第五章 真空荧光显示器件和场发射显示器件答辩

合集下载

场发射显示器

场发射显示器

五、FED中的发射均匀性和稳定性问题
(4)分布式横向串联电阻结构 网格状串联电阻结构的缺 点是,当等位体薄膜上的任何 一个微尖发生短路击穿时,该 等位体薄膜上的所有微尖都失 效。改进措施是使每个像素都 包含多个这样的单元,即使个 别单元失效,对该像素影响也 有限。
分布式横向串联电阻结构及其等效电路
六、聚焦型微尖阵列场发射阴极
优点:减小电子束的发散度,实现高阳极电压工作。
聚焦极 栅极
竖直同轴聚焦型
共面聚焦型
六、聚焦型微尖阵列场发射阴极
聚焦型微尖照片
七、FED的主要制作材料和工艺
两组常用高、低压荧光粉的性能
低压荧光粉存在的问题:
色饱和度低,可见光转换效率低,亮度低,寿命短。
七、FED的主要制作材料和工艺
三、微尖阵列场发射阴极
金属微尖FEA制作过程
三、微尖阵列场发射阴极
金属微尖FEA的扫面电镜照片
三、微尖阵列场发射阴极
Si微尖FEA制作过程
三、微尖阵列场发射阴极
Spindt尖锥型场发射平面显示器件遇到的困难
(1)大面积Spindt尖锥阵列制作
大面积Spindt尖锥阵列制作是最大的难题。尤其是在追 求尖锥形成的一致性时,困难就更大。具体的难点在于要求有 庞大的工艺设备。 (2)封接、排气和消气技术的突破 在大面积显示器制作的过程中,必须解决封接、排气和消 气的技术问题。 (3)发射稳定性和均匀性差
三、微尖阵列场发射阴极
微尖形貌
三、微尖阵列场发射阴极
微尖阵列场发射阴极(FEA) 场致发射是在金属尖端上进行的。如果尖端曲率半径为1m, 尖端与阳极距离为1m左右,则当极间加上几十伏的电压,就会 在尖端表面上产生109V/cm数量级的强电场。 在忽略极间空间电荷的情况下,阴极发面尖端处场强与阳 极电压Ua成正比。即

用于真空荧光显示器的场致发射体阵列

用于真空荧光显示器的场致发射体阵列

用于真空荧光显示器的场致发射体阵列
孙白坚;陈其略
【期刊名称】《真空电子技术》
【年(卷),期】1990(000)006
【摘要】本文描述利用多组Spindt型场致发射体尖端的矩阵可寻址阵列高真空荧光显示器。

显示器的研制要求推广阴极制造技术,使场致发射体阵列均匀地覆盖直径5英寸的面积。

由并联工作的一组几百个发射体尖端寻址显示器的每一个彩色单元。

从尖端发射的电子被近程聚焦在每一个彩色单元上。

因为每一个象素本质上是一个小型的阴极射线管,所以边长3.3英寸(8.4cm),厚0.15英寸(4mm)的平板器件有能力产生类似于阴极射线管的亮度。

【总页数】3页(P39-41)
【作者】孙白坚;陈其略
【作者单位】不详;不详
【正文语种】中文
【中图分类】TN873
【相关文献】
1.场致发射阵列真空荧光平板显示屏的研究 [J], 王保平;谢吉华
2.一种基于稳定的氧化锌场致发射体的液晶显示器背光源 [J], 李晨;陈静;雷威;夏军;王琦龙
3.采用金属—绝缘体—金属发射体阵列的平板显示器 [J], 无
4.高效液相色谱-二极管阵列-荧光联用法用于9种荧光增白剂的检测 [J], 陈秋葵;
区丽华;李应培;区少佳;邓琪锦;徐晓丽
5.覆金刚石膜的硅尖阵列制成的阴极射线致发光场致发射平板显示器试样 [J], 赵文锦
因版权原因,仅展示原文概要,查看原文内容请购买。

