模拟电子技术习题解 ppt课件
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模拟电子技术第1章PPT课件
多数载流子——自由电子 施主离子
少数载流子—— 空穴
7
8
2. P型半导体
在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓等。
硅原子
+4
空穴
+4
硼原子
+4
8
电子空穴对
空穴
+4 +4
P型半导体
－ － －－
+3 +4
－ － －－
－ － －－
+4 +4
受主离子
多数载流子—— 空穴 少数载流子——自由电子 9
杂质半导体的示意图
(1) 稳定电压UZ ——
在规定的稳压管反向工作电流IZ下UZ，所对应的Iz反min 向工作电u压。
(2) 动态电阻rZ ——
△I
rZ =U /I
rZ愈小，反映稳压管的击穿特性△愈U 陡。
I zmax
(3) 最小稳定工作 电流IZmin——
保证稳压管击穿所对应的电流，若IZ＜IZmin则不能稳压。
(4) 最大稳定工作电流IZmax——
17
EW
R
18
(2) 扩散电容CD
当外加正向电压
不同时，PN结两 + 侧堆积的少子的 数量及浓度梯度 也不同，这就相 当电容的充放电 过程。
P区 耗 尽 层 N 区 －
P 区中电子 浓度分布
N 区中空穴 浓度分布
极间电容（结电容）
Ln
Lp
x
电容效应在交流信号作用下才会明显表现出来
18
19
1.2 半导体二极管
30
31
四、稳压二极管
稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊二极管
பைடு நூலகம்
模拟电子技术基础习题ppt课件
17. 当静态工作点设置偏高时，会引起___饱和___失真，单 级共射放大电路输出电压波形的____底部__半周产生削波， 需将基极上偏置电阻的值调____大____。
18. 造成放大电路静态工作点不稳定的因素很多，其中影响 最大的是____温度升高____。
19. 三种基本组态的放大电路中，与相位相反的是___共射 ___电路，与相位相同的是____共集和共基_____电路。
9. 理想二极管正向电阻为__零__，反向电阻为__无穷大___， 这两种状态相当于一个___理想的开关___。
10. 稳压管工作在伏安特性的__反向特性区___，在该区内 的反向电流有较大变化，但它两端的电压__几乎不变__。
11. 当温度升高时，二极管的正向特性曲线将__左移___， 反向特性曲线将__下移__。
质。 2. 利用半导体的__杂敏__特性，制成杂质半导体；利用半导
体的__光敏__特性，制成光敏电阻；利用半导体的_热敏__ 特性，制成热敏电阻。 3. PN结加正向电压时_导通__，加反向电压时_截止_，这种特 性称为PN结_单向导电性_特性。 4. PN结正向偏置时P区的电位_高于_N区电位。 5. 二极管正向导通的最小电压称为_正向电压_电压，使二极 管反向电流急剧增大所对应的电压称为__反向击穿电压__ 电压。
10. 晶体管放大电路中，三个电极的电位分别
为 V1 4V ，V2 1.2V ，V3 1.5V，试判断晶体管的类型是 ___PNP_____，材料是____锗___。
11. 温度升高时，晶体管的电流放大系数将___增加___，穿 透电流将___增加___，发射极电压将___减小____。
12 温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将____左___移， 输出特性曲线将___上____移，而且输出特性曲线的间隔 将变____大___。
18. 造成放大电路静态工作点不稳定的因素很多，其中影响 最大的是____温度升高____。
19. 三种基本组态的放大电路中，与相位相反的是___共射 ___电路，与相位相同的是____共集和共基_____电路。
9. 理想二极管正向电阻为__零__，反向电阻为__无穷大___， 这两种状态相当于一个___理想的开关___。
10. 稳压管工作在伏安特性的__反向特性区___，在该区内 的反向电流有较大变化，但它两端的电压__几乎不变__。
