多晶硅生产工艺及有害因素
多晶硅化学成分
多晶硅化学成分
多晶硅是一种常见的半导体材料，其化学成分主要由硅元素组成。
硅是地壳中含量最丰富的元素之一，也是人类生活中不可或缺的重要材料。
多晶硅的制备过程中，主要通过熔炼和凝固来实现。
在熔炼过程中，将高纯度的硅石加热到高温，使其熔化成液态硅。
这一过程需要控制温度和气氛，以确保硅的纯度和质量。
熔炼完成后，将熔融硅注入特定的模具中，待冷却凝固后形成多晶硅。
多晶硅的化学成分主要由硅元素组成，其纯度要求较高。
硅元素是一种非金属元素，具有良好的半导体特性，因此多晶硅被广泛应用于半导体行业。
多晶硅晶体的结构由无数小晶粒组成，因此具有较高的电阻率和较低的导电性能。
多晶硅在半导体制造中起到重要的作用。
通过对多晶硅进行掺杂和加工，可以制造出各种各样的半导体器件，如晶体管、太阳能电池等。
这些器件在现代科技领域发挥着重要的作用，从计算机到通信设备，从太阳能发电到医疗设备，无一不离多晶硅的应用。
多晶硅的制备过程虽然简单，但其在半导体行业中的应用却是不可替代的。
人类对于多晶硅的需求不断增加，推动着多晶硅制备技术的不断创新和提高。
通过不断改进制备工艺和提高纯度，多晶硅的应用领域将不断扩大，为人类的科技发展做出更大的贡献。
多晶硅是一种重要的半导体材料，其化学成分主要由硅元素组成。
多晶硅在半导体制造中起到重要的作用，为现代科技的发展提供了重要的支持。
人类对于多晶硅的需求不断增加，推动着多晶硅制备技术的不断创新和提高。
多晶硅的应用领域将不断扩大，为人类的科技发展做出更大的贡献。
多晶硅生产工艺学
多晶硅生产工艺学绪论一、硅材料的发展概况半导体材料是电子技术的基础，早在十九世纪末，人们就发现了半导体材料，而真正实用还是从二十世纪四十年代开始的，五十年代以后锗为主，由于锗晶体管大量生产、应用，促进了半导体工业的出现，到了六十年代，硅成为主要应用的半导体材料，到七十年代随着激光、发光、微波、红外技术的发展，一些化合物半导体和混晶半导体材料：如砷化镓、硫化镉、碳化硅、镓铝砷的应用有所发展。
一些非晶态半导休和有机半导休材料（如萘、蒽、以及金属衍生物等）在一定范围内也有其半导休特性，也开始得到了应用。
半导休材料硅的生产历史是比较年青的，约30年。
美国是从1949～1951年从事半导体硅的制取研究和生产的。
几年后其产量就翻了几翻，日本、西德、捷克斯洛伐克，丹麦等国家的生产量也相当可观的。
从多晶硅产量来看，就79年来说，美国产量1620～1670吨。
日本420～440吨。
西德700～800吨。
预计到85年美国的产量将达到2700吨、日本1040吨、西德瓦克化学电子有限公司的产量将达到3000吨。
我国多晶硅生产比较分散，真正生产由58年有色金属研究院开始研究，65年投入生产。
从产量来说是由少到多，到七七年产量仅达70～80吨，预计到85年达到300吨左右。
二、硅的应用半导体材料之所以被广泛利用的原因是：耐高压、硅器件体积小，效率高，寿命长，及可靠性好等优点，为此硅材料越来越多地应用在半导体器件上。
硅的用途：1、作电子整流器和可控硅整流器，用于电气铁道机床，电解食盐，有色金属电解、各种机床的控制部分、汽车等整流设备上，用以代替直流发电机组，水银整流器等设备。
2、硅二极管，用于电气测定仪器，电子计算机装置，微波通讯装置等。
3、晶体管及集成电路，用于各种无线电装置，自动电话交换台，自动控制系统，电视摄相机的接收机，计测仪器髟来代替真空管，在各种无线电设备作为放大器和振荡器。
4、太阳能电池，以单晶硅做成的太阳能电池，可以直接将太阳能转变为电能。
多晶硅生产企业安全技术指导书
关于印发《多晶硅生产企业安全技术指导书》的通知豫安监管〔2011〕35号各省辖市安全生产监督管理局、各相关企业：现将《多晶硅生产企业安全技术指导书》印发给你们，请遵照执行。
附件：多晶硅生产企业安全技术指导书河南省安全生产监督管理局二〇一一年四月二十五日附件:多晶硅生产企业安全技术指导书1、范围本指导书规定了多晶硅生产过程产生的各类危害因素应采取的基本安全技术要求和措施，包括总图平面布局与通道、防火防爆、防雷防静电、电气安全、生产装置安全、防尘防毒、防噪声、防护用品、多晶硅作业安全和安全管理等方面内容。
适用于河南省境内用氯硅烷法生产多晶硅的生产企业。
2、基本安全要求2.1基本规定2.1.1新建、扩建、改建多晶硅生产企业（装置）应符合本指导书的规定。
暂不符合本指导书规定的现有多晶硅生产企业，应采取综合预防、治理措施，达到本指导书要求。
2.1.2新建、扩建、改建多晶硅生产企业的安全、卫生状况，安全、卫生技术措施与管理措施应符合GB 12801-2008《生产过程安全卫生要求总则》的规定；其安全设施设计专篇应符合《危险化学品建设项目安全设施设计专篇编制导则》（试行）；爆炸危险场所应当符合《爆炸危险场所安全规定》劳部发[1995]56号。
多晶硅生产企业的新建、改建、扩建工程，必须进行安全、环保和职业卫生评价，其安全、卫生、消防、环保设施，应与主体工程同时设计、同时施工、同时投入生产和使用。
用于生产、储存危险化学品的多晶硅生产企业应进行安全条件论证和委托有资质的机构进行安全评价；其建设项目应委托具有化工设计乙级以上资质的设计单位设计；应委托具有化工建设（安装）资格的单位负责施工。
