二极管丝印S1J

二极管的结构及符号

二极管的结构及符号二极管（Diode）是一种最简单的半导体器件，它由P型半导体和N型半导体组成。

其结构一般可以分为结型二极管和功率二极管两种。

结型二极管的结构是P型半导体和N型半导体直接连接而成。

在过渡层，即P区和N区共同形成一个p-n结。

P区和N区之间为过渡层（即p-n结）。

该结构常用于一般用途的低功率电子元件中。

结型二极管的符号如下：P N──►┼─►┼─►┼─►┼─►Anode CathodeP型半导体被称为阳极（Anode），N型半导体被称为阴极（Cathode），箭头的方向表示电流的流向，即从阳极到阴极流动。

结型二极管可以理解为一种电流方向只允许单向流动的电阀，它只能在阳极到阴极方向上导通，当反向电压加到二极管上时，它将处于截止状态。

功率二极管是一种结构相对较为复杂的二极管，其主要特点是具有高压、大电流、高频率的特点。

功率二极管的结构是在结型二极管的基础上加入了内部层接触电极，使得正向电流能够更加容易地流动。

功率二极管的符号如下：│──────────────┼───►┼───►┼────┼│ C K其中，C和K分别代表控制端（Control）和阴极端（Cathode）。

与结型二极管不同的是，功率二极管在符号上加入了附加的箭头表示控制电流的方向。

功率二极管可广泛应用于电源、开关电路等高功率领域。

除了上述两种常见的二极管结构外，还有许多其他类型的特殊结构的二极管，以满足不同领域应用的需求。

例如，肖特基二极管由金属和半导体部分组成，具有高电压、大电流的特点，适用于高频电路的检波和混频电路等。

锗二极管是早期使用的一种材料，但由于其耐压能力和稳定性较差，现已被硅二极管所取代。

总结一下，二极管是一种由P型半导体和N型半导体组成的半导体器件。

结型二极管和功率二极管是两种常见的结构，其符号中P和N分别代表P型和N型半导体，通过箭头的方向指示电流的流动方向。

二极管在电子领域具有广泛的应用，不同类型的二极管可用于不同的场合，满足不同的需求。

常用贴片二极管丝印和参数对应表

常用贴片二极管丝印和参数对应表一、常用贴片二极管丝印和参数对应表在电子元器件中，常用贴片二极管是一种重要的电子元件，具有广泛的应用。

了解二极管的丝印和参数对应关系，对于正确选择和使用二极管具有重要意义。

下面是常用贴片二极管丝印和参数对应表：1. 丝印：1N4148参数：最大反向电压(Vrrm)：100V最大反向电流(Ir)：150mA正向压降(Vf)：1V最大连续工作温度(Tj)：200℃2. 丝印：1N4007参数：最大反向电压(Vrrm)：1000V最大反向电流(Ir)：30mA正向压降(Vf)：1V最大连续工作温度(Tj)：150℃3. 丝印：1N5819参数：最大反向电压(Vrrm)：40V最大反向电流(Ir)：1mA正向压降(Vf)：0.45V最大连续工作温度(Tj)：125℃4. 丝印：BAT54S参数：最大反向电压(Vrrm)：30V最大反向电流(Ir)：100nA正向压降(Vf)：0.32V最大连续工作温度(Tj)：150℃5. 丝印：BAV99参数：最大反向电压(Vrrm)：85V最大反向电流(Ir)：2μA正向压降(Vf)：0.8V最大连续工作温度(Tj)：150℃二、结语通过以上常用贴片二极管丝印和参数对应表，我们可以清楚地了解到不同型号的贴片二极管的丝印和参数之间的对应关系。

在选择和应用贴片二极管时，我们可以根据需要的电压、电流和温度等参数，选择合适的型号的贴片二极管。

这样能够确保电路的正常工作，提高电子产品的性能和可靠性。

希望以上内容对您了解常用贴片二极管丝印和参数对应关系有所帮助。

如果您对其他电子元器件的丝印和参数对应关系也感兴趣，欢迎提出，我们将为您提供更多相关信息。

二极管及三极管电路符号大全【范本模板】

二极管及三极管符号大全【图】二极管符号参数二极管符号意义CT——-势垒电容Cj——-结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容Cjv—-—偏压结电容Co———零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn—-—结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct——-总电容CTV-——电压温度系数。

