二极管、三极管部分----习题分解
二极管三极管练习题
二极管三极管练习题一、选择题1. 二极管的主要功能是：A. 放大信号B. 开关电路C. 电压稳定D. 电流放大2. 二极管的PN结在正向偏置时，其特性是：A. 电阻增大B. 电阻减小C. 电流增大D. 电流减小A. 半导体器件B. 电子元件C. 电阻元件D. 电容元件4. 三极管中的基极、发射极和集电极分别对应：A. 输入端、输出端、控制端B. 控制端、输出端、输入端C. 输入端、控制端、输出端D. 输出端、输入端、控制端5. 三极管工作在放大状态时，其集电极电流与基极电流的关系是：A. 集电极电流等于基极电流B. 集电极电流小于基极电流C. 集电极电流大于基极电流D. 集电极电流与基极电流无关二、填空题1. 二极管正向导通的条件是______。
2. 三极管放大电路中，基极电压比发射极电压______。
3. 三极管在放大状态时，______电流控制______电流。
4. 二极管的伏安特性曲线在______区域内表示正向导通。
三、判断题1. 二极管在反向偏置时，电流会迅速增大。
（）2. 三极管工作在饱和状态时，基极电压高于发射极电压。
（）3. 二极管具有单向导电性，可以用来实现整流功能。
（）4. 三极管放大电路中，集电极电流与基极电流成反比关系。
（）四、简答题1. 简述二极管的主要特性。
2. 简述三极管的三种工作状态及其特点。
3. 解释什么是三极管的放大作用。
4. 简述二极管整流电路的工作原理。
五、计算题1. 已知二极管正向压降为0.7V，正向电流为10mA，求二极管的正向电阻。
2. 一个三极管放大电路中，基极电流为1mA，集电极电流为10mA，求电流放大倍数。
3. 在一个简单的放大电路中，输入信号电压为1V，输出信号电压为10V，求电压放大倍数。
六、分析题1. 分析二极管在电路中的作用，并举例说明其在实际应用中的几个典型应用。
2. 分析三极管在不同工作状态下的电流和电压关系，并解释为什么三极管能够实现信号放大。
北京交通大学模拟电子技术习题及解答第二章 半导体二极管及其基本电路
第二章半导体二极管及其基本电路2-1．填空（1）N型半导体是在本征半导体中掺入；P型半导体是在本征半导体中掺入。
（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流会。
（3）PN结的结电容包括和。
（4）晶体管的三个工作区分别是、和。
在放大电路中，晶体管通常工作在区。
（5）结型场效应管工作在恒流区时，其栅-源间所加电压应该。
（正偏、反偏）答案：（1）五价元素；三价元素；（2）增大；（3）势垒电容和扩散电容；（4）放大区、截止区和饱和区；放大区；（5）反偏。
2-2．判断下列说法正确与否。
（1）本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。
（）（2）P型半导体带正电，N型半导体带负电。
（）（3）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R GS大的特点。
（）（4）只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用。
（）（5）晶体管工作在饱和状态时发射极没有电流流过。
（）（6）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（）（7）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）（8）若耗尽型N沟道MOS场效应管的U GS大于零，则其输入电阻会明显减小。
（）答案：（1）对；温度升高后，载流子浓度会增加，但是对于本征半导体来讲，电子和空穴的数量始终是相等的。
（2）错；对于P型半导体或N型半导体在没有形成PN结时，处于电中性的状态。
（3）对；结型场效应管在栅源之间没有绝缘层，所以外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R GS大的特点。
（4）错；稳压管要进入稳压工作状态两端加反向电压必须达到稳压值。
（5）错；晶体管工作在饱和状态和放大状态时发射极有电流流过，只有在截止状态时没有电流流过。
（6）对；N型半导体中掺入足够量的三价元素，不但可复合原先掺入的五价元素，而且可使空穴成为多数载流子，从而形成P型半导体。
（7）对；PN结在无光照、无外加电压时，处于动态平衡状态，扩散电流和漂移电流相等。
模拟电子线路(模电)二极管和三极管
1.2 半导体二极管
结构
二极管 = PN结 + 管壳 + 引线
——成为硬件电路设计人才
学好模电、数电、单片机、DSP等。 初步具备 “看、算、选、干”能力
三、学什么？（What）
系 细化 电 细化 器 统 路 件 1、本课程研究内容： 各种半导体器件的性能、电路及应用 2、具体研究对象：
（1）按处理信号：1)模拟(A) 2)数字(D) （2）按信号频率：1)高频 2)中频 3)低频
耗尽层宽度一定
PN结
2. PN结的单向导电性
1.1 半导体的基本知识
(1) 加正向电压（正偏）——电源正极接P区，负极接N区 外电场的方向与内电场方向相反。 外电场削弱内电场 →耗尽层变窄 →扩散运动＞漂移运动 →多子扩散形成正向电流I F
N型半导体 P型半导体 空间电荷区 耗尽层 N型半导体 P型半导体 + + + + － － － － + － + + + － － － 正向电流 － － － + － + + + － － － + － + + + + － － － + + + － － + － － + + + － 内电场 E
，所有的价电子都紧紧束 缚在共价键中，不会成为 自由电子，因此本征半导 体的导电能力很弱，接近
二极管习题
12、５习题详解１2—1电路如图12-15所示，求电位U0，二极管得正向压降忽略不计。
