极限流ICM参数1集电极最大允许电
德国英飞凌晶体管参数
德国英飞凌晶体管参数
德国英飞凌是一家知名的半导体公司，其晶体管参数包括以下方面：
1. 极间电压（Vce）：晶体管的最大工作电压差值，用于确定晶体管能否支持特定电路的工作电压要求。
2. 最大集电极电流（Ic max）：晶体管能够承受的最大集电极电流。
3. 最大功率（Pc）：晶体管可以承受的最大功耗。
4. 饱和电压（Vcesat）：当晶体管进行饱和工作时，集电极与发射极之间的电压。
5. 最大频率（fT）：晶体管能够工作的最高频率，通常用于射频放大器设计中。
6. 放大倍数（hFE）：晶体管在特定工作条件下的电流放大倍数。
7. 温度系数（TC）：晶体管参数随温度变化的变化率，通常以温度系数负数来表示。
请注意，以上晶体管参数是一般性的示例，具体的参数取决于晶体管型号和规格。
如果您需要更具体的信息，建议直接参考英飞凌公司的官方资料或与他们联系。
1am三极管参数
1am三极管参数
1AM三极管是一个通用贴片NPN三极管，型号是MMBT3904LT1，丝印为1AM，可以用MMBTA05LT1进行代换。
以下是该型号的部分技术参数：
1.最大集电极电流(Icm)为200mA。
2.最大集电极-发射极击穿电压(Vcbo)是60V。
3.最大集电极-基极击穿电压(Vceo)是40V。
4.工作温度范围在-65℃ to +150℃。
此外，由于长年以来走访、交流优质的银河微一级代理商企业，多数的同行企业仓储备货充足，可供应贴片三极管、晶体三极管等系列热门型号产品，可根据客户不同要求提供各类晶体三极管。
以上信息仅供参考，建议查阅关于1AM三极管参数的资料获取更准确的信息。
三极管的极限参数
三极管的极限参数三极管是一种常用的半导体器件，具有电流放大、功率放大等作用，在电子电路中得到广泛的应用。
在使用三极管时，需要注意它的极限参数，这些参数规定了三极管的工作范围和承受能力，如果超过极限参数，三极管可能会损坏或性能下降。
以下是对三极管极限参数的详细描述。
一、集电极最大允许电流ICM集电极最大允许电流ICM是指三极管在正常工作状态下，集电极允许通过的最大电流值。
当集电极电流超过ICM时，三极管的电流放大系数β会下降，影响其正常工作。
因此，在使用三极管时，需要严格控制集电极电流，确保其不超过ICM。
二、集电极最大允许耗散功率PCM集电极最大允许耗散功率PCM是指三极管在正常工作状态下，集电极允许消耗的最大功率值。
当集电极耗散功率超过PCM时，三极管会过热，可能会导致损坏或性能下降。
因此，在使用三极管时，需要严格控制集电极耗散功率，确保其不超过PCM。
三、集电极-发射极反向击穿电压BVCEO集电极-发射极反向击穿电压BVCEO是指三极管在基极开路的情况下，集电极与发射极之间的最大允许电压值。
当集电极与发射极之间的电压超过BVCEO时，三极管可能会被击穿，导致损坏或性能下降。
因此，在使用三极管时，需要严格控制集电极与发射极之间的电压，确保其不超过BVCEO。
四、集电极-基极反向击穿电压BVCBO集电极-基极反向击穿电压BVCBO是指三极管在发射极开路的情况下，集电极与基极之间的最大允许电压值。
当集电极与基极之间的电压超过BVCBO时，三极管可能会被击穿，导致损坏或性能下降。
因此，在使用三极管时，需要严格控制集电极与基极之间的电压，确保其不超过BVCBO。
五、发射极-基极反向击穿电压BVebo发射极-基极反向击穿电压BVebo是指三极管在集电极开路的情况下，发射极与基极之间的最大允许电压值。
当发射极与基极之间的电压超过BVebo时，三极管可能会被击穿，导致损坏或性能下降。
因此，在使用三极管时，需要严格控制发射极与基极之间的电压，确保其不超过BVebo。
三极管的主要参数
三极管的主要参数直流参数1、直流参数 （1）集电极⼀基极反向饱和电流Icbo，发射极开路（Ie=0)时，基极和集电极之间加上规定的反向电压Vcb时的集电极反向电流，它只与温度有关，在⼀定温度下是个常数，所以称为集电极⼀基极的反向饱和电流。
良好的三极管，Icbo很⼩，⼩功率锗管的Icbo约为1～10微安，⼤功率锗管的Icbo可达数毫安，⽽硅管的Icbo则⾮常⼩，是毫微安级。
（2）集电极⼀发射极反向电流Iceo(穿透电流）基极开路（Ib=0）时，集电极和发射极之间加上规定反向电压Vce时的集电极电流。
Iceo⼤约是Icbo的β倍即Iceo=(1+β)Icbo o Icbo和Iceo受温度影响极⼤，它们是衡量管⼦热稳定性的重要参数，其值越⼩，性能越稳定，⼩功率锗管的Iceo⽐硅管⼤。
