CD4011中文资料
CD4011中文使用说明书
VO=4.6V，VI=0 或 5V 输出高电平电流 输出高电平电流 输入漏电流 -IOH -IOH ±IIN VO=9.5V，VI=0 或 10V VO=13.5V，VI=0 或 15V VO=2.5V，VI=0 或 5V VIN=0 或 15V
VDD=5V VDD=10V VDD=15V VDD=5V VDD=15V
V
输出低电平电流
VO=1.5V，VI=0 或 15V VO=4.6V，VI=0 或 5V 输出高电平电流 输出高电平电流 输入漏电流 -IOH -IOH VO=9.5V，VI=0 或 10V VO=2.5V，VI=0 或 5V VIN=0 或 15V
or
1.4 ±IIN VDD=15V 符号 测 试 条 件 最小 典型 IDD VI=VSS 或 VDD；IO=0 VI=VSS 或 VDD， ∣IO∣<1µA VOL VOH VI=VSS 或 VDD， ∣IO∣<1µA VDD=5V VDD=10V VDD=15V VDD=5V VDD=10V VDD=15V VDD=5V VDD=10V VDD=15V VDD=5V VDD=10V VDD=15V VDD=5V VDD=10V VDD=15V VDD=5V VDD=10V VDD=15V 3.5 7.0 11.0 0.52 1.3 3.6 4.95 9.95 14.95 VO=0.5V 或 4.5V，∣IO∣<1µA VO=1.0V 或 9.0V，∣IO∣<1µA VO=1.5V 或 13.5V，∣IO∣<1µA VO=0.5V 或 4.5V，∣IO∣<1µA VO=1.0V 或 9.0V，∣IO∣<1µA VO=1.5V 或 13.5V，∣IO∣<1µA VO=0.4V，VI=0 或 5V
CD4011中文资料
TL F 5939CD4001BM CD4001BC Quad 2-Input NOR BufferedB Series Gate CD4011BM CD4011BC Quad 2-Input NAND Buffered B Series GateMarch1988 CD4001BM CD4001BC Quad2-InputNOR Buffered B Series GateCD4011BM CD4011BC Quad2-InputNAND Buffered B Series GateGeneral DescriptionThese quad gates are monolithic complementary MOS(CMOS)integrated circuits constructed with N-and P-chan-nel enhancement mode transistors They have equal sourceand sink current capabilities and conform to standard B se-ries output drive The devices also have buffered outputswhich improve transfer characteristics by providing veryhigh gainAll inputs are protected against static discharge with diodesto V DD and V SSFeaturesY Low power TTL Fan out of2driving74Lcompatibility or1driving74LSY5V–10V–15V parametric ratingsY Symmetrical output characteristicsY Maximum input leakage1m A at15V over full tempera-ture rangeSchematic DiagramsTL F 5939–1CD4001BC BMTL F 5939–2of device shownJ e A a BLogical‘‘1’’e HighLogical‘‘0’’e LowAll inputs protected by standardCMOS protection circuitTL F 5939–5CD4011BC BMTL F 5939–6of device shownJ e A BLogical‘‘1’’e HighLogical‘‘0’’e LowAll inputs protected by standardCMOS protection circuitC1995National Semiconductor Corporation RRD-B30M105 Printed in U S AAbsolute Maximum Ratings(Notes1and2) If Military Aerospace specified devices are required please contact the National Semiconductor Sales Office Distributors for availability and specifications Voltage at any Pin b0 5V to V DD a0 5V Power Dissipation(P D)Dual-In-Line700mW Small Outline500mWV DD Range b0 5V DC to a18V DC Storage Temperature(T S)b65 C to a150 C Lead Temperature(T L)(Soldering 10seconds)260 C Operating ConditionsOperating Range(V DD)3V DC to15V DC Operating Temperature RangeCD4001BM CD4011BM b55 C to a125 C CD4001BC CD4011BC b40 C to a85 CDC Electrical Characteristics CD4001BM CD4011BM(Note2)Symbol Parameter Conditionsb55 C a25 C a125 CUnits Min Max Min Typ Max Min MaxI DD Quiescent Device V DD e5V V IN e V DD or V SS0 250 0040 257 5m ACurrent V DD e10V V IN e V DD or V SS0 500 0050 5015m A V DD e15V V IN e V DD or V SS1 00 0061 030m A V OL Low Level V DD e5V0 0500 050 05V Output Voltage V DD e10V l I O l k1m A0 0500 050 05V V DD e15V(0 0500 050 05V V OH High Level V DD e5V4 954 9554 95V Output Voltage V DD e10V l I O l k1m A9 959 95109 95V V DD e15V(14 9514 951514 95V V IL Low Level V DD e5V V O e4 5V1 521 51 5V Input Voltage V DD e10V V O e9 0V3 043 03 0V V DD e15V V O e13 5V4 064 04 0V V IH High Level V DD e5V V O e0 5V3 53 533 5V Input Voltage V DD e10V V O e1 0V7 07 067 0V V DD e15V V O e1 5V11 011 0911 0V I OL Low Level Output V DD e5V V O e0 4V0 640 510 880 36mACurrent V DD e10V V O e0 5V1 61 32 250 9mA (Note3)V DD e15V V O e1 5V4 23 48 82 4mA I OH High Level Output V DD e5V V O e4 6V b0 64b0 51b0 88b0 36mACurrent V DD e10V V O e9 5V b1 6b1 3b2 25b0 9mA (Note3)V DD e15V V O e13 5V b4 2b3 4b8 8b2 4mA I IN Input Current V DD e15V V IN e0V b0 10b10b5b0 10b1 0m AV DD e15V V IN e15V0 1010b50 101 0m A Connection DiagramsCD4001BC CD4001BMDual-In-Line PackageTL F 5939–3 Top ViewCD4011BC CD4011BMDual-In-Line PackageTL F 5939–4Top ViewOrder Number CD4001B or CD4011B2DC Electrical Characteristics CD4001BC CD4011BC(Note2)Symbol Parameter Conditionsb40 C a25 C a85 CUnits Min Max Min Typ Max Min MaxI DD Quiescent Device V DD e5V V IN e V DD or V SS10 00417 5m ACurrent V DD e10V V IN e V DD or V