M2型手持式数字式四探针测试仪简介
四探针测试仪操作规程
四探针测试仪操作规程SDY-4 型四探针测试仪是根据单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国ASTM标准而设计的,专用于测试半导体材料电阻率及方块电阻(薄层电阻)的专用仪器。
1.接上电源,开启主机,此时“R”和“I”指示灯亮。
预热约5分钟。
□2.检查工作条件:工作温度23±2℃,相对湿度为65%,满足以上条件方可进行下面操作。
3.根据硅片的直径厚度以及探针的修正系数,计算出所测硅片和标准样片的电流值。
4.取下测头保护罩,用酒精棉球擦拭测头及工作平台。
5.根据每个合同所要求电阻率值的范围,按说明书下表选择电流量程。
电阻率(Ω·cm)电流量程(mA)< 0.06 1000.03~0.6 100.3~60 1>30 0.16.用标准样片对测试仪进行校正,在硅片中心处至少检测3点,其平均值和标准样片电阻值进行比较,差值在1.5%之内,即可进行检测。
7.将已喷砂好的硅棒或者表面洁净的硅片放入探针架测试台面中心位置进行测试。
8.探针压在硅棒/片端面上的中心点,十点法要求对上、下端面测量,测量值稳定此时读取显示屏显示的电阻率值,并记录测量值。
如果有轴向测试要求,则将硅棒轴向端面进行打磨后测试轴向电阻率。
9.若测量过程中,显示屏出现测量值波动不稳定,超出偏差范围,停止工作,检查室温、硅棒测量面、及显示器是否出现异常。
10.整批测量完成,探针加上护罩,升降架下降到测量台面上方5cm-8cm处。
关闭电源开关。
注意事项:1、每次开机后需先测试标准电阻率样片/块,测试值与标称值偏差不能超过1.5%;2、硅棒、硅片测试表面温度需控制在22-24度之间,环境温度控制在21-25度之间;3、测试前需确认四探针重复测试精度,针对样片、块同一点测试3次,重复测试误差不超过1%;4、被测试表面需与四探针下降方向保持垂直;5、被测试表面需利用喷砂、打磨、酒精擦拭等方式使表面无异物沾污、表面平整无凹坑、无突起;6、电阻率测试存在诸多不确定因素,出现偏差大的现象请及时通知相关责任人处理。
四探针测试仪的技术参数
四探针测试仪的技术参数四探针测试仪是一种用于测量材料电阻率、电导率、薄膜厚度等物理性质的仪器。
它具有高精度、高灵敏度、重复性好等特点,被广泛应用于半导体、涂层、薄膜等领域。
本文将介绍四探针测试仪的技术参数,以便用户在选择和使用时能够更好地了解该仪器的性能和优势。
1. 电极间距四探针测试仪的电极间距是指四个探针之间的距离,也称为探针间距。
不同的电极间距适用于不同的测试范围和需求。
在薄膜测量和研究中,0.1mm到10mm 的电极间距是比较常见的,而在半导体器件测试中,电极间距通常是几十微米到几毫米。
电极间距的精度越高,测试数据的精度也会更高。
2. 测试范围四探针测试仪的测试范围是指其可测量的电阻率范围或者电导率范围。
在实际应用中,测试范围应根据被测试物质的特性和需求而定。
较低的电阻率可用于半导体器件测试,而较高的电阻率通常用于涂层、薄膜等领域。
根据测试范围的不同,四探针测试仪还可测量物质的电荷密度、载流子浓度等物理量。
3. 精度四探针测试仪的精度是指测试结果的准确程度。
确保仪器精度是选择仪器时的重要因素。
仪器的精度受到多种因素的影响,包括仪器本身技术水平、电极间距、被测样品的性质和几何形状等。
一般而言,四探针测试仪的精度可达到0.01%至1%。
4. 工作频率四探针测试仪的工作频率是指测试时所使用的交流电压的频率。
在测量材料电阻率时,高频率可以减少热效应,从而减小误差。
而在测量材料的介电常数时,低频率的交流电压更有利于获得真实的测试结果。
因此,在使用四探针测试仪时,需要根据被测试材料的特性选择合适的工作频率。
5. 数据输出方式四探针测试仪的数据输出方式分为两种:数字输出和模拟输出。
数字输出通常用于自动处理测试数据和自动控制测量等应用,而模拟输出则适用于需要手动分析和处理数据的应用。
现代四探针测试仪通常都具有数字化的数据处理功能,能够自动输出测试结果,并直接传输到计算机或其他外部设备。
6. 附加功能现代四探针测试仪通常还具有一些附加功能,以提高仪器的性能和可靠性。
KEITHLEY四探针操作手册
KEITHLEY四探针操作手册南开大学硅光电子学与储能实验室四探针操作手册Four-Point Probe Operation | 2011四探针操作说明书Four-Point Probe Operation第1章第2章引言1.目的本说明书主要介绍用四探针法测试薄膜方块电阻及电阻率的原理及具体操作方法。
