模拟电子技术胡宴如主编耿苏燕版习题解答第2章
高频电子线路课后答案（胡宴如-狄苏燕）
⾼频电⼦线路课后答案（胡宴如-狄苏燕）说明所有习题都是我们上课布置的作业题，所有解答都是本⼈⾃⼰完成，其中难免有错误之处，还望⼤家海涵。
第2章⼩信号选频放⼤器已知并联谐振回路的1µH,20pF,100,L C Q ===求该并联回路的谐振频率0f 、谐振电阻p R 及通频带0.7BW 。
[解] 900.035610Hz 35.6MHz f ===?=3640.722.4k 22.361022.36k 35.610Hz35.610Hz 356kH z100p R Q f BW Q ρρ===Ω=?Ω=Ω?===?=并联谐振回路如图所⽰，已知：300pF,390µH,100,C L Q ===信号源内阻s 100k ,R =Ω负载电阻L 200k ,R =Ω求该回路的谐振频率、谐振电阻、通频带。
[解] 0465kHz 2π2π390µH 300PFf LC≈==?0.70390µH100114k Ω300PF////100k Ω//114.k Ω//200k Ω=42k Ω42k Ω371.14k Ω390µH/300 PF /465kHz/37=12.6kHzp e s p Le e e R Q R R R R R Q BW5105µH (2π)(2π1010)5010L H f C --===?= 6030.7101066.715010f Q BW ?===?2236022*********.78.11010p oU f Q f U ?=+=+= ? ?????当0.7300kHz BW =时6030.746120101033.33001033.31.061010.6k 2π2π10105010e e e ef Q BW Q R Q f C ρ-?===?====?Ω=Ω⽽471266.72.131021.2k 2π105010p R Q ρ-===?Ω=Ω由于,p e pRR R R R =+所以可得10.6k 21.2k 21.2k 21.2k 10.6k e p p eR R R R R Ω?Ω===Ω-Ω-Ω并联回路如图所⽰,已知：360pF,C =1280µH,L ==100,Q 250µH,L =12=/10,n N N =L 1k R =Ω。
模拟电子技术基础课后练习答案（国防科技大学出版社）第二章半导体器件习题答案（大题）
模拟电⼦技术基础课后练习答案（国防科技⼤学出版社）第⼆章半导体器件习题答案（⼤题）习题：⼀．填空题1. 半导体的导电能⼒与温度、光照强度、掺杂浓度和材料性质有关。
2. 利⽤PN结击穿时的特性可制成稳压⼆极管，利⽤发光材料可制成发光⼆级管，利⽤PN结的光敏性可制成光敏（光电）⼆级管。
3.在本征半导体中加⼊＿＿5价＿＿元素可形成N型半导体，加⼊＿3价＿元素可形成P型半导体。
N型半导体中的多⼦是_⾃由电⼦_______；P型半导体中的多⼦是___空⽳____。
4. PN结外加正向电压时导通外加反向电压时截⽌这种特性称为PN结的单向导电性。
5. 通常情况下硅材料⼆极管的正向导通电压为0.7v ，锗材料⼆极管的正向导通电压为0.2v 。
6..理想⼆极管正向电阻为__0______，反向电阻为_______，这两种状态相当于⼀个___开关____。
7..晶体管的三个⼯作区分别为放⼤区、截⽌区和饱和区。
8.. 稳压⼆极管是利⽤PN结的反向击穿特性特性制作的。
9.. 三极管从结构上看可以分成 PNP 和 NPN 两种类型。
10. 晶体三极管⼯作时有⾃由电⼦和空⽳两种载流⼦参与导电，因此三极管⼜称为双极型晶体管。
11.设晶体管的压降U CE不变，基极电流为20µA时，集电极电流等于2mA，则β=__100__。
12. 场效应管可分为绝缘栅效应管和结型两⼤类，⽬前⼴泛应⽤的绝缘栅效应管是MOS管，按其⼯作⽅式分可分为耗尽型和增强型两⼤类，每⼀类中⼜分为N沟道和P沟道两种。
13. 查阅电⼦器件⼿册，了解下列常⽤三极管的极限参数，并记录填写题表2-1在下表中题表2-1⼆．选择题1.杂质半导体中，多数载流⼦的浓度主要取决于A。
A、杂质浓度B、温度C、输⼊D、电压2.理想⼆极管加正向电压时可视为 B ，加反向电压时可视为＿＿A＿＿。
A.开路B.短路C.不能确定3.稳压管的稳压区是⼆极管⼯作在＿＿D＿＿状态。
A.正向导通B.反向截⽌C.反向导通D.反向击穿4.当温度升⾼时，⼆极管的反向饱和电流将＿＿A＿＿。
《模拟电子技术》胡宴如主编耿苏燕版(第四版)习题解答第2章
第2章放大电路中某三极管三个管脚○1○2○3测得对地电位-8V ，-3V,和3V 、12V 、，试判别此管的三个电极，并说明它是NPN 管还是PNP 管，是硅管还是锗管解：放大电路中的发射结必定正偏导通，其压降对硅管为，对锗管则为。
（1）三极管工作在放大区时，U B 值必介于U C 和U E 之间，故对应的管脚○3为基极，U B =，○2脚电位与○3脚基极电位差为，所以○2脚为发射极，则○1脚为集电极，该管为PNP 锗管。
（2）由于○3脚电位为介于3V 和12V 之间，故○3脚为基极，○1脚电位低于○3脚，故○1脚为发射极，则○2脚为集电极，该管为NPN 硅管。
对图所示各三极管，试判别其三个电极，并说明它是NPN 管还是PNP 管，估算其β值。
解：（a ）因为i B <i C <i E ，故①、②、③脚分别为集电极、发射极和基极。
由电流流向可知是NPN 管：4904.096.1==≈mAmAi i B C β （b ）①、②、③脚分别为基极、集电极和发射极。
由电流流向知是PNP 管10001.01==≈mAmA i i B C β 图所示电路中，三极管均为硅管，β=100，试判断各三极管的工作状态，并求各管的图图I B 、I C 、U CE 。
解：（a ）mA k VV I B 1.0517.06≈Ω-=设三极管工作在放大状态，则 I C =βI B =100×=10mA U CE =16V －10mA ×1k Ω=6V由于U CE =6V>U CE =，三极管处于放大状态，故假设成立。