真空技术在信息显示器件的应用

真空技术在信息显示器件的应用
be v r mpo t nti he f u e d s a vie eyi r a n t ut r ipl y de c . Ke r s Ca ho a ube,Va uu t c ol g y wo d : t de r y t c m e hn o y,Fil mi so s l y ed e s i n dip a
ZH A N G e W i
( u xn H a i g Opte e t o i e h o o y Co o l cr n c T c n l g .Lt .,S e z e 1 1 2 Ch n ) d h n h n5 8 3 , ia
Ab t a t Th s a e ie ha e e e o d f o c t o a ub o fa s a a 1 No ,t s r c : e diply d v c sbe n d v l pe r m a h de r y t e t ltdiply p ne. w he fe i e d s a nd 3 d s l y be o eve y p o ii .I hi a e ,t pp ia i n o a u l x bl ipl y a D i p a c m r r m sng n t s p p r hea lc to fv c um e hn o y t c ol g i he d s l y d v c s b e i c s d.Fr m he edic so ,i a e n t tt a uu t c ol g n t i p a e ie ha e n d s us e o t s s us i ns tc n be s e ha he v c m e hn o y
C RT 的工 作原 理可 以简单 地 用 图 1表示 , 过 通 灯丝加 热 阴极 , 阴极发 射 电子 , 后在 加速极 电场 的 然

表面传导电子发射显示器(SED)和场发射显示器(FED)的技术对比分析

表面传导电子发射显示器(SED)和场发射显示器(FED)的技术对比分析

表面传导电子发射显示器(SED)和场发射显示器(FED)的技术对比分析场发射显示器概述场发射显示器(Field emission display,FED)发光原理为:在发射与接收电极中间的真空带中导入高电压以产生电场,使电场刺激电子撞击接收电极下的萤光粉,而产生发光效应。

此种发光原理与阴极射线管(CRT)类似,都是在真空中让电子撞击萤光粉发光,其中不同之处在CRT由单一的电子枪发射电子束,透过偏向轨(Deflation Yoke)来控制电子束发射扫瞄的方向,而FED显示器拥有数十万个主动冷发射子,因此在构造上FED可以达到比CRT节省空间的效果。

其次在于电压部分,CRT大约需要15~30KV左右的工作电压,而FED的阴极电压约小于1KV。

FED技术原理与发展场发射电极理论最早是在1928年由R.H.Eowler与L.W.Nordheim共同提出,不过真正以半导体制程技术研发出场发射电极元件,开启运用场发射电子做为显示器技术,则是在1968年由C.A.Spindt提出,随後吸引後续的研究者投入研发。

不过,场发射电极的应用是到1991年法国LETI CHENG公司在第四届国际真空微电子会议上展出一款运用场发射电极技术制成的显示器成品之後,场发射电极技术才真正被注意,并吸引Candescent、Pixtech 、Micron、Ricoh、Motorola、Samsung、Philips等公司投入,也使得FED加入众多平面显示器技术的行列。

在场发射显示器的应用,发射与接收电极中间为一段真空带,因此必须在发射与接收电极中导入高电压以产生电场,使电场刺激电子撞击接收电极下的萤光粉,而产生发光效应。

此种发光原理与阴极射线管(CRT)类似,都是在真空中让电子撞击萤光粉发光,其中不同之处在CRT由单一的电子枪发射电子束,透过偏向轨(Deflation Yoke)来控制电子束发射扫瞄的方向,而FED显示器拥有数十万个主动冷发射子,因此在构造上FED可以达到比CRT节省空间的效果。

真空荧光显示屏VFD驱动原理

真空荧光显示屏VFD驱动原理

真空荧光显示屏VFD驱动原理一、什么是VFD真空荧光显示屏(VACUUM FLUORESCENT DISPLAY)是从真空电子管发展而来的显示器件,由发射电子的阴极(直热式,统称灯丝)、加速控制电子流的栅极、玻璃基板上印上电极和荧光粉的阳极及栅网和玻盖构成。