11. 当温度升高时，二极管的正向特性曲线将__左移___， 反向特性曲线将__下移__。
质。 2. 利用半导体的__杂敏__特性，制成杂质半导体；利用半导
体的__光敏__特性，制成光敏电阻；利用半导体的_热敏__ 特性，制成热敏电阻。 3. PN结加正向电压时_导通__，加反向电压时_截止_，这种特 性称为PN结_单向导电性_特性。 4. PN结正向偏置时P区的电位_高于_N区电位。 5. 二极管正向导通的最小电压称为_正向电压_电压，使二极 管反向电流急剧增大所对应的电压称为__反向击穿电压__ 电压。
10. 晶体管放大电路中，三个电极的电位分别
为 V1 4V ，V2 1.2V ，V3 1.5V，试判断晶体管的类型是 ___PNP_____，材料是____锗___。
11. 温度升高时，晶体管的电流放大系数将___增加___，穿 透电流将___增加___，发射极电压将___减小____。
12 温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将____左___移， 输出特性曲线将___上____移，而且输出特性曲线的间隔 将变____大___。
《模拟电子技术》PPT课件
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8
7.1.3 分类
二、乙类放大器
该电路的Q点设置在截止区. 优点是：三极管仅在输入信号的半个周期内 导通。这时，三极管的静态电流ICQ=0，管耗 PC小，能量转换效率高，最高可达到78% 。 缺点是：只能对半个周期的输入信号进行放 大，非线性失真大。
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9
7.1.3 分类
三、甲乙类放大器
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15
7.2.1 乙类互补对称OCL 功率放大电路
三.信号波形图解
电路在有信号时，
VT1 和 VT2 轮 流 导 电 ，
交替工作，使流过负载
RL 的 电 流 为 一 完 整 的 正
弦信号。由于两个不同
极性的管子互补对方的
不足，工作性能对称，
所以这种电路通常称为
互补对称式功率放大电
路. 完整版ppt
最大损耗功率
Pcmax
2 π2
VC2C RL
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20
7.2.2 甲乙类互补对称OCL 功率放大电路
一.乙类功放的交越失真
输入信号很小时，达 不到三极管的开启电 压，三极管不导电。 因此在正、负半周交 替过零处会出现一些 非线性失真，这个失 真称为交越失真。
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21
7.2.2 甲乙类互补对称OCL 功率放大电路
用放大器件的控制作用，把直流电源的 能量转化为按输入信号规律变化的交变 能量输出给负载.
但功率放大电路输入信号幅度较大, 它的主要任务是使负载得到尽可能不失 真信号功率。
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3
7.1 低频功率放大电路概述
7.1.1 功率放大电路的特点 7.1.2功率放大电路的基本要求 7.1.3分类
模拟电子技术PPT课件全套课件
扩散运动加强形成正向电流 IF 。 外电场使多子向 PN 结移动, 中和部分离子使空间电荷区变窄。 限流电阻
+
U
R
IF = I多子 I少子 I多子
2. 外加反向电压(反向偏置) — reverse bias IR 漂移运动加强形成反向电流 IR
P区 N区
U R PN 结的单向导电性：正偏导通，呈小电阻，电流较大; 反偏截止，电阻很大，电流近似为零。
C (cathode)
点接触型 按结构分 面接触型 平面型
正极引线 PN 结 N型锗 金锑 合金
正极 负极 引线 引线
引线
P N
P 型支持底衬
外壳
触丝
负极引线
点接触型
