第三章 晶体管放大器基础要点
晶体三极管及其放大电路
第3章 晶体三极管及其放大电路3.1 教学基本要求教 学 基 本 要 求主 要 知 识 点熟练掌握 正确理解 一般了解晶体管的结构及其工作原理√ 电流分配与放大作用√ 晶体管三极管 晶体管的工作状态、伏安特性及主要参数√ 放大电路的组成原则及工作原理√ 放大电路的主要技术指标、查阅电子器件相关数据资料 √ 图解法 √ 静态工作点估算法 √ 三极管放大电路的分析方法微变等效电路法√三种组态基本放大电路比较√静态工作点的选择与稳定、基本电路设计√耦合方式及直接耦合电路的特殊问题√ 多极放大电路 分析计算方法 √频率响应的基本概念 √三极管放大电路基础放大电路的频率响应频率响应的分析计算方法√3.2 重点和难点一、重点1.正确理解三极管的结构、电流分配、伏安特性和“放大”的实质。
2.三极管放大电路的图解法、小信号模型和放大电路的小信号模型分析方法。
3.放大电路中静态工作点的稳定问题。
二、难点1.正确理解NPN 和PNP 型三极管的组成及其工作原理。
2.三极管放大电路的小信号模型分析方法和工作点稳定问题。
3.基本放大电路的设计3.3 知识要点三极管的结构及类型 电流分配及电流放大作用 1.双极型三极管 共发射极特性、工作区域 主要参数“放大”的概念“放大”的概念及条件 三极管的内部条件外部条件 放大电路的组成、各元器件的作用2.共发射极放大电路 固定偏置共发射极放大电路的原理和工作波形 共发射极放大电路的三种工作状态与失真分析 分析方法与步骤静态分析3.共发射极放大电路的图解法动态分析失真与最大不失真输出电压三极管的小信号模型4.小信号模型分析法H参数的物理意义共发射极放大电路的小信号模型分析方法5.共发射极放大电路的工作点稳定问题6.共发射极、共基极和共集电极放大电路的特点阻容耦合方式直接耦合方式7.多级放大器变压器耦合方式光电耦合方式多级放大器的分析频率响应的基本概念RC低通电路的特性及波特图8.放大电路的频率响应RC高通电路的特性及波特图BJT的高频小信号混合π型模型单级阻容耦合放大电路的频率特性多级放大电路的频率特性3.4 主要内容3.4.1 晶体三极管3.4.1.1 晶体三极管的分类及结构晶体三极管通常简称为三极管,也称为晶体管和半导体三极管。
晶体管放大器及运放基础
V CC
Rc
IB VT IC
UCE
U BE Re
UE IE Re
动态分析——交流通路
R b1
C1 +
Ui R b2
V CC
Rc
R b1
+ C2
VT
交流
RL Re +
Ce
U通o 路 Ui R b2
V CC
Rc
VT RL
Uo UiRb1 Rb2
Ic
VT
Rc RL Uo
共集基本放大电路
ui
RB
RC RL
uo
将交流通道中的三极管用微变等效电路代替
ii
ib
ui RB rbe
ic
目的
bib
RL
将电子问题
RC
uo
化为受控源 电路的问题
来解
用微变等效电路估算电压放大倍数的计算
•
•
•
Ii
Ib
Ic
•
U i RB rbe
RL
•
•
b Ib
Uo
RC
•
•
Ui Ib rbe
•
•
Uo b Ib RL
IB
RB UBE
VBB
IC
T UCE
IE
截止状态
RC VCC
IB
RB UBE
VBB
IC
T UCE
IE
RC VCC
倒置状态
4.发射结反向偏置、集电结正向偏置——倒置状态
(1) 集电区扩散到基区的多子较少
(2) 发射区收集基区的非平衡少数载流子的能力小
(3) 管子的电流放大系数很小
射频与微波晶体管放大器基础
射频与微波晶体管放大器基础一、引言射频与微波晶体管放大器是无线通信和雷达等领域中不可或缺的核心元件,它们在信号传输和处理中起到关键作用。
本文将深入探讨射频与微波晶体管放大器的基础知识,包括其原理、分类、特点以及在实际应用中的一些注意事项。
二、射频与微波晶体管放大器的原理射频与微波晶体管放大器是通过控制输入信号与输出信号之间的电流和电压关系,实现信号放大的器件。
其基本原理是利用晶体管的电流和电压放大特性,将输入的微弱信号放大到足够的水平,以满足系统对信号增益的要求。
三、射频与微波晶体管放大器的分类根据不同的工作频率和应用场景,射频与微波晶体管放大器可以分为多种不同的类型。
常见的分类包括: 1. 低频放大器:工作频率在几十千赫兹到几百兆赫兹范围内,适用于音频放大等应用。