SS20 005215m A V DD e15V V IN e V DD or V SS40 006430m AV OL Low Level V DD e5V0 0500 050 05V Output Voltage V DD e10V l I O l k1m A0 0500 050 05V V DD e15V(0 0500 050 05V V OH High Level V DD e5V4 954 9554 95V Output Voltage V DD e10V l I O l k1m A9 959 95109 95V V DD e15V(14 9514 951514 95V V IL Low Level V DD e5V V O e4 5V1 521 51 5V Input Voltage V DD e10V V O e9 0V3 043 03 0V V DD e15V V O e13 5V4 064 04 0V V IH High Level V DD e5V V O e0 5V3 53 533 5V Input Voltage V DD e10V V O e1 0V7 07 067 0V V DD e15V V O e1 5V11 011 0911 0V I OL Low Level Output V DD e5V V O e0 4V0 520 440 880 36mACurrent V DD e10V V O e0 5V1 31 12 250 9mA (Note3)V DD e15V V O e1 5V3 63 08 82 4mA I OH High Level Output V DD e5V V O e4 6V b0 52b0 44b0 88b0 36mACurrent V DD e10V V O e9 5V b1 3b1 1b2 25b0 9mA (Note3)V DD e15V V O e13 5V b3 6b3 0b8 8b2 4mA I IN Input Current V DD e15V V IN e0V b0 30b10b5b0 30b1 0m AV DD e15V V IN e15V0 3010b50 301 0m A AC Electrical Characteristics CD4001BC CD4001BMT A e25 C Input t r t f e20ns C L e50pF R L e200k Typical temperature coefficient is0 3% C Symbol Parameter Conditions Typ Max Units t PHL Propagation Delay Time V DD e5V120250ns High-to-Low Level V DD e10V50100nsV DD e15V3570nst PLH Propagation Delay Time V DD e5V110250ns Low-to-High Level V DD e10V50100nsV DD e15V3570nst THL t TLH Transition Time V DD e5V90200nsV DD e10V50100nsV DD e15V4080nsC IN Average Input Capacitance Any Input57 5pFC PD Power Dissipation Capacity Any Gate14pFAC Parameters are guaranteed by DC correlated testingNote1 ‘‘Absolute Maximum Ratings’’are those values beyond which the safety of the device cannot be guaranteed Except for‘‘Operating Temperature Range’’they are not meant to imply that the devices should be operated at these limits The table of‘‘Electrical Characteristics’’provides conditions for actual device operationNote2 All voltages measured with respect to V SS unless otherwise specifiedNote3 I OL and I OH are tested one output at a time3AC Electrical Characteristics CD4011BC CD4011BMT A e25 C Input t r t f e20ns C L e50pF R L e200k Typical Temperature Coefficient is0 3% C Symbol Parameter Conditions Typ Max Unitst PHL Propagation Delay V DD e5V120250ns High-to-Low Level V DD e10V50100nsV DD e15V3570nst PLH Propagation Delay V DD e5V85250ns Low-to-High Level V DD e10V40100nsV DD e15V3070nst THL t TLH Transition Time V DD e5V90200nsV DD e10V50100nsV DD e15V4080nsC IN Average Input Capacitance Any Input57 5pFC PD Power Dissipation Capacity Any Gate14pF AC Parameters are guaranteed by DC correlated testingTypical Performance CharacteristicsTypicalTransfer CharacteristicsTL F 5939–7TypicalTransfer CharacteristicsTL F 5939–8TypicalTransfer CharacteristicsTL F 5939–9TypicalTransfer CharacteristicsTL F 5939–10TL F 5939–11FIGURE5TL F 5939–12FIGURE64Typical Performance Characteristics (Continued)TL F 5939–13FIGURE 7TL F 5939–14FIGURE 8TL F 5939–15FIGURE 9TL F 5939–16FIGURE 10TL F 5939–17FIGURE 11TL F 5939–18FIGURE 12TL F 5939–19FIGURE 13TL F 5939–20FIGURE 145C D 4001B M C D 4001B C Q u a d 2-I n p u t N O R B u f f e r e d B S e r i e s G a t e C D 4011B M C D 4011B C Q u a d 2-I n p u t N A N D B u f f e r e d B S e r i e s G a t ePhysical Dimensions inches (millimeters)Ceramic Dual-In-Line Package (J)Order Number CD4001BMJ CD4001BCJ CD40011BMJ or CD4011BCJNS Package Number J14AMolded Dual-In-Line Package (N)Order Number CD4001BMN CD4001BCN CD4011BMN or CD4011BCNNS Package Number N14ALIFE SUPPORT POLICYNATIONAL’S PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF THE PRESIDENT OF NATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION As used herein 1 Life support devices or systems are devices or 2 A critical component is any component of a life systems which (a)are intended for surgical implant support device or system whose failure to perform can into the body or (b)support or sustain life and whose be reasonably expected to cause the failure of the life failure to perform when properly used in accordance support device or system or to affect its safety or with instructions for use provided in the labeling can effectivenessbe reasonably expected to result in a significant injury to the userNational Semiconductor National Semiconductor National Semiconductor National Semiconductor CorporationEuropeHong Kong LtdJapan Ltd1111West Bardin RoadFax (a 49)0-180-530858613th Floor Straight Block Tel 81-043-299-2309。