因此三极管工作在放大状态，I B =，I C =10 mA ，U CE =6V 。
（b ）mA k VI B 077.056)7.05(=Ω-=设三极管工作在放大状态，则得 I C =βI B =100×= 则U CE =-(5V －×3k Ω)=-(5V － ＞0说明假设不成立，三极管已工作在饱和区，故集电极电流为mA k V R U V I I C CES CC CS C 57.13V3.0-5=Ω=-==因此三极管的I B=，I C=，U CE=U CES≈（c）发射结零偏置，故三极管截止，I B=0，I C=0，U CE=5V。
模拟电子技术第二章习题解答
模拟电子技术第二章习题解答-标准化文件发布号：（9456-EUATWK-MWUB-WUNN-INNUL-DDQTY-KII习题题 2-1试判断图P2-1中各放大电路有无放大作用，简单说明理由。
图 P2-1题2-1解 (a) 无放大作用，不符合“发射结正偏，集电结反偏”的外部直流偏置要求；(b) 不能正常放大，三极管发射结没有偏置（正偏）；(c) 无放大作用，三极管集电结没有偏置（反偏）；(d) 无放大作用，三极管发射结没有偏置（正偏）；(e) 有放大作用；(f) 无放大作用，输入信号的负半轴不能加到放大电路中去；(g) 无放大作用，电容C2使输出端对地交流短路，输出交流电压信号为0；(h) 无放大作用，电容Cb使三极管基极对地交流短路，输入交流信号无法加至三极管基极；本题的意图是掌握放大电路的组成原则和放大原理。
题 2-2 已知图P2-2(a)中：R b=510kΩ，R c=10kΩ，R L=1.5kΩ，V CC＝10V。
三极管的输出特性如图(b)所示。
①试用图解法求出电路的静态工作点，并分析这个工作点选得是否合适；②在V CC和三极管不变的情况下，为了把三极管的静态集电极电压U CEQ提高到5V左右，可以改变哪些参数如何改法③在V CC和三极管不变的情况下，为了使I CQ=2mA，U CEQ=2V，应改变哪些参数改成什么数值（a ）题2-2解：① 先由估算法算出I BQ CC BEQBQ b100.7mA 0.02mA 20μA 510V U I R --=≈≈= 然后，由式Cc C CC CE i R i V u 1010-=-=，在输出特性曲线上画出直流负载线，其与横、纵两个坐标轴的交点分别未（10V ，0）和（0，1mA ），直流负载线与i B =20uA 的一条输出特性曲线的交点Q1即为静态工作点。
由Q1可得，U CEQ ≈0.5V ，I CQ =0.95mA 。
可见，Q1点靠近饱和区，位置不太合适，容易产生饱和失真。
高频电子线路(胡宴如耿苏燕主编)习题答案知识讲解
(胡宴如 耿苏燕 主编)
习题解答
目 录
第2章 小信号选频放大器1
第3章 谐振功率放大器4
第4章 正弦波振荡器10
（
第5章 振幅调制、振幅解调与混频电路22
第6章 角度调制与解调电路38
第7章 反馈控制电路49
第2章 小信号选频放大器
已知并联谐振回路的 求该并联回路的谐振频率 、谐振电阻 及通频带 。
若石英晶片的参数为： ， ， ， ，试求(1)串联谐振频率 ；(2)并联谐振频率 与 相差多少(3)晶体的品质因数 和等效并联谐振电阻为多大
[解] (1)
(2)
》
(3)
图所示石英晶体振荡器，指出他们属于哪种类型的晶体振荡器，并说明石英晶体在电路中的作用。
[解] (a) 并联型晶体振荡器，石英晶体在回路中起电感作用。
[解]
单调谐放大器如图所示。中心频率 ，晶体管工作点电流 ，回路电感 ， ，匝比 ， ， 、 ， ，试求该放大器的谐振电压增益及通频带。
[解]
】
第３章 谐振功率放大器
谐振功率放大器电路如图所示，晶体管的理想化转移特性如图所示。已知： ， ，回路调谐在输入信号频率上，试在转移特性上画出输入电压和集电极电流波形，并求出电流导通角 及 、 、 的大小。
图所示为工作在2~30 MHz频段上、输出功率为50 W的反相功率合成电路。试说明：(1) ~ 传输线变压器的作用并指出它们的特性阻抗；(2) 、 传输线变压器的作用并估算功率管输入阻抗和集电极等效负载阻抗。
[解] (1) 说明 ~ 的作用并指出它们的特性阻抗
为1:1传输线变压器，用以不平衡与平衡电路的转换， 。
…
某谐振功率放大器输出电路的交流通路如图所示。工作频率为2 MHz，已知天线等效电容 ，等效电阻 ，若放大器要求 ，求 和 。
高频电子线路课后答案(胡宴如,狄苏燕)
0.55 k
(50 100) 1012 (50 100) 1012
10 106 33.3 1012 2
150 k 32
(50 100) 1012 50 1012
16.7 k
(100 10 4 2) 106 300 1012 10
2.4 并联回路如图 P2.4 所示,已知： C 360 pF, L1 280 μH, Q=100, L2 50 μH, n=N1 / N2 10, RL 1 k 。试求该并联回路考虑到 RL 影响后的通频带及等效谐振电
阻。
对全部高中资料试卷电气设备，在安装过程中以及安装结束后进行高中资料试卷调整试验；通电检查所有设备高中资料电试力卷保相护互装作置用调与试相技互术关，系电，力通根保1据过护生管高产线中工敷资艺设料高技试中术卷资0配不料置仅试技可卷术以要是解求指决，机吊对组顶电在层气进配设行置备继不进电规行保范空护高载高中与中资带资料负料试荷试卷下卷问高总题中体2资2配，料置而试时且卷，可调需保控要障试在各验最类；大管对限路设度习备内题进来到行确位调保。整机在使组管其高路在中敷正资设常料过工试程况卷中下安，与全要过，加度并强工且看作尽护下可关都能于可地管以缩路正小高常故中工障资作高料；中试对资卷于料连继试接电卷管保破口护坏处进范理行围高整，中核或资对者料定对试值某卷，些弯审异扁核常度与高固校中定对资盒图料位纸试置，卷.编保工写护况复层进杂防行设腐自备跨动与接处装地理置线，高弯尤中曲其资半要料径避试标免卷高错调等误试，高方要中案求资，技料编术试写5交、卷重底电保要。