第7章 磁电式传感器

  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

第7章 磁电式传感器
图7-10 霍尔元件 (a) 外形结构示意图; (b) 图形符号
第7章 磁电式传感器
3. 霍尔元件基本特性
(1) 额定激励电流和最大允许激励电流
当霍尔元件自身温升10℃ 时所流过的激励电流称为额定 激励电流。 以元件允许最大温升为限制所对应的激励电流称为 最大允许激励电流。因霍尔电势随激励电流增加而线性增加, 所以使用中希望选用尽可能大的激励电流,因而需要知道元件 的最大允许激励电流。改善霍尔元件的散热条件,可以使激励 电流增加。
第7章 磁电式传感器
fl=eBv
式中:e——电子电荷; v——电子运动平均速度; B——磁场的磁感应强度。
(7-9)
第7章 磁电式传感器 图7-9 霍尔效应原理图
第7章 磁电式传感器
fl的方向在图7-9中是向内的,此时电子除了沿电流反方向 作定向运动外,还在fl的作用下漂移,结果使金属导电板内侧 面积累电子,而外侧面积累正电荷,从而形成了附加内电场EH, 称霍尔电场,
第7章 磁电式传感器 7.1.3 磁电感应式传感器的测量电路
图7-5 磁电式传感器测量电路方框图
第7章 磁电式传感器 7.1.4
1. 动圈式振动速度传感器
图7-6是动圈式振动速度传感器的结构示意图。其结构主要 特点是,钢制圆形外壳,里面用铝支架将圆柱形永久磁铁与外 壳固定成一体,永久磁铁中间有一小孔,穿过小孔的芯轴两端 架起线圈和阻尼环,芯轴两端通过圆形膜片支撑架空且与外壳 相连。工作时,传感器与被测物体刚性连接,当物体振动时, 传感器外壳和永久磁铁随之振动,而架空的芯轴、线圈和阻尼 环因惯性而不随之振动。因而,磁路空气隙中的线圈切割磁力 线而产生正比于振动速度的感应电动势,线圈的输出通过引线 输出到测量电路。该传感器测量的是振动速度参数,若在测量 电路中接入积分电路,则输出电势与位移成正比;若在测量电 路中接入微分电路,则其输出与加速度成正比。
第7章 磁电式传感器
eB0lWv
(7-3)
式中:B0——工作气隙磁感应强度; l——每匝线圈平均长度; W——线圈在工作气隙磁场中的匝数; v——相对运动速度。
第7章 磁电式传感器
7.1.2
当测量电路接入磁电传感器电路时,如图7-3所示,磁电传
感器的输出电流Io为
Io
E RRf
BolWv RRf
t
4.5% 10C
第7章 磁电式传感器
这一数值是很可观的,所以需要进行温度补偿。补偿通常采用 热磁分流器。热磁分流器由具有很大负温度系数的特殊磁性材 料做成。 它在正常工作温度下已将空气隙磁通分路掉一小部分。 当温度升高时, 热磁分流器的磁导率显著下降,经它分流掉的 磁通占总磁通的比例较正常工作温度下显著降低,从而保持空 气隙的工作磁通不随温度变化,维持传感器灵敏度为常数。
时, 则
eEH=eBv EH=vB
此时电荷不再向两侧面积累,达到平衡状态。
(7-11) (7-12)
第7章 磁电式传感器
若金属导电板单位体积内电子数为n,电子定向运动平均速 度为v,则激励电流I=nevbd,
v I mebd
将式(7-13)代入式(7-12)得
(7-13)
EH
IB nebd
将上式代入式(7-10)得
e W d
(7-2)
dt
根据以上原理,人们设计出两种磁电式传感器结构:变磁 通式和恒磁通式。变磁通式又称为磁阻式, 图7-1是变磁通式磁 电传感器,用来测量旋转物体的角速度。
第7章 磁电式传感器
图7-1(a)为开磁路变磁通式:线圈、磁铁静止不动, 测 量齿轮安装在被测旋转体上,随被测体一起转动。每转动一个 齿, 齿的凹凸引起磁路磁阻变化一次,磁通也就变化一次, 线圈中产生感应电势,其变化频率等于被测转速与测量齿轮上 齿数的乘积。这种传感器结构简单,但输出信号较小,且因高 速轴上加装齿轮较危险而不宜测量高转速的场合。
第7章 磁电式传感器