CD4011电气参数
故禁止使用。
如真值表第一列。
(2)当X=0、Y=1时，由于X=1导致NAND-A的输出为”1”，使得NAND-B的两个输入均为”1”，因此NAND-B的输出为”0”，如真值表第二列。
(3)当X=1、Y=0时，由于Y=0导致NAND-B的输出为”1”，使得NAND-1的两个输入均为””1，因此NAND-A的输出为”0”，如真值表第三列。
(4)当X=1、Y=1时，因为一个””1不影响NAND门的输出，所以两个NAND 门的输出均不改变状态，如真值表第四列。
注：由于资料来源有限，请自行对应逻辑符号。
管脚功能：
1A 数据输入端2A 数据输入端3A 数据输入端4A 数据输入端
1B 数据输入端2B 数据输入端3B 数据输入端4B 数据输入端
1Y 数据输出端2Y 数据输出端3Y 数据输出端4Y 数据输出端
VDD 电源正VSS 地
VDD电压范围：－0.5V to 18Ｖ
功耗：双列普通封装 700mW 小型封装 500mW
工作温度范围：CD4011BM -55℃ - +125℃ CD4011BC -40℃ - +85℃
直流电气特性：。
实验8 CD4011声光控灯
实训教案（首页）审阅签名：梁锦青实训教案GDECS-F-024.04.01（第二版）实验八 CD4011声光控灯电路(改装版)的安装一、实验目的1、掌握CD4011声光控灯电路的工作原理。
2、熟练掌握焊接电子小产品工艺制作技术。
二、实验器材1、CD4011声光控灯电路套件1套，2、万用表1块，3、电烙铁1把，4、焊锡、导线等。
三、实验内容1、实验电路：2、电路原理：①D2～D5构成桥式电路，在U1D输出端为低电平时，可控硅SCR不导通，电灯LAMP无电流通路不会点亮。
只有在U1D输出端为高电平时，可控硅SCR1导通时，电灯LAMP才会点亮。
②D2～D5、R7、DW、C3组成稳压二极管稳压电路产生12V直流电压给控制电路供电。
③控制电路由三极管9013、COMS电路四与非门CD4011等元件组成。
声电转换器MIC将声音转换成电信号、光敏电阻MG45受光线控制改变其阻值的大小（光强电阻变小），图1（a）中当光线较暗且有声源时，U1A输入端①、②同时为高电平，U1A输出端③为低电平至U1D输出端⑾高电平控制可控硅导通，灯泡点亮。
C2、R5组成亮灯延时电路，时间常数t＝R5×C2=47×10ˉ²˙³×2×10²˙³=94 s。
改装版电路如图1.2（b）声、光源是独立控制灯亮，只要光暗或有声音，都能致使灯亮。
这是与图1（a）区别点，请同学们注意。
四、实训步骤：⑴按模拟电原理图1.2(a)焊接电路。
⑵模拟电路焊接好后，接12V电源进行调试，检验电路是否受声光控制，若无直至查找故障及排除，务必使电路有声、光控灯功能。
⑶完成第⑵步骤后，可按图1（a）将电路接220V交流电，注意将电阻R7换成120K阻值，⑷电路安装注意事项：①电路板经模拟低电压调试正常后，方可改装实用220V高压电路。
②电路板与220V高压连接在一起，在接220交流电时，必须接上灯泡（220V、25W即可）。
用于家用电器的双路红外遥控开关电路 CD4011、CD4013、SH0038
用于家用电器的双路红外遥控开关电路CD4011、CD4013、SH0038用于家用电器的双路红外遥控开关电路图该红外遥控开关电路由红外发射电路(遥控发射器)和红外接收控制电路组成。
红外发射电路:红外发射电路由1kHz音频振荡器、3kHz音频振荡器、40kHz载波振荡器和驱动输出电路组成，如图所示红外发射电路红外接收控制电路由红外线接收头IC2、音频译码器、反相器、双稳态触发器(A1、A2)和控制执行电路组成，如图所示。
红外接收控制电路: 调整RP1和RP2的阻值，可分别改变1kHz音频振荡器和3kHz音频振荡器的工作频率，从而改变遥控的灵敏度。
调试时，按下S1，调节RP1使K1动作；再按下S2，调节RP2使K2动作。
元器件选择R1～R16选用1／4W碳膜电阻器或金属膜电阻器。
RP1和RP2均选用小型实心可变电阻器。
C1、C5～C11均选用独石电容器；C2选用高频瓷介电容器；C3和C4均选用耐压值为16V的铝电解电容器。
VD1和VD2均选用1N4001型硅整流二极管。
VL选用SE303A或PH303型红外发光二极管。
V1～V3均选用S9013或3DG9013型硅NPN晶体管；V4和V5选用C8050或S8050、3DG8050型硅NPN晶体管。
IC1选用CD4011型四与非门集成电路；IC2选用SFH506．38或BA5302型一体化红外接收头：IC3和IC4均选用LM567型音频锁相环集成电路；IC5选用CD4013型双D触发器集成电路S1和s2均选用微型动合(常开)按钮。
K1和K2均选用12V直流继电器，其触头电流容量应根据负载的功率而定。
数值准确的CD4011声光控电灯电路（付线路板图）
数值准确的CD4011声光控电灯电路（付线路板图）用CD4011制作的声控光控电灯电路原理图：印刷线路板图：CD4011管脚排列图：元器件安装图：可控硅MCR100-6或MCR100-8 引脚排列：单向可控硅的型号参数：三个脚定义为阳极A，阴极K，栅极G，使用时在阳极加正电压，必须在栅极加一个4伏左右的触发电压才能导通.1.25A/600V单向可控硅有：MCR100-6MCR100-8BT169TP5GCR3AM单向可控硅BT169的检测：1．判别各电极根据普通晶闸管的结构可知，其门极G与阴极K 极之间为一个PN结，具有单向导电特性，而阳极A与门极之间有两个反极性串联的PN结。
因此，通过用万用表R×100A或R×1k档测量普通晶闸管各引脚之间的电阻值，即能确定三个电极。
具体方法是：将万用表黑表笔任接晶闸管某一极，红表笔依次去触碰另外两个电极。
若测量结果有一次阻值为几千欧姆（kΩ），而另一次阻值为几百欧姆（Ω），则可判定黑表笔接的是门极G。
在阻值为几百欧姆的测量中，红表笔接的是阴极K，而在阻值为几千欧姆的那次测量中，红表笔接的是阳极A，若两次测出的阻值均很大，则说明黑表笔接的不是门极G，应用同样方法改测其它电极，直到找出三个电极为止。
也可以测任两脚之间的正、反向电阻，若正、反向电阻均接近无穷大，则两极即为阳极A和阴极K，而另一脚即为门极G。
普通晶闸管也可以根据其封装形式来判断出各电极。
例如：螺栓形普通晶闸管的螺栓一端为阳极A，较细的引线端为门极G，较粗的引线端为阴极K。
平板形普通晶闸管的引出线端为门极G，平面端为阳极A，另一端为阴极K。
金属壳封装（TO–3）的普通晶闸管，其外壳为阳极A。
塑封（TO–220）的普通晶闸管的中间引脚为阳极A，且多与自带散热片相连。
图8-15为几种普通晶闸管的引脚排列。
2．判断其好坏用万用表R×1k档测量普通晶体管阳极A与阴极K 之间的正、反向电阻，正常时均应为无穷大（∞）若测得A、K之间的正、反向电阻值为零或阻值较小，则说明晶闸管内部击穿短路或漏电。
cd4011声光控电路图详解(延时开关电路)
cd4011声光控电路图详解（延时开关电路）集成电路CD4011是一个包含4个与非门的CMOS 电路，每个与非门有2个输入端一个输出端。
当两输入端有一个输入为0，输出就为0。
只有当输入均为1时，输出才为1。
当两个输入端都为0时，输出是1。
本文主要介绍CD4011制作的声光控延时开关电路，分别从发工作原理、元器件的选择、安装与制作、调试以及故障检测与检修方面来详细介绍，一起来了解一下。
一、电路的工作原理声光控延时开关的电路原理图见图1所示。
电路中的主要元器件是使用了数字集成电路cd4011，其内部含有4个独立的与非门vd 1～vd4，使电路结构简单，工作可靠性高。
顾名思义，声光控延时开关就是用声音来控制开关的“开启“，若干分钟后延时开关“自动关闭”。
因此，整个电路的功能就是将声音信号处理后，变为电子开关的开动作。
明确了电路的信号流程方向后，即可依据主要元器件将电路划分为若干个单元，由此可画出图2所示的方框图。
结合图2来分析图1。
声音信号（脚步声、掌声等）由驻极体话筒bm接收并转换成电信号，经c1耦合到vt的基极进行电压放大，放大的信号送到与非门（vd1）的2脚，r4、r7是vt偏置电阻，c2是电源滤波电容。
为了使声光控开关在白天开关断开，即灯不亮，由光敏电阻rg等元件组成光控电路，r5和rg组成串联分压电路，夜晚环境无光时，光敏电阻的阻值很大，rg两端的电压高，即为高电平间t=2πr8c3，改变r8或c3的值，可改变延时时间，满足不同目的。
vd3和vd4构成两级整形电路，将方波信号进行整形。
当c3充电到一定电平时，信号经与非门vd3、vd4后输出为高电平，使单向可控硅导通，电子开关闭合；c3充满电后只向r8放电，当放电到一定电平时，经与非门vd3、vd4输出为低电平，使单向可控硅截止，电子开关断开，完成一次完整的电子开关由开到关的过程。
二极管vd1～vd4将交流220v进行桥式整流，变成脉动直流电，又经r1降压，c2滤波后即为电路的直流电源，为bm、vt、ic等供电。
CD4011电气参数
逻辑表达式：丫 = A.B 真值表 A=Y.BX Y Q 动作 0 0 ? 禁止 0 1 1 设定 1 0 0 重置 11不变无⑴ 当X=0 Y=0时，将使两个NAND1之输出均为1,违反触发器之功用， 故禁止使用。
如真值表第一列。