2.2总图功能分区与通道2.2.1多晶硅生产企业总图布置应符合《建筑设计防火规范》（GB50016-2006）和《石油化工企业设计防火规范》（GB50160-2008）、《化工企业总图运输设计规范》（GB50489-2009）的有关规定。
多晶硅生产工艺及有害因素
Science &Technology Vision科技视界多晶硅是单质硅的一种形态,熔融的单质硅在过冷条件下凝固时,硅原子以金刚石晶格的形态排列成许多晶核,如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒,则这些晶粒结合起来形成的晶体就叫多晶硅。
多晶硅一般呈深银灰色,不透明,具有金属光泽,性脆,常温下不活泼。
0前言我国多晶硅工业起步于20世纪50年代,60年代中期实现了产业化。
多晶硅材料的生产技术长期以来掌握在美、日、德等3个国家,形成技术封锁、市场垄断的状况[1-2]。
多晶硅的需求主要来自于半导体和太阳能电池,按纯度要求不同,分为电子级和太阳能级。
大规模集成电路的要求更高,硅的纯度必须达到九个9。
目前,人们已经能制造出纯度为十二个9的单晶硅。
多晶硅是硅产品产业链中的一个非常重要的中间产品,是制造太阳能电池及高纯硅制造的主要原料,是信息产业和新能源产业最基础的原料。
随着全球信息技术的不断进步,对于半导体硅的需求量日益增加。
近年来,我国电子信息产业快速发展,特别是高科技领域对电子级多晶硅的需求量有所增加。
目前国际上多晶硅生产的主要工艺有改良西门子法、硅烷热分解法和流化床法等[3]。
1多晶硅的生产工艺1.1改良西门子法1955年,日本西门子公司成功开发了利用氢气还原三氯硅烷(Si⁃HCl 3)在硅芯法热体上沉积硅的工艺技术,并于1957年开始了工业规模的生产,这就是常说的西门子法。
在西门子法工艺的基础上,通过增加还原尾气干法回收系统、SiCl 4氢化工艺,实现了闭路循环,于是形成了改良西门子法—闭环式SiHCl 3氢还原法[4]。
改良西门子法又称闭环式三氯氢硅氢还原法,是用氯气和氢气合成氯化氢(或外购氯化氢),氯化氢和工业硅粉(粗硅)在一定温度进行下合成反应,生产三氯氢硅、四氯化硅和二氯氢硅组成的氯硅烷混合物,再进行多级分离精馏提纯得到高纯度的精制三氯氢硅,提纯精馏后的三氯氢硅在氢还原炉内进行CVD(化学气相沉淀法)反应生产高纯多晶硅[5]。
二氯二氢硅对多晶硅生产的影响
二氯二氢硅对多晶硅生产的影响二氯二氢硅（Dichlorosilane，简称DCS）对多晶硅生产具有重要影响。
多晶硅是太阳能电池的主要材料之一，其制备过程中的各种参数对最终太阳能电池的性能有着重要影响。
DCS作为一种重要的硅源气体，在多晶硅生产中的使用情况及其对产品特性的影响将在以下几个方面进行论述。
首先，DCS的纯度对多晶硅的质量有着直接的影响。
在多晶硅生产过程中，通过热还原法还原二氯二氢硅来制备多晶硅。
高纯度的DCS可以保证多晶硅的杂质含量较低，从而提高太阳能电池的光电转化效率。
因此，在多晶硅生产中，必须确保DCS的纯度达到一定标准，以保证多晶硅的质量。
其次，DCS的供应稳定性对多晶硅生产也具有重要意义。
多晶硅的生产是一个连续的过程，因此需要连续稳定的硅源气体供应。
供应不稳定或断电将导致生产中断，影响生产效率和产品质量。
此外，由于多晶硅生产厂需要进行大规模批量生产，因此在供应DCS时，供应商需要保证供应的稳定性和连续性，以满足工厂的需求。
此外，DCS的使用量和工艺条件对多晶硅生产也起到关键性的作用。
DCS的使用量应根据硅源的类型和硅源气体浓度等因素来确定。
合理控制DCS的使用量，可以提高多晶硅生产的效率和产品的质量。
此外，调整DCS在多晶硅生产中的使用工艺条件，如DCS的进气速率、进气温度、还原温度等，可以进一步优化生产工艺，提高多晶硅的纯度和结晶性，从而提高太阳能电池的性能。
最后，DCS的安全性和环保性也是多晶硅生产必须要考虑的因素。
DCS作为一种有毒有害气体，其安全使用与处理需要高度关注。
对DCS的安全操作培训和建立相应的安全管理措施是必要的。
此外，多晶硅生产过程中的排放废气和废水也需要进行处理和控制，以减少对环境的污染。
综上所述，二氯二氢硅对多晶硅生产有着重要影响。
DCS的纯度、供应稳定性、使用量和工艺条件等因素对多晶硅的质量和性能具有直接的影响。
此外，DCS的安全性和环保性也是生产中必须要考虑的因素。
(完整版)多晶硅的危害
多晶硅的危害2010/9/1 9:09:38近年，尤其是2007年以来，我国多晶硅产业有着迅猛的发展。
1000 t以上级别多晶硅生产装置陆续建成。
多晶硅的危害主要在其生产过程中有氢气、液氯、三氯氢硅等有害物质生成，生产过程中又存在火灾、爆炸、中毒、窒息、触电伤害等诸多危险因素。
多晶硅生产过程中主要危险、有害物质中氯气、氢气、三氯氢硅、氯化氢等主要危险特性有：１）氢气：与空气混合能形成爆炸性混合物，遇热或明火即会发生爆炸。
气体比空气轻，在室内使用和储存时，漏气上升滞留屋顶不易排出，遇火星会引起爆炸。
氢气与氟、氯、溴等卤素会剧烈反应。
２）氧气：易燃物、可燃物燃烧爆炸的基本要素之一，能氧化大多数活性物质。
与易燃物(如乙炔、甲烷等)形成有爆炸性的混合物。
３）氯：有刺激性气味，能与许多化学品发生爆炸或生成爆炸性物质。
几乎对金属和非金属都起腐蚀作用。
属高毒类。
是一种强烈的刺激性气体。
４）氯化氢：无水氯化氢无腐蚀性，但遇水时有强腐蚀性。