在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC—--电容温度系数Cvn-—-标称电容IF—-—正向直流电流(正向测试电流).锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管.硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF(AV）———正向平均电流IFM（IM）—--正向峰值电流（正向最大电流)。

在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

发光二极管极限电流。

IH——-恒定电流.维持电流。

Ii———发光二极管起辉电流IFRM-—-正向重复峰值电流IFSM-——正向不重复峰值电流(浪涌电流)Io-—-整流电流.在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF（ov）-——正向过载电流IL—--光电流或稳流二极管极限电流ID———暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM-—-发射极峰值电流IEB10--—双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP—--正向脉冲电流IP———峰点电流IV--—谷点电流IGT-—-晶闸管控制极触发电流IGD--—晶闸管控制极不触发电流IGFM—--控制极正向峰值电流IR(AV）—--反向平均电流IR(In）--—反向直流电流(反向漏电流)。

在测反向特性时,给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流;整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

二极管S1J

06-Sep-051 2Document Number 8871106-Sep-05S1A thru S1MVishay General SemiconductorElectrical Characteristics(T A = 25°C unless otherwise noted)Thermal Characteristics(T A = 25°C unless otherwise noted)Notes:(1) Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead mounted on P.C.B.with 0.2 x 0.2" (5.0 x 5.0 mm) copper pad areasRatings and Characteristics Curves(T A = 25 °C unless otherwise noted)ParameterTest condition SymbolS1AS1BS1DS1GS1JS1KS1MUnitMaximum instantaneous forward voltageat 1.0 AV F 1.1 V Maximum DC reverse current at Rated DC blocking voltage T A = 25 °C T A = 125 °CI R1.05.0µA50Typical reverse recovery time at I F = 0.5 A, I R = 1.0 A, I rr = 0.25 A t rr 1.8 µsTypical junction capacitanceat 4.0 V , 1 MHzC J 12 pFParameterSymbolS1AS1BS1DS1GS1JS1KS1MUnit Typical thermal resistance (1) R θJA 75 85°C/WR θJL 2730Figure 1. Forward Current Derating Curve Figure 2. Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge CurrentS1A thru S1MDocument Number 8871106-Sep-05Vishay General Semiconductor3Package outline dimensions in inches (millimeters)Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics Figure 4. Typical Reverse Leakage CharacteristicsFigure 5. Typical Junction CapacitanceFigure 6. Typical Transient Thermal ImpedanceLegal Disclaimer NoticeVishay Document Number: Revision: 08-Apr-051NoticeSpecifications of the products displayed herein are subject to change without notice. Vishay Intertechnology, Inc., or anyone on its behalf, assumes no responsibility or liability for any errors or inaccuracies.Information contained herein is intended to provide a product description only. No license, express or implied, by estoppel or otherwise, to any intellectual property rights is granted by this document. Except as provided in Vishay's terms and conditions of sale for such products, Vishay assumes no liability whatsoever, and disclaims any express or implied warranty, relating to sale and/or use of Vishay products including liability or warranties relating to fitness for a particular purpose, merchantability, or infringement of any patent, copyright, or other intellectual property right. The products shown herein are not designed for use in medical, life-saving, or life-sustaining applications. Customers using or selling these products for use in such applications do so at their own risk and agree to fully indemnify Vishay for any damages resulting from such improper use or sale.。

