多级放大电路注意输入电阻与输出电阻，几种耦合方式特点第八章1.反馈的分类与判别正、负反馈；电压电流反馈；串联并联反馈；反馈的四种组态；反馈对电路性能的影响（电压[电流]负反馈用来稳定输出电压[电流]、串联[并联]能增大[减小]输入电阻）2.负反馈的基本方程P231-232，注意深度负反馈A f的计算熟悉P238例8.3.1第九章1.理想运算放大器概念及特点P221，重点关注工作在线性区与非线性区的特点2.运算放大电路比例运算、加减法运算，注意电路结构及计算公式（电压比较器难了点，不作为考点了）第十章1.自激振荡的概念及起振条件P277-278第十一章1.单相整流电路半波整流与全波整流特点、选用二极管的条件。

模拟电子技术实验复习要点(模电B)

模拟电子技术实验（模电B）设备的使用1、示波器的使用（示波器的使用（重点）重点）0-20MHz范围内的信号都可测量。

三个校准旋钮校准旋钮顺时针拧到底；校准旋钮五个按钮全要释放；触发源要与输入通道一致；双通道输入时（DUAL），则触发源CH1和CH2都可；“LEVEL”旋钮的使用（波形水平移动，不稳定时）；“垂直衰减旋钮垂直衰减旋钮”和““扫描时间旋钮”垂直衰减旋钮扫描时间旋钮”要合适，与被观测波形的幅值和周期要保持相同的数量级。

尤其是数值和波形的幅值相比小太多时，波形太大，出了屏幕，会看不到波形；Y轴校准方法；DC耦合和AC耦合的区别。

示波器使用步骤：示波器使用步骤：1）Y轴校零。

将零电平移至屏幕中，确定信号零位置。

2）触发源与垂直模式要同步，比如都是CH1。

3）选择AC耦合或DC耦合。

4）扫描时间档位和垂直衰减档位要合适，与被观测波形的幅值和周期匹配。

5）水平和垂直的校准微调旋钮顺时针拧到底。

6）波形不稳定时，水平移动时，使用LEVEL触发电平调整旋钮。

示波器图通常位置必须同步拧到底模拟电子技术实验（模电B）2、交流毫伏表的使用测量10-2MHz正弦信号的有效值。

频带比示波器小，比万用表大，精度比万用表高。

正弦信号一定要选择合适的量程，否则误差大。

比如：正弦信号Ui=1V，要选3V量程档，用30V的话，误差大！3、数字万用表数字万用表测直流电压、电流信号，电阻值。

测交流信号不如交流毫伏表精度高，模拟电子技术实验室的交流信号有效值交流信号有效值都交流信号有效值都用交流毫伏表测量！伏表测量！4、模拟万用表在本实验室只用于晶体管共射极放大电路时测静态工作点的电流测静态工作点的电流IB和IC。

5、信号发生器“OUTPUT”按键的操作按键的操作。

的操作。

当没有信号输出时，当没有信号输出时，注意观察输出通道CHA的否亮。

否亮。

pp——峰峰值，峰峰值，rms——有效值——设为Offset——设为0Vdc6、集成运算放大器的使用集成运算放大器的使用运放板子开环过零检查运放的好坏。

模拟电子技术课程复习提纲(复习必备)

第一章半导体器件§1.1半导体基础知识1、本征半导体：本征半导体、本征激发、复合、本征半导体导电机理；2、杂质半导体：杂质半导体、N 型半导体、P 型半导体、多数载流子、少数载流子；3、PN 结：PN 结的形成机理、扩散运动与漂移运动、PN 结的本质、PN 结的单向导电特性；4、温度对本征半导体、杂质半导体、PN 结导电能力的影响；5、PN 结的伏安特性：)1(-=T U u S D e I I ，当T=300K 时mV U T 26=，伏安特性曲线：反向击穿区、反向截止区、死区、正向导通区；6、PN 结的反向击穿特性：击穿类型、击穿原因（雪崩击穿、齐纳击穿）；7、PN 结的电容效应：势垒电容C T 、扩散电容C D ，PN 结电容效应的非线性、正偏和反偏时主要考虑那个电容。

