升压IC内置MOS管高性价比方案

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KMS9412实现同步升压输出5V2A,输入5v2.1A移动电源单芯片方案

KMS9412实现同步升压输出5V2A,输入5v2.1A移动电源单芯片方案

USB
GND JK1 1 2 3 4 5
KMS9412
P0KMS9412015 SWT N0VIN 5V R1 Vin 5V P0C201 P0R101 P0R102 P0KMS941206
SW
P0SW01 P0SW02
P0JK101 P0JK102 P0JK103 P0JK104 P0JK105
VDD
极限参数
参数 所以引脚安全电压 存储环境温度 工作温度范围 HBM MM 额定值 -3 ~ +6.5 -50 ~ +150 -40 ~ +150 2000 200 单位 V ℃ ℃ V V
推荐的工作参数范围
名称 VDD Top 参数 输入工作电压 工作的环境稳定 参数范围 4.5~5.5 -20~85 单位 V ℃
特点;
>>输出:5v2A &VIN=3.7V 效率 90% ;5v1A &VIN=3.7V 效率 93% >>放电指示灯:充电指示灯(支持单、双 led 指示模式) >>锂电池放电关断电压 2.9v >>锂电池充满电压 4.2v ±0.15v >>集成充电和放电管理 >>智能温度控制 >>4 个 led 电量指示 >>led 手电筒电流 100mA >>输出短路、过压、过载、过充、过放保护 >>涓流模式、零电压启动充电模式 >>静态功耗:20uA >>支持各类手机移动数码产品充电
Ver1.8
Shenzhen kemeishun Electronic
Co.,Ltd
3
KMS9412
应用说明
恒温充电模式: KMS9412 内部集成了温度反馈环路,充电时,如果芯片内部的温度升高到 110℃,充电电流 会随着芯片的温度升高而降低,从而减小系统功耗,降低温升,当温度升高到 130℃时,充 电电流小为零, 由于温度反馈控制,IC 工作温度最终会稳定在 110℃~130℃之间的某个值。 充电电流设定: 充电电流可以通过设定 ISET 引脚的电阻来设定, 最大可设定充电电流为 1.2A,电流设定 关系如下式:

AN_SY7215大电流同步升压芯片 内置15A功率MOS

AN_SY7215大电流同步升压芯片 内置15A功率MOS

SY7215
Block Diagram
AN_SY7215 Rev. 0.1
Silergy Corp. Confidential- Prepared for Customer Use Only
4
深圳昱灿电子
专业电源管理芯片 DCDC升压 降压 LDO 锂电池充电等 联系人:李先生
SY7215
Electrical Characteristics
Silergy Corp. Confidential- Prepared for Customer Use Only
1
深圳昱灿电子
专业电源管理芯片 DCDC升压 降压 LDO 锂电池充电等 联系人:李先生
SY7215
Pinout (top view)
(QFN4x4-18)
Top mark: BDUxyz (Device code: BDU, x=year code, y=week code, z= lot number code) Pin Name SVIN SGND PGND LX FB EN ILIM OUT BD BS FS PG COMP QFN4x4-18 13 14 3,4,5 6,7 18 11 15 1,9 2,8 10 16 12 17 Pin Description IC power supply input pin. Decouple this pin to SGND pin with 1µF ceramic cap. Signal ground pin Power ground pin Inductor node. Connect an inductor from power input to LX pin. Feedback pin. Connect to the center of resistor voltage divider to program the output voltage: VOUT=1V×(R1/R2+1) Enable control. Pull high to turn on the IC. Do not float. Output current limit program pin. Connect a resistor RLIM from this pin to SGND to program output current limitation threshold. ILIM(A)=30(V)/ RLIM(kΩ) The boost converter output pin. Connect to the Drain of internal Disconnect FET. Bypass at least 4.7uF ceramic cap to PGND. Boot-Strap pin. Supply Rectified FET’s gate driver. Decouple this pin to LX with 0.1uFceramic cap. Switching frequency setting pin. Connect a resistor from this pin to ground to program the switching frequency. FSW(kHz)=1.4×106/RFS(Ω)0.645. Power good indicator. Open drain output, pull low when the output < 90% of regulation voltage, high impendence otherwise. Loop compensation pin. Connect a RC network across this pin and ground to stabilize the control loop.

CX5309 移动电源升压芯片

CX5309  移动电源升压芯片
另外,MOS FET 的通态电阻依靠输出电压(VOUT)与MOS FET 的阈值电压的电压差,因此会对输出电流量以 及效率产生影响。输出电压处于较低的情况下,如果不选用带有输出电压值以下的阈值电压的MOS FET,电路就不 能正常工作,务请注意。
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Email:lxh@13509685286
Email:lxh@13509685286
CX5309
CX5309 升压超小型 300 kHz PWM / PFM切换控制 DC/DC控制器
描述:
CX5309是一种由基准电压源、振荡电路、误
差放大器、相位补偿电路、PWM / PFM 切换控制电 路等构成的CMOS 升压DC/DC 控制器。通过使用外 接低通态电阻N 沟道功率MOS,即可适用于需要高 效率、高输出电流的应用电路上。通过PWM / PFM 切
为了获得稳定的输出电压,请注意电容器的等效串联电阻(RESR)。本IC因RESR的不同,输出的稳定领域会产生 变化。因电感值(L值)的不同而异,使用30 ~ 500 mΩ左右的RESR,可以发挥最佳的特性。但是,最佳的RESR值因L 值以及电容值、布线、应用电路(输出负载)而不同,请根据实际的使用状況,在进行充分的评价之后,再予以决定。
换控制电路,在负载较轻时,将工作状态切换为
占空系数为15%的PFM 控制电路,可以防止因IC 的 工作电流引起的效率降低。
特点:
z 低电压工作:可保证以 0.9 V (IOUT = 1 mA)启动 z 占空比: 内置 PWM / PFM 切换控制电路(15 ~ 78%) z 振荡频率:300KHz z 输出电压:在 1.5~6.5V 之间 z 输出电压精度:±2﹪ z 软启动功能:2mS z 带开/关控制功能 z 外接部件:线圈、二极管、电容器、晶体管 z 封装形式:SOT-23-5L