它利用电子撞击荧光粉,使荧光粉发光,是一种自身发光显示器件。

由于它可以做多色彩显示,亮度高,又可以用低电压来驱动,易与集成电路配套,所以被广泛应用在家用电器、办公自动化设备、工业仪器仪表及汽车等各种领域中。

VFD根据结构一般可分为2极管和3极管两种;根据显示内容可分为:数字显示、字符显示、图案显示、点阵显示;根据驱动方式可分为:静态驱动(直流)和动态驱动(脉冲)。

二、VFD的结构及工作原理VFD种类繁多,以其中最被广泛应用的3极管构造为例说明其基本构造与原理。

图1是VFD结构的分解斜视图,图2为剖面图,其构造以玻盖和基板形成一真空容器,在真空容器内以阴极CATHODE(灯丝FILAMENT)、栅极GRID及阳极ANODE为基本电极,还有一些其它的零件(如消气剂等)。

图1.VFD的分解斜视图图2.VFD的剖面图图3.VFD的基本工作原理灯丝是在不妨碍显示的极细钨丝蕊线上,涂覆上钡(Ba)、锶(Sr)、钙(Ca)的氧化物(三元碳酸盐),再以适当的张力安装在灯丝支架(固定端)与弹簧支架(可动端)之间,在两端加上规定的灯丝电压,使阴极温度达到6000C 左右而放射热电子。

栅极也是在不妨碍显示的原则下,将不锈钢等的薄板予以光刻蚀(PHOTO-ETHING)后成型的金属网格(MESH),在其上加上正电压,可加速并扩散自灯丝所放射出来的电子,将之导向阳极;相反地,如果加上负电压,则能拦阻游向阳极的电子,使阳极消光。

阳极是指在形成大致显示图案的石墨等导体上,依显示图案的形状印刷荧光粉,於其上加上正电压后,因前述栅极的作用而加速,扩散的电子将会互相冲击而激发荧光粉,使之发光。

真空荧光显示器(VFD)教程文件

真空荧光显示器(VFD)教程文件

排气管
衬垫 PC机键盘
玻璃基板
引线
排气管
PC机键盘
引线
西北大学信息科学与技术学院
现代显示技术
8.2 VFD的结构
• 由三个基本电极组成的:阴极(灯丝),阳极(荧光粉) 和栅极(光刻法制造)。这三个电极被封在高真空环境的 玻璃管子里构成了VFD显示器。
• 阴极灯丝是由覆盖有碱土金属氧化物粉末的极细钨丝。 • 栅极是由金属栅网薄膜制成的,起到控制和分散阳极发射
记指示信息。
西北大学信息科学与技术学院
现代显示技术
VFD的发展简况
• 1967年日本最早制作了荧光数码管。
• 经过了三大阶段:先开发的是只有一位的圆型真空管显示 的单管VFD,可应于计算器的数字显示和符号的显示,多 位显示时要将多个单管排列,会使设备体积增大。
• 当在PC机键盘的固定位置上使用多位单管显示时,要增
• VFD显示器---是点阵式的,能够显示中文。 • 现在部分地铁二号线入口刷卡处的显示器
正是一种双列的点阵显示器,其他使用的 地方还有,超市收银机的显示器等等。
西北大学信息科学与技术学院
现代显示技术
平板多位管VFD的剖面结构:如图。 • 将阴极灯丝、栅极板、涂敷了荧光粉的阳极封入真空容器
内 • 由上下两块平板玻璃(面玻璃内侧涂有导电膜),四周用玻
加许多电极焊接引线,且要按单管亮度来分类使用,较为
复杂。
排气管
• 单管VFD图:
陶瓷基板
玻璃壳
阳极Leabharlann 西北大学信息科学与技术学院
PC机键盘
引线
现代显示技术
• 1972年使用圆型真空玻璃管,开发了显示6-13位的圆型多位管,这 是VFD第二代产品,圆型多位管方便。