§1.2半导体二极管1、二极管的结构、分类、符号；2、二极管的伏安特性：)1(-=T D U u S D e I I ，⑴正向特性：死区开启电压U th =0.5V （Si ）、0.1V （Ge ），正向导通电压U D(on)=0.7V （Si ）、0.2V （Ge ），⑵反向特性：反向截止区，反向击穿区；3、二极管的温度特性；4、二极管的参数及其含义：F I 、R U 、R I 、M f 、D R 、d r 、DQD T D I mV I U r )(26≈=； 5、二极管的等效模型：理想模型、理想二极管串联恒压将模型、折线模型、小信号（微变等效）模型（注意微变等效模型的应用条件）；6、二极管电路的分析方法：⑴直流图解法、⑵模型解析法⑶交流图解法（在Q 点附近i u 幅度较小时使用）、⑷微变等效电路分析法；7、稳压二级管：稳压二极管工作原理、稳压二极管参数及含义、简单电路参数计算；8、二极管应用（单向导电特性、二极管导通截止的判断）⑴静态工作分析、⑵整流电路（单管半波整流、双管全波整流、桥式整流）、⑶限幅电路（串联限幅、并联限幅、上限幅、下限幅、双向限幅）、⑷门电路；9、特种二极管的工作条件、符号、特性、参数，发光二极管、光敏二极管、激光二极管、红外二极管、光电耦合器件、变容二极管。

模电复习大纲概要

复习大纲题型分布：填空题 20分（20空）分析判断题20分（4电路）图解分析题共20 分（2题）计算题共40 分（4题）闭卷考试每章要求第1章绪论本章从模拟信号和数字信号的区分、放大电路的四种等效电路形式以及相应的增益表达方式、放大电路各性能指标的计算、测量方法、电路的线性失真等方面加以阐述，其内容和学习分析思路贯穿于课程的全部，内容虽然不是重点，但有关电路的分析方法和思路则是课程的重点。

第2章运算放大器基本运算电路及其分析方法是本课程的重点。

通过学习要求能够熟练掌握理想运放的虚短、虚地、虚断概念及其分析方法，积分、微分电路的工作原理；正确理解实际运放电路的分析、运算电路的工作原理、输入输出关系。

本章重点是掌握比例、加减（差分）运算电路的工作原理和运算关系。

利用“虚短”和“虚断”的概念分析各种运算电路输出电压和输入电压运算关系的方法。

第3章二极管及其基本电路半导体中载流子的运动以及由载流子的运动而阐述的半导体二极管的工作原理是学习的难点。

要求同学掌握有关载流子的浓度、扩散、漂移、PN结的形成的基本概念；熟练掌握二极管及稳压管的特性、参数，二极管基本电路及分析方法；正确理解PN结单向导电性能、PN结方程、PN结电容；一般了解选管原则，二极管在模拟电路中的主要应用。

本章的重点是从使用的角度出发掌握半导体二极管的外部持性和主要参数。

第4章双极结型三极管及放大电路基础本章是课程的重点，对于初学者也是难点所在。

本章所讲述的基本概念、基本电路和基本分析方法是学习后面各章节的基础。

通过建立有关放大、动态和静态、等效电路等概念；分析、判断放大电路能否放大以及放大电路基本特性，各种基本放大电路的失真分析；对影响放大电路频率响应的因素和研究频率响应的必要性的学习，要求同学熟练掌握BJT晶体管的输入输出特性、电流分配关系、晶体管微变等效电路、放大电路静态工作点Q的估算、微变等效电路法在动态分析中的应用；正确理解放大的基本原理、、温度对管子参数的影响、静态工作点的稳定，输出动态范围、三种基本放大电路的特点；一般了解共射放大电路的频率特性、非线性失真。

模电复习提纲(仅供参考)

模电复习提纲（仅供参考）第十章直流电源考点：概念直流电源的组成，各部分的作用，稳压管；几个输出电压与U2的关系；1. 直流稳压电源的组成及作用直流稳压电源是由变压、整流、滤波以及稳压四个部分构成。