SY7152A DC-DC 内置2A mos升压IC

SY7152A DC-DC 内置2A mos升压IC

Absolute Maximum Ratings (Note 1)
LX, IN, EN ----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 18V All other pins-------------------------- ------------------------------------------------------------------------------------------ 3.6V Power Dissipation, PD @ TA = 25°C SOT23-6 ----------------------------------------------------------------------------- 0.6W Package Thermal Resistance (Note 2) θ JA --------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 161°C/W θ JC --------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 130°C/W Junction Temperature Range ----------------------------------------------------------------------------------------------- 125°C Lead Temperature (Soldering, 10 sec.) ----------------------------------------------------------------------------------- 260°C Storage Temperature Range ------------------------------------------------------------------------------------- -65°C to 150°C

升压芯片有哪些 升压芯片原理 升压芯片是如何升压的

升压芯片有哪些 升压芯片原理 升压芯片是如何升压的

升压芯片有哪些升压芯片原理升压芯片是如何升压的升压芯片在诸多电子电路中均有所应用,在现代生活中,升压芯片是不可或缺的器件之一。

关于“升压芯片有哪些升压芯片原理升压芯片是如何升压的”的详细说明。

1.升压芯片有哪些型号:BT1001100KHzVFM开关型DC-DC升压转换器。

低电压启动:0.8V启动,输入电压0.8-7V。

输出电压范围:2V~5.6V;固定电压输出。

输出电流:300mA。

内置开关MOS管。

封装:SOT-23-3SOT-89-3TO-92。

型号:BT1002200KHzVFM开关型DC-DC升压转换器。

低电压启动:0.9V启动,输入电压0.9-6V。

输出电压范围:2V~5.6V;固定电压输出。

输出电流:300mA~750mA。

内置开关MOS管。

封装:SOT-23-3SOT-89-3。

型号:BT1003180KHzPFM开关型DC-DC升压转换器。

低电压启动:0.8V启动,输入电压0.8-7V。

输出电压范围:2V~7V;固定电压输出或可调输出。

输出电流:300mA~1000mA。

有内置或者外置开关MOS管。

封装:SOT-23-3SOT-89-3SOT-23-5SOT-89-5。

型号:BT1004300KHzPFM开关型DC-DC升压转换器。

低电压启动:0.8V启动,输入电压0.8-5V。

输出电压范围:2V~5V;固定电压输出。

输出电流:300mA~1200mA。

有内置或者外置开关MOS管。

封装:SOT-23-3SOT-89-3SOT-23-5。

2.升压芯片原理当整个电路只使用单个电源(比如3.7V锂电池)供电时,可以通过降压输出3.3V、1.6V等较低电压给IC供电,有时候电路中需要更高的电压,比如一些移动设备的屏幕就需要较高电压驱动,比如12V,在移动设备中再增加一个12的独立电源不太现实,而且锂电池一般都是3.7V(充满电为4.2V),这个时候就需要使用到升压电路了,这个也有对应的IC,一般要配合电感、电容实现升压和降压模式中DC-DC的连接方式不一样。

用XL6009制作一款输出电压可调的大电流DC

用XL6009制作一款输出电压可调的大电流DC

⽤XL6009制作⼀款输出电压可调的⼤电流DC很多使⽤电池供电的便携式电⼦产品中经常需要将较低的电池电压升⾼到产品电路所需要的电压。

本⽂介绍⼀款采⽤专⽤升压集成电路XL6009制作的⼤电流DC-DC升压电路,其⼯作电压范围宽,电路简单(只使⽤⼀个电感线圈,不需升压变压器),输出电流⼤且⼯作稳定。

