半导体制造专业英语术语
半导体专业英语词汇
半导体专业词汇1. acceptance testing (WA T: wafer acceptance testing)2. acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子3. ACCESS：一个EDA（Engineering Data Analysis）系统4. Acid：酸5. Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）6. Align mark(key)：对位标记7. Alloy：合金8. Aluminum：铝9. Ammonia：氨水10. Ammonium fluoride：NH4F11. Ammonium hydroxide：NH4OH12. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）13. Analog：模拟的14. Angstrom：A（1E-10m）埃15. Anisotropic：各向异性（如POL Y ETCH）16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）17. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）18. Antimony(Sb)锑19. Argon(Ar)氩20. Arsenic(As)砷21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷22. Arsine(AsH3)23. Asher：去胶机24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）25. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）27. Baseline：标准流程28. Benchmark：基准29. Bipolar：双极30. Boat：扩散用（石英）舟31. CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。
半导体行业英文术语
半导体行业英文术语English:Some common terms in the semiconductor industry include:1. Integrated Circuit (IC): A small electronic device made out of a semiconductor material that can perform an extensive range of functions.2. Semiconductor manufacturing: The process of creating integrated circuits and semiconductor devices, including design, fabrication, and packaging.3. Wafer: A thin slice of semiconductor material used as the substrate for the fabrication of integrated circuits.4. Photolithography: A process used to transfer circuit patterns onto the wafer surface using light and photoresist materials.5. Die: A single piece of an integrated circuit, typically cut from a wafer after fabrication and packaging.6. Yield: The percentage of functional and operational semiconductor devices produced during the manufacturing process.7. Moore's Law: The observation that the number of transistors in a dense integrated circuit doubles approximately every two years, leading to exponential growth in processing power.8. Quantum tunneling: A phenomenon in which electrons penetrate through a potential barrier they classically shouldn't be able to cross, crucial for the operation of semiconductor devices.中文翻译:半导体行业的一些常见术语包括：1. 集成电路（IC）：由半导体材料制成的小型电子器件，可执行广泛的功能。
半导体专业英语词汇
半导体专业词汇1。
acceptance testing （W AT：wafer acceptance testing）2. acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子3. ACCESS：一个EDA（Engineering Data Analysis）系统4。
Acid：酸5. Active device:有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）6。
Align mark(key）：对位标记7。
Alloy：合金8。
Aluminum:铝9。
Ammonia：氨水10。
Ammonium fluoride：NH4F11。
Ammonium hydroxide：NH4OH12。
Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）13。
Analog:模拟的14. Angstrom:A（1E—10m)埃15。
Anisotropic：各向异性(如POL Y ETCH）16。
AQL(Acceptance Quality Level）:接受质量标准，在一定采样下,可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性,可靠性要求一定时间后的失效率）17。
ARC(Antireflective coating）：抗反射层（用于METAL等层的光刻）18. Antimony（Sb)锑19。
Argon(Ar)氩20。
Arsenic(As)砷21。
Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷22。
Arsine(AsH3）23。
Asher：去胶机24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）25. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后,又回掺到外延层)26。
Back end：后段(CONTACT以后、PCM测试前)27。
Baseline:标准流程28。
Benchmark:基准29. Bipolar：双极30. Boat：扩散用（石英)舟31. CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸.在工艺上通常指条宽,例如POL Y CD 为多晶条宽。
半导体行业专业英语名词解释
194
WELL/TANK
井区
195
WLRC RELIABILITY (WAFER LEVEL
CONTROL）
晶圆层次（厂内）可靠度控制
196
QUALITY WAFER WLQC（LEVEL
CONTROL）
晶圆层次（厂内）品质控制
197
X-RAY LITHOGRAPHY
X光微影技术
198
YELLOW ROOM
空气洗尘室
进入洁净室之前，需穿无尘衣，因在外面更衣室之故，无尘衣上沾着尘埃，故进洁净室之前，需经空气喷洗机将尘埃吹掉。
ACTIVE AREA比原在之氮化硅光罩所定义的区域小0.5UM。
2
ACTONE
丙酮
1.丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH3。
2.性质为无色，具刺激性及薄荷臭味之液体。
3.在FAB内之用途，主要在于黄光室内正光阻之清洗、擦拭。
4.对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤粘膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸汽会刺激鼻、眼结膜及咽喉粘膜，甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。
184
TOX
氧化层厚度
185
TROUBLE SHOOTING
故障排除
186
UNDERCUT
底切度
187
UNIFORMITY
均匀度
188
VACUUM
真空
189
VACUUM PUMP
真空帮浦
190
VERNIER
游标尺
191
VIA CONTACT
连接窗
192
VISCOSITY
黏度
193
VLF（VERTICAL LAMINAR FLOW）
半导体专业术语英语
1.acceptancetesting(WAT:waferacceptancetesting)2.acceptor:受主，如B，掺入Si中需要接受电子3.ACCESS：一个EDA（EngineeringDataAnalysis）系统4.Acid：酸5.Activedevice：有源器件，如MOSFET（非线性，可以对信号放大）6.Alignmark(key)：对位标记7.Alloy：合金8.Aluminum：铝9.Ammonia：氨水10.Ammoniumfluoride：NH4F11.Ammoniumhydroxide：NH4OH12.Amorphoussilicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）13.Analog：模拟的14.Angstrom：A（1E-10m）埃15.Anisotropic：各向异性（如POLYETCH）16.AQL(AcceptanceQualityLevel)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）17.ARC(Antireflectivecoating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）18.Antimony(Sb)锑19.Argon(Ar)氩20.Arsenic(As)砷21.Arsenictrioxide(As2O3)三氧化二砷22.Arsine(AsH3)23.Asher：去胶机24.Aspectration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）25.Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）26.Backend：后段（CONTACT以后、PCM测试前）27.Baseline：标准流程28.Benchmark：基准29.Bipolar：双极30.Boat：扩散用（石英）舟31.CD：（CriticalDimension）临界（关键）尺寸。
在工艺上通常指条宽，例如POLYCD为多晶条宽。
半导体制造专业英语术语
半导体术语表第1页共68页半导体术语表第2页共68页amorphous 非晶的，无定型an alog 模拟信号angstrom 埃anion 阴离子an isotropic etch profile 各向异性刻蚀剖面ann eal 退火an tim ony(sb) 锑an tirelective coat in g(ARC) 抗反射涂层APCVD 常压化学气向淀积applicatio n specific IC(ASIC) 专用集成电路aqueous soluti on 水溶液area array 面阵歹Uargon (Ar) n.［化］氩arse ni c(As) 砷arsin e(AsH3) 砷化氢，砷烷ashi ng 灰化，去胶aspect ratio 深宽比，高宽比aspect ratio depe ndent etchi ng(ARDE) 与刻蚀相关的深宽比asphyxia nt 窒息剂assay n umber 检定数atmospheric adj. 大气的atmospheric pressure 大气压atmospheric pressure CVD(APCVD) 常压化学气向淀半导体术语表第3页共68页backi ng film 背膜baffle vt. 困惑，阻碍，为难（挡片）baffle assembly n. 集合，装配，集会，集结，汇编（挡片块）ball grid array(BGA) 球栅阵列ballroom layout barrel reactor舞厅式布局，超净间的布局圆桶型反应室barrier metal 阻挡层金属barrier voltage 势垒电压base 基极，基区batch 批半导体术语表第4页共68页bay and chase layout 生产区和技术夹层区beam blow-up 离子束膨胀beam curre nt 束流beam decelerati on 束流减速beam energy 离子束能量beol （生产线）后端工序best focus 最佳聚焦BGA 球栅阵列Biasi ng 电压拉偏BICMOS 双极CMOS半导体术语表第5页共68页半导体术语表 第6页共68页突破步骤，起始的干法刻蚀步骤亮场检查涮洗buffered oxide etch(BOE) bulk chemical distributi on bulk gases 大批气体 bulkhead equipme nt layout bumped chip 凸点式芯片buried layer 埋层 burn-box 燃烧室(或盒) bur n-i n 老化 CA 化学放大(胶) can tilever n.［建］悬臂 can tilever paddle 悬臂桨 cap oxide 掩蔽氧化层 capacita nce电容capacita nce-voltage test(C-Vtest) 电容-电压测试capacitive coupled plasma 电容偶合等离子体capacitor 电容器breakthrough step brightfield detection brush scrubb ing bubbler 带鼓泡槽氧化层腐蚀缓冲液 批量化学材料配送 穿壁式设备布局半导体术语表第7页共68页caro ' s acid 3 号液carrier 载流子carrier-depleti on region 载流子耗尽层carrier gas 携带气体cassette (承)片架cati on 阳离子caustic 腐蚀性的cavitation 超声波能CD 关键尺寸CD-SEM 线宽扫描电镜Celsius adj.