能与一些活性金属粉末发生反应，放出氢气。
遇氰化物能产生剧毒的氰化氢气体。
５）三氯氢硅：遇明火强烈燃烧。
受高热分解产生有毒的氯化物气体。
与氧化剂发生反应，有燃烧危险。
极易挥发，在空气中发烟，遇水或水蒸气能产生热和有毒的腐蚀性烟雾。
燃烧(分解)产物:氯化氢、氧化硅。
６）四氯化硅：受热或遇水分解放热，放出有毒的腐蚀性烟气。
７）氢氟酸：腐蚀性极强。
遇H发泡剂立即燃烧。
能与普通金属发生反应,放出氢气而与空气形成爆炸性混合物。
８）硝酸：具有强氧化性。
与易燃物(如苯)和有机物(如糖、纤维素等)接触会发生剧烈反应，甚至引起燃烧。
与碱金属能发生剧烈反应。
具有强腐蚀性。
９）氮气：若遇高热，容器内压增大。
有开裂和爆炸的危险。
１０）氟化氢：腐蚀性极强。
若遇高热，容器内压增大，有开裂和爆炸的危险。
１１）氢氧化钠：本品不燃,具强腐蚀性、强刺激性，可致人体灼伤。
火灾、爆炸、中毒是多晶硅项目在生产中的主要危险、有害因素，另外，还存在触电、机械伤害、腐蚀、粉尘等危险、有害因素。
毕业设计(论文)多晶硅铸锭中的杂质分布及其影响因素
多晶硅铸锭中的杂质分布及其影响因素摘要近年来，太阳电池发电受到了人们的日益重视。
硅是当前用来制造太阳能电池的主要材料，由于低成本、低耗能和少污染的优势，目前铸造多晶硅已经成功取代直拉单晶硅而成为最主要的太阳能电池材料。
深入地研究材料中的杂质分布利于生产出高成品率的铸造多晶硅锭，降低铸造多晶硅太阳能电池的制造成本，同时也是制备高效率铸造多晶硅太阳能电池的前提。
本文对多晶硅中的杂质及其分布作了深入的研究。
多晶硅中出现的杂质是影响其太阳能电池转换效率的重要因素之一。
本文利用微波光电导衰减仪(μ—PCD)，，以及扫描电镜等测试手段，对铸造多晶硅中的杂质及分布情况以及少子寿命的分布特征进行了系统的研究。
主要包括以下三个方面：氧、铁、碳在铸造多晶硅中的分布规律；铸造多晶硅所测区域内杂质的种类及分布情况；铸造多晶硅中杂质浓度的分布与材料少子寿命的关系。
采用μ—PCD测得了沿硅锭生长方向(从底部至顶部)的少寿命分布图。
结果显示距离硅锭底部3-4 cm，以及顶部3 cm的范围内存在一个少子寿命值过低的区域，而硅锭中间区域少子寿命值较高且分布均匀。
进一步通过理论分析得出多晶硅杂质分布的情况以及杂质的来源和影响杂质分布的因素。
关键词：多晶硅，碳，氧，金属Polysilicon ingots in the distribution and determinantsof impuritiesABSTRACTIn recent years, it was becoming more end more important to utilize solar energythrough solar cells．Because low-cost, low energy consumption and less pollution of the advantages of polysilicon has been successfully replaced by the current cast Czochralski silicon solar cells become the main material. In-depth study of the distribution of impurities in materials help to produce high yields of casting sil icon ingots, cast polycrystalline silicon solar cells reduce manufacturing costs, but also highly efficient preparation of cast polycrystalline silicon solar cells premise.In this paper, and distribution of impurities in silicon in depth study. Polysilicon impurities appear to influence the solar cell conversion efficiency of one of the important factors. By using microwave photoconductivity decay meter (μ-PCD),, and scanning electron microscope test means of casting silicon impurities and minority carrier lifetime distribution and the distribution of characteristics of the system. Include the following three aspects: oxygen, iron, carbon in the casting of the Distribution of polysilicon; cast polycrystalline silicon measured in the region and the distribu