?▲XL6009构成的⼤电流升压电路。

XL6009是⼀款常⽤的⼤电流升降压IC,其⼯作电压范围为5~32V,最⾼输出电压为35V,内置⼤功率MOS场效应管,开关电流可达4A。

XL6009内部开关频率为400KHz,可以使⽤较⼩的滤波电容即可获得较好的滤波效果。

?▲ TO-263封装的XL6009E1的外形。

XL6009的②脚为使能端,该端为低电平时,XL6009内部电路停⽌⼯作⽆输出,此时整个电路处于低功耗待机状态。

正常⼯作时该端应为⾼电平,由于②脚悬空即为⾼电平,故平时该端为悬空。

XL6009的⑤脚为输出电压采样端,该端外接的电阻R1、R2决定着升压电路的输出电压。

其输出电压Vout=1.25x(1+R2/R1),⼀般R1可以选⽤数百Ω⾄1KΩ的⾦属膜电阻,R2选⽤线性电位器来调整输出电压。

上图中的C1~C4为电源滤波电容,其中C1、C4选⽤普通选⽤线性电位器来调整输出电压。

的铝电解电容,其具体容量可以根据负载电流来选取,C2、C3可以选⽤⾼频性能好的独⽯电容。

?▲直插的SR5100肖特基⼆极管。

上图电路中的⼆极管VD应选⽤正向压降⼩、⾼频性能好的肖特基⼆极管,图中⽤的SR5100肖特基⼆极管的整流电流为5A,耐压值为100V。

若输出电流不⼤,亦可以使⽤3A的SR360肖特基⼆极管。

?▲功率电感的外形。

制作时,升压电感L选⽤47µH,⼯作电流≥5A的功率电感。

?▲铜散热⽚。

整个升压电路很简单,制作时全部元件可以焊接在万能板上。

若输出电流较⼩(数百mA)时,利⽤XL6009⾃⾝散热⽚散热即可(此时可以在XL6009⾃⾝散热⽚上多焊⼀些锡)。

辉芒微FT886x系列_LED驱动 非隔离 内置MOS 3W-40W_Rev0.8

辉芒微FT886x系列_LED驱动 非隔离 内置MOS 3W-40W_Rev0.8

D
C
on
fid
en
tia
以下是在本系统应用设计涉及到的专业参数名称
l
Fremont Micro Devices
2). 确定输入电容 C1 根据经验,当输入交流电压范围为 100 ~ 264V 时, 输入电容 C1 一般根据输入功率来选择, 其典型值为 2uF/W,由于输出为 60V120mA, Excel 表格中计算出 C1 推荐值为 17uF,在实际 应用中,为了降低成本,同时确保在 100Vac 输 入条件下能满足 60V120mA 输出规格,可选择 10uF ( 如 需 要 满 足 90Vac~265Vac 输 入 及 60V120mA 输出, 则输入 Bulk 电解电容需选择 15uF/400V);所以在设计表格的 C1 修正值中填 入数字 10。 3). 确定最低 BUS 电压和最高 BUS 电压 如图 16 所示,一般 AC 给电容 C1 充电时 间 Tc=3ms 左右,所以最低输入母线电压可以由 下式计算:
en
tia
l
AN886xx-A0-page4
在这里,
Fremont Micro Devices
一.应用设计举例
Preliminary FT886xx
系统整机转换效率估算值:90%; 将以上参数设定好填入设计表格中的输入部分。
1.设计步骤 在系统应用设计中,电感设计是最重要的一 个环节。在电感设计中,系统工作频率,磁芯最 大磁通密度以及系统工作模式是电感设计中需要 考 虑 的 主 要 因 素 。 下 面 以 一 个 使 用 FT886A 7.2W LED 球泡灯的驱动电源设计为例,详述了 设计步骤及 EXCEL 计算表格使用介绍。 表 3. 设计表格输入部分 描述: Vac_min:最小交流输入电压; Vac_max:最大交流输入电压; Vdc_min:输入母线电压最小值; Vdc_max:输入母线电压最大值; C1:主输入电容的容值; T:开关管工作周期; f:开关管工作频率; FL:交流输入电压频率; Ton:功率三极管开通时间; Tdis:输出电感放电时间; Lp:电感量; Ipk:内置 MOS 电流峰值; Vo:输出电压; Io:输出电流;

OC6702内置100V功率MOS升压型LED恒流驱动器

OC6702内置100V功率MOS升压型LED恒流驱动器

典型应用电路图概述 OC6702 是一款内置100V 功率NMOS 高效率、高精度的升压型大功率LED 恒流驱动芯片。

OC6702采用固定关断时间的控制方式,关断时间可通过外部电容进行调节,工作频率可根据用户要求而改变。

OC6702通过调节外置的电流采样电阻,能控制高亮度LED 灯的驱动电流,使LED 灯亮度达到预期恒定亮度。

在EN 端加PWM 信号,还可以进行LED 灯调光。

OC6702内部集成了VDD 稳压管,软启动以及过温保护电路,减少外围元件并提高系统可靠性。

OC6702采用ESOP8封装。

散热片内置接SW 脚。

特点 宽输入电压范围:3.6V~100V 内置100V 功率MOS 高效率:可高达95% 最大工作频率:1MHz FB 电流采样电压:250mV芯片供电欠压保护:3.2V关断时间可调 智能过温保护 软启动内置VDD 稳压管 应用LED 灯杯电池供电的LED 灯串 平板显示LED 背光 大功率LED 照明封装及管脚分配管脚定义管脚号管脚名描述1 GND 接地2 EN芯片使能,高电平有效;可做PWM调光脚。

3 COMP 频率补偿脚4 FB 输出电流检测反馈脚5 SW 功率MOS管漏极6 CS 输入限流检测脚7 TOFF 关断时间设置8 VDD 芯片电源极限参数(注1)符号描述参数范围单位VSW VSW端最大电压100 VVDD VDD端最大电压 5.5 V-0.3~VDD+0.3 VV MAX EN、COMP、FB、TOFF和CS脚的电压P ESOP8ESOP8封装最大功耗0.8 WT A工作温度范围-20~85 o CT STG存储温度范围-40~120 o CT SD焊接温度范围(时间小于30秒)240 o CV ESD静电耐压值(人体模型)2000 V注1:极限参数是指超过上表中规定的工作范围可能会导致器件损坏。

