东南大学模电总复习共23页
模拟电子技术基础复习资料
模拟电路基础复习资料一、填空题1. 在P型半导体中, 多数载流子是（空隙）, 而少数载流子是（自由电子）。
2. 在N型半导体中, 多数载流子是（电子）, 而少数载流子是（空隙）。
3. 当PN结反向偏置时, 电源的正极应接（ N ）区, 电源的负极应接（ P ）区。
4．当PN结正向偏置时, 电源的正极应接（ P ）区, 电源的负极应接（ N ）区。
5. 为了保证三极管工作在放大区, 应使发射结（正向）偏置, 集电结（反向）偏置。
6．根据理论分析, PN结的伏安特性为,其中被称为（反向饱和）电流, 在室温下约等于（ 26mV ）。
7. BJT管的集电极、基极和发射极分别与JFET的三个电极（漏极）、（栅极）和（源极）与之相应。
8. 在放大器中, 为稳定输出电压, 应采用（电压取样）负反馈, 为稳定输出电流, 应采用（电流取样）负反馈。
9. 在负反馈放大器中, 为提高输入电阻, 应采用（串联－电压求和）负反馈, 为减少输出电阻, 应采用（电压取样）负反馈。
10.放大器电路中引入负反馈重要是为了改善放大器. 的电性. ）。
11. 在BJT放大电路的三种组态中, （共集电极）组态输入电阻最大, 输出电阻最小。
（共射）组态即有电压放大作用, 又有电流放大作用。
12.在BJT放大电路的三种组态中，.共集电. ）组态的电压放大倍数小于1，.共.）组态的电流放大倍数小于1。
13. 差分放大电路的共模克制比KCMR＝（）, 通常希望差分放大电路的共模克制比越（大）越好。
14. 从三极管内部制造工艺看, 重要有两大特点, 一是发射区（高掺杂）, 二是基区很（薄）并掺杂浓度（最低）。
15．在差分放大电路中发射极接入长尾电阻后, 它的差模放大倍数将（不变）, 而共模放大倍数将（减小）, 共模克制比将（增大）。
16. 多级级联放大器中常用的级间耦合方式有（阻容）, （变压器）和（直接）耦合三种。
17. 直接耦合放大器的最突出的缺陷是（零点漂移）。
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模电总结复习资料-模拟电子技术基础第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
2.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
3.PN结*PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
*PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
4.PN结的伏安特性二.半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V 阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路);若V阳u-时，uo=+Uom当u+2．当ＡＦ＝０时，表明反馈效果为零。
3．当ＡＦ＜０时，Ａｆ升高，这种反馈称为正反馈。
4．当ＡＦ＝－１时，Ａｆ→∞。
放大器处于“自激振荡”状态。
二．反馈的形式和判断1.反馈的范围----本级或级间。
2.反馈的性质----交流、直流或交直流。
直流通路中存在反馈则为直流反馈，交流通路中存在反馈则为交流反馈，交、直流通路中都存在反馈则为交、直流反馈。
3.反馈的取样----电压反馈：反馈量取样于输出电压；具有稳定输出电压的作用。
（输出短路时反馈消失）电流反馈：反馈量取样于输出电流。
具有稳定输出电流的作用。
（输出短路时反馈不消失）4.反馈的方式-----并联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电流形式相叠加。
Rs越大反馈效果越好。
反馈信号反馈到输入端）串联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电压的形式相叠加。
Rs越小反馈效果越好。
反馈信号反馈到非输入端）5.反馈极性-----瞬时极性法：（1）假定某输入信号在某瞬时的极性为正（用+表示），并设信号的频率在中频段。