tion of the types of impurities; cast pol ycrystalline silicon in the impurity concentration distribution of minority carrier lifetime relationship with the material. Won by μ-PCD measurements along the ingot growth direction (from bottom to top) less life distribution. The results showed that the bottom of silicon ingots from 3-4 cm, and 3 cm at the top of therange of memory in the minority carrier lifetime value of a low area, while the middle region of silicon ingots and high minority carrier lifetime value distribution. Further obtained by theoretical analysis as well as the distribution of polysilicon impurity impurity impurity distribution of the sources and effects of the factorsKEY WORDS: polycrystalline silicon,carbon, oxygen, metals目录第一章绪论 (1)§1.1 引言 (1)§1.2 太阳能利用开发的发展趋势 (2)§1.3 铸造多晶硅的生产工艺 (2)§1.3.1 铸锭浇注法 (3)§1.3.2 定向凝固法 (3)§1.3.3 电磁感应加热连续铸造( EMCP) (4)§1.4 铸造多晶硅中主要杂质及影响 (6)§1.4.1 硅中的氧 (6)§1.4.2 硅中的碳 (8)§1.4.3 硅中的过渡金属 (9)§1.5 检测杂质的主要指标 (10)§1.5.1 少子寿命 (10)§1.6 本文研究的目的及主要内容 (10)第二章实验过程 (12)§2.1 样品制备 (12)§2.1.1 实验锭的原料组成 (12)§2.1.2 实验用坩埚及涂层 (12)§2.1.3 铸锭的运行 (12)§2.1.4 多晶铸锭的剖方及取样 (12)§2.2 样品检测 (13)§2.2.1 杂质种类及含量的检测 (13)§2.2.2 少子寿命的检测所用仪器μ—PCD (14)第三章样品检测结果及分析 (15)§3.1样品检测结果及分析 (15)§3.2 分布情况及影响因素 (16)结论 (19)参考文献 (20)致谢 (22)第一章绪论§1.1 引言随着人类社会的高速发展，环境恶化与能源短缺己成为全世界最为突出的问题。
多晶硅厂职业病危害预评价
工业卫生课程设计说明书题目多晶硅厂职业病危害预评价学院班级姓名学号指导老师2012.1.5目录前言 (1)1总论 (1)1.1评价目的 (1)1.2评价依据 (1)1.2.1 法律法规 (1)1.2.2 技术规范 (2)1.2.3 相关规划文件 (3)1.3基本原则 (3)1.4评价范围 (3)1.5评价内容 (3)1.6评价方法 (4)1.6.1工程分析法 (4)1.6.2经验法 (4)1.6.3检查表法 (4)1.6.4综合分析法 (4)1.7评价程序 (4)1.7.1准备阶段 (5)1.7.2实施阶段 (5)1.7.3报告编制与评审阶段 (5)2设项目工程分析 (6)2.1建设项目自然环境概况 (6)2.2社会环境概况 (7)2.3劳动定员及工作制度 (7)2.4厂址选择 (8)2.5总平面布置 (8)2.6生产工艺流程 (9)2.6.1生产工艺流程图 (9)2.6.2 主要工艺 (10)2.6.3辅助工程生产工艺 (12)2.7原辅材料理化性质 (13)3职业病危害因素的识别和分析 (14)3.1职业病危害因素识别 (14)3.1.1评价单元的划分 (15)3.1.2各个场所的职业病危害因素识别 (15)3.2职业病危害因素对人体健康的影响 (16)3.2.1粉尘的危害 (16)3.2.2生产性噪声的危害 (17)3.2.3高温和热辐射的危害 (18)3.2.4三氯氢硅的危害 (18)3.2.5高频电磁场的危害 (19)3.3 职业病危害因素分析 (19)3.3.1中毒 (19)3.3.2化学腐蚀 (19)3.3.3化学灼伤 (19)3.3.4 高温烫伤 (20)3.3.5低温冻伤 (20)3.3.6噪声危害 (20)3.3.7粉尘危害 (20)4 职业病危害防护措施分析 (21)4.1职业病防护设施分析 (21)4.1.1防尘、毒设施设置及分析 (21)4.1.2防噪声设施设置及分析 (21)4.2个人使用的职业病防护用品 (22)4.3应急救援 (22)4.4职业卫生管理 (22)5 职业病危害评价 (23)5.1选址 (23)5.2 总体布局 (24)5.3 建筑卫生学 (26)5.4 生产工艺及设备布局 (26)5.5 职业病危害因素 (27)5.6职业病危害防护设施 (27)5.7个人使用的职业病防护用品 (27)5.8职业卫生管理 (28)5.9应急救援 (28)5.10职业卫生专项投资 (28)第六章预评价结论与建议 (28)6.1职业病危害综合评价结果 (28)6.2控制职业病危害的补充措施 (29)6.3建议 (29)前言《中华人民共和国职业病防治法》规定新建、扩建、改建建设项目和技术改造、技术引进项目可能产生职业病危害的建设单位在可行性论证阶段应向卫生行政部门提交职业病危害预评价报告。