（3）发射极---基极反向电流Iebo 集电极开路时，在发射极与基极之间加上规定的反向电压时发射极的电流，它实际上是发射结的反向饱和电流。
（4）直流电流放⼤系数β1（或hEF）这是指共发射接法，没有交流信号输⼊时，集电极输出的直流电流与基极输⼊的直流电流的⽐值，即：β1=Ic/Ib交流参数 2、交流参数 （1）交流电流放⼤系数β（或hfe）这是指共发射极接法，集电极输出电流的变化量△Ic与基极输⼊电流的变化量△Ib之⽐，即： β= △Ic/△Ib ⼀般晶体管的β⼤约在10-200之间，如果β太⼩，电流放⼤作⽤差，如果β太⼤，电流放⼤作⽤虽然⼤，但性能往往不稳定。
（2）共基极交流放⼤系数α（或hfb）这是指共基接法时，集电极输出电流的变化是△Ic与发射极电流的变化量△Ie 之⽐，即： α=△Ic/△Ie 因为△Ic＜△Ie，故α＜1。
⾼频三极管的α＞0.90就可以使⽤ α与β之间的关系： α= β/（1+β） β= α/（1-α）≈1/（1-α） （3）截⽌频率fβ、fα当β下降到低频时0.707倍的频率，就是共发射极的截⽌频率fβ；当α下降到低频时的0.707倍的频率，就是共基极的截⽌频率fαo fβ、fα是表明管⼦频率特性的重要参数，它们之间的关系为：fβ≈（1-α）fα （4）特征频率fT因为频率f上升时，β就下降，当β下降到1时，对应的fT是全⾯地反映晶体管的⾼频放⼤性能的重要参数。
常用三极管参数大全
常用三极管参数大全1.最大耐压（VCEO）：指三极管的集电极与发射极之间的最大耐压，也是三极管工作的最高电压。
2.最大漏极电流（ICMAX）：指三极管的最大工作电流，超过该电流可能会导致器件损坏。
3. 最大功率（Pmax）：指三极管能够承受的最大功率，超过该功率可能会导致器件损坏。
4. 最大集电极-基极电压（VCEMax）：指三极管的集电极与基极之间的最大电压，通常用于确定三极管在开关工作状态下的最大电压。
5. 最大基极电流（IBmax）：指三极管的最大基极电流，超过该电流可能会导致器件损坏。
6. 饱和区电压下降（VCEsat）：指三极管在饱和区时，集电极与发射极之间的电压降。
7. 基极-发射极饱和电压（VBEsat）：指三极管在饱和区时，基极与发射极之间的电压降。
8. 输入电阻（hie）：指三极管的输入电阻，它与基极电流成正比。
9. 输出电阻（hoe）：指三极管的输出电阻，它与输出电流成正比。
10. 增大时间（tf）：指三极管从关断状态到导通状态所需的时间。
11. 减小时间（tr）：指三极管从导通状态到关断状态所需的时间。
12. 反向转换时间（tfr）：指三极管由关断状态转换为导通状态时，极化电容反向充电所需的时间。
13. 正向转换时间（tff）：指三极管由导通状态转换为关断状态时，极化电容正向放电所需的时间。
14.最大效率：指在特定工作条件下，三极管从输入功率到输出功率的转换效率。
15.电流放大倍数（β）：指三极管中电流放大的倍数，即集电极电流与基极电流之比。
16.最大工作频率（fT）：指三极管能够正常工作的最高频率。
上述参数都是三极管常用的重要参数，不同型号的三极管具体数值会有所不同。
在选择三极管时，根据具体需求选择合适的参数是非常重要的。
此外，这些参数在设计电子电路时也起到了至关重要的作用。
常用三极管数据
常用三极管数据引言概述：三极管是一种常见的电子元件，广泛应用于电子电路中。
了解常用三极管的数据参数对于正确选择和使用三极管至关重要。
本文将详细介绍常用三极管的数据参数，帮助读者更好地了解和应用三极管。
一、电流参数1.1 最大集电电流（ICmax）：指三极管正常工作时允许通过集电极的最大电流。
该参数决定了三极管的功率承受能力。
1.2 最大基极电流（IBmax）：指三极管正常工作时允许通过基极的最大电流。
超过该电流会导致三极管损坏。
1.3 最大发射极电流（IEmax）：指三极管正常工作时允许通过发射极的最大电流。
该参数与最大集电电流和最大基极电流之间的关系为IEmax = ICmax - IBmax。
二、电压参数2.1 最大集电极-发射极电压（VCEO）：指三极管正常工作时允许的最大集电极-发射极电压。
超过该电压会导致三极管损坏。
2.2 最大集电极-基极电压（VCBO）：指三极管正常工作时允许的最大集电极-基极电压。
超过该电压会导致三极管损坏。
2.3 最大基极-发射极电压（VBE）：指三极管正常工作时允许的最大基极-发射极电压。
超过该电压会导致三极管损坏。