（2）根据该极性，逐级推断出放大电路中各相关点的瞬时极性（升高用+表示，降低用－表示）。
0东南~硕士研究生入学《模电数电》课程复习
硕士研究生入学《模电数电》课程复习与考试大纲第一部分《模拟电子技术基础》参考书：[1]刘京南主编，电子电路基础。
电子工业出版社，2003[2]康华光主编，电子技术基础，模拟部分（第四版），高等教育出版社，1999一、半导体器件概述（1）PN结及二极管主要内容：半导体及PN结、二极管的基本特性、二极管的电路模型及主要参数、特殊二极管（2）半导体三极管主要内容：三极管的基本工作原理、三极管的基本特性、三极管的电路模型及主要参数（3）半导体场效应管主要内容：结型场效应管、绝缘栅场效应管、场效应管的主要参数及电路模型（4）集成运算放大器主要内容：集成运放的基本特性、理想运放二、基本放大电路（1）放大电路的组成与技术指标主要内容：放大电路的组成、放大电路的技术指标（2）放大电路的稳定偏置主要内容：温度对半导体器件的影响、分压式偏置电路、电流源偏置电路（3）各种基本组态放大电路的分析与比较主要内容：共基极放大电路、共集电极放大电路、场效应管的直流偏置电路、共源极放大电路、共漏极放大电路三、组合放大电路（1）一般组合放大电路主要内容：组合放大电路的级间耦合、组合放大电路的增益、共源—-共射放大电路、共射—共基—共集放大电路（2）差动放大电路主要内容：基本差动放大电路、差动放大电路的传输特性（3）集成运放的典型电路主要内容：偏置电路及输入级、中间级及输出级电路（4）集成运放的参数及实际电路模型主要内容：集成运放的主要参数、集成运放的实际电路模型、运放电路的调零四、放大电路的频率响应（1）放大电路频率响应的有关概念主要内容：幅频响应、相频响应、波特图、上限频率、下限频率（2）单级放大电路频率响应的分析方法主要内容：单管放大电路的高频响应、单管放大电路的低频响应（3）多级放大电路的频率响应主要内容：多级放大电路的高频响应、多级放大电路的低频响应五、反馈放大电路及其稳定性分析（1）反馈的基本概念与分类主要内容：反馈的基本概念、反馈的分类与判断、反馈放大电路的方框图表示及其一般表达式（2）负反馈对放大器性能的改善主要内容：提高放大倍数的稳定性、减少非线性失真、扩展通频带、对输入电阻和输出电阻的影响（3）深度负反馈放大电路的分析计算主要内容：深度负反馈的特点、深度负反馈放大电路的计算（4）负反馈放大电路的稳定性分析及频率补偿主要内容：负反馈电路的稳定性分析、常用的频率补偿方法六、波形产生与整形电路（1）正弦波振荡电路的基本概念主要内容：正弦波振荡器的振荡条件、正弦波振荡器的组成及分类（2）正弦波振荡电路主要内容：RC文氏电桥振荡电路、LC三点式振荡电路、变压器反馈式振荡电路、石英晶体振荡电路（3）非正弦振荡电路主要内容：矩形波振荡电路、三角波振荡电路七、信号运算和处理电路（1）集成运放运算电路主要内容：比例运算电路、加减运算电路、微分与积分电路、对数与反对数电路（2）有源滤波器主要内容：滤波器的基本概念、一阶有源滤波电路、二阶有源滤波电路、状态变量滤波器（3）模拟乘法器主要内容：对数式模拟乘法器、变跨导式模拟乘法器、模拟乘法器应用（4）锁相环电路主要内容：锁相环的基本概念、锁相环的相位模型与系统分析、集成锁相环及其应用八、功率电路（1）功率放大电路主要内容：功率放大电路的特点与分类、互补对称功率放大电路、集成功率放大器（2）串联型直流稳压电路主要内容：稳压电路的主要指标、全波整流电容滤波电路、三端集成稳压器第二部分《数字电子技术基础》参考书：[1] 黄正瑾主编，计算机结构与逻辑设计（第一版），高等教育出版社，1999[2] 