图7-1 (a) 开磁路; (b) 闭磁路
第7章 磁电式传感器
图7-2 (a) 动圈式; (b) 动铁式
第7章 磁电式传感器
磁路系统产生恒定的直流磁场,磁路中的工作气隙固定不 变,因而气隙中磁通也是恒定不变的。 其运动部件可以是线圈 (动圈式),也可以是磁铁(动铁式),动圈式(图7-2(a)) 和动铁式(图7-2(b))的工作原理是完全相同的。 当壳体随被测 振动体一起振动时,由于弹簧较软,运动部件质量相对较大, 当振动频率足够高(远大于传感器固有频率)时,运动部件惯 性很大,来不及随振动体一起振动, 近乎静止不动,振动能量 几乎全被弹簧吸收,永久磁铁与线圈之间的相对运动速度接近 于振动体振动速度,磁铁与线圈的相对运动切割磁力线, 从而 产生感应电势为
第7章 磁电式传感器 图7-7 磁电式扭矩传感器工作原理图
第7章 磁电式传感器 图7-8 磁电式传感器结构图
第7章 磁电式传感器
当扭矩作用在扭转轴上时,两个磁电传感器输出的感应电 压u1和u2存在相位差。 这个相位差与扭转轴的扭转角成正比。 这样,传感器就可以把扭矩引起的扭转角转换成相位差的电信 号。
第7章 磁电式传感器 图7-3 磁电式传感器测量电路
第7章 磁电式传感器 图7-4 传感器电流的磁场效应
第7章 磁电式传感器
2. 温度误差
当温度变化时,式(7-8)中右边三项都不为零,对铜线而 言每摄氏度变化量为dl/l≈0.167×10-4, dR/R≈0.43×10-2,dB/B每 摄氏度的变化量决定于永久磁铁的磁性材料。对铝镍钴永久磁 合金,dB/B≈-0.02×10-2,这样由式(7-8)可得近似值如下:
第7章 磁电式传感器
霍 尔 元 件 激 励 极 间 电 阻 R=ρl/(bd) , 同 时 R=U/I=El/I=vl/(μnevbd)(因为μ=v/E, μ为电子迁移率),则
k l bd nebd
(7-17)
解得
RH=μρ
(7-18)
第7章 磁电式传感器 从式(7-18)可知,霍尔常数等于霍尔片材料的电阻率与电 子迁移率μ的乘积。 若要霍尔效应强,则希望有较大的霍尔系数 RH,因此要求霍尔片材料有较大的电阻率和载流子迁移率。 一 般金属材料载流子迁移率很高,但电阻率很小;而绝缘材料电 阻率极高,但载流子迁移率极低,故只有半导体材料才适于制 造霍尔片。目前常用的霍尔元件材料有:锗、硅、砷化铟、 锑 化铟等半导体材料。其中N型锗容易加工制造,其霍尔系数、 温度性能和线性度都较好。N型硅的线性度最好,其霍尔系数、 温度性能同N型锗。锑化铟对温度最敏感,尤其在低温范围内温 度系数大,但在室温时其霍尔系数较大。砷化铟的霍尔系数较 小,温度系数也较小,输出特性线性度好。表7-1为常用国产霍 尔元件的技术参数。
振动或冲击时,其灵敏度将发生变化,从而产生测量误差,其
相对误差为
dSI dBdldR (7-8)
SI B l R
第7章 磁电式传感器
1. 非线性误差
磁电式传感器产生非线性误差的主要原因是:由于传感器线 圈内有电流I流过时,将产生一定的交变磁通φI,此交变磁通叠加 在永久磁铁所产生的工作磁通上,使恒定的气隙磁通变化, 如图 7-4所示。当传感器线圈相对于永久磁铁磁场的运动速度增大时, 将产生较大的感应电势e和较大的电流I,由此而产生的附加磁场 方向与原工作磁场方向相反,减弱了工作磁场的作用, 从而使 得传感器的灵敏度随着被测速度的增大而降低。当线圈的运动速 度与图7-4所示方向相反时,感应电势e、线圈感应电流反向,所 产生的附加磁场方向与工作磁场同向,从而增大了传感器的灵敏 度。 其结果是线圈运动速度方向不同时,传感器的灵敏度具有 不同的数值,使传感器输出基波能量降低,谐波能量增加, 即这 种非线性特性同时伴随着传感器输出的谐波失真。 显然,传感 器灵敏度越高,线圈中电流越大,这种非线性越严重。
第7章 磁电表式7传-1感常器用国产霍尔元件的技术参数
第7章 磁电式传感器
2.