而工作在以上极限条件下可能会影响器件的可靠性。

内部电路方框图电特性(除非特别说明,V DD =5.5V ,T A =25o C)参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位电源电压 VDD 钳位电压 V DD IVDD<10mA 5.5 V 欠压保护电压 V DD_UVLOV DD 上升3.2 V 欠压保护迟滞 VDD_HYS0.5 V电源电流 工作电流 I OP F OP =200KHz 1.3 mA 待机输入电流 I INQ无负载,EN 为低电平200 uA输入峰值电流采样 过流保护阈值 V CS_TH240 250 260 mV输出电流采样 FB 脚电压 V FB240 250 260 mV关断时间 最小关断时间 T OFF_MINTOFF 脚无外接电容 620 nsEN 使能端输入 EN 端输入高电平0.4*V DDVEN 端输入低电平 0.8 V内置MOS 管 MOS 管耐压 VDS 100 V MOS 管导通内阻 RDSON VGS=5V120 m Ω过温保护过温调节OTP_TH135 oC应用指南 概述OC6702是一款内置100V 功率NMOS 升压型大功率LED 恒流驱动IC ,采用固定关断时间的峰值电流模式控制方式。

mos管升压典型电路

mos管升压典型电路

mos管升压典型电路Mos管升压典型电路引言Mos管升压典型电路是一种常见的电路设计,用于将输入电压提升到较高的电压。

本文将介绍Mos管升压电路的原理、特点以及应用。

一、Mos管升压电路的原理Mos管升压电路的原理基于Mos场效应管的特性。

Mos管是一种具有高电压和低电流的特点的半导体器件。

通过调整Mos管的工作状态,可以实现输入电压的升压。

Mos管升压电路一般由三个部分组成:输入电路、驱动电路和输出电路。

输入电路用于提供输入电压,驱动电路用于控制Mos管的工作状态,输出电路用于输出升压后的电压。

二、Mos管升压电路的特点1. 高效率:Mos管升压电路的转换效率较高,能够提供稳定的升压输出。

2. 快速响应:Mos管具有快速开关速度,能够实现快速响应的升压过程。

3. 可调性强:通过调整驱动电路中的控制信号,可以实现不同的升压倍数和电压范围。

4. 体积小:Mos管升压电路相对于其他升压电路来说,体积较小,适用于空间有限的应用场景。

三、Mos管升压电路的应用1. 电源升压:Mos管升压电路在电源设计中广泛应用,可以将低电压电源升压到需要的高电压,满足不同电器设备的供电需求。

2. LED驱动:Mos管升压电路可以用于LED驱动电路,将低电压的直流电源升压到适合LED工作的电压范围,保证LED正常工作。

3. 电力传输:Mos管升压电路在电力传输中也有一定的应用,可以将输电线路中的电压提升到更高的电压,减少输电线路的损耗。

结论Mos管升压电路是一种常见的电路设计,通过调整Mos管的工作状态,可以将输入电压提升到较高的电压。

它具有高效率、快速响应、可调性强和体积小的特点,广泛应用于电源升压、LED驱动和电力传输等领域。

随着科技的不断进步,Mos管升压电路的设计和应用将会越来越广泛。

FP5139 1.8-15V供电 异步外置MOS升压恒压,软启动可调

FP5139 1.8-15V供电 异步外置MOS升压恒压,软启动可调

FP5139O Overview产品概述FP5139是一种升压拓扑开关调节器控制IC。

FP5139包括用于驱动NPN 晶体管或N-MOS的图腾柱单输出级、用于将输出电压与反馈放大器进行比较的高精度参考电压(0.5V)、用于控制最小占空比的内部占空比时间控制、具有短路保护功能的可编程软启动和用于操作模式或待机模式的逻辑电平控制。

技术支持芯片咨询v :ic_xiaomoP parameter技术参数➢输入工作电压范围:1.8-12V➢反馈参考电压:0.5V(±2%)➢低电流消耗:工作模式下的5.5 mA➢低电流消耗:1μA处于待机模式➢工作频率:最大1MHz➢具有可调开关电流的图腾极输出(用于NPN晶体管或N通道MOSFET) ➢逻辑电平控制的备用模式功能➢输入低压欠压保护➢可编程软启动功能➢具有输出短路保护➢封装:TSSOP-8LA applications应用:数码相机、PDA、便携式设备等。

升压芯片:FP5207,FP5217,FP6291,FP6293,FP6296,FP6298,FP6276B,FP6277。

降压芯片:FP6195、FP6161,FP6168,FP6188,FP6150B,FP6151。

移动电源应用:FP6291,FP6296,FP5139,FP6276B,FP6277。

DC直流风扇应用:FP6291,FP6293。

蓝牙音响应用:FP6291,FP6298,FP6296。

高功率拉杆音响应用:FP5207,FP5217。

锂电源线性充电芯片:FP8102同步PWM充电芯片:FP8207,FP8208ALED驱动:FP7208,FP7209,FP7122,FP7123,FP7125,FP7195,FP7102,FP7103,FP8103。

电流检测与运放:FP130,FP135,FP136,FP355。

等等....深圳市雅欣控制技术有限公司,在芯片行业深耕二十载。

是Feeling和MST在深圳的一级代理商。

锂电池升压9V,12V芯片,高效率-PL7512A

锂电池升压9V,12V芯片,高效率-PL7512A

应用范围 ➢ 快充移动电源 ➢ 蓝牙音箱 ➢ 手持式产品 ➢ 充电器 ➢ 电子烟
PIN 脚功能
Name No. I/O
Description
LX
1 I 开关 MOS
LX
2 I 开关 M 提供内部电路与驱动 MOS
EN
4 I 开关控制,脚位不能空接
FB
5 I 反馈电压 1.2V
4
PULAN TECHNOLOGY CO., LIMITED
应用说明
电感平均电流(输入电流)
Vout × Iout(max) ILavg =
Vin × Eff
Vin 输入电压,Vout 输出电压,Iout(max)输出最大电流,Eff 转换效率
电感峰对峰值电流
ILpp
=
⎜⎝⎛
Vin Vout
⎟⎠⎞
L
=
⎜⎛ ⎝
Vin Vout
⎟⎞ 2 ⎠
⎜⎛ ⎝
Vout - Vin Fs × Iout(max)
⎟⎞⎜⎛ ⎠⎝
Eff r
⎟⎞ ⎠