面接触型
底座
集成电路中平面型
1.2.2 二极管的伏安特性 一、PN 结的伏安方程
玻尔兹曼 常数
i D I S (e
反向饱 和电流
模块1
常用半导体器件
1.1 半导体的基本知识
1.2 半导体二极管
1.3 半导体三极管
1.4 场效应管 1.5 晶闸管及应用
1.1 半导体的基础知识
1.1.1 本征半导体 半导体 — 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。 本征半导体 — 纯净的半导体。如硅、锗单晶体。 载流子 — 自由运动的带电粒子。 共价键 — 相邻原子共有价电子所形成的束缚。
uD / UT
1)
温度的 电压当量
kT UT q
电子电量
当 T = 300(27C)：
UT = 26 mV
二、二极管的伏安特性
iD /mA
0 U Uth
uD /V
iD = 0
《模拟电子技术》课件
《模拟电子技术》PPT课件
CATALOGUE
目录
模拟电子技术概述模拟电子技术基础知识模拟电路分析模拟电子技术实践应用模拟电子技术面临的挑战与解决方案模拟电子技术未来展望
01
模拟电子技术概述
总结词
模拟电子技术是研究模拟电子电路及其应用的科学技术，具有模拟信号处理的特点。
详细描述
模拟电子技术主要涉及对模拟信号的处理，即对连续变化的电压或电流信号进行处理，实现信号的放大、滤波、转换等功能。与数字电子技术相比，模拟电子技术具有处理连续信号、实时性强、精度高等特点。
例如，石墨烯、氮化镓等新型材料具有优良的导电性能和热稳定性，可以应用于高性能的电子器件中。
此外，还有一些新型复合材料也逐渐被应用于模拟电子技术中，以提高器件的性能和稳定性。
03
此外，还需要加强人才培养和技术交流，提高电路设计师的技术水平和创新能力。
01
高性能电路设计是模拟电子技术的重要组成部分，也是实现高性能电子器件的关键。
二极管的结构
二极管由一个PN结和两个电极组成，其结构简单、可靠，应用广泛。
正向导通特性
当二极管正向偏置时，电流可以通过PN结，表现出低阻抗的导通特性。
反向截止特性
当二极管反向偏置时，电流很难通过PN结，表现出高阻抗的截止特性。
03
02
01
1
2
3
三极管由三个半导体组成，包括两个N型和一个P型半导体，具有三个电极。
总结词
滤波电路是一种根据特定频率范围对信号进行筛选和处理的电路，主要用于提取有用信号、抑制噪声和干扰。
详细描述
滤波电路通过利用电感器和电容器的频率特性，将信号中特定频率范围内的成分保留或滤除，从而实现信号的处理和控制。常见的滤波电路有低通滤波器、高通滤波器和带通滤波器等。
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目录
模拟电子技术概述模拟电子技术基础知识模拟电路分析模拟电子技术实践应用模拟电子技术面临的挑战与解决方案模拟电子技术未来展望
01
模拟电子技术概述
总结词
模拟电子技术是研究模拟电子电路及其应用的科学技术，具有模拟信号处理的特点。
详细描述
模拟电子技术主要涉及对模拟信号的处理，即对连续变化的电压或电流信号进行处理，实现信号的放大、滤波、转换等功能。与数字电子技术相比，模拟电子技术具有处理连续信号、实时性强、精度高等特点。
例如，石墨烯、氮化镓等新型材料具有优良的导电性能和热稳定性，可以应用于高性能的电子器件中。
此外，还有一些新型复合材料也逐渐被应用于模拟电子技术中，以提高器件的性能和稳定性。
03
此外，还需要加强人才培养和技术交流，提高电路设计师的技术水平和创新能力。
01
高性能电路设计是模拟电子技术的重要组成部分，也是实现高性能电子器件的关键。
二极管的结构
二极管由一个PN结和两个电极组成，其结构简单、可靠，应用广泛。
正向导通特性
当二极管正向偏置时，电流可以通过PN结，表现出低阻抗的导通特性。
反向截止特性
当二极管反向偏置时，电流很难通过PN结，表现出高阻抗的截止特性。
03
02
01
1
2
3
三极管由三个半导体组成，包括两个N型和一个P型半导体，具有三个电极。
总结词
滤波电路是一种根据特定频率范围对信号进行筛选和处理的电路，主要用于提取有用信号、抑制噪声和干扰。