解：因为压差大得二极管优先导通，所以ＶD1先导通，导通后U O＝0V，VD２、VD３截止。
12-2 在图12-１6中,试求下列几种情况下得输出端电位V0及各元件中流过得电流：(1)ＵA=+10V，U B＝0V;（2)UＡ=+6V,U B＝+５、８Ｖ；（３）U A＝UＢ=＋5V。
设二极管得正向电阻为零，反向电阻为无穷大。
解：（1)二极管ＶD1导通，则VＤ2截止,。
（２)设VＤ1与ＶD2两管都导通，应用结点电压法计算UＯ：可见VD２管能导通。
(3)VＤ1与VD２两管都能导通1２—3 求图12—１7所示各电路得输出电压值，设二极管正向压降ＵＤ＝0、7V。
解:U O1≈3Ｖ-0、7V＝２、３V (VＤ导通）；UＯ2＝０(VD截止)；U O３≈—3V+０、7V=—２、3V （VＤ导通)；U O４≈３V （ＶD截止）;U O５≈3V—0、7V=2、3V（VD导通);U O6≈—3V（VD 截止)。
1２-４电路如图12—1８所示，已知u i ＝５ｓｉn ωt （V ）,二极管压降不计，试画出u ｉ与ｕO 得波形，并标出幅值。
解：（ａ）u ｉ＞２V 时,VD 导通,；ｕi 〈２V 时,V Ｄ截止，u o =ｕi 。
(b) u i 〉２V 时，ＶＤ截止，；u ｉ〈2V 时，ＶＤ导通，u o =u i .(c) u i 〉2Ｖ时,VD 导通，u o =u ｉ；ｕi 〈2Ｖ时,VD 截止,u o ＝2V. 波形分别如图12-1９中（a ）、（b)与（c ）所示. １2－5 现有两只稳压管，它们得稳定电压分别为６Ｖ与8V ，正向导通电压为0、7Ｖ。
试问：(1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值?各为多少？(2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少？分别画出电路图。
解：(1)两只稳压管串联时如图1２-2０中（a ）、(b ）、（c)、(d)所示,分别得出稳压值为1、４Ｖ、6、7V 、8、7V 与14V 等四种稳压值. (2）两只稳压管并联时如图１２-２0（ｅ）、（ｆ)、（g)所示，稳压值为0、７Ｖ;如图12-20(h ）所示就是，稳压值为6V.以上得稳压管电路在使用中要接限流电阻，这里未画出. 12-6在图12－２1所示电路中，已知，2CW4稳压管得参数为：稳定电压，最大稳定电流，求:5V -5V2V2V2Vu i u ou ou o(a)(b)(c)图12-19 习题12-4的波形tttt（1）开关S断开时，流过稳压管得电流就是多少？（2）开关S闭合，电压表V与电流表、得读数各为多少？,流过稳压管得电流又就是多少?（3）开关S闭合，当电压升高１0%,再求各表读数。
《电工与电子技术基础》电子部分习题
第四章晶体二极管和二极管整流电路第一节晶体二极管（第一课时）一、选择题1、当晶体二极管的PN结导通后参加导电的是（）A.少数载流子B.多数载流子B.既有少数载流子又有多数载流子2、半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为（）A.P型半导体B.本征半导体C.N型半导体二、填空题1、半导体是一种导电能力介于和之间的物体。
2、PN结具有的性能，即：加电压时PN结导通；加的电压时PN结截止。
三、解答题1、图所示的电路中，哪些灯泡能发亮？第一节晶体二极管（第二课时）一、选择题1、晶体二极管的正极电位是-10V，负极电位是-5V，则该二极管处于（）A. 零偏B. 反偏C. 正偏2、面接触型晶体二极管比较适用于（）A.小信号检波B.大功率整流C.大电流开关3、用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应该把欧姆挡拨到（）A. R×100Ω或R×1kΩ挡B. R×1Ω挡C. R×10kΩ挡4、当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向电压大于其门槛电压，则晶体二极管相当于（）A.大电阻B.断开的开关C.接通的开关5、当硅二极管加上0.3V的正向电压时，该二极管相当于（）A.小阻值电阻B.阻值很大的电阻C.内部短路二、填空题1、当晶体二极管导通后，则硅二极管的正向压降为V，锗二极管的正向压降为V。
2、晶体二极管因所加电压过大而。
并出现的现象，称为热击穿。
3、下面每小题后面的括号内，提供几种答案，选择正确的填在相应的横线上。
（1）简单的把一块P型半导体和一块N型半导体接触在一起形成PN结？（能；不能；不一定）（2）二极管导通时，则二极管两端所加的是电压。
（正向偏置；反向偏置；无偏置）（3）当二极管两端的正向偏置电压增大于电压时，二极管才能导通。
（击穿；饱和；门槛）（4）二极管两端的反向偏置电压增高时，在达到电压以前，通过的电流很小。
（击穿；最大；短路）第二节二极管整流电路1、在如图所示的电路中，试分析输入端a、b间输入交流电压υ时，通过R1、R2两电阻上的是交流电，还是直流电？2、若将单相桥式电路接成如图的形式，将会出现什么结果，应如何改正？3、如图所示两个电路中，设V1、V2均为理想二极管（即正向导通时其正向电阻和正向压降为零，反向截止时其反向电阻无穷大的二极管），试判断两图中的二极管是截止的还是导通的，A、B两端的电压V AB=？C、D端的电压V CD=？4、画出半波整流电路图。
二极管,三级管基础知识培训教材
PN结及其单向导电性
• PN结的形成 • PN结的单向导电性
PN结的形成
• 在一块晶凡两边分别形成P型和N型半导 体。 图中 代表得到一个电子的三价杂质(例如硼) 离子，带负电； 代表失去一个电子的五价杂 质(例如磷)离入带正电。由于P区有大量空穴 (浓度大)，而N区的空穴极少(浓度小)，因此空 穴要从浓度大的P区向浓度小的N区扩散。 P