二极管丝印n1

二极管丝印n11.引言1.1 概述概述部分的内容可以包括以下方面：二极管丝印n1是电子设备中常见的一种元件，它具有重要的电学特性和应用价值。

二极管是一种半导体器件，由PN结构组成，能够将电流进行单向传导，具有非常高的整流特性。

丝印n1是二极管上的标识，用于区分不同型号和特性的二极管。

在现代电子科技中，二极管丝印n1具有广泛的应用，广泛用于整流、开关、放大、波形修整等电路中。

例如，它常常被用作整流器，将交流电转换为直流电；在开关电源中，二极管丝印n1则扮演着关键的电流开关角色，能够有效地控制电流的流动。

另外，二极管丝印n1也用于电路中的保护作用，能够防止反向电流对其他元件造成破坏。

对于二极管丝印n1的工作原理和特性，需要深入理解其非线性电阻特性和结电容特性。

通过恰当地选择二极管丝印n1的型号和参数，可以满足不同电路对电流控制和电压转换的需求。

此外，二极管丝印n1还有其自身的特定指标，如最大耐压、最大电流、导通压降等，这些指标对于电路设计和元件选择都具有重要意义。

为了更好地理解二极管丝印n1，在本文中将详细介绍其结构、工作原理、参数以及典型的应用场景。

通过对二极管丝印n1的深入了解，读者可以提高对该元件在电路中作用的认识，并在实际应用中更加灵活和准确地选择、配置二极管丝印n1，提高电路效率和可靠性。

总之，本文将全面解析二极管丝印n1，从概述到详细介绍，帮助读者更好地理解和应用这一电子元件，为相关领域的工程技术人员提供有用的参考和指导。

在接下来的章节中，将逐一展开讨论二极管丝印n1的各个方面，以期达到对读者有较大的帮助。

1.2 文章结构文章结构部分内容：文章结构是指文章整体组织框架和章节划分的安排，它对于文章的逻辑性和条理性起着重要的作用。

本文将按照以下结构来组织：第一部分为引言，包括概述、文章结构和目的。

在本部分中，将对二极管丝印的相关背景和重要性进行简要介绍，同时明确本文的结构和目的。

第二部分为正文，共包含两个主要要点。

电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印

电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印二极管是电子电路中常用的元件之一，其在电子电路中可以作为整流、检波、钳位保护等用途。

本文介绍一下电子爱好者搞电子制作时经常用到的一些二极管的主要电参数及封装丝印。

1、常用的整流二极管电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印1N4001整流二极管1N4001整流二极管是1N40xx系列中常用的管子，其耐压值为50V，整流电流为1A，在一些低压稳压电源中很常见。

对于直插的1N4001二极管，带有白色色环的那一端为负极（其它型号的直插二极管亦然）。

贴片封装的1N4001的丝印为M1，其参数与直插的1N4001的参数一样。

电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印贴片1N4001二极管电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印▲1N4007整流二极管1N4007二极管可以说是1N40xx系列中最常用的二极管，该管耐压值为1000V，整流电流为1A，其广泛用于电子镇流器、LED驱动器中作为低频高压整流。

电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印▲贴片1N4007二极管电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印▲1N5408整流二极管1N40xx系列二极管的整流电流为1A，若需要大电流整流，可以选用整流电流为3A的1N54xx的整流二极管。

其中1N5408是该系列中最常用的二极管。

该管的耐压值可达1000V。

电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印▲6A10整流二极管电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印▲10A10整流二极管若需要更大电流的整流二极管，可以选用6A10及10A10，它们的耐压值皆为1000V，整流电流分别为6A和10A。

2、常用的肖特基二极管肖特基二极管高频性能良好，正向压降小，多用于开关电源及逆变器中作高频整流。

电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印▲1N5819肖特基二极管1N5819肖特基二极管高频性能良好，正向压降低（在0.3V左右），在一些输出电流1A 以下的锂电池充电器中很常见。

二极管种类符号及作用

二极管种类符号及作用
二极管是一种可以在电路中进行特殊功能的半导体器件，因其只有两个极，故称为“二极管”。

二极管的种类丰富，包括晶体管、钙钛矿晶体管、集成电路晶体管、金氧半双向管等。

每种二极管的符号和功能都不尽相同，因此，要深入理解各类二极管的符号，以及为电子设备所做出的贡献，是非常有必要的。

首先，让我们来看看晶体管（简称为“管”）的符号及其作用。

晶体管是一种三端口半导体器件，它有三个引线，由三层半导体组成，符号通常表示为“C”，具体如下图所示：
晶体管的主要作用是控制和放大电信号，这是通过其基本的开关特性实现的。