场致发射显示技术

场致发射显示技术

他也不知道,在那几个美国人眼里,他的 那些柿子并不值钱,值钱的是他们的那种独特 有趣的采摘、贮存柿子的生产生活方式。柿农 的蝇头小利比起那几个美国人的利益来说实在 不算什么。 在企业的投资构成中,人们的决策者是像文 中的柿农一样只看到眼前的比较直接的"小利 益"还是能把眼光放长远一些,发现更大,但 可能比较隐蔽的"大利益"呢?
2. 场致发射显示器件的构成
场致发射显示器件,即场致发射阵列平 板显示器,或称为真空微尖平板显示器(Mini Flat Panel,MFP),是一种新型的自发光平板 显示器件,它实际上是一种很薄的CRT显示器, 其单元结构是一个微型真空三极管(图7.2), 包括一个作为阴极的金属发射尖锥,孔状的金属 栅极以及有透明导电层形成的阳极,阳极表面涂 有荧光粉。由于栅极和阳极间距离很小,但在栅 极和阴极间加上不高的电压(小于100 V)时, 在阴极的尖端会产生很强的电场,当电场强度大 于5×107 V/cm时,电子由于隧道效应从金属 内部穿出进入真空中,并受阳极正电压加速,轰 击荧光粉层实现发光显示。
新型光电显示技术
• 场致发射显示技术
1 场致发射显示器件的构成及工作原理 2 FED发展状况
7.2 场致发射显示技术
• FED Field Emission Display (or Field Effection Display) 电子发射是指电子 从阴极逸出进入真空或其它气体媒质中 的过程。电子发射按照其获得外加能量 的方式,即电子的受激发方式分为以下 四种:热电子发射,光电子发射,次级 电子发射及场致电子发射。
为了满足以上要求,采用了下面两项技术: (1)在导通的阴极和选通的微尖之间利用一个 电阻层来控制电流,使每一选通的像素含有大 量的微尖,可保证发射的均匀性。 (2)高发射密度(104微尖/mm2)和小尺寸 (直径小于1.5 μm),使得在100 V激励电 压下获得l mA/mm2的电流密度,从而实现高 亮度。

第五章 有机发光显示技术(OLED)

第五章  有机发光显示技术(OLED)

0.91lm/W J. Appl. Phys. 2002
0.55lm/W J. Appl. Phys. 2002
4.8 lm/W
Our work
3 OLED 材料
已经商品化的OLED材料:
Hole Injection Materials(HIM) --CuPc(Kodak), MTDATA(Pioneer), PAN(Uniax)
3 OLED 材料
小分子发光材料
按发光颜色可分为三基色(绿色、蓝色、 红色)发 光材料和其他颜色发光材料;
按发光方式可分为主体发光材料和掺杂体发光材料; 按发光机理可分为荧光材料和磷光材料。
3 OLED 材料
其他功能材料
❖ 电极修饰材料
NC
CN
N
N
N
N
Cu
N
N
N
N
N
F
F
N
N
N
F
F
CuPc
TDA TA
H3C N N
H3C
BCP
N
O
O
Al
O Si
N
SAlq
3 OLED 材料
磷光小分子材料
Materials Host
Ir(irdf)3 Ir(ppy)2 Ac Ir(bzq)2 Ac Ir(btp)2 Ac Ir(bsn)2 Ac Ir(pbi)2 Ac
PVK PVK PVK PVK PVK PVK
3 OLED 材料
寿命
Green: Yellow: Blue: Red:
80,000hrs (initial brightness ~100cd/m2, Kodak) >30,000hrs (initial brightness ~100cd/m2, Sanyo Electric) >8,000hrs (initial brightness ~100cd/m2, Idemutsu Kosan) >14,000hrs (initial brightness ~200cd/m2, Toray)