电容与肖特基选用 MLCC 陶瓷电容选用 X5R,X7R 材质,不建议使用 Y5V 材质(內阻高,电容值随温度变化大); 肖特基选用低导通电压,平均电流大于输入与电感峰值电流,耐压大于输出电压的 1.5 倍。
R4 8.2k
C4 47nF
C10 10pF
R1 100k
R2 11k
C5
C6
C8
22uF/16V/X5R 22uF/16V/X5R 22uF/16V/X5R
应用元件 ➢ C1,C2,C5,C6,C8:输入与输出稳压滤波电容。 ➢ C9:HVDD 滤波电容。 ➢ C3:HVDD 经过內部稳压管到 Vcc 产生 5V,此电压会提供內部电路与驱动 MOS,需要加 稳压电容。

最全常见升压芯片电路设计选型及汇总

最全常见升压芯片电路设计选型及汇总

最全常见升压芯片电路设计选型及汇总升压芯片电路设计选型及汇总是电子工程师在设计电路时必须掌握的一项技能。

升压芯片电路设计主要是通过使用适当的芯片来提供所需的电压升高功能。

下面是一些常见的升压芯片电路设计选型及汇总。

2.LT1073
LT1073是一种高效的升压芯片,适用于低功率电源。

它可以提供高达12V的输出电压,具有很高的工作效率和较低的功耗。

3.XL6009
XL6009是一种具有高转换效率的升压芯片,可提供高达80V的输出电压。

它适用于需要高电压输出的应用,如LED照明灯。

4.MT3608
MT3608是一种常见的升压芯片,可以提供高达28V的输出电压。

它具有低功耗和较高的转换效率,适用于低功率电源应用。

6.MAX1724
MAX1724是一种升压芯片,适用于低功率电源应用。

它可以提供高达10V的输出电压,具有低功耗和高效率。

8.ADP1613
ADP1613是一种高效的升压芯片,适用于低功率电源应用。

它可以提供高达15V的输出电压,具有低功耗和高效率。

总结:
在选择升压芯片电路设计时,需要考虑所需的输出电压范围、功率需求、输入电流和转换效率等因素。

以上列举的芯片型号都是常见的升压芯片,适用于不同的应用场景。

根据具体的设计需求和性能要求,选择合适的芯片是实现高效升压电路设计的关键。

锂电池3.7V升压5V2A,2.4A芯片-PS7526

锂电池3.7V升压5V2A,2.4A芯片-PS7526

概述PS7526是一颗高效同步升压转换芯片,内部集成低阻抗功率Mos 。

输入3.6V ,输出电压5.0V ,输出电流2.4A 时效率可达90%。

具有短路保护功能,内部集成软启动电路,无需外部补偿电容,外部反馈网络。

PS7526为移动电源等高效升压应用领域提供了新的解决方案。

特点◼ 输入3.6V ,输出电压5.0V ,输出电流2.4A 时效率高达90% ◼ 工作频率500kHZ◼ 内部集成同步整流MOS ,无需外部整流二极管 ◼ 外部反馈网络,输出电压可调节 ◼ 恒流短路保护模式 ◼ 电流模式,响应速度快 ◼内部过流保护功能应用◼ 锂电池供电 ◼ 智能手机◼ 平板电脑等智能充电领域典型应用电路深圳市百盛新纪元半导体PS7526 IC代理,技术支持引脚定义SOP8-EP效率图引脚描述VINFunctional Block DiagramAbsolute Maximum RatingsRecommended Operating ConditionsElectrical Characteristics(Vout=5.0V,VIN=3.6V,L=2.2μH,Cin=47μF,Cout=47μF;Tj=25℃ unless otherwise specified)功能描述:PS7526是一颗电流模式高效同步升压转换芯片。

采用固定频率500kHZ,脉冲宽度调节控制模式调节输出电压。

内置高边功率Mos 导通电阻低至42mΩ,低边功率Mos 导通电阻低至39mΩ。

为用户在锂电池供电,5V 输出领域提供高效解决方案。

软启动电路:PS7526内部集成软启动功能和恒流启动模式,当输出电压低于输入电压时限制高边功率Mos 电流,缓慢对输出电容充电限制输出电压过冲。

当输出电压高于输入电压时,采用软启动模式,限制占空比使输出电压在可控范围内,防止输出电压过高,损坏芯片。

短路保护:当输出电压低于输入电压的80%时,进入短路保护状态,限制高边功率Mos 输出电流。

FMD电源管理芯片方案 (2)

FMD电源管理芯片方案 (2)
n 90~264V
33-58V/320mA 0.92
o 60*25*20mm 86% CN/A
FT825_7S330mA_CE
1、高能效,高功率因数; 2、体积小,原器件少,成本低; 3、保护功能齐全,可靠限流保护; 4、满足UL、CE、3C认证要求;
93% N/A 176~264V 150V/120mA 35.5*20*14mm 93% N/A
FT886A_80V/150mA
1、高效能,高精度,输入线性调整 率<±3%,LED恒流精度<±3%; 2、内置MOS,只需一个单绕组 EPC13变压器,外围元件少; 3、多重保护,可靠性高;
FT886A_150V/120mA
FMD LED方案资料
非隔离,不带PF
应用
功率
结构 工作模式
基本参数
方案名称
优势
照片
球泡灯
3.6W
非隔离
输入电压范围: 输出电压/电流: 尺寸: 典型效率: EMI:
90~264V 120V/30mA 30.1*19.4mm
85% pass
FT883A_120V/30mA
1、Buck-Boost,内置MOS,超低成 本,只需EE10电感,外围简单; 2、高效能,高精度,输入线性调整率< ±5%,LED恒流精度<±3%; 3、满足EMI测试标准,满足欧洲最新 PF值标准; 4、多重保护,可靠性高;
1、全电压输入范围:90~264V,可 满足80V高电压输出;
非隔离 PF: 尺寸:
0.92 150*16*10mm
FT8900DD_80V/200mA
2、高效率>90% @115/230V; 3、内置MOS,DIP8封装,外围元