当管的基准电压（或基极电压）超过一个特定阈值时，它就会被“打开”，当基极电压低于阈值时，它就会被“关闭”。

晶体管还可以提供电流放大，不仅可以放大电流，而且还可以将输入电流转换成较大的输出电压。

其次是钙钛矿晶体管（简称“MOSFET”）的符号及其作用。

钙钛矿晶体管是一种极其重要的半导体器件，它有三个极，其符号如下图所示：
钙钛矿晶体管的主要作用是在没有外部电源的情况下，通过控制电子流的方式对电子设备进行控制。

它可以实现输出高电压，快速开关、低损耗、低噪音等特性，并且可以提供良好的性能可靠性。

此外，还有一种金氧半双向管（简称“DIAC”），它有两个极，其符号如下图所示：
金氧半双向管主要用于控制大电流。

它主要有两种结构：垂直和水平结构。

它的主要作用是在电路中可以放大或减少信号电平，以实现控制和放大的功能，同时还可以降低或提高电压级别。

以上就是普通的二极管种类符号及作用的概述，它们在电子设备中的贡献是不可磨灭的，只有掌握各类二极管的符号及其功能，才能更好地制作电子设备。

e1j二极管参数

e1j二极管参数
E1j二极管是一种半导体器件，其主要参数包括正向电压降、正向电流（最大额定电流和漏电流）、反向电压（最大反向额定电压和反向电流）、功耗、响应时间等。

正向电压降指的是在正向偏置下，二极管内部的电场使得电子流向PN结逆向，从而使得电压降低到一个稳定值。

E1j二极管的正向电压降通常在0.6V左右，这意味着当二极管正向偏置时，电压在其两端下降0.6V。

最大额定电流是指二极管在正向偏置下所能承受的最大电流。

E1j二极管的最大额定电流通常在30mA左右。

漏电流是指在反向偏置下，二极管内部的少数载流子漏到反极区域而形成的电流。

E1j二极管的漏电流通常很小，通常在几微安以下。

最大反向额定电压是指二极管在反向偏置下所能承受的最大电压。

E1j二极管的最大反向额定电压通常在100V左右。

反向电流是指在反向偏置下流过二极管的电流。

E1j二极管的反向电流通常很小，通常在几微安以下。

功耗是指二极管在工作过程中消耗的功率。

E1j二极管的功耗通常很小，通常在几毫瓦以下。

响应时间是指二极管在由正向偏置到反向偏置或者由反向偏置到正向偏置时，从响应到稳定的时间。

E1j二极管的响应时间通常很短，只有几纳秒左右。

总之，E1j二极管的参数涉及到正向电压降、正向电流、反向电压、反向电流、功耗和响应时间等，这些参数都是衡量二极管性能的重要指标。

二极管S1J

06-Sep-051 2Document Number 8871106-Sep-05S1A thru S1MVishay General SemiconductorElectrical Characteristics(T A = 25°C unless otherwise noted)Thermal Characteristics(T A = 25°C unless otherwise noted)Notes:(1) Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead mounted on P.C.B.with 0.2 x 0.2" (5.0 x 5.0 mm) copper pad areasRatings and Characteristics Curves(T A = 25 °C unless otherwise noted)ParameterTest condition SymbolS1AS1BS1DS1GS1JS1KS1MUnitMaximum instantaneous forward voltageat 1.0 AV F 1.1 V Maximum DC reverse current at Rated DC blocking voltage T A = 25 °C T A = 125 °CI R1.05.0µA50Typical reverse recovery time at I F = 0.5 A, I R = 1.0 A, I rr = 0.25 A t rr 1.8 µsTypical junction capacitanceat 4.0 V , 1 MHzC J 12 pFParameterSymbolS1AS1BS1DS1GS1JS1KS1MUnit Typical thermal resistance (1) R θJA 75 85°C/WR θJL 2730Figure 1. Forward Current Derating Curve Figure 2. Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge CurrentS1A thru S1MDocument Number 8871106-Sep-05Vishay General Semiconductor3Package outline dimensions in inches (millimeters)Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics Figure 4. Typical Reverse Leakage CharacteristicsFigure 5. Typical Junction CapacitanceFigure 6. Typical Transient Thermal ImpedanceLegal Disclaimer NoticeVishay Document Number: Revision: 08-Apr-051NoticeSpecifications of the products displayed herein are subject to change without notice. Vishay Intertechnology, Inc., or anyone on its behalf, assumes no responsibility or liability for any errors or inaccuracies.Information contained herein is intended to provide a product description only. No license, express or implied, by estoppel or otherwise, to any intellectual property rights is granted by this document. Except as provided in Vishay's terms and conditions of sale for such products, Vishay assumes no liability whatsoever, and disclaims any express or implied warranty, relating to sale and/or use of Vishay products including liability or warranties relating to fitness for a particular purpose, merchantability, or infringement of any patent, copyright, or other intellectual property right. The products shown herein are not designed for use in medical, life-saving, or life-sustaining applications. Customers using or selling these products for use in such applications do so at their own risk and agree to fully indemnify Vishay for any damages resulting from such improper use or sale.。