康华光主编，电子技术基础，数字部分（第四版），高等教育出版社，1999一、数制和码制（1）数制主要内容：十进制、R进制、二进制、二进制的优点、数制间的转换、八进制与十六进制（2）数的表示方法与格式主要内容：码的概念、二进制码与循环码、十进制数的表示方法、BCD码二、逻辑函数与门电路（1）逻辑代数的基本知识主要内容：三种基本逻辑运算、逻辑代数的基本定律、逻辑代数的基本规则、逻辑代数的常用公式（2）逻辑函数及其描述方法主要内容：逻辑表达式、逻辑图、真值表、卡诺图、标准表达式、最大项和或与表达式（3）门电路的基本知识主要内容：正逻辑与负逻辑、非门的电路模型、其它门电路、门电路的技术要求（4）逻辑函数的简化主要内容：逻辑简化的意义和标准、公式法简化、卡诺图法简化三、组合逻辑电路（1）组合逻辑电路分析主要内容：组合逻辑电路的定义与特点、组合逻辑电路的分析方法、几种常用的组合逻辑模块：编码器、译码器、加法器、数据选择器和数值比较器（2）组合逻辑电路的设计主要内容：组合逻辑电路的设计方法、组合电路的竞争冒险现象及其消除方法（3）可编程逻辑器件(PLD)主要内容：可编程逻辑器件的基本结构、PAL、GAL、FPGA和CPLD的特点及电路结构四、时序逻辑电路（1）触发器的原理和应用主要内容：基本RS触发器、J-K触发器、D触发器等的电路结构、工作原理及动态特性（2）时序逻辑电路分析主要内容：时序电路的特点、描述方法和分析方法、含中规模集成模块的时序逻辑电路的分析（3）常用时序逻辑电路模块主要内容：数据寄存器、移位寄存器、集成移位寄存器、计数器、常用集成计数器、计数器的应用、多片集成计数器构成任意模计数器五、半导体存储器主要内容：ROM、RAM等的电路结构、工作原理和扩展存储容量的方法、用ROM实现组合逻辑函数的方法六、数模与模数转换主要内容：D/A数模转换电路组成、工作原理、功能及主要参数；A/D模数转换电路组成、工作原理、特点及应用七、脉冲的产生和整形电路主要内容：施密特触发器、单稳态触发器和多谐振荡器的工作原理、主要参数的分析方法及应用；555定时器的工作原理及应用。
模电各章重点内容及总复习带试题和答案综述
《模电》第一章重点掌握内容：一、概念1、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。
2、半导体奇妙特性：热敏性、光敏性、掺杂性。
3、本征半导体：完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。
4、本征激发：环境温度变化或光照产生本征激发，形成电子和空穴，电子带负电，空穴带正电。
它们在外电场作用下均能移动而形成电流，所以称载流子。
5、P型半导体：在纯净半导体中掺入三价杂质元素，便形成P型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，空穴为多数载流子（称多子）而电子为少子。
6、N型半导体：在纯净半导体中掺入五价杂质元素，便形成N型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，电子为多子、而空穴为少子。
7、PN结具有单向导电性：P接正、N接负时（称正偏），PN结正向导通，P接负、N接正时（称反偏），PN结反向截止。
所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的，而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。
8、二极管按材料分有硅管(S i管)和锗管(G e管)，按功能分有普通管，开关管、整流管、稳压管等。
9、二极管由一个PN结组成，所以二极管也具有单向导电性：正偏时导通，呈小电阻，大电流，反偏时截止，呈大电阻，零电流。
其死区电压：S i管约0。
5V，G e管约为0。
1 V ，其死区电压：S i管约0.5V，G e管约为0.1 V 。
其导通压降：S i管约0.7V，G e管约为0.3 V 。
这两组数也是判材料的依据。
10、稳压管是工作在反向击穿状态的：①加正向电压时，相当正向导通的二极管。
（压降为0.7V，）②加反向电压时截止，相当断开。
③加反向电压并击穿（即满足U﹥U Z）时便稳压为U Z。
11、二极管主要用途：整流、限幅、继流、检波、开关、隔离（门电路）等。
二、应用举例：（判二极管是导通或截止、并求有关图中的输出电压U0。
三极管复习完第二章再判）参考答案：a、因阳极电位比阴极高，即二极管正偏导通。
是硅管。
b 、二极管反偏截止。
f 、因V的阳极电位比阴极电位高，所以二极管正偏导通，（将二极管短路）使输出电压为U0=3V 。
模拟电子技术基础-总复习最终版
其中 RP R1 // R2 // R3 // R4
另外，uN
R R Rf
uo，uN
uP