2.应用范围测量参数:方块电阻,电阻率测量样品:均匀薄膜,均匀薄片方块电阻测试范围:0.01Ω~500MΩ电阻率测试范围:10-5Ω∙cm~103Ω∙cm样品大小:直径>1cm精度:<±5%3.测试设备➢四探针生产厂商:广州四探针有限公司RTS-2型基本指标:间距:1±0.01mm;针间绝缘电阻: ≥1000MΩ;机械游移率: ≤0.3%;探针:碳化钨或高速钢材质,探针直径Ф0.5mm;探针压力:5~16 牛顿(总力);使用环境:温度::23±2℃;相对湿度:≤65%;无高频干扰;无强光直射;基本参数:Fsp=0.1探针间距:1.0mm➢数字电压源表生产厂商:KEITHLEY 2400高压源表技术参数:准确度:0.012%功率:20w型号:2400品牌:吉时利测量范围:可选高电压(1100V)或大电流(3A)源/测量(A)KEITHLEY2400通用型源表,最大可测量200V 的电流和1A的电流,输出功率20W.主要特点及优点:设计用于高速直流参数测度2400系列提供宽动态范围:10pA to 10A, 1μV to1100V, 20W to 1000W四象限工作0.012%的精确度,5 1/2 的分辨率可程控电流驱动和电压测量钳位的6位线电阻测量在4 1/2 数位时通过GPIB达1700读数/秒内置快速失败/通过测试比较器可选接触式检查功能数字I/O提供快速分选与机械手连接GPIB, RS-232, 和触发式连接面板TestPoint and LabVIEW驱动第3章原理简述将四根排成一条直线的探针以一定的压力垂直地压在被测样品表面上,在 1、4 探针间通以电流 I(mA),2、3 探针间就产生一定的电压V(mV)(如图1)。
四探针测试标准
四探针测试标准“四探针测试标准”是指用四根相互垂直的探针对电路板上某一点进行测试,并得出相应数据的标准方法。
这一标准是电子制造工业中必不可少的一项检测方法,其准确性和可靠性越来越受到人们的重视。
下面分步骤阐述“四探针测试标准”的具体实现方法。
第一步:探针尺寸的确认四探针测试的尺寸非常重要,不同的应用场景需要不同大小的探针。
比如,在芯片测试领域,通常使用直径小于10um的探针。
而在生产线上,则需要更大一些的探针进行检测。
除此之外,探针的材质、长度等也需考虑。
第二步:探针的制作根据不同尺寸需求,制作符合标准的探针。
通常,探针尖端是用金属制成的,以便用于导电测试。
金属杆需要精确加工,确保探针的精度符合标准要求。
之后,探针还需要进行表面处理,通常是镀金或镀银。
第三步:探针的安装要保证测试的准确性,探针必须在正确的位置安装。
通常,测试就接在芯片的表面,需要四个探针沿着水平和垂直方向对芯片进行测试。
要确保四个探针之间的距离均匀,并且安装的准确度必须达到0.1 um以下。
第四步:测试仪器的选择和设置四探针测试需要使用专业设备进行,这些设备通过测量电阻、电容、电感和其它参数来检测芯片或电路板是否工作正常。
测试仪器质量的好坏,直接关系到测试结果的准确性和可靠性。
因此,需要选择高品质的设备,并进行正确的设置。
总之,“四探针测试标准”是一项十分重要的测试方法,可以保证电路板或芯片的质量和可靠性。
选好合适的探针尺寸,制作好合适的探针,正确安装,选择好测试仪器并进行正确设置,才能更好地实现四探针测试标准。
探针说明书
SZT-2C四探针测试仪使用说明书一概述SZT-2C型数字式四探针测试仪是运用四线法测量原理的多用途综合测量装置,配上专用的四探针测试架,即可以测量片状,块状或柱状半导体材料的径向和轴向电阻率,测量扩散层的薄层电阻(亦称方块电阻)。
四探针测试架有电动,手动,手持三种可以选配,另外还配有四个夹子的四线输入插头用来作为测量线状或片状电阻的中,低阻阻值。
仪器由主机,测试架等部份组成,测试结果由液晶显示器显示,同时,液晶显示器还显示测量类型(电阻率,方块电阻和电阻);探头修正系数和温度值,用来监测仪器使用时的环境温度。
主机由开关电源,DC/DC变换器,高灵敏度电压测量部份,高稳定度恒流源,和微电脑控制系统组成。
由於采用大规模集成电路,所以仪器可靠性高,测量稳定性好。
测试探头采用宝石导向轴套和高硬度钢针,定位准确,游移率小,使用寿命长。
仪器适用於半导体材料厂,半导体器件厂,科研单位,高等院校对半导体材料电阻性能的测试。
本仪器工作条件为:使用温度:23℃±3℃相对湿度:50%~70%工作室内应无强磁场干扰,不与高频设备共用电源,二,技术参数1,测量范围电阻率: 10⁻⁴-106Ω-cm方块电阻 10⁻⁴- 106Ω/□电阻 10-⁴- 106Ω2,可测半导体材尺寸直径:Ф5-250mm长(或高)度:≤400mm(如配探笔可以测量任意长度)3,测量方位轴向,径向均可4,数字电压表:(1)量程:20mV,200mV,2V(2)误差:±%读数±2字(3)输入阻抗:>10⁸Ω(4)最大分辨率:10μV(5)点阵液晶显示,过载显示。