(2) 当X=0 Y=1时，由于X=1导致NAND-A 勺输出为” T,使得NAND-B 勺 两个输入均为” 1”，因此NAND-B 勺输出为” 0”，如真值表第二列。
(3) 当X=1、Y=0时，由于丫=0导致NAND-B 勺输出为” T,使得NAND-1的 两个输入均为”” 1，因此NAND-A 勺输出为” 0”，如真值表第三列。
⑷当X=1、Y=1时，因为一个””1不影响NAND1的输出，所以两个NAND 门的输出均不改变状态，如真值表第四列。
CD4011电气参数图1芯片功能图图2 CD4011内部保护网络2\\ [ 1 14 ]V DD IB C ! 13 3 4Btv n 3 12 J 4A2Y d 4 11 J “ 2A 匚5 103 3Y 6 9 1 3Bvss r j6 :琳---------图3引脚图图4逻辑图注：由于资料来源有限，请自行对应逻辑符号。
管脚功能：1A数据输入端2A数据输入端3A数据输入端4A数据输入端1B数据输入端2B数据输入端3B数据输入端4B数据输入端1Y数据输出端2Y数据输出端3Y数据输出端4Y数据输出端VDD电源正VSS地VDD电压范围：一0.5V to 18 V功耗：双列普通封装700mW 小型封装500mW工作温度范围：CD4011BM -553 - +125 C CD4011BC -40E - +85 C 直流电气特性：交流电气特性:。
cd4011中文资料_数据手册_参数
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CD4001BMCD4001BC四2-InputNOR缓冲B系列GateCD4011BMCD4011BC四2-InputNAND缓冲B系列GateGeneral DescriptionThese四门整 体互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路构造与N - P-chan-nel增强型晶体管他们平等sourceand反向电流能力和符合标准B se-ries输出 驱动设备也有缓冲outputswhich改善传输特性通过提供veryhigh gainAll输入保护对 静电 放电 与 diodesto VDD VSSFeaturesYLow 权力 TTLFan 2 驾驶 74 Lcompatibilityor 驾驶 74 LSY5V – 10 V – 15 V 参数 ratingsYSymmetrical 输出 characteristicsYMaximum 输入 漏 1 mA 15 V 完整 tempera-ture rangeSchematic DiagramsTLF5939 – 1 CD4001BCBMTLF5939 – 2 设备 shownJ e A BLogical ‘‘1’’ e HighLogical ‘‘0’’ e LowAll 输入 保护 standardCMOS 保护 circuitTLF5939 – 5 CD4011BCBMTLF5939 – 6 设备 shownJ e A BLogical ‘‘1’’ e高 逻辑“0”e低所有输入由标准cmos保护电路保护CD4011 NAND门为系统设计人员提供了NAND功能的直接实现。Features Operating Voltage Range: 3.0 到 18 V Maximum 输入 电流 1 在 18 V 全 包 100 - 141 温度 范围 nA 18 岁 V 25 C° Noise 保证金 (over 满 管 温度 range):1.0 V 5.0 分钟 @ V supply2.0 V 10.0 分钟 @ V supply2.5 V 15.0 分钟 @ V 供应
项目四CD4011声光控开关(葛中海)
项目四 CD4011声光控开关一、教学目标● 认识光敏电阻、单向可控硅和驻极体话筒的结构和工作特性。
● 熟悉CD4011内部功能框图，掌握CD4011的逻辑功能。
● 掌握反相器构成的电压放大器的工作原理。
● 学会透过故障现象分析故障原因，并能独自解决之。
● 理解并熟悉声光控开关的工作原理。
二、电路结构本电路可分为几大部分，它们分别是电源变换电路、触发驱动电路、延时关断电路、光敏控制电路和音频放大电路、。
1．电源变换电路：由D2～D6、Q1、R6和C1组成；2．触发控制电路：由R7、CD4011的A单元组成，目标直指单向可控硅Q1（BT169）门极。
3．光敏控制电路：由R3、Rg与CD4011的D单元组成；4．音频放大电路：由R1、BM1、C2、R2与CD4011的C单元组成；5．延时关断电路：由C4、R8与CD4011的B单元组成；三、认识特殊器件1．CD4011如图4.1，CD4011内部包含四个双端输入的与非门，电源正极和接地共用。
CD4011只是与非门的其中一种型号，中山市高级技工学校电子实验室有CD4011和HEF4011，电路参数设计选用CD4011（若采用HEF4011，需要更改几个参数，请参考电路原理图）。
图4.1 CD4011内部框图图4.2 光敏电阻2．光敏电阻光敏电阻器又叫光感电阻，是利用半导体光电效应制成的一种电阻值随入射光的强弱而改变的电阻器。
受到适当波长的光线照射时在光敏电阻两端的金属电极之间加上电压便有电流通过：入射光强、电阻减小，入射光弱、电阻增大。
光敏电阻没有极性，纯粹是一个电阻器件，使用时既可加直流电压，也可以加交流电压。
通常光敏电阻器都制成薄片结构，以便吸收更多的光能，如图4.2。
光敏电阻有多种型号，光照时的等效电阻差异很大，中山市高级技工学校电子实验室有多种光敏电阻，表4.1是3种光敏电阻在光照（亮电阻）和无光照（暗电阻）情况下的实测等效电阻。
表4.1有光照无光照1 3.5 K ～ 3.8K 20 K ～ 21.5K2 8 K ～ 12K 85 K ～ 90K3 65 K ～ 95K 650 K ～750K3．单向可控硅BT169单向可控硅BT169是小功率器件，其性能优越，各管脚分布和主要的电气参数如图4.3。
CD4011BCM_NL中文资料
© 2002 Fairchild Semiconductor Corporation DS005939October 1987Revised March 2002CD4001BC/CD4011BC Quad 2-Input NOR Buffered B Series Gate • Quad 2-Input NAND Buffered B Series GateCD4001BC/CD4011BCQuad 2-Input NOR Buffered B Series Gate • Quad 2-Input NAND Buffered B Series GateGeneral DescriptionThe CD4001BC and CD4011BC quad gates are monolithic complementary MOS (CMOS) integrated circuits con-structed with N- and P-channel enhancement mode tran-sistors. They have equal source and sink current capabilities and conform to standard B series output drive.The devices also have buffered outputs which improve transfer characteristics by providing very high gain.All inputs are protected against static discharge with diodes to V DD and V SS .Featuress Low power TTL:Fan out of 2 driving 74L compatibility:or 1 driving 74LSs 5V–10V–15V parametric ratings s Symmetrical output characteristicss Maximum input leakage 1 µA at 15V over full temperature rangeOrdering Code:Devices also available in T ape and Reel. Specify by appending the suffix letter “X ” to the ordering code.Connection DiagramsPin Assignments for DIP , SOIC and SOPCD4001BCTop ViewPin Assignments for DIP and SOICCD4011BCTop ViewOrder Number Package NumberPackage DescriptionCD4001BCM M14A 14-Lead Small Outline Integrated Circuit (SOIC), JEDEC MS-012, 0.150" Narrow CD4001BCSJ M14D 14-Lead Small Outline Package (SOP), EIAJ TYPE II, 5.3mm Wide CD4001BCN N14A 14-Lead Plastic Dual-In-Line Package (PDIP), JEDEC MS-001, 0.300" Wide CD4011BCM M14A 14-Lead Small Outline Integrated Circuit (SOIC), JEDEC MS-012, 0.150" Narrow CD4011BCNN14A14-Lead