SD101AW(丝印S1)二极管规格书(含样品申请表)

VR=50V
VR=0V,f=1.0MHz IF=IR=5mA
Irr=0.1XIR,RL=100Ω
D,Jul,2012
【领先的片式无源器件整合供应商—南京南山半导体有限公司】

Typical Characteristics
SD101AW
FORWARD CURRENT IF (mA)
15
Forward Characteristics
10
1
Ta=100℃
0.1
Ta=25℃
0.01
1E-3 0
100
200
300
400
500
600
700
800
FORWARD VOLTAGE VF (mV)
Capacitance Characteristics
2.8
Ta=25℃
2.6
f=1MHz
2.4
2.2
网址：
□技术 □采购 □贸易商邮箱：
元器件明细资料
元器件名称型号及封装
单机用量申请数量备注
预计生产情况
预计小批量生产时间：
规模生产时间：
样品申请时间：
样品申请流程
1、请详细、全面、真实填写上列各项。表格不够填写，可自行复制。 2、请以附件的形式将该文档通过 E-mail 发送，并请客户将此单打印盖章后邮件至：Service@nsc。。 3、公司将根据客户所填信息并综合相关情况，及时确定该样品申请是否执行及如何执行。 4、收到样品申请单并经审核通过后，南京公司有现货24小时内发出，如需订货，交期3-4周，非常规品顺延1-2 周。 5、样品免费，运费到付(一般选择顺丰快递)；样品数量规定：单个型号5～20pcs，或按单机数量2～5套。 6、特别说明：由于体制约束等不确定因素，我们并不保证样品数量和型号完全符合要求，也不承诺一定按期交出。

二极管代码S1K

SUFACE MOUNT GENERAL PURPOSE SILICON RECTIFIERReverse Voltage - 50 to 1000 Volts Forward Current - 1.0 AmpereCase : JEDEC SOD-123FL molded plastic body over passivated chip Terminals : S olderable per MIL-STD-750,Method 2026Polarity : Color band denotes cathode end Mounting Position : AnyWeight :0.006 ounce, 0.02 gramsGlass passivated deviceIdeal for surface mouted applications FEATURESMECHANICAL DATAMAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICSMetallurgically bonded constructionHigh temperature soldering guaranteed:250 C/10 seconds,0.375”(9.5mm) lead length,5 lbs. (2.3kg) tensionLow reverse leakageNote: 3.Thermal resistance from junction to ambient at 0.375” (9.5mm)lead length,P.C.B. mountedELECTRONICS CO.,LTD.LING JIESTAR SEARatings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.DSR1A THRU DSR1M2.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.1.Averaged over any 20ms period.DSR1B SYMBOLS10070100400280400200140200600420600800560800V RRM V RMS V DC I (AV)I FSM V F 1.025.01.1Operating junction and storage temperature rangeMaximum repetitive peak reverse voltage Maximum RMS voltageMaximum DC blocking voltageMaximum average forward rectified current at T A =65 C (NOTE 1)Peak forward surge current8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC Method)Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A Maximum DC reverse current T A =25 C at rated DC blocking voltage T A =125 C Typical junction capacitance (NOTE 2)I R 10.050.0R θJA C J T J ,T STG1804-55 to +150Typical thermal resistance (NOTE 3)UNITSVOLTS VOLTS VOLTS AmpAmps Volts pF CA µK/W DSR1D DSR1G DSR1JDSR1K S1BS1DS1GS1JS1KT L =25 C503550S1ADSR1A 10007001000DSR1M S1MSOD-123FLDimensions in millimetersRATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES DSR1A THRU DSR1MELECTRONICS CO.,LTD.LING JIESTAR SEAm A M P E R E SC A P A C I T A N C E , p FFIG.1 --TY PIC A L FOR WA R D C H A R A C TE R ISTIC FIG.2 -- TY PIC A L JU N C TION C APA C ITA N C EIN ST AN T AN EO U S FOR WAR D VOLT AG E,mV R EVER SE VOLT AGE,VOLT SI N S T A N T A N E O U S F O R W A R D C U R R E N T100100060070080090010001100510152025303540109876543210 µA M P E R E SA V E R A G E F O R W A R D C U R R E N T ,A M P E R E SI N S T A N T A N E O U S R E V E R S E C U R R E N TFIG.3 -- TYPICAL INSTANTANEOUS FIG.4 -- FOR WA R D D E R A TIN G C U R VEAMBIEN T T EMPER AT U R E,INSTANTANEOUS REVERSE VOLTAGE,V10100REVERSE CHARACTERISTICS1.00.80.60.40.20 25 50 75 100 125 150 175【领先的片式无源器件整合供应商—南京南山半导体有限公司】 |样品申请单模板第2页共2页。