ui1 R1 ui2i1 R2 ui3i2R3
P+ + u
o
R4 i4
uo
RP 1
Rf R
ui1 R1
ui 2 R2
ui3 R3
i3
4、 电路如图所示，各引入那种组态的负反馈？设集成运放 输出电压的最大幅值为±14V，填表。
11
14
5、求解图示电路的运算关系式。
同相求和电路 电压串联负反馈
6、求解图示电路的运算关系式。
R2
R1 ui R3
_
R4
+A1+ uo1
R5
_ +A2+
uo
7、求解图示电路的运算关系式。
电压并联负反馈。 电压放大倍数为：-R2/R1。
（3）交流负反馈是指 。 A．阻容耦合放大电路中所引入的负反馈 B．只有放大交流信号时才有的负反馈 C．在交流通路中存在的负反馈
解：（1）D （2）B （3）C
4、选择合适答案填入空内。
A．电压 B．电流 C．串联 D．并联
（1）为了稳定放大电路的输出电压，应引入 负反馈；
（2）为了稳定放大电路的输出电流，应引入 负反馈；
解：将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路，图略。 各电路的交流通路如解图P2.2所示。
5.在图示电路中，已知晶体管β，rbe，RB，RC=RL，VCC。
（1）估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
（2）当考虑信号源内阻为RS时，Aus的数值。
6. 电路如图所示，晶体管的＝100，=100Ω。
模电期末复习重点讲解
VD1
VD3
~220V 50Hz
U21=15V U22=15V
VD2
VD4
U I1 C1 U I2 C2
VDZ1 UZ1 =8V
VDZ2 UZ2 =8V
R
RL1
UO1
RL2
UO2
第3章 半导体二极管
什么是半导体，本征半导体，杂质半导体 杂质半导体的导电机理； PN结的形成及其单向导电性； 半导体二极管的伏安特性； 要注意基本概念与实验的结合。
R4
R5
+VCC
R1
VT2
uO VT 1
uI R2
R3
R6
解：1） ICQ1 ICQ2 1mA
U BQ1
VCC
R2 R1 R2
2.7V
R3
U BQ1 U BE1 I CQ1
2k
2）
U BQ2
VCC
R6 R5 R6
4V
UCQ1 U BQ2 U BE2 3.3V U BQ1 2.7V
3.在如图所示电路中，已知输入电压vi为正弦波，其最大有效值 Vi=0.5,此时负载上得到最大输出功率；运算放大电路为理想运 放；三极管导通时|VBE|均为0.7V，VT3和VT4的饱和管压降 |VCES|＝2V；电路的交越失真可忽略不计。试问： 1)电路的最大输出功率；2)在输出功率最大时，输出级的效率； 3)为使输出功率达到最大，电阻R3至少应取多少千欧？
•可变电阻区 vDS≤（vGS－VT）
iD 2Kn (vGS VT ) vDS
外围电路补充完整）； 第四步：根据模型图求Av,Ri,Ro
例2：NMOS放大电路的分析计算
第一步：直流电源单独工作（交流信号为0），分析直流通路
模拟电子技术基础总复习
第四章 集成运算放大器
理想模型
第五章 频率响应
一、单极共射放大电路的频率响应； 画波特图的方法：时间常数法。 二、多级放大电路的上、下限截止频率的近似估算。
第六章 反馈
1、判断反馈类型。 2、深度负反馈放大器估算。
3、负反馈对放大器性能的影响。
4、正确引入负反馈。
第七章 信号的处理
一、理想运放工作在线性区的两个特点：虚短、虚断； 二、基本运算电路：比例、求和、加减、积分 （组成、结论、一般电 路求解方法） 三、有源滤波电路：分类及电路结构形式， 定性分析幅频特性。
四、场效应管（分类及电流控制关系）
第二章 基本放大电路
一、放大电路的组成原理及正常工作条件 二、放大电路的分析方法（工作点求解，图解法 ／微变等效电路法） 三、晶体管和场效应管基本放大电路（三种连接 方式）
第三章 多级放大电路
一、多级放大电路的求解
1、工作点求解 2、放大倍数：等于各级放大倍数之积（将后级 输入电阻作为前级的负载） 3、输入电阻：是第一级的输入电阻 4、输出电阻：是末级的输出电阻 二、差分放大电路 4种输入输出方式的分析、计算
模拟电子技术基础总复习
2003.11.