三、功率参数3.1 最大耗散功率（PDmax）：指三极管正常工作时允许的最大耗散功率。
超过该功率会导致三极管过热损坏。
3.2 热阻（θJA）：指三极管在单位功率耗散时，导热器件与环境之间的热阻。
热阻越小，三极管的散热性能越好。
3.3 热稳定系数（θJC）：指三极管在单位功率耗散时，导热器件与芯片之间的热阻。
热稳定系数越小，三极管的散热性能越好。
四、放大参数4.1 直流放大倍数（hFE）：指三极管在直流工作状态下，输出电流与输入电流之间的比值。
该参数决定了三极管的放大能力。
4.2 最大输出功率（Poutmax）：指三极管在最大输出功率时能够提供的最大输出功率。
4.3 频率响应范围（fT）：指三极管能够正常工作的最高频率。
超过该频率会导致三极管的放大能力下降。
全系列三极管参数
全系列三极管参数三极管是一种常用的电子元件，主要由三个控制电极组成：基极、发射极和集电极。
它可以将小信号放大成大信号，并具有放大和开关两种应用。
下面将详细介绍三极管的各种参数。
1.DC参数：（1）E-B击穿电压：控制电极到基极之间的击穿电压，通常是5V。
（2）集电极饱和电压：集电极电压和基极电压之间的差，通常是0.2V。
（3）极化电压：基极与发射极之间的电压，一般为0.6V。
（4）漂移电流：无输入信号时集电极电流，通常为1μA。
2.小信号参数：（1）共射放大参数：-电流放大倍数：基极电流和集电极电流之比，通常为20。
-输入电阻：基极电阻，通常为50kΩ。
-输出电阻：发射极电阻，通常为100Ω。
-最大功率增益：集电极功率和输入功率之比，通常为300。
-频率响应：放大器对不同频率信号的放大能力。
-带宽：能够通过的频率范围。
（2）共集放大参数：-电流放大倍数：发射极电流和集电极电流之比，通常为1-输入电阻：发射极电阻，通常为10Ω。
-输出电阻：集电极电阻，通常为10kΩ。
-最大功率增益：集电极功率和输入功率之比，通常为1-频率响应：放大器对不同频率信号的放大能力。
-带宽：能够通过的频率范围。
（3）共基放大参数：-电流放大倍数：基极和集电极电流之比，通常为0.99-输入电阻：集电极电阻，通常为10kΩ。
-输出电阻：发射极电阻，通常为0.1Ω。
-最大功率增益：集电极功率和输入功率之比，通常为0.99-频率响应：放大器对不同频率信号的放大能力。
-带宽：能够通过的频率范围。
3.大信号参数：（1）最大集电极电流：集电极电流的最大值。
（2）最大功率：集电极电流和集电极电压之积的最大值。
（3）最大集电极电压：集电极电压的最大值。
（4）开关时间：从信号输入到放大器开关的时间，一般小于1μs。
4.噪声参数：（1）噪声系数：直流电流吸收后引起的输出噪声。
（2）输出噪声电压：由于内部噪声而引起的输出电压。
以上是三极管的一些重要参数，这些参数可以帮助我们了解三极管的性能和适用范围。
常用三极管参数大全
常用三极管参数大全1. 最大集电极电流（IC max）：三极管在特定工作条件下能够承受的最大集电极电流。
这个参数决定了三极管能够驱动的负载电流的最大值。
2. 最大功率耗散（PD max）：三极管在特定工作条件下能够承受的最大功率耗散。
这个参数决定了在特定工作条件下，三极管能够承受的最大功率，超过这个功率则可能会损坏。
3. 最大集电极-基极电压（VCEO max）：三极管在特定工作条件下能够承受的最大集电极-基极电压。
这个参数决定了三极管能够承受的最大电压，超过这个电压则可能会损坏。
4. 最大集电极-发射极电压（VCE sat）：三极管在饱和区的工作条件下，集电极-发射极之间的电压。
这个参数决定了三极管在饱和区时的电压控制能力。
5. 最大基极-发射极电压（VBE max）：三极管在特定工作条件下，基极-发射极之间能够承受的最大电压。
这个参数决定了三极管能够承受的最大电压，超过这个电压则可能会损坏。
6.直流电流放大倍数（hFE）：这个参数代表了三极管的放大能力。
它表示了当三极管的基极电流变化时，集电极电流变化的倍数。
7. 最大封装功率耗散（PC max）：三极管的封装能够承受的最大功率耗散。
这个参数与封装结构和材料有关，超过这个功率则可能会损坏封装。
8. 最大封装温度（Tj max）：三极管封装能够承受的最高温度。
超过这个温度则可能会导致封装失效。
9. 最大储存温度（Tstg max）：三极管能够承受的最高储存温度。
超过这个温度则可能会导致三极管性能退化。
10.最大工作频率（fT）：这个参数代表了三极管的最高工作频率。
在高频应用中，这个参数决定了三极管能够工作的最高频率。