Plastic Dual-In-Line Package (PDIP), JEDEC MS-001, 0.300" Wide 2C D 4001B C /C D 4011B CSchematic DiagramsCD4001BC1/4 of device shownJ = A + BLogical “1” = HIGH Logical “0” = LOWAll inputs protected by standard CMOS protection circuit.CD4011BC1/4 of device shownJ = A • BLogical “1” = HIGH Logical “0” = LOWAll inputs protected by standard CMOS protection circuit.CD4001BC/CD4011BCAbsolute Maximum Ratings (Note 1)(Note 2)Recommended Operating ConditionsNote 1: “Absolute Maximum Ratings ” are those values beyond which the safety of the device cannot be guaranteed. Except for “Operating Tempera-ture Range ” they are not meant to imply that the devices should be oper-ated at these limits. The Electrical Characteristics tables provide conditions for actual device operation.Note 2: All voltages measured with respect to V SS unless otherwise speci-fied.DC Electrical Characteristics (Note 2)Note 3: I OL and I OH are tested one output at a time.AC Electrical Characteristics (Note 4)CD4001BC: T A = 25°C, Input t r ; t f = 20 ns. C L = 50 pF, R L = 200k. Typical temperature coefficient is 0.3%/°C.Note 4: AC Parameters are guaranteed by DC correlated testing.Voltage at any Pin −0.5V to V DD +0.5VPower Dissipation (P D )Dual-In-Line 700 mW Small Outline 500 mWV DD Range−0.5 V DC to +18 V DCStorage Temperature (T S )−65°C to +150°CLead Temperature (T L )(Soldering, 10 seconds)260°C Operating Range (V DD )3 V DC to 15 V DCOperating Temperature Range CD4001BC, CD4011BC−55°C to +125°CSymbol Parameter Conditions−55°C +25°C +125°C UnitsMinMax MinTyp Max MinMax I DDQuiescent Device V DD = 5V, V IN = V DD or V SS 0.250.0040.257.5µACurrentV DD = 10V, V IN = V DD or V SS 0.50.0050.5015V DD = 15V, V IN = V DD or V SS 1.00.006 1.030V OLLOW Level V DD = 5V 0.0500.050.05VOutput VoltageV DD = 10V |I O | < 1 µA0.0500.050.05V DD = 15V 0.0500.050.05V OHHIGH Level V DD = 5V 4.954.955 4.95VOutput VoltageV DD = 10V |I O | < 1 µA9.959.95109.95V DD = 15V14.9514.951514.95V ILLOW Level V DD = 5V, V O = 4.5V 1.52 1.5 1.5VInput VoltageV DD = 10V, V O = 9.0V 3.04 3.0 3.0V DD = 15V, V O = 13.5V 4.06 4.0 4.0V IHHIGH Level V DD = 5V, V O = 0.5V 3.5 3.53 3.5VInput VoltageV DD = 10V, V O = 1.0V 7.07.067.0V DD = 15V, V O = 1.5V 11.011.0911.0I OLLOW Level Output V DD = 5V, V O = 0.4V 0.640.510.880.36mACurrent V DD = 10V, V O = 0.5V 1.6 1.3 2.250.9(Note 3)V DD = 15V, V O = 1.5V 4.2 3.48.8 2.4I OHHIGH Level Output V DD = 5V, V O = 4.6V −0.64−0.51−0.88−0.36mACurrent V DD = 10V, V O = 9.5V −1.6−1.3−2.25−0.9(Note 3)V DD = 15V, V O = 13.5V −4.2−3.4−8.8−2.4I INInput CurrentV DD = 15V, V IN = 0V −0.10−10−5−0.10−1.0µAV DD = 15V, V IN = 15V0.110−50.101.0Symbol ParameterConditionsTyp Max Unitst PHLPropagation Delay Time,V DD = 5V 120250ns HIGH-to-LOW LevelV DD = 10V 50100V DD = 15V 3570t PLHPropagation Delay Time,V DD = 5V 110250ns LOW-to-HIGH LevelV DD = 10V 50100V DD = 15V 3570t THL , t TLHTransition TimeV DD = 5V 90200ns V DD = 10V 50100V DD = 15V4080C IN Average Input Capacitance Any Input 57.5pF C PDPower Dissipation CapacityAny Gate14pF 4C D 4001B C /C D 4011B CAC Electrical Characteristics (Note 5)CD4011BC: T A = 25°C, Input t r ; t f = 20 ns. C L = 50 pF, R L = 200k. Typical Temperature Coefficient is 0.3%/°C.Note 5: AC Parameters are guaranteed by DC correlated testing.Typical Performance CharacteristicsTypicalTransfer CharacteristicsTypicalTransfer CharacteristicsTypicalTransfer CharacteristicsSymbol ParameterConditionsTyp Max Unitst PHLPropagation Delay,V DD = 5V 120250ns HIGH-to-LOW LevelV DD = 10V 50100V DD = 15V 3570t PLHPropagation Delay,V DD = 5V 85250ns LOW-to-HIGH LevelV DD = 10V 40100V DD = 15V 3070t THL , t TLH Transition TimeV DD = 5V 90200ns V DD = 10V 50100V DD = 15V4080C IN Average Input Capacitance Any Input 57.5pF C PDPower Dissipation CapacityAny Gate14pFCD4001BC/CD4011BCTypical Performance Characteristics(Continued)Typical Transfer Characteristics 6C D 4001B C /C D 4011B CTypical Performance Characteristics(Continued) CD4001BC/CD4011BCPhysical Dimensions inches (millimeters) unless otherwise noted14-Lead Small Outline Integrated Circuit (SOIC), JEDEC MS-012, 0.150" NarrowPackage Number M14A 8C D 4001B C /C D 4011B CPhysical Dimensions inches (millimeters) unless otherwise noted (Continued)14-Lead Small Outline Package (SOP), EIAJ TYPE II, 5.3mm WidePackage Number M14D9CD4001BC/CD4011BC Quad 2-Input NOR Buffered B Series Gate • Quad 2-Input NAND Buffered B Series GatePhysical Dimensions inches (millimeters) unless otherwise noted (Continued)14-Lead Plastic Dual-In-Line Package (PDIP), JEDEC MS-001, 0.300" WidePackage Number N14AFairchild does not assume any responsibility for use of any circuitry described, no circuit patent licenses are implied and Fairchild reserves the right at any time without notice to change said circuitry and specifications.LIFE SUPPORT POLICYFAIRCHILD ’S PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF THE PRESIDENT OF FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION. As used herein:1.Life support devices or systems are devices or systems which, (a) are intended for surgical implant into the body, or (b) support or sustain life, and (c) whose failure to perform when properly used in accordance with instructions for use provided in the labeling, can be rea-sonably expected to result in a significant injury to the user.2. A critical component in any component of a life support device or system whose failure to perform can be rea-sonably expected to cause the failure of the life support device or system, or to affect its safety or effectiveness.。
简单实用的用CD4011构成声光控开关灯电路(含线路板图)
简单实用的用CD4011构成声光控开关灯电路（含线路板图）简单实用的用CD4011构成声光控开关灯电路原理图：印刷线路板图：这款简单声光控制电子开关具有声音信号和光信号控制功能，当有光照射时，开关电路处于关闭状态，而当光信号比较弱时，开关电路受声音信号的控制，使用这种开关，人们不必在黑暗中摸索开关，也不必担心点长明灯费电和损坏灯泡，夜间只要有脚步声，灯便自动点亮，延时一分钟左右后自动熄灭。
特别适用于自动控制路灯照明及走廊和楼道等片的短时照明。
一、电路组成及工作原理声、光控制电子开关电路如下图所示。
1、电路组成电路主要由以下几部分组成。
(1)、声音信号输入电路。
由话筒MIC、电阻R1.、R2、R3、电容C1和三极管T1组成。
声音信号经话筒MIC转换为电信号后经C1耦合至T1放大，最后由T1的集电极输出并送入集成电路IC1的2脚。
(2)、光信号输入电路。
由电阻R4和光敏电阻Rg组成。
光的强弱经光敏电阻Rg转换为高、低电平后送入集成电路IC1的1脚。
(3)、桥式整流电路。
由二极管D2、D3、D4、D5组成。
其功能是将220V的交流市电转换为脉动直流电压。
(4)、降压滤波电路。
由电阻R5、R6和电容C2组成。
其功能是对桥式整流电路输出的脉动直流电压进行降压滤波，获得10V左右的直流电压，作为控制电路的直流电源。
(5)、延时电路。
由二极管D1、电阻R8和电容C3组成。
延时时间由R8和C3决定，按图中所示参数值可延时约60～70S。
二极管D1起隔离作用。
(6)、控制电路。
由集成电路IC1、电阻R7和双向可控硅T2组成，其作用是控制开关的通断。
这里双向可控硅T2起开关作用。
集成电路IC1是整个电子开关的核心元件，型号为.TC4011BP。
它是四-二输入与非门集成电路。
其中1、2脚和3脚分别为与非门1的输入和输出端；5、6和4脚分别为与非门2的输入和输出端；8、9和10脚分别为与非门3的输入和输出端；12、13和11脚分别为与非门4的输入和输出；7和14脚分别是接地和电源脚。
CD4011工作原理及引脚图,功能,参数,作用详解
CD4011工作原理及引脚图,功能,参数,作用详解现在，很多朋友已经放弃单硅后极，转向MOS或IGBT等更节能，更轻便的斩波电路。
常规的单NE555调频调宽电路，调节的时候频率脉宽相互影响，用2片555可以实现独立可调，但线路相对复杂了，外围元件多了。
向大家推荐CD4011，四2输入与非门芯片CD4011内部由四2输入端与非门单元电路构成，采用N和P沟道增强型MOS 晶体管提供的对称电路，具有很高的抗干扰度。
一：CD4011工作原理及引脚图,功能,参数,作用详解---CD4011工作原理相信大部分的电子工程师都对CD4011有所涉猎，CD4011是应用广泛的数字IC之一，它们内含4个独立的2输入端与非门，其逻辑功能是：输入端全部为“1”时，输出为“0”；输入端只要有“0”，输出就为“1”，当两个输入端都为0时，输出是1。
cd4011内部为4组与非门，供电为14正，7负，123脚是一组与非，12脚同时高电平，3脚为低电平，12脚别的状态3脚都是高电平，另外三组在电路中为反相器，也就是11脚和3脚是相反的，3高11低，3低11高，1脚外接光控，2脚为触发延时。
CD4011属于数字电路，当将它一组的两个输入端相连时，这一组就变成了一个非门。
其特点是：输入高电平时，输出低电平，输入低电平时，输出高电平。
CD4011还能够放大电压，当运放的+接地，-只接高电平而不接电阻时，它的输出是什么，是低电平。
反之，-只接低电平而不接电阻时，它的输出是什么，是高电平。
注意到上面的比较没有，其实，CD4011在此时与运放的功能完全一样。
CD4011与两个电阻配合，其一为输入电阻，其二为反馈电阻，它的作用就是一个反向比例放大器。
因此，CD4011能放大电压。
二：CD4011工作原理及引脚图,功能,参数,作用详解---CD4011参数cd4011的直流电气特性与交流电气特性见下表：CD4011 BM -55℃ - +125℃CD4011 BC -40℃ - +85℃VDD电压范围：－0.5V ----- 18V功耗：双列普通封装 700mW 小型封装 500mW三：CD4011工作原理及引脚图,功能,参数,作用详解---CD4011的逻辑功能（1）当X=0、Y=0时，将使两个NAND门之输出均为1，违反触发器之功用，故禁止使用。
CD4011集成电路课件—第四周全
AB
Y
00
1
01
1
10
1
11
0
CD4011交替 闪烁信号灯
上电后，假设3 脚输出为0, 4脚 输出为1， LED1点亮， LED2熄灭，通 过R4对C2充电， 对C1反向充电 （放电）。
§1-2 面包板
面包板是由于板子上有很多小插孔， 专为电子电路的无焊接实验设计制
§1-2 面包板
板底有金属条，在板上对应位置打 孔使得原件插入孔中时能够与金属 条接触，从而达到导电目的。一般 将每5个孔板用一条金属条连接。
板子中央一般有一条凹槽，这是 针对需要集成电路、芯片试验而 设计的。板子两侧有两排竖着的 插孔，也是5个一组。这两组插孔 是用于给板子上的元件提供电源。
Байду номын сангаас §1-2 面包板
造的。
由于各种电子元器件可根据需要 随意插入或拔出，免去了焊接， 节省了电路的组装时间，而且元 件可以重复使用，所以非常适合 电子电路的组装、调试和训练。
§1-2 面包板
面包板是由于板子上有很多小插孔， 专为电子电路的无焊接实验设计制
造的。
由于各种电子元器件可根据需要 随意插入或拔出，免去了焊接， 节省了电路的组装时间，而且元 件可以重复使用，所以非常适合 电子电路的组装、调试和训练。
§1-2 面包板
CD4011BCM_NL中文资料