气护设管设装备线备置4高敷、调动中设电试作资技气高，料术课中并3试、中件资且卷管包中料拒试路含调试绝验敷线试卷动方设槽技作案技、术，以术管来及架避系等免统多不启项必动方要方式高案，中；为资对解料整决试套高卷启中突动语然过文停程电机中气。高课因中件此资中，料管电试壁力卷薄高电、中气接资设口料备不试进严卷行等保调问护试题装工，置作合调并理试且利技进用术行管，过线要关敷求运设电行技力高术保中。护资线装料缆置试敷做卷设到技原准术则确指：灵导在活。分。对线对于盒于调处差试，动过当保程不护中同装高电置中压高资回中料路资试交料卷叉试技时卷术，调问应试题采技，用术作金是为属指调隔发试板电人进机员行一，隔变需开压要处器在理组事；在前同发掌一生握线内图槽部纸内 故资，障料强时、电，设回需备路要制须进造同行厂时外家切部出断电具习源高题高中电中资源资料，料试线试卷缆卷试敷切验设除报完从告毕而与，采相要用关进高技行中术检资资查料料和试，检卷并测主且处要了理保解。护现装场置设。备高中资料试卷布置情况与有关高中资料试卷电气系统接线等情况，然后根据规范与规程规定，制定设备调试高中资料试卷方案。
模拟电子技术第二章课后习题答案
第二章基本放大电路自测题一、在括号内用“ ”或“×”表明下列说法是否正确。
（1）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（）（2）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（）（3）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（）（4）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（）（5）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（）（6）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（）（7）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
（）解：（1）×（2）√（3）×（4）×（5）√（6）×（7）×二、试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。
设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
图T2.2解：（a）不能。
因为输入信号被V B B短路。
（b）可能。
（c）不能。
因为输入信号作用于基极与地之间，不能驮载在静态电压之上，必然失真。
（d）不能。
晶体管将因发射结电压过大而损坏。
（e）不能。
因为输入信号被C2短路。
（f）不能。
因为输出信号被V C C短路，恒为零。
（g）可能。
（h）不合理。
因为G-S间电压将大于零。
（i）不能。
因为T截止三、在图T2.3所示电路中，已知V C C＝12V，晶体管的 ＝100，'b R＝100kΩ。
填空：要求先填文字表达式后填得数。
U ＝0V时，测得U B E Q＝0.7V，若（1）当iR和R W之和R b要基极电流I B Q＝20μA，则'b＝≈kΩ；而若测得U C E Q＝6V，则R c＝≈kΩ。
（2）若测得输入电压有效值i U =5mV 时，输出电压有效值'o U ＝0.6V ， 则电压放大倍数 uA ＝ ≈ 。
若负载电阻R L 值与R C 相等 ，则带上负载后输出电压有效值o U ＝ ＝ V 。
解：（1）3 )( 565 )(BQ CEQ CC BQ BEQ CC ，；，I U V I U V β-- 。
高频电子线路(胡宴如耿苏燕主编)-课后习题答案解析
第2章 小信号选频放大器2.1 已知并联谐振回路的1μH,20pF,100,L C Q ===求该并联回路的谐振频率0f 、谐振电阻p R 及通频带0.7BW 。
[解]90-612110.035610H z 35.6M H z 2π2π102010f L CH F-===⨯=⨯⨯6312640.71010022.4k 22.361022.36k 201035.610H z35.610H z 356kH z100p HR Q Ff BW Q ρρ--===Ω=⨯Ω=Ω⨯⨯===⨯=2.2 并联谐振回路如图P2.2所示，已知：300pF,390μH,100,C L Q ===信号源内阻s 100k ,R =Ω负载电阻L 200k ,R =Ω求该回路的谐振频率、谐振电阻、通频带。
[解]011465kHz2π2π390μH 300PFf LC≈==⨯.70390μH 100114k Ω300PF////100k Ω//114.k Ω//200k Ω=42k Ω42k Ω42k Ω371.14k Ω390μH /300 PF/465kH z/37=12.6kH zp e s p Lee e R Q R R R R R Q BWf Q ρρ===========2.3 已知并联谐振回路的00.710MHz,C=50pF,150kHz,f BW ==求回路的L 和Q 以及600kHz f ∆=时电压衰减倍数。
如将通频带加宽为300 kHz ，应在回路两端并接一个多大的电阻? [解]6262120115105μH(2π)(2π1010)5010L H f C--===⨯=⨯⨯⨯⨯6030.7101066.715010f Q BW ⨯===⨯2236022*********.78.11010poUf Q f U ∙∙⎛⎫⎛⎫∆⨯⨯=+=+= ⎪ ⎪⨯⎝⎭⎝⎭ 当0.7300kHzBW =时6030.746120101033.33001033.31.061010.6k 2π2π10105010e e e ef Q BW Q R Q f Cρ-⨯===⨯====⨯Ω=Ω⨯⨯⨯⨯而471266.72.131021.2k 2π105010p R Q ρ-===⨯Ω=Ω⨯⨯⨯由于,p epRR R R R =+所以可得10.6k 21.2k 21.2k 21.2k 10.6k e p p eR R R R R Ω⨯Ω===Ω-Ω-Ω2.4 并联回路如图P2.4所示,已知：360pF,C=1280μH,L ==100,Q 250μH,L =12=/10,n N N =L 1k R =Ω。