5,恒流源:(1)电流输出:共分10μA,100uA,1mA,10mA,100mA六挡可通过按键选择,各挡均为定值不可调节,电阻率探头修正系和扩散层方块电阻修正系数均由机内CPU运算后,直接显示修正后的结果。
(2)误差:±%±2字,在使用1μA恒流电流输出时为±%±5字6,四探针测试头;(1) 探针间距: 1mm(2) 探针机械游移率: ±%(3) 探针材料: 碳化钨,Ф(4) 0-2Kg可调,最大压力约2Kg7,温度传感器;本仪器增加了高精度的温度传感器,以监测仪器使用时的环境温度。
四探针说明书
SZT-2C 四探针测试仪使用说明书一概述SZT-2C 型数字式四探针测试仪是运用四线法测量原理的多用途综合测量装置,配上专用的四探针测试架,即可以测量片状,块状或柱状半导体材料的径向和轴向电阻率,测量扩散层的薄层电阻(亦称方块电阻)。
四探针测试架有电动,手动,手持三种可以选配,另外还配有四个夹子的四线输入插头用来作为测量线状或片状电阻的中,低阻阻值。
仪器由主机,测试架等部份组成,测试结果由液晶显示器显示,同时,液晶显示器还显示测量类型(电阻率,方块电阻和电阻); 探头修正系数和温度值,用来监测仪器使用时的环境温度。
主机由开关电源,DC/DC变换器,高灵敏度电压测量部份,高稳定度恒流源,和微电脑控制系统组成。
由於采用大规模集成电路,所以仪器可靠性高,测量稳定性好。
测试探头采用宝石导向轴套和高硬度钢针,定位准确,游移率小,使用寿命长。
仪器适用於半导体材料厂,半导体器件厂,科研单位,高等院校对半导体材料电阻性能的测试。
本仪器工作条件为:使用温度:23C 士3C相对湿度:50%~70%工作室内应无强磁场干扰,不与高频设备共用电源,二,技术参数1,测量范围6电阻率:10 ??-10 6? -cm 方块电阻10 ??- 10 6?/ □ 电阻10 -? -10 6 ?2 ,可测半导体材尺寸直径:①5-250mm长(或高)度:< 400mm如配探笔可以测量任意长度)3,测量方位轴向,径向均可4,数字电压表:(1)量程:20mV,200mV,2V(2)误差:±0.1%读数±2字(3)输入阻抗:>10 ??(4)最大分辨率:10卩V(5)点阵液晶显示,过载显示。
5,恒流源:(1)电流输出:共分10卩A,100uA,1mA,10mA,100m>六挡可通过按键选择,各挡均为定值不可调节,电阻率探头修正系和扩散层方块电阻修正系数均由机内CPU运算后,直接显示修正后的结果。
(2)误差:士0.5%士2字,在使用1卩A恒流电流输出时为± 0.5%± 5字6, 四探针测试头;(1) 探针间距: 1mm(2)士1.0%探针机械游移率:(3) 探针材料: 碳化钨,①0.5mm(4) 0-2Kg 可调, 最大压力约2Kg7 ,温度传感器;本仪器增加了高精度的温度传感器,以监测仪器使用时的环境温度。
太阳能测试系统台阶仪四探针
可以看出,太阳当顶时海平面处为AM1 ;外层空间不通过大气的情况为 AM0 ;通常接近人类生活现实的太阳高度角41.8°的情况为AM1.5。太阳常数 为AM0 条件下的太阳辐射通量,AM0 光谱主要用于评估太空用的光伏电池和组 件性能。为了使用方便,国际标准组织将AM1.5 的辐照度定义为1000W/m2(或
↓
1 2
Hale Waihona Puke V ↑3 4F(D/S)— 样品直径修正因子。当D→∞时,F(D/S)=4.532,有限直径下的F(D/S)由附表B查出: F(W/S)— 样品厚度修正因子。W/S<0.4时,F(W/S)=1;W/S>0.4时,F(W/S)值由附表C查出; I— 1、4探针流过的电流值,选值需参考表。 V— 2、3探针间取出的电压值,单位mV;
分类:根据使用传感器的不同,接触式台阶测量可以分为电感式、压电式和光
电式3种。 电感式采用电感位移传感器作为敏感元件,测量精度高、信噪比高,但电路 处理复杂; 压电式的位移敏感元件为压电晶体,其灵敏度高、结构简单,但传感器低频 响应不好、且容易漏电造成测量误差; 光电式是利用光电元件接收透过狭缝的光通量变化来检测位移量的变化。
100mW/cm2)
标准测试条件和标准太阳能电池
为了使太阳能电池或组件的光伏性能测试具有可比性,太阳光伏能 源系统标准化技术委员会规定了标准测试条件。如果不是在标准条件 下进行测试,必须将所测数据修正到标准测试条件。 地面用太阳能电池的标准测试条件为:测试温度25±2℃,光源的 光谱辐照度1000W/m2,并具有标准的AM1.5 太阳光谱 辐照度分布。 航天用太阳能电池的标准测试条件为:测试温度25±1℃,光源的 光谱辐照度1367W/m2,并具有标准的AM0 太阳光谱辐照度分布。
四探针测试仪操作规程