2. 中频放大器:工作频率在几百千赫兹到几千兆赫兹范围内,适用于收音机和电视等中频信号处理。
3. 射频放大器:工作频率在几千兆赫兹到几十千兆赫兹范围内,适用于无线通信和雷达等射频信号处理。
4. 微波放大器:工作频率在几十千兆赫兹到几百千兆赫兹范围内,适用于雷达和卫星通信等微波信号处理。
四、射频与微波晶体管放大器的特点射频与微波晶体管放大器具有以下一些特点: 1. 宽带特性:能够在一定频率范围内实现较为平坦的增益响应。
2. 高增益:能够将微弱的输入信号放大到较高的输出功率水平。
3. 低噪声:在信号放大的过程中,尽可能减小噪声的引入。
4. 高线性度:能够保持输入输出信号之间的线性关系,避免非线性失真。
5. 可靠性高:具有较长的使用寿命和稳定的性能。
五、射频与微波晶体管放大器的设计要点在设计射频与微波晶体管放大器时,需要注意以下几个方面: 1. 选择合适的晶体管类型和参数,以满足系统对增益、噪声和线性度等性能指标的要求。
2. 合理的输入输出匹配网络设计,以确保能够最大限度地传输能量。
3. 对于高功率放大器,需要合理设计散热结构,以保证晶体管工作在安全的温度范围内。
射频与微波晶体管放大器基础
射频与微波晶体管放大器基础射频与微波晶体管放大器是一种用于射频(Radio Frequency,RF)和微波(Microwave)信号放大的重要电子器件。
它在通信、雷达、卫星通信、无线电频谱分析仪等领域有着广泛的应用。
本文将介绍射频与微波晶体管放大器的基本概念、工作原理以及常见的分类。
一、基本概念射频与微波晶体管放大器是一种用于放大射频和微波信号的电子器件。
它可以将输入的微弱信号放大到较大的幅度,以便于信号的传输和处理。
晶体管是射频与微波放大器的核心组件,其主要由三个区域组成:发射区、基区和收集区。
通过对这三个区域的控制和调节,晶体管可以实现对射频和微波信号的放大。
二、工作原理射频与微波晶体管放大器的工作原理基于晶体管的三个区域的电子流动和电荷控制。
当输入信号通过发射区时,它将引起发射区电流的变化。
这个变化的电流将通过基区传播到收集区,进而产生一个放大后的输出信号。
晶体管的放大效果主要由两个参数决定:增益和带宽。
增益是指输出信号幅度与输入信号幅度之间的比值。
带宽则决定了放大器可以放大的频率范围。
为了实现高增益和宽带宽,人们不断改进晶体管的结构和材料,以提高其性能。
三、分类射频与微波晶体管放大器可以根据不同的工作方式和应用领域进行分类。
常见的分类包括:1. 单极性晶体管放大器(Unipolar Transistor Amplifier):它使用单极性(只有一个类型的载流子)晶体管作为放大器的核心。
这种放大器通常具有较高的增益和较宽的带宽。
2. 双极性晶体管放大器(Bipolar Transistor Amplifier):它使用双极性(同时存在两种类型的载流子)晶体管作为放大器的核心。
这种放大器具有较高的线性度和较低的噪声。
3. 堆叠晶体管放大器(Stacked Transistor Amplifier):它使用多个晶体管进行级联放大。
这种放大器可以实现更高的增益和更宽的带宽。
4. 集成射频放大器(Integrated RF Amplifier):它将多个晶体管和其他电子器件集成在一起,以实现更小的体积和更高的集成度。
射频与微波晶体管放大器基础
射频与微波晶体管放大器基础
射频与微波晶体管放大器是一种常见的电子元件,用于放大高频信号。
它们的基础知识包括晶体管的结构、工作原理、放大器的分类、参数
和设计等方面。
晶体管是一种半导体器件,由P型和N型半导体材料组成。
它有三个区域:发射区、基区和集电区。
当电流通过基区时,它会控制发射区
和集电区之间的电流,从而实现放大器的放大功能。
晶体管放大器可以分为三类:共射放大器、共基放大器和共集放大器。
共射放大器是最常见的一种,它的输入信号与基极相连,输出信号与
集电极相连。
共基放大器的输入信号与集电极相连,输出信号与发射
极相连。
共集放大器的输入信号与基极相连,输出信号与发射极相连。
晶体管放大器的参数包括增益、带宽、噪声系数和稳定性等。
增益是
指输出信号与输入信号之间的比例关系,带宽是指放大器能够放大的
频率范围,噪声系数是指放大器引入的噪声与信号噪声之间的比例关系,稳定性是指放大器的输出不会因为温度、电源电压等因素的变化
而发生变化。
晶体管放大器的设计需要考虑输入输出阻抗匹配、功率输出、线性度
和稳定性等因素。