摄氏的center of focus(COF) 焦点焦平面cen ter slow 中心慢速central process ing uni t(CPU) 中央处理器ceramic substrate 陶瓷圭寸装CERDIP 陶瓷双列直插封装Cha nnel 沟道cha nn el le ngth 沟道长度cha nn eli ng 沟道效应charge carrier 载流子chase技术夹层chelati ng agent 螯合齐ijchemical amplificatio n(CA) 化学放大胶chemical etch mecha半导体术语表第8页共68页nism 化学刻蚀机理chemical mecha ni cal pla narizati on (CMP) 化学机械平坦化chemical soluti on 化学溶液chemical vapor depositio n(CVD) 化学气相淀积chip 芯片chip on board(COB) 板上芯片chip scale package(CSP) 芯片尺寸圭寸装circuit geometries 电路几何尺寸class number 净化级别clea nroom 净化间clea nroom protocol 净化间操作规程Clearfield mask 亮场掩膜板Cluster tool 多腔集成设备CMOS 互补金属氧化物半导体CMP 化学机械平坦化Coater/developer track 涂胶/显影轨道Cobalt silicide 钻硅化合物coefficie nt n.［数］系数Coefficie nt of thermal expa nsio n（CTE）热涨系数半导体术语表第9页共68页Cohere nce probe microscope 相干探测显微镜Cohere nt light 相干光coil v. 盘绕，卷Cold wall 冷壁Collector 集电极Collimated light 平行光Collimated sputteri ng 准直溅射Compensate v.偿还，补偿，付报酬Compo und semic on ductor 化合物半导体Con ce ntrati on 浓度Conden sation 浓缩Con ductor 导体constantly adv.不变地，经常地，坚持不懈地Co nfocal microscope 共聚焦显微镜Con formal step coverage 共型台阶覆盖Con tact 接触（孔）Con tact alig nment 接触式对准（光刻）Con tact an gle meter 接触角度仪Con tam in ati on 沾污、污染conti boat 连柱舟半导体术语表第10页共68页con ticaster ［冶］连铸机Contin uous spray develop 连续喷雾显影Con tour maps 包络图、等位图、等值图Co ntrast 对比度、反差contribution n. 捐献，贡献，投稿Conventional-line photoresist 常规I 线光刻胶Cook' s theory库克理论Copper CVD 铜CVDCopper in terc onnect 铜互连Cost of own ership(COO) 业主总成本Coval ent bond 共价键Critical dime nsio n 关键尺寸Cryoge nic aerosol clea ning 冷凝浮质清洗Cryoge nic pump(cryopump) 冷凝泵Crystal 晶体Crystal activatio n 晶体激活Crystal defect 晶体缺陷Crystal growth 晶体生长Crystal lattice 晶格Crystal orie ntati on 晶向CTE 热涨系数半导体术语表第11页共68页Curre nt-drive n curre nt amplifier 电流驱动电流放大器CVD 化学气相淀积Cycle time 周期CZ crystal puller CZ 拉单晶设备Czochralski(CZ) method 切克劳斯基法Ddamasce ne 大马士革工艺darkfiled detectio n 暗场检测darkfiled mask 暗场掩膜版DC bias 直流偏压decompose v. 分解，(使)腐烂deep UV(DUV) 深紫外光default n.默认(值)，缺省(值),食言，不履行责任，［律］缺席v.疏怠职责，缺席，拖欠，默认defects den sity 缺陷密度defect 缺陷deglaze 漂氧化层degree of pla narity(DP) 平整度dehydrati on bake 去湿烘培，脱水烘培den sity 密度deple nti on mode 耗尽型半导体术语表第12页共68页degree of focus 焦深deposit n.堆积物，沉淀物，存款，押金，保证金，存放物vt.存放,堆积vi.沉淀depositi on 淀积deposited oxide layer 淀积氧化层depth of focus 焦深descum 扫底膜design for test(DFT) 可测试设计desorpt ion 解吸附作用develop in spect 显影检查developme nt 显影developer 显影液deviati on n. 背离device isolati on 器件隔离device tech no logy 器件工艺DI water 去离子水Diameter n.直径diameter grinding 磨边diborane ( B2H6 )乙硼烷dichlorosila ne(H2SiCL2) 二氯甲硅烷die 芯片die array 芯片阵列die attach 粘片die-by-die alig nme nt 逐个芯片对准dielectric 介质dielectric con sta nt 介电常数die matrix 芯片阵列die separati on 分片diffraction 衍射半导体术语表第13页共68页diffractio n-limited optics 限制衍射镜片diffusion 扩散diffusi on con trolled 受控扩散digital/analog 数字/模拟digital circuitdilue ntdirect chip attach( DCA)direct ion ality discrete dishi ng dislocati on dissoluti on rate dissolution rate mon itor(DRM) 溶解率监测DNQ- novolak 重氮柰醌一酚醛树脂Donor 施主dopa nt profile 掺杂刨面) doped region 掺杂区dop ing 掺杂dose mo nitor 剂量检测仪dose,Q 剂量dow nstream reactor 顺流法反应drain 漏drive-in 推进dry etch 干法刻蚀dry mecha ni cal pump 干式机械泵dry oxidati on 干法氧化dummy n.哑巴，傀儡，假人，假货adj. 假的，虚虚拟的，构的n.［计］哑元dynamic adj. 动力的，动力学的，动态的E半导体术语表第14页共68页econ omies of scale 规模经济edge bead removal 边缘去胶edge die 边缘芯片edge exclusi on 无效边缘区域electrically erasable PROM 电可擦除EPROMelectrode 电极electromigrati on 电迁徙electro n beam lithography 电子束光刻electro n cyclotro n reso nance 电子共振回旋加速器electro n shower 电子簇射，电子喷淋electro n stopp ing 电子阻止electro nic wafer map 硅片上电性能分布图electroplat ing 电镀electropolishi ng 电解拋光electrostatic chuck 静电吸盘electrostatic discharge(ESD) 静电放电ellipsometry 椭圆偏振仪，椭偏仪emitter 发射极en dpo int detecti on 终点检测engin eeri ng n.工程(学) electrostatic discharge(EDX) 能量弥散谱仪enhan ceme nt mode 增强型epi 夕卜延epitaxial layer 夕卜延层epoxy un derfill 环氧树脂填充不足erasable PROM 可擦除可编程只读存储器半导体术语表第15页共68页erosion 腐蚀，浸蚀establish vt.建立，设立，安置，使定居，使人民接受，确定v.建立etch 刻蚀etch bias 刻蚀涨缩量etch profile 刻蚀刨面etch rate 刻蚀速率etch residue 刻蚀残渣etch un iformity 刻蚀均匀性etcha nt 刻蚀剂etchback pla narizati on 返刻平坦化eutectic attach 共晶焊接eutectic temperature 共晶温度evaporati on 蒸发even adj.平的，平滑的，偶数的，一致的，平静的, 恰好的，平均的，连贯的adv.［加强语气］甚至（…也）, 连…都，即使，恰好，正当vt.使平坦，使相等vi. 变平，相等n.偶数，偶校验exceed vt. 超越，胜过vi.超过其他excimer laser 准分之激光exposal n. 曝光,显露exposure 曝光exposure dose 曝光量半导体术语表第16页共68页extracti on electrode 吸极extreme UV 极紫外线extri nsic silic on 掺杂硅FFables 无制造厂公司fabrication 制造facilities 设施factor n.因素，要素，因数，代理人fast ramp furn aces 快速升降温炉fault model 失效模式FCC diam ond 面心立方金刚石feature size 特征尺寸FEOL 前工序Fick ' s laws FICK 定律field-effect tran sistor 场效应晶体管field oxide 场氧化field-by-field alig nme nt 逐场对准field-programmable PROM 现场可编程只读存储器film 膜film stress 膜应力final assembly and packag ing 最终装配和圭寸装final test 终测first in terlayer dielectric(ILD-1) 第一层层间介质fixed oxide charge 固定氧化物电荷半导体术语表第17页共68页flats 定位边flip chip 倒装芯片float zone 区熔法fluorosilicate glass(FSG) 氟化玻璃focal le ngth 焦距focal pla ne 焦平面focal point 焦点focus 聚焦focus ion beam(FIB) 聚焦离子束footpri nt 占地面积formula n.公式，规则，客套语forward bias 正偏压four-po int probe 四探针frenkel defect Frenkel 缺陷fron t-ope ning uni fied pod(FOUP)前开口盒fun ctio nal test 功能测试furn ace flat zone 恒温区Gg-line G 线gallium(Ga)镓gallium arse nide(GaAs) 砷化镓gap fill 间隙填充gas 气体gas cabinet 气柜gas man ifold 气瓶集装gas phase n ucleati on 气相成核gas purge 气体冲洗gas throughput 气体产量半导体术语表第18页共68页gate 栅gate oxide 栅氧化硅gate oxide in tegrity 栅氧完整性germa ni um(Ge) 错getter 俘获glass 玻璃glazi ng 光滑表面global alig nment 全局对准global pla narizatio n 全局平坦化glow discharge 起辉放电gray area 灰区，技术夹层gross defect 层错grove n. 小树林grow n oxide layer 热氧化生长氧化层HHaloge n 卤素hardbake 坚膜hardware n.五金器具，(电脑的)硬件，(电子仪器的)部件HEPA filter 高效过滤器hermetic seali ng 密圭寸heteroepitaxy 异质外延heteroge neous reacti on 异质反应hexamethyldisilaza ne(HMDS)六甲基二硅氨烷high-de nsity plasma(HDPCVD) 高密度等离子体化学气相淀积high-de nsity plasma etch 高密度等离子刻蚀high-pressure oxidati on 高压氧化high-temperature diffusi on furn ace高温扩散炉high vacuum 高真空high vacuum pumps 高真空泵半导体术语表第19页共68页半导体术语表 第20页共68页IC reliability 集成电路可靠性 Iddq test ing 静态漏电流测试 image resolution 图象清晰度 图象分解力 impla nt v.灌输（注入） impurity 杂质 in creme nt n. 增加，增量 initial adj.最初的，词首的，初始的 n.词首大写 字母in situ measurem ents 在线测量 in dex of refraction 折射率 indium 铟in ductively coupled plasma(ICP) 电感耦合等离子体 in ert gas 惰性气体in frared in terfere nce 红外干涉 in got 锭ink mark 墨水标识在线参数测试 输入/输出管脚 学院，协会 vt.创立，开始，制 定，开始（调查），提起（诉讼） in sulator 绝缘体in-li ne parametric test in put/output(I/O)pin institute n. 学会,半导体术语表第21页共68页in tegrated measurem ent tool 集成电路测量仪interval n.间隔，距离，幕间休息n.时间间隔interconnect 互连in terco nn ect delay 互连连线延迟in terface-trapped charge 界面陷阱电荷in terferometer 干涉仪in terlayer dielectric(ILD) 层间介质in terstitial 间隙(原子)in tri nsic silic on 本征硅in voke v. 