晶闸管中频电源逆变可控硅的选定

晶闸管知识

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(2) 反向重复峰值电压 URRM
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门极开路，元件额定结温时，从晶闸管阳极伏安特性反向阻断高阻区(图 1-10 中曲线④) 反向漏电流急剧增长的拐弯处所决定的的电压称为反向不重复峰值电压 URSM，这个电压是不能长期重复施加的。取反向不重复峰值电压的 90%定义为反向重复峰值电压 URRM，这个电压允许重复施加。
(2) 线路采用过流检测装置，由过流信号控制触发器抑制过流，或接入过流继电器。 (3) 安装快速熔断器。快速熔断器的动作时间要求在 10ms 以内，熔断体的额定电流 IKR 可
按以下原则选取： 1.57IT(AV)≥IKR≥IT IT(AV)为元件额定电流，IT 为元件实际工作电流有效值四. 晶闸管门极触发参数表中所给晶闸管 IGT、VGT 为能触发元件至通态的最小值，实际使用中，晶闸管门极触发 IGT、VGT 应远大于此值。应用中门极触发电流波形对晶闸管开通时间、开通损耗以及 di/dt 承受能力，都有较大影响。为保证元件工作在最佳状态，并增强抗干扰性能，对仪元公司所有晶闸管，建议门极触发脉冲电流幅值：IGM=2～5A(<10A)，上升率：diG/dt≥2A/μs，上升时间： tr≤1μs。即采用极陡前沿的强触发脉冲(见图四)。
流过其有效值 I 的 2-3 倍来考虑，即
IT(AV)=(2-3)I/1.57 假设逆变器直流输入电流为 Id，则所选器件 I 为 T(AV) IT(AV)=(2-3)×Id/(1.57 )
(3) 关断时间 tq
并联逆变线路中，KK 元件的关断时间选择要根据触发引前时间 tf 和换流时间 tr 来决定。一般取：
(4) 通态平均电压 UT(AV)
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晶闸管(可控硅) 阻容吸收元件的选择

晶闸管(可控硅)阻容吸收元件的选择一、晶闸管(可控硅)两端为什么并联电阻和电容在实际晶闸管(可控硅)电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。

我们知道，晶闸管(可控硅)有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。

它表明晶闸管(可控硅)在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管(可控硅)从断态转入通态的最低电压上升率。

若电压上升率过大，超过了晶闸管(可控硅)的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。

即使此时加于晶闸管(可控硅)的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。

因为晶闸管(可控硅)可以看作是由三个PN结组成。

在晶闸管(可控硅)处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。

当晶闸管(可控硅)阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这个电流起了门极触发电流作用。

如果晶闸管(可控硅)在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管(可控硅)误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。

因此，对加到晶闸管(可控硅)上的阳极电压上升率应有一定的限制。

为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管(可控硅)安全运行，常在晶闸管(可控硅)两端并联RC阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。

因为电路总是存在电感的(变压器漏感或负载电感)，所以与电容C 串联电阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管(可控硅)。

同时，避免电容器通过晶闸管(可控硅)放电电流过大，造成过电流而损坏晶闸管(可控硅)。

由于晶闸管(可控硅)过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。

RC阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。

二、整流晶闸管(可控硅)阻容吸收元件的选择电容的选择:C=(2.5-5)×10的负8次方×IfIf=0.367IdId-直流电流值如果整流侧采用500A的晶闸管(可控硅)可以计算C=(2.5-5)×10的负8次方×500=1.25-2.5mF选用2.5mF，1kv 的电容器电阻的选择：R=((2-4) ×535)/If=2.14-8.56选择10欧PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的负12次方×R)/2Pfv=2u(1.5-2.0)u=三相电压的有效值If----正向电流PR---- 电阻功率PfV--- 额定功率fc--- 不是符号！是f*c，就是频率*容值！阻容吸收回路在实际应用中，RC的时间常数一般情况下取1~10毫秒。