四探针测试仪操作规程1.仪器准备a.将四探针测试仪放置在平坦的工作台上,确保没有杂物或水平度不平。
c.检查仪器电源是否连接稳定,确保电源电压适宜。
d.选择合适的探针和电缆,并将其连接到仪器上。
e.确保测试样品干净、光滑无划伤,并且与探针接触良好。
2.仪器校准a.在进行正式测试之前,需要对四探针测试仪进行校准。
b.使用已知电阻或电导率标准样品,进行测量并与标准值对比,以确保仪器准确度。
c.根据仪器使用手册中的操作指导,调整仪器的参数、零点和校准。
3.连接样品和探针a.连接电缆到测试仪的探针插座上,并确保插头连接牢固。
b.将探针的四个针尖轻轻插入待测试样品的表面,保持垂直入穿,并确保良好接触。
c.注意避免误触其他部位,以免引起误差。
4.进行测试a.开启四探针测试仪电源,并选择合适的测试模式(电阻、电导率等)。
b.根据实际需求设定测试参数,如测试范围、测量精度等。
c.手动或自动触发仪器进行测试,并等待测量结果显示。
d.根据需要记录测试结果,并确保测试过程中避免外界干扰。
5.结果分析a.对测试结果进行分析和解释,判断样品的电学性能是否符合要求。
b.如果测试结果有异常或不符合预期,可以进行多次测试以确认结果的可信度。
c.对测试结果进行记录和整理,以备后续分析和参考。
6.关闭仪器a.测试完成后,关闭四探针测试仪的电源。
b.清理测试环境,确保仪器和测试样品的存放安全。
7.日常维护a.定期清理仪器表面的灰尘和污垢,以保持仪器的正常工作状态。
b.不使用时,应将仪器放置在干燥、通风的地方,避免阳光直射和高温环境。
c.定期检查仪器的电源线、连接线和探针,确保无损坏或老化现象。
d.定期校准仪器,以确保测量结果的准确性。
以上是四探针测试仪的基本操作规程,坚持按照规程操作,能够确保测试结果的准确性和工作安全。
同时,根据具体的仪器型号和使用手册,还需遵循厂商提供的更详细的操作规程。
四探针说明书要点
SZT-2C四探针测试仪使用说明书一概述SZT-2C型数字式四探针测试仪是运用四线法测量原理的多用途综合测量装置,配上专用的四探针测试架,即可以测量片状,块状或柱状半导体材料的径向和轴向电阻率,测量扩散层的薄层电阻(亦称方块电阻)。
四探针测试架有电动,手动,手持三种可以选配,另外还配有四个夹子的四线输入插头用来作为测量线状或片状电阻的中,低阻阻值。
仪器由主机,测试架等部份组成,测试结果由液晶显示器显示,同时,液晶显示器还显示测量类型(电阻率,方块电阻和电阻);探头修正系数和温度值,用来监测仪器使用时的环境温度。
主机由开关电源,DC/DC变换器,高灵敏度电压测量部份,高稳定度恒流源,和微电脑控制系统组成。
由於采用大规模集成电路,所以仪器可靠性高,测量稳定性好。
测试探头采用宝石导向轴套和高硬度钢针,定位准确,游移率小,使用寿命长。
仪器适用於半导体材料厂,半导体器件厂,科研单位,高等院校对半导体材料电阻性能的测试。
本仪器工作条件为:使用温度:23℃±3℃相对湿度:50%~70%工作室内应无强磁场干扰,不与高频设备共用电源,二,技术参数1,测量范围电阻率: 10⁻⁴-106Ω-cm方块电阻 10⁻⁴- 106Ω/□电阻 10-⁴- 106Ω2,可测半导体材尺寸直径:Ф5-250mm长(或高)度:≤400mm(如配探笔可以测量任意长度)3,测量方位轴向,径向均可4,数字电压表:(1)量程:20mV,200mV,2V(2)误差:±0.1%读数±2字(3)输入阻抗:>10⁸Ω(4)最大分辨率:10μV(5)点阵液晶显示,过载显示。
5,恒流源:(1)电流输出:共分10μA,100uA,1mA,10mA,100mA六挡可通过按键选择,各挡均为定值不可调节,电阻率探头修正系和扩散层方块电阻修正系数均由机内CPU运算后,直接显示修正后的结果。
(2)误差:±0.5%±2字,在使用1μA恒流电流输出时为±0.5%±5字6,四探针测试头;(1) 探针间距: 1mm(2) 探针机械游移率: ±1.0%(3) 探针材料: 碳化钨,Ф0.5mm(4) 0-2Kg可调,最大压力约2Kg7,温度传感器;本仪器增加了高精度的温度传感器,以监测仪器使用时的环境温度。
四探针说明书(材料相关)
SZT-2C四探针测试仪使用说明书一概述SZT-2C型数字式四探针测试仪是运用四线法测量原理的多用途综合测量装置,配上专用的四探针测试架,即可以测量片状,块状或柱状半导体材料的径向和轴向电阻率,测量扩散层的薄层电阻(亦称方块电阻)。
四探针测试架有电动,手动,手持三种可以选配,另外还配有四个夹子的四线输入插头用来作为测量线状或片状电阻的中,低阻阻值。
仪器由主机,测试架等部份组成,测试结果由液晶显示器显示,同时,液晶显示器还显示测量类型(电阻率,方块电阻和电阻);探头修正系数和温度值,用来监测仪器使用时的环境温度。