模拟电子技术知识结构
半导体器件
放大器频响
各种放大器
各种放大器的应用
单管放大器
多级放大器
功率放大器
运算放大器
信号处理
波形产生与变换
直流电源
负反馈
第一章 常用半导体器件
一、杂质半导体与PN结（P型N型等基本概念） 二、半导体二极管（单向导电性及二极管方程）
三、晶体管（PNP/NPN电流分配关系）
第十章 直流电源
一、整流、滤波电路的组成、工作原理 及主要参数计算
模电各章重点内容及总复习.docx
《模电》第一章重点掌握内容：一、概念1、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。
2、半导体器件，主要是利用半导体材料制成，如陸和铉。
3、半导体奇妙特性：热敏性、光敏性、掺朵性。
4、本征半导体：完全纯净的、结构完整的、品格状的半导体。
5、本征激发：环境温度变化或光照产生本征激发,形成电子和空穴，电子带负电，空穴带正电。
它们在外电场作用下均能移动而形成电流，所以称载流子。
6、半导体中存在两种载流子：自由电了和空穴。
7、P型半导体：在纯净半导体中掺入二价杂质元素,便形成P型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，空穴为多数载流了（称多了）而自由电了为少了。
8、N型半导体：在纯净半导体屮掺入五价杂质元素，便形成N型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，电子为多子、而空穴为少子。
9、PN结具有单向导电性:P接正、N接负时（称正偏），PN结正向导通,P接负、N接正时（称反偏），PN结反向截止。
所以正向电流主要曲多了的扩散运动形成的，而反向电流主要由仝子的漂移运动形成的。
10、二极管按材料分有硅管佝管）和猪管G管）,按功能分有普通管，开关管、整流管、稳压管等。
11、二极管曲一个PN结组成，所以二极管也具有单向导电性:正偏时导通，呈小电阻，大电流，反偏时截止，呈大电阻，零电流。
P6,图125二极管的伏安特性。
P7, （121式）二极管方程其死区电压：Si管约0.5V, G。
管约为0.1 V。
其导通压降：&管约0.7V, G管约为0.2 V o这两组数也是判材料的依据。
10、稳压管是工作在反向击穿状态的:①加正向电压时，相当正向导通的二极管。
（压降为0.7V,）②加反向电压时截止，相当断开。
③加反向电压并击穿（即满足U >Uz）时便稳压为Uz。
11、二极管主要用途：整流、限幅、继流、检波、开关、隔离（门电路）等。
12、三极管由两个PN结组成。
从结构看有三个区、两个结、三个极。
（参考PG 三个区：发射区——掺朵浓度很高，其作用是向基区发射电子。
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（完整版）模电总结复习资料第⼀章半导体⼆极管⼀.半导体的基础知识1.半导体---导电能⼒介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流⼦----带有正、负电荷的可移动的空⽳和电⼦统称为载流⼦。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺⼊微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺⼊微量的三价元素（多⼦是空⽳，少⼦是电⼦）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺⼊微量的五价元素（多⼦是电⼦，少⼦是空⽳）。
6. 杂质半导体的特性*载流⼦的浓度---多⼦浓度决定于杂质浓度，少⼦浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体⾃⾝的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，⼀种杂质半导体可以改型为另外⼀种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截⽌。
8. PN结的伏安特性⼆. 半导体⼆极管*单向导电性------正向导通，反向截⽌。
*⼆极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析⽅法------将⼆极管断开，分析⼆极管两端电位的⾼低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，⼆极管导通(短路);若 V阳1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态⼯作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题⼿段----将⼆极管断开，分析⼆极管两端电位的⾼低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，⼆极管导通(短路);若 V阳*三种模型微变等效电路法三. 稳压⼆极管及其稳压电路*稳压⼆极管的特性---正常⼯作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压⼆极管在电路中要反向连接。