真空荧光显示器(VFD)分析报告

真空荧光显示器(VFD)分析报告

研究员:丘文桂
真空荧光显示器(VFD)分析报告
行业报
元富证券(香港)有限公司 上海代表处
2
本公司已力求本刊内容之正确性,惟纯属研究仅供参考,本公司不负任何法律责任。使用本信息投资人应审慎考量投资风险。 任何人未获得元富证券书面授权,不得对本报告进行有悖原意的删节和修改。如引用、刊发,需注明出处。
从成本和体积来看,作为信息显示器,VFD更适宜。
l 目前全球的 VFD 生产商主要有日本 FUTUBA 和韩国 Samsung SDI,而大陆则有上海三星和浙江 京东方两家主要业者。前者为 Samsung SDI 转移产能所为,后者则为 NEC 技术和设备转移而至。
l 大陆业者积极扩产,而 VFD 属于成熟产品,市场需求有限的增长被快速提高的产能所抵消,可 能造成行业利润率的大幅降低。
壹、 景气判断
大陆 2002 年电子视听设备产品、白色家电市场增势强劲,带动真空荧光显示屏市场平稳增长。但 产能过快的扩张步伐抵消了需求有限的增长,可能降低原已微薄的行业利润率。预计 2003 年市场难以 继续保持强劲增长,而产能提升过快,产业竞争状况将较 2002 年恶化。
贰、 工作原理和特性
真空荧光显示屏,简称 VFD(VACUUM FLUORESCENT DISPLAY),是从真空电子管发展而来的显示器件, 由发射电子的阴极(直热式,统称灯丝)、加速控制电子流的栅极、玻璃基板上印上电极和荧光粉的阳 极以及栅网和玻盖构成。发光原理为:在透明的真空容器中由直热式阴极发射出热电子,经由栅极加速 撞击至阳极利用阳极上的荧光体受电子的冲击而发光,属于自身发光显示器件。它以发光亮度高,多彩 显示,图案显示灵活,视角大,可靠性高和寿命长,自发光,驱动电压低等优点而被广泛地应用在家用 电器、办公自动化设备、工业仪器仪表及汽车等各种领域中。

真空荧光显示器VFD分析报告.pdf

真空荧光显示器VFD分析报告.pdf
l 但受显示色彩、功耗和分辨率的限制,VFD 被限制于小屏幕,功耗低的设备上,也使其在便携 式电器中被淘汰,在电视图像显示亦难有作为。
l 由于 VFD 用于低信息容量显示的成本很低,所以在显示市场上能占有一席之地。但近年发展迅 速的有机发光二极管(OLED)正逐步威胁 VFD 的市场定位。
l 大陆 2002 年家用电子视听设备产品、白色家电市场增势强劲,带动真空荧光显示屏市场平稳 增长。新型数字消费类产品及汽车电子市场将是未来几年真空荧光显示屏市场新的需求亮点。
4
本公司已力求本刊内容之正确性,惟纯属研究仅供参考,本公司不负任何法律责任。使用本信息投资人应审慎考量投资风险。 任何人未获得元富证券书面授权,不得对本报告进行有悖原意的删节和修改。如引用、刊发,需注明出处。
l 目前全球的 VFD 生产商主要有日本 FUTUBA 和韩国 Samsung SDI,而大陆则有上海三星和浙江 京东方两家主要业者。前者为 Samsung SDI 转移产能所为,后者则为 NEC 技术和设备转移而至。
l 大陆业者积极扩产,而 VFD 属于成熟产品,市场需求有限的增长被快速提高的产能所抵消,可 能造成行业利润率的大幅降低。
但 VFD 的缺陷明显:不能实现全色彩,功耗大,分辨率受限制。因而 VFD 被限制在小屏幕,功耗低 的设备上,也使它在便携式电器中被淘汰,并且在电视图像显示难有作为。虽然近年用无硫发光粉、肋 栅技术等可改善 VFD 的性能,但是依旧缺少重大的突破。
各种显示器件都有自己的特点和使用范围。VFD 在字段式显示领域中的主要对手是 LCD 和 LED。各 种数字元和固定文字元号显示,目前主要使用 TN-LCD 和 VFD。由于 VFD 用于低信息容量显示的成本很低, 可以大量生产小尺寸 VFD,而几乎所有的字段式显示对于价格都极为敏感,所以 VFD 能在显示市场上占 有一席之地。但随着技术的进步,近年发展迅速的有机发光二极管(OLED)正逐步成为 VFD 的最大竞争对 手。
  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