详细描述
滤波电路通过利用电感器和电容器的频率特性，将信号中特定频率范围内的成分保留或滤除，从而实现信号的处理和控制。常见的滤波电路有低通滤波器、高通滤波器和带通滤波器等。
模拟电子技术基础A 第3章习题的答案-PPT课件
U GS 2 ID ID S( 1 ) S U GS (o f) f
2. 两种基本接法电路的分析：CS、CD
2）动态性能指标的计算：微变等效电路
2 gm ID ID O Q U G S (th )
2 g ID ID m S S Q U G S (o ff)
3-3已知某N沟道结型场效应管的UGS(off)=- 5V。下表给出 四种状态下的UGS和UDS 的值，判断各状态下的管子工作在什 么区。（ a.恒流区 b.可变电阻区 c.截止区 ）
2. 两种基本接法电路的分析：CS、CD 1）静态工作点的分析计算。 • 利用场效应管栅极电流为0，得到栅源电压与 漏极电流之间关系式。 • 列出场效应管在恒流区的电流方程。 联立上述两方程，求解UGSQ和IDQ，并推算 UDSQ。 • 注意解算后应使得管子工作在恒流区。
5
U 2 GS ID IDO ( 1 ) U GS (th )
－
3-7：如图所表示的电路图。已知 UGS=-2V,场 效应管子的IDSS=2mA,UGS(off)=-4V。
• 1.计算ID和Rs1的值。
解：
I I ( 1 ) 0 . 5 m A D Q D S S U G S ( o f f)
2
U G S Q
U GSQ U GQ U SQ 2V RS1 U GSQ ID 2V 4 k 0 . 5 mA
3-4: 判断图所示的电路能否正常放大 ，并说明原因。
• 绝缘栅型N沟道耗尽型ห้องสมุดไป่ตู้场效应管。 • 因为没有漏极电阻， 使交流输出信号到地 短路uo无法取出。 • 不能。
3-4: 判断图所示的电路能否正常放大 ，并说明原因。
• 满足正常放大条件。 如在输入端增加大电 阻RG,可有效提高输入 电阻。 • 能。
模拟电子技术基础课件(全)
04
模拟电子电路分析
模拟电路的组成
负载
电路的输出部分，可以是电阻、 电容、电感等元件。
开关
控制电路的通断。
电源
为电路提供所需电压和电流。
传输线
连接电源和负载的导线或传输 介质。
保护元件
如保险丝、空气开关等，保护 电路免受过载或短路等故障的 影响。
模拟电路的分析方法
01
02
03
04
欧姆定律
用于计算电路中的电流和电压 。
稳定性影响因素
电路中的元件参数、电源电压、负载变化等 都会影响电路的稳定性。
稳定性分析方法
通过计算电路的极点和零点，分析系统的稳 定性。
提高稳定性的措施
如采用负反馈、调整元件参数等手段，提高 电路的稳定性。
05
模拟电子技术的应用
音频信号处理
音频信号放大
模拟电子技术可以用于放大音频 信号，提高声音质量，使声音更 加清晰和饱满。
技术进步与创新
绿色与可持续发展
随着科技的不断发展，模拟电子技术 也在不断创新和进步。新型材料、工 艺和设计方法的应用将进一步提高模 拟电路的性能和集成度。
在环保意识日益增强的背景下，模拟 电子技术将更加注重绿色、节能和可 持续发展，推动产业向低碳、环保的 方向发展。
与其他技术的融合
模拟电子技术正与其他领域的技术相 互融合，如人工智能、物联网和生物 医疗等，为各种应用场景提供更高效、 更智能的解决方案。
欧姆定律和基尔霍夫定律是电 路分析的基本定律，对于理解 和分析电路具有重要的作用。
电路分析方法
支路电流法
通过设定未知的电流为变量，建立并解决包含这些变量的线性方程组 来求解电路的方法。
模拟电子技术第一章PPT课件
06 反馈放大电路
反馈的基本概念
反馈：将放大电路输出信号的一部分或全部，通过一定 的方式（反馈网络）送回到输入端的过程。
反馈的判断：瞬时极性法。
反馈的分类：正反馈和负反馈。 反馈的连接方式：串联反馈和并联反馈。
正反馈和负反馈
正反馈
反馈信号使输入信号增强的反 馈。
负反馈
反馈信号使输入信号减弱的反 馈。
集成化与小型化
随着便携式设备的普及，模拟电子技术需要实现 更高的集成度和更小体积，以满足设备小型化的 需求。
未来发展趋势
智能化
01