输入输出阻抗匹配是指输入输出端口的阻抗与信号源和负载的阻抗相匹配,功率输出是指放大器能够输出的最大功率,线性度是指放大器输出信号的失真程度,稳定性是指放大器的输出不会因为温度、电源电压等因素的变化而发生变化。
总之,射频与微波晶体管放大器是一种重要的电子元件,它们的基础知识包括晶体管的结构、工作原理、放大器的分类、参数和设计等方面。
对于电子工程师来说,掌握这些知识是非常重要的。
第03章-半导体三极管及放大电路基础
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放大电路的动态图解分析
(1)交流负载线 1.从B点通过输出特性曲线上的Q点做一条直线,
其斜率为-1/R'L 。 2.R'L= RL∥Rc,
是交流负载电阻。
3.交流负载线是有 交流 输入信号时Q 点的运动轨迹。
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三极管电流分配
半导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。 在放大工作状态: 发射结加正向电压,集电结加反向电压。
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三极的工作原理
发射结加正偏时,从发射区将
有大量的电子向基区扩散,形成
的电流为IEN。 从基区向发射区也有空穴的扩
散运动,但其数量小,形成的电
流为IEP。(这是因为发射区的掺杂浓
Av Vo /Vi
A I / I
i
oi
Ap Po / Pi Vo Io /Vi Ii
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(2) 输入电阻 Ri
输入电阻是表明放大电路从信号源 吸取电流大小的参数,Ri大放大电路 从信号源吸取的电流小,反之则大。
Ri
Vi Ii
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(3) 输出电阻Ro
输出电阻是表明放大电路带负载的能力,
Ro大表明放大电路带负载的能力差,反之则强。
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双极型三极管的参数
参数 型号
PCM
I CM
mW mA
3AX31D 125 125
3BX31C 125 125
3CG101C 100 30
3DG123C 500 50
3DD101D 5A
5A
3DK100B 100 30
3DKG23 250W 30A
晶体管放大电路要点
2、晶体管放大电路原理2.1 晶体管和FET 的工作原理2.1.1晶体管和FET 的放大工作的理解晶体管和FET 的放大作用:晶体管或FET 的输入信号通过器件而出来,晶体管或FET 吸收此时输入信号的振幅信息,由电源重新产生输出信号,由于该输出信号比输入信号大,可以看成将输入信号放大而成为输出信号。
这就是放大的原理。
2.1.2晶体管和FET 的工作原理1、双极型晶体管的工作原理晶体管内部工作原理:对流过基极与发射极之间的电流进行不断地监视,并控制集电极-发射极间电流源使基极-发射极间电流的β倍的电流流在集电极与发射极之间。
就是说,晶体管是用基极电流来控制集电极-发射极电流的器件。
电源电源输出输出(a )双极型晶体管(以NPN 型为例) (b )FET (以N 型JFET 为例)集电极(输出端)双极型晶体管的内部原理2、FET 的工作原理FET 内部工作原理:对加在栅极与源极之间的电压进行不断地监视,并控制漏极-源极间电流源使栅极-源极间电压的g m 倍的电流流在漏极与源极之间。
就是说,FET 是用栅极电压来控制漏极-源极电流的器件。
2.1.3分立元件放大电路的组成原理放大电路的组成原理(应具备的条件)1放大器件工作在放大区(三极管的发射结正向偏置,集电结反向偏置;结型FET 与耗尽型MOSFET 可采用自偏压方式或分压式偏置或混合偏置方式,增强型MOSFET 则一定要采用分压式偏置或混合偏置 方式)即要保证合适的直流偏置; (2):输入信号能输送至放大器件的输入端; (3):有信号电压输出。
判断放大电路是否具有放大作用,就是根据这几点,它们必须同时具备。