可控硅电路选型分析

一、可控硅半导体结构及其工作原理：以单向可控硅为例晶闸管(Thyristor)又叫可控硅T在工作过程中，它的阳极A和阴极K与电源和负载连接，组成晶闸管的主电路，晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接，组成晶闸管的控制电路。

晶闸管的工作条件：1. 晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受和种电压，晶闸管都处于关短状态。

2. 晶闸管承受正向阳极电压时，仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。

3. 晶闸管在导通情况下，只要有一定的正向阳极电压，不论门极电压如何，晶闸管保持导通，即晶闸管导通后，门极失去作用。

4. 晶闸管在导通情况下，当主回路电压（或电流）减小到接近于零时，晶闸管关断。

晶闸管是四层三端器件，它有J1、J2、J3三个PN结图1，可以把它中间的NP分成两部分，构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管图2当晶闸管承受正向阳极电压时，为使晶闸管导铜，必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。

图2中每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基极电流。

因此，两个互相复合的晶体管电路，当有足够的门机电流Ig流入时，就会形成强烈的正反馈，造成两晶体管饱和导通，晶体管饱和导通。

设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2；发射极电流相应为Ia和Ik；电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，设流过J2结的反相漏电电流为Ic0,晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0 或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若门极电流为Ig,则晶闸管阴极电流为Ik=Ia+Ig从而可以得出晶闸管阳极电流为：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1—1）式硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改变而急剧变化如图3所示。

当晶闸管承受正向阳极电压，而门极未受电压的情况下，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2)很小，故晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0 晶闸关处于正向阻断状态。

浅析晶闸管参数选择

浅析晶闸管参数选择晶闸管是一种常用的电子器件，它具有可控开关和放大功率的特性，被广泛应用于电力系统、变频调速、电磁加热等领域。

在选择晶闸管参数时，需要考虑很多因素，包括控制电压、最大正向电流、最大反向电压、导通压降、关断时间等。

本文将浅析晶闸管参数选择的基本原则和注意事项。

一、控制电压控制电压是指晶闸管的触发电压，也称为开启电压。

一般来说，控制电压越低，晶闸管的触发灵敏度越高，对外部触发脉冲的抗干扰能力也越强。

在选择晶闸管参数时，需要根据具体的控制电压要求进行选择。

二、最大正向电流和最大反向电压最大正向电流和最大反向电压是晶闸管的两个重要参数，它们决定了晶闸管能够承受的最大电流和最大电压。

在实际应用中，需要根据负载的电流和电压要求来选择晶闸管的最大正向电流和最大反向电压，以确保晶闸管能够正常工作并具有足够的安全裕量。

三、导通压降晶闸管的导通压降是指晶闸管在导通状态下的电压降，也称为正向压降。

导通压降越小，晶闸管的导通损耗就越小，因此在选择晶闸管参数时，需要尽量选择导通压降较小的型号，以提高系统的能效。

四、关断时间晶闸管的关断时间是指晶闸管在导通状态切换到关断状态所需的时间，也称为关断时间。

关断时间越短，晶闸管的开关速度就越快，对系统的稳定性和动态响应能力就越好。

因此在选择晶闸管参数时，需要根据实际的开关速度要求来选择合适的型号。

除了以上四个基本参数外，还有很多其他参数需要考虑，在实际选择晶闸管时需要全面考虑各种参数之间的相互影响，综合分析各种因素来选择合适的晶闸管型号，以确保系统的稳定性、可靠性和高效性。

