超小封装芯片级MOSFET

封装 ，符合ＡＥ — Ｏ 汽车质量标准。 Ｃ ＱＩ ０
检 测 运 动 的 装 置是 一 个 被 制 作 在 一
颗芯 片 上 的 微 型 Ｍ Ｅ Ｓ 动 检测 器 。这 Ｍ 运
高可靠性铝 电解电容器
１２ ４ ＲＨＳ 系列 提 供 从 ５ ｍ ×１ｍｍ ａ ｒ ｌ
个 器 件 还 集 成 一 个 带 Ｓ 或 Ｉ 输 出 的接 ＰＩ Ｃ 口芯 片 ，使 检 测 器 可直 接 连 接 汽 车 的 电
精 度 ｌ位 模 数 转 换 器 ，低 噪 声 可 在 大 带 ２ ０ Ｍ ＡＣ ６ ．、Ｅ 、通 用并行端 口、Ｓ ＡＴＡ Ｃ Ｐ Ｈ１ Ｌ 增 强 型 在 ５ ￣ ４ Ｖ时 的 ＭＬ Ｓ ４ Ｅ Ｖ Ｉ０ 宽 内 实 现 １ 位 的 有 效 转 换 分 辨 率 ，对 以及可编程实时单元 ）；支持Ｌ ｎｕ 、 ４ ｉ ｘ 漏 电 流 分 别为 ２ ０ Ａ￣ ９ ０ Ａ。这 些 ０ Ｉ０
可 用 于 负 载 开 关 、 电池 开 关 和 充 电开 关
Ｑｓ ｅ ｄ ０Ｖ Ｈ系￣ＰＦＣ 极管 达 １ ５ 。 基 于其 优 势和 动态 性 能 ， ｐ ｅ ６ ０ ］ Ｉ Ｚ． ２ 。
应 用 。在 ４．Ｖ栅 极 驱 动 下 ，Ｓ ８ ６ ＤＢ ５ ｉ４ １ 能 协 助 设 计 人 员满 足 各 种 严 格 的 性 能规 ＮＭ ＲＴＢ —ＵＳ Ｄ适 合 多种 应 用 ，如 全 彩
ＳＴＭｉ ｒ ｅｌ ｔ ｏ ｃ ｃ ｏ ｅｃ ｒ ｎｉ ｓ
５ ＣＭ ８０ （ ） 集 电极 一发射 极 饱 的 温 度 下 工 作 ，或 者 具 有 比标 准 的 ８ ℃ Ｌ Ｔ７２ Ｇ Ｐ Ｐ｛ Ｎ ￣
电话 ：０ ０ ５ ８－ ２ ８ １－ ９ ４ ６ ８
ｈｔ ／ ｔ ／ ｐ ． ｍ ｃｏｌ ｔｏｉ ． ｒ ． ｓ ｉｒｅｅ ｒｎｃ ｃｎ ｃ ｔ ｃ ｓ ｏ ｎ
Ｅ ｉ ｕｉｅｓ ａｉ ｉ ａ ． ｍ ｍａ ：ｂ ｓ ｓ ｓ ＠ｖｓ ｙｃ ｌ ｎ — ａ ｈ ｏ
Ｈｔｐ ７ ｔ ．ｉｈａ ｃ ｒ ｖ ｓ ｙ．ｏ ｎ
新增的２款Ｓ ｅｌ ｓ ９ ｔ ｌａ ｉ器件 ，其频率 时 ，Ｖｃ ３０ ｒ 跳。为 ４ ｍＶ。它 们 采 用 散 装 或 ） 为２ ～１ ０ ０ ０ ＭＨｚ 、闪存为８ ５ Ｋ，专 ３０ 片的 ７ 寸卷 带包 装 。 ～２ ６ ００ 英
的导通 电阻为０ １ 。除４ ５ ． Ｑ ．Ｖ的 电 压 等 范 ，不仅 能提升 系统性 能 、降低 电磁干 色 显 色 板 、标 志 牌 、装 饰 照 明 、通 道 灯 级 ，Ｓ ８ ６ ＤＢ 确 定 了 在 ２ ５ ｉ４ １ 还 ．Ｖ、 １ ８ 扰 ，而且 无须使用其他 器件或缩小其他 和 建 筑 照 明 等 。 ．Ｖ 和 １５ ． Ｖ电 压 时 的 最 大 导 通 电 阻 ，导 通 组件 ，协 助电源厂商以 更低成本克服高
技术的最新微处理器（ Ｕ） ＭＰ ——Ｓ ｔ ｒ 互 补 的ＰＮＰ ＣＭ ＬＴ ８０ ｉａ ａ 型 ７ ２ Ｇ，在 电流 为
系 列旗 下 的 头 两 款 器 件 。 ｌＯ Ａ时Ｖｃ ） １５ Ｏｍ 为 ７ ｍＶ；在 电流 为 １ Ａ
Ｖｉ ｈ ｙ Ｉ ｔ ｒ ｅ ｈ ｏ ０ ｙ ｓ ａ ｎ ｅ ｔ ｃ ｎ ｌｇ