2.1.4晶体管放大电路的直流工作状态分析(以晶体管电路为例)直流通路:在没有信号输入时,估算晶体管的各极直流电流和极间直流电压,将放大电路中的电容视为开路,电感视为短路即得。
它又被称为静态分析。
直流工作点:又称为静态工作点,简称Q 点。
在进行静态分析时,晶体管放大电路主要是求基极直流 电流I B 、集电极直流电流I C 、集电极与发射极间的直流电压U CE 。
晶体管放大电路基础
晶体管放大电路基础双极性晶体三极管及其电路模型晶体管的基本结构发射极、基极、集电极晶体管电流分配及放大原理晶体管的所谓的电流放大作用,并不是将电流的b放大电流才,而是以小电流b的微小变化,去控制比它大十几倍的电流c的变化,其间所谓的能量是以为晶体管提供偏置的直流电源提供。
因此,晶体管的电流放大作用实际上是一种控制作用,由于c/b= 。
C的数值将随着b改变,及c将受b控制。
放大区:发射结处于正向偏置,集电极处于反向偏置。
截至区:发射结和集电极处于反向偏置。
饱和区:发射极和集电极处于正向偏置。
双极型晶体三极管放大电路共射极放大电路npn型放大晶体管的原理和元件:晶体管担负着能量控制作用,是放大电路的核心元件。
基极直流电源和基极电阻给晶体管发射极提供适当的正向偏置电压和偏直电流。
集电极直流电源为输出信号提供控制的集电极电流变化转变为集电极电压的变化,输送到放大电路的输出端,实现了放大电路中的电压的作用。
同时,为晶体管提供里适当的管压,使之得以反偏,基本共射极放大电路单管共射极放大电路的组成:工作原理和波形分析,方向不变,而大小发生变化,且岁输入信号变化而发生变化。
放大电路的基本分析方法1、放大电路的直流通路和交流通路2、放大电路的静态分析3、放大电路的动态分析静态工作点稳定电路:稳定静态工作点的原理、静态分析、动态分析射极输出器射极输出器的静态分析、动态分析功率放大电路:功率放大电路的特点:1.功率放大电路的晶体管2.功率放大电路的分析方法3.功率放大电路的主要技术指标互补对称的功率放大电路双电源的互补对称功率放大电路ocl 单电压的互补对称功率放大电路放大电路的负反馈:负反馈的类型及其判别:。
晶体管放大电路基础1
在晶体管放大电路的设计和分析中有两类基本问题: 在晶体管放大电路的设计和分析中有两类基本问题:
直流偏置问题: A: 直流偏置问题: 待求问题: 待求问题:静态工作点 Q( IBQ 、 ICQ 、UCEQ) 分析方法: 分析方法:
直流电源 EC单独作 等效电源法 ⇒ 直流通道 用时,放 用时, 大电路的 图解法 等效电路。 等效电路。
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休息1 休息2
跨阻放大器模型的开路电压增益 四种基本放大器的区别是: 四种基本放大器的区别是:
5 .四种基本放大器的区别与联系
A ro A uo = ①增益的量纲不同 Ri
Rs i ii i
+ ++ R u R Rs uiui i i ii Rs --
us s i s i
②对输出电阻的要求不同 跨导放大器模型的开路电压增益 以电压作为输出量的放大器要求R 以电压作为输出量的出量的放大器要求R 以电流作为输出量的放大器要求 o >>RL ③对输入电阻的要求不同 以电压作为输入量的放大器要求R 以电压作为输入量的放大器要求 i >> Rs 以电流作为输入量的放大器要求R 以电流作为输入量的放大器要求 i<< Rs 四种模型电路的参数之间可以相互转换
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u 3.1.1 基本放大器及其模型 A A = o = 电压增益的表达式为
u
按照输出信号与输入信号不同的组合方式划分, 按照输出信号与输入信号不同的组合方式划分,可有四 称为开路电压增益, 当RL = ∞ 时,Au=Auo 。 Auo称为开路电压增益, 种基本放大器 另一方面,放大器有限的输人电阻 i会使 s在输入端引起分 放大器有限的输人电阻R 会使u 另一方面,电压输出/ 电压放大器(电压输出 电压输入) 电压放大器 电压输出/电压输入 压作用, 压作用,即 u i = R i u s 电流放大器(电流输出 电流输入) 电流输出/ 电流放大器 电流输出/电流输入 Rs + R i 跨阻放大器(电压输出 电流输入) 电压输出/ 跨阻放大器 电压输出/电流输入 为了输入端的电压信号u 尽可能接近源电压信号u 为了输入端的电压信号 i尽可能接近源电压信号 s ,必须 使放大器的输入电阻R 远远大于信号源电阻R 使放大器的输入电阻 i远远大于信号源电阻 s。 