主机由开关电源,DC/DC变换器,高灵敏度电压测量部份,高稳定度恒流源,和微电脑控制系统组成。
由於采用大规模集成电路,所以仪器可靠性高,测量稳定性好。
测试探头采用宝石导向轴套和高硬度钢针,定位准确,游移率小,使用寿命长。
仪器适用於半导体材料厂,半导体器件厂,科研单位,高等院校对半导体材料电阻性能的测试。
本仪器工作条件为:使用温度:23℃±3℃相对湿度:50%~70%工作室内应无强磁场干扰,不与高频设备共用电源,二,技术参数1,测量范围电阻率: 10⁻⁴-106Ω-cm方块电阻 10⁻⁴- 106Ω/□电阻 10-⁴- 106Ω2,可测半导体材尺寸直径:Ф5-250mm长(或高)度:≤400mm(如配探笔可以测量任意长度)3,测量方位轴向,径向均可4,数字电压表:(1)量程:20mV,200mV,2V(2)误差:±0.1%读数±2字(3)输入阻抗:>10⁸Ω(4)最大分辨率:10μV(5)点阵液晶显示,过载显示。
5,恒流源:(1)电流输出:共分10μA,100uA,1mA,10mA,100mA六挡可通过按键选择,各挡均为定值不可调节,电阻率探头修正系和扩散层方块电阻修正系数均由机内CPU运算后,直接显示修正后的结果。
(2)误差:±0.5%±2字,在使用1μA恒流电流输出时为±0.5%±5字6,四探针测试头;(1) 探针间距: 1mm(2) 探针机械游移率: ±1.0%(3) 探针材料: 碳化钨,Ф0.5mm(4) 0-2Kg可调,最大压力约2Kg7,温度传感器;本仪器增加了高精度的温度传感器,以监测仪器使用时的环境温度。
m3型手持式四探针测试仪说明书
m3型手持式四探针测试仪说明书M3型手持式四探针测试仪说明书一、产品概述M3型手持式四探针测试仪是一种用于电子元器件测试和分析的便携式仪器。
它采用四探针测量技术,能够精确测量电阻、电容和电感等参数,并可以通过连接到计算机或移动设备进行数据传输和分析。
该测试仪具有体积小、操作简便、测量准确度高等特点,适用于各种实验室、工厂和维修现场的电子测试需求。
二、产品特点1. 精确测量:M3型测试仪采用四探针测量技术,能够准确测量电阻、电容和电感等参数,保证测试结果的准确性和可靠性。
2. 便携式设计:该测试仪采用手持式设计,体积小巧,重量轻,便于携带和操作。
用户可以随时随地进行测试,无需依赖复杂的测试设备。
3. 易于操作:M3型测试仪配备了直观的操作界面和简单的按键布局,使用户能够快速上手并进行各种测试操作。
同时,仪器还提供了详细的使用说明,帮助用户更好地了解和使用该仪器。
4. 数据传输和分析:该测试仪可以通过USB接口或蓝牙连接到计算机或移动设备,实现数据的传输和分析。
用户可以利用专业软件对测试结果进行进一步处理,以满足不同的测试需求。
5. 多种测试模式:M3型测试仪支持多种测试模式,包括直流测试、交流测试、频率扫描测试等。
用户可以根据具体需求选择合适的测试模式,以获取更准确的测试结果。
6. 安全可靠:该测试仪具有过载保护和短路保护等安全功能,能够有效保护测试仪和被测电子元器件的安全。
同时,仪器还具备自动关机和低电压提示等智能功能,延长仪器的使用寿命。
三、使用方法1. 准备工作:打开测试仪电源,确认电量充足;连接测试夹具和被测电子元器件。
2. 设置测试参数:根据被测元器件的特性,设置合适的测试模式、频率和量程。
在操作界面上进行参数设置,并通过仪器的显示屏确认设置结果。
3. 进行测试:将四个探针分别接触被测元器件的四个引脚,确保探针与引脚之间无杂散接触。
点击仪器上的测试按钮,开始进行测试。
测试过程中,仪器会实时显示测试结果。
手持式光谱仪的功能介绍及工作原理
手持式光谱仪的功能介绍及工作原理手持式光谱仪的功能介绍手持式光谱仪接受全新激发电路,无论是高频火花还是直流电弧模式测试结果均具有杰出的精密度和精准度。
功能强大,三种分析模式可选:快速材料分选、牌号鉴定以及精准明确定量分析。
优化的电源管理模式,强大的内置电池可供应24V的电压输出,无外接电源场所也可供应仪器工作数天所需电力。
连接外接电源时,电池则自动切换到充电模式。
手持式光谱仪在使用的时候,对于环境也是有确定的要求,不要在潮湿的环境下工作的,环境湿度0—95%之间为zui好,不能在太高温下操作工作,这样的理由是避开各类磁场的干扰,如此仪器分析的时候才能检测出更精准明确的精度。
所以,大家在工作的时候要注意环境的适合度,很多时候仪器检测不标准跟环境还是有很大程度上的关系。
手持式光谱仪对于操作人员是有确定要求的,测试样品前确定要请仪器厂商的技术人员现场演示,并且对技术人员做操作前的培训。
由于这款仪器是检测元素,那么确定会要做放样检测,所以,技术人员还需要做好防辐射。
手持式光谱仪都有哪些优点呢:1、接受的喷射电极技术。