CD4011BCM_NL中文资料2002 Fairchild Semiconductor Corporation DS005939October 1987Revised March 2002CD4001BC/CD4011BC Quad 2-Input NOR Buffered B Series Gate ? Quad 2-Input NAND Buffered B Series GateCD4001BC/CD4011BCQuad 2-Input NOR Buffered B Series Gate ? Quad 2-Input NAND Buffered B Series GateGeneral DescriptionThe CD4001BC and CD4011BC quad gates are monolithic complementary MOS (CMOS) integrated circuits con-structed with N- and P-channel enhancement mode tran-sistors. They have equal source and sink current capabilities and conform tostandard B series output drive.The devices also have buffered outputs which improve transfer characteristics by providing very high gain.All inputs are protected against static discharge with diodes to V DD and V SS .Featuress Low power TTL:Fan out of 2 driving 74L compatibility:or 1 driving 74LSs 5V–10V–15V parametric ratings s Symmetrical output characteristicss M aximum input leakage 1 μA at 15V over full temperature rangeOrdering Code:Devices also available in T ape and Reel. Specify by appending the suffix letter “X ” to the ordering code.Connection DiagramsPin Assignments for DIP , SOIC and SOPCD4001BCTop ViewPin Assignments for DIP and SOICCD4011BCTop ViewOrder Number Package NumberPackage DescriptionCD4001BCM M14A 14-Lead Small Outline Integrated Circuit (SOIC), JEDEC MS-012, 0.150" Narrow CD4001BCSJ M14D 14-Lead Small Outline Package (SOP), EIAJ TYPE II, 5.3mm Wide CD4001BCN N14A 14-Lead Plastic Dual-In-Line Package (PDIP), JEDEC MS-001, 0.300" Wide CD4011BCM M14A 14-Lead Small Outline Integrated Circuit (SOIC), JEDEC MS-012, 0.150" Narrow CD4011BCNN14A14-Lead Plastic Dual-In-Line Package (PDIP), JEDEC MS-001, 0.300" Wide 2C D 4001B C /C D 4011B CSchematic DiagramsCD4001BC1/4 of device shownJ = A + BLogical “1” = HIGH Logical “0” = LOWAll inputs protected by standard CMOS protection circuit.CD4011BC1/4 of device shownJ = A ? BLogical “1” = HIGH Logical “0” = LOWAll inputs protected by standard CMOS protection circuit.CD4001BC/CD4011BCAbsolute Maximum Ratings (Note 1)(Note 2)Recommended Operating ConditionsNote 1: “Absolute Maximum Ratings ” are those values beyond which the safety of the device cannot be guaranteed. Except for “Operating Tempera-ture Range ” they are not meant to imply that the devices should be oper-ated at these limits. The Electrical Characteristics tables provide conditions for actual device operation.Note 2: All voltages measured with respect to V SS unless otherwise speci-fied.DC Electrical Characteristics (Note 2)Note 3: I OL and I OH are tested one output at a time.AC Electrical Characteristics (Note 4)CD4001BC: T A = 25°C, Input t r ; t f = 20 ns. C L = 50 pF, R L = 200k. Typical temperature coefficient is 0.3%/°C.Note 4: ACParameters are guaranteed by DC correlated testing.Voltage at any Pin ?0.5V to V DD +0.5VPower Dissipation (P D )Dual-In-Line 700 mW Small Outline 500 mWV DD Range0.5 V DC to +18 V DCStorage Temperature (T S )?65°C to +150°CLead Temperature (T L )(Soldering, 10 seconds)260°C Operating Range (V DD )3 V DC to 15 V DCOperating Temperature Range CD4001BC, CD4011BC55°C to +125°CSymbol Parameter Conditions55°C +25°C +125°C UnitsMinMax MinTyp Max MinMax I DDQuiescent Device V DD = 5V, V IN = V DD or V SS 0.250.0040.257.5μACurrentV DD = 10V, V IN = V DD or V SS 0.50.0050.5015V DD = 15V, V IN = V DD or V SS 1.00.006 1.030V OLLOW Level V DD = 5V 0.0500.050.05VOutput VoltageV DD = 10V |I O | < 1 μA0.0500.050.05V DD = 15V 0.0500.050.05V OHHIGH Level V DD = 5V 4.954.955 4.95VOutput VoltageV DD = 10V |I O | < 1 μA9.959.95109.95V DD = 15V14.9514.951514.95V ILLOW Level V DD = 5V, V O = 4.5V 1.52 1.5 1.5VInput VoltageV DD = 10V, V O = 9.0V 3.04 3.0 3.0V DD = 15V, V O = 13.5V 4.06 4.0 4.0V IHHIGH Level V DD = 5V, V O = 0.5V 3.5 3.53 3.5VInput VoltageV DD = 10V, V O = 1.0V 7.07.067.0V DD = 15V, V O = 1.5V 11.011.0911.0I OLLOW Level Output V DD = 5V, V O = 0.4V 0.640.510.880.36mACurrent V DD = 10V, V O = 0.5V 1.6 1.3 2.250.9(Note 3)V DD = 15V, V O = 1.5V 4.2 3.48.8 2.4I OHHIGH Level Output V DD = 5V, V O = 4.6V ?0.64?0.51?0.88?0.36mACurrent V DD = 10V, V O = 9.5V ?1.6?1.3?2.25?0.9(Note 3)V DD = 15V, V O = 13.5V ?4.23.4?8.8?2.4I INInput CurrentV DD = 15V, V IN = 0V ?0.10?10?5?0.10?1.0μAV DD = 15V, V IN = 15V0.110?50.101.0Symbol ParameterConditionsTyp Max Unitst PHLPropagation Delay Time,V DD = 5V 120250ns HIGH-to-LOW LevelV DD = 10V 50100V DD = 15V 3570t PLHPropagation Delay Time,V DD = 5V 110250ns LOW-to-HIGH LevelV DD = 10V 50100V DD = 15V 3570t THL , t TLHTransition TimeV