跨导放大器(电流输出 电压输人) 电流输出/ 跨导放大器 电流输出/电压输人 1.理想电压放大器的条件是 o=0 .理想电压放大器的条件是R 电压放大器 Ro = ∞,在这种条件下,Au恒等 和Ri电压放大器将输入电压信号 ,在这种条件下, + 于Auo ,而其电流增益和功率增益恒 Rs + 放大,提供输出电压信号, 放大,提供输出电压信号,是一 uo RL ui R i Auoui us 等于无穷大。 等于无穷大。 种电压控制电压源。 种电压控制电压源。 输出电压只是受控电压A 输出电压只是受控电压 uoui 的 一部分, 一部分,其表达式为
晶体管放大电路基础
基本晶体管放大电路总结、
基本晶体管放大电路总结、
基本晶体管放大电路是一种常见的电子放大器,用于增大电信号的幅度。
它由一个晶体管和一些辅助元件组成,如电阻、电容和电感等。
晶体管放大电路通常用于各种电子设备,包括收音机、电视机、音响和通信设备等。
晶体管放大电路的工作原理是利用晶体管的特性来放大输入电信号。
晶体管有三个电极,分别是发射极、基极和集电极。
在放大电路中,输入信号被接入到基极,而输出信号则从集电极得到。
通过控制基极电流,晶体管可以调节集电极电流,从而实现对输入信号的放大。
晶体管放大电路的放大效果可由两个参数来描述,即电压增益和功率增益。
电压增益是输出电压与输入电压之比,而功率增益是输出功率与输入功率之比。
这两个参数可以反映晶体管放大电路的放大能力。
在实际应用中,我们会根据需要选择不同类型的晶体管放大电路。
常见的有共射极放大电路、共集电极放大电路和共基极放大电路等。
不同类型的电路有不同的特点和应用场合。
总的来说,基本晶体管放大电路是一种很重要的电子器件,可以将微弱的电信号放大到足够的幅度,以便于后续的处理和传输。
它在电子技术领域有着广泛的应用,是现代电子设备中不可或缺的一部分。
通过合理设计和使用晶体管放大电路,我们可以实现更高质量
的音频和视频信号传输,提升通信设备的性能和效果。
第3章晶体管放大电路基础模电课件
e. 输出电压不失真的最大幅度
通常所指放大器的动态范 围是指不失真时,输出电压uo 的峰-峰值UOP-P。
iC / mA
Q1
IC
1
R
/ L
80
Q
1 Rc
60
40
★忽略晶体管的ICEO,为了输出
不产生截止失真,应满足Uom1≤ ICR׳L;
0 0
★为了输出不产生饱和失真,
iB 20μA
Q2
0
U CE
T
Re ui
RL
Rs uo
us
共发(射a) 共极发射放极大放大电电路路
共集电(b) 共 极集放电极大放大电电路路
共基(c) 共极基放极放大大电电路路
基极输入, 集电极输出
基极输入,发 射电极输出
发射极输入, 集电极输出
3.2.2 共发射极放大电路的组成
1.放大电路组成原则
为了使放大电路正常工作,其组成要满足下面的条件:
uCE / V
饱和失真
iiCC
/ /
mmiAAC
/
mA
由于静态工作点
偏低,在输入信
号负半周,BJT进 入截止区
IICC11
IC1
1 RR1LL//
RR111L/c
1 Rc
Rc
iiCC//mimCAA/ mA
((22))
IICC22 IC2
00 0 00
QQ22
Q2
iiBB 00
UCC UuCCEC/ V 00 0
Au
低频段
中频段
高频段
B0 W .7fHfL
Aum 0.707Aum
-3dB
BW0.7
0
晶体管放大电路
U CEQ VCC I CQ Rc
列晶体管输入、输出回路方程,将UBEQ作为已知
条件,令ICQ=βIBQ,可估算出静态工作点。
15
阻容耦合共射放大电路的直流通路和交流通路
直流通路
I
=VCC-U
BQ
Rb
BEQ
I CQ I BQ
U CEQ VCC I CQ Rc
当VCC>>UBEQ时,
I BQ
Re起直流负反馈作用,其值越大,反馈越强,Q点越稳定。
32
3. Q 点分析
分压式电流负反馈工作点稳定电路
VBB IBQ Rb U BEQ IEQ Re
VBB
Rb1 Rb1 Rb2
VCC
Rb Rb1 ∥ Rb2
U BQ
Rb1 Rb1 Rb2
VCC
I EQ
U BQ
U BEQ Re
判断方法: Rb1 ∥ Rb2 (1 )Re ?