在激发状态下,电极四周会形成氩气喷射气流,这样在激发过程中激发点四周不会与外界空气接触,提高激发精度;2、配上专用的光谱操作软件完全兼容于windows系统。
同时可以依据客户需求配备各种语言版本。
软件操作简单即使没有任何光谱仪学问及操作阅历的人员只需经过简单的学问培训即可上手使用。
3、接受高性能FPGA、DSP及ARM处理器,具有超高速数据采集分析功能,并能自动实时监测掌控光室温度、真空度、氩气压力、激发光源等模块的运行情形。
4、全数字化等等离子激发光源,超稳定能量释放在氩气环境中激发样品。
全数字激发脉冲,确保激发样品等离子体能量超高辨别率和高稳定输出。
充分各种不同材料的激发要求。
5、样品激发台接受铜火花台底座,钨材料电极;铜火花台底座为激发台供应较好的散热及坚固等特性,同时钨电极使用寿命长,耐高温等特性也提高了激发的性能;电极自吹扫功能的设计,为激发制造了良好的环境,也使激发台清洁电极更加简单。
四探针说明书样本
SZT-2C四探针测试仪使用说明书一概述SZT-2C型数字式四探针测试仪是运用四线法测量原理的多用途综合测量装置, 配上专用的四探针测试架, 即能够测量片状, 块状或柱状半导体材料的径向和轴向电阻率, 测量扩散层的薄层电阻( 亦称方块电阻) 。
四探针测试架有电动, 手动, 手持三种能够选配, 另外还配有四个夹子的四线输入插头用来作为测量线状或片状电阻的中, 低阻阻值。
仪器由主机, 测试架等部份组成, 测试结果由液晶显示器显示, 同时, 液晶显示器还显示测量类型( 电阻率, 方块电阻和电阻) ;探头修正系数和温度值, 用来监测仪器使用时的环境温度。
主机由开关电源, DC/DC变换器, 高灵敏度电压测量部份, 高稳定度恒流源, 和微电脑控制系统组成。
由於采用大规模集成电路, 因此仪器可靠性高, 测量稳定性好。
测试探头采用宝石导向轴套和高硬度钢针, 定位准确, 游移率小, 使用寿命长。
仪器适用於半导体材料厂, 半导体器件厂, 科研单位, 高等院校对半导体材料电阻性能的测试。
本仪器工作条件为:使用温度: 23℃±3℃相对湿度: 50%~70%工作室内应无强磁场干扰, 不与高频设备共用电源,二, 技术参数1,测量范围电阻率: 10⁻⁴-106Ω-cm方块电阻 10⁻⁴- 106Ω/□电阻 10-⁴- 106Ω2, 可测半导体材尺寸直径: Ф5-250mm长( 或高) 度: ≤400mm( 如配探笔能够测量任意长度)3,测量方位轴向, 径向均可4,数字电压表:(1)量程: 20mV,200mV,2V(2)误差: ±0.1%读数±2字(3)输入阻抗:>10⁸Ω(4)最大分辨率:10μV(5)点阵液晶显示, 过载显示。
5,恒流源:(1)电流输出: 共分10μA,100uA,1mA,10mA,100mA六挡可经过按键选择, 各挡均为定值不可调节, 电阻率探头修正系和扩散层方块电阻修正系数均由机内CPU运算后, 直接显示修正后的结果。
四探针测试仪的功能特点及适用介绍
四探针测试仪的功能特点及适用介绍概述四探针测试仪是一种电学测试仪器,通过对测试样品施加电压或电流,用电压和电流的关系来检测样品的电学特性。
四探针测试仪在材料、电池、半导体、涂层、薄膜、金属、塑料等领域都有广泛的应用。
功能特点四探针测试仪主要有以下功能特点:高精度测试四探针测试仪能够精确地测量电阻、电导率、电阻率、电子迁移率等电学参数,测量精度高。
非接触式测试四探针测试仪通过探针的电场感应效应来实现非接触测试,不会损伤被测试物品。
测量范围广四探针测试仪可测量从高电阻率材料到低电阻率材料,覆盖范围广。
简单易用四探针测试仪操作简单,只需将测试样品放置在测试区域并按下测量按钮。
同时,测试数据的读取也方便。
可重复性好四探针测试仪测试结果稳定,测量数据的可重复性好。
适用介绍四探针测试仪适用于多种材料及领域,包括但不限于以下用途:半导体制造在半导体制造过程中,四探针测试仪可用于测量晶片的电子特性、电阻特性等,从而确保芯片质量和性能。
医学诊断四探针测试仪可用于医学领域中的生物电学测试,例如通过测量身体组织电阻率来非侵入性地诊断肿瘤、疾病或身体组织的变化等。
材料分析四探针测试仪可用于金属、塑料、涂层、薄膜等材料的电学性能分析,例如测量材料的电阻率、导电率、电子迁移率等。
新材料研究四探针测试仪可用于新材料研究中的电学特性测试,为材料研究者提供重要的测试数据。
例如,在太阳能电池研究中,四探针测试仪可用于测量半导体材料的电阻率、电导率等电学参数。
结论四探针测试仪在材料、医学、半导体制造、新材料研究等领域有广泛的应用。
在进行相关测试时,需要根据不同的测试对象,合理选择测试参数和测试方法,以确保测试结果的准确性和可靠性。
(整理)M2型手持式数字式四探针测试仪简介.