第五章真空荧光显示器件(VFD)和场发射显示器件(FED)5.1 VFD( vacuum fluorescent display)的结构和发光机理5.2 FED( field emission device)的结构和发光机理重点:VFD的结构和发光机理难点:VFD和FED阴极发射的比较5.1 VFD的结构和发光机理1. VFD的产生VFD大致是在20世纪60年代,为适应电子计算器的急速发展需求而出现的。

20世纪70年代初首先生产出玻璃泡型多位VFD。

70年代中期开始生产最原始的平面型VFD。

70年代后期,开始多色VFD和前面发光型及高密度显示的VFD的生产。

2. VFD 的定义由阴极、栅极、阳极构成的真空电子管,至少观察侧呈透明的密封容器。

由阴极放出的电子在栅极控制下碰撞阳极,阳极上按一定图形涂布的荧光体被低能电子束激发发光,并由此显示出所需要信息的自发光型电子显示器。

5.1 VFD 的结构和发光机理3. 结构、功耗和应用特性基本结构:真空三极管。

功耗特性:为了控制灯丝上(阴极)发射出的热电子,管子的消耗功率大部分消耗在加热阴极灯丝上,使荧光显示管的应用就受到了一定的限制。

在可携带式的轻便装置的显示方面,它只好让位于其它功耗较低的显示器件。

阴极灯丝在真空腔中对显示容器的占空系数大小对于发光空间有限制。

为此,最好使用更细的灯丝和改善表面盖玻璃状态。

4. VFD的分类从构造、显示形式、显示内容、驱动方式、用途等不同角度,对VFD进行的分类:5. VFD的结构1.阴极:在细钨丝上直接包覆钡、锶或钙的氧化物构成,阴极丝要足够细,以不妨碍显示为限。

2.栅极:通常是用厚度为50µm的不锈钢等金属箔由光刻加工成网格状。

3.阳极:按需要显示图形的形状,大致地由石墨等厚膜或Al等薄膜形成导体,再在其上按显示图形涂布荧光体。

4.阳极布线由厚膜或薄膜在玻璃基板上形成,并通过引出端子导出。

5.玻璃基板表面上,除了阳极及连接所必须的通孔之外,全部由绝缘层包覆。

6. VFD的工作原理灯丝上通电加热到600℃-650℃,即可释放出热电子。

热电子能否扩散到阳极上决定于栅极电位相对于阴极是正电位还是负电位。

当栅极上加有正电压时,它使阴极发射的热电子加速、扩散、并碰撞阳极,呈现显示的功能;当栅极加有负电压时,它截断向阳极运动的电子,具有消除显示的功能。

栅极和阳极同时施加正向电压时,才能够产生发光显示。

当阳极上加有正电压时,通过栅极的电子碰撞荧光体激励发光。

当阳极与阴极等电位或比阴极电位低数伏时,栅极上即使加正电压也能消除发光。

7. VFD电学和光学特性阴极上升特性1-线性区,2-饱和区阴极上升特性:在荧光显示管VFD 的阴极上加热升至一定温度后,在阴极上将会释放出热电子。

为了能够充分地辐射热电子,对阴极的加热温度要求要适当。

阴极灯丝的温度T f 随着灯丝电压U f 的上升而上升。

线性区:U f ↑→L ↑饱和区:U f ↑→L 饱和,T f ↑,影响VFD 使用寿命。