以N沟道为例
单极型管∶噪声小、抗辐射能力强、低电压工作
场效应管有三个极:源极(s)、栅极(g)、漏极(d),对应于晶体
管的e、b、c;有三个工作区域:截止区、恒流区、可变电阻区,对应于
晶体管的截止区、放大区、饱和区
1. 结型场效应管
结构示意图
3. 通频带
衡量放大电路对不同频率信号的适应能力
由于电容、电感及放大管PN结的电容效应,使放大电路在信号频率较低
和较高时电压放大倍数数值下降,并产生相移。
下限频率
f bw f H f L
上限频率
4. 最大不失真输出电压Uom:交流有效值 5. 最大输出功率Pom和效率η:功率放大电路的参数
6
§2 基本共射放大电路的工作原理
晶体管放大器原理
晶体管放大器原理
晶体管放大器是一种电子放大器,利用晶体管的放大特性来增大电信号的幅度。
其工作原理基于两个主要部分:基极电流调节和集电极电压变化。
在晶体管放大器中,基极电流扮演着重要的角色。
当输入信号施加在基极上时,基极电流将相应地变化。
通过控制基极电流的大小,晶体管能够调节输出信号的幅度。
因此,在放大过程中,基极电流的变化非常重要。
晶体管放大器中的第二个重要部分是集电极电压。
通过调整集电极电压的大小,可以控制晶体管的工作状态,进而影响输出信号的放大程度。
当集电极电压较高时,晶体管处于饱和状态,输出信号将得到最大的放大。
相反,当集电极电压较低时,晶体管将处于截止状态,输出信号将得到最小的放大。
另外,晶体管放大器中还需要一个稳定的直流电源来提供所需的工作电压。
这样可以确保晶体管在正常工作范围内,并获得所需的放大效果。
总之,晶体管放大器的工作原理基于基极电流调节和集电极电压变化。
通过调节这两个参数,晶体管能够将输入信号放大到所需的幅度,并实现电子信号的放大功能。
晶体管放大电路基础
电阻的作用:
电流→电压
设置静态工作点 RC
C1
ui
RB
VB
C2 T
Vcc uo
电容的作用:
隔直流,通交流。 RC
C1
ui
RB
VB
C2 T
Vcc uo
电路的简化:
+Vcc
RB RC CC11
可以省去
RB
CC2 2 T
VB
零电位点
单电源供电
工作原理简述:
+Vcc
RB
RC
ic iin
SNR Ps PN
NF 10 log SNRo SNRi
⑥ 非线性失真系数 D
所有谐波总量与基波成分之比
⑦ 最大输出幅度
D
U
2 2
U
2 3
U1
在输出波形没有明显失真情况下,放大电路能够提 供给负载的最大输出电压(或电流)。可用峰-峰值表示, 或有效值表示(Uom 、Iom)。
⑧ 最大输出功率和效率
iB[rbb (1 )re'b' ]
rbe rbb (1 )re'b' ,
其中,reb
UT I EQ
26mV I EQ
低频、小功率管 rbb 约为 300 。
(2) 输出端
假设在 Q 点附近特性曲线基本上是水平的(iC 与
uCE无关),数量关系上, iC 是 iB 的 倍;
Au
Δ uCE Δ uBE
3 0.04
75
单管共射放大电路各点的电压电流波形:
单管共射放大电路 当输入正弦波 uI 时, 放大电路中相应的 uBE、 iB、iC、uCE、uO 波形。
晶体管与放大电路基础
Basic BJT Amplifiers 2.2 基本放大电路 2.3 基本放大电路的分析方法 2.4 共C和共B电路 2.5 放大器的级联 2.6 基本要求与小结
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2.2
基本放大电路
2.2.1 放大的概念 2.2.2 基本放大器组成原则 2.2.3 放大器的特点
1
0
共射输出特性曲线
跳转到目录页
<2> 须设置合适的静态工作点
当vi=0时,电路中各处的电压电流都是不 直流工作状态: 变的,对应的电压电流,分别为IBQ、ICQ、 VCEQ、VBEQ,代表了输入输出特性曲线上 (静态) 的一个点
—— 习惯上称 静态工作点 即Q(Quiescent)点 交流工作状态: (动态)
Q
(1 )re u be re ie 发射结交流电阻
Q
ie 1 , ib
/ UT
而ie I S e u BE
,
re
1 iE / u BE
u BE iE
Q
Q
1
1 u /U I S e BEQ T UT
iC i B
Q
UT 26m v I EQ I EQ
一、计算法
VCC VBE IB Rb
VCE VCC IC R c
跳转到目录页
二、图 解 法
VCC VBE IB Rb IC β IB VCE VCC I C Rc 直流负载线
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2.3.2 放大电路的动态分析
AC Analysis
动态分析有两种方法:
一、图解分析法 二、交流小信号模型分析法 AC Small-signal model analysis (微变等效电路法)
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·29·第三章 晶体管放大器基础§3.1 知识点归纳一、基本概念·向放大器输入信号的电路模型一般可以用由源电压S v 串联源内阻S R 来表示,接受被放大的信号的电路模型一般可以用负载电阻C R 来表示(图3-1)。