《模拟电子技术基础》胡宴如 耿苏燕_课后答案精编版
第1章 半导体二极管及其电路分析`1．1 某二极管在室温（300K ）下的反向饱和电流为0.1pA ，试分析二极管外加电压在0.5V~0.7V 之间变化时，二极管电流的变化范围。
解：由于 )1(−=TD U u S D eI i由题意知I S =0.1pA ，室温下U T ≈26mV ，故当U D =0.5V 时，得i D =0.1×10－12×（126500−e）A ≈22.5μA当U D =0.7V 时，得mA A ei D 3.49)1(101.02670012≈−××=−因此U D 在0.5~0.7V 之间变化时，i D 在22.5μA~49.3mA 之间变化。
1.2 二极管电路如图P1.2所示，二极管的导通电压U D(on) =0.7V ，试分别求出R 为1k Ω、4k Ω时，电路中电流I 1、I 2、I O 和输出电压U O 。
解：（1）R=1k Ω 假设二极管断开，可求得输出电压V V U O 5.41119'−=+×−=可见，电路中二极管的阳极电位高于阴极电位1.5V ，所以，二极管处于导通状态，故mAmA I I I mAmA I O 6.1)3.57.3(3.51212=+−=+===mAmA R U I VV U L O O O )9(7.37.3)1/7.3(/7.3)7.03(−−−−=−==−=−−= （2）R=4k Ω假设二极管断开，可求得输出电压V V U O 8.11419'−=+−=× 可见，电路中二极管阳极电位低于阴极电位，二极管处于截止状态，所以mAI I mA mA R U I VU U I o L O O O O 8.18.1)1/8.1(/8.102'1=−=−=−==−===1.3 图P1.3所示各电路中，设二极管具有理想特性，试判断各二极管是导通还是截止，并求出AO 两端电压U AO 。
模拟的电子技术基础--胡宴如-自测题问题详解
模拟电子技术胡宴如（第3版）自测题第1章半导体二极管及其基本应用1．1 填空题1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是空穴。
3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。
4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。
5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。
稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。
8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于650 Ω，交流电阻等于26 Ω。
1．2 单选题1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。
A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度D．晶格缺陷2．PN结形成后，空间电荷区由(D )构成。
A．价电子B．自由电子C．空穴D．杂质离子3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而(B )。
A．减小B．基本不变C．增大4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。
A．增大B．基本不变C．减小5．变容二极管在电路中主要用作(D )。
、A．整流B．稳压C．发光D．可变电容器1．3 是非题1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
( √)2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。
( ×)4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。
( ×)1．4 分析计算题1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U D(on)=0.7V，试写出各电路的输出电压Uo值。
解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U0＝(6—0.7)V＝5.3 V。
高频电子线路胡宴如耿苏燕主编200911版高频习题答案
高频电子线路(胡宴如耿苏燕主编)习题解答目录第2章小信号选频放大器 1 第3章谐振功率放大器 4 第4章正弦波振荡器10 第5章振幅调制、振幅解调与混频电路22 第6章角度调制与解调电路38 第7章反馈控制电路49第2章 小信号选频放大器2.1 已知并联谐振回路的1μH,20pF,100,L C Q ===求该并联回路的谐振频率0f 、谐振电阻p R 及通频带0.7BW 。
[解] 90-6120.035610Hz 35.6MHz 2π2π102010f LCH F-===⨯=⨯⨯6312640.71010022.4k 22.361022.36k 201035.610Hz35.610Hz 356kH z100p HR Q Ff BW Q ρρ--===Ω=⨯Ω=Ω⨯⨯===⨯=2.2 并联谐振回路如图P2.2所示，已知：300pF,390μH,100,C L Q ===信号源内阻s 100k ,R =Ω负载电阻L 200k ,R =Ω求该回路的谐振频率、谐振电阻、通频带。