第⼆章三极管及其基本放⼤电路⼀. 三极管的结构、类型及特点1.类型---分为NPN和PNP两种。
东南大学模电总复习
第五章 场效应管放大电路
5.5 各种放大器件电路性能比较
理解P240表5.5.2； BJT电路：熟练掌握p148表4.5.1；
FET电路：熟练掌握P221表5.2.1；
第六章 模拟集成电路
6.1 模拟集成电路中的直流偏置技术
理解镜像电流源的结构和工作原理； 理解微电流源的结构和工作原理；
了解组合电流源的结构；
第四章
4.3 放大电路的分析方法
以基本共发射极放大电路为例，掌握静态工作点的图解分析方 法和动态工作情况的图解分析方法； 理解静态工作点对波形失真的影响，饱和失真和截止失真； 熟练掌握BJT的H参数小信号等效模型； 熟练掌握小信号模型分析法：根据直流通路计算静态工作点， 根据交流通路画小信号等效电路，计算放大电路的电压增益、 输入电阻、输出电阻等； 4.4 放大电路静态工作点的稳定问题 了解温度对静态工作点的影响；
第七章 反馈放大电路
7.1 反馈的基本概念和分类
掌握反馈的概念和框图，输入信号、反馈信号、净输入信输出 信号； 掌握正反馈、负反馈、电压反馈、电流反馈、串联反馈、并联 反馈的概念； 熟练掌握反馈类型的判断； 7.2 负反馈放大电路的四种组态
熟练掌握电压串联负反馈、电压并联负反馈、电流串联负反馈、 电流并联负反馈的特点和作用；
理解三端集成稳压器的基本原理和应用；
理解可调式三端集成稳压器的基本原理和应用；
Байду номын сангаас
第六章 模拟集成电路
6.2 差分放大电路（续）
理解带有源负载的差分放大电路的结构和工作原理； 理解CMOS差分放大电路的结构和工作原理； 6.3 差分放大电路的传输特性 了解差分放大电路传输特性曲线； 6.4 集成电路运算放大器 理解741集成运算放大器工作原理； 6.5 实际集成运放的主要参数和对应用电路的影响 理解集成运放的主要参数，例如输入失调电压、输入偏置电流、 输入失调电流、开环增益、带宽、单位增益带宽、输入电阻、 输出电阻、共模抑制比等； 了解运放的调零；
模拟电子技术期末考试复习资料
《模拟电子技术》课程综合复习资料一、判断题1.P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。
答案：错2.阻容耦合放大电路只能放大交流信号，不能放大直流信号。
答案：对3.同相求和电路跟同相比例电路一样，各输入信号的电流几乎等于零。
答案：错4.差动放大电路可以放大共模信号，抑制差模信号。
答案：错5.共集电极放大电路放大动态信号时输入信号与输出信号相位相反。
答案：错一、单选题1．测得某电路板上晶体三极管3个电极对地的直流电位分别为UE =3V，UB=3.7V，UC=3.3V，则该管工作在（）。
A．放大区B．饱和区C．截止区D．击穿区答案：B2.放大器的增益是随着输入信号频率的改变而改变的，当输入信号的频率为Hf时，放大器增益的幅值将（）。
A．降为1B．降为中频时的1/2倍C．降为中频时的1/D．降为中频时的倍答案：C3.三级放大电路中Av1=Av2=10dB，Av3=15dB，则总的电压增益为（）dB。
A．35C．45D．60答案：A4.某三极管各个电极的对地电位如图所示，可判断其工作状态是（）。
A．放大B．饱和C．截止D．已损坏答案：D5.二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电压Vo为（）。
（设二极管的导通压降为0.7V）A．-5VB．-4.3VC．-5.7VD．-10V答案：C6.测得图示放大电路中晶体管各电极的直流电位如图所示，由此可知该管为（）。
A．Ge，PNP管B．Ge，NPN管C．Si，PNP管D．Si，NPN管答案：B7.在单级放大电路中，若输入电压为正弦波形，用示波器观察vo和vi的波形，当放大电路为共集电极放大电路时，则vo和vi的相位（）。
A．同相B．反相C．相差90D．不定答案：A8.在单级放大电路中，若输入电压为正弦波形，用示波器观察vo和vi的波形，当放大电路为共发射放大电路时，则vo和vi的相位（）。
A．同相B．反相C．相差90D．不定答案：B9.理想运放的开环差模增益AOd为（）。
东南大学电子电路基础总复习
5.6.1 耦合形式及零点漂移
1. 阻容耦合 2. 变压器耦合 3. 直接耦合 4. 零点漂移
2019-6-14
东南大学电子科学与工程学院
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5.6.2 组合放大电路的分析
1、静态分析
2、动态分析
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东南大学电子科学与工程学院