·未输入信号(静态)时,放大管的直流电流电压称为放大器的工作点。
工作点由直流通路求解。
·放大器工作时,信号(电流、电压)均迭加在静态工作点上,只反映信号电流、电压间关系的电路称为交流通路。
·放大器中的电压参考点称为“地”,放大器工作时,某点对“地”的电压不变(无交流电压),该点为“交流地”。
·交流放大器中的耦合电容可以隔断电容两端的直流电压,并无衰减地将电容一端的交流电压传送到另一端,耦合电容上应基本上无交流电压,或即是交流短路的。
傍路电容也是对交流电流短路的电容。
·画交流通路时应将恒压源短路( 无交流电压),恒流源开路( 无交流电流);耦合、傍路电容短路( 无交流电压)。
·画直流通路时应将电容开路(电容不通直流),电感短路(电感上直流电压为零)。
二、BJT 偏置电路1.固定基流电流(图3-7a )·特点:简单,B I 随温度变化小;但输出特性曲线上的工作点(CE V 、C I )随温度变化大。
·Q 点估计BBECC B R V V I -=,B C I I β≈,C C CC CE R I V V -= ·直流负载线C CEC CC C R v R V i -=2.基极分压射极偏置电路(图3-14)·特点:元件稍多。
但在满足条件10>E R β(21//R R )时,工作点Q (CE V ,C I )随温度变化很小,稳定工作点的原理是电流取样电压求和直流负反馈(§7.4.4)。
·Q 点估算:EBE CC E C R V R R R V I I /)(212-+≈≈,()CE CC C E C V V R R I ≈-+直流负载线E C CEE C CC C R R v R R V i +-+≈以上近似计算在满足)//(1021R R R E >β时有足够的准确性。
三、基本CE 放大器的大信号分析·交流负载线是放大器(图3-6b )工作时,动点(CE v ,C i )的运动轨迹。
交流负载线经过静态工作点,且斜率为L C R R //1-。
·因放大器中晶体管的伏安特性的非线性使输出波形出现失真,这是非线性失真。
非线性失真使输出信号含有输入信号所没有的新的频率分量。
·大信号时,使BJT 进入饱和区产生饱和失真;使BJT 进入截止区,产生截止失真。
NPN 管CE 放大器的削顶失真是截止失真;削底失真是饱和失真。
对于PNP 管CE 放大器则相反。
·将工作点安排在交流负载线的中点,可以获得最大的无削波失真的输出。
四、BJT 基本组态小信号放大器指标1.基本概念:输入电阻i R 是从放大器输入口视入的等效交流电阻。
i R 是信号源的负载,i R 表明放大器向信号源吸收信号功率。
放大器在输出口对负载L R 而言,等效为一个新的信号源(这说明放大器向负载L R 输出功率0P ),该信号源的内阻即输出电阻0R 。
·任何单向化放大器都可以一个通用模型来等效(图3-36)。
由此模型,放大器各种增益定义如下:端电压增益:0V i v A v =源电压增益:0VS s v A v =,iVS Vs iR A A R R =+电流增益:i i i i A 0=负载开路电压增益(内电压增益):00L V iR v A v →∞=,0LV V LR A A R R =+功率增益:||||P V I iP A A A P ==·v A 、vs A 、i A 、0v A 的分贝数为||lg 20A ;pA 的分贝数为P A lg 10。
·不同组态放大器增益不同,但任何正常工作的放大器,必须1>P A 。
2.CE 、CB 、CC 放大器基本指标v A ,管端输入电阻i R ',管端输出电阻0R '。
用电流控制电流源(c b i i β=)BJT 低频简化模型(图2-24)导出的三个组态的上述基本指标由表3-1归纳。
表3-1 BJT 三种基本放大器小信号指标1.基本概念·多级放大器的级间耦合方式主要有电容耦合(阻容耦合)(图3-39)、变压器耦合(图3-41)和直接耦合(图3-42、3-43)三种方式。
·对于直接耦合放大器,其工作频率的下限可以为零(称为直流放大器),但输出易发生所谓“零点漂移”(输出端静态电压缓慢变化),形成假信号。
零点漂移的主要原因是前级工作点随温度变化,这种变化因级间直接耦合被逐级放大。
在输出端出现可观的漂移电压。
·直流放大器由于输入输出不能使用隔直耦合电容,希望在无输入信号时,输入端口和输出端口的静态直流电压为零。
满足这种条件的直流放大器称为满足零输入、零输出条件。
只有用正负双电源供电的直流放大器才能实现零输入和零输出。
·由于供电电压源存在内阻,使各级放大器发生“共电耦合”,这种共电耦合可能导致放大器指标变坏甚至自激。
放大器中的电源去耦电路就是为了减小和消除共电耦合(图3-39、3-40)。
2.多级放大器指标计算·后级放大器的输入电阻是前级放大器的负载,在计算前级放大器的增益时,一定要把这个输入电阻计为负载来计算增益。
·第一级放大器的输入电阻即多级放大器的输入电阻;末级放大器的输出电阻即多级放大器的输出电阻。