随着人工智能技术的发展，模拟电子技术将逐渐实现智能化，
能够自适应地处理各种复杂信号和数据。
高效化
02
未来模拟电子技术将更加注重能效，通过优化电路设计和材料
选择，提高能量利用效率和系统稳定性。
电压放大倍数的大小与电路中 各元件的参数有关，可以通过 调整元件参数来改变电压放大 倍数。在实际应用中，需要根 据具体需求选择合适的电压放 大倍数。
输入电阻和输出电阻
总结词
详细描述
总结词
详细描述
输入电阻和输出电阻分别表 示放大电路对信号源和负载 的阻抗，影响信号源和负载 的工作状态。
输入电阻越大，信号源的负 载越轻，信号源的输出电压 越稳定；输出电阻越小，放 大电路对负载的驱动能力越 强，负载得到的信号电压越 大。
共基放大电路和共集放大电路
共基放大电路的结构和工作原理
共基放大电路是一种特殊的放大电路，其输入级和输出级采用相同的晶体管，输入信号 通过输入级进入，经过晶体管的放大作用，输出信号被送到输出级，最终输出放大的信
号。
共集放大电路的结构和工作原理
共集放大电路是一种常用的放大电路，其结构包括输入级、输出级和偏置电路。输入信 号通过输入级进入，经过晶体管的放大作用，输出信号被送到输出级，最终输出放大的 信号。共集放大电路的特点是电压增益高、电流增益低、输出电压与输入电压同相位。
模拟电子技术例题习题ppt课件
IBQ V BB R U bBE Q 1 V 5 K 0 .7 V60 A
ICQ=βIBQ=5060μA=3mA。
uo=VCC-ICQRC=9V 所以T处于放大状态
. 第10页
模拟电子技术B
1.10 电路如图P1.10所示，晶体管导通时 UBE＝0.7V，β=50。试分析VBB为0V、1V、 3V三种情况下T的工作状态及输出电压uO 的值。 【解】
Q3Q4: Q3和Q4负载线平行，说明RC无变化，由于负载线变陡， Q3Q4 的原因是VCC增大。
.
第17页
模拟电子技术B
讨论
例题习题
1. 在什么参数、如何变化时Q1→ Q2 → Q3 → Q4？ 2. 从输出电压上看，哪个Q点下最易产生截止失真？哪 个Q点下最易产生饱和失真？哪个Q点下Uom最大？ 3. 设计放大电路时，应根据什么选择VCC？
静 态工作点Q（直流值）：UBEQ、IBQ、 ICQ 和UCEQ
IBQVBBUBEQ Rb
ICQ= IBQ
T
U VI R
CQ E
CC C Q C
基本共射放大电路
. 第12页
模拟电子技术B
2. 常见的两种共射放大电路 (1) 直接耦合放大电路 （ RL＝∞ ）
Ib2 IBQ
Ube
Ib1例题习题源自已知Ib2=Ib1+IBQ
Q3Q4: Q3和Q4负载线平行，说明RC无变化，由于负载线变陡， Q3Q4 的原因是VCC增大。
.
第19页
模拟电子技术B
基本共射放大电路的直流通路和交流通路
例题习题
I
BQ
＝
V
BB
－U Rb
BEQ
I CQ I BQ
ICQ=βIBQ=5060μA=3mA。
uo=VCC-ICQRC=9V 所以T处于放大状态
. 第10页
模拟电子技术B
1.10 电路如图P1.10所示，晶体管导通时 UBE＝0.7V，β=50。试分析VBB为0V、1V、 3V三种情况下T的工作状态及输出电压uO 的值。 【解】
Q3Q4: Q3和Q4负载线平行，说明RC无变化，由于负载线变陡， Q3Q4 的原因是VCC增大。
.
第17页
模拟电子技术B
讨论
例题习题
1. 在什么参数、如何变化时Q1→ Q2 → Q3 → Q4？ 2. 从输出电压上看，哪个Q点下最易产生截止失真？哪 个Q点下最易产生饱和失真？哪个Q点下Uom最大？ 3. 设计放大电路时，应根据什么选择VCC？
静 态工作点Q（直流值）：UBEQ、IBQ、 ICQ 和UCEQ
IBQVBBUBEQ Rb
ICQ= IBQ
T
U VI R
CQ E
CC C Q C
基本共射放大电路
. 第12页
模拟电子技术B
2. 常见的两种共射放大电路 (1) 直接耦合放大电路 （ RL＝∞ ）
Ib2 IBQ
Ube
Ib1例题习题源自已知Ib2=Ib1+IBQ
Q3Q4: Q3和Q4负载线平行，说明RC无变化，由于负载线变陡， Q3Q4 的原因是VCC增大。
.
