AC6936D+TWS耳机标准原理图V1.2
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C1
C2
224
224
注意 ：PCB Layout需要 分地（区分 AGND和GND）
32 VCOM 31 DACVDD 30 VCOMO 29 DACL 28 DACR 27 MIC 26 MIC_POWER 25 USBDP
T1
晶振选型：
DP
要求：内部负载电容:1 2PF；频偏偏差:±1 0PPM 以内
模拟硅MIC
MIC_POWER
R1 1K
M1 MIC3722
C15
C14
MIC
105
104
C19 NC
驻极体MIC
MIC
C8
+
M2
NC
MIC4013
DACL DACR
J5 Earphone
6
MIC电路 处的滤 波电容 位置需 预留
6
J4
+5V DM DP
ID GND
DC5V
1 2 3 4 6
6
USB(MICRO)
12
13
P/P/POWER 14 15
BT_RF
16
AC6936D_QFN32
BT_ANT
C16
2.7P
L3
L4
NC
NC
LDO _IN电容位置预留
备注：天线匹配电路参数，以实际样机调试结果为准。
MCU
+3.3V
LED_B/R
D1 BLUE
D2 RED/CHARG_LED
LED
G-sensor和触 摸采用 IO口供 电，可减 小Poweroff模式 耳机功 耗
Mic、Earphone
VBAT
BT1 3.4V~4.2V
备注： 1、GND 、AGND在电池地处短接在一起！ 2、电池必须使用带保护板的电池
POWER
6
BT_OSCO BT_OSCI
VSSIO
24 USBDM 23 DVDD 22 G_PWR 21 G_SCL 20 G_SDA 19 BT_OSCO 18 BT_OSCI 17 GND
T2 DM C9 105
VBAT LDO_IN BT_AVDD PB3/OSC32KI PB2/OSC32KO/ADC12 PB1/ADC6 PB0 BT_RF
C11
106
104
1 2 3 4 5 6 7 8
DACVSS AVDD VDDIO PB8 PB7/AUX0R/ADC9 PB6/AUX0L/ADC8 PGND SW
0 GND(衬底)
USB口预留测试点
ADC11/USBDM DVDD
SD1DAT/PA8 ADC4/SD1CMD/PA9 ADC5/SD1CLK/PA10
1pF~50pF
G_PWR
U3
1 2 3
OC/OD GND TCH
TOG VDD AHLB
6 5 4
C13
RH6015/ASC8233D/ASC0102 105
TOUCH_KEY
S1 P/P/POWER
P/P/POWER/TALK
P/P/POWER 5 6
G-SENSOR
KEY
备注：
1、硅麦：一致性好，灵敏度高，抗干扰能力强，通话效果好
备注：
1 、VBAT，LDO _IN必须使用耐压值为10 V的原装电容。 2、VDD IO，VBAT必须使用原装电容，以防漏电。 3 、没有备注耐压值的电容，统一用耐压值6.3 V的电容，
所有电容请使用原装电容，以保证容值。
VBAT
9
C5 C6
C7
105/10V NC
105
DC5V
10
BT_AVDD 11
Y1 24M
BT_OSCI
BT_OSCO
U1
VCOM DACVDD
VCOMO DACL DACR
ADC0/MIC/PA1 ADC2/AUX1R/ຫໍສະໝຸດ A4ADC10/USBDP
C3 105 AGND
BT_AVDD
+3.3V
C17 105
BT_AVDD
L1
LED_B/R GND SW
10uH/100mA
C10
SCL 12 G_SCL NC 11
U2
G_PWR
1 SD0
CSB 10
G_SDA 2 SDA/SDI/SDO GND 9
G_PWR 3 VDD_IO
C4
104
4 NC
GND_IO 8 VDD 7
INT INT2
DA230/SC7A21
G_PWR
C18 NC
P/P/POWER
Touch PAD C12
C2
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注意 ：PCB Layout需要 分地（区分 AGND和GND）
32 VCOM 31 DACVDD 30 VCOMO 29 DACL 28 DACR 27 MIC 26 MIC_POWER 25 USBDP
T1
晶振选型：
DP
要求：内部负载电容:1 2PF；频偏偏差:±1 0PPM 以内
模拟硅MIC
MIC_POWER
R1 1K
M1 MIC3722
C15
C14
MIC
105
104
C19 NC
驻极体MIC
MIC
C8
+
M2
NC
MIC4013
DACL DACR
J5 Earphone
6
MIC电路 处的滤 波电容 位置需 预留
6
J4
+5V DM DP
ID GND
DC5V
1 2 3 4 6
6
USB(MICRO)
12
13
P/P/POWER 14 15
BT_RF
16
AC6936D_QFN32
BT_ANT
C16
2.7P
L3
L4
NC
NC
LDO _IN电容位置预留
备注：天线匹配电路参数，以实际样机调试结果为准。
MCU
+3.3V
LED_B/R
D1 BLUE
D2 RED/CHARG_LED
LED
G-sensor和触 摸采用 IO口供 电，可减 小Poweroff模式 耳机功 耗
Mic、Earphone
VBAT
BT1 3.4V~4.2V
备注： 1、GND 、AGND在电池地处短接在一起！ 2、电池必须使用带保护板的电池
POWER
6
BT_OSCO BT_OSCI
VSSIO
24 USBDM 23 DVDD 22 G_PWR 21 G_SCL 20 G_SDA 19 BT_OSCO 18 BT_OSCI 17 GND
T2 DM C9 105
VBAT LDO_IN BT_AVDD PB3/OSC32KI PB2/OSC32KO/ADC12 PB1/ADC6 PB0 BT_RF
C11
106
104
1 2 3 4 5 6 7 8
DACVSS AVDD VDDIO PB8 PB7/AUX0R/ADC9 PB6/AUX0L/ADC8 PGND SW
0 GND(衬底)
USB口预留测试点
ADC11/USBDM DVDD
SD1DAT/PA8 ADC4/SD1CMD/PA9 ADC5/SD1CLK/PA10
1pF~50pF
G_PWR
U3
1 2 3
OC/OD GND TCH
TOG VDD AHLB
6 5 4
C13
RH6015/ASC8233D/ASC0102 105
TOUCH_KEY
S1 P/P/POWER
P/P/POWER/TALK
P/P/POWER 5 6
G-SENSOR
KEY
备注：
1、硅麦：一致性好，灵敏度高，抗干扰能力强，通话效果好
备注：
1 、VBAT，LDO _IN必须使用耐压值为10 V的原装电容。 2、VDD IO，VBAT必须使用原装电容，以防漏电。 3 、没有备注耐压值的电容，统一用耐压值6.3 V的电容，
所有电容请使用原装电容，以保证容值。
VBAT
9
C5 C6
C7
105/10V NC
105
DC5V
10
BT_AVDD 11
Y1 24M
BT_OSCI
BT_OSCO
U1
VCOM DACVDD
VCOMO DACL DACR
ADC0/MIC/PA1 ADC2/AUX1R/ຫໍສະໝຸດ A4ADC10/USBDP
C3 105 AGND
BT_AVDD
+3.3V
C17 105
BT_AVDD
L1
LED_B/R GND SW
10uH/100mA
C10
SCL 12 G_SCL NC 11
U2
G_PWR
1 SD0
CSB 10
G_SDA 2 SDA/SDI/SDO GND 9
G_PWR 3 VDD_IO
C4
104
4 NC
GND_IO 8 VDD 7
INT INT2
DA230/SC7A21
G_PWR
C18 NC
P/P/POWER
Touch PAD C12