晶闸管参数选择是一个复杂的工程，需要综合考虑各种因素，同时也需要根据具体的应用场景来进行选择。

希望本文能够对读者在晶闸管参数选择方面有所启发，帮助大家更好地进行晶闸管的选型和应用。

【浅析晶闸管参数选择】。

浅析晶闸管参数选择

浅析晶闸管参数选择
晶闸管是一种常用的功率电子器件，其广泛应用于各种电力控制电路中。

晶闸管的参数选择对于电路的性能和稳定性具有重要影响。

本文将从电流和电压能力、触发电流和触发电压以及频率响应等方面浅析晶闸管参数的选择。

首先是电流和电压能力。

晶闸管在工作时会承受较大的电流和电压，因此其参数选择应考虑到电路中的最大工作电流和最大工作电压。

晶闸管的额定电压应大于电路中的最大工作电压，以确保不会出现击穿现象。

而额定电流应大于电路中的最大工作电流，以避免晶闸管过载损坏。

其次是触发电流和触发电压。

晶闸管的触发电流是指晶闸管进入导通状态所需的最小电流，而触发电压是指晶闸管进入导通状态所需的最小电压。

在参数选择时，应尽量选择触发电流和触发电压较低的晶闸管，这样可以减小控制电路的功耗，并提高电路的响应速度。

最后是频率响应。

晶闸管的频率响应是指晶闸管能够承受的最高工作频率。

在参数选择时，应根据电路的工作频率选择对应的晶闸管，以确保能够正常工作并且不会由于频率过高而损坏。

晶闸管参数的选择应根据电路的需求来确定。

对于电流和电压能力，选择应考虑电路的最大工作电流和最大工作电压；对于触发电流和触发电压，应尽量选择较低的参数以提高电路的性能和响应速度；对于频率响应，选择应根据电路的工作频率来确定。

通过合理选择晶闸管参数，可以确保电路的安全稳定运行。

浅析晶闸管参数选择

浅析晶闸管参数选择
晶闸管参数选择是指在设计电路时，根据电路的特点和需要，选择合适的晶闸管参数，以使电路获得最佳的性能和可靠性。

晶闸管有许多参数，如电压能力、电流能力、最大绝缘电压、最大耗散功率、导通压降、反向漏电流等。

以下为一些重要的晶闸管参数选择的浅析：
1. 电压能力：选择晶闸管时必须要考虑到待控制电路的最大电压。

一般情况下，在
选择晶闸管时，该器件的电压等级应至少比待控制电路的最大电压高20%。

3. 最大绝缘电压：即晶闸管的绝缘电阻和最大反向电压。

在选择晶闸管时，必须考
虑到晶闸管在电路中的位置和被控制的电源，以及周围环境的情况，选择符合实际情况要
求的最大绝缘电压。

4. 最大耗散功率：晶闸管在控制电路中需要释放大量的功率，因此最大耗散功率是
非常重要的参数。

在实际选择中，应根据待控制电路中的功率和晶闸管的特性来决定选用
的晶闸管的最大耗散功率。

5. 导通压降：选择晶闸管时，也要考虑到其导通压降的参数。

导通压降一般是晶闸
管的额定值，不能超过这个额定值，否则将会造成电路的不稳定和不可靠。

6. 反向漏电流：晶闸管的反向漏电流表示器件的导通状态下，带反向电压时的电流
大小，这一参数应该越小越好。

如果反向漏电流较大，会影响晶闸管的稳定性，导致电路
故障。

晶闸管可控硅阻容吸收元件的选择

晶闸管可控硅阻容吸收元件的选择TPMK standardization office【 TPMK5AB- TPMK08- TPMK2C- TPMK18】一、晶闸管(可控硅)两端为什么并联电阻和电容在实际晶闸管(可控硅)电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。

我们知道，晶闸管(可控硅)有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。

它表明晶闸管(可控硅)在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管(可控硅)从断态转入通态的最低电压上升率。

若电压上升率过大，超过了晶闸管(可控硅)的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。

即使此时加于晶闸管(可控硅)的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。

因为晶闸管(可控硅)可以看作是由三个PN 结组成。

在晶闸管(可控硅)处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。

当晶闸管(可控硅)阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这个电流起了门极触发电流作用。

如果晶闸管(可控硅)在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管(可控硅)误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。

因此，对加到晶闸管(可控硅)上的阳极电压上升率应有一定的限制。

为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管(可控硅)安全运行，常在晶闸管(可控硅)两端并联RC阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。