第19页
模拟电子技术B
基本共射放大电路的直流通路和交流通路
例题习题
I
BQ
＝
V
BB
－U Rb
BEQ
I CQ I BQ
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2.7.2和2.7.9(a)所示；设图中Re<Rb，且ICQ、 IDQ均相等。
选择正确答案填入空内，只需填A、 B、……
图2.2.1 共射电路
图2.5.1 共集电路
图2.5.4 共基电路
2.7.2 共源电路
2.7.9 共漏电路
（1）输入电阻最小的电路是 共基电路 ，最大的 是 共源、共漏电路；
失真，若此时增大输入电压，则输出电压波形将
；
AA.顶部失真 B.底部失真
C.为正弦波
（4）若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可
将B 。
A.RW减小 B.RC减小 C.VCC减小
五、现有直接耦合基本放大电路如下：
A.共射电路 D.共源电路
B.共集电路 E.共漏电路
C.共基电路
它们的电路分别如图2.2.1、2.5.1(a)、2.5.4(a)、
Au
80 5 1400Fra bibliotek(4)
Au
80 2.5 1
200
＝80，rbe＝1kΩ ，＝20mV；静态时UBEQ＝0.7V，
UCEQ＝4V，IBQ＝20μ A。
(5)
Ri
( 20)k 20
1k
(6)
Ri
( 0.7 )k 0.02
35k
(7) Ri 3k
解：根据电路接法，可分别采用耗尽
型N沟道和P沟道MOS管。
习题
2.1按要求填写下表。
电路名称 连接方式（e、c、b） 性能比较（大、中、小）
公共极 输入极 输出极 Au A i Ri Ro 其它
共射电路 e
b
c 大 大小 大
共集电路 c
b
e 小 大大小
共基电路 b
e
c
大 小 小 大 频带宽
2.2分别改正图示各电路中的错误，使它们有可能放 大正弦波信号。要求保留电路原来的共射接法和耦 合方式。
2.5在图P2.5所示电路中，已知晶体管的＝80，rbe＝
1kΩ ，＝20mV；静态时UBEQ＝0.7V，UCEQ＝4V， IBQ＝20μ A。判断下列结论是否正确，凡对的在括号 内打“”，否则打“×”。
(1)
Au
4 20 103
200
(2)
Au
4 0.7
5.71
(3)
（1）该电路的最大不失真输出电
压有效值Uom≈ B ；
A.2V
B.3V C.6V
因为： IC
VCC
UCEQ RC
2mA
IC RL 3V
（2）当Ui＝1mV时，若在不 失真的条件下，减小RW，则输
出电压的幅值将 C ；
A.减小 B.不变 C.增大
（3）在Ui＝1mV时，将Rw调到输出电压最大且刚好不
(8) Ri 1k
不能。因为输入 信号被VBB短路。
可能。
不能。因为没有合适的静态 不能。晶体管将因发
工作点，IBQ=0，信号失真。 射结电压过大而损坏。
不能。因为输入 信号被C2短路。
不能。因为输出信号 被VCC短路，恒为零。
可能。
不合理。因为G-S间电 压将大于零。
不能。因为T截止。
三、在图示电路中， 已知VCC＝12V，晶体管的＝
UCEQ VCC ICQ RC 6V
所以最大不失真输出电压峰
值约为5.3V，有效值约为
3.75V。
带载时：IBQ＝20μ A，ICQ＝ 2mA，UCEQ＝3V；最大不失 真输出电压峰值约为2.3V，
有效值约为1.63V。
空载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝6V。 带载时：IBQ＝20μ A，ICQ＝2mA，UCEQ＝3V。
（2）输出电阻最小的电路是 共集电路 ； （3）有电压放大作用的电路是 共射、共基、；共源电路
共射、共集、共源、
（4）有电流放大作用的电路是 共漏电路
；
（5）高频特性最好的电路是 共基电路 ；
共集、共基、 （6）输入电压与输出电压同相的电路是 共漏电路 ；
反相的电路是 共射、共源电路 。
六、未画完的场效应管放大电路如图所示，试将合适 的场效应管接入电路，使之能够正常放大。要求给出 两种方案。
第二章 基本放大电路
自测题 习题
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自测题
一、在括号内用“”或“×”表明下列说法是否正 （1）只有电路既放大电流确又。放大电压，才称其有放
大作用；（ ）
（2）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（ ）
（3）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提 供的；（ ）