M-2型手持式数字式四探针测试仪简介一、M-2型手持式数字式四探针测试仪二、概述M-2型手持式数字式四探针测试仪是运用四探针测量原理测试电阻率/方阻的多用途综合测量仪器。
该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国A.S.T.M 标准。
仪器成套组成:由主机、选配的四探针探头等二部分组成,也可加配测试台。
主机主要由数控恒流源,高分辨率ADC、嵌入式单片机系统组成,自动转换量程。
仪器所有参数设定、功能转换全部采用一旋钮输入;具有零位、满度自校功能;全自动转换量程;测试结果由数字表头直接显示。
本测试仪采用可充电电池供电,适合手持式变动场合操作使用!探头选配:根据不同材料特性需要,探头可有多款选配。
有高耐磨碳化钨探针探头,以测试硅类半导体、金属、导电塑料类等硬质材料的电阻率/方阻;也有球形镀金铜合金探针探头,可测柔性材料导电薄膜、金属涂层或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上导电膜(ITO膜)或纳米涂层等半导体材料的电阻率/方阻。
换上四端子测试夹具,还可对电阻器体电阻、金属导体的低、中值电阻以及开关类接触电阻进行测量。
配专用探头,也可测试电池极片等箔上涂层电阻率方阻。
仪器具有测量精度高、灵敏度高、稳定性好、智能化程度高、结构紧凑、使用简便等特点。
仪器适用于半导体材料厂器件厂、科研单位、高等院校对导体、半导体、类半导体材料的导电性能的测试。
三、基本技术参数1. 测量范围、分辨率电阻:0.010 ~9999Ω, 分辨率0.001 ~1 Ω电阻率:0.010~2000Ω-cm,分辨率0.001 ~1 Ω-cm方块电阻:0.050~2000Ω/□分辨率0.001 ~1 Ω/□2. 材料尺寸手持方式不限材料尺寸,但加配测试台则由选配测试台和测试方式决定直径:SZT-A圆测试台直接测试方式Φ15~130mm。
SZT-C方测试台直接测试方式180mm×180mm。
长(高)度:测试台直接测试方式H≤100mm。
.测量方位: 轴向、径向均可.3. 量程划分及误差等级4) 适配器工作电源:220V±10%, f=50Hz±4%,PW≤5W,或电池供电5) 外形尺寸:W×H×L=18cm×7.5cm×13cm净重:≤0.5kg。
四探针说明书
0.21 210 .151 .152 .153 .154 .154 .155 .156 .157
0.22 220 .159 .159 .160 .161 .162 .162 .163 .164
0.23 230 .166 .167 .167 .168 .169 .170 .170 .171
0.24 240 .173 .174 .175 .175 176 177 .177 .178
0.35 350 .252 .253 .254 .255 .255 .256 .257 .257 .258 .259
- 5.-
(2)薄片电阻率测量: 当薄片厚度>0.5mm 时,按公式(3-3)计算ρ。 当薄片厚度<0.5mm 时,按公式(3-4)计算ρ。
(3)方块电阻测量:将修正系数调至 0.453,此时从数字表上读出的数值再乘上 10 即为 实际的方块电阻值。
(4)电阻测量,用四端子测量线作输入线,按图 5 所示夹持好样品,将修正系数调到 1.000,压下探针此时数字表上读出的数值为样品的电阻值。
仪器具有测量精度高、灵敏度高、稳定性好、智能化程度高、测量简便、结构紧凑、 使用方便等特点。
仪器适用于半导体材料厂、半导体器件厂、科研单位、高等院校对半导体材料的电 阻性能的测试。特别适用于要求快速测量中低电阻率的场合。
本仪器工作条件为: 温 度: 23℃±2℃ 相对湿度: 60%~70% 工作室内应无强电磁场干扰,不与高频设备共用电源。
0.01 10 .007 .008 .009 .009 .010 .011 .012 .012
0.02 20 .014 .015 .016 .017 .017 .018 .019 .019
0.03 30 .022 .022 .023 .024 .025 .025 .026 .027
数字式四位探针测试仪
数字式四位探针测试仪一、概述[1],[2]测量电阻最简单的方法就是二点法,即用两个电极接触在试样表面上,然后测量流过两点间的电流和在两电极见产生的电压降。