因为电路总是存在电感的(变压器漏感或负载电感)，所以与电容C串联电阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管(可控硅)。

同时，避免电容器通过晶闸管(可控硅)放电电流过大，造成过电流而损坏晶闸管(可控硅)。

由于晶闸管(可控硅)过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。

RC阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。

中频炉的基础知识晶闸管的工作原理基础知识晶闸管的工作原理晶闸管承

中频炉是一种利用电磁感应加热物料的设备，它的工作原理是通过中频电源产生一个固定频率的交流电，并通过线圈产生一个变化的磁场。

当被加热的物料放置在这个磁场中时，物料中的导电体（如金属）会受到磁场的影响而产生涡流。

涡流在导体中流动时会产生热量，从而加热物料。

可控硅（晶闸管）在中频炉中起到整流和逆变的作用，是中频电源的核心部件。

其工作原理是通过控制晶闸管的触发信号来实现对电源输出电压的控制。

在正向偏置条件下，当晶闸管的触发电流达到一定阈值时，晶闸管会自动导通，使电源输出电压上升至额定值。

当控制信号停止或逆向偏置时，晶闸管自动关闭，电源输出电压下降至零。

通过调节控制信号的时序和触发条件，可以实现对中频电源的输出电压进行精确的调节。

具体来说，晶闸管在中频电源中的作用可以分为整流和逆变两个阶段：
整流阶段：将三相交流电通过一个三相桥式整流电路，转换成直流电流。

经过滤波后，通过逆变器将直流电转换为单相中频交流电以供给负载使用。

逆变阶段：通过一个逆变桥将直流电转换为交流电，并产生中频脉冲交流电。

这个阶段需要精确控制触发信号的时序和触发条件，以实现对电源输出电压的精确调节。

在中频炉的应用中，通过调节中频电源的输出电压和频率，可以实现快速、均匀地加热物料的目的。

同时，可控硅（晶闸管）在
中频炉中的应用，使得中频炉的效率、可靠性、稳定性和调节精度得到了很大的提高。

晶闸管选用方法

晶闸管选用方法
晶闸管是一种电子元器件，它广泛应用于电力电子控制领域。

晶闸管的选用方法非常重要，直接影响设备的性能和可靠性。

以下是一些晶闸管选用方法的建议：
1. 根据电路的功率和电压要求选择晶闸管的额定电压和电流。

晶闸管的额定电压和电流必须能够满足电路的要求，否则会引起设备故障或损坏。

2. 考虑晶闸管的开关速度。

晶闸管的开关速度越快，设备的效率和响应速度就越高。

但是，开关速度过快也会增加设备的噪声和EMI（电磁干扰）。

3. 考虑晶闸管的耐压和耐电流能力。

晶闸管的耐压和耐电流能力越高，设备的可靠性就越高。

4. 考虑晶闸管的温度容限。

晶闸管的温度容限必须能够适应设备的工作环境和负载要求，否则会引起设备故障。

5. 考虑晶闸管的价格和可获得性。

晶闸管的价格和可获得性必须符合设备的预算和生产计划。

综上所述，晶闸管的选用方法需要综合考虑电路要求、开关速度、耐压和耐电流能力、温度容限、价格和可获得性等因素，才能选出最适合设备的晶闸管。

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晶闸管参数应该如何选择

嘿儿哈 2015/07/09 文章来自网络转载晶闸管也就是可控硅，国外简称为SCR元件，是硅整流装置中最主要的器件，它的参数选择是否合理直接影响着设备运动性能。

合理地选用可控硅可提高运行的可靠性和使用寿命，保证生产和降低设备检修成本费用。

在一般情况下，装置生产厂图纸提供的可控硅的参数最主要两项：即额定电流(A)和额定电压(V)，使用部门提出的器件参数要求也只是这两项，在变频装置上的快速或中频可控硅多一个换向关断时间(tg)参数，在一般情况下也是可以的。