多晶硅
目录摘要 (4)英文摘要 (4)第一章概述 (5)1.多晶硅的概念 (5)2. 国内多晶硅产业概况及未来发展 (5)第二章多晶硅的生产工艺 (7)2.1改良西门子法的简介 (7)2.2三氯氢硅氢还原反应基本工艺流程 (7)2.3生产多晶硅主要原料 (9)2.3.1 三氯氢硅的性质 (9)2.3.2 氢气的性质 (11)2.4 (12)第三章 SiHCI3氢还原反应 (12)3.1 多晶硅反应原理 (12)3．2 SiHCI3氢还原反应的影响因素 (13)3．2．1氢还原反应沉积温度 (13)3．2．2 混合气配比 (14)3．2．3 反应气体流量 (15)3．2．4 还原反应时间 (16)3．2．5硅表面积 (16)3．2．6硅棒电流电压的关系 (17)3.3 还原炉结构示意图 (17)3.4还原炉生产过程物料衡算 (18)3.4.1三氯氢硅的流量及流速 (18)3.4.2氢气的流量及流速 (19)3.4.3混合气体的流量及流速 (19)第四章多晶硅的质量标准 (19)4．1硅棒质量问题及原因 (19)4.2 多晶硅的用途 (20)第五章致谢 (21)参考文献 (22)摘要多晶硅是单质硅的一种形态。
通过化学或者物理方法使硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。
还原是将经提纯和净化的三氯氢硅与氢气混合通入还原炉中，在1080℃～1150℃下将还原出来的多晶硅沉积的发热体的硅芯上。
从而得到纯度很高的单质硅。
而在生产多晶硅的过程中涉及很多的变量因素，都能影响到多晶硅产品的质量和纯度问题，本篇论文主讲在多晶硅的还原生产过程中，如何控制温度，及为获得一定的收率，如何控制流量配比等主要的影响因素，从而能够在生产过程中更好的提高产品的纯度。
关键词：多晶硅，三氯氢硅，氢气，还原炉AbstractPolycrystalline silicon is a new shape. Through chemical or physical method makes silicon atom to diamond arranged into many nuclei lattice form, such as these grow nuclei of different grain, orb orientation is the grain combine, is crystallization into polycrystalline silicon.Reduction is the purification and purification by silicon and hydrogen trichloramine hydrogen mixed ventilation with reduction furnace, in 1080 ℃ ~ 1,150 ℃ next will restore out of the heating element of polycrystalline silicon deposition on silicone core. Thus the elemental silicon high purity was obtained.And in the process of production of polysilicon involves many variables, can affect the quality of the product and purity polysilicon, this paper speaker of reduction in polysilicon production process, how to control temperature, and for access to certain yield, how to control the flow of the main factors affecting the ratio of, so it can be in the process of production of improving the product purity is better.Keywords: polysilicon, trimethoxysilane, hydrogen, hydrogen silicone reduction furnace第一章概述1.多晶硅的概念多晶硅是元素的硅的单质，是一种半导体，具有金刚石的结构，呈银灰色金属光泽，性脆易碎。
多晶硅生产工艺及有害因素
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多晶硅生产设备安装前清洗
多晶硅生产设备安装前清洗一、多晶硅项目设备清洗的目的、意义多晶硅生产对环境及设备的清洁要求十分高。