通过了解和理解这些三极管参数，我们可以根据具体设计需求选择合适的三极管。
这些参数对于电子电路的设计和分析非常重要，因此研究这些参数并了解它们的意义是很有用的。
半导体三极管的参数
半导体三极管的主要参数有以下几个：1. 集电极最大允许电流（ICM）：半导体三极管允许通过的最大电流。
当集电极电流IC 增大到一定程度时，三极管的电流放大系数会明显下降，此时三极管尚可使用，但已不宜继续加大电流。
因此，规定IC 下降到额定值的2/3 时所对应的集电极电流为集电极最大电流ICM。
2. 集电极最大允许耗散功率（PCM）：集电极耗散功率实际上是集电极电流IC 和集电极电压UC 的乘积。
这是三极管能够正常工作的最大功耗，超过这个功耗值三极管可能会过热损坏。
3. 电流放大系数（hFE）：也称为电流增益，是指三极管输出电流与输入电流之比。
电流放大系数越大，说明三极管的放大能力越强。
4. 带宽（fT）：三极管在工作状态下，输出信号的频率响应受到限制，这个限制频率称为带宽。
带宽反映了三极管响应速度的快慢，带宽越宽，响应速度越快。
5. 输入阻抗（Zi）：三极管输入端的阻抗，影响三极管对输入信号的吸收能力。
输入阻抗越大，吸收能力越强。
6. 输出阻抗（Zo）：三极管输出端的阻抗，影响三极管驱动外部负载的能力。
输出阻抗越小，驱动能力越强。
7. 极性：半导体三极管有npn 型和pnp 型两种极性，分别由n 型半导体基底、p 型半导体基底和n 型半导体构成。
8. 温度系数：三极管的性能参数（如电流放大系数、带宽等）随温度的变化而变化的程度。
9. 饱和电压（Vceo）：当三极管的集电极电流IC 增大到一定程度时，集电极与发射极之间的电压达到峰值，此电压称为饱和电压。
10. 开启电压（Vge）：当三极管的基极电压Vb 大于开启电压时，三极管开始导通。
11. 关闭电压（Vce）：当三极管的基极电压Vb 小于关闭电压时，三极管截止。
三极管知识点的总结
晶体三极管晶体三极管一．教学要求：1．了解三极管的基本构造、特点、符号、型号、分类等：2．理解三极管电流放大作用的实质和特性曲线及主要参数：3．掌握三极管的识别和简单测试方法：1．前1、2个属于知识方面的要求2．最后1个属于技能方面的要求二．教学重点、难点分析：1．教学重点是三极管的三个工作区域及其特点、三极管的电流放大作用：2．教学难点是三极管的伏-安特性3．技能要求是掌握三极管的识别与简单测试：三．教具：1．晶体三极管：2．万用表：3．晶体管特性测试仪、双踪示波器：四． 教学过程：（一）：复习提问，引入新课：1． 二极管具有哪些特性？ 2． 常用的电子元器件有哪些？提问3-4位学生回答（二）：新课教学：一：三极管的结构、符号和类型：1． 结构：总结：三极管的结构为：三区+两结+三电极：● 三区：指发射区、基区、集电区 ● 两结：指发射结、集电结： ● 三电极：指发射极、基极、集电极： 利用课件进行讲解，然后总结归纳。
2． 符号：3． 三极管具有放大作用的内部条件（结构特点）：● 发射区很厚，掺杂浓度最高； ● 基区很薄，掺杂浓度最小； ● 集电区很厚，掺杂浓度比较高。
4． 三极管的型号及其意义：发给不同规格的三极管让学生判别。
二：三极管的电流放大作用： 三极管具有放大作用，必须同时满足内部条件和外部条件，内部条件一般由生产厂家保证。
1． 三极管放大的外部条件：● 发射结正偏； ● 集电结反偏。
用双踪示波器演示输入信号和输出信号的差别，加强学生的感性认识，然后再进行分析。
2． 三极管的电流分配关系：c b e I I I += 3． 三极管电流放大作用的实质：“以小控大”——以基极小电流b I 控制集电极大电流c I 。
因此：双极型三极管属于“电流控制器件”。
三．三极管的连接方式：1． 共发射极：2． 共集电极：3．共基极：三张图进行比较，注意它们之间的特点 四．三极管的伏安特性曲线 （一） 输入特性曲线：三极管的输入特性与二极管的正向特性相似，因此要注意以下几点：1．三极管中的输入特性曲线随U CE的不同有许多条曲线，当VUce1≥时，各条曲线非常接近，所以实际使用时以其中的一条作代表：2．三极管的死区电压与二极管的死区电压基本相同：联系二极管的正向特性，并加以比较分析。
三极管有哪些主要参数？型号如何进行选择？
三极管有哪些主要参数？型号如何进行选择？选用三极管需要了解三极管的主要参数, 主要了解三极管的四个极限参数：I cm, BV CEO, P cm及f T即可满足95%以上的使用需要。