霍尔元件的结构很简单,它是由霍尔片、四根引线和壳体组 成的, 如图7-10(a)所示。 霍尔片是一块矩形半导体单晶薄片, 引出四根引线: 1、 1′两根引线加激励电压或电流,称激励电极 (控制电极); 2、 2′引线为霍尔输出引线, 称霍尔电极。 霍 尔元件的壳体是用非导磁金属、 陶瓷或环氧树脂封装的。 在电 路中, 霍尔元件一般可用两种符号表示, 如图7-10(b)所示。
第7章 磁电式传感器
(2) 输入电阻和输出电阻 激励电极间的电阻值称为输入电阻。霍尔电极输出电势对 电路外部来说相当于一个电压源,其电源内阻即为输出电阻。 以上电阻值是在磁感应强度为零,且环境温度在20℃±5℃时所 确定的。
第7章 磁电式传感器
图7-1(b)为闭磁路变磁通式传感器,它由装在转轴上的内齿 轮和外齿轮、永久磁铁和感应线圈组成,内外齿轮齿数相同。 当转轴连接到被测转轴上时,外齿轮不动,内齿轮随被测轴而 转动,内、外齿轮的相对转动使气隙磁阻产生周期性变化,从 而引起磁路中磁通的变化,使线圈内产生周期性变化的感应电 动势。 显然, 感应电势的频率与被测转速成正比。
UH
IB neb
(7-14) (7-15)
第7章 磁电式传感器
式中令RH=1/ne,称之为霍尔常数,其大小取决于导体载流 子密度,
UH RHdIBKHIB
(7-16)
式中, KH=RH/d称为霍尔片的灵敏度。
由式(7-16)可见,霍尔电势正比于激励电流及磁感应强 度,其灵敏度与霍尔系数RH成正比而与霍尔片厚度d成反比。 为了提高灵敏度,霍尔元件常制成薄片形状。
第7章 磁电式传感器
7.2 霍尔式传感器
7.2.1
1. 霍尔效应
置于磁场中的静止载流导体,当它的电流方向与磁场方向 不一致时,载流导体上平行于电流和磁场方向上的两个面之间 产生电动势,这种现象称霍尔效应。该电势称霍尔电势。如图79所示,在垂直于外磁场B的方向上放置一导电板,导电板通以 电流I,方向如图所示。导电板中的电流使金属中自由电子在电 场作用下做定向运动。此时,每个电子受洛伦兹力fl的作用,fl
第7章 磁电式传感器 7.1.1 磁电感应式传感器工作原理
根据电磁感应定律, 当导体在稳恒均匀磁场中,沿垂直磁 场方向运动时,导体内产生的感应电势为
e d BtdxBlv
(7-1)
dt dt
式中: B—— l—— v——导体相对磁场的运动速度。
第7章 磁电式传感器
当一个W匝线圈相对静止地处于随时间变化的磁场中时,设 穿过线圈的磁通为φ,则线圈内的感应电势e与磁通变化率dφ/dt有 如下关系:
第7章 磁电式传感器 图7-6 动圈式振动速度传感器
第7章 磁电式传感器
2.
图7-7是磁电式扭矩传感器的工作原理图。在驱动源和负载 之间的扭转轴的两侧安装有齿形圆盘。它们旁边装有相应的两 个磁电传感器。磁电传感器的结构见图7-8所示。传感器的检测 元件部分由永久磁铁、感应线圈和铁芯组成。永久磁铁产生的 磁力线与齿形圆盘交链。当齿形圆盘旋转时,圆盘齿凸凹引起 磁路气隙的变化,于是磁通量也发生变化,在线圈中感应出交 流电压, 其频率在数值上等于圆盘上齿数与转数的乘积。
Βιβλιοθήκη Baidu
式中, UH为电位差。
EH
UH b
(7-10)
第7章 磁电式传感器
霍尔电场的出现,使定向运动的电子除了受洛伦兹力作用 外,还受到霍尔电场力的作用,其力的大小为eEH,此力阻止电 荷继续积累。 随着内、外侧面积累电荷的增加,霍尔电场增大, 电子受到的霍尔电场力也增大,当电子所受洛伦磁力与霍尔电 场作用力大小相等方向相反,即
式中: Rf——测量电路输入电阻;
(7-4)
R——线圈等效电阻。
传感器的电流灵敏度为
SI
Io v
BolW R Rf
(7-5)
第7章 磁电式传感器
而传感器的输出电压和电压灵敏度分别为
Uo
IoR f
B o lWvR f R Rf
(7-6)
SU
Uo v
B o lWR f R Rf
(7-7)
当传感器的工作温度发生变化或受到外界磁场干扰、受到机械
第7章 磁电式传感器
第7章 磁电式传感器
第7章 磁电式传感器
7.1 磁电感应式传感器
磁电感应式传感器又称磁电式传感器, 是利用电磁感应原 理将被测量(如振动、位移、转速等)转换成电信号的一种传 感器。它不需要辅助电源, 就能把被测对象的机械量转换成易 于测量的电信号,是一种有源传感器。 由于它输出功率大, 且 性能稳定,具有一定的工作带宽(10~1000 Hz),所以得到普 遍应用。
相关文档
最新文档