U f 选择:略低于饱和区电压。

7. VFD 电学和光学特性电流特性:对于寻址显示,常采用:e b =e c 。

阴极(k )电流i k 为阳极(b )电流i b 和栅极(c )电流i c 之和,即i k =i b +i c =i b (1+d)=i c (1+d)/d 。

其中,d=i c /i b =0.8-3,为电流分配率,与电极结构有关。

VFD 在空间电荷限制下,若e b =e c ,则有:i b =ke b n 。

k 决定于电极结构常数,n=1.5-2。

7. VFD 电学和光学特性亮度特性:亮度L 与阳极电势e b 的关系为:L=η⋅D n ⋅e b ⋅i b ⋅(1/S)⋅(1/π)。

其中:D n =t p /T :阳极电压占空比,S :阳极面积,η:荧光粉的发光效率(lm/W)。

L 主要由e b 和e c 决定。

e b , e c ↑→i b , i c ,L ↑(不饱和) →i k ↑→T f ↑,影响VFD 使用寿命。

e b 和e c 要合理设定。

栅极电压和阳极电压特性7. VFD电学和光学特性截止特性:将不需要显示部分的阳极电流截止,阳极不发光。

1.阳极截止:ec >0,对应的eb<0。

eb很小负电压就足以起到截止作用。

2.栅极截止:eb >0,ec<<0,将电子截断。

考虑到阴极发射的热电子具有一定的动能,ec 负电压要足够大。

7. VFD电学和光学特性静态驱动:栅极为一个电极,施加直流正电压,而阳极全部都设有独立的引出线,并由此选择显示图案。

多位时引出线增多。

动态驱动:显示面按栅极分割成若干个区域。

驱动时首先按时间顺序有选择地在栅极的分割区域上施加正电压,与栅极的选择脉冲同步,此时,在阳极的应该显示的端子上施加正电压,由此选择显示的图形。

可显著减少引出线。

8. VFD 的驱动条件8. VFD的驱动条件阴极加热方式:直流和交流直流加热方式:阴极灯丝A 、B 两端上与之相对应阳极U b 和栅极U c ,阴极U f (B →A) 施加在阴极两端之间,U B >U A 。

A 、B 两端点上与阳极和栅极之间产生的电位差不相等,从而导致发光亮度的不均匀-亮度倾斜现象。

补偿措施:将阴极倾斜和交流驱动。

注意:灯丝正负极不要接错,否则亮度倾斜现象加重。

1.阴极2.阳极3.栅极直流加热的电位关系8. VFD的驱动条件交流加热方式:在各自的位置上阳极电位U b 和栅极电位U c 都有相应的变化。

严格地讲,亮度也必然有变化。

但是,这个亮度的变化用眼睛看不出来。

注意:交流加热方式,阴极加热电源频率和栅极扫描频率发生频率拍差时,会引起阴极振动,产生发光显示闪烁,影响显示品质。

阴极可采用高频加热。

交流加热原理9. VFD的主要部件、材料VFD的引线结构⇒直接从真空腔引出厚膜基板的剖面图⇒简单布线9. VFD的主要部件、材料厚、薄膜混合技术基板(复杂布线)栅极:光刻腐蚀制成的金属网。