1、I cm是集电极最大允许电流，三极管工作时，当它的集电极电流超过一定数值时，他的电流放大系数β将下降。
为此规定三级电流放大系数β变化不超过允许值时的集电极最大电流称为I cm。
所以在使用中当集电极电流I c超过I cm时不至于损坏三级管，但会使β值减小，影响电路的工作性能；2、BV CEO是三级管基极开路时，集电极-发射极反向击穿电压。
如果在使用中加载集电极与发射极之间的电压超过这个数值时，将可能使三极管产生很大的集电电流，这种现象叫击穿。
三极管击穿后会造成永久性损坏或性能下降；3、P cm是集电极最大允许耗散功率。
三极管在工作是，集电极电流集电在集电结上会产生热量而使三极管发热。
若耗散功率过大，三极管将烧坏。
在使用中如果三极管在大于P cm下长时间工作，将会损坏三极管。
需要注意的是大功率的三极管给出的最大允许耗散功率都是在加有一定规格散热器情况下的参数。
使用中一定要注意这一点。
4、特征频率f T。
随着工作频率的升高，三极管的放大能力将会下降，对应β=1时的频率fT叫作三极管的特征频率小功率三极管在电子电路的应用最多。
主要用作小信号的放大、控制或振荡器。
选用三极管时首先要搞清楚电子电路的工作频率大概是多少。
如中波收音机的振荡器的最高频率是2MHz左右；而调频收音机的最高震荡频率为120MHz左右；电视机中 VHF频段的最高振荡率为250MHz左右：UHF 频段的最高振荡率接近1000MHz，因此工程设计中一般要求三极管的f T 大于3倍的实际工作频率。
所以可按照此要求来选择三极管的特征频率f T。
由于硅材料高频三极管的fT一般不低于50Hz，所以在音频电子电路中使用这类管子可不考虑fT这个参数。
小功率三极管BV CEO的选择可以根据电路的电源电压来决定，一般情况下只要三极管的BV CEO大于电路中电源的最高电压即可。
半导体三极管的参数
半导体三极管的参数【最新版】目录一、半导体三极管的基本结构和种类二、半导体三极管的主要极限参数三、半导体三极管的电性能参数及其意义四、半导体三极管的应用和型号正文一、半导体三极管的基本结构和种类半导体三极管，顾名思义，具有三个电极，分别是发射极（用字母 e 表示）、基极（用字母 b 表示）和集电极（用字母 c 表示）。
它由两个 pn 结构组成，共用的一个电极成为三极管的基极。
根据不同的组合方式，半导体三极管可以分为两种类型：npn 型和 pnp 型。
二、半导体三极管的主要极限参数半导体三极管的主要极限参数包括以下几个：1.集电极最大允许电流 icm：这是半导体三极管允许通过的最大电流。
当集电极电流增大到一定程度时，值会明显下降，这时三极管虽不至于烧坏，但已不宜使用。
因此，规定值下降到额定值的 2/3 时所对应的集电极电流为集电极最大电流 icm。
2.集电极最大允许耗散功率 pcm：集电极耗散功率实际上是集电极电流 ic 和集电极电压 uce 的乘积。
当集电极电流和电压超过一定值时，三极管会过热，导致性能下降甚至损坏。
因此，存在一个最大允许耗散功率 pcm。
三、半导体三极管的电性能参数及其意义半导体三极管的电性能参数包括以下几个：1.VCEO--集电极 - 发射结饱和电压：这是集电极和发射极之间的电压达到一定值时，三极管不再导通的电压。
2.ICBO--集电结反向饱和电流：这是在集电极和发射极之间施加反向电压时，三极管所能承受的最大电流。
四、半导体三极管的应用和型号半导体三极管广泛应用于电流放大、开关和调制等电路中。
根据不同的应用场景，三极管有很多型号，如 2SC33740（或 2SC3374B）、ons、fairchild、philips 等。
三极管的参数
查看文章三极管常用参数2009-11-08 22:41三极管参数VCEO,基极开路,集电极－发射极反向击穿电压。
VCBO,发射极开路,集电极－基极反向击穿电压。
VEBO,J集电极开路,发射结反向击穿电压。
VDSO, 漏源击穿电压。
ICM,集电极最大允许电流。
IDSM,最大漏源电流。
PCM,集电极最大耗散功率。
PDM,漏极最大耗散功率。
IC,集电极电流。
ID,漏极电流。
hFE,共发射极静态放大倍数。
gm,低频跨导,场效应管栅极电压对漏极电流的控制能力。
fT,特征频率。
td,延迟时间。
tf,下降时间。
一、半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。
在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流（正向测试电流）。
锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV）---正向平均电流IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。
在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。
发光二极管极限电流。
IH---恒定电流、维持电流。
Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io---整流电流。
在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR（AV）---反向平均电流IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。
常用三极管数据
常用三极管数据标题：常用三极管数据引言概述：三极管是一种常用的电子元件，广泛应用于各种电路中。
了解三极管的数据对于电子工程师和电子爱好者来说至关重要。
本文将详细介绍常用三极管的数据，匡助读者更好地了解和应用三极管。
一、三极管的基本参数1.1 集电极最大耗散功率：三极管能够承受的最大功率是其集电极最大耗散功率，通常以单位瓦特（W）表示。
1.2 最大集电极电压：三极管能够承受的最大电压称为最大集电极电压，通常以单位伏特（V）表示。
1.3 最大集电极电流：三极管能够承受的最大电流称为最大集电极电流，通常以单位安培（A）表示。
二、三极管的放大特性参数2.1 直流电流增益（hfe）：三极管的直流电流增益是指输入信号电流与输出信号电流的比值，通常表示为hfe。
2.2 最大集电极饱和电流（Ic max）：三极管在饱和状态下的最大集电极电流，通常以单位安培（A）表示。
2.3 最大集电极漏电流（Icbo）：三极管在截止状态下的最大集电极漏电流，通常以单位微安（μA）表示。
三、三极管的频率特性参数3.1 截止频率（ft）：三极管的截止频率是指在该频率以下，三极管的电流传输能力开始下降，通常以单位赫兹（Hz）表示。
3.2 最大工作频率（fmax）：三极管能够正常工作的最大频率，通常以单位赫兹（Hz）表示。
3.3 输入电容（Cib）：三极管的输入电容是指输入端与输出端之间的电容，通常以单位皮法（pF）表示。
四、三极管的温度特性参数4.1 温度系数（α）：三极管的温度系数是指三极管特性随温度变化的变化率。
4.2 最大工作温度：三极管能够正常工作的最高温度，通常以单位摄氏度（℃）表示。
4.3 温度漂移：三极管在不同温度下的性能漂移情况，通常以温度变化引起的参数变化百分比表示。
五、三极管的封装和引脚信息5.1 封装类型：三极管的封装类型有多种，常见的有TO-92、TO-220、SOT-23等。
5.2 引脚罗列：不同封装类型的三极管引脚罗列也不同，需要根据具体型号进行确认。
常用三极管数据
常用三极管数据引言概述：三极管是一种常用的电子器件，广泛应用于电子电路中。
了解三极管的常用数据对于电子工程师和电子爱好者来说是非常重要的。
本文将介绍三极管的常用数据，包括最大电压、最大电流、最大功率、最大频率和放大倍数等方面。
一、最大电压1.1 集电极最大电压（Vceo）：指在特定条件下，三极管集电极与发射极之间可以承受的最大电压。
这个数值通常以伏特（V）为单位进行表示。
1.2 基极最大电压（Vbeo）：指在特定条件下，三极管基极与发射极之间可以承受的最大电压。
这个数值通常以伏特（V）为单位进行表示。
1.3 发射极最大电压（Vebo）：指在特定条件下，三极管发射极与基极之间可以承受的最大电压。
这个数值通常以伏特（V）为单位进行表示。
二、最大电流2.1 集电极最大电流（Ic）：指在特定条件下，三极管集电极可以承受的最大电流。
这个数值通常以安培（A）为单位进行表示。
2.2 基极最大电流（Ib）：指在特定条件下，三极管基极可以承受的最大电流。
这个数值通常以安培（A）为单位进行表示。
2.3 发射极最大电流（Ie）：指在特定条件下，三极管发射极可以承受的最大电流。
这个数值通常以安培（A）为单位进行表示。
三、最大功率3.1 集电极最大功率（Pc）：指在特定条件下，三极管集电极可以承受的最大功率。
这个数值通常以瓦特（W）为单位进行表示。
3.2 基极最大功率（Pb）：指在特定条件下，三极管基极可以承受的最大功率。
这个数值通常以瓦特（W）为单位进行表示。
3.3 发射极最大功率（Pe）：指在特定条件下，三极管发射极可以承受的最大功率。