在一定范围内，外电场愈强，正向电 流(由P区流向N区的电流)愈大，这时PN 结呈现的电阻很低。正向电流包括空穴电 流和电子电流两部分。空穴和电子虽然带 有不同极性的电荷，但由于它们的运动方 向相反，所以电流方向一致。外电源不断 地向半导体提供电荷，使电流得以维持。
PN结的单向导电性
• 若给PN结加反向电压，即外电源的正端接N区， 负端接P区，则外电场与内电场方向一致，也 破坏了扩散与漂移运动的平衡。 • 外电场驱使空间电荷区两侧的空穴和自由电子 移走，使得空间电荷增加，空间电荷区变宽， 内电场增强，使多数载流子的扩散运动难以进 行。但另一方面，内电场的增强也加强了少数 裁流于的漂移运动，在外电场的作用下，N区 中的空穴越过PN结进入P区， P区中的自由电 子越过PN结进入N区，在电路中形成了反向电 流(由N区访向P区的电流)。
半导体二极管
• • • • • 二极管的基本结构和类型 二极管的伏安特性 二极管的主要参数 二极管的应用 常用二极管类型
二极管的基本结构和类型
• 将PN结加上相应的电极引线和管壳，就成为半 导体二极管。 从P区引出的电极称为阳极（正 极），从N区引出的电极称为阴极（负极）。 • 按结构分二极管有点接触型和面接触型两类。
D
（c）符号
在使用二极管时，必须注意极性不能接错，否则 电路非但不能正常工作，还有毁坏管子和其他元件的 可能。
二极管及三极的极性的判断
《电子技术基础》教案图2.1.3二极管的开关作用原理：二极管的单相导电性，二极管正偏时二极管内部呈现较小的电二极管反偏时二极管内部呈现很大电阻（如上图）。
方法:指针式万用表检测二极管的极性:步骤一：将万用表置在欧姆档步骤二：选择合适的量程，一般将万用表置于RX100档或RXIk,校正调零步骤三：将万用表两表笔分别接二极管的两个引脚上，测阻值，并做记录R1步骤四：对调两表笔，再测阻值，记作R2步骤五：如果二级管无损坏，比较R1和R2,必定一大一小，以阻值较小的一次测量为准，则黑表笔接的是二极管的正极，红表笔接的是二极管的负极。
2、用数字式万用表判断二极管正负极方法方法一：用电阻档测量步骤一：将万用表置在欧姆档步骤二：将万用表两表笔分别接二极管的两个引脚上，测阻值，并做记录R1步骤三：对调两表笔，再测阻值，记作R2步骤四：如果二级管无损坏，比较R1和R2,必定一大一小，以阻值较小的一次测量为准，则红表笔接的是二极管的正极，黑表笔接的是二极管的负极。
特别强调：数字式万用表和指针式万用表用电阻档判断二极管正负极的方法的不同点只是在于红黑表笔的接法不同。
一、用万用表判断二极管极性的方法1、 相当于开关闭合（a ）S相当于开关断开（b ）用指针式万用表判断二极管正负极方法图2.1.1二极管的结构方法二：用二极管档测量二极管的正负极步骤一：将数字式万用表表置于二极管档步骤二：将万用表两表笔分别接二极管的两个引脚上，若显示屏显示“1”以下数字时，说明二极管正向导能，红表笔接的是正极，黑表笔接的是负极。
此时显示的数字为二极管的下向压降，单位为V。
（若显示的电压为0.5—0.7V时，说明被测管是硅管；若显示电压为0.1—0.3,则被测管是锗管）步骤三：若赤示的数字为“1”，则说明二极管处于反向截止状态，红表笔接的是负极，黑表笔接的是正极。
二、用万用表判断二极管正负极代表性的题目用数字式万用表检测二极管，应将数字式万用表置于二极管挡，两表棒分别接二极管的两个电极，若显示“1”以下的数字时，说明二极管处于正向导通状态，此时红表棒接的是正极，黑表棒接的是负极；若显示的是数字是“1”，则说明二极管处于反向截止状态，红表棒接的是^极，黑表棒接的是^极；若正、反两次测量显示的数字都为“1”，则二极管已是开路（填“开路”或短路）。
二极管、三极管及整流与放大电路
复习与自我检测（五）二极管、三极管及整流与放大电路一、学习要点1.半导体的基本知识（1）半导体的特性导电性能介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。
半导体能得到广泛应用，是由于它的导电能力会随温度、光照或所掺杂质的不同而显著变化。
（2）PN结的单向导电性当在PN结两端加上正向电压时，因外加电场的方向与内电场的方向相反，削弱了内电场，打破了PN结中的动态平衡状态，使载流子的扩散运动大于漂移运动，形成较大的扩散电流，PN结导通。
当在PN结两端加上反向电压时，因外加电场的方向与内电场的方向相同，增强了内电场，也打破了PN结中的动态平衡，使少数载流子的漂移运动大于多数载流子的扩散运动，形成较小的反向电流，可以认为PN结截止。
2.半导体二极管二极管的正向电流是多数载流子的扩散电流，其值较大（毫安级），但正向电压只有零点几伏，说明二极管的正向电阻较小。
当正向电压大于死区电压后，电流增加较快。
二极管正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为0.6-0.7V；锗管约为0.2-0.3V。
反向电流是少数载流子的漂移电流，其值随温度的上升增长得很快，并且只要外加反向电压在一定范围内，反向电流基本上维持不变，和反向电压的数值无关（反向电阻高）。
当反向电压增大到击穿电压时，反向电流突然增大，管子被击穿而损坏。
二极管的参数反映了它的电性能，是合理选择与正确使用的依据。
对正向而言，有最大整流电流I OM，使用时不得超过。
对反向而言，有最高反向工作电压U RM和反向饱和电流I R3.稳压管是工作于反向可逆击穿状态下的二极管。
稳压管的反向击穿特性曲线很陡，它的特点是在一定的电流范围内的电压稳定不变。
4.单相桥式整流电路整流电路的任务是把交流电变换成直流电，完成这一任务主要靠二极管的单向导电作用，所以通常二极管是构成各种整流电路的核心元件。
5.滤波电路滤波原理利用储能元件滤掉单向脉动电压中的交流分量，即保留直流分量，使负载电压脉动减小。
电工电子技术 第5章习题 半导体器件
）的
b
5-13 随着正向电流的增大,普通二极管的直流电阻和交流
电阻( d ).