调用ion 离子ion analyzer 离子分析仪ion beam milli ng or ion beam etch in g(IBE) 离子铣或离子束刻蚀ion impla ntati on 离子注入ion impla ntati on damage 离子注入损伤ion impla ntati on dop ing 离子注入掺杂ion impla nter 离子注入机ion projectio n lithography(IPL) 离子投影机ioni zati on 离子化ion ized metal plasma PVD 离子化金属等离子IPA PVD半导体术语表第22页共68页vapor dry 异丙醇气相干燥isolati on regions 隔离区isotropic etch profile 各向同性刻蚀刨面JJEFT结型场效应管jun ctio n(p n) PN 结jun cti on depth 结深jun cti on spik ing 结尖刺KKelvi n 绝对温度killer defect 致命缺陷ki netically con trolled react ion 功能控制效应Llam inar air flow 层状空气流，层流式lapping 拋光latchup闩锁效应lateral diffusi on 横向扩散law of reflecti on 反射定律LDD轻掺杂漏Leadframe 引线框架leakage cuttent 漏电流len透镜lens compact ion 透镜收缩light 光light in te nsity 光强light scatteri ng 光散射lightly doped drai n(LDD) 轻掺杂漏半导体术语表第23页共68页lin ear 线性linear accelerator 线性加速器linear stage 线宽阶段，线性区lin ewidth 线宽liquid 液体lithography 光刻loaded brush 沾污的毛刷loaded effect负载效应loadlock 真空锁local in terco nn ect(LI) 局部互连local pla narizati on 局部平坦化local oxidation of silico n(LOCOS) 硅局部氧化隔离法logic逻辑lot批low-pressure chemical vapor deposition (LPCVD)彳氐压化学气相淀积LSI大规模集成电路Mmagnetic CZ ( MCZ )磁性切克劳斯基晶体生长法magnetically enhanced RIE(MERIE)磁增强反应离子刻蚀magnetron sputteri ng 磁控溅射Magnification n. 扩大，放大倍率magnificent adj. 华丽的，高尚的，宏伟的majority carrier 多子make-up loop 补偿循环mask掩膜版n.面具，掩饰，石膏面像vt.戴面具,半导体术语表第24页共68页掩饰，使模糊vi.化装，戴面具，掩饰，参加化装舞会mask-programmable gate array 掩膜可编程门阵歹Umass flow con troller(MFC) 质量流量计mass spectrometer 质谱仪mass-tra nsport limited reacti on质量传输限制效应mathematical adj.数学的，精确的mea n free path(MFP) 平均自由程medium vacuum 中真空半导体术语表第25页共68页megasonic cleaning 超声清洗melt熔融membra ne con tactor 薄膜接触器，隔膜接触器membra ne filter 薄膜过滤器，隔膜过滤器merchant n. 商人，批发商，贸易商，店主商业的，商人的mercury arc lamp 汞灯MESFET用在砷化镓结型场效应晶体管中的金属栅metaladj. contact 金属接触孔metal impurities 金属杂质metalstack 复合金属，金属堆叠metallizati on 金属化metalorga nic CVD 金属有机化学气相淀积metrology 度量衡学microchip 微芯片microdefect 微缺陷microlithography 微光刻microloadi ng 微负载，与刻蚀相关的深宽比micron 微米microprocessor n.［计］微处理器microprocessor unit 微处理器microrough ness 微粗糙度Miller in dices 密勒指数minienvironment 微环境mi ni mum geometry 最小尺寸minority carrier 少子mix and match 混合与匹配mobile ion ic co ntami nan ts(MIC)可动离子沾污mobile oxide charge 可动氧化层电荷module n.模数，模块,登月舱，指令舱modify vt. 更改，修改v.修改molecular beam epitaxy (MBE)分子束外延molecular flow 分子流monitor wafer(test wafer) 陪片，测试片，半导体术语表第26页共68页样片mono crystal 单晶mono lithic device 单片器件Moore's law 摩尔定律MOS 金属氧化物半导体MOSFET 金属氧化物半导体场效应管motor currea nt en dpoi nt 电机电流终点检测(法)MSI中规模集成电路Multiplier n.增加者，繁殖者,乘数，增效器，乘法器multichip module(MCM) 多芯片模式multile nel metallization 多重金属化Murphy's model 墨菲模型Nnan ometer( nm) 纳米native oxide 自然氧化层n-channel MOSFET n 沟道MOSFET negati ne resist 负性光刻胶negative n.否定，负数，底片adj.否定的，消极的，负的，阴性的vt.否定，拒绝(接受)ne gati ne resist developm ent 负性光刻胶显影neutral beam trap 中性束陷阱ne xt-g ene rati on lithography 下一代光刻技术n itric acid(HNO3) 硝酸nitroge n(N2) 氮气nitrogen trifluoride(NF3) 三氟化氮半导体术语表第27页共68页nitrous oxide (N2O) 一氧化二氮、笑气nMOS n沟道MOS场效应晶体管non critical layer 非关键层non volatile memory 非挥发性存储器n ormality 归一化notch 定位槽novolak 苯酚甲醛聚树脂材料npn npn型(三极管) n-type silicon n 型硅nu clear stopp ing 离子终止nucleati on 成核现象，晶核形成nu clei coalesce nce 核合并numerical aperture(NA) 数值孔径n-well n 阱Oobjective (显微镜的)物镜off-axis illumi natio n( OAI) 偏轴式曝光，离轴式曝光ohmic con tact 欧姆接触op amp 运算放大器optical in terferometry en dpoi nt 光学干涉法终点检测optical lithography 光学光刻optical microscope(light microscope) 光学显微镜optical proximity correctio n(O PC) 光学临近修正半导体术语表第28页共68页optical pyrometer 光学高温计optics 光学organic compo und 有机化合物半导体术语表第29页共68页out-diffusion 反扩散outgassi ng 除气作用overdrive 过压力overetch step 过刻蚀overflow rin ser 溢流清洗overlay accuracy 套准精度overlay budget 套准偏差overlay registrati on 套刻对准oxidati on 氧化oxidati on-in duced stack ing faults(OISF) 缺陷，氧化诱生堆垛层错oxide 氧化物、氧化层、氧化膜oxidezer 氧化剂oxide-trapped charge 氧化层陷阱电荷ozo ne(O3) 臭氧Ppackage 封装管壳pad con diti oning 垫修整pad oxide 垫氧化膜paddle 悬臂n.短桨，划桨，明轮翼水，涉水vt.用桨划，搅，拌parabolic stage 拋物线阶段parallel-plate(pla nar)reactor 平板反应parallel testi ng 并行测试parameter 参数parametric test 参数测试parasitic 寄生parasitic capacita nee 寄生电容parasitic resista nce 寄生电阻parasitic tran sistor 寄生电阻器partial pressure 分压particle den sity 颗粒密度氧化诱生层积vi.划桨，戏半导体术语表第30页共68页particle per wafer per pass(PWP)每步每片上的颗粒数passivati on 钝化passivati on layer 令屯化层passive comp onents 无源元件pattern sen sitivity 图形灵敏性patterned etchi ng 图形刻蚀pattern wafer 带图形硅片patterni ng 图形转移，图形成型，刻印pc board 印刷电路版p-channel MOSFET p 沟道MOSFETPCM 工艺控制监测PEB 曝光后烘焙PECVD 等离子体增强化学气相淀积PEL 允许曝露极限值pellicle 贴膜pen tava lent 五价元素perform vt. 履行,执行，表演，演出v. performing完成任务adj. 表演的，履行的perimete array 周边阵列式(圭寸装) pH scale pH 值phase-shift mask(PSM) 相移掩膜技术phosphi ne(PH3)磷化氢phosphoric acid(H3PO4) 磷酸phosphorus(P) 磷半导体术语表第31页共68页phosphorus oxychloride(POCL3) 三氯氧磷phosphosilicate glass(PSG) 磷硅玻璃photoacid gen erator(PAG) 光酸产生剂photoacoustics 光声的photoactive compou nd(PAC) 感光化合物photography n.摄影，摄影术光刻photolithography 光刻(技术)photomask 光掩膜photoresist 光刻胶photoresist stripp ing 去胶、光刻胶去除physical etch mecha nism 物理刻蚀机理physical vapor depositio n(PVD) 物理气相淀积pigtail 引出头pin grid array(PGA) 针栅阵列式(封装) pin hole 针孑L pira nha 3 号液pitch 间距pla nar 平面pla nar capacitor平面电容pla nar process 平面工艺pla narizati on 平坦化plasma 等离子体n.［解］血浆，乳浆,［物］等离子体，等离子区plasma-based dry clea ning 等离子体干法清洗plasma electro n flood 等离子电子流plasma enhancedCVD(PECVD) 等离子体增强CVD半导体术语表第32页共68页plasma-in duced damage 等离子体诱导损伤plasma pot en tial distributi on 等离子体势分布plastic dual in-li ne package(DIP) 双列直插塑料圭寸装plastic leaded chip carrier(PLCC) 塑料电极芯片载体plastic packag ing 塑料圭寸装plug 塞，填充vt. 埼塞，插上，插栓n塞子，插头, 插销pMOS(p-channel) p 沟道MOSpn junction diode pn 结型二极管pnp pnp型三极管point defect 点缺陷Poisso n's model 泊松模型polarizati on 极化，偏振polarized light 极化光，偏振光polish 拋光polish rate 拋光速率polished wafer edge(edge grind) 倒角polishi ng loop 磨拋循环polishi ng pad 拋光(衬)垫polycide 多晶硅化物polycrystal 多晶半导体术语表第33页共68页polysilic on 多晶硅polysilic on gate 多晶硅栅portion n. —部分,一分positive lithography 正性光刻positive resist 正性光刻胶positive resist developme nt 正性光刻胶显影post-develop in specti on 显影后检查post-exposure bake(PEB) 曝光后烘焙ppb 十亿分之几ppm 百万分之几ppt 万亿分之几preamorphizati on 预非晶化precursor 先驱物predepositi on 预淀积premetaldielectric(PMD) 金属前介质preston equation Preston 方程primary orie ntati on flat 主定位边print bias光刻涨缩量prin ted circuit boade(PCB) 印刷电路板probe探针probe card 探针卡prober 探针台process 工艺process chamber 工艺腔，工艺反应室process chemical 工艺化学process control mon itor(PCM) 工艺控制监测(图形) process latitude 工艺水平，工艺能力process recipe 工艺菜单programmable array logic(PLA) 可编程阵列逻辑programmable logic device 可编程逻辑器件半导体术语表第34页共68页programmable read-only memory 可编程只读存储器projected range 投影射程prompt n.提示，付款期限vt.提示，鼓动，促使,(给演员)提白adj.敏捷的，迅速的，即时的adv. 准时地n. DOS 命令：改变DOS系统提示符的风格proportion n.比例，均衡，面积，部分vt.使成比例，使均衡，分摊proportional adj. 比例的，成比例的，相称的，均衡的proportio nal ba nd 比例区，比例带，比例尺范围proximity alig ner 接近式光刻机p-type silicon P 型硅puddle develop搅拌式显影pump speed 抽气速率pun chthrough 穿通purge （冲气）清洗purge cycle （冲气抽气）清洗循环PVD物理气相淀积p-well P 阱pyroge nic steam 热流pyrogen 热原（质）pyrolytic 热解pyrophoric 自燃的Qquad flatpack（QFP）方型管壳封装quadrupole mass an alyzer（QMA）四极质量分析仪quality measure 质量测量quarz石英quarz tube 石英管半导体术语表第35页共68页quarz wafer boat 石英舟queue time排队时间R radiation damage 辐射损伤radical 激发ran dom access memory(RAM) 随机存储器range射程rapid thremal ann eal(RTA) 快速热退火rapid thermal processor(RTP) 快速热处理RCA clea n RCA 清洗reactio n rate limited 反应速率限制reactive ion etch(RIE) 反应离子刻蚀reactivity 反应性reactor 反应室，反应腔read-o nlymemory(ROM) 只读存储器recomb in ati on 复合redistribut ion 再分布reflection spectroscopy 反射光谱仪reflective no tchi ng 反射开槽reflow 回流refraction 折射refractory metal 难融金属regeneration 再生regene rati on 套准精度relative in dex of refraction,n removal n. 