[解] 0465kHz 2π2π390μH 300PFf LC≈==⨯0.70390μH100114k Ω300PF////100k Ω//114.k Ω//200k Ω=42k Ω42k Ω371.14k Ω390μH/300 PF/465kHz/37=12.6kHzp e s p Lee e R Q R R R R R Q BWf Q ρρ===========2.3 已知并联谐振回路的00.710MHz,C=50pF,150kHz,f BW ==求回路的L 和Q 以及600kHz f ∆=时电压衰减倍数。
如将通频带加宽为300 kHz ，应在回路两端并接一个多大的电阻? [解] 6262120115105μH (2π)(2π1010)5010L H f C --===⨯=⨯⨯⨯⨯ 6030.7101066.715010f Q BW ⨯===⨯ 2236022*********.78.11010p oU f Q f U ••⎛⎫⎛⎫∆⨯⨯=+=+= ⎪ ⎪⨯⎝⎭⎝⎭ 当0.7300kHz BW =时6030.746120101033.33001033.31.061010.6k 2π2π10105010e e e ef Q BW Q R Q f C ρ-⨯===⨯====⨯Ω=Ω⨯⨯⨯⨯g而471266.72.131021.2k 2π105010p R Q ρ-===⨯Ω=Ω⨯⨯⨯g由于,pepRRRR R=+所以可得10.6k21.2k21.2k21.2k10.6ke pp eR RRR RΩ⨯Ω===Ω-Ω-Ω2.4并联回路如图P2.4所示,已知：360pF,C=1280μH,L==100,Q250μH,L= 12=/10,n N N=L1kR=Ω。
(完整版)高频电子线路课后答案(胡宴如_狄苏燕)
说明所有习题都是我们上课布置的作业题，所有解答都是本人自己完成，其中难免有错误之处，还望大家海涵。
第2章 小信号选频放大器2.1 已知并联谐振回路的1μH,20pF,100,L C Q ===求该并联回路的谐振频率0f 、谐振电阻p R 及通频带0.7BW 。
[解] 90-6120.035610Hz 35.6MHz 2π2π102010f LCH F-===⨯=⨯⨯6312640.71010022.4k 22.361022.36k 201035.610Hz35.610Hz 356kH z100p HR Q Ff BW Q ρρ--===Ω=⨯Ω=Ω⨯⨯===⨯=2.2 并联谐振回路如图P2.2所示，已知：300pF,390μH,100,C L Q ===信号源内阻s 100k ,R =Ω负载电阻L 200k ,R =Ω求该回路的谐振频率、谐振电阻、通频带。
[解] 0465kHz 2π2π390μH 300PFf LC≈==⨯0.70390μH100114k Ω300PF////100k Ω//114.k Ω//200k Ω=42k Ω42k Ω371.14k Ω390μH/300 PF/465kHz/37=12.6kHzp e s p Lee e R Q R R R R R Q BWf Q ρρ===========2.3 已知并联谐振回路的00.710MHz,C=50pF,150kHz,f BW ==求回路的L 和Q 以及600kHz f ∆=时电压衰减倍数。
如将通频带加宽为300 kHz ，应在回路两端并接一个多大的电阻? [解] 6262120115105μH (2π)(2π1010)5010L H f C --===⨯=⨯⨯⨯⨯ 6030.7101066.715010f Q BW ⨯===⨯2236022*********.78.11010p oU f Q f U ••⎛⎫⎛⎫∆⨯⨯=+=+= ⎪ ⎪⨯⎝⎭⎝⎭ 当0.7300kHz BW =时6030.746120101033.33001033.31.061010.6k 2π2π10105010e e e ef Q BW Q R Q f C ρ-⨯===⨯====⨯Ω=Ω⨯⨯⨯⨯g而471266.72.131021.2k 2π105010p R Q ρ-===⨯Ω=Ω⨯⨯⨯g 由于,p e pRR R R R =+所以可得10.6k 21.2k 21.2k 21.2k 10.6k e p p eR R R R R Ω⨯Ω===Ω-Ω-Ω2.4 并联回路如图P2.4所示,已知：360pF,C =1280μH,L ==100,Q 250μH,L = 12=/10,n N N =L 1k R =Ω。
(完整版)模拟电子技术基础胡宴如自测题答案分解
模拟电子技术胡宴如(第3版）自测题第1章半导体二极管及其基本应用1．1 填空题1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电.2．本征半导体中,若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素,则形成 P型半导体，其多数载流子是空穴 .3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。
4．当温度升高时,二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。
5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。
稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。
8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V,该二极管的直流电阻等于 650 Ω，交流电阻等于 26 Ω。
1．2 单选题1．杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于（ C )。