这个数值通常以瓦特（W）为单位进行表示。
四、最大频率4.1 集电极最大频率（fT）：指在特定条件下，三极管可以正常工作的最大频率。
这个数值通常以赫兹（Hz）为单位进行表示。
4.2 基极最大频率（fβ）：指在特定条件下，三极管可以放大信号的最大频率。
这个数值通常以赫兹（Hz）为单位进行表示。
半导体三极管的极限参数介绍
半导体三极管的极限参数介绍
半导体三极管的极限参数介绍
各种电子元器件都有一个使用极限值要求，对于半导体三极管来讲，它的主要极限参数有以下几个。
(1)集电极最大允许电流ICM
半导体三极管允许通过的最大电流即为ICM。
当集电极电流IC增大到一定程度时，β值便会明显下降，这时三极管不至于烧坏，但已不宜使用。
因此，规定尸值下降到额定值的2/3时所对应的集电极电流为集电极最大电流ICM。
(2)集电极最大允许耗散功率PCM
集电极耗散功率实际上是集电极电流IC和集电极电压UCE的乘积。
在使用三极管时，实际功耗不允许超过PcM，还应留有较大的余量。
耗散功率会引起三极管发热，使结温升高。
如果集电极的耗散功率过大，将会使集电结的温度超过允许值而被烧坏。
为了提高PCM的数值，大功率三极管都要求加装散热片，此时手册中给出的大功率三极管的PCM是指带有散热片时的数值。
(3)集电极一发射极反向击穿电压BVceo(Vceo)
BVceo是指三极管基极开路时，加在集电极C和发射极E之间的最大允许电压。
使用不当时，则会导致三极管击穿而损坏。
(4)集电极一基极反向击穿电压BVcbo(Vcbo)
BVcbo是指三极管发射极开路时，集电结的反向最大电压。
使用时，集电极与基极间的反向电压不允许超过此值的规定。
(5)发射极一基极反向击穿电压BVebo(Vebo)
BVebo是指三极管集电极开路时，发射结的反向最大电压。
使用时，发射结承受的反向电压不应超过此值的规定。
晶体管的极限参数
晶体管的极限参数
晶体管所能接受的电压、功率耗散以及所经过的电流都是有必定极限的，当其跨过额外值时，轻则影响晶体管的作业功用，严峻时将使其损坏。
以下介绍晶体管的首要极限参数。
1.集电极最大容许耗散功率Pcm
Pcm是指晶体管因温度添加致使参数的改动不跨过规矩值时，集电极所耗费的最大功率。
晶体管在正常作业时，集电结加的是反向偏置电压，集电结的反向电阻很高，这么，集电极电流流过集电结时就要发作许多的热量，结温就会添加，若温度过高，将致使晶体管不行反转的损坏。
咱们依据晶体管最高容许结温定出最大容许耗散功率。
为了降低结温，关于大功率晶体管，咱们通常要另设散热片，散热片外表积越大，散热效果越好，晶体管的Pcm就能够恰其时进。
2.集电极最大容许电流Icm
集电极电流增大，会致使晶体管的电流拓宽倍数beta;降低，当beta;降至低频电流拓宽倍数beta;o的额外倍数（通惯例矩为二分之一或三分之一）时，此刻的集电极电流称为集电极最大容许电流Icm。
因而，当晶体管的集电极电流抵达Icm时，晶体管虽不致损坏，但电流拓宽倍数已大凹凸降低。
3.集电极--发射极击穿电压BVCEO
BVCEO是指晶体管基极开路时，加在晶体管集电极与发射极之间的最大容许电压。
关于NPN型晶体管而言，集电极接电源的正极，发射极接电源的负极；关于PNP型晶体管而言，集电极接电源的负极，发射极接电源的正极。
当加在晶体管集电极与发射极之间的电压大于BVCEO的值时，流过晶体管的电流会俄然增大，致使晶体管耐久性损坏，这种景象称为击穿。
常用三极管数据
常用三极管数据引言概述：三极管是一种常用的电子元件，广泛应用于电子电路中。
了解常用三极管的数据对于电子工程师和电子爱好者来说至关重要。
本文将详细介绍常用三极管的数据，包括参数、特性和应用等方面。
正文内容：一、参数介绍1.1 硅基三极管参数1.1.1 最大集电极电流（ICmax）：表示三极管可承受的最大集电极电流，单位为安培（A）。
1.1.2 最大集电极-基极电压（VCEOmax）：表示三极管可承受的最大集电极-基极电压，单位为伏特（V）。
1.1.3 最大功耗（Pmax）：表示三极管可承受的最大功耗，单位为瓦特（W）。
1.1.4 最大频率（fT）：表示三极管的最大工作频率，单位为赫兹（Hz）。
1.2 碳化硅三极管参数1.2.1 高温操作能力：碳化硅三极管具有较高的工作温度范围，可在高温环境下正常工作。
1.2.2 高电压耐受能力：碳化硅三极管具有较高的电压耐受能力，适用于高压电路设计。
1.2.3 低开关损耗：碳化硅三极管具有较低的开关损耗，能够提高电路的效率。
