模拟电子技术复习提纲资料
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;1;β
β
αβ+=∆∆=⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅∆∆=
E C B C I I I I 中小值
和取不产生饱和失真不产生截止失真om
om
om CES
CEQ om
L
CQ om U
U
U U U U R
I U -==
模拟电子技术复习提纲
(各章重点及公式汇编) 第三章
1. 半导体
2.PN 结正偏时: 反偏时 :
削弱内电场 增强内电场 PN 结变窄,导通; PN 结变宽,截止
第四章
1、三极管工作在放大区
2、电流分配关系
条件 关系式 NPN 型
PNP 型
BE 结正偏
BC 结反偏
Ic=βIb
放大功能
V BE = (Si)
(Ge) U CE >1V
V BE =- (Si)
(Ge) U CE >-1V
I E = I C +I B
3、三极管热稳定性差; I E ≥ I C >>I B
反向饱和电流I CBO ;穿透电流I CEO = (1+β) I CBO
4、共射放大器 (2)最大不失真V om (振幅)计算
(1)图解方法:
半导体 N 型 P 型 掺杂
5价
施主杂质 3价
受主杂质
多子 电子 空穴 少子
空穴
电子
L C L
b BE BQ R R R R V Vc
c I //;='⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅-=V
S be be
L i O V A Rs
Ri Ri Vs Vo A Rc Ro r Rb Ri r R Rc V V A +====-=
=
//)
//(βV
S be be
L i O V A Rs
Ri Ri Vs Vo A Rc Ro r Rb Rb Ri r R Rc V V A +====-==
//2//1)
//(β()[]Rb
Rs R s
R r Ro Rb
R r Ri R r R V V A be L be L
be L i O V //1Re//
//Re//11Re//)1())(Re//1(='+'+=++=≈+++==
β
βββ
U CES 为饱和压降
(3)NPN 管共射放大的失真
及消除方法
U (t )截止失真波形
U (t )饱和失真波形
(4)直流通路和交流通路要求能熟练掌
握
(5)三极管小信号等效电路
(6)放大电路的计算
共射放大(固定偏置) 共射放大(分压式偏置) 共集放大
①∣A v ∣>1; Vo 与Vi 反相; ① A v ≈1 电压跟随 ②A i = Io/Ii ≈β>1 ② A i =1+β ③Ri ,Ro 中等. ③ Ri 大,Ro 小
应用于中间放大级 应用于输入级,输出级,中间隔离级
电 路
静态工作点Q 的计算
动 态 计 算 特点和应用
共基放大等点: ① A v >1; Vo 与Vi 同相, ②A i =α<1, ③ Ri 小,Ro 大 应用于高频放大
)
(电源功率V o
P P =
η()O V T O V om im om L om O P P P P P Vcc V V V R V P -==⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅==⋅⋅⋅⋅⋅⋅=2
1
4)
(212单管功耗ηπη()%
5.782222=≈
-=m L
L CES om R cc V R V Vcc P ηOM
CM CC CEO BR L
CC
CM P P V V R V I 2.02)(≥≥≥OM
CM CC CEO BR L
CC Cm P P V V R V I 2.02
/)(≥≥≥
(8)增益的db 表示方法
第五章FET N 沟道JFET 耗尽型N-MOS 增强型N-MOS
1、符号及等性 (包括转移特性 和输出特)
2、FET 的特点:① Ri 大(I G =0); ② V GS 控制I D ; ③多子导电为单极型晶体管,噪声小,热稳定性好.
3、参数及 等效电路
第8章
1、功放主要指标:①输出功率Po ② 效率 ③非线性失真小;④功放安全工作。
2、电路及指标计算:
类型 电 路 一般情况指标计算 尽限运用 选管原则
OCL 甲乙类 双电源
OTL
乙类 单电源
第六章
1、差分放大电路特点①克服温漂②抑制共模Vic;③放大差模信号Vid
I C1 = I C2 = Io/2
2、四种差分放大电路指标计算
3、FET差分式放大器
特点:输入电阻高,
输入偏置电流小。
4、集成运放的符号和组成框图
第七章
直流负反馈用于稳定静态工作点
1、负反馈交流负反馈①电压串联负反馈;输入端输出端
类型(改善性能)②电压并联负反馈;(ΣV=0)串联电压Uo; (X f∝Uo)
③电流串联负反馈;
④电流串并负反馈;(ΣI=0)并联电流Io; (X f ∝Io)
2、负反馈放大框图