FM9688_移动电源管理IC

FM9688_移动电源管理IC
FM9688 (文件编号:S&CIC1676)
移动电源管理 IC
一、 概述
FM9688A/B 是一款专门为移动电源设计的集成电源管理 IC,集成了锂电池充电管理,高效率的升压输出, LED 灯指示和按键功能模块。
FM9688A/B 是以线性方式进行充电,集成了包括涓流充电,恒流充电和恒压充电全过程的充电方式,浮充电 压精度在全温度范围可达±1%,并且具有充电电流纹波小,输出电压稳定等优点。
3. 自动负载升压功能(FM9688B) FM9688B 具有自动检测负载升压功能,检测到负载自动开启升压输出。FM9688A 未配置自动检
测负载功能。
4. 输入插入或者拔掉启动升压功能(可选择) 输入电源上电、掉电电池自动开启升压输出。
5. 输出限流功能 当输出电流超过 IOUT-LIM 时,输出电压随之下降,限制输出电流。
FM9688B 配置了自动识别负载功能,检测到负载自动开启升压输出; FM9688A/B 目前提供 SOP8L 的封装形式。
二、 产品特点
◆ 外围电路简单,无需外部 MOS ◆ 可编程线性充电电流,最大 600mA@5V ◆ 低待机电流,FM9688A 待机电流约 21uA,FM9688B 待机电流约 18uA ◆ 充饱电压可选,充电浮充电压精度±1% ◆ 软启动功能 ◆ 涓流/恒流/恒压三段式充电 ◆ 可以实现最大 500mA@5V 升压输出 ◆ 整体方案升压最高效率可达 90% ◆ 输入电源上电、掉电电池自动升压供电 ◆ 输出限流保护、短路保护等多重保护设计 ◆ 空载检测关闭升压功能,空载判断电流约 8mA ◆ 两种按键模式可选 ◆ 2 颗 LED 灯充放电指示和异常指示,多种模式可选 ◆ 封装形式:SOP8L
DRED TAP OUT

FS4059A夸克微芯片规格书

FS4059A夸克微芯片规格书

是一款支持双节串联锂离子电池的升压充电管理芯片,具有完善的充电保护功能。

针对不同的应用场合,芯片可以通过方便地调节外部电阻的阻值来改变充电电流的大小。

针对不同种类的适配器,芯片内置自适应电流调节环路,智能调节充电电流大小,从而防止充电电流过大而拉挂适配器的现象。

该芯片将功率管内置从而实现较少的外围器件并节约系统成本。

FS4059A 的升压开关充电转换器的工作频率为600KHz ,最大2A 输入充电,转换效率为91%。

FS4059A 输入电压为5V,内置自适应环路,可智能调节充电电流,防止拉挂适配器输出可匹配所有适配器。

FS4059A 提供ESOP8封装(底部焊盘)。

升压充电效率最高91% 充电电流外部可调自动调节输入电流,匹配所有适配器 支持LED 充电状态指示 内置功率MOS 600KHz 开关频率输出过压,输出短路保护 输入欠压,输入过压保护 过温保护 概要特性应用领域880MA充电典型电路应用图FS4059A FS4059A 内部集成功率MOS管。

小家电智能音箱移动电源/PD电子烟●●●●充电器●●●●●●●●●●●5V2A 10W输入高效开关充电,充电1A电流 便携设备●●ESD 4KV 5V 输入升压双节锂电池充电管理芯片可定制白板◼ 电源走线要尽可能宽,需单独从电源走线为IC 供电; ◼ BOOST 模块主要的电路回路走线应该短而且粗; ◼ LX 走线要短,以减少EMI ;◼ 电感和肖特基应该直接相连,连接线短而且粗,避免过孔跳线; ◼ 电源端的电容应尽可能靠近IC 放置; ◼ IC 的底部散热片是功率地,应于大片的地相连,底部散热片一定要与地可靠焊接; ◼IC 放置的地方,需要有散热设计,IC 底部散热片与PCB 板的散热区域相连,并通过多打孔和地相连; ◼ 电感,肖特基和IC ,IC 正常工作情况下,是主要发热源,可尽量做好散热处理。