丝印 k4二极管参数

丝印 k4二极管参数
丝印K4二极管参数是一项关于电子元件的重要信息，它揭示了该二极管的性能和特点。

下面我们将从人类的视角出发，用准确无误、流畅自然的语言来描述这些参数。

我们来看看丝印K4二极管的电压参数。

该二极管的额定反向电压为Vr，表示其能够承受的最大反向电压。

这个参数对于保证二极管的正常工作很重要，因为超过这个电压值，二极管就会发生击穿现象，失去保护功能。

接下来，我们关注丝印K4二极管的电流参数。

这个参数包括额定电流Ir和最大正向电流If，分别表示二极管能够承受的最大正向电流和额定工作电流。

在正常工作条件下，电流不应超过这两个值，否则会引发二极管的过热和损坏。

除了电压和电流参数，丝印K4二极管还有一些其他的重要参数。

例如，正向压降Vf是指在额定电流下，二极管正向导通时的电压降。

这个参数对于电路设计和功耗计算非常关键。

而漏电流Ir是指在反向电压下，二极管的反向漏电流。

漏电流越小，说明二极管具有更好的绝缘性能。

还有一些与频率相关的参数需要关注。

例如，丝印K4二极管的反向恢复时间tRR，表示二极管从导通到截止的时间。

这个参数决定了二极管在高频电路中的应用能力。

而容量Cj则表示二极管的结电
容，它对于高频信号的传输也有一定影响。

丝印K4二极管参数涵盖了电压、电流以及与频率相关的性能指标。

这些参数对于电子元件的选择和电路设计都起着至关重要的作用。

我们要充分理解和熟悉这些参数，才能更好地应用丝印K4二极管，为电子技术的发展做出贡献。

二极管丝印S1G

SUFACE MOUNT GENERAL PURPOSE SILICON RECTIFIERReverse Voltage - 50 to 1000 Volts Forward Current - 1.0 AmpereCase : JEDEC SOD-123FL molded plastic body over passivated chip Terminals : S olderable per MIL-STD-750,Method 2026Polarity : Color band denotes cathode end Mounting Position : AnyWeight :0.006 ounce, 0.02 gramsGlass passivated deviceIdeal for surface mouted applications FEATURESMECHANICAL DATAMAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICSMetallurgically bonded constructionHigh temperature soldering guaranteed:250 C/10 seconds,0.375”(9.5mm) lead length,5 lbs. (2.3kg) tensionLow reverse leakageNote: 3.Thermal resistance from junction to ambient at 0.375” (9.5mm)lead length,P.C.B. mountedELECTRONICS CO.,LTD.LING JIESTAR SEARatings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.DSR1A THRU DSR1M2.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.1.Averaged over any 20ms period.DSR1B SYMBOLS10070100400280400200140200600420600800560800V RRM V RMS V DC I (AV)I FSM V F 1.025.01.1Operating junction and storage temperature rangeMaximum repetitive peak reverse voltage Maximum RMS voltageMaximum DC blocking voltageMaximum average forward rectified current at T A =65 C (NOTE 1)Peak forward surge current8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC Method)Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A Maximum DC reverse current T A =25 C at rated DC blocking voltage T A =125 C Typical junction capacitance (NOTE 2)I R 10.050.0R θJA C J T J ,T STG1804-55 to +150Typical thermal resistance (NOTE 3)UNITSVOLTS VOLTS VOLTS AmpAmps Volts pF CA µK/W DSR1D DSR1G DSR1JDSR1K S1BS1DS1GS1JS1KT L =25 C503550S1ADSR1A 10007001000DSR1M