A．温度 B．掺杂工艺 C．掺杂浓度 D．晶格缺陷2．PN结形成后,空间电荷区由( D）构成。
A．价电子 B．自由电子 C．空穴 D．杂质离子3．硅二极管的反向电流很小,其大小随反向电压的增大而（B )。
A．减小 B．基本不变 C．增大4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将（ C）。
A．增大 B．基本不变 C．减小5．变容二极管在电路中主要用作（ D ）。
、A ．整流B ．稳压C ．发光D ．可变电容器 1．3 是非题1．在N 型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ √ ) 2．因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电.（ × ） 3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F 时会损坏。
（ × ） 4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用.( × ） 1．4 分析计算题1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U D(on ）=0.7V ，试写出各电路的输出电压Uo 值。
高频电子线路(胡宴如耿苏燕主编]_2009.1.1版_高频习题答案解析
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WORD文档下载可编辑高频电子线路(胡宴如耿苏燕主编)习题解答目录第2章小信号选频放大器 1 第3章谐振功率放大器 4 第4章正弦波振荡器10 第5章振幅调制、振幅解调与混频电路22 第6章角度调制与解调电路38 第7章反馈控制电路49第2章 小信号选频放大器2.1 已知并联谐振回路的1μH,20pF,100,L C Q ===求该并联回路的谐振频率0f 、谐振电阻p R 及通频带0.7BW 。
[解] 90-612110.035610Hz 35.6MHz 2π2π102010f LCH F-===⨯=⨯⨯6312640.71010022.4k 22.361022.36k 201035.610Hz35.610Hz 356kH z100p HR Q Ff BW Q ρρ--===Ω=⨯Ω=Ω⨯⨯===⨯=2.2 并联谐振回路如图P2.2所示，已知：300pF,390μH,100,C L Q ===信号源内阻s 100k ,R =Ω负载电阻L 200k ,R =Ω求该回路的谐振频率、谐振电阻、通频带。
[解] 011465kHz 2π2π390μH 300PFf LC≈==⨯0.70390μH100114k Ω300PF////100k Ω//114.k Ω//200k Ω=42k Ω42k Ω42k Ω371.14k Ω390μH/300 PF /465kHz/37=12.6kHzp e s p Le e e R Q R R R R R Q BWf Q ρρ=========== 2.3 已知并联谐振回路的00.710MHz,C=50pF,150kHz,f BW ==求回路的L 和Q 以及600kHz f ∆=时电压衰减倍数。
如将通频带加宽为300 kHz ，应在回路两端并接一个多大的电阻? [解] 6262120115105μH (2π)(2π1010)5010L H f C --===⨯=⨯⨯⨯⨯ 6030.7101066.715010f Q BW ⨯===⨯2236022*********.78.11010p oU f Q f U ∙∙⎛⎫⎛⎫∆⨯⨯=+=+= ⎪ ⎪⨯⎝⎭⎝⎭ 当0.7300kHz BW =时6030.746120101033.33001033.31.061010.6k 2π2π10105010e e e ef Q BW Q R Q f C ρ-⨯===⨯====⨯Ω=Ω⨯⨯⨯⨯而471266.72.131021.2k 2π105010p R Q ρ-===⨯Ω=Ω⨯⨯⨯由于,pepRRRR R=+所以可得10.6k21.2k21.2k21.2k10.6ke pp eR RRR RΩ⨯Ω===Ω-Ω-Ω2.4并联回路如图P2.4所示,已知：360pF,C=1280μH,L==100,Q250μH,L= 12=/10,n N N=L1kR=Ω。
(完整版)高频电子线路(胡宴如耿苏燕主编)习题答案
高频电子线路(胡宴如 耿苏燕 主编)习题解答目 录第2章 小信号选频放大器 1 第3章 谐振功率放大器 4 第4章 正弦波振荡器10 第5章 振幅调制、振幅解调与混频电路 22 第6章 角度调制与解调电路 38 第7章 反馈控制电路49第2章 小信号选频放大器2.1 已知并联谐振回路的1μH,20pF,100,L C Q ===求该并联回路的谐振频率0f 、谐振电阻p R 及通频带0.7BW 。
[解] 90-6120.035610Hz 35.6MHz 2π2π102010f LCH F-===⨯=⨯⨯6312640.71010022.4k 22.361022.36k 201035.610Hz35.610Hz 356kH z100p HR Q Ff BW Q ρρ--===Ω=⨯Ω=Ω⨯⨯===⨯=2.2 并联谐振回路如图P2.2所示，已知：300pF,390μH,100,C L Q ===信号源内阻s 100k ,R =Ω负载电阻L 200k ,R =Ω求该回路的谐振频率、谐振电阻、通频带。
[解] 0465kHz 2π2π390μH 300PFf LC≈==⨯0.70390μH100114k Ω300PF////100k Ω//114.k Ω//200k Ω=42k Ω42k Ω371.14k Ω390μH/300 PF/465kHz/37=12.6kHzp e s p Lee e R Q R R R R R Q BWf Q ρρ===========2.3 已知并联谐振回路的00.710MHz,C=50pF,150kHz,f BW ==求回路的L 和Q 以及600kHz f ∆=时电压衰减倍数。