a) 二 者 都 增 大
b) 前 者 增 大 , 后 者 减 小
c) 前者减小, 后者增大 d) 二者都减小
5-14 用万用表的R*10和R*100档测量同一个二极管的正向
电阻,两次测量的值分别是R1和R2, 则二者相比,( c )。
判断VD2的状态
(3) 根据上述判断可以画出等效电路:
VD1
VD2
I E1 8V
R
E2 16V
UO
等效电路
则流过电阻Ｒ（Ｒ＝３kΩ ）
的电流和所求的电压为：
Ｉ ＝ (E1+E2 ) /R
＝ (8+16)V /3kΩ ＝ 8mA
UＯ＝ - E1 ＝ - 8V
例5-3 图示电路中，VD1和VD2均为理想二极管，直流电压
A VD1 B
VD2
R1
R2
ui
U1 U2
uo
C
U1>U2， ui<U2 时的等效电路
VD1和VD2均做短路处理 后的等效电路如图所示。 由图可知：
uo=ui
例5-４
在图示电路中，Ｅ＝5V、ui=10sinωt(V)、
VD为理想二极管，试画出输出电压uo的波形。
R
VD
ui
E
uo
5V
解: 在ui和5V电源共同作用下，在哪个时间区段 上VD正向导通，在哪个时间区段上VD反向截止。 画出等效电路，最后在等效电路中求出uo的波形。
UDRM U2 2 172 V ID 0.5Io 1 A
可选用二极管2CZ11C，其最大整流电流为1A，
半导体例题及习题
半导体例题及习题第⼀章半导体⼆极管、三极管例题解析例1－1 求图1.1电路中的I 1、I 2、I O 及U O 的值？（硅管 U F ＝0.7V ）图1.1解题要领：判断⼆极管的状态，将⼆极管从电路中取出后⽐较管⼦阳极、阴极电位⾼低；解：∵21DD DD V V ? ∴V D 导通U O =V DD1-U F =15-0.7=14.3V8.433.14===L O O R U I mA)(1.73.28.421mA I I I O =+=+=mA R V U I DD O 3.21123.1422=-=-=例1－2 图1.2中，试求下列⼏种情况下输出端电位V Y 。
（1）V A =3V ，V B =0V ；（2）V A =0V ，V B =3V ；（3）V A =V B =0V ；（4）V A =V B =3V 。
设⼆极管的正向电阻为零，反向电阻为⽆穷⼤。
图1.2 解题要领：两个或两个以上阴极（或阳极）连在⼀起时，阳极电位⾼（或阴极电位低）的⼆极管优先导通，然后再判断其它管解：（1）、⼆极管V DB 优先导通，则V Y ＝0V ，V DA 截⽌。
（2）、⼆极管V DA 优先导通，则V Y ＝0V ，V DB 截⽌。
（3）、V DA 和VDB 两管都导通V Y ＝0V（4）、V DA和VDB两管都导通V Y＝3V例1－3⼀个晶体管在放⼤电路中看不出型号，也没有其它标记，但⽤万⽤表测得它的三个电极A、B、C对地电位分别为VA＝－9V，VB＝－6V，VC＝－6.2V, 试判断该三极管的类型和A、B、C各对应三极管的什么极？解题要领：如何判断三极管的类型和电极？1、硅管或锗管的判别原则：发射结正向压降是0.7V左右为硅管，0.2V为锗管，且b极电位处于中间值，由此初步确定b极、e极；2、NPN管或PNP管的判别原则：处于放⼤状态的NPN管中其集电极电位为最⾼，⽽PNP管为最低；3、电极判别：弄清管⼦的类型之后，再结合各电极的电位就很容易判别它的各个电极。
《电工学-电子技术-下册》习题册习题解答
《电工与电子技术》习题与解答电工电子教研室第九章：半导体二极管和三极管、第十章：基本放大电路一、单项选择题*1．若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为（C）A、正、反向电阻相等B、正向电阻大，反向电阻小C、反向电阻比正向电阻大很多倍D、正、反向电阻都等于无穷大*2．电路如题2图所示，设二极管为理想元件，其正向导通压降为0V，当U i=3V 时，则U0的值( D)。
A、不能确定B、等于0C、等于5VD、等于3V题2图**3．半导体三极管是具有( B)PN结的器件。
A、1个B、2个C、3个D、4个5．晶体管的主要特性是具有（D）。
A、单向导电性B、滤波作用C、稳压作用D、电流放大作用*6．稳压管的稳压性能是利用PN结的（D）。
A、单向导电特性B、正向导电特性C、反向截止特性D、反向击穿特性8．对放大电路进行动态分析的主要任务是（C）A、确定静态工作点QB、确定集电结和发射结的偏置电压C、确定电压放大倍数A u和输入、输出电阻r i，r0D、确定静态工作点Q、放大倍数A u和输入、输出电阻r i，r o*9．射极输出器电路如题9图所示，C1、C2足够大，对输入的交流信号u可视作短路。
则输出电压u0与输入电压u i之间的关系是( B)。
A、两者反相，输出电压大于输入电压B 、两者同相，输出电压小于且近似等于输入电压C 、两者相位差90°，且大小相等D 、两者同相，输出电压大于输入电压*11．在共射极放大电路中，当其他参数不变只有负载电阻R L 增大时，电压放大倍数将( B )A 、减少B 、增大C 、保持不变D 、大小不变，符号改变 13．在画放大电路的交流通路时常将耦合电容视作短路，直流电源也视为短路，这种处理方法是( A )。
A 、正确的B 、不正确的C 、耦合电容视为短路是正确的，直流电源视为短路则不正确。
D 、耦合电容视为短路是不正确的，直流电源视为短路则正确。
半导体二极管和三极管习题及答案
半导体二极管和三极管习题及答案一.选择题1、在本征半导体中掺入微量的（）价元素，形成N型半导体。
A.二B.三C.四D.五2、在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于3、本征半导体温度升高以后，（）。
A.自由电子增多，空穴数基本不变B.空穴数增多，自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变4、空间电荷区是由（）构成的。
A.电子B.空穴C.离子D.分子5、PN结加正向电压时，空间电荷区将（）。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定6、稳压管的稳压区是其工作在（）。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（）。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（）。
A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能9、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为（）。