S1MSOD-123FLDimensions in millimetersRATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES DSR1A THRU DSR1MELECTRONICS CO.,LTD.LING JIESTAR SEAm A M P E R E SC A P A C I T A N C E , p FFIG.1 --TY PIC A L FOR WA R D C H A R A C TE R ISTIC FIG.2 -- TY PIC A L JU N C TION C APA C ITA N C EIN ST AN T AN EO U S FOR WAR D VOLT AG E,mV R EVER SE VOLT AGE,VOLT SI N S T A N T A N E O U S F O R W A R D C U R R E N T100100060070080090010001100510152025303540109876543210 µA M P E R E SA V E R A G E F O R W A R D C U R R E N T ,A M P E R E SI N S T A N T A N E O U S R E V E R S E C U R R E N TFIG.3 -- TYPICAL INSTANTANEOUS FIG.4 -- FOR WA R D D E R A TIN G C U R VEAMBIEN T T EMPER AT U R E,INSTANTANEOUS REVERSE VOLTAGE,V10100REVERSE CHARACTERISTICS1.00.80.60.40.20 25 50 75 100 125 150 175【领先的片式无源器件整合供应商—南京南山半导体有限公司】 |样品申请单模板第2页共2页。

FOSAN富信电子二级管 ES1AL-ES1JL-产品规格书

安徽富信半导体科技有限公司ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.ES1AL-ES1JLSOD-123FL Super Fast Recovery Diode超快恢复二极管■Features 特点Built-in Strain Relief 内应力释放Fast Switching Speed 快的开关速度Super Fast Recovery time 超快恢复时间Surface Mount Device 表面贴装器件Case 封装:SOD-123FL■Maximum Rating 最大额定值(T A =25℃unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为25℃)Characteristic 特性参数Symbol 符号ES1AL ES1BL ES1CL ES1DL ES1EL ES1GL ES1JL Unit 单位Repetitive Peak Reverse Voltage 重复峰值反向电压V RRM 50100150200300400600V DC Reverse Voltage 直流反向电压V R 50100150200300400600V RMS Reverse Voltage 反向电压均方根值V R(RMS)3570105140210280420V Forward Rectified Current 正向整流电流I F 1A Peak Surge Current 峰值浪涌电流I FSM 30AThermal Resistance J-A 结到环境热阻R θJA 80℃/WJunction/Storage Temperature 结温/储藏温度T J,T stg-50to+150℃℃■Electrical Characteristics 电特性(T A =25℃unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为25℃)Characteristic 特性参数Symbol 符号ES1AL-ES1DLES1EL-ES1GLES1JL Unit 单位Condition 条件Forward Voltage 正向电压V F 0.951.251.7V I F =1A Reverse Current 反向电流I R 5(T A =25℃)500(T A =100℃)µA V R =V RRM Reverse Recovery Time 反向恢复时间Trr 35nS I F =0.5A,I R =1A Irr=0.25A Junction Capacitance 结电容C J15pFV R =4V,f=1MHzANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.ES1AL-ES1JL ■Typical Characteristic Curve典型特性曲线ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.ES1AL-ES1JL ■Dimension外形封装尺寸。

es1j二极管参数代换

es1j二极管参数代换
ES1J是一种常见的二极管型号，它是一种超快恢复二极管。

在
进行参数代换时，我们可以考虑以下几个方面：
1. 电压参数，ES1J的最大反向工作电压（VRRM）通常为600V，这意味着在正常工作条件下，它可以承受的最大反向电压为600V。