但是从提高设备运行性能和使用寿命的角度出发，我们在选用可控硅器件时可根据设备的特点对可控硅的某一些参数也作一些挑选。

根据可控硅的静态特性，对可控硅器件参数的选择提出如下几点讨论。

1 选择正反向电压可控硅在门极无信号，控制电流Ig为0时，在阳(A)一一阴(K)极之间加(J2)处于反向偏置，所以，器件呈高阻抗状态，称为正向阻断状态，若增大UAK而达到一定值VBO，可控硅由阻断突然转为导通，这个VBO值称为正向转折电压，这种导通是非正常导通，会减短器件的寿命。

所以必须选择足够正向重复阻断峰值电压(VDRM)。

在阳一一阴极之间加上反向电压时，器件的第一和第三PN结(J1和J3)处于反向偏置，呈阻断状态。

当加大反向电压达到一定值VRB时可控硅的反向从阻断突然转变为导通状态，此时是反向击穿，器件会被损坏。

而且V BO和V RB值随电压的重复施加而变小。

在感性负载的情况下，如磁选设备的整流装置。

在关断的时候会产生很高的电压( ∈=-Ldi/dt)，如果电路上未有良好的吸收回路，此电压将会损坏可控硅器件。

因此，器件也必须有足够的反向耐压VRRM。

可控硅在变流器(如电机车)中工作时，必须能够以电源频率重复地经受一定的过电压而不影响其工作，所以正反向峰值电压参数VDRM、VRRM应保证在正常使用电压峰值的2-3倍以上，考虑到一些可能会出现的浪涌电压因素，在选择代用参数的时候,只能向高一档的参数选取。

中频电源整流和逆变的调试简述

中频电源整流和逆变的调试简述中频电源整流和逆变的调试摘要我厂使用的 KGPS8000/250-A3-TZ型可控硅静止中频电源装置,是无锡同洲电器有限公司专为汽车板簧行业生产而开发的新一代金属加热设备,使用中调试最主要的是整流、逆变电路.关键词晶闸管中频电源调试1 引言一台刚安装好的晶闸管中频电源或大修后的晶闸管中频电源都必须经过调试。

调试的主要目的是：第一，调试过程是检查在安装过程中或维修过程中存在的问题，并给予解决。

第二，调整运行参数，使中频电源能安全可靠运行。

2 调试一、安装情况的检查调试前须详细检查一下设备的安装情况。

检查设备接头有无松动，脱焊之处。

非等电位的铜排不得碰壳或相接。

内接地线、总接地线是否接牢。

对于有相序要求的整流触发电路必须检查三相进线相序。

三相进线由配电柜进来时避免与机壳接触。

尤其是不要把三条电缆线从捆绑的形式靠在机壳上，这样损失电能。

二、整流电路的调试中频电源控制原理方框图见图1.整流控制电路在PIC16C73A单片机MCU0控制下,根据工况需要改变整流触发脉冲相对于三相工频交流电之间地移相角度，精确控制三相全控整流桥输出的直流电压，并且保证三相负载平衡。

脉冲间隔60度的观测,要求在任意移相角时，均能保证有60度相差，而且60度相差要测量准确到60±3，用双踪示波器一组探头测A相相电压，波形稳定后不动，把X轴放大，使A相正半周180度占示波器屏幕上六大格，每一大格为30度，每一大格的1/10为3度。

用另一组探头测晶闸管V1控制极触发脉冲，如果把V1控制极触发脉冲前沿放在示波器屏幕六大格第一格位置上，则V2控制极触发脉冲前沿应落后V1控制极触发脉冲前沿两大格，即在第三格位置上。