其高 检 测精 度 部 分 归功 于 电子 接 口芯 组 合 的推 出 不 仅 可 降 低 系统 成 本 ，而 且 １ ０ Ａ时 的 正 向 压 降 为 ２ ０ Ｖ，在 电 ０ｍ ７ｍ 片的低本征噪声特性 。接 口芯片含有高 还 能 实现 多 种 连 接 选 项 （ ＣＡＮ、 ＵＳ 流 为 １ ０ Ｂ ． Ａ时 的 正 向 压 降 为 ３ ０ Ｖ。 ９ｍ
Ｈｔｐ： ｔ ，， ｑ ｐ ｅ ｃ ｒ ｓ ｅ ｄ．ｏ ｎ
超小型Ｓ 红外 接收器 ＭＤ
用 于 遥控 系统 的ＴＳ ７ｘＸ ＯＰ ５ ＸＷ 系
列超 小 型Ｓ Ｄ 外接 收 器是 采 用 两 个 光 Ｍ 红
Ｖｉ ｈ ｙ Ｉ ｔ ｒ ｅ ｈ ｏ ｏ ｙ ｓ ａ ｎ ｅ ｔ ｃ ｎ ｌｇ
Ｄ０ＭＩ ＮＡＮＴ ｅ ｃ ｎ ｕ ｔ ｒ Ｓ ｍｉ ｏ ｄ ｃ ｏ ｓ
电阻与采用便携式 系统中常见的更 小输 性能系统的各种挑战 。 入信号 的设备相 匹配。对于 充电开关等 需 要更高输 入 电压 的应 用 ，Ｓ ８ ６ ＤＢ ４ ５ ｉ 具有 １Ｖ的栅源电压 ，在４ ５ ｕ ．Ｖ栅 ２ ．ｖ， ２ ５
电话 ：８ ０ ８ ０ ８ ８ ０— ２－ ６２
ｈｔｐ ｆ， ｔ ． ．ｏ ｔ ｃｒ ｉ ｎ
Ｅ ａ ： ｌ ｉｑ ｉ ＠ｃｎｒｌ ｍｉ ｏ ｍ ｉ ｓ ｅ ｎ ｕｒ ｅｔ ｓ ． ｒ ｌａｓ ｙ ａ ｅ ｃｎ
ｈ ｔ ， ｊ ｔｐ ， 、 ．ｅ ｔａｓ ｍｉｃ ｒ／ ｃ ｎ ｒ ｌｅ ．ｏ ｎ
极 驱 动 时 的导 通 电 阻 分 别 为 ０ １ ４ ． ０ Ｑ和
０．１ ４８（ ２。
电话 ：０ ０ ３ ７ ８ ８ ２ －８ ８ — １５
ｈｔ ／ Ⅵ ｔＤ： ／ ． ｏ ｎ ｎ —ｓｍｉｃｍ ｄ ｍｉ ａ ｔ ｅ ．ｏ
Ｑ ｐｅ ｓｅ ｄ
代理 商 ：益登科技
电话 ：０ ０ ５ ７ —７ ５ ｌ— １ ２ ８ Ｏ
包括２ 款Ｓｅ ａ ｉ Ｃ ｒｅ － 微 控制 器 在 电流 为 １０ ９ ｔｌ ｒ ｏｔｘ Ｍ３ ｌ ｓ ＨＳ ０ ｍＡ时 ，Ｖｃ怡¨ １５ Ｅ 为 １ｍＶ； 在 件符合ＲＯ 指令 ，具 有防充 电和防放
（ ＣＵ） Ｍ ，以 及 基 于 ＡＲＭ９ Ｃ ｒｅ － 电流 为 ｌ 时 ，Ｖ。 ） ８ｍ Ｖ。而 对 于 电的 特性 ，所 以没 有 峰 值 电 流 限制 。 和 ｏ ｔｘ Ａ８ Ａ 胁 为２ ０
面 向便携式 电子产品的晶体管
Ｃ Ｍ （ ） Ｌ Ｔ ３８２０Ｇ Ｎ Ｐ Ｎ 和
至 １ ｍ ｍ ×４ ｍ ｍ 的 １ 种 外 形 尺 寸 ， ８ ０ ５ １５ 的 最 高 温 度 等 级 使 器 件 能 在 更 高 ０℃
子控制单 元 （ ＣＵ）。 Ｅ
包装 。
Ｃ ｎ ｒ ｌ Ｓ ｍｉ ０ ｄ ｃ ０ ｅ ｔ ａ ｅ ｃ ｎ ｕ ｔ ｒ
（ ０ ｇ ±７ ｒ ），提供每 度０ ２ 的补偿偏 ａ ．ｍｇ
离 。Ａ Ｉ ２ ６ 采 用 强 固 的ＳＯ１ Ｗ全 模 Ｓ ２ ＤＳ ６
Ｔｅ ａ ｎ ｔ ｕ ｎ ｓ ｘ ｓ Ｉ ｓ ｒ ｍｅ ｔ
采 用 无 镜 片 设 计 ，实 现 了业 界 极 佳 的 敏
ＳＰＮ ０ｖａＬＥＤ系 列 中 高 强 度 的 感度 尺寸比 ，在 ±７ 。的角度 内，辐照 ５
超高效率６ ０ 整流器 ０Ｖ