·计算多级放大器电压增益的一般方法是求出各级增益,再将其相乘。
对BJT 多级基本放大器的一种有效的计算增益的方法是“观察法”,应该掌握。
BJT 两种重要的组合放大电路是共射—共基和共集—共基组态,其实用电路之一分别是图3-45(CE-CB )和图3-47(CC-CB ),应能画出并计算这两个电路的指标。
§3.2 习题解答3-1 下面各电路都不能作为放大器正常工作,试说明理由。
[解]错误:基级无直流通路,0B I =。
错误:BE B V V ==常数,使发射结被交流短路。
改正:1C 处应短路,再将1C 移至 不能加入信号电压。
B R 左侧。
改正:可在B V 支路串一个电阻或去掉B V ,用B R 提供B E 结正偏。
错误:CC V 将输入与输出端错误:发射结零偏, 交流短路,使o i v v =使BJT 不能偏置于放大区。
改正:CC V 正端串C R ,CC V 负端接地改正:B R 应从B 极接到CC V理由同(d )错误:电源极性反。
改正:应为CC V +。
题3-2 在图示基极分压射极偏置电路中,将基极的下偏置电阻改为具有负温度系数的热敏电阻R T ,即dR T /dT <0,则稳定工作点的性能会提高,试解释为什么?[解] 该电路既有基极分压,射极偏置电路稳Q 的功能,又有温度补偿稳Q 功能。
后者的原理如下:↑T 0TdRdT<−−−−→↓T R −−−−−→−+≈CCTTB V R R R V 1 ↓B V ↓−→−BE V↑C I ↓C I 图P3-23-3 只采用基极上偏置电阻的射极偏置电路如图所示。
在R E和工作点相同的条件下,该电路的工作点稳定性不如基极分压射极偏置电路。
试解释为什么?[解] 此时B R 等效为基极分压电路中的12//R R ,由于建立相同的工作点时,该电路的B R 往往较大,故不能满足稳定条件10E B R R β>的条件,使得稳Q 性能不够好。
3-4在图示CE 放大器中,晶体管的静态V BE≈0.7V ,β=100,200bb r '=Ω,r ce =50k Ω,b c r '不计。
图P3-3(1)估算静态工作点I C 和V CE 。
(2)求放大器在中频段的R i ,R o ,A V 和A VS 。
[解] (1)159 3.652215B V =⨯=+V 1.47B BEC E EV V I I R -==mA9(22) 1.47 3.1CE V =-+⨯=V 图P3-4(2)38.556.6m C g I ==ms*/ 1.77b e m r g β'==(k Ω) 1.97be bb b e r r r ''=+=(k Ω)////100150.81.97C L ceV beR R r A r β⋅⨯=-=-=-12////22/15//19.7 1.61i be R R R r k ===Ω 0// 1.92C ce R R r k ==Ω1.61(49.8)30.21 1.61i VS V i s R A A R R ==⨯-=-++*说明:该式/b e m r g β'=与使用(1)Tb e E Vr I β'=+的计算结果相同。
若产生误差是用了CE I I 近似所致。
3-5 在图P3-5(a )所示CE 放大器中,晶体管输出特性曲线已知(图P3-5b ),且该管静态V BE ≈0.72V 。
(1)在图3-5(b )上作直流负载线,确定工作点的坐标I C 和V CE 的值。
(2)在图3-5(b )上作交流负载线,确定无削波失真的最大输出电压的振幅。
(3)如果增大源电压v s ,直到输出v o 出现削波失真。
试画出这时v o 的波形。
这是饱和失真还是截止失真?为什么?(a) (b)BJT共射输出特性曲线图P3-5[解]直流负载线为:7CE CV i=-6.3840158CC BEBBV VIR kμ-===A工作点如图所示,即(3,4mA)Q V。
(2)//2C C LI R R⋅=V,交流负载线如图(b)所示。
由图知2omV=V。
图P3-5-1(3)由交流负载线位置可知,S v振幅增大时,应先出现截止失真,波形如图P3-5-1所示。
3-6 将上题NPN管改为PNP管(电源应改为负电源)。
若输出电压v o出现同一削波失真的波形,这是什么失真?为什么?[解]应为饱和失真。
o v和i v反相,o v的正半波被削波,对应i v的负半周。
对PNP 管而言,i v的负半周使发射结正偏电压大于静态值,故只可能出现饱和失真。
3-7小信号放大器如图所示。
这是什么组态的放大器?若BJT的β=100,r be=1.5kΩ,忽略基区宽调效应,求中频段R i,R o,A V和A VS 。
[解]这是共基放大器(见交流通路图P3-7-1)//0.6//0.0148514.51bei ErR Rβ===Ω+3c R R k =Ω100 1.51001.5L v beR A r β'⨯===14.510012.7114.5i vs v i s R A A R R ==⨯=+图P3-7图P3-7-13-8 图示射极输出器中,BJT 的β=50,r be =1k Ω,不计基区宽调效应。