同理，V3—V6控制极触发脉冲应在V2控制极触发脉冲滞后60度位置上依次出现。

脉冲移相范围的调整。

影响移相范围大小的有给定电压、偏移电压。

首先将调功给定电位器VR 1逆时针旋至最小位置，此时触发脉冲应在90度位置，即控制角α=90度。

可控硅元件选型与使用

仪元公司可提供 SS 水冷系列和 SF 风冷系列以及各类非标及组件散热器为元件配套
使用
根据元件通态额定平均电流推荐配置的标准型散热器型号见下表
元件通态额定平均电流
100A-200A 300A 400A 500A-600A 800A 1000A
推荐散热器型号
水冷
风冷
SS11
SF12
SS12
SF13 SF13 SF14
SS12 SS13
SF15
SS13
SF16
SS14
SF17
1000A-3000A
SS14
其中 SF 系列风冷散热器是指在强迫风冷(风速 6m/s)条件下的推荐配置用户在使用
时应根据实际散热条件并考虑可靠性要求进行选择对于 1000A 以上元件一般不推荐使用
风冷散热器若使用风冷散热器则元件额定电流需降额使用
m 平整度小于或等于 30 m 安装时元件台面与散热器台面应保持清洁干净无油污等脏物 3 安装时要保证元件台面与散热器的台面完全平行同心安装过程中要求通过元件中心线施加压力以使压力均匀分布在整个接触区域用户手工安装时建议使用扭矩扳手对所有紧固螺母交替均匀用力压力的大小要达到数据表中的要求 4 在重复使用水冷散热器时应特别注意检查其台面是否光洁平整水腔内是否有水垢和堵塞尤其注意台面是否出现下陷情况若出现了上述情况应予以更换
器直流输入电压为 Ud 功率因数为 cos 则
VDRM/RRM= 1.5-2 Ud / 2cos 2 元件的额定通态电流 IT AV
考虑到元件在较高频率下工作时其开关损耗非常显著
元件的额定通态电流应按实
际流过其有效值 I 的 2-3 倍来考虑即