PCB LAYOUT 注意事项引脚定义EPADPOWERFS4059A ESOP8◼TYPE-C输入,输入端必须增加25V-47UF的电解电容或钽电容。

HM6282内置MOS升压型大功率LED恒流驱动器典型应用电路图

HM6282内置MOS升压型大功率LED恒流驱动器典型应用电路图

参数 输入电压 芯片电源电压 系统工作频率
符号 VIN VDD FOP
最小值
典型值
最大值 50
单位 V V KHz
4.5
6.8
7 1000
3 of 5
HM6282 内置 MOS 升压型大功率 LED 恒流驱动器
调光频率 FPWM 250 1000 Hz
注 2:推荐工作范围是指在该范围内,器件功能正常,但并不完全保证满足个别性能指标。
5 of 5
HM6282 内置 MOS 升压型大功率 LED 恒流驱动器
封装信息
SOP14 封装参数
6 of 5
EN 使能端输入
EN 端输入高电平 EN 端输入低电平 大于 1.1V 无效 0.9 1.0 1.1 0.2 V V
低电平有效
典型升压豪华型应用电路(可设定恒流和恒压输出。带输入欠压保护功能和空载保护)
图 1:VIN=12~24VDC VOUT=38V.IOUT=0.65A 典型升压
经济型应用电路图 3(恒流精度为±3%.空载保护)
温度保护
温度 130 PC
o
短路保护
工作电流 IN:12VDC 0.8 mA
内置功率 MOS 管
最大漏源电压 导通内阻 MOS 管导通阈值 VDS_MAX RDS(ON) VTH VGS=4.5V , ID=8A 1 60 48 2.5 V mΩ V
4 of 5
HM6282 内置 MOS 升压型大功率 LED 恒流驱动器
电气特性 除非特别说明,VDD=5.6V,TA=25oC
参数
符号
测试条件 电源电压
最小值
典型值
最大值
单位
最大输入电压 欠压保护电压

大电流升压型开关电源芯片 外置mos

大电流升压型开关电源芯片 外置mos

大电流升压型开关电源芯片外置mos
大电流升压型开关电源芯片是一种常见的电子器件,用于将输入电压升高并输出给负载。

在设计中,常常需要外置mos管来增强芯片的输出能力。

外置mos管可以提供更大的电流输出,以满足高功率负载的需求。

外置mos管通常被连接在芯片的输出端,用于放大输出信号并提供更高的电流。

它起到了电源芯片与负载之间的连接桥梁作用。

通过外置mos管的加入,电源芯片可以实现更大的输出功率,同时保持较高的效率。

在选择外置mos管时,需要考虑到其参数与电源芯片的匹配。

首先,外置mos管的额定电流和电压应该大于电源芯片的输出要求。

其次,外置mos管的导通电阻应该较小,以减小功耗和温升。

此外,还需要注意外置mos管的开关速度和导通损耗,以保证电源芯片的稳定性和效率。

通过合理选择外置mos管,可以增强大电流升压型开关电源芯片的输出能力,满足高功率负载的需求。

同时,外置mos管的使用还可以提高系统的可靠性和稳定性。

因此,在电源芯片设计中,外置mos管的应用是非常重要的。

外置mos管在大电流升压型开关电源芯片中起到了至关重要的作用。

它可以增强芯片的输出能力,提供更大的电流输出。

在选择外置
mos管时,需要考虑其与电源芯片的匹配,以保证系统的稳定性和效率。

通过合理应用外置mos管,我们可以设计出高性能的电源系统,满足各种高功率负载的需求。

mos管自激升压电路

mos管自激升压电路

mos管自激升压电路
MOS管自激升压电路是一种常用的电路配置,通过MOS管的自激作用来实现电压的升压功能。

该电路主要由MOS管、电感、电容和负载组成。

电路工作原理如下:
1. 开关状态:初始时,MOS管处于导通状态,电流通过电感
和MOS管流过负载,此时有一定的电压降。

同时,电容C开
始充电。

2. 切换状态:当MOS管导通电流通过电感达到一定数值时,
切换器切换MOS管的状态,使其截止。

此时电感电流开始减小。

电感的磁场能量开始释放,产生一个瞬态电压,驱动负载直接升高一段电压。

3. 能量存储状态:当MOS管截止时,电容开始放电,向电感
提供电能,同时磁场的能量也开始存储在电感中。

4. 再次开关状态:当电容充电过程结束,电感电流达到最大值时,切换器再次切换MOS管的状态,使其导通。

此时电感的
磁场能量开始释放,进一步提供能量给负载,实现电压的升压。

通过不断循环上述步骤,MOS管自激升压电路可以实现稳定
的升压功能。

通过调整电容和电感的参数,可以控制电路的输出电压。

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n 5V 到40V 宽输入电压范围 n 0.22V 输出电流采样电压 n 输出可驱动2~10串1W LED n 固定400KHz 开关频率 n 最大2A 开关电流 n SW 内置过压保护功能 n 93%以上转换效率 n EN 脚TTL 关断功能 n 出色的线性与负载调整率 n 内置功率MOS n 内置频率补偿功能
n 内置软启动功能 n 内置热关断功能 n 内置电流限制功能 n SOP-8L 封装
应用
n 升压恒流驱动 n 显示器LED 背光 n 通用LED 照明
图1. XL6013封装
器,可工作在DC5V 到40V 输入电压范围,低纹波,内置功率MOS 。

XL6013内置固定频率振荡器与频率补偿电路,简化了电路设计。

当输入电压大于或等于12V 时,XL6013可驱动5至10串1W LED 。

PWM 控制环路可以调节占空比从0~90%之间线性变化。

内置过电流保护功能与EN 脚逻辑电平关断功能。

内部补偿模块可以减少外围元器件数量。

400KHz 60V 2A 开关电流升压型LED 恒流驱动器
XL6013
引脚配置
SW
EN FB VIN NC
SW GND
GND
图2. XL6013引脚配置
表1.引脚说明
引脚号 引脚名 描述
1 EN 使能引脚,低电平关机,高电平工作,悬空时为高电平。