生产工艺过程比较复杂。
尤其是塔器设备，对产品的质量影响极为重要。
为了保证一次性开车投产顺利，保证产品质量，在设备的安装过程中，对设备及管线等重要设备的清洗工作需要十分严谨。
在清洗过程中，使每个环节质量都达到标准，避免开车质量事故的发生，最大限度地降低调试费用。
针对不同的工艺要求、不同的设备材质以及不同的设备类型，清洗处理要求和达到的基本标准（要求达到无油、无水与无尘的三无要求）也不同。
同时符合《脱脂工程施工及验收规范》和《工业设备化学清洗质量标准》。
根据项目公司和十一设计院的具体要求本项目的清洗可分为一般清洗和洁净清洗。
多晶硅设备的清洗主要工艺为酸洗、脱脂、钝化、干燥等，其中最关键是脱脂工艺和干燥技术。
油脂和水对多晶硅的产品有巨大影响。
因此在多晶硅设备的清洗中，以脱脂工艺和干燥工艺为要点。
主要清洗还原炉、氢化炉、CDI设备；合成车间、还原氢化车间、精馏系统、中间罐、管道等主要设备。
并且为了保证脱脂和干燥的质量，多晶硅设备清洗需要对单台设备进行单台清洗并验收后，再进行安装。
二、污垢主要对多晶硅影响因素1、油脂：在多晶硅生产过程中，油分子对多晶硅的危害十分严重。
实际证明，整个工艺系统几ppm的油含量就可能造成多晶硅质量严重降低，甚至会造成系统污染累积。
因此，多晶硅设备的脱脂工艺尤为重要。
2、水分：水中含有大量的氯离子，氯离子对多晶硅制造工艺十分敏感。
设备及系统干燥工艺很关键。
3、氯离子残留：水和其他溶液在设备表面残留的氯离子对多晶硅系统设备影响巨大。
因此，在清洗后对设备进行纯水冲洗工艺十分重要。
4、氧化物、灰尘其他杂质：其他污垢的存在，对多晶硅的生产影响也很大。
因此，在设备清洗过程中，采用酸洗工艺对其他污垢进行清洗十分必要。
三、国内大、中型化工生产装臵清洗现状国外对设备、管道的清洗十分重视，有专门从事清洗的研究机构。
多晶硅生产过程中的危险、有害因素
多晶硅生产过程中的危险、有害因素1 火灾火灾发生必须具备助燃物质、可燃物质、引燃（爆）能量三个条件。
当氢气或氢气与氯硅烷混合气或三氯氢硅（二氯二氢硅、一氯三氢硅）泄漏时，遇明火、静电或其他能量引燃容易引起火灾；氢气或氢气与氯硅烷混合气或三氯氢硅（二氯二氢硅、一氯三氢硅）容器管道破裂时遇明火、静电或其他能量引燃容易发生火灾。
1.1 可燃物质a）氢气、三氯氢硅、二氯二氢硅、一氯三氢硅、导热油；b）生产过程中在某些生产装置内形成的未彻底水解的浅黄色干燥团状或块状物质，这些物质具有较强的燃烧性，往往在脚踩的情况下即可发生燃烧；c）活性炭、超细硅粉等（包括还原过程中产生的超细无定型硅）。
1.2 引燃能量a）明火或高温物体表面：氢气电加热器、还原炉运行状态、作业场所内部或外部带入的烟火、照明灯具灼热表面，设备、管道、电器表面的过高温度、气焊和切割明火、机动车排气管喷火星、烟囱飞火花等；b）摩擦冲击：机械轴承发热，钢铁工具、铁桶和容器与地面相互碰撞或与地坪撞击、拖拉，带钉鞋与地坪撞击等；c）电器火花：电路开启与切断、短路、过载，线路电位差引起的熔融金属，保险丝熔断、外露的灼热丝等，击穿产生的拉弧等；d）静电放电：氯硅烷设备、容器、管道静电积累或容器、管道破裂、人体静电、气体流速过快、使用塑料管产生静电等；e）雷电；f）化学能：自燃（二氯二氢硅、一氯三氢硅），物质混合剧烈放热反应（三氯氢硅、二氯二氢硅），一氯三氢硅水解放热自燃等；g）日光聚焦。
1.3 增加燃烧危险的因素a）密闭空间富氧状态；b）火灾时持续通风；c）盛装易燃易爆液体的压力容器、管道破裂与容器倾覆后的流淌和扩散；d）比空气重的氯硅烷蒸气积聚；e）气温高。
2 爆炸a）密闭空间及通风不良处所，易燃气体及粉尘积聚达到爆炸极限，遇到火源瞬间燃烧爆炸；b）氢气、氯硅烷或二者混合气大量泄漏，遇到火源瞬间燃烧爆炸；c）二氯二氢硅泄漏后，遇空气中的水分，即会发生局部放热反应而发生爆炸；d）还原炉开炉误操作，导致在有氢气或氢气与氯硅烷化合物与空气共存时，通电形成爆炸；e）氯化氢合成点火程序错误，形成氢气与氯气混合后光照反应，导致爆炸等；f）容器或管道因超压或超温发生的爆炸。
多晶硅风险辨识与评价范文（二篇）
多晶硅风险辨识与评价范文一、背景介绍多晶硅是一种重要的材料，广泛应用于太阳能电池、集成电路和光纤等领域。
然而，多晶硅生产中存在一定的风险，需要进行辨识与评价，以便制定有效的风险管理措施。
二、风险辨识1. 原材料供应风险多晶硅的生产需要大量的硅矿石作为原材料，而硅矿石的供应受到地质、政治和经济等因素的影响，存在一定的风险。
2. 生产工艺风险多晶硅的生产过程中，存在高温高压、腐蚀等危险因素，如果工艺控制不当，可能导致事故发生，造成损失。
3. 电力供应风险多晶硅生产需要大量的电力支持，电力供应不稳定或中断将对生产造成严重影响。
4. 环境污染风险多晶硅生产中会产生一定的废气、废水和废渣，如果排放不当，会对环境造成污染和破坏。
5. 市场需求风险多晶硅市场需求受各种因素的影响，如经济形势、技术发展等，需求不稳定将对企业的生产和销售带来风险。
三、风险评价1. 原材料供应风险评价通过与供应商建立稳定的合作关系，多渠道采购原材料，并建立备用供应商，以应对原材料供应不稳定的风险。
2. 生产工艺风险评价建立完善的生产工艺流程和标准操作规程，加强员工培训和安全意识教育，定期进行设备检查和维护，及时修复设备故障，降低事故发生的概率。