移动，免职，切除repeat n.重复，反复vt.重做，复述，向他人转述，复制，使再现vi.重复，留有味道representation n. 表示法，表现，陈述，请求，扮演，画像，继承，代表reset v.重新安排residual gas analyzer(RGA) 残余气体分析器resist光刻胶半导体术语表第36页共68页resist developme nt 光刻胶显影resista nee 电阻resistivity 电阻率resolution 分辨率reticle掩膜版retrograde well 倒掺杂阱reverse bias 反偏reverse osmosis(RO) 反向渗透RF射频RF sputteri ng 射频溅射rinse v.嗽口，(用清水)刷，冲洗掉，漂净n.清洗嗽洗，漂洗，漂清，冲洗RO反向渗透Roots blower罗茨(机械增压)泵roughi ng pump 低真空泵，机械泵RTA快速热退火RTP快速热处理Ssatisfy vt.满足，使满意，说服，使相信v.满意，确保Scali ng按比例缩小SCALPEL具有角度限制分散投影电子束光刻Scanner扫描仪sea nning electro n microscope(SEM) 扫描电子显微镜sca nning projecti on alig ner 扫描投影光刻机schottky diode 肖特基二极管screen oxide layer 掩蔽氧化层半导体术语表第37页共68页scribe line 划片道scribe line mon itor(SLM) 划片线监测scumming 底膜sec ondary electro n 二次电子半导体术语表第38页共68页sec on dary electro n flood 二次电子流sec on dary ion mass spectrometry(SIMS)二次离子质谱(法)seed ' s model SEED模型selective etching 选择性刻蚀selective oxidati on 选择性氧化selectivity 选择性semic on ductor grade silic on 半导体极硅semic on ductor 半导体sensitivity 灵敏度shallow trench isolatio n(STI) 浅沟槽隔离sheet resistance,RS 方块电阻sheet resistivity, 方块电阻率shot size胶(点)尺寸shri nking 缩小SI units 公制Sidewall spacer 侧墙Silane(siH4)硅烷Silicide硅化合物silicon 硅silicon dioxide(SIO2)二氧化硅silicon n itride(SI3N4)氮化硅silic on on sapphire 蓝宝石伤硅silicon on in sulator(SOI) 绝缘体上硅silicon tetrachloride(SIC4) 碳化硅silicon tetrafluoride(SIF4)四氟化硅silicon tetrachloride(SICL4)四氯化硅sin gle crystal silic on 单晶硅silylation 硅烷化(作用)SIMOX 由注入氧隔离，一种SOI材料si ngle crystal 单晶slip滑移slurry 磨料半导体术语表第39页共68页SMIF标准机械接口Sodium hydroxide(NaOH)氢氧化钠soft bake 前烘solid固体solve nt 溶剂SOS蓝宝石上硅Source 源source drain impla nts 源漏注入spacer n.取间隔的装置，逆电流器spatial cohere nee 空间相干spatial sig nature an alysis 空间信号分析specialty gase 特种气体species 种类specific gravity 上匕重specific heat 比热speckle 斑点spectroscipic ellipsometry 椭圆偏振仪sp in coati ng 光刻胶旋涂spin dryer 旋转式甩干桶spin-on-dielectric ( SOD)旋转介质法spin-on-glass ( SOG)旋转玻璃法spray clea ning 喷雾清洗spray rin ser 喷雾清洗槽spreadi ng resista nce probe 扩散电阻探测sputter n.喷溅声，劈啪声，急语，咕哝vi.唾沫飞溅，发劈啪声，急忙地讲vt.喷出，飞溅出，气急败坏地说sputteri ng 溅射sputter etch 溅射刻蚀sputtered alum inum 溅射铝半导体术语表第40页共68页sputteri ng yield 溅射产额SSI小规模集成电路stacki ng fault层积缺陷，堆垛层错sta ndard clea n 1(SC-1) 1 号清洗液sta ndard clea n 2(SC-2) 2 号清洗液sta ndard mecha nical in terface(SMIF) 机械标准接口standing wave 驻波static RAM 静态存储器statistical process control ( SPC)统计过程控制step coverage 台阶覆盖step height台阶高度step-a nd-repeat alig ner 分步重复光刻机step-and-scan system 步进扫描光刻机stepper步进光刻机steppi ng motor driver 步进电机驱动器电路stepper步进光刻机stoichiometry 化学计量(配比) staggle投射标准偏差stress应力striati on 条纹strip vt.剥，剥去n. 条，带strippi ng 去胶structure 结构subatmospheric CVD 亚大气压化学气相淀积半导体术语表第41页共68页submicro n 亚微米sub-quarter micron 亚0.25 微米substrate 衬底sublimati on 升华substituti onal atom 替位原子subtract v.(〜from)减去, 减subwaverle ngth lithography 亚波长光刻sulfur hexafluoride(SF6)六氟化硫sulfuric acid (H2SO4 )硫酸surface profiler 表面形貌surface tension 表面张力susceptor 基座Ttarget chamber 靶室target 靶temperature ramp rate 温度斜率temperature 温度TEOS正硅酸乙脂test algorithm 测试算法test coverage测试覆盖test structure 测试结构test vector测试向量thermal budget 热预算thermal oxide 热氧化thermocompressi on bonding 热压键合thermocouple 热电偶thermogravimetric an alysis (TGA) 热重量分析thermoso nic bon di ng 热超声键合thin film 薄膜半导体术语表第42页共68页thin small outli ne package(TSOP) 薄小型圭寸装III-V compou nd 三/五族化合物thorough adj.十分的，彻底的Threshold 域值threshold voitage 域值电压threshold voltage adjustment implant 调栅注入，域值调整注入throughput 产量tilt [tilt] v.(使)倾斜，(使)翘起，以言词或文字抨击time of flight SIMS仃OF-SIMS) 飞行时间二次离子质谱tita nium silicide 钛硅化合物TLV极限域值top surface imag ing 上表面图形topography 形貌torr 托toxic 有毒track system(also track) 轨道系统tran sie nt enhan ced diffusio n仃ED) 瞬时增强扩散tran sistor 晶体管trench 槽trench capacitor 槽电容trichlorosila ne(TCS or SiHCL3) 三氯氢硅triode pla nar reactor三真空管平面反应室triple well 三阱trivale nt 三价tun gste n(W)钨tun gste n stch back 钨反刻tun gsten hexafluoride(WF6) 六氟化钨tun gste n plug 钨塞，钨填充turbomolecular pump(turbo pump) 涡轮分子泵twin pla nes(tw inning) 双平面半导体术语表第43页共68页twin-well(twi n-tub) 双阱UULSI甚大规模集成电路ultralow pen etration air(ULPA) 超低穿透空气ultrafiltration 超过滤ultrafi ne particle 超细颗粒ultrahigh purity 超高纯度ultrahigh vacuum 超高真空ultrashallow junction 超浅结ultrashallow jun ctio n 超声键合(压焊)ultraviolet 紫外线undercut 钻蚀un iformity 均匀性unit cell 元包，晶胞un patter ned etchi ng(spripp ing) 无图形刻蚀(剥离)un patter ned wafer 无图形硅片unplug v.拔去(塞子，插头等),去掉…的障碍物UV紫外线VVacancy 空位vacuum 真空vacuum wand 真空吸片棒，真空镊子van der pauw method 范德堡法vapor phase epotaxy(VPE) 气相外延vapor pressure 气压vapor prime气相熏增粘剂，气相成底膜半导体术语表第44页共68页vaporizati on 气化variable n.［数］变数，可变物，变量adj. 可变的, 不定的，易变的，［数］变量的variable angle spectriscipic ellipsometry(VASE) 可变角度椭偏仪variation n.变更，变化，变异，变种，［音］变奏，变调various adj.不同的，各种各样的，多方面的，多样的vertical furn ace 立式炉via通孑Lviscous flow 粘滞流VLSI超大规模集成电路volatile memory 挥发性存储器volatile 挥发voltage regulator 温压器Wwafer cassette 硅片架wafer charg ing 硅片充电wafer electrical test(WET) 硅片电学测试wafer etch硅片刻蚀wafer flat or notch 硅片定位边或定位凹槽半导体术语表第45页共68页wireb on di ng 引线键合wiri ng 连线withi n-wafer nonun iformity(WIWNU) 片内不均匀性XX-ray X射线X-ray fluoresce nce(XRF) X 射线荧光性半导体术语表第46页共68页X-ray lithography X 射线光刻X-ray photoelectron spectroscopy ( XPS) X 射线光电能谱仪YYield 成品率Yield man agem ent system 成品率管理系统ZZeta potential zeta 电势zone n.地域，地带,地区，环带,圈vt.环绕，使分成地带vi.分成区半导体术语表第47页共68页10. Ammonium fluoride : NH4F11. Ammonium hydroxide : NH4OH12. Amorphous silicon : a -Si，非晶硅(不是多晶硅)13. An alog :模拟的14. Angstrom : A (1E-10m)埃15. An isotropic :各向异性(如POLY ETCH16. AQL(Accepta nce Quality Level) :接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准 (不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率)17. ARC(A ntireflective coat in g) :抗反射层(用于METAL等层的光刻)18. An tim on y(Sb)锑19. Argon (Ar)氩20. Arse nic(As) 砷21. Arsen ic trioxide(As2O3) 三氧化二砷22. Arsi ne(AsH3)23. Asher :去胶机24. Aspect ration :形貌比(ETCH中的深度、宽度比)25. Autodopi ng :自搀杂(外延时SUB的浓度高，导致有杂质半导体术语表第48页共68页蒸发到环境中后，又回掺到外延层)26. Back end :后段(CONTACT S后、PCM测试前)27. Baseli ne :标准流程28. Benchmark :基准29. Bipolar :双极30. Boat :扩散用(石英)舟31. CD : ( Critical Dimension )临界(关键)尺寸。
半导体行业专业英语名词解释
12
ANGSTRON
埃
13
）APCVD（ATMOSPRESSURE
常压化学气相沉积
14
AS75
砷
15
ASHING，STRIPPING
电浆光阻去除
16
ASSEMBLY
晶粒封装
17
BACK GRINDING
晶背研磨
18
BAKE, SOFT BAKE, HARD BAKE
烘烤，软烤，预烤
19
BF2
49
DI WATER
去离子水
50
DOPING
参入杂质
51
DRAM , SRAM
动态,静态随机存取内存
52
DRIVE IN
驱入
53
E-BEAM LITHOGRAPHY
电子束微影技术
54
EFR（EARLY FAILURERATE）
早期故障率
55
ELECTROMIGRATION
电子迁移
56
ELECTRON/HOLE
电子/电洞
57
ELLIPSOMETER
椭圆测厚仪
58
EM（ELECTRO MIGRATION TEST）
电子迁移可靠度测试
59
END POINT DETECTOR
终点侦测器
60
ENERGY
能量
61
EPI WAFER
磊晶芯片
62
EPROM (ERASABLE-PROGRAMMABLE ROM）
电子可程序只读存储器
临时性制程变更通知
180
TEOS（TETRAETHYLOR THOSILICATE）
四乙基氧化硅
半导体专业英语词汇
半导体专业词汇1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing)2. acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子3. ACCESS：一个EDA（Engineering Data Analysis）系统4. Acid：酸5. Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）6. Align mark(key)：对位标记7. Alloy：合金30. Boat：扩散用（石英）舟31. CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。
在工艺上通常指条宽，例如POLY CD 为多晶条宽。
32. Character window：特征窗口。