（4）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的； （）
R3
2.4 电路如图a所示，图b是晶体管的输出特性，静态
时UBEQ＝0.7V。利用图解法分别求出RL＝∞和RL＝ 3kΩ 时的静态工作点和最大不失真输出电压Uom（有 效值）。
解：由晶体管的输出特性可知，=100
空载时：
I BQ
1 0.7 15
mA
20μA
ICQ IBQ 2mA
－VCC改 为＋VCC
加Rb
VBB反接且在 输入端串电阻
加Rb和Rc
2.2 画出图示各电路的直流通路和交流通路。设 所有电容对交流信号均可视为短路。
直流通路 +VCC
R1 R2
R3
(a) 交流通路
直流通路
R3
R4
R1
R2
VCC
交流通路
+
+
ui R1 –
R4
uo
–
R1
直流通路
R1
R2 VCC
100，R’b＝100kΩ 。填空：要求先填文字表达式后 填得数。
（1）当＝0V时，测得UBEQ＝
0.7V，若要基极电流IBQ＝20μ A，
则 R’b和RW之和Rb＝ VCC UBEQ
≈ 565
I BQ
kΩ ；而若测得
UCEQ＝6V，则Rc＝
VCC UCEQ
IBQ
≈
3 kΩ 。
（2）若测得输入电压有效
（5）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作； （） （6）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直 流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（ ）
（7）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真 都是饱和失真。（ ）
二、试分析图示各电路是否能够放大正弦交流信号， 简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
值=5mV时，输出电压有效
值 U＝O 0.6V， 则电压放大
倍数 Au
Uo
＝
Ui ≈ –12。0
若负载电阻RL值与RC相等 ，
则带上负载后输出电
压有效值UO＝
RL RC＋RL
U
' o
=
0.3 V。
四、已知图T2.3所示电路中VCC＝12V，RC＝3kΩ ， 静态管压降UCEQ＝6V；并在输出端加负载电阻RL， 其阻值为3kΩ 。选择一个合适的答案填入空内。
选择正确答案填入空内，只需填A、 B、……
图2.2.1 共射电路
图2.5.1 共集电路
图2.5.4 共基电路
2.7.2 共源电路
2.7.9 共漏电路
（1）输入电阻最小的电路是 共基电路 ，最大的 是 共源、共漏电路；
失真，若此时增大输入电压，则输出电压波形将
；
AA.顶部失真 B.底部失真
C.为正弦波
（4）若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可
将B 。
A.RW减小 B.RC减小 C.VCC减小
五、现有直接耦合基本放大电路如下：
A.共射电路 D.共源电路
B.共集电路 E.共漏电路
C.共基电路
它们的电路分别如图2.2.1、2.5.1(a)、2.5.4(a)、
Au
80 5 1400Fra bibliotek(4)
Au
80 2.5 1
200
＝80，rbe＝1kΩ ，＝20mV；静态时UBEQ＝0.7V，
UCEQ＝4V，IBQ＝20μ A。
(5)
Ri
( 20)k 20
1k
(6)
Ri
( 0.7 )k 0.02
35k
(7) Ri 3k
解：根据电路接法，可分别采用耗尽
型N沟道和P沟道MOS管。
习题
2.1按要求填写下表。
电路名称 连接方式（e、c、b） 性能比较（大、中、小）
公共极 输入极 输出极 Au A i Ri Ro 其它
共射电路 e
b
c 大 大小 大
共集电路 c
b
e 小 大大小
共基电路 b
e
c
大 小 小 大 频带宽
2.2分别改正图示各电路中的错误，使它们有可能放 大正弦波信号。要求保留电路原来的共射接法和耦 合方式。
2.5在图P2.5所示电路中，已知晶体管的＝80，rbe＝
1kΩ ，＝20mV；静态时UBEQ＝0.7V，UCEQ＝4V， IBQ＝20μ A。判断下列结论是否正确，凡对的在括号 内打“”，否则打“×”。
(1)
Au
4 20 103
200
(2)
Au
4 0.7
5.71
(3)
（1）该电路的最大不失真输出电
压有效值Uom≈ B ；
A.2V
B.3V C.6V
因为： IC
VCC
UCEQ RC
2mA
IC RL 3V