2 VIN 电源输入引脚,支持5V 到40V DC 范围电压输入,需要在VIN 与GND 之间并联电解电容以消除噪声。

3 FB 输出电流采样引脚,FB 参考电压为0.22V 。

4 NC 无连接。

5,6 SW 功率开关输出引脚,SW 是输出功率的开关节点。

7,8 GND
接地引脚。

400KHz 60V 2A开关电流升压型LED 恒流驱动器XL6013 方框图
图3. XL6013方框图
典型应用
L1 47uH/2A
图4. XL6013系统参数测量电路
400KHz 60V 2A开关电流升压型LED恒流驱动器XL6013
订购信息
产品型号打印名称封装方式包装类型
XL6013E1 XL6013E1 SOP-8L 2500只每卷
XLSEMI无铅产品,产品型号带有“E1”后缀的符合RoHS标准。

绝对最大额定值(注1)
参数符号值单位
输入电压Vin -0.3到45 V
输出开关引脚电压V SW-0.3到60 V
电流采样引脚电压V FB-0.3到VIN V
功耗P D内部限制mW
热阻(SOP-8L)
R JA100 ºC/W (结到环境,无外部散热片)
最大结温T J-40到150 ºC
操作结温T J-40到125 ºC
贮存温度范围T STG-65到150 ºC
引脚温度(焊接10秒) T LEAD260 ºC ESD (人体模型) >2000 V
注1: 超过绝对最大额定值可能导致芯片永久性损坏,在上述或者其他未标明的条件下只做功能操作,在绝对最大额定值条件下长时间工作可能会影响芯片的寿命。

400KHz 60V 2A开关电流升压型LED恒流驱动器XL6013
XL6013电气特性
T a = 25℃;除非特别说明。

符号参数条件最小值典型值最大值单位图4的系统参数测量电路
VFB CS电压Vin =5V到12V,V out=24V
Iload=0.1A
213.4 220 226.6 mV
ŋ效率Vin=12V ,V out=24V
Iout=0.3A
- 93 - %
电气特性(直流参数)
Vin = 12V, GND=0V, Iout=0.1A;T a = 25℃;其他任意,除非特别说明。

参数符号条件最小值典型值最大值单位输入电压Vin 5 40 V 关机电流I STBY VEN=0V 70 100 uA
静态电源电流I q
V EN=2V
VFB=VIN
2.5 5 mA
SW过压保护V SW VFB=0V 60 V 振荡频率Fosc 320 400 480 KHz 开关电流限值I L V FB=0 2 A
输出功率MOS Rdson Vin=12V,
I SW=2A
110 120 mohm 高 1.4 V
EN脚阀值电压VEN
低0.8 V
IH 3 10 uA EN脚漏电流
IL 3 10 uA 最大占空比D MAX V FB=0V 90 %
400KHz 60V 2A开关电流升压型LED恒流驱动器XL6013 系统典型应用(推荐输出电压安全工作范围)
图5.最大输出电压(IOUT=100mA) 图6.最大输出电压(IOUT=200mA)
图7.最大输出电压(IOUT=300mA) 图8.最大输出电压(IOUT=400mA)
400KHz 60V 2A 开关电流升压型LED 恒流驱动器 XL6013
系统典型应用(VIN=5V~40V, IOUT=150mA)
L1 47uH/2A
图9.XL6013系统参数测量电路(VIN=5V~40V,IOUT=150mA )
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
50
55606570758085
9095
100
Efficiency VS LED String
E f f i c i e n c y (%)
LED String(N*1W)
图10. XL6013系统效率曲线
400KHz 60V 2A 开关电流升压型LED 恒流驱动器 XL6013
典型系统应用(VIN=5V~30V, IOUT=320mA)
L1 47uH/2A
图11. XL6013系统参数测量电路(VIN=5V~30V ,IOUT=320mA )
40
4550556065707580
859095100
Efficiency VS LED String
E f f i c i e n c y (%)
LED String(N*1W)
图12. XL6013系统效率曲线
400KHz 60V 2A开关电流升压型LED恒流驱动器XL6013 典型系统应用(SEPIC LED驱动器)
图13. XL6013系统参数测量电路(升降压LED驱动)
400KHz 60V 2A开关电流升压型LED恒流驱动器XL6013
典型系统应用(PWM DIMMING)
典型应用中添加合适的外围元器件可实现PWM调光功能,改变PWM信号的占空比可得到不同的LED电流。

PWM信号高电平大于3.3V(参考地,小于VIN),低电平小于0.2V (参考地)。

图14. XL6013系统参数测量电路(PWM DIMMING)
典型系统应用(LED OVP)
典型应用中添加合适的外围元器件可实现LED开路保护功能,选择不同的稳压二极管可将LED开路后的输出电压限制在合适范围,稳压二极管电压按照输出LED灯两端电压的1.3倍进行选取。

Datasheet 400KHz 60V 2A 开关电流升压型LED 恒流驱动器
XL6013
Rev 1.0
11
物理尺寸
SOP-8L
Datasheet 400KHz 60V 2A开关电流升压型LED恒流驱动器XL6013
特点
n5V到40V宽输入电压范围n0.22V输出电流采样电压n输出可驱动2~10串1W LED n固定400KHz开关频率
n最大2A开关电流
n SW内置过压保护功能
n93%以上转换效率
n EN脚TTL关断功能
n出色的线性与负载调整率n内置功率MOS
n内置频率补偿功能
n内置软启动功能
n内置热关断功能
n内置电流限制功能
n SOP-8L封装描述
XL6013是一款升压恒流型LED驱动器,可工作在DC5V到40V输入电压范围,低纹波,内置功率MOS。

XL6013内置固定频率振荡器与频率补偿电路,简化了电路设计。

当输入电压大于或等于12V时,XL6013可驱动5至10串1W LED。

PWM控制环路可以调节占空比从0~90%之间线性变化。

内置过电流保护功能与EN脚逻辑电平关断功能。

内部补偿模块可以减少外围元器件数量。

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