用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。
33. Chemical-mechanical polish（CMP）：化学机械抛光法。
一种去掉圆片表面某种物质的方法。
34. Chemical vapor deposition（CVD）：化学汽相淀积。
一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。
35. Chip：碎片或芯片。
36. CIM：computer-integrated manufacturing的缩写。
用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。
37. Circuit design ：电路设计。
一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。
38. Cleanroom：一种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。
39. Compensation doping：补偿掺杂。
向P型半导体掺入施主杂质或向N型掺入受主杂质。
40. CMOS：complementary metal oxide semiconductor的缩写。
一种将PMOS和NMOS在同一个硅衬底上混合制造的工艺。
41. Computer-aided design（CAD）：计算机辅助设计。
半导体行业的英单词和术语
半导体行业的英单词和术语1. Semiconductor（半导体）：指一种导电性能介于导体和绝缘体之间的材料，广泛应用于电子器件中。
3. Integrated Circuit（集成电路）：简称IC，将大量的微小电子元件（如晶体管、电阻、电容等）集成在一块半导体芯片上。
4. Transistor（晶体管）：一种半导体器件，具有放大信号和开关功能，是现代电子设备的基础组件。
5. Diode（二极管）：一种具有单向导通特性的半导体器件，常用于整流、稳压等电路。
6. MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）：一种常见的晶体管类型，广泛应用于放大器和开关电路。
7. CMOS（互补金属氧化物半导体）：一种集成电路技术，采用NMOS和PMOS晶体管组合，具有低功耗、高集成度等优点。
8. Wafer（晶圆）：指经过切割、抛光等工艺处理的半导体材料，用于制造集成电路。
9. Photolithography（光刻）：在半导体制造过程中，利用光刻技术将电路图案转移到晶圆上的过程。
10. Etching（刻蚀）：在半导体制造过程中，通过化学反应或物理方法去除晶圆表面不需要的材料。
11.掺杂（Doping）：在半导体材料中引入其他元素，以改变其导电性能。
12. Chip（芯片）：指经过封装的集成电路，是电子设备的核心组成部分。
13. PCB（印刷电路板）：一种用于支撑和连接电子元件的板材，上面布满了导电线路。
14. Moore's Law（摩尔定律）：指集成电路上可容纳的晶体管数量大约每两年翻一番，预测了半导体行业的发展趋势。
15. EDA（电子设计自动化）：指利用计算机软件辅助设计电子系统，包括电路设计、仿真、验证等环节。
16. Foundry（代工厂）：专门为其他公司生产半导体芯片的企业。
17. Semiconductor Equipment Manufacturer（半导体设备制造商）：为半导体行业提供生产设备的公司。
半导体相关英语术语
半导体相关英语术语半导体领域是电子学和电路设计的重要组成部分。
本文将介绍半导体领域中一些常见的英语术语。
1. Semiconductor（半导体）Semiconductors are materials that have electrical conductivity between conductors and insulators. They have a property of conductivity that lies between that of a conductor and an insulator. Common semiconducting materials include silicon, germanium, and gallium arsenide.2. Integrated Circuit (IC)（集成电路）An integrated circuit, or IC, is a miniaturized electronic circuit consisting of semiconductor devices, such as transistors, diodes, and resistors, as well as passive components, such as capacitors and inductors, interconnected on a single semiconductor substrate or chip.3. Transistor（晶体管）A transistor is a semiconductor device that controls the flow of current or amplifies signals. It is made up of three layers of semiconductor material, typically doped with impurities to create either N-type or P-type regions. Transistors are the building blocks of modern electronic devices and can be found in almost all electronic circuits.4. Diode（二极管）A diode is a two-terminal electronic component that allows current to flow in only one direction. It has a P-N junction formed by connecting a P-type semiconductor and an N-type semiconductor. Diodes are commonly used in rectifying circuits, voltage regulators, and signal demodulation.5. Field-Effect Transistor (FET)（场效应晶体管）A field-effect transistor, or FET, is a type of transistor that uses an electric field to control the flow of current. It has three terminals: the source, the gate, and the drain. FETs are widely used in digital circuits, as well as in analog applications such as amplifiers.6. Analog-to-Digital Converter (ADC)（模数转换器）An analog-to-digital converter, or ADC, is a device that converts analog signals into digital signals. It is commonly used in communication systems, measurement instruments, and digital audio applications to convert continuous analog signals into discrete digital representations.7. Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET)（金属氧化物半导体场效应晶体管）A metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, or MOSFET, is a type of transistor that uses a metal gate electrode to control the flow of current. It is widely used in digital integrated circuits and offers advantages such as low power consumption and high switching speeds.8. Bandgap（能隙）Bandgap is the energy range in a solid material where no electron states can exist. It represents the minimum energy required to excite an electron from the valence band to the conduction band. The bandgap determines the electrical and optical properties of a semiconductor material.9. Photovoltaic (PV) Cell（光伏电池）A photovoltaic cell, or PV cell, is a device that converts sunlight directly into electricity by the photovoltaic effect. It is made up of semiconductor materials that absorb photons and generate a voltage difference across its terminals. PV cells are used in solar panels to generate renewable energy.10. Electromigration（电迁移）Electromigration is the phenomenon in which metal atoms in a conductor migrate under the influence of high current density. This can lead to the formation of voids and eventual failure of the conductor. Electromigration is a significant reliability issue in integrated circuits and is mitigated through proper design and fabrication techniques.以上是一些常见的半导体领域英语术语，了解这些术语有助于更好地学习和理解半导体电子学和电路设计的知识。
半导体专业英语词汇
半导体专业词汇1. acceptance testing (WA T: wafer acceptance testing)2. acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子3. ACCESS：一个EDA〔Engineering Data Analysis〕系统4. Acid：酸5. Active device：有源器件，如MOS FET〔非线性，可以对信号放大〕6. Align mark(key)：对位标记7. Alloy：合金8. Aluminum：铝9. Ammonia：氨水10. Ammonium fluoride：NH4F11. Ammonium hydroxide：NH4OH12. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅〔不是多晶硅〕13. Analog：模拟的14. Angstrom：A〔1E-10m〕埃15. Anisotropic：各向异性〔如POL Y ETCH〕16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准〔不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率〕17. ARC(Antireflective coating)：抗反射层〔用于METAL等层的光刻〕18. Antimony(Sb)锑19. Argon(Ar)氩20. Arsenic(As)砷21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷22. Arsine(AsH3)23. Asher：去胶机24. Aspect ration：形貌比〔ETCH中的深度、宽度比〕25. Autodoping：自搀杂〔外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层〕26. Back end：后段〔CONTACT以后、PCM测试前〕27. Baseline：标准流程28. Benchmark：基准29. Bipolar：双极30. Boat：扩散用〔石英〕舟31. CD：〔Critical Dimension〕临界〔关键〕尺寸。
半导体专业英语词汇
半导体专业词汇1. acceptance testing (WA T: wafer acceptance testing)2. acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子3. ACCESS：一个EDA（Engineering Data Analysis）系统4. Acid：酸5. Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）6. Align mark(key)：对位标记7. Alloy：合金8. Aluminum：铝9. Ammonia：氨水10. Ammonium fluoride：NH4F11. Ammonium hydroxide：NH4OH12. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）13. Analog：模拟的14. Angstrom：A（1E-10m）埃15. Anisotropic：各向异性（如POL Y ETCH）16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）17. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）18. Antimony(Sb)锑19. Argon(Ar)氩20. Arsenic(As)砷21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷22. Arsine(AsH3)23. Asher：去胶机24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）25. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）27. Baseline：标准流程28. Benchmark：基准29. Bipolar：双极30. Boat：扩散用（石英）舟31. CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。
半导体专业英语词汇