如将通频带加宽为300 kHz ，应在回路两端并接一个多大的电阻?[解] 6262120115105μH (2π)(2π1010)5010L H f C --===⨯=⨯⨯⨯⨯ 6030.7101066.715010f Q BW ⨯===⨯2236022*********.78.11010p oU f Q f U ••⎛⎫⎛⎫∆⨯⨯=+=+= ⎪ ⎪⨯⎝⎭⎝⎭ 当0.7300kHz BW =时6030.746120101033.33001033.31.061010.6k 2π2π10105010e e e ef Q BW Q R Q f C ρ-⨯===⨯====⨯Ω=Ω⨯⨯⨯⨯g而471266.7 2.131021.2k 2π105010p R Q ρ-===⨯Ω=Ω⨯⨯⨯g由于,p e pRR R R R =+所以可得10.6k 21.2k 21.2k 21.2k 10.6k e p p eR R R R R Ω⨯Ω===Ω-Ω-Ω2.4 并联回路如图P2.4所示,已知：360pF,C =1280μH,L ==100,Q 250μH,L =12=/10,n N N =L 1k R =Ω。
高频电子线路课后答案(胡宴如狄苏燕)
说明所有习题都是我们上课布置的作业题，所有解答都是本人自己完成，其中难免有错误之处，还望大家海涵。
第2章 小信号选频放大器2.1 已知并联谐振回路的1μH,20pF,100,L C Q ===求该并联回路的谐振频率0f 、谐振电阻p R 及通频带0.7BW 。
[解]900.035610Hz 35.6MHz f ===⨯=3640.722.4k 22.361022.36k 35.610Hz35.610Hz 356kH z100p R Q f BW Q ρρ===Ω=⨯Ω=Ω⨯===⨯=2.2 并联谐振回路如图P2.2所示，已知：300pF,390μH,100,C L Q ===信号源内阻s 100k ,R =Ω负载电阻L 200k ,R =Ω求该回路的谐振频率、谐振电阻、通频带。
[解]0465kHz f ≈==0.70114k Ω////100k Ω//114.k Ω//200k Ω=42k Ω42k Ω371.14k Ω/465kHz/37=12.6kHzp e s p Lee e R Q R R R R R Q BWf Q ρρ===========2.3 已知并联谐振回路的00.710MHz,C=50pF,150kHz,f BW ==求回路的L 和Q 以及600kHz f ∆=时电压衰减倍数。
如将通频带加宽为300 kHz ，应在回路两端并接一个多大的电阻? [解] 6262120115105μH (2π)(2π1010)5010L H f C --===⨯=⨯⨯⨯⨯ 6030.7101066.715010f Q BW ⨯===⨯8.1p oU U ∙∙== 当0.7300kHz BW =时6030.746120101033.33001033.3 1.061010.6k 2π2π10105010e e e e f Q BW Q R Q f C ρ-⨯===⨯====⨯Ω=Ω⨯⨯⨯⨯而471266.72.131021.2k 2π105010p R Q ρ-===⨯Ω=Ω⨯⨯⨯ 由于,p e pRR R R R =+所以可得10.6k 21.2k 21.2k 21.2k 10.6k e p p eR R R R R Ω⨯Ω===Ω-Ω-Ω2.4 并联回路如图P2.4所示,已知：360pF,C=1280μH,L ==100,Q 250μH,L = 12=/10,n N N =L 1k R =Ω。
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第2章
放大电路中某三极管三个管脚○1○2○3测得对地电位-8V ，-3V,和3V 、12V 、，试判别此
管的三个电极，并说明它是NPN 管还是PNP 管，是硅管还是锗管
解：放大电路中的发射结必定正偏导通，其压降对硅管为，对锗管则为。
（1）三极管工作在放大区时，U B 值必介于U C 和U E 之间，故对应的管脚○
3为基极，U B =，○
2脚电位与○3脚基极电位差为，所以○2脚为发射极，则○1脚为集电极，该管为PNP 锗管。
（2）由于○
3脚电位为介于3V 和12V 之间，故○3脚为基极，○1脚电位低于○3脚，故○1脚为发射极，则○
2脚为集电极，该管为NPN 硅管。
对图所示各三极管，试判别其三个电极，并说明它是NPN 管还
是PNP 管，估算其β值。
解：（a ）因为i B <i C <i E ，故①、②、③脚分别为集电极、发射极和基极。
由电流流向可知是NPN 管：
4904.096.1==≈
mA
mA
i i B C β （b ）①、②、③脚分别为基极、集电极和发射极。
由电流流向知是PNP 管
10001.01==≈
mA
mA i i B C β 图所示电路中，三极管均为硅管，β=100，试判断各三极管的工作状态，并求各管的
图
图
I B 、I C 、U CE 。
解：（a ）mA k V
V I B 1.0517.06≈Ω
-=
设三极管工作在放大状态，则 I C =βI B =100×=10mA U CE =16V －10mA ×1k Ω=6V
由于U CE =6V>U CE =，三极管处于放大状态，故假设成立。
因此三极管工作在放大状态，I B =，I C =10 mA ，U CE =6V 。
（b ）mA k V
I B 077.056)7.05(=Ω
-=
设三极管工作在放大状态，则得
I C =βI B =100×=
则
U CE =-(5V －×3k Ω)=-(5V － ＞0
说明假设不成立，三极管已工作在饱和区，故集电极电流为
mA k V R U V I I C CES CC CS C 57.13V
3.0-5=Ω
=-=
=