A. 83B. 91C. 100D. 1010、晶体管是（）器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流12、场效应管是（）器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流13、基本共射放大电路中，基极电阻Rb的作用是（）。
A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C.保护信号源D.防止输出电压被短路14、基本共射放大电路中，集电极电阻Rc的作用是（）。
A.限制集电极电流的大小B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量C.防止信号源被短路D.保护直流电压源EC15、基本共射放大电路中，输入正弦信号，现用示波器观察输出电压uo和晶体管集电极电压uc的波形，二者相位（）。
模拟电子技术(第2版)课后习题答案第一章
第一章 半导体器件1.1 电路如图P1.1所示，设二极管为理想的，试判断下列情况下，电路中的二极管是导通还是截止，并求出AO 两端的电压AO U 。
（1）V V DD 61=，V V DD 122=；（2）V V DD 61=、V V DD 122-=；（3）V V DD 61-=、V V DD 122-=。
解：1、当V V DD 61=、V V DD 122=时，假设二极管是截止的，则V V B 6=、V V A 12=二极管承受反偏电压，所以二极管截止假设成立。
V V U DD AO 122==。
2、当V V DD 61=、V V DD 122-=时，假设二极管是截止的则V V B 6=、V V A 12-=二极管承受正偏电压，所以二极管截止假设不成立，二极管导通。
V V U DD AO 61==。
3、当V V DD 61-=、V V DD 122-=时，假设二极管是截止的，则V V B 6-=、V V A 12-= 二极管承受正偏电压，所以二极管截止假设不成立，二极管导通。
V V U U DD BO AO 61-===。
1.2 二极管电路如图P1.2所示，二极管的导通电压VU D 7.0)on (=，试分别求出Ω=k R 1、Ω=k R 4时，电路中的电流O I I I 、、21和输出电压O U 。
解：1、当Ω=k R 1时，假设二极管是截止的，则mA I I O 5.41192=+=-= V R I U V L O O B 5.415.4-=⨯-===V V A 3-= (V V V B A 5.1=-)由上分析可知，二极管承受正偏电压导通（假设不成立）故可得其等效电路如图P1.2b所示：根据KCL 、 KVL ：⎪⎩⎪⎨⎧+-=-+=+=RI R I R I I I I LO O 222197.039 解之：mA I mAI mA I 3.56.17.3210==-=V R I U L O O 7.317.3-=⨯-==2、当Ω=k R 4时，假设二极管是截止的，则mA I I O 8.11492=+=-=VR I U V L O O B 8.118.1-=⨯-===V V A 3-= V U U B A 2.1-=-由上分析可知，二极管承受反偏电压截止（假设成立）01=I mA I I 8.102=-=V R I U L O O 8.118.1-=⨯-==3.3 设二极管为理想的，试判断P1.3所示电路中各二极管是导通还是截止，并求出AO两端的电压AO U解：（a ）假设21V V 、均截止，则V V A 10=、V V B 6-=、V V O 0=， 21V V 、均承受正偏电压，但2V 管的正向偏值电压更大，故它首先导通。
《模拟电子技术》经典习题(有图详细分析版)
项目一习题参考答案1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极，N区接电源的负极。
2. 在常温下，硅二极管的死区电压约为0.5V，导通后正向压降约为0.6～0.8V ；锗二极管的死区电压约为0.1V，导通后正向压降约为0.2～0.3V。
3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型；按材料分为硅管和锗管。
三极管是电流控制型器件，控制能力的大小可用表示，它要实现信号放大作用，需发射结正偏，集电结反偏。
4. 场效应管是电压控制型器件，控制能力的大小可用g m表示，它的主要特点是输入电阻很大。
5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能，因为二极管正向电阻很小，若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大，相当于干电池正、负极短路。
6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止，并求出A、B两端的电压U AB(设VD为理想二极管，即二极管导通时其两端电压为零，反向截止时电流为零)。
图1.52 题6图解：（a）VD导通，U AB=-6V。
（b）VD截止，U AB=-12 V。
（c）VD1导通，VD2截止，U AB=0 V。
（d）VD1截止，VD2导通，U AB=-15 V。
7. 在图1.53所示电路中，设VD为理想二极管，u i =6sin t (V)，试画出u O的波形。
图1.53 题7图解：（a）（b）8. 电路如图1.54所示，已知u i=5sin W t(V)，二极管导通电压为0.7V。
试画出u i与的波形。
解：u i>3.7V时，VD1导通，VD2截止，u o=3.7V；3.7V>u i>-4.4V时，VD1截止，VD2截止，u o= u i；u i<-4.4V时，VD1截止，VD导通，u o=-4.4 V。
9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示，试判别各三极管的工作状态。
图1.54 题8图图1.55 题9图解：（a ）三极管已损坏，发射结开路 （b ）放大状态 （c ）饱和状态（d ）三极管已损坏，发射结开路10. 测得放大电路中六只晶体管的电位如图1.56所示。
电子技术习题答案
第1章半导体晶体管和场效应管一、重点和难点1.半导体材料的导电特性半导体材料的导电特点决定了半导体器件的特点和应用场合，因此透彻的了解半导体的导电特点是学习电子技术的基础，也是本章的重点之一。
2.PN结的单向导电性所有的半导体器件都是由一个或者多个PN结组合而成的，深刻理解PN结的单向导电性的特点是本章的重点。