栅极网眼的透过率对VFD的电流分配、发光亮度和显示品质等都有影响。

栅极形状9. VFD的主要部件、材料阴极:采用细的金属钨丝,在表面上涂敷碱土类金属的三元碳酸盐。

在VFD的制作中,排气工程即将结束之前对阴极通电加热,碳酸盐在真空状态下加热使其分解成氧化钡、氧化锶和氧化钙,形成氧化物阴极。

BaCO3+SrCO3 +CaCO3=BaO+SrO+CaO+3CO2↑通过加热放出CO2气体在纯钨丝上形成三元的碱土金属氧化物,构成电子源。

这个活性化条件合适与否将会直接接影响到VFD特性的好坏。

9. VFD的主要部件、材料VFD使用的电压在100V以下,荧光粉只经受100eV电子束的轰击,电子能量远比CRT 要低。

100eV以下的低速电子束进入物质中,使价带电子激发。

这样的电子只能进入荧光体的表层,放出的二次电子也很少。

如果是绝缘的荧光体,就会在表面生成负电荷,削弱了加速电场,使发光变得愈来愈弱。

阳极电位很低时,电子能量小,阳极也不发光。

9. VFD的主要部件、材料VFD对荧光体有以下要求:1.为了防止由于一次电子使表面产生的带电,荧光粉应有导电性。

在荧光管中,阳极电压:10-50V,电流:2-10mA/cm2。

为了控制荧光体上的电压在1V以下,荧光体层的阻抗必须在500Ω/ 以下,一般荧光粉厚度为30μm。

2.发光的V th要低。

因为荧光体层的阻抗比较低。

发光阈值低才能保证在适当的工作电流下有足够的亮度,一般Vth <10V。

3.要求发光粉有高的发光效率,而且随电压增长不饱和。

低速电子只能射入荧光体的最表层,激发的效率就不高。

要求粉有高的发光效率对此进行补偿。

4.荧光管在制造过程中,要经历500℃的处理。

要求荧光粉有对工艺的稳定性。

5.对于低速电子的激发,要求粉有长的寿命。

6.荧光体在发光时不能放出有害于氧化阴极的物质。

9. VFD的主要部件、材料荧光粉要有适当的导电性,有三种类型的荧光粉。

①低阻抗母体型:如ZnO:Zn,SnO2:Eu3+。

ZnO:Zn最广泛使用,发蓝绿光。

发光阈值,发光效率和寿命稳定性都很好。

②导电物质混合型:如ZnS:Ag+In2O3,ZnS:Cu+ZnO,Y2O2S:Eu3++SnO2。

用于彩色电视的高阻抗的红,绿,蓝粉加上导电性物质SnO2、In2O3、ZnO等整体作为低阻抗物质来使用。

从发光效率来看使用In2O3最好,但它价格昂贵。

③掺杂型;ZnS:Ag,Cu,Al, (Zn1-x Cd x)S:Ag,Al。

采用掺杂的办法降低阻抗。

通常的ZnS:Ag,ZnS:Mn,ZnCe:Cu等荧光粉都是近绝缘体。

这是由于ZnS或ZnSe晶格中有大量的Zn空位形成受主,补偿了施主的电荷而造成的。

用过剩的Zn添补Zn空位,就增加了传导电子,形成低阻荧光体。

9. VFD的主要部件、材料 面玻璃:使用平板玻璃进行热成形加工,平板玻璃粘接组合成玻璃盒的形式。

它的尺寸大小可以根据显示尺寸大小而随意改动,十分方便。

不论是哪一种形式的面玻璃,在其内侧都涂敷有透明导电膜。

它的作用是保持阴极电位与外部电场屏蔽。

使用玻璃粉将面玻璃和玻璃基板以及排气皆等进行密封成真空容器。

9. VFD 的主要部件、材料其它的零部件:吸气器是一般真空电子管常用一种零部件。

它的作用是使真空管内保持一定真空度使管子工作稳定。

吸气器有各种不同的形状,VFD 使用的是环状吸气器。

铁制的带有沟槽状的铁环,在沟槽中填入了BaAl 4和Ni 粉末并被粘接住。

排气结束后使用高频加热把金属钡蒸发到面玻璃内侧面上-蒸散型吸气剂。

从广义上来讲,这是一种真空泵的形式。

9. VFD的主要部件、材料⏹金属支架和固定零件都是金属部件。

⏹金屑支架是用来支撑并固定阴极灯丝,使阴极灯丝具有一定的张力。

⏹使用导电胶与玻璃基板上的阴极配线相粘接,然后使用玻璃粉固定接点。

所使用的玻璃粉应具有与玻璃基板以及面玻璃的膨胀系数相一致的低熔点的玻璃粉(低玻粉),用有机溶剂将玻璃粉调和成膏状使用。

玻璃粉还可以用做真空腔的密封材料。

⏹在真空腔内还有各种电极和腔外电源连接的引线端子、玻璃基板间配线连接的焊接或则用导电胶粘接,以及粘接后使用环氧树脂固定和防潮保护等材料。

宁波华联电子科技有限公司的VFD产品5.2 FED的结构和发光机理1. FED的历史和优点☐早在上世纪20年代,人们就已经知道导体表面在强电场(E>107V/cm)作用下,可使表面势垒变窄,部分电子能穿透势垒形成场发射电子。

☐长期以来,只有在高电压下,导体尖端才会有场发射,因此,无法在器件中实际应用。

☐70年代期平特(Splint)发明了薄膜场发射二极管阵列阴极(FEA)。

栅极孔径约1μm,孔内圆锥体为场发射体,高1.0~1.5μm,顶部曲率半径约为几十纳米,栅极电压100V时就可以产生场发射电子流,阴极电流密度J>1000A/cm2,寿命超过几万小时。

相关文档
最新文档