3. 电力供应风险评价与当地电力公司签订稳定供电合同，适时备用发电设备，建立应急电源系统，提高电力供应的可靠性和稳定性。
4. 环境污染风险评价建立环境管理体系，严格遵守环保法规和标准，加强废气、废水和废渣的处理和净化，减少对环境的污染。
5. 市场需求风险评价密切关注市场动态，进行市场调研和预测，与客户保持紧密的合作关系，及时调整产品结构和生产规模，以适应市场需求的变化。
四、风险管理措施1. 建立风险管理体系制定风险管理制度和流程，明确风险管理的职责和权限，建立健全的风险管理档案和数据库。
2. 加强员工培训和安全教育定期组织员工参加培训和教育，提高员工的风险意识和应对能力，确保员工的安全和生产的安全。
多晶硅的危害
多晶硅的危害Final revision by standardization team on December 10, 2020.多晶硅的危害2010/9/1 9:09:38近年，尤其是2007年以来，我国多晶硅产业有着迅猛的发展。
1000 t以上级别多晶硅生产装置陆续建成。
多晶硅的危害主要在其生产过程中有氢气、液氯、三氯氢硅等有害物质生成，生产过程中又存在火灾、爆炸、中毒、窒息、触电伤害等诸多危险因素。
多晶硅生产过程中主要危险、有害物质中氯气、氢气、三氯氢硅、氯化氢等主要危险特性有：１）氢气：与空气混合能形成爆炸性混合物，遇热或明火即会发生爆炸。
气体比空气轻，在室内使用和储存时，漏气上升滞留屋顶不易排出，遇火星会引起爆炸。
氢气与氟、氯、溴等卤素会剧烈反应。
２）氧气：易燃物、可燃物燃烧爆炸的基本要素之一，能氧化大多数活性物质。
与易燃物(如乙炔、甲烷等)形成有爆炸性的混合物。
３）氯：有刺激性气味，能与许多化学品发生爆炸或生成爆炸性物质。
几乎对和非金属都起腐蚀作用。
属高毒类。
是一种强烈的刺激性气体。
４）氯化氢：无水氯化氢无腐蚀性，但遇水时有强腐蚀性。
能与一些活性金属粉末发生反应，放出氢气。
遇氰化物能产生剧毒的氰化氢气体。
５）三氯氢硅：遇明火强烈燃烧。
受高热分解产生有毒的氯化物气体。
与氧化剂发生反应，有燃烧危险。
极易挥发，在空气中发烟，遇水或水蒸气能产生热和有毒的腐蚀性烟雾。
燃烧(分解)产物:氯化氢、氧化硅。
６）四氯化硅：受热或遇水分解放热，放出有毒的腐蚀性烟气。
７）氢氟酸：腐蚀性极强。
遇H 发泡剂立即燃烧。
能与普通金属发生反应,放出氢气而与空气形成爆炸性混合物。
８）硝酸：具有强氧化性。
与易燃物(如苯)和有机物(如糖、纤维素等)接触会发生剧烈反应，甚至引起燃烧。
与碱金属能发生剧烈反应。
具有强腐蚀性。
９）氮气：若遇高热，容器内压增大。
有开裂和爆炸的危险。
１０）氟化氢：腐蚀性极强。
若遇高热，容器内压增大，有开裂和爆炸的危险。
多晶硅制作工安全操作规程
多晶硅制作工安全操作规程多晶硅是半导体材料的重要组成部分，广泛应用于电子行业。
但是，其制作过程涉及高温、高压等危险因素，需要严格遵守安全操作规程，保障生产人员的安全和健康。
以下是多晶硅制作工安全操作规程：一、安全防护设施(1) 工作区域应设置明显的安全警示标志，注意安全防护，工作服应穿阻燃、防静电等符合安全标准的服装。
(2) 工作现场应配备眼镜、手套、安全帽等个人防护装备，并做好通风措施，确保室内空气流通。
(3) 有害物质排放要排除到室外，并按规定进行处理。
二、操作规程(1) 操作前应将多晶硅生产流程、操作规程、应急预案等熟读于心。
(2) 仔细检查设备，确保其正常运转，并按照操作规程进行操作。
(3) 压力场和高温设备工作时，应保持适当的距离并且不要直接接触。
(4) 严禁用手直接触摸高温设备或物品，使用特殊工具进行操作。
(5) 操作过程中发生事故、故障等突发情况时，应立即停止操作，采取应急措施，确保人员安全。
三、应急措施(1) 在发现火灾时，应停止加热并关闭电源，同时通知应急人员进行灭火。
严禁使用水灭火。
(2) 在出现毒气泄漏时，应立即停止操作并将污染区域隔离，打开通风设施，及时向有关人员报告。
(3) 在发生电气事故时，应立即关闭电源，切勿用湿手或金属工具接触断路器、保险丝等设备。
四、操作人员要求(1) 操作人员必须经过专业技术培训和身体健康检查，并持证上岗。
(2) 在操作过程中，应认真地观察、听取设备声音，时刻关注运行情况。
(3) 操作人员要求认真履行本操作规程，并能够熟练处理运行问题，提高应急反应能力。
通过以上多晶硅制作工安全操作规程，应采取一系列行之有效的措施，确保操作人员能够在安全的环境下进行操作，以保证生产效益的稳健增长，同时也保障操作人员的生命安全。
简析影响电子级多晶硅质量的相关因素
简析影响电子级多晶硅质量的相关因素摘要：由于社会经济的持续发展，我国在电子级多晶硅工艺技术方面同样获得了高效发展，其工艺技术不断成熟。
保障电子级多晶硅产品的质量能够有效强化市场竞争力，是各企业极为重视的一项问题。
文章针对目前影响电子级多晶硅质量的一些因素开展了具体分析，使其能为电子级多晶硅生产提供有效的参考。
关键词：电子级多晶硅；质量；影响因素引言：新世纪的带来促进了我国电子级多晶硅的持续发展，其技术构成不仅包含了我国自主研发的技术，并且对其他国家优秀的技术进行了引进，使多晶硅行业获得良好的发展，促进多晶硅企业生产能力与生产技术不断提高。