3.二极管的参数二极管的参数中，有表示极限的参数，有表示优劣的参数，同时有直流参数，又有交流参数，有建立在时间积累效应基础上的电流参数，还有建立在雪崩效应和隧道效应基础上的瞬时电压参数，正确的理解二极管的参数是应用的前提和基础，掌握每个参数的意义是本章的重点，也是本章的难点，4.二极管的应用二极管的主要利用其单向导电性可以用来构成各种电路，二极管的应用是本章的重点。
5.三极管的结构三极管的是由两个相互关联的PN结构成的，三极管由于其内部载流子的运动规律难于形象描述而成为本章的难点。
6.三极管的特性三极管不论输入还是输出都是非线性的，故此其为本章的难点，由于了解管子的特性是对于管子应用的基础和前提，因此正确理解输入电流对输出电流的控制也是本章的重点。
7.三极管的应用三极管在日常生活中有着非常广泛的应用，模拟电子中主要用其放大作用，数字电子中主要用其开关作用。
学习的目的主要是为了应用，因此是本章的重点。
二、学习方法指导1.半导体材料的导电特性半导体材料的导电性能介于导体和绝缘体之间，其导电特性包括：对温度反映灵敏(热敏性) ，杂质的影响显著(掺杂性) ，光照可以改变电阻率(光敏性)。
2.自由电子和空穴当一部分价电子挣脱共价键的束缚而成为自由电子后，共价键中就留下相应的空位，这个空位被称为空穴。
原子因失去一个价电子而带正电，也可以说空穴带正电。
在本征半导体中，电子与空穴总是成对出现的，它们被称为电子空穴对。
如果在本征半导体两端加上外电场，半导体中将出现两部分电流：一是自由电子将产生定向移动，形成电子电流；一是由于空穴的存在，价电子将按一定的方向依次填补空穴，亦即空穴也会产生定向移动，形成空穴电流。
1半导体器件复习练习题二极管三极管场效应管差动放大电路集成运放
半导体基本知识和半导体器件（二极管、三极管、场效应管、集成运放）一、选择题：1、PN结外加正向电压时，其空间电荷区（）。
A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定2、PN结外反正向电压时，其空间电荷区（）。
A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定3、当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流I s将增大，是因为此时PN结内部的（）A. 多数载流子浓度增大B.少数载流子浓度增大C.多数载流子浓度减小D.少数载流子浓度减小4、PN结反向向偏置时，其内电场被（）。
A.削弱B.增强C.不变D.不确定5、在绝对零度（0K）和没有外界激发时，本征半导体中( ) 载流子。
A.有B.没有C.少数D.多数6、集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（）。
A．减小温漂B. 增大放大倍数C. 提高输入电阻D. 减小输出电阻7、以下所列器件中，（）器件不是工作在反偏状态的。
A、光电二极管B、发光二极管C、变容二极管D、稳压管8、当晶体管工作在放大区时，（）。
A. 发射结和集电结均反偏B.发射结正偏，集电结反偏C. 发射结和集电结均正偏D.发射结反偏，集电结正偏9、稳压二极管稳压时，其工作在( )，A．正向导通区B．反向截止区C．反向击穿区 D.不确定10、抑制温漂（零漂）最常用的方法是采用（）电路。
A.差放B.正弦C.数字D.功率放大11、在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（）。
A．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管ArrayC.PNP 型硅管D.PNP 型锗管12、某场效应管的转移特性如右图所示，该管为（）。
A．P沟道增强型MOS管 B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管13A．输入电阻高 B.输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大14、如右图所示复合管，已知V1的β1 = 30，V2的β2 =50，则复合后的β约为（）。
A．1500 B.80 C.50 D.3015、发光二极管发光时，工作在( )。
电子基础第13章二极管三极管场效应管
画直流通路： 电容看成开路 电感看成短路 电源不计内阻 计算IB以及IC值，根据输出特征曲线确
定Q点
动态分析
画交流微变等效通路： 电容看成短路 直流电源短路 将三极管等效成由基极电流控制的集
电极和发射极受控电流源 计算Au=-βR’L/rbe、ri ≈rbe和ro≈Rc 计算Aus=[ri/ (Rs+ ri) ]Au
二极管的应用
二极管使用在限幅、开关、低电压稳压等电路中，起整流、检波、限 幅、箝位、开关、 元器件保护、温度补偿等作用。
※二极管的整流
大多数电器设备无法直接使用交流电，必须把交流电转换成直流电以 后才能加以利用。把交流电转换成直流电的过程叫做“整流”。
三极管
三极管概述：
半导体三极管有两种类型： 一种是双极型半导体三极管(BJT Bipolar Junction transistor)，常称为晶体 管，在电路中常用“Q”加数字表示 ，有两种 载流子参与导电(多数载流子和少数载流子） ，被称之为双极型器件。晶体管是电流控制元 件，由两个PN结组合而成
为正、N为负）很小时（锗管小于0.1 伏，硅管小于0.5伏），管子不导通 处于“死区”状态，当正向电压起过 一定数值后，管子才导通，电压再稍 微增大，电流急剧暗加（见曲线I段 ）。不同材料的二极管，起始电压不 同，硅管为0.5-0.7伏左右，锗管为 0.1-0.3左右。
2）、反向特性 二极管两端加上反向电压时，反向
另一种是场效应半导体三极管，仅由一种载流子（多数）参与导电， 所以称之为单极型器件。场效应管是电压控制元件，由电场效应来控制其 电流大小， 分为两大类：结型场效应管（JFET Junction type Field Effect Transistor）和金属氧化物半导体场效应管（MOSFET Metal－ Oxide－Semiconductor type Field Effect Transistor ）
电子技术-半导体-二极管-三极管-基础题1
电子技术-半导体-二极管-三极管-基础题1202311半期考前复习题-电子技术1.自然界的物质按照导电能力不同,可分为________三大类型。
半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。
[填空题] *空1答案：导体、绝缘体和半导体2.目前用来制造半导体器件的材料是 __________，它们都是四价元素具有晶体结构。
[填空题] *空1答案：硅和锗3. 半导体又称_______ [填空题] *空1答案：晶体4.半导体具有3个奇妙且可贵的特性:_________。
在纯净的半导体中掺人微量的三价或五价元素,它的导电性能将大大增强。