直流稳压电源：将50Hz 、220V （或380V ）的单相交流电压转换为幅值稳定、输出电流为几百毫安以下的直流电压。

1) 电源变压器：将电网电压变换（降压）成所需要的交流电压。

2) 整流电路：将交流电压转换成单方向的脉动电压。

3) 滤波电路：滤除交流分量，减小脉动，产生平滑的直流电压。

4) 稳压电路：使输出电压获得更高的稳定性。

负载变化输出电压基本不变；电网电压变化输出电压基本不变。

2. 单相半波整流电路（U 2为有效值）输出电压的平均值：3. 桥式整流电路（U 2为有效值）输出电压的平均值：4. 电容滤波电路输出电压的平均值：5.稳压二极管稳压管是一种特殊的面接触型半导体硅二极管。

稳压区：反向击穿区稳定电压 UZ ：稳压管的击穿电压稳定电流 IZ ：使稳压管工作在稳压状态的最小电流最大耗散功率 P ZM ：允许的最大功率， P ZM = I ZM U Z动态电阻 r z ：工作在稳压状态时，O(AV )2U 0.45U ≈O(AV )2U 0.9U ≈o(AV )2U 1.2U ≈伏安特性符号等效电路r z＝ΔU / ΔI6.稳压管稳压电路限流电阻的选择第九章功率放大电路（9.11）考点：熟背几个公式，概念功率放大电路与一般放大电路的区别1.2.3.最大效率:4.5.在电路参数一定时，负载上可能获得的最大的交流功率称为最大输出功率，用P om表示。

6.功率放大电路与一般放大电路的区别1)功率放大电路要有尽可能大的输出功率2)功率放大电路要有尽可能高的效率3)非线性失真尽可能小4)功率放大电路的功放管要不超过极限运用状态5)重视功率管的散热和保护第七章信号的运算和处理（习题7.6 7.10 7.19）考点：多级电路，求Uo与Ui的关系，概念有源滤波电路1.反相比例电路2.同相比例运算电路3.4.电压跟随器5.反相求和运算电路6.同相求和运算电路fO IRu uR∴=-⋅fO IRu(1)uR∴=+⋅O Iu u=I3I1I2O f123uu uu R()R R R =-++7. 加减运算电路8. 滤波电路：一种能够使特定频率的有用信号通过，同时滤除信号中无用信号频率的电路。

模拟电子技术复习提纲

第3章二极管及其基本电路知识重点：1、杂质半导体的导电机理；2、PN 结的形成及其单向导电性；3、半导体二极管的伏安特性；4、稳压管的应用基本知识：1、空穴的出现是半导体区别于导体的一个重要特点，在本征半导体中掺入三价元素杂质后即成为P 型半导体。

2、半导体二极管只有一个PN 结，它的基本特性是具有单向导电特性。

3、稳压二极管接入电路时，一定要串入一个电阻，其原因是利用电阻调节作用。

4、下面电路中电阻R 1=6kΩ，R 2=1kΩ，试判断理想二极管D 1与D 2是导通还是截止,并计算电压V ab ，。

（）第4章三极管及其放大电路知识重点：1、半导体三极管的放大条件以及电流控制和放大作用；2、BJT 的输入特性、输出特性及主要参数；3、BJT 的代表符号、BJT 的特性曲线，尤其是输出特性曲线的四个区域的理解；基本知识：1、双极性晶体管放大电路的三种基本放大方式为共射、共基与共集放大，其中共集放大放大电路也叫做射极输出器。

2．三极管的输入电阻Rbe 是个动态电阻，但是与静态工作点是有关联的。

3、双极性晶体管对温度变化较敏感，硅管与锗管相比，硅管受温度影响较小。

aba b4．电压放大器的输出电阻越小，意味着放大器带负载能力越强。

5、双极性晶体管是一种电流型控制元件。

6．在基本共射电路中，若晶体管的β增大一倍，电压放大倍数也相应增大，但达不到一倍。

7、在放大电路中测得某管的3个电极电位分别为-2.5V, -3.2V,-9V，则这个三极管的管型是PNP型硅管。

8、单极放大电路的3种组态都有功率放大作用。

9、多极放大器的电压放大倍数为各级放大倍数之积。

10、一个NPN管在电路中正常工作，现测得Ube>0,Ubc>0,Uce>0，则此管的工作区为饱和区。

11、图示电路中β=50, V CC=6V, R b1=10KΩ, R b2=2KΩ , R c=2KΩ，R e=300Ω，R L=2 KΩ，试：①估算Q点(取V BE =0.7V)；②画出小信号模型图；③r be=1KΩ时，计算Av、r i与r o。