ＮＭ ＲＴＢ －ＵＳ ￣用ＲＧＢ 术 ，允 许 封 度 为 ０ ３ ．ｍＷ／ 。 ＤＳ ｑ 技 ． ～０ ７ ｍ
应 一 个 ０ ２ ｍ 的 分 辨 率 （ ２ 全 量 程 Ｗ ｉｄ ｗｓ ｍｂ ｄ ｅ Ｃ 以 及 各 种 实 整 流 器 适 用 于 电池 供 电 的便 携 式 应 用 。 ．５ ｇ 在 ｇ ｎ ｏ Ｅ ｅ ｄ ｄ Ｅ 内 ） 。在 ４ ０～＋１ ５ 汽 车 温 度 范 围 时 操 作 系 统 ；充分 利 用 了ＴＩ ＡＰ 用 它 们 采 用 散 装 或 者 ３ ０ 片 的 ７ 寸 卷 带 ０ ℃ ＯＭ 应 ００ 英 内 ，传 感 器 能 够 保 持 高 稳 定 性 和 高 精 度 处理器的低功耗工艺技术优势。
和 电压Ｖｃ １ 晶体管为６Ｖ，１ ０ Ａ的器件 ，
系 列 更 长 的 器 件 寿 命 。 其 他 特性 包 括 在
０℃ １０ 其 封 装 采 用 最 大 外 形 尺 寸 为 ０ ６ ｍ的 １ ５ 下 高 达 ３ ０ Ａ的 额 定 纹 波 电流 ， ．ｍ
Ｓ ＯＴ ５ ３ 面 贴 装 外 壳 。 该类 产 品 面 向 ６表
器 ，测 量精 度 高 于两 个 独立 传 感 器解 ３ ５ Ｈｚ ７Ｍ Ｎ超过 ｌ ＧＨｚ 不等 ，新推 出的 ＶＦ肖特基 整流 器采 用Ｓ０Ｔ一２ Ｆ 面 ３表 决方 案 。该 器件 的 最大 量程 为 ±６ ｇ。
器 件 包 括 ＡＭ ３ ０ 与 ＡＭ ３ １ 。 其 外 设 贴 装 封 装 。 ＣＭ ＰＳＨ １ Ｌ 电 流 为 ５５ ５７ —４ 在
在 １ ～４ ０ ０ ５ Ｖ电 压 范 围 内 的 容 值 为 １ ～
高性 能Ａ Ｍ Ｒ 核处理器
ＴＩ 推出 了３ 款全新ＡＲＭ处理 器， １
２０ ０ ℃下 ， １２ ４ Ｒ ＨＳ 电 电池 供 电的 便 携式 应 用 、ＤＣ ＤＣ 电压 ２ ０ ０ Ｆ。在 ＋１ ５ ／ 、
３０ 钳 位 以 及保 护 电路 。ＮＰ Ｎ型Ｃ Ｔ ８０ 容 器 具 有 ２ ０ 小 时 的超 长 使 用 寿 命 。器 ＭＬ ３２Ｇ
ｈｔｐ ｔ ， ．ｅ ｔａｓ ｍｉ ｃ ｒ ／ ｃ ｎ ｒ ｌｅ ．ｏ ｎ
动控 制应用 、智能模拟 功能以及更多高
Ｓｉ ４ Ｄ Ｂ和 Ｓｉ ４ ５ 大 尺 寸 为 ８ ６１ ８ ６ ＤＢ最
今ｍ ×ｌ ｍ ．４ ｍ ｍ ，在 芯 片 级 功 另外 ，该 系列 产品拥有变化幅 度较 为缓 ｍ ｍ ｘ０ ５ ８ ＮＭ ＲＴ Ｂ —Ｕ ＳＤ因 其 采 用 硅 封 装 率 Ｍ Ｏ Ｆ Ｔ中实 现 超 小 体 积 ，且 导 通 电 和的 恢 复波 形 ，同 时可 降 低 其 电磁 辐 和 低 热 阻 的外 壳 而有 很 长 的 寿命 ，可 Ｓ Ｅ 阻 Ｉ： 芯 片 级 器 件 提 高 １ 倍 。 ：Ｉ ＢＩ ￣ ０
一
射 。Ｈ系列 采用 内部隔 离的ＴＯ一 ２ 封 以制作成很好的Ｍｕ ｔ Ｌ ２０ ｌ ｉ ＥＤ产品。其尺
寸 为 ６． ｍ ｍ ×６． ｍ ｍ ． ｍ ， 视 角 ０ ０ ｘ１５
２ Ｖ的 Ｐ 道 Ｓ ８ ６ ＤＢ￣Ｓ ８ ６ ＤＢ ０ 沟 ｉ４ ｌ ； ｉ４ ５ 装 ，集 成 热 敏 电阻 ，可 扩 展 至 １Ａ。 Ｉ ２
一 新布 品 发
Ｐ 高精 度汽车智能电子系统运动传 级连接选项的专有Ｉ 。