因此三极管的I B=，I C=，U CE=U CES≈
（c）发射结零偏置，故三极管截止，I B=0，I C=0，U CE=5V。
图（a）所示电路中，三极管的输出伏安特性曲线如图（b）所示，设U BEQ=0，当R B分别为300kΩ、150kΩ时，试用图解法求I C、U CE。
解：（1）在输出回路中作直流负载线
令i C=0，则u CE=12V，得点M（12V，0mA）；令u CE=0，则i C=12V/3kΩ=4mA，得点N（0V，4mA），连接点M、N得直流负载线，如图解所示。
（2）估算I BQ，得出直流工作点
当R B=300kΩ，可得I BQ1=
Ω
=
k
V
R
V
B
CC
300
12
=40μA
图
图解
当R B =150k Ω，可得I BQ2=
Ω
=k V
R V B CC 15012=80μA 由图解Ｐ可见，I B =I BQ1=40μA 和I B =I BQ2=80μA 所对应的输出特性曲线，与直流负载线MN 分别相交于Q 1点和Q 2点。
（3）求I C 、U CE
由图解中Q 1点分别向横轴和纵轴作垂线，即可得：U CEQ1=6V ，I CQ1=2mA 同理，由Q 2点可得U CEQ2=，I CQ2=。
硅晶体管电路如图所示，已知晶体管的β＝100，当R B 分别为100K Ω、51K Ω时，求出晶体管的I B 、I C 及U CE 。
图
解：（1）R B =100K Ω，
I B =V/100K Ω= I C =100×= U CE =12-3×= (2)R B =51 K Ω I B =V/51K Ω= I BS ==
因I B ﹥I BS ，所以晶体管饱和，则 I B =
I C=12V/3 KΩ=4mA
U CE≈0
图所示电路中，晶体管为硅管，β=60，输入u i为方波电压，试画出输出电压u o波形。
解：U I=0，管子截止，U O=5V
U I=，I B=（）V/56 KΩ=
I BS==﹤I B，所以晶体管饱和，U O≈0
输出电压U O波形与U I波形相反幅度近似为5V,如图解所示。
图解
图所示三极管放大电路中，电容对交流信号的容抗近似为零，u i=10sinωt(mV)，三极管参
数为β=80，U BE （ON ）=，r bb?=200Ω，试分析：（1）计算静态工作点参数I BQ 、I CQ 、U CEQ ；（2）画出交流通路和小信号等效电路；（3）求u BE 、i B 、i C 、u CE 。
解：（1）计算电路的静态工作点
I BQ =
Ω
-=
-k V
V R U V B
on BE CC 4707.012)
(==24μA
I CQ =βI BQ =80×=
U CEQ =V CC －I CQ R C =12V －×Ω=
（2）画出放大电路的交流通路和小信号等效电路如图解（a ）、（b ）所示
图
（3）求u BE 、i B 、i B 、u CE
由于I EQ ≈，故可求得
Ω≈Ω++Ω≈++=k mA I mV r r EQ bb be 3.192
.126)801(200)(26)
1('β
由解图（b ）可得
)
(sin 7.73
.1sin 10)
(sin 10A t A t
r u i mV t ui u be be b be μωμωω≈==== i c =βi b =80×ωt(μA) ≈ωt(mA) u ce =－i c R c =－×ωt(v) ≈－ωt(V) 合成电压和电流为
u BE =U BEQ +u be =（+ωt ）V i B =I BQ +i b =(24+ωt) μA i C =I CQ +i c =+ωt)mA
图解
u CE=U CEQ+u ce=－ωt)V
场效应管的转移特性曲线如图所示，试指出各场效应管的类型并画出电路符号；对于耗尽型管求出U GS（off）、I DSS；对于增强型管求出U GS（th）。
图
解：（a）由于u GS>0，故为增强型NMOS管，电路符号如图解（a）所示，由图（a）可得U GS(th)=1V。
（b）由于u GS≤0，故为N沟道结型场效应管，其电路符号如图解（b）所示。
由图（b）可得U GS（off）=－5V，I DSS=5mA。
（c）由于u GS可为正、负、零，且U GS（off）=2V，故为耗尽型PMOS管，电路符号如图解（c）所示。
由图（c）可得U GS（off）=2V,I DSS=2mA.
场效应管放大电路如图所示，已知场效应管的U GS（TH）=2V，I DO=1mA，输入信号u s=ωt(V)，试画出放大电路小信号等效电路并求出u GS、i D、u DS。
解：画出电路小信号等效电路如图解所示
图解
令u S =0，则得U GSQ =10V/2=5V 。
所以
ms ms
I I U g mA mA U u I I DQ
DO th GS m th GS GS DO DQ 5.125.212
2
2
25.2)125
(1)1()
(22)(=⨯==
=-⨯=-=
由图解可得
u gs =u s /2=ωt(V)
i d =g m u gs =× sin ωt(mA)= sin ωt(mA) u ds =－i d R D =－5× sin ωt(V)= － sin ωt(V)
合成电压、电流
u GS =U GSQ +u gs =(5+ sin ωt)V i D =I DQ +i d =+ sin ωt)mA
u ds=U DSQ +u ds =(20－×5）ωt=（）V
由N沟道结型场效应管构成的电流源如图所示，已知场效应管的I DSS=2mA，U GS（th）=，试求流过负载电阻R L的电流大小。
当RL变为3KΩ和1KΩ时，电流为多少为什么
解：(1)由于U GS=0,所以I D=I DSS=2mA
（2）由于U GS-U GS(off)=0-=
而当R L=3KΩ时，U DS=12-2*3=6V
R L=1KΩ时，U DS=12-2*1=10V
可见R L=1~3KΩ时，U DS均大于U GS—U GS（off）；管子工作在放大区，所以I D=2mA可维持不变。