模电复习提纲(已整理)

在4价的硅（或锗）晶体中掺入少量的5价杂质元素，如磷，锑，砷等，这种杂质半导体主要依靠电子导电的半导体称电子型半导体或N型半导体。

其多数载流子为空穴，少数载流子为电子。

（2）结具有哪些特性，主要特性是什么？二极管的导通条件是什么？二极管的管压降为多少？什么是门坎电压？必须了解二极管的伏安曲线。

答：结有单向导电性、感光特性、感温特性、变容特性、变阻特性，其主要特性是单向导电性。

二极管的导通条件是结正向偏置。

硅二极管的管压降为0.6~0.8V，锗二极管的管压降为0.2~0.3V。

门坎电压即死区电压，是指二极管刚好导通时两端的电压差，硅二极管的死区电压为0.5V左右，锗二极管的死区电压为0.1V左右。

（3）三极管的导电机理是什么？三极管起正常放大作用的外部条件是什么？能否通过三极管各电极电位来判断它的工作状态。

三极管的输出特性曲线分为哪几个区域？起正常放大作用的三极管必须工作在哪些区域上？答：三极管导电机理是当基极电压有一个微小的变化时，基极电流也会随之有一小的变化，受基极电流的控制，集电极电流会有一个很大的变化，基极电流越大，集电极电流也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。

三极管起正常放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置。

发射极反偏，集电极反偏为截止状态；发射极正偏，集电极反偏为放大状态；发射极正偏，集电极正偏为饱和状态，由此来判断它的工作状态。

三极管的输出特性曲线分饱和区、放大区和截止区，起正常放大作用的三极管必须工作在放大区。

模拟电路复习纲要

模拟电路Ⅱ复习纲要第六章信号的运算和处理基本运算电路组成原理、识别，以及运算电路实现的波形变换功能；比如: 1、如何实现乘方，三角波变方波，方波变三角波、正弦波变方波以及正弦波的二倍频等；2、欲将正弦波电压移相＋90o，采用什么电路？3、用什么电路实现函数Y aX1bX2cX3运算关系的分析：“虚短、虚断”以及叠加原理。

【掌握：比例运算、加减运算和积分运算分析】；模拟乘法器及其应用有源滤波电路：滤波电路种类以及应用【根据给定条件选择合适的滤波电路种类】，一阶、二阶滤波电路的幅频特性：通频率带放大倍数、截至频率、过渡带斜率。

第七章波形的发生和信号的转换正弦振荡电路的组成以及振荡条件，理解掌握基本概念；【正弦波振荡电路的组成；幅度平衡条件以及相位平衡条件，定性的判断电路能否起振。

正弦波振荡电路的分析：振荡频率计算】RC、LC电路的基本特征：幅频、相频特性。

比如：LC、RC在谐振频率时呈什么特性，相移是多少？LC电路在高于、低于谐振频率时呈什么特性？振荡频率稳定性最好的是那种电路？电压比较器电路结构与原理【分析给定电路的电压传输特性，画传输特性曲线】1、电压比较器的三要素；2、单限、滞回和窗口比较器电路结构、阈值电压以及输出电压跃变化特点；3、构成电压比较器的集成运放工作在线性区还是非线性区，有虚短和虚断现象吗？非正弦波产生电路：矩形波【电路组成】，三角波波形产生电路分析：化整为零，综合分析；全波精密整流电路工作原理与波形分析。

信号转换电路：电流电压转换电路、电压频率转换电路分析第八章功率放大电路甲、乙类功率放大电路的概念以及特点比如：1、放大电路转换效率概念；2、功率放大电路与电压放大、电流放大电路的区别与联系；3、甲、乙类功率放大电路效率特征？乙类功率放大电路的最大效率？4、乙类功率放大电路可能会在哪种失真，怎么样消除？功率放大电路的典型电路比如：1、OTL、OCL电路的特征、供电方式（单电源，还是双电源）；2、OCL、OTL放大电压还是电流？3、最大输出功率、效率的表达式与计算（OTL、OCL）。