但是用这种方法不能把金属电极和试样间的接触电阻与试样本身的电阻区分开来,因此其测量结果不够准确。
解决这一难题的可行方法就是四位探针法。
数字式四位探针测试仪是运用四探针测试原理的多用途综合测量装置。
测量系统由四个对称的,等间距的电极(一般上金属钨)构成。
每个电极,另一端由弹簧支撑以减少其尖端对试样表面的损伤。
当由高阻抗的电流源提供的电流流经外侧两个电极时,就可以用电势差计测量内侧两电极间的电势差。
电极间距(s)一般为1mm。
它可以测量片状、块状半导体材料的径向和轴向电阻率,测量扩散层的薄层电阻(亦称方块电阻)。
换上特制的四探针测试夹具,还可以对金属导体的低、中值电阻进行测量。
仪器由主机、测试探头(可选配测试台)等部分组成,测试结果由数码管直接显示。
主机主要由精密恒流源,高分辨率ADC、嵌入式单片机系统组成,自动转换量程。
图1SZT-A四位探针仪示意图仪器具有测量精度高、灵敏度高、稳定性好、智能化程度高、测量简便、结构紧凑、使用方便等特点。
适用于半导体材料厂、半导体器件厂、科研单位、高等院校对半导体材料的电阻性能的测试。
特别适用于要求快速测量中低电阻率的场合。
仪器的工作条件为温度23°C±2°C,相对湿度60%~70%,工作室内应无强电磁场干扰,不与高频设备共用电源。
二、工作原理(a)块状样品体电阻率测量[2]设定电极尖端尺寸为无限小,而被测试样为半无限大。
对于块体试样,其厚度远大于电极距离,即d>>s ,如果假设两外电极所扩展的电流场为半球形分布,则电阻的微分可以由下式给出:⎪⎭⎫ ⎝⎛=∆A x R d ρ 对内侧电极的电阻进行积分,可以表达为πρπρπρ221122d 2112⋅=⎪⎭⎫ ⎝⎛-==⎰s x x x R x x x x 2考虑到外侧电极之间电流的重叠效应,电阻即为I VR 2/=。
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M-2型手持式数字式四探针测试仪简介
一、M-2型手持式数字式四探针测试仪
二、概述
M-2型手持式数字式四探针测试仪是运用四探针测量原理测试电阻率/方阻的多用途综合测量仪器。
该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国标准。
仪器成套组成:由主机、选配的四探针探头等二部分组成,也可加配测试台。
主机主要由数控恒流源,高分辨率ADC、嵌入式单片机系统组成,自动转换量程。
仪器所有参数设定、功能转换全部采用一旋钮输入;具有零位、满度自校功能;全自动转换量程;测试结果由数字表头直接显示。
本测试仪采用可充电电池供电,适合手持式变动场合操作使用!
探头选配:根据不同材料特性需要,探头可有多款选配。
有高耐磨碳化钨探针探头,以测试硅类半导体、金属、导电塑料类等硬质材料的电阻率/方阻;也有球形镀金铜合金探针探头,可测柔性材料导电薄膜、金属涂层或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上导电膜(ITO膜)或纳米涂层等半导体材料的电阻率/方阻。
换上四端子测试夹具,还可
对电阻器体电阻、金属导体的低、中值电阻以及开关类接触电阻进行测量。
配专用探头,也可测试电池极片等箔上涂层电阻率方阻。
仪器具有测量精度高、灵敏度高、稳定性好、智能化程度高、结构紧凑、使用简便等特点。
仪器适用于半导体材料厂器件厂、科研单位、高等院校对导体、半导体、类半导体材料的导电性能的测试。
三、基本技术参数
1. 测量范围、分辨率
电阻:0.010 ~9999Ω, 分辨率0.001 ~1 Ω
电阻率:0.010~2000Ω-cm,分辨率0.001 ~1 Ω-cm 方块电阻:0.050~2000Ω/□分辨率0.001 ~1 Ω/□
2. 材料尺寸
手持方式不限材料尺寸,但加配测试台则由选配测试台和测试方式决定
直径:SZT-A圆测试台直接测试方式Φ15~130mm。
SZT-C方测试台直接测试方式180mm×180mm。
长(高)度:测试台直接测试方式H≤100mm。
.
测量方位: 轴向、径向均可.
3. 量程划分及误差等级
4) 适配器工作电源:220V±10%, f=50Hz±4%,PW≤5W,或电池供电
5) 外形尺寸:W×H×L=18cm×7.5cm×13cm
净重:≤0.5kg。