此外，ES1J的额定反向电压（VR）通常为400V，这是一个重要的参
考值。

2. 电流参数，ES1J的额定直流正向电流（IF）通常为1A，这
是指在正向电压下，它可以承受的最大直流电流。

此外，ES1J的额
定脉冲正向电流（IFM）通常为30A，这是指在短时间内，它可以承
受的最大脉冲电流。

3. 功率参数，ES1J的额定功率（P)通常为1W，这是指在正常
工作条件下，它可以承受的最大功率。

此外，ES1J的额定脉冲功率（PM)通常为20W，这是指在短时间内，它可以承受的最大脉冲功率。

4. 封装参数，ES1J通常采用SMA封装，这是一种表面贴装封装，尺寸为2.6mm x 2.6mm x 1.1mm。

这个尺寸可以帮助我们在电
路设计中合理安排布局。

5. 其他参数，ES1J的正向压降（VF）通常为1.1V，这是指在
正向工作时，它的电压降。

ES1J的反向恢复时间（trr）通常为
50ns，这是指在从正向导通到反向截止的时间。

需要注意的是，以上参数只是ES1J的一般规格，具体的参数可
能会因厂家和批次的不同而有所差异。

因此，在实际应用中，我们
需要参考具体的数据手册或厂家提供的规格表来获取准确的参数值。

希望以上回答能够满足你的需求，如果还有其他问题，请随时
提出。

二极管丝印SJ

SU R FACE MOUNT GENERAL PURPOSE SILICON RECTIFIERReverse Voltage - 50 to 1000 Volts Forward Current - 0.7 AmpereCase : JEDEC SOD-123FL molded plastic body over passivated chip Terminals : S olderable per MIL-STD-750,Method 2026Polarity : Color band denotes cathode end Mounting Position : AnyWeight :0.0007 ounce, 0.02 gramsGlass passivated deviceIdeal for surface mouted applications FEATURESMECHANICAL DATAMAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICSMetallurgically bonded constructionHigh temperature soldering guaranteed:250 C/10 seconds,0.375”(9.5mm) lead length,5 lbs. (2.3kg) tensionLow reverse leakageNote:3.Thermal resistance from junction to ambient at 0.375” (9.5mm)lead length,P.C.B. mountedELECTRONICS CO.,LTD.LING JIESTAR SEARatings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.S07A THRU S07M2.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.1.Averaged over any 20ms period.S07BSYMBOLS10070100400280400200140200600420600800560800V RRM V RMS V DC I (AV)I FSM V F 0.725.01.1Operating junction and storage temperature rangeMaximum repetitive peak reverse voltage Maximum RMS voltageMaximum DC blocking voltageMaximum average forward rectified current at T A =65 C (NOTE 1)Peak forward surge current8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC Method)Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A Maximum DC reverse current T A =25 C at rated DC blocking voltage T A =125 C Typical junction capacitance (NOTE 2)I R 10.050.0R θJA C J T J ,T STG1804-55 to +150Typical thermal resistance (NOTE 3)UNITS VOLTS VOLTS VOLTS AmpAmps Volts pF CA µK/W S07DS07GS07JS07KSBSDSGSJSKT L =25 C503550SAS07A10007001000S07MSMSOD-123FLDimensions in millimetersRATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES S07A THRU S07MELECTRONICS CO.,LTD.LING JIESTAR SEAm A M P E R E SC A P A C I T A N C E , p FFIG.1 --TY PIC A L FOR WA R D C H A R A C TE R ISTIC FIG.2 -- TY PIC A L JU N C TION C APA C ITA N C EIN ST AN T AN EOU S FOR WAR D VOLT AGE,mV R EVER SE VOLT AGE,VOLT SI N S T A N T A N E O U S F O R W A R D C U R R E N T100100060070080090010001100510152025303540109876543210 µA M P E R E SA V E R A G E F O R W A R D C U R R E N T ,A M P E R E SI N S T A N T A N E O U S R E V E R S E C U R R E N TFIG.3 -- TYPICAL INSTANTANEOUS FIG.4 -- FOR WA R D D E R A TIN G C U R VEAMBIEN T T EMPER AT U R E,INSTANTANEOUS REVERSE VOLTAGE,V0.60.81.21.00204060801001201401600.40.20.110100REVERSE CHARACTERISTICS【领先的片式无源器件整合供应商—南京南山半导体有限公司】 |样品申请单模板第2页共2页。

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