应用掺杂技术可以制造出二极管、三极管、场效晶体管、晶闸管和集成电路等半导体器件。
[填空题] *空1答案：掺杂性5._________. 导温度对半导体的导电能力影响很大。
温度越高，价电子获得的能量越大，挣脱共价键柬缚形成自由电子和空穴就越多，导电能力就越强。
利用平导体对温度十分敏感的特性，可以制成热敏电阻及其他热敏器件。
[填空题] *空1答案：热敏性6._________. 半导体受到光照时，自由电子和空穴数量会增多，导电能力随之增强,这就是半导体的光电性。
利用这种特性能制造各种光电器件，如光电二极管、光电三极管、光控晶闸管等，如图1-3所示，从而实现路灯、航标灯的自动控制或制成火灾报。
[填空题] *空1答案：光电性7.在硅、锗半导体中，人为掺人微量的其他元素后,所得的半导体称为________,其类型有P型半导体和N型半导体,这两种半导体是制造各种半导体器件的基础材料。
[填空题] *空1答案：杂质半导体8.在纯净半导体硅或锗中掺人硼、铝等三价元素就形成_________。
特点是:空穴数量多，自由电子数量少，参与导电的主要是带正电荷的空穴，所以又称空穴半导体[填空题] *空1答案：P型半导体9.在纯净半导体硅或锗中掺人微量磷、砷等五价元素就形成________。
特点是:自由电子数量多，空穴数量少，参与导电的主要是带负电荷的自由电子，所以又称自由电子半导体。
二极管、三极管放大电路练习题
R
Ui
D
VD＋ = Ui = 5V
+
U0
_
VD－ =0V
R
+
Ui
D U0
_
(2)求出断开两点间的 电位差VD 。
VD= VD＋ － VD－ =5V
例1：设二极管为理想二极管，试求出Ui=5V时
的输出电压U0的大小。
(3)判断二极管的导通状态
R
+
Ui
D
U0
_
∵ VD= 5V>0 ∴ 二极管D导通
R
+
UD+－UD－≥UF，二极管导通，等效为UF恒压源； UD+－UD－<UF，二极管截止，等效为断路。 • 折线模型
UD+－UD－≥Uth，二极管导通，等效为Uth恒压源串联电阻； UD+－UD－<Uth，二极管截止，等效为断路。
例1：设二极管为理想二极管，试求出Ui=5V时
的输出电压U0的大小。
解:(1)断开二极管D
二极管及其基本电路、三极管练习
二极管复习
1、二极管基本电路的分析方法：
关键是判断二极管的导通与截止
首先假设二极管断开，然后求得二极管正极和负极之 间的电压。如该电压大于导通电压，则说明该二极管导通， 两端的实际电压为二极管的导通电压；如果该电压小于导 通电压，则说明该二极管截止。然后进一步计算所要求的 各物理量。
可见，二极管接入后，反向偏置，VD处于截止状态。电 路中电流为0，电阻上压降为0，所以
Vo=VB=VC=-5V
3：设二极管为理想二极管，试判断各个二极管 的工作状态，求输出电压U0的大小。
(1)设D1、D2都断开，设0电位点
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模拟电子技术部分习题及答案——直流稳压电源项目一、二极管与三极管的基础知识二极管习题一、熟悉概念与规律1．半导体2．P型半导体3．N型半导体4．PN结5．单向导电性6．整流二极管7．稳压二极管8．发光二极管9．开关特性10．三极管11．三极管的饱合特性12．三极管的截止特性13．三极管的放大特性二、理解与计算题1．当温度升高时，二极管的正向压降_ 变小，反向击穿电压变小。
2．硅稳压二极管并联型稳压电路中，硅稳压二极管必须与限流电阻串联，此限流电阻的作用是（C——调压限流）。
A、提供偏流B、仅限流电流C、兼有限流和调压两个作用3. 有两个2CW15 稳压管，一个稳压值是8V，另一个稳压值是7.5V，若把两管的正极并接，再将负极并接，组合成一个稳压管接入电路，这时组合管的稳压值是（B——7.5V）。
8V；B、7.5V；C、15.5V4．稳压管DW稳压值为5.3V，二极管VD正向压降0.7V，当VI 为12V时，DW和VD 是否导通，V0 为多少？R电阻的作用。
答：DW和VD 不导通，V0 为5.3V，R电阻的作用是分压限流。
5．下图中D1-D3为理想二极管，A，B，C灯都相同，试问哪个灯最亮？（）6．在图所示的电路中，当电源V=5V 时，测得I=1mA。
若把电源电压调整到V=10V，则电流的大小将_____。
A.I=2mAB.I<2mAC.I>2mA7．图所示电路，设Ui=sinωt(V)，V=2V，二极管具有理想特性，则输出电压Uo 的波形应为图示_______图。
8．图所示的电路中，Dz1 和Dz2 为稳压二极管，其稳定工作电压分别为6V 和7V，且具有理想的特性。
由此可知输出电压Uo 为_______。
9．二极管最主要的特性是____________，它的两个主要参数是反映正向特性的____________和反映反向特性的____________。
10．图所示是一个输出6V 正电压的稳压电路，试指出图中有哪些错误，并在图上加以改正。
11．电路如图所示。
已知v2 有效值足够大，合理连线，构成5V 的直流电源。
12．桥式整流滤波电路，以知ｖ21=20×1.414Sinωt(V)。
在下列情况时,说明Ｖo 端对应的直流电压平均值Ｖo(av)应为多少。
（1）电容C 因虚焊未接上。
（2）有电容但ＲL 开路。
（3）整流桥中有一个二极管因虚焊断路，有电容C，ＲL=∞。
13．设二极管正向电阻为零，反向电阻无穷大，判断如图所示电路的输出端电压：（）A、—3V；B、—8V；C、5V；D、8V。
14．如果电阻R 的阻值为1 千欧，问：二极管的电流正向电流为（）。
（填空）15．PN 结具有，偏置时导通，偏置时截止。
16．直流稳压电源的作用就是将转换为。
小功率直流稳压电源一般由、、和四部分组成。
17．常温下，硅二极管的死区电压约为______V，导通后两端电压基本保持约______V 不变；锗二极管的死区电压约______V，导通后两端电压基本保持约______V 不变。
18．二极管2AP7 是类型，2CZ56 是类型，2CW56 是类型，2CK70是类型，2CC122 是类型，1N4007 是类型，1N4148 是类型，1N5401 是类型。
正常情况下稳压管工作在区，具有稳压作用。
19．硅二极管两端加上正向电压时立即导通。
（）20．当二极管两端正向偏置电压大于死区电压时，二极管才能导通。
（）21．二极管的反向击穿电压大小与温度有关，温度升高反向击穿电压增大。
（）22．用万用表欧姆挡粗测2AP9 时用RX10 档。
（）23．在输出电压相同的情况下，桥式整流电容滤电路和桥式整流电路所选二极管的最大电流可以相同。
（）24．同硅管相比，锗管的参数更易受温度的影响。
( )25．半导体就是导电性能介于导体与绝缘体之间的一类物质。