二、特性分析2.1 放大特性2.1.1 增益（hFE）：表示三极管的放大倍数，即输入信号与输出信号之间的比例关系。
2.1.2 饱和电压（VCEsat）：表示三极管在饱和区时的集电极-基极电压，通常较小。
2.1.3 截止电流（ICoff）：表示三极管在截止区时的集电极电流，通常较小。
2.2 开关特性2.2.1 开关速度：表示三极管从截止区到饱和区的开关速度，通常较快。
2.2.2 饱和电流（ICsat）：表示三极管在饱和区时的集电极电流，通常较大。
2.2.3 截止电压（VCEoff）：表示三极管在截止区时的集电极-基极电压，通常较大。
三、应用领域3.1 放大器电路：三极管常用于放大器电路中，用于放大电信号。
3.2 开关电路：三极管可用于开关电路中，实现电路的开关功能。
3.3 频率变换器：三极管可用于频率变换器中，实现信号的频率转换。
四、常见型号介绍4.1 NPN型三极管：常见的NPN型三极管有2N3904、BC547等，适用于低功率放大电路。
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4、温度对三极管参数的影
几乎所有的三极管参数都与温度有关，因此不容忽视。 温度对下列的三个参数影响最大。
（1）对β的影响：
三极管的β随温度的升高将增大，温度每上升l℃， β值约增大0.5～1％，其结果是在相同的IB情况下，集电 极电流IC随温度上升而增大。（2）对反向饱和电流ICEO 的影响：
由于制造工艺的分散性，同一型号三极管的β值差异较大。 常用的小功率三极管，β值一般为20～100。β过小，管 子的电流放大作用小，β过大，管子工作的稳定性差，一
极间反向饱和电流ICBO和ICEO
极间反向饱和电流ICBO和ICEO （1）集电结反向饱和电流ICBO是指发射极开路，集电结加反向电压时
ICEO是由少数载流子漂移运动形成的，它与环境温度关系 很大，ICEO随温度上升会急剧增加。温度上升10℃，ICEO 将增加一倍。由于硅管的ICEO很小，所以，温度对硅管 ICEO的影响不大。
）对发射结电压ube的影响：
和二极管的正向特性一样，温度上升1℃，ube将下降 2～2.5mV。
综上所述，随着温度的上升，β值将增大，iC也将增大，
1.2.4三极管的主要参数
1、共射电流放大系数 和β
在共射极放大电路中，若交流输入信号为零，则管子 各极间的电压和电流都是直流量，此时的集电极电流IC和 基极电流IB的比就是 ， 称为共射直流电流放大系数。
当共射极放大电路有交流信号输入时，因交流信号的 作用，必然会引起IB的变化，相应的也会引起IC的变化， 两电流变化量的比称为共射交流电流放大系数β，上述两 个电流放大系数 和β的含义虽然不同，但工作在输出特 性曲线放大区平坦部分的三极管，两者的差异极小，可做 近似相等处理，故在今后应用时，通常不加区分，直接互 相替代使用。
（3）反向击穿电压UBR（CEO）反向击穿电压UBR（CEO） 是指基极开路时，加在集电极与发射极之间的最大允许电 压。使用中如果管子两端的电压UCE＞UBR（CEO），集电 极电流IC将急剧增大，这种现象称为击穿。管子击穿将造 成三极管永久性的损坏。三极管电路在电源EC的值选得过 大时，有可能会出现，当管子截止时，UCE＞UBR（CEO） 导致三极管击穿而损坏的现象。一般情况下，三极管电路 的电源电压EC应小于1/2 UBR（CEO）。
PCM=ICUCE （5-7）
功耗与三极管的结温有关，结温又与环境温度、管子是否 有散热器等条件相关。根据5-7式可在输出特性曲线上作 出三极管的允许功耗线，如图5-8所示。功耗线的左下方 为安全工作区，右上方为过损耗区
册上给出的PCM值是在常温下25℃时测得的。硅管集电结 的上限温度为150℃左右，锗管为70℃左右，使用时应注 意不要超过此值，否则管子
晶体管的集电极电流IC在相当大的范围内β值基本保持不 变，但当IC的数值大到一定程度时，电流放大系数β值将 下降。使β明显减少的IC即为ICM。为了使三极管在放大 电路中能正常工作，IC不应超过ICM。
（2）集电极最大允许功耗PCM
晶体管工作时、集电极电流在集电结上将产生热量，产生 热量所消耗的功率就是集电极的功耗PCM，即
测得的集电极电流。常温下，硅管的ICBO在nA（10-9）的量级，通常 可忽略。 （2）集电极-发射极反向电流ICEO是指基极开路时，集电极与发射极之 间的反向电流，即穿透电流，穿透电流的大小受温度的影响较大，穿大允许电
3、极限参数1）集电极最大允许电流ICM