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5.6.3 共源－共射放大电路
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东南大学电子科学与工程学院
Ro
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CE：RC CB：RC
CS：RD CG：RD
CC：RE
//
rbe + RB // RS
CD：RS//(1/gm)
东1南大β学电子科学与工程学院
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5.5 放大电路的频率特性
5.5.1 概述 5.5.2 RC电路的频率响应 5.5.3 三极管的高频小信号模型 5.5.4 共射放大电路的频率特性
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东南大学电子科学与工程学院
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5.2.2 放大电路的动态分析
1. 图解分析法 2. 微变等效电路法 • 分析对象：Au , Ri , Ro • 分析路径：交流通路
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东南大学电子科学与工程学院
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5.3 放大电路的稳定偏置
5.3.1 温度对工作点的影响 5.3.2 射极偏置电路
电子电路基础
总复习
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课程内容
第1章 绪论 第2章 运算放大器及其线性应用 第3章 运算放大器的非线性应用 第4章 半导体器件概述 第5章 基本放大电路 第6章 负反馈放大电路 第7章 集成运算放大器 第8章 正弦波振荡电路 第9章 功率电路
模拟电子技术期末总复习
MOS电路的根本单元电路
1MOS管简化的交流小信号模型
G + Ugs
－
Id D
gmU gs
+ rds UdS
－
S
2MOS管三种组态放大器的特性比较
电路组态
共源（CS） 共漏(CD)
共栅(CG)
性能特点
电压增益AU
Uo Ui
gmRL' 1 gmRs
(RL' RD //rds // RL)
半导体器件根底
2.3 PN结反向击穿特性 〔1〕电击穿〔可逆〕 雪崩击穿－发生在掺杂浓度较低、反压较高
〔>6V〕的PN结中。 齐纳击穿－发生在掺杂浓度较高、反压不太高
〔<6V〕的PN结中。 〔2〕热击穿〔不可逆，会造成永久损坏〕
半导体器件根底
2.4 PN结电容 势垒电容CT: 扩散电容CD:
• PN结总电容Cj=CT+CD • PN结正偏时，以扩散电容为主； • PN结反偏时，以势垒电容为主。
高频段AU下降的原因：管子结电容及分布电容分流作用的影响。 •频率失真
包括幅度频率失真和相位频率失真，属线性失真
双极型电路的根本单元电路
、CB、CC三种组态放大电路的分析
〔1〕CE放大电路
电压增益：
AU U R R RRR U o i i L' ( L' C/ / L) ( 需 看 射 极 是 否 有 偏 置 电 阻 及 旁 路 电 容 ）
体管。 据交流等效电路求：AU、AI、Ri(Ri’)、
RO(Ro’)、fL、fH
双极型电路的根本单元电路
3晶体管模型 〔1〕h模型〔属低、中频模型〕 h参数等效电路
Ib +
模拟电子技术总复习
IB < 0, IC = 0 两个结反偏
三种工作状态的判断 以 NPN为 例： •判断导通还是截止：UBE > Uon 则导通 UBE < Uon 则截止
•判断饱和还是放大：
1. 电位判别法
NPN 管
UC > UB > UE
放大
2. 电流判别法
UB UC > UE 饱和
IB > IBS 则饱和
IB < IBS 则放大
id d gmugs
gm
=
ΔI ΔU
D GS
uDS =C
低频跨导，西门子S
基本共源放大电路 自给偏压电路
C1+ +
ui Rg
-
+VDD
Rd
d g
+C2 +
s
uo RL
+
Rs CS -
源极电位 VSRsID 栅极电流 IG0
负偏压 UGSRsID
iD /mA 0 uGS
根据场效应管的电流方程
iD IDSS(1UuGG S(Soff) )2
反馈的判断
➢有无反馈的判断 ➢负反馈和正反馈的判断 瞬时极性法
➢直流反馈和交流反馈的判断 ➢电压反馈和电流反馈的判断
➢串联反馈和并联反馈的判断
R2
ui R1 – +A
uo
电压并联 交直流负反馈
Rb2
C1 + ui Rb1 -
+VCC
Rc C2
T+
Re
Ce
uo -
电压串联直流负反馈
ui – +A R
X o
X f
反馈网络
A f