（2）当Ui＝1mV时，若在不 失真的条件下，减小RW，则输
出电压的幅值将 C ；
A.减小 B.不变 C.增大
（3）在Ui＝1mV时，将Rw调到输出电压最大且刚好不
(8) Ri 1k
不能。因为输入 信号被VBB短路。
可能。
不能。因为没有合适的静态 不能。晶体管将因发
工作点，IBQ=0，信号失真。 射结电压过大而损坏。
不能。因为输入 信号被C2短路。
不能。因为输出信号 被VCC短路，恒为零。
可能。
不合理。因为G-S间电 压将大于零。
不能。因为T截止。
三、在图示电路中， 已知VCC＝12V，晶体管的＝
UCEQ VCC ICQ RC 6V
所以最大不失真输出电压峰
值约为5.3V，有效值约为
3.75V。
带载时：IBQ＝20μ A，ICQ＝ 2mA，UCEQ＝3V；最大不失 真输出电压峰值约为2.3V，
有效值约为1.63V。
空载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝6V。 带载时：IBQ＝20μ A，ICQ＝2mA，UCEQ＝3V。
（2）输出电阻最小的电路是 共集电路 ； （3）有电压放大作用的电路是 共射、共基、；共源电路
共射、共集、共源、
（4）有电流放大作用的电路是 共漏电路
；
（5）高频特性最好的电路是 共基电路 ；
共集、共基、 （6）输入电压与输出电压同相的电路是 共漏电路 ；
反相的电路是 共射、共源电路 。
六、未画完的场效应管放大电路如图所示，试将合适 的场效应管接入电路，使之能够正常放大。要求给出 两种方案。
第二章 基本放大电路
自测题 习题
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自测题
一、在括号内用“”或“×”表明下列说法是否正 （1）只有电路既放大电流确又。放大电压，才称其有放
大作用；（ ）
（2）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（ ）
（3）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提 供的；（ ）
（4）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的； （）
R3
2.4 电路如图a所示，图b是晶体管的输出特性，静态
时UBEQ＝0.7V。利用图解法分别求出RL＝∞和RL＝ 3kΩ 时的静态工作点和最大不失真输出电压Uom（有 效值）。
解：由晶体管的输出特性可知，=100
空载时：
I BQ
1 0.7 15
mA
20μA
ICQ IBQ 2mA
－VCC改 为＋VCC
加Rb
VBB反接且在 输入端串电阻
加Rb和Rc
2.2 画出图示各电路的直流通路和交流通路。设 所有电容对交流信号均可视为短路。
直流通路 +VCC
R1 R2
R3
(a) 交流通路
直流通路
R3
R4
R1
R2
VCC
交流通路
+
+
ui R1 –
R4
uo
–
R1
直流通路
R1
R2 VCC
100，R’b＝100kΩ 。填空：要求先填文字表达式后 填得数。
（1）当＝0V时，测得UBEQ＝
0.7V，若要基极电流IBQ＝20μ A，
则 R’b和RW之和Rb＝ VCC UBEQ
≈ 565
I BQ
kΩ ；而若测得
UCEQ＝6V，则Rc＝
VCC UCEQ
IBQ
≈
3 kΩ 。
（2）若测得输入电压有效
（5）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作； （） （6）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直 流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（ ）
（7）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真 都是饱和失真。（ ）
二、试分析图示各电路是否能够放大正弦交流信号， 简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
值=5mV时，输出电压有效
值 U＝O 0.6V， 则电压放大
倍数 Au
Uo
＝
Ui ≈ –12。0
若负载电阻RL值与RC相等 ，
则带上负载后输出电
压有效值UO＝
RL RC＋RL
U
' o
=
0.3 V。
四、已知图T2.3所示电路中VCC＝12V，RC＝3kΩ ， 静态管压降UCEQ＝6V；并在输出端加负载电阻RL， 其阻值为3kΩ 。选择一个合适的答案填入空内。