DD = 5V 90200ns V DD = 10V 50100V DD = 15V4080C IN Average Input Capacitance Any Input 57.5pF C PDPower Dissipation CapacityAny Gate14pF 4C D 4001B C /C D 4011B CAC Electrical Characteristics (Note 5)CD4011BC: T A = 25°C, Input t r ; t f = 20 ns. C L = 50 pF, R L = 200k. Typical Temperature Coefficient is 0.3%/°C.Note 5: AC Parameters are guaranteed by DC correlated testing.Typical Performance CharacteristicsTypicalTransfer CharacteristicsTypicalTransfer CharacteristicsTypicalTransfer CharacteristicsSymbol ParameterConditionsTyp Max Unitst PHLPropagation Delay,V DD = 5V 120250ns HIGH-to-LOW Level V DD = 10V 50100V DD = 15V 3570t PLHPropagation Delay,V DD = 5V 85250ns LOW-to-HIGH Level V DD = 10V 40100V DD = 15V 3070t THL , t TLH Transition TimeV DD = 5V 90200ns V DD = 10V 50100V DD = 15V4080C IN Average Input Capacitance Any Input 57.5pF C PDPower Dissipation CapacityAny Gate14pFCD4001BC/CD4011BCTypical Performance Characteristics(Continued)Typical Transfer Characteristics 6C D 4001B C /C D 4011B CTypical Performance Characteristics(Continued) CD4001BC/CD4011BCPhysical Dimensions inches (millimeters) unless otherwise noted14-Lead Small Outline Integrated Circuit (SOIC), JEDEC MS-012, 0.150" NarrowPackage Number M14A 8C D 4001B C /C D 4011B CPhysical Dimensions inches (millimeters) unless otherwise noted (Continued)14-Lead Small Outline Package (SOP), EIAJ TYPE II, 5.3mm WidePackage Number M14D9CD4001BC/CD4011BC Quad 2-Input NOR Buffered B Series Gate ? Quad 2-Input NAND Buffered B Series GatePhysical Dimensions inches (millimeters) unless otherwise noted (Continued)14-Lead Plastic Dual-In-Line Package (PDIP), JEDEC MS-001, 0.300" WidePackage Number N14AFairchild does not assume any responsibility for use of any circuitry described, no circuit patent licenses are implied and Fairchild reserves the right at any time without notice to change said circuitry and specifications.LIFE SUPPORT POLICY FAIRCHILD ’S PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF THE PRESIDENT OF FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION. As used herein:1.Life support devices or systems are devices or systems which, (a) are intended for surgical implant into the body, or (b) support or sustain life, and (c) whose failure to perform when properly used in accordance with instructions for useprovided in the labeling, can be rea-sonably expected to result ina significant injury to the user.2. A critical component in any component of a life support device or system whose failure to perform can be rea-sonably expected to cause the failure of the life support device or system, or to affect its safety or effectiveness.。
CD4011 H 桥式驱动电路
一文读懂 H 桥式驱动电路【导读】图1 中所示为一个典型的直流电机控制电路。
电路得名于“H 桥式驱动电路”是因为它的形状酷似字母H。
4 个三极管组成H 的4 条垂直腿，而电机就是H 中的横杠（注意：图1 及随后的两个图都只是示意图，而不是完整的电路图，其中三极管的驱动电路没有画出来）。
一、H 桥原理图1 中所示为一个典型的直流电机控制电路。
电路得名于“H 桥式驱动电路”是因为它的形状酷似字母H。
4 个三极管组成H 的4 条垂直腿，而电机就是H 中的横杠（注意：图1 及随后的两个图都只是示意图，而不是完整的电路图，其中三极管的驱动电路没有画出来）。
如图所示，H 桥式电机驱动电路包括4 个三极管和一个电机。
要使电机运转，必须导通对角线上的一对三极管。
根据不同三极管对的导通情况，电流可能会从左至右或从右至左流过电机，从而控制电机的转向。
图1 H 桥式电机驱动电路要使电机运转，必须使对角线上的一对三极管导通。
例如，如图2 所示，当Q1 管和Q4 管导通时，电流就从电源正极经Q1 从左至右穿过电机，然后再经Q4 回到电源负极。
按图中电流箭头所示，该流向的电流将驱动电机顺时针转动。
当三极管Q1 和Q4 导通时，电流将从左至右流过电机，从而驱动电机按特定方向转动（电机周围的箭头指示为顺时针方向）。
图2 H 桥电路驱动电机顺时针转动图3 所示为另一对三极管Q2 和Q3 导通的情况，电流将从右至左流过电机。
当三极管Q2 和Q3 导通时，电流将从右至左流过电机，从而驱动电机沿另一方向转动（电机周围的箭头表示为逆时针方向）。
图3 H 桥电路驱动电机逆时针转动二、使能控制和方向逻辑驱动电机时，保证H 桥上两个同侧的三极管不会同时导通非常重要。
如果三极管Q1 和Q2 同时导通，那么电流就会从正极穿过两个三极管直接回到负极。
此时，电路中除了三极管外没有其他任何负载，因此电路上的电流就可能达到最大值（该电流仅受电源性能限制），甚至烧坏三极管。
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CD4011中文资料
四2输入与非门CMOS芯片
逻辑表达式：Y = A.B
真值表
(1)当X=0、Y=0时，将使两个NAND门之输出均为1，违反触发器之功用，故禁止使用。
如真值表第一列。
(2)当X=0、Y=1时，由于X=1导致NAND-A的输出为”1”，使得NAND-B的两个输入均为”1”，因此NAND-B的输出为”0”，如真值表第二列。
(3)当X=1、Y=0时，由于Y=0导致NAND-B的输出为”1”，使得NAND-1的两个输入均为””1，因此NAND-A的输出为”0”，如真值表第三列。
(4)当X=1、Y=1时，因为一个””1不影响NAND门的输出，所以两个NAND门的输出均不改变状态，如真值表第四列。
CD4011引脚图及引脚功能:
图1 CD4011引脚图
管脚功能：
1A 数据输入端
2A 数据输入端
3A 数据输入端
4A 数据输入端
1B 数据输入端
2B 数据输入端
3B 数据输入端
4B 数据输入端
VDD 电源正
VSS 地
1Y 数据输出端
2Y 数据输出端
3Y 数据输出端
4Y 数据输出端
CD4011内部结构框图:
图2 CD4011内部逻辑结构图
图3 CD4011内部保护网络
图4 CD4011逻辑图
CD4011电气特性:
VDD电压范围：－０.5V to 18Ｖ功耗：双列普通封装 700mW
小型封装 500mW
工作温度范围：
CD4011BM -55℃ - +125℃。