半导体专业词汇1. acceptance testing (WA T: wafer acceptance testing)2. acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子3. ACCESS：一个EDA（Engineering Data Analysis）系统4. Acid：酸5. Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）6. Align mark(key)：对位标记7. Alloy：合金8. Aluminum：铝9. Ammonia：氨水10. Ammonium fluoride：NH4F11. Ammonium hydroxide：NH4OH12. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）13. Analog：模拟的14. Angstrom：A（1E-10m）埃15. Anisotropic：各向异性（如POL Y ETCH）16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）17. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）18. Antimony(Sb)锑19. Argon(Ar)氩20. Arsenic(As)砷21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷22. Arsine(AsH3)23. Asher：去胶机24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）25. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）27. Baseline：标准流程28. Benchmark：基准29. Bipolar：双极30. Boat：扩散用（石英）舟31. CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。
半导体行业英语专业术语
半导体行业英语专业术语1.Angle of incidence：入射角。
2.Dielectric：介电质。
3.Epitaxial Growth：外延生长。
4.Junction：结。
5.MOS transistor：MOS晶体管。
6.Lithography：光刻。
7.Photoresist：光刻胶。
8.Picking：取片。
9.Reflow soldering：热风焊接。
10.Deposition：沉积。
11.Diffusion：扩散。
12.Doping：掺杂。
13.Epitaxy：外延。
14.Furnace：炉。
15.Gate oxide：栅极氧化层。
16.Grinding：研磨。
17.Ion Implantation：离子注入。
18.Polishing：抛光。
19.Substrate：基底。
20.Chip：芯片。
21.Wafer：晶圆。
22.Yield：良率。
23.Masking：掩模。
24.Electrical Characterization：电性测试。
25.Suitability Test：可靠性测试。
26.Failure Analysis：失效分析。
27.Annealing：退火。
28.Threshold Voltage：阈值电压。
29.Voltage Transfer Curve：电压传递曲线。
30.Contact Resistance：接触电阻。
31.Electromigration：电迁移。
32.Inspection：检验。
33.CMP：表面处理。
34.CVD：化学气相沉积。
35.Metallization：金属化。
36.Microscopy：显微镜。
37.Ohmic Contact：正性接触。
38.Oxidation：氧化。
39.PECVD：电演化学气相沉积。
40.Photolithography：光刻工艺。
41.Sputtering：溅射。
42.Thermal Oxidation：热氧化。
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球栅阵列舞厅式布局，超净间的布局 圆桶型反应室 阻挡层金属势垒电压backing film 背膜baffle vt ・ 困惑，阻碍，为难（挡片）baffle assembly n. 集合，装配，集会，集结，汇 编 （挡片块）丨 基极，基区 batch 批 bay and chase beam blow-up离子束膨胀 beam deceleration 束流减速分类代码号双极双极技术(工艺) bird ' s beak effect 鸟嘴效应blanket deposition 均厚淀积blower增压泵boat 舟BOE 氧化层刻蚀缓冲剂Bon voyage ［法］再见，一路顺风［平安］bonding pads 压点bonding wire 焊线，引线boron(B) 硼boron trichloride(BCL3) 三氯化硼boron trifluoride (B F3)三氟化硼borophosphosilicate glass(BPSG)硼磷硅玻璃borosilicate glass(BSG) 硼硅玻璃bottom antireflective coating(BARC)下减反射涂层boule单晶锭bracket n.墙上凸出的托架，括弧，支架v.括在一起breakthrough step 突破步骤，起始的干法刻蚀步骤brightfield detection 亮场检查brush scrubbing 涮洗bubbler 带鼓泡槽buffered oxide etch(BOE) 氧化层腐蚀缓冲液bulk chemical distribution 批量化学材料配送bulk gases 大批气体bulkhead equipment layout 穿壁式设备布局bumped chip 凸点式芯片buried layer 埋层burn-box 燃烧室(或盒) burn-in 老化CCA 化学放大(胶) cantilever n. 建］悬臂cantilever paddle 悬臂桨cap oxide 掩蔽氧化层capacitance 电容capacitance-voltage test(C-Vtest) 电容-电压测试capacitive coupled plasma 电容偶合等离子体capacitor 电容器carbon tetrafluoride(CF4) 四氟化碳caro ' s acid3 号液carrier 载流子carrier-depletion region 载流子耗尽层carrier gas 携带气体cassette (承)片架cation 阳离子caustic 腐蚀性的cavitation 超声波能CD 关键尺寸CD- SEM 线宽扫描电镜Celsius adj.摄氏的center of focus(COF) 焦点焦平面center slow 中心慢速central processing unit(CPU) 中央处理器ceramic substrate 陶瓷圭寸装CERDIP 陶瓷双列直插封装Channel 沟道channel length 沟道长度channeling 沟道效应charge carrier 载流子chase技术夹层chelating agent 螯合齐ijchemical amplification(CA) 化学放大胶chemical etch mechanism 化学刻蚀机理chemical mechanical planarization(CMP) 化学机械平坦化chemical solution 化学溶液chemical vapor deposition(CVD) 化学气相淀积chip 芯片chip on board(COB)板上芯片chip scale package(CSP)芯片尺寸圭寸装circuit geometries 电路几何尺寸class number 净化级另卩cleanroom 净化间cleanroom protocol 净化间操作规程Clearfield mask 亮场掩膜板Cluster tool 多腔集成设备CMOS 互补金属氧化物半导体CMP 化学机械平坦化Coater/developer track 涂胶/显影轨道Cobalt silicide 钻硅化合物coefficient n. ［数］系数Coefficient of thermal expansion（CTE）热涨系数Coherence probe microscope 相干探测显微镜Coherent light 相干光coil v. 盘绕，卷Cold wall 冷壁Collector 集电极Collimated light 平行光Collimated sputtering 准直溅射Compensate v.偿还，补偿，付报酬Compound semiconductor 化合物半导体Concentration 浓度Condensation 浓缩Conductor 导体constantly adv・不变地，经常地，坚持不懈地Confocal microscope 共聚焦显微镜Conformal step coverage 共型台阶覆盖Contact 接触（孔）Contact alignment 接触式对准（光刻）Contact angle meter 接触角度仪Contamination 沾污、污染conti boat 连柱舟conticaster ［冶］连铸机Continuous spray develop 连续喷雾显影Contour maps 包络图、等位图、等值图Contrast 对比度、反差contribution n.捐献，贡献，投稿Conventional-line photoresist 常规I 线光刻胶Cook' s theory库克理论Copper CVD 铜CVD Copper interconnect 铜互连Cost of ownership(COO) 业主总成本Covalent bond 共价键Critical dimension 关键尺寸Cryogenic aerosol cleaning 冷凝浮质清洗Cryogenic pump(cryopump) 冷凝泵Crystal 晶体Crystal activation 晶体激活Crystal defect 晶体缺陷Crystal growth 晶体生长Crystal lattice 晶格Crystal orientation 晶向CTE 热涨系数Current-driven current amplifier 电流驱动电流放大器CVD 化学气相淀积Cycle time 周期CZ crystal puller CZ 拉单晶设备Czochralski(CZ) method 切克劳斯基法Ddamascene 大马士革工艺darkfiled detection 暗场检测darkfiled mask 暗场掩膜版DC bias 直流偏压decompose v. 分解,(使)腐烂deep UV(DUV) 深紫外光default n.默认(值)，缺省(值),食言，不履行责任，［律］缺席v.疏怠职责，缺席，拖欠，默认defects density 缺陷密度defect 缺陷deglaze 漂氧化层degree of planarity(DP) 平整度dehydration bake 去湿烘培，脱水烘培density 密度deplention mode 耗尽型degree of focus 焦深deposit n.堆积物，沉淀物，存款，押金，保证金，存放物vt ・存放,堆积vi.沉淀deposition 淀积deposited oxide layer 淀积氧化层depth of focus 焦深descum 扫底膜design for test(DFT)可测试设计desorption 解吸附作用develop inspect 显影检查development 显影developer 显影液deviation n.背离device isolation 器件隔离device technology 器件工艺DI water 去离子水Diameter n.直径diameter grinding 磨边diborane ( B2H6 )乙硼烷dichlorosilane(H2SiCL2) 二氯甲硅烷die 芯片die array 芯片阵列die attach 粘片die-by-die alignment 逐个芯片对准dielectric 介质dielectric constant 介电常数die matrix 芯片阵列die separation 分片diffraction 衍射diffraction-limited optics 限制衍射镜片diffusion 扩散diffusion controlled 受控扩散digital/analog数字/模拟digital circuit diluent direct chip attach( DCA) directionality discrete dishing dislocation dissolution ratedissolution rate monitor(DRM) 溶解率监测DNQ-novolak 重氮柰醌一酚醛树脂Donor 施主dopant profile 掺杂刨面) doped虚拟的， region 掺杂区 doping 掺杂 dose monitor剂量检测仪 dose,Q 剂量 downstream reactor 顺流法反应 drain 漏 drive-in推进 dry etch 干法刻蚀 dry mechanical pump干式机械泵 dry oxidation 干法氧化dummy n.哑巴，傀儡，假人，假货 adj. 假的，虚构的 n.［计］哑元 dynamic adj. 动力的，动力学的，动态的 E economies of scale 规模经济 edge bead removal 边缘去胶 edge die 边缘芯片edge exclusion 无效边缘区域 electrically erasable PROM 电可擦除 EPROM electrode 电极 electromigration 电迁徙 electron beam lithography 电子束光刻electron cyclotron resonance 电子共振回旋加速器 electron shower 电子簇射，电子喷淋 electron stopping 电子阻止 electronic wafer map 硅片上电性能分布图 electroplating 电镀 electropolishing 电解拋光electrostatic chuck 静电吸盘 electrostatic discharge(ESD)静电放电 ellipsometry 椭圆偏振仪，椭偏仪emitter 发射极 endpoint detection 终点检测 engineering n.工程(学) electrostatic discharge(EDX)能量弥散谱仪 enhancement mode 增强型 epi 夕卜延epitaxial layer 夕卜延层epoxy underfill 环氧树脂填充不足erasable PROM 可擦除可编程只读存储器erosion腐蚀，浸蚀establish vt・建立，设立，安置，使定居，使人民接受，确定v.建立etch 刻蚀etch bias刻蚀涨缩量etch profile 刻蚀刨面etch rate 刻蚀速率etch residue 刻蚀残渣etch uniformity 刻蚀均匀性etchant 刻蚀剂etchback planarization 返刻平坦化eutectic attach 共晶焊接eutectic temperature 共晶温度evaporation 蒸发even adj.平的，平滑的，偶数的，一致的，平静的，恰好的，平均的，连贯的adv.