（）26．稳压二极管正常工作时必须反偏，且反偏电流必须大于稳定电流Z I 。
（）27．半导体二极管反向击穿后立即烧毁。
（）28．用模拟万用表和数字万用表在测试二极管的极性时，测试方法和判别依据完全一样。
（）29．2CZ 型二极管，以下说法正确的是（）A．适用于小信号检波B．适用于整流C．适用于开关电路30．对于晶体二极管，下列说法正确的是（）A.正向偏置导通,反向偏置截止B.导通时可等效为一线性电阻C.在达到反向击穿电压之前通过的电流很小D. 反向击穿后立即烧毁31．题图1.5.1 所示电路，二极管为理想二极管，以下说法正确的是（）A.VD 导通，UAO=6VB.VD 导通，UAO=-6VC.VD 截止，UAO=9VD. VD 导通，UAO=－9V32．硅二极管正偏时，正偏电压0.7V 和正偏电压0.5V 时，二极管呈现的电阻值（）A．相同B 不相同C 无法判断33．用模拟万用表RX1K 档测二极管，若红笔接阳极，黑笔接阴极，读数为50K，表笔对换测得电阻一样大，则该二极管（）A．内部已断，不能使能B．内部已短路，不能使用C．没有坏，但性能不好D．性能良好34.如题图1.5.2 所示电路：1）该电路正常工作时，输出电压o u 为多少？2）若要电路正常工作，变压器次级电压2 u 的最小值是多少？最大值是多少？3）如果变压器次级电压2 u 的有效值为15V，则整流、滤波后电压3 u 的数值大略为多少？若测得3 u 为13.5V 左右，分析故障原因与部位，并列出检修的步骤。
36．硅稳压管稳压电路如题图1.5. 3 所示。
已知硅稳压管VD 的稳定电压Uz＝10V、动态电阻和反向饱和电流均可以忽略，限流电阻R=RL＝1kΩ，未经稳压的直流输入电压Ui＝24V。
（1）试求Uo、Io、I 及Iz；（2）若负载电阻RL 的阻值减小为0.5K，再求Uo、Io、I 及Iz。
三极管习题一、熟悉概念与规律1．三极管2．三极管的饱合特性3．三极管的截止特性4．三极管的放大特性二、理解与计算题1．三极管具有、和特性。
2．三极管的IE、IB、IC 之间的关系是。
β= 。
3．各三极管电极的实测对地电压数据如下：图A 是管，工作在状态；图B 是管，工作在状态。
4．放大电路要不失真地放大交流信号必须使放大器设置，以保证三极管放大信号时，始终工作在区。
5．（）晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体N 型或P 型构成的所以e 极和c 极可以互换使用。
6．三极管多级放大电路中，已知ÀV1=20、ÀV2=-10、ÀV3=1、总的电压增益ÀV= - ；ÀV1 是放大器；ÀV2 是放大器；ÀV3 是放大器。
7．三极管的发射结正偏，集电结反偏时，三极管所处的状态是（）。
A、放大状态B、饱和状态C、截止状态8．测得某NPN 管得ＶBE＝0.7V，ＶCE＝0.2V，由此可判定它工作在_______区。
9．用万用表直流电压档测得电路中晶体管各电极的对地电位，试判断这些晶体管分别处于那种工作状态（饱和、截止、放大、倒置或已损坏）。
10．某晶体管的iB 从20μA 变到40μA 时，对应的iC 从1.55mA 变化到3.05mA，则该管的β 为（）。
A、β=75B、β=50C、β=100D、β=77.511．测得工作在放大电路中的三极管各极电位如图所示，其中硅材料的NPN 管是（）。
二、基本放大电路基础知识习题作业1.按要求填写下表。
2.分别改正图2所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。
要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。
图23.画出图3所示各电路的直流通路和交流通路。
设所有电容对交流信号均可视为短路。
图34.电路如图4（a）所示，图（b）是晶体管的输出特性，静态时UBEQ＝0.7V。
利用图解法分别求出RL＝∞和RL＝3kΩ时的静态工作点和最大不失真输出电压Uom（有效值）。
图 4 5.电路如图5所示，已知晶体管 ＝50，在下列情况下，用直流电压表测晶体管的集电极电位，应分别为多少？设VCC＝12V，晶体管饱和管压降UCES＝0.5V。
（1）正常情况（2）Rb1短路（3）Rb1开路（4）Rb2开路 （5）RC 短路图 56.电路如图6所示，晶体管的 ＝80，'bb r =100Ω。
分别计算RL ＝∞和RL ＝3k Ω时的Q 点、uA 、Ri 和Ro 。
图67.在图6所示电路中，由于电路参数不同，在信号源电压为正弦波时，测得输出波形如图7（a ）、（b ）、（c ）所示，试说明电路分别产生了什么失真，如何消除。
图 78.若由PNP 型管组成的共射电路中，输出电压波形如图P3.7（a ）、（b ）、（c ）所示，则分别产生了什么失真？9.已知图9所示电路中晶体管的β ＝100，rbe=1k Ω。
（1）现已测得静态管压降UCEQ ＝6V ，估算Rb 约为多少千欧；（2）若测得i U 和o U 的有效值分别为1mV 和100mV ，则负载电阻RL 为多少千欧？图910. 电路如图10所示，晶体管的β＝100，'bb r =100Ω。
（1）求电路的Q 点、uA 、Ri 和Ro ；（2）若电容Ce 开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？图1011.设图11所示电路所加输入电压为正弦波。
试问：图11（1）1u A =o1U /i U ≈? 2u A =o2U /i U ≈?（2）画出输入电压和输出电压ui 、uo1、uo2 的波形；12.电路如图12所示，晶体管的β＝80，rbe=1k Ω。
（1）求出Q 点；（2）分别求出RL ＝∞和RL ＝3k Ω时电路的u A 和Ri ；（3）求出Ro 。
图 1213.电路如图13所示，晶体管的β＝60，'bb r =100Ω。
（1）求解Q 点、u A 、Ri 和Ro ； （2）设s U ＝10mV （有效值），问i U ＝？o U ＝？若C3开路，则i U ＝？o U ＝？图1314. 图14所示电路参数理想对称，晶体管的β均为50，'bb r =100Ω，UBEQ ≈0.7。
试计算RW 滑动端在中点时T1管和T2管的发射极静态电流IEQ ，以及动态参数Ad 和Ri 。
图1415.如图15所示的差动放大电路中，设晶体管β1=β2=80，r`bb=200Ω，其他参数标在图上，试求：（10分）（1）画出直流通路，求静态时的ICQ1、ICQ2和UO（2）画出差模输入时的微变等效电路，并求接入负载RL=24K Ω时的差模电压放大倍数Avd ，差模输入电阻rid 和输出电阻rod图1517.电路如图15所示，已知场效应管的低频跨导为gm ，试写出u A 、Ri 和Ro 的表达式。
图17。