1电子级多晶硅概述1.1简单介绍多晶硅材料主要是将工业硅作为原料，再通过各种物理与化学反应进行提纯，以此来获得一定纯度的电子材料。
其在硅产品产业链中具有极为重要的地位，并且能够作为原料帮助硅抛光片、高纯硅制品、太阳能电池等进行制造，在信息与新能源产业中属于最基本的原材料[1]。
1.2发展现状根据硅业分会的有关统计，全球多晶硅产量在2013年上半年为10万吨，同比下降超过10%。
在此其中，太阳能级多晶硅产量超过8.5万吨，电子级多晶硅产量低于1.5万吨。
并且，我国总产量为28万吨，而国外产量为7.2万吨，即使现如在市场中，多晶硅的价格与生产成本相比偏低，但国外重要的多晶硅生产企业的开工率仍然很高，高达80%~90%。
上半年，韩国OCI、美国Hemlock与REC集团、德国Wacker这几家公司，其总产量大于6万吨。
如果加入我国中能，则国际前五家的生产总量在8.5万吨左右，占据了全球的80%。
根据国际多晶硅产业生产的状况能够得出，现如今多晶硅市场供不应求，国外厂商低价倾销中国市场，造成我国多晶硅生产量持续下降，使得企业陷入困境。
2影响电子级多晶硅质量的相关因素当前，青海黄河水电公司新能源分公司采取改良西门子法生产多晶硅，而对多晶硅产生影响的主要因素主要包含了原料、炉内件和炉芯的纯度；公用工程影响、工艺运行稳定性等几方面，以下对其开展了具体分析。
多晶硅生产中的分析检测(学员版)
多晶硅生产中的分析检测第一部分化学分析部分第一节光谱定量分析基础一、基本原理光谱定量分析目前大约有三种方法。
即目视法、摄谱法和光电直读法。
目视法主要应用于作定性和半定量分析，用途很广。
因为具有分析速度快、结果可靠等优点。
光电直读法将在后面简单介绍。
这里主要介绍摄谱法定量分析。
光谱定量分析主要是根据被测试样中的浓度的相互关系，可用经验公式表示：I=aC b（1）式中a及b是常数，与实验条件有关。
这个公式称为罗马金公式。
是光谱定量分析的基本公式，对上式取对数得：logI=blogC+loga （2）以logI对logC作图所得曲线在一定的浓度范围内为一直线。
如图3-22所示：ⅠlogI=logC+loga （b=1）ⅡlogI=blogC+loga （b<1）系数b决定曲线的斜率，当b=1时，曲线与横坐标（logC）的夹角为45°。
常数a则决定曲线在纵坐标上的位置。
曲线表明，在元素浓度较小的情况下（曲线的直线部分OA），可认为b是常数，且b=1。
随着浓度的增大，强度的增加将逐渐趋于缓慢，浓度达到一定高度，曲线（AB部分）变成弯曲，这时则认为b不是常数，且b<1。
常数a，因受到试样基体元素的组成、放电间隙的气氛、放电条件、物质由固态到气态的“转化”过程，弧焰的激发温度等因素的影响，问题是十分复杂的。
公式（2）表示了光谱定量分析的基本概念：就是试样中元素的浓度（含量）不同，则谱线强度也不同。
并且由乳剂特性曲线可知，谱线的强度不同，在感板上所得到的谱线的黑度也不同。
根据谱线的强度或黑度，就可以求得样品中元素的含量。
二、内标法在实际分析中，很少根据测量谱线的绝对强度作定量分析。
因为蒸发、激发过程和曝光等条件不可能严格不变，稍有变化，就会影响谱线强度，从而不能获得准确的分析结果。
所以，一般都测量谱线的相对强度，即在被分析的元素谱线中，选一根谱线称为分析线（或称杂质线），在基体元素（或定量加入某元素）中，选一根谱线称为内标线，（或称比较线），这一线对称为分析线对。
多晶硅行业安全规程及危险物料特性
第一章安全规程1、多晶硅生产特点：①易燃易爆②有毒有害，强腐蚀性③高温高压④生产过程连续性强，工艺简单，自动化程度高⑤供电电压高，面广2、我国的安全方针：安全第一、预防为主、综合治理3、搞好安全生产坚持的思想原则：“安全第一预防为主”思想和“管生产必需管安全”原则4、“四全”安全监视原则：全员、全过程、全天候、全方位5、安全生产的根本任务：①生产过程中保护职工的安全和安康，防止工伤事故和职业性危害；②生产过程中防止其他各类事故的发生，确保生产安全，保护国家财产不受损失。
6、安全生产治理的任务是：①推测人类活动中各个领域存在的危害，进一步实行措施，使人类在生产活动中不受到损害；②制定各种规程、规定和消退危害因素所实行的各种方法、措施；③告知人们去生疏危急和防止灾难。
7、对待事故“四不放过”内容①事故缘由分析不清不放过；②事故责任者没有严峻处理不放过；③ 宽阔职工没有受到教育不放过；④没有制定防范措施不放过8、消防方针：预防为主，防消结合9、三违是指：违章作业、违章指挥、违反劳动纪律10、什么是安全第一：指安全生产是一切经济部门和生产企业的头等大事，是企业领导的第一职责。
11、职工的安全生产职责：①自觉遵守安全生产规章制度和劳动纪律，不违章作业，并随时制止他人违法作业；②遵守有关设备的修理保养制度中职工应作到的条款，为设备安全与正常运转尽到职责；③疼惜和正确使用机器设备、工具及个人防护物品，常常关心自己四周的安全生产状况，向有关领导或部门提出合理化建议或意见；④觉察事故隐患和担忧全因素要准时向班长或有关部门汇报状况，发生工伤事故要准时抢救伤员保护现场，报告领导，同时帮助有关调查人员做好调查工作；⑤努力学习和把握安全学问和技能，娴熟把握本工种操作程序和安全操作规程，乐观参与各种安全生产宣传、教育、批判、竞赛、治理活动，结实树立安全第一思想和自我保护意识，遵章守纪，有权拒绝违章指挥，对个人安全生产负责。