［加强语气］甚至（・・・也）, 连…都，即使，恰好，正当vt.使平坦，使相等vi. 变平，相等n.偶数，偶校验exceed vt. 超越，胜过vi.超过其他excimer laser 准分之激光exposal n. 曝光,显露exposure 曝光exposure dose 曝光量extraction electrode 吸极extreme UV 极紫外线extrinsic silicon 掺杂硅F Fables无制造厂公司fabrication 制造facilities 设施factor n.因素，要素，因数，代理人fast ramp furnaces 快速升降温炉fault model 失效模式FCC diamond 面心立方金刚石feature size 特征尺寸FEOL 前工序Fick ' s lawsFICK 定律field-effect transistor 场效应晶体管field oxide 场氧化field-by-field alignment 逐场对准field-programmable PROM 现场可编程只读存储器film 膜film stress 膜应力final assembly and packaging 最终装配和圭寸装final test 终测first interlayer dielectric(ILD-1)第一层层间介质fixed oxide charge 固定氧化物电荷flats 定位边flip chip 倒装芯片float zone 区熔法fluorosilicate glass(FSG) 氟化玻璃focal length 焦距focal plane 焦平面focal point 焦点focus聚焦focus ion beam(FIB) 聚焦离子束footprint 占地面积formula n.公式，规则，客套语forward bias 正偏压four-point probe 四探针frenkel defect Frenkel 缺陷front-opening unified pod(FOUP)前开口盒functional test 功能测试furnace flat zone 恒温区G g-line G 线gallium(Ga)镓gallium arsenide(GaAs)砷化镓gap fill间隙填充gas 气体gas cabinet 气柜gas manifold 气瓶集装gas phase nucleation 气相成核gas purge 气体冲洗gas throughput 气体产量gate 栅gate oxide 栅氧化硅gate oxide integrity 栅氧完整性germanium(Ge) 错getter 俘获glass玻璃glazing 光滑表面global alignment 全局对准global planarization 全局平坦化glow discharge 起辉放电gray area 灰区，技术夹层gross defect 层错grove n. 小树林grown oxide layer 热氧化生长氧化层HHalogen 卤素hardbake 坚膜hardware n.五金器具，(电脑的)硬件，(电子仪器的)部件HEPA filter 高效过滤器hermetic sealing 密圭寸heteroepitaxy 异质外延heterogeneous reaction 异质反应hexamethyldisilazane(HMDS)六甲基二硅氨烷high-density plasma(HDPCVD) 高密度等离子体化学气相淀积高温扩散炉 high-density plasma etch 高密度等离子刻蚀 high-pressure oxidation 高压氧化high-temperature diffusion furnace high vacuum 高真空 high vacuum pumps 高真空泵 hillock 小丘(铝)尖刺 homoepitaxy 同质外延 homogeneous reaction 同质反应 horizontal adj.地平线的，水平的 horizontal furnace 臣卜式炉 hot electron 热电子 hot wall 热壁 hydrochloric acid(HCL)盐酸 hydrofluoric acid(HF)氢氟酸 hydrogen(H2)氢气 hydrogen chloride(HCL)氯化氢 hydrogen peroxide(H2O2)双氧水 hydeophilic 亲水性 hydrophobic 憎水性，疏水性 hyperfiltration 超过滤Ii-line I 线IC packaging 集成电路封装IC reliability 集成电路可靠性 Iddq testing 静态漏电流测试 image resolution 图象清晰度 图象分解力implant v.灌输（注入） impurity 杂质 increment n.增力口,增量 initial adj.最初的，词首的，初始的 n.词首大写 字母 in situ measurements 在线测量 index of refraction 折射率 indium 铟 inductively coupled plasma （ICP ）电感耦合等离子体 inert gas惰性气体infrared interference 红外干涉ingot 锭ink mark墨水标识in-line parametric test 在线参数测试input/output（I/O）pin 输入/ 输出管脚institute n. 学会，学院，协会vt.创立，开始，制定，开始（调查）,提起（诉讼） insulator 绝缘体integrate vt.使成整体，使一体化，求…的积分v.结合integrated circuit(IC)集成电路integrated measurement tool 集成电路测量仪interval n.间隔，距离，幕间休息n.时间间隔interconnect 互连interconnect delay 互连连线延迟interface-trapped charge 界面陷阱电荷interferometer 干涉仪interlayer dielectric(ILD) 层间介质interstitial 间隙(原子) intrinsic silicon 本征硅invoke v.调用ion 离子ion analyzer 离子分析仪ion beam milling or ion beam etching(IBE) 离子铣或离子束刻蚀ion implantation 离子注入ion implantation damage 离子注入损伤ion implantation doping 离子注入掺杂ion implanter离子注入机ion projection lithography(IPL) 离子投影机PVD ionization 离子化ionized metal plasma PVD 离子化金属等离子IPA vapor dry 异丙醇气相干燥isolation regions 隔离区isotropic etch profile各向同性刻蚀刨面JJEFT结型场效应管junction(pn) PN 结junction depth 结深junction spiking 结尖刺KKelvin绝对温度killer defect致命缺陷kinetically controlled reaction 功能控制效应L laminar air flow 层状空气流，层流式lapping 拋光latchup闩锁效应lateral diffusion 横向扩散law of reflection 反射定律LDD轻掺杂漏Leadframe 引线框架leakage cuttent 漏电流len透镜lens compaction 透镜收缩light 光light intensity 光强light scattering 光散射lightly doped drain(LDD) 轻掺杂漏linear 线性linear accelerator 线性加速器linear stage 线宽阶段，线性区linewidth 线宽liquid 液体lithography 光刻loaded brush沾污的毛刷loaded effect 负载效应loadlock真空锁local interconnect(LI)局部互连local planarization 局部平坦化local oxidation of silicon(LOCOS)硅局部氧化隔离法logic逻辑lot批low-pressure chemical vapor deposition (LPCVD) 低压化学气相淀积LSI大规模集成电路Mmagnetic CZ( MCZ )磁性切克劳斯基晶体生长法magnetically enhanced RIE(MERIE)磁增强反应离子刻蚀magnetron sputtering 磁控溅射Magnification n. 扩大，放大倍率magnificent adj. 华丽的，高尚的，宏伟的majority carrier 多子make-up loop补偿循环mask掩膜版n.面具，掩饰，石膏面像vt.戴面具,掩饰，使模糊vi.化装，戴面具，掩饰，参加化装舞会mask-programmable gate array 掩膜可编程门阵歹Umass flow controller(MFC) 质量流量计mass spectrometer 质谱仪mass-transport limited reaction 质量传输限制效应mathematical adj.数学的，精确的mean free path(MFP) 平均自由程medium vacuum 中真空adj. megasonic cleaning 超声清洗melt熔融membrane contactor薄膜接触器，隔膜接触器membrane filter薄膜过滤器，隔膜过滤器merchant n. 商人，批发商，贸易商，店主商业的，商人的mercury arc lamp 汞灯MESFET用在砷化镓结型场效应晶体管中的金属栅metal contact 金属接触孔metal impurities 金属杂质metal stack复合金属，金属堆叠metallization 金属化metalorganic CVD金属有机化学气相淀积metrology 度量衡学microchip微芯片microdefect 微缺陷microlithography 微光刻microloading微负载，与刻蚀相关的深宽比micron微米microprocessor n.［计］微处理器microprocessor unit 微处理器microroughness 微粗糙度Miller indices 密勒指数minienvironment 微环境minimum geometry 最小尺寸minority carrier 少子mix and match 混合与匹配mobile ionic contaminants(MIC)可动离子沾污mobile oxide charge 可动氧化层电荷module n.模数，模块,登月舱，指令舱modify vt・更改，修改v.修改molecular beam epitaxy (MBE) 分子束外延molecular flow 分子流monitor wafer(test wafer) 陪片，测试片，样片monocrystal 单晶monolithic device 单片器件Moore's law 摩尔定律MOS 金属氧化物半导体MOSFET 金属氧化物半导体场效应管motor curreant endpoint 电机电流终点检测(法) MSI中规模集成电路Multiplier n.增加者，繁殖者,乘数，增效器，乘法器multichip module(MCM) 多芯片模式multilenel metallization 多重金属化Murphy's model 墨菲模型N nanometer(nm)纳米native oxide 自然氧化层n-channel MOSFET n 沟道MOSFET negatine resist 负性光刻胶negative n.否定，负数，底片adj.否定的，消极的，负的，阴性的vt.否定，拒绝(接受) negatine resist development 负性光刻胶显影neutral beam trap 中性束陷阱next-generation lithography 下一代光刻技术nitric acid(HNO3)硝酸nitrogen(N2)氮气nitrogen trifluoride(NF3) 三氟化氮nitrous oxide (N2O) 一氧化二氮、笑气nMOS n沟道MOS场效应晶体管noncritical layer 非关键层nonvolatile memory 非挥发性存储器normality 归一化notch 定位槽novolak苯酚甲醛聚树脂材料npn npn 型(三极管) n-type silicon n 型硅nuclear stopping 离子终止nucleation 成核现象，晶核形成nuclei coalescence 核合并numericalaperture(NA) 数值孑L径n-well n 阱Oobjective (显微镜的)物镜off-axis illumination(OAI) 偏轴式曝光，离轴式曝光ohmic contact 欧姆接触op amp 运算放大器optical interferometry endpoint 光学干涉法终点检测optical lithography 光学光刻optical microscope(light microscope) 光学显微镜optical proximity correction(OPC)光学临近修正optical pyrometer 光学高温计optics 光学organic compound 有机化合物氧化诱生层积 vi.划桨，戏 out-diffusion 反扩散 outgassing 除气作用 overdrive 过压力 overetch step 过刻蚀 overflow rinser 溢流清洗 overlay accuracy 套准精度 overlay budget 套准偏差 overlay registration 套刻对准 oxidation 氧化 oxidation-induced stacking faults(OISF) 缺陷，氧化诱生堆垛层错 oxide 氧化物、氧化层、氧化膜 oxidezer 氧化齐ij oxide-trapped charge 氧化层陷阱电荷 ozone(O3)臭氧Ppackage 封装管壳 pad conditioning 垫修整 pad oxide 垫氧化膜 paddle 悬臂 n.短桨，划桨，明轮翼 水，涉水 vt ・用桨划，搅，拌parabolic stage 拋物线阶段parallel-plate(planar)reactor 平板反应parallel testing 并行测试 parameter 参数parametric test 参数测试 parasitic 寄生parasitic capacitance 寄生电容 parasiticresistance 寄生电阻 parasitic transistor 寄生电阻器 partial pressure 分压 particledensity 颗粒密度 particle per wafer perpass(PWP)每步每片上的颗粒 数passivation 钝化 passivation layer 钝化层passive components 无源元件pattern sensitivity 图形灵敏性patterned etching 图形刻蚀pattern wafer 带图形硅片patterning 图形转移，图形成型，刻印pc board 印刷电路版完成任务 p-channel MOSFETp 沟道 MOSFET PCM 工艺控制监测 PEB 曝光后烘焙 PECVD 等离子体增强化学气相淀积PEL 允许曝露极限值pellicle 贴膜 pentavalent 五价元素 perform vt ・ 履行,执行，表演，演出 v. performing adj. 