模拟电子技术b复习提纲

Ri 共集最大，共基最小 Ro 共集最小，共基最大高频特性共基最好
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常见的两种共射放大电路 Q点分析计算 (1) 直接耦合放大电路（ RL＝∞ ）
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Ib2 IBQ
Ube
Ib1
已知
Ib2=Ib1+IBQ
Ube=UBEQ
IBQ Ib2Ib1VCC R bU 2BE QU R B b1EQ
铟等，即构成 P 型半导体。 2. PN结的形成，空间电荷区的变化（正偏，反偏）；
正偏空间电荷区变窄，反偏空间电荷区变宽 3. 温度对IS（反向饱和电流）的影响？ 4. 稳压二极管工作在什么区域？ 5. 晶体管共射电流放大系统；β 6. 晶体管的截止区、放大区、饱和区分析判断。
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式、求解过程）弄清楚，弄明白。 7. 熟悉对应各章的课堂练习和作业计算分析。
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第1章常用半导体器件
1. N型半导体，P型半导体如何产生？在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价杂质元素，如磷、锑、
砷等，即构成 N 型半导体。在硅或锗的晶体中掺入少量的 3 价杂质元素，如硼、镓、
UBQ 1 R1R 2R2 VCC3V IE1Q UB1 Q R 4 UBE1Q 3V 2. 3k 0 .7V1mA
IB1 Q1I E1 Q115m 0 A 6.7A
U C 1 E V C Q I C E 1 ( R Q 3 R 4 ) 1 1 2 ( 5 2 . 3 ) 4 . 7 V
作业和练习： 3.2、 3.4、 3.6
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【例】已知，T1和T2的β均为150，UBEQ=0.7V，rbe1=4kΩ， rbe2=2.2kΩ，VCC=12V。试估算电路的Q点、Au、Ri和Ro。

模电复习大纲

模电复习大纲复习提纲：第0章导言不作要求第1章常用半导体器件1.2.6,1.3.6,1.4.4,1.5~1.7 不作要求第2章基本放大电路2.7~2.8 不作要求第3章多级放大电路3.1.4,3.3.4,3.4 不作要求第4章集成运算放大电路仅4.1作要求第5章放大电路的频率响应不作要求第6章放大电路中的反馈6.6~6.8 不作要求第7章信号的运算和处理7.1.5~7.1.7 ,7.2~7.5 不作要求第8章波形的发生和信号的转换8.2.5，8.3.4~8.3.5,8.4~8.5 不作要求第9章功率放大电路9.3~9.5 不作要求第10章直流电源10.5.2~10.5.3,10.6~10.7 不作要求第1章：内容包含二极管、稳压管、晶体管、场效应管这四种半导体器件的工作原理，外特性和主要参数。

1.熟悉基本概念：PN结，二极管的单向导电性，稳压管的稳压作用，晶体管和场效应管的三个工作区。

2.掌握二极管、稳压管、晶体管、场效应管这四种半导体器件的工作原理，外特性。

课后练习：自测题一，二，三，习题1.1,1.2,1.3,1.6,1.9第2章内容包含晶体管和场效应管放大电路的原理，结构，分析方法，以及五种基本放大电路性能的比较。

1. 熟悉基本概念：放大，静态工作点，直流通路与交流通路，饱和失真与截止失真，直流负载线与交流负载线，h参数等效模型，放大倍数，输入电阻，输出电阻，最大不失真输出电压。

2. 掌握放大电路的分析方法（图解法，等效电路法）。

3. 能够正确估算基本放大电路的静态工作点和动态参数。

4. 了解静态工作点稳定的必要性及方法。

课后练习：第3章内容包含多级放大电路的耦合方式，动态参数求解，差分放大电路组成和工作原理，互补输出级（OCL电路）的工作原理。

1. 熟悉基本概念：共模信号与共模放大倍数，差模信号与差模放大倍数，共模抑制比，互补输出。

2. 掌握各种耦合方式的优缺点，能正确估算多级放大电路的参数。