表演的，履行的 perimete array 周边阵列式(圭寸装) pH scale pH 值 phase-shift mask(PSM) 相移掩膜技术 phosphine(PH3) 磷化氢 phosphoric acid(H3PO4)磷酸 phosphorus(P)磷 phosphorus oxychloride(POCL3)三氯氧磷 phosphosilicate glass(PSG)磷硅玻璃 photoacid generator(PAG)光酸产生剂 photoacoustics 光声的 photoactive compound(PAC)感光化合物 photography n.摄影，摄影术 光刻photolithography 光刻(技术) photomask 光掩膜 photoresist 光刻胶 photoresist stripping 去胶、光刻胶去除 physical etch mechanism 物理刻蚀机理 physical vapor deposition(PVD)物理气相淀积 pigtail 引出头 pin grid array(PGA) 针栅阵列式(封装)pinhole 针孑 L piranha 3 号液 pitch 间距 planar 平面 planar capacitor 平面电容 planar process 平面工艺 planarization 平坦化 plasma 等离子体 n.［解］血浆，乳浆，［物］等离子体，plasma-induced damage 等离子体诱导损伤plasma potential distribution 等离子体势分布plastic dual in-line package(DIP) 双列直插塑料圭寸装plastic leaded chip carrier(PLCC) 塑料电极芯片载体plastic packaging 塑料圭寸装plug塞，填充vt.堵，塞，插上，插栓n塞子，插头, 插销pMOS(p-channel) p 沟道MOSpn junction diode pn 结型二极管pnp pnp型三极管point defect 点缺陷Poisson's model 泊松模型polarization 极化，偏振polarized light 极化光，偏振光polish拋光polish rate 拋光速率polished wafer edge(edge grind) 倒角polishing loop 磨拋循环polishing pad 拋光(衬)垫polycide 多晶硅化物光刻胶显影post-develop inspection 显影后检查post-exposure bake(PEB) 曝光后烘焙ppb 十亿分之几ppm 百万分之几ppt 万亿分之几preamorphization 预非晶化precursor 先驱物predeposition 预淀积premetaldielectric(PMD) 金属前介质preston equation Preston 方程primary orientation flat 主定位边print bias光刻涨缩量printed circuit boade(PCB) 印刷电路板probe探针probe card 探针卡prober探针台process 工艺process chamber工艺腔，工艺反应室process chemical 工艺化学process control monitor(PCM)工艺控制监测(图形) process latitude工艺水平，工艺能力process recipe 工艺菜单programmable arraylogic(PLA) 可编程阵列逻辑programmable logic device 可编程逻辑器件programmable read-only memory 可编程只读存储器projected range 投影射程prompt n.提示，付款期限vt・提示，鼓动，促使, (给演员)提白adj.敏捷的，迅速的，即时的adv.准时地n. DOS命令：改变DOS系统提示符的风格proportion n.比例，均衡，面积，部分vt.使成比例，使均衡，分摊proportional adj. 比例的，成比例的，相称的，均衡的proportional band 比例区，比例带，比例尺范围proximityaligner 接近式光刻机p-type silicon P 型硅puddle develop搅拌式显影pump speed 抽气速率punchthrough 穿通purge （冲气）清洗purge cycle （冲气抽气）清洗循环PVD物理气相淀积p-well P 阱pyrogenic steam 热流pyrogen 热原（质）pyrolytic 热解pyrophoric 自燃的Qquad flatpack（QFP）方型管壳封装quadrupole mass analyzer （QMA）四极质量分析仪quality measure 质量测量quarz石英quarz tube 石英管quarz wafer boat 石英舟queue time排队时间R radiation damage 辐射损伤radical 激发random access memory(RAM) 随机存储器range射程rapid thremal anneal(RTA) 快速热退火rapid thermal processor(RTP)快速热处理RCA clean RCA 清洗reaction rate limited 反应速率限制reactive ion etch(RIE)反应离子刻蚀reactivity 反应性reactor反应室，反应腔read-only memory(ROM)只读存储器recombination 复合redistribution 再分布reflection spectroscopy 反射光谱仪reflective notching 反射开槽reflow回流refraction 折身寸refractory metal 难融金属regeneration 再生regeneration套准精度relative index of refraction,n removal n. 移动，免职,切除repeat n.重复，反复vt・重做，复述，向他人转述，复制，使再现vi.重复，留有味道representation n. 表示法,表现,陈述,请求，扮演，画像，继承，代表reset v.重新安排residual gas analyzer(RGA)残余气体分析器resist光刻胶resist development 光刻胶显影resistance 电阻resistivity 电阻率resolution 分辨率reticle掩膜版retrograde well 倒掺杂阱reverse bias 反偏reverse osmosis(RO)反向渗透RF射频RF sputtering射频溅射rinse v嗽口，(用清水)刷，冲洗掉，漂净n.清洗嗽洗，漂洗，漂清，冲洗RO反向渗透Roots blower罗茨(机械增压)泵roughing pump 低真空泵，机械泵RTA快速热退火RTP快速热处理Ssatisfy vt.满足，使满意，说服，使相信v.满意，确保Scaling按比例缩小SCALPEL具有角度限制分散投影电子束光刻Scanner扫描仪scanning electron microscope(SEM)扫描电子显微镜scanning projection aligner 扫描投影光刻机schottky diode 肖特基二极管screen oxide layer 掩蔽氧化层scribe line 戈H 片道scribe line monitor(SLM)戈J片线监测scumming 底膜secondary electron 二次电子secondary electron flood 二次电子流secondary ion mass spectrometry(SIMS)二次离子质谱 (法) seed' s model SEE 模型selective etching 选择性刻蚀selective oxidation 选择性氧化selectivity 选择性semiconductor grade silicon 半导体极硅semiconductor 半导体sensitivity 灵敏度shallow trench isolation(STI)浅沟槽隔离sheet resistance,RS 方块电阻sheet resistivity,方块电阻率shot size胶(点)尺寸shrinking 缩小SI units 公制Sidewall spacer 侧墙Silane(siH4)硅烷Silicide硅化合物silicon 硅silicon dioxide(SIO2)二氧化硅silicon nitride(SI3N4)氮化硅silicon on sapphire 蓝宝石伤硅silicon on insulator(SOI)绝缘体上硅silicontetrachloride(SIC4) 碳化硅silicon tetrafluoride(SIF4)四氟化硅silicon tetrachloride(SICL4)四氯化硅single crystal silicon 单晶硅silylation硅烷化(作用)SIMOX 由注入氧隔离，一种SOI材料single crystal 单晶slip滑移slurry磨料SMIF标准机械接口Sodium hydroxide(NaOH)氢氧化钠soft bake 前烘solid固体solvent 溶齐ijSOS蓝宝石上硅Source 源source drain implants 源漏注入spacer n.取间隔的装置，逆电流器spatial coherence 空间相干spatial signature analysis 空间信号分析specialty gase 特种气体species 种类specific gravity 比重specific heat 比热speckle 斑点spectroscipic ellipsometry 椭圆偏振仪spin coating光刻胶旋涂spin dryer 旋转式甩干桶spin-on-dielectric（SOD）旋转介质法spin-on-glass（SOG）旋转玻璃法spray cleaning 喷雾清洗spray rinser喷雾清洗槽spreading resistance probe 扩散电阻探测sputter n・喷溅声，劈啪声，急语，咕哝vi.唾沫飞溅，发劈啪声，急忙地讲vt.喷出，飞溅出，气急败坏地说sputtering 溅射sputter etch溅射刻蚀sputtered aluminum 溅射铝sputtering yield 溅射产额SSI小规模集成电路stacking fault层积缺陷，堆垛层错standard clean 1(SC-1) 1 号清洗液standard clean 2(SC-2) 2 号清洗液standard mechanical interface(SMIF)机械标准接口standing wave 驻波static RAM静态存储器statistical process control ( SPC)统计过程控制step coverage台阶覆盖step height台阶高度step-and-repeat aligner 分步重复光刻机step-and-scan system步进扫描光刻机stepper步进光刻机stepping motor driver步进电机驱动器电路stepper步进光刻机stoichiometry化学计量(配比) staggle投射标准偏差stress应力striation 条纹strip vt・剥，剥去n. 条，带stripping 去胶structure 结构subatmospheric CVD亚大气压化学气相淀积submicron 亚微米sub-quarter micron 亚0・25微米substrate 衬底sublimation 升华substitutional atom 替位原子subtract v (〜from)减去,减subwaverlength lithography 亚波长光刻sulfur hexafluoride(SF6)六氟化硫sulfuric acid (H2SO4 )硫酸surface profiler 表面形貌surface tension 表面张力susceptor 基座Ttarget chamber 靶室target 靶temperature ramp rate 温度斜率temperature 温度TEOS正硅酸乙脂test algorithm 测试算法test coverage 测试覆盖test structure 测试结构test vector测试向量thermal budget 热预算thermal oxide 热氧化thermocompression bonding 热压键合thermocouple 热电偶thermogravimetric analysis (TGA) 热重量分析thermosonic bonding 热超声键合thin film 薄膜thin small outline package(TSOP)薄小型圭寸装川-V compound 三/五族化合物thorough adj.十分的，彻底的Threshold 域值threshold voitage 域值电压threshold voltage adjustment implant 调栅注入，域值调整注入throughput 产量tilt [tilt] v.(使)倾斜，(使)翘起，以言词或文字抨击time of flight SIMS(TOF -SIMS) 飞行时间二次离子质谱titanium silicide 钛硅化合物TLV极限域值top surface imaging 上表面图形topography 形貌torr 托toxic有毒track system(also track) 轨道系统transient enhanced diffusion(TED)瞬时增强扩散transistor 晶体管trench 槽trench capacitor 槽电容trichlorosilane(TCS or SiHCL3)三氯氢硅triode planar reactor三真空管平面反应室triple well 三阱trivalent 三价tungsten(W)钨tungsten stch back 钨反刻tungsten hexafluoride(WF6)六氟化钨tungstenplug钨塞，钨填充turbomolecular pump(turbo pump) 涡轮分子泵twin planes(twinning) 双平面twin-well(twin-tub)双阱UULSI甚大规模集成电路ultralow penetration air(ULPA)超低穿透空气ultrafiltration 超过滤ultrafine particle 超细颗粒ultrahigh purity 超高纯度ultrahigh vacuum 超高真空ultrashallow junction 超浅结ultrashallow junction 超声键合(压焊) ultraviolet 紫外线undercut 钻蚀uniformity 均匀性unit cell元包，晶胞unpatterned etching(spripping)无图形刻蚀(剥离) unpatterned wafer 无图形硅片unplug v.拔去(塞子，插头等),去掉…的障碍物UV紫外线VVacancy 空位vacuum 真空vacuum wand真空吸片棒，真空镊子van der pauw method 范德堡法vapor phase epotaxy(VPE)气相外延vapor pressure 气压vapor prime气相熏增粘剂，气相成底膜vaporization 气化variable n.［数］变数，可变物，变量adj. 可变的，不定的，。