可控硅元件选型与使用

可控硅元件选型与使用首先，在选型可控硅元件时需要考虑其电气参数。

主要包括额定电流（IR），额定电压（VR），触发电流（IH），阻断电压（VDRM/VRRM）和耐冲击电流（ITSM）等。

这些电气参数决定了可控硅元件能承受的电流和电压范围。

根据实际电路的要求，选择合适的电气参数，避免超过可控硅元件的额定工作范围。

其次，需要考虑可控硅元件的封装类型。

常见的封装类型有TO-220、TO-247、TO-126等。

不同的封装类型具有不同的散热能力和安装方式。

在设计电路时，需要根据可控硅元件的功率损耗和散热要求来选择合适的封装类型，以确保可控硅元件能在正常工作温度下运行。

此外，还要考虑可控硅元件的响应速度和触发方式。

可控硅元件触发方式有电压触发和电流触发两种。

根据具体需求，选择合适的触发方式，并确保可控硅元件的响应速度能满足电路的要求。

如果需要快速切断电流，可以选择具有高响应速度的可控硅元件。

在使用可控硅元件时，还需要注意以下几点。

首先，要合理布置电路，避免可控硅元件直接暴露在高温环境或有害环境中，以防止可控硅元件过热或受到损坏。

其次，要防止可控硅元件在超过其额定电流或电压的情况下工作，以避免引起元件的热击穿或击穿，造成设备事故或故障。

同时，要注意可控硅元件的散热，合理选择散热器，确保可控硅元件能够在正常工作温度下运行。

可控硅元件的工作温度过高会导致其损坏或寿命缩短。

此外，还要注意可控硅元件的触发信号的保护。

在触发可控硅元件时，要确保触发信号的电压和电流不超过其额定值，以防止元件受到损坏。

最后，要定期检查和维护可控硅元件，及时更换老化或损坏的元件，以确保电路的正常工作和稳定性。

综上所述，可控硅元件的选型和使用需要考虑其电气参数、封装类型、响应速度和触发方式等因素。

同时，还要注意电路的布局、额定电流和电压、散热、触发信号的保护以及定期检查和维护等问题。

只有正确选型和使用可控硅元件，才能保证电路的正常工作和可靠性。

可控硅的挑选方法

一、单向可控硅工作原理可控硅导通条件：一是可控硅阳极A与阴极B间必须加正向电压，二是控制极也要加正向电压。

以上两个条件必须同时具备，可控硅才会处于导通状态。

另外，可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。

可控硅关断条件：降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压，使阳极电流小于最小维持电流以下。

二、单向可控硅的引脚区分对可控硅的引脚区分，有的可从外形封装加以判别，如外壳就为阳极，阴极引线比控制极引线长。

从外形无法判断的可控硅，可用万用表R×100或R×1K挡，测量可控硅任意两管脚间的正反向电阻，当万用表指示低阻值（几百欧至几千欧的范围）时，黑表笔所接的是控制极G，红表笔所接的是阴极C，余下的一只管脚为阳极A。

三、单向可控硅的性能检测可控硅质量好坏的判别可以从四个方面进行。

第一是三个PN结应完好；第二是当阴极与阳极间电压反向连接时能够阻断，不导通；第三是当控制极开路时，阳极与阴极间的电压正向连接时也不导通；第四是给控制极加上正向电流，给阴极与阳极加正向电压时，可控硅应当导通，把控制极电流去掉，仍处于导通状态。

用万用表的欧姆挡测量可控硅的极间电阻，就可对前三个方面的好坏进行判断。

具体方法是：用R×1k或R×10k 挡测阴极与阳极之间的正反向电阻（控制极不接电压），此两个阻值均应很大。

电阻值越大，表明正反向漏电电流愈小。

如果测得的阻值很低，或近于无穷大，说明可控硅已经击穿短路或已经开路，此可控硅不能使用了。

用R×1k或R×10k挡测阳极与控制极之间的电阻，正反向测量阻值均应几百千欧以上,若电阻值很小表明可控硅击穿短路。

用R×1k或R×100挡，测控制极和阴极之间的PN结的正反向电阻在几千欧左右，如出现正向阻值接近于零值或为无穷大，表明控制极与阴极之间的PN结已经损坏。

反向阻值应很大，但不能为无穷大。

可控硅元件的合理选用

可控硅元件的合理选用1.3 通态平均电压(简称正向压降)Vr这项参数是可控硅的质量指标之一，因为流过可控硅的正向电流与正向压降的乘积就是可控硅由阻断到导通、导通到阻断的过程中总损耗的主要部分。

同样电流下正向压降越小则损耗越小，可控硅的温升也越小。

这个对于大容量的可控硅整流器而言更不容忽视从减少可控硅损耗和发热的观点出发，应尽可能选择正向压降较小的。

可控硅正向平均压降，是生产厂根据合格的型式实验而自行规定的，一般在0.5～1.2V范围内。

对多只可控硅并联使用的线路中，每桥臂的可控硅正向压降值要选配的基本一致，以相差不超过4-0.5V为宜。

1.4 门极参数门极参数包括触发电流IGT和触发电压VGT。

因为可控硅的门极参数分散性很大，所以在选用可控硅时，必须根据触发电路的特点进行合理挑选。

若选用IGT、VGT偏小的元件，则容易受外界干扰而触发，反之则难以触发。

此外，可控硅的门极参数还受到外界环境温度的影响，当温度增加，IGT、VGT会显著降低，温度下降会骤然增大。

不同容量、不同用途的可控硅设备，其触发回路也各不相同。

目前，常用的几种触发电路对选择可控硅门极参数所提出的具体要求可以归纳为：(1)适用于单相小功率可控硅设备中阻容或阻感形式的触发电路，或在单相、三相半控桥线路获得广泛应用的单结晶体管触发电路，此类触发电路输出功率小、脉冲宽度窄、线性度差，一般使用于KP-50型以下的可控硅。

应选择IGT≤30mA、VGT≤1.2v的可控硅元件，但是门极参数也不能选得太小，否则抗干扰能力差，易发生误触发。

(2)在要求较高的单相或三相全控桥可逆系统中，大多数采用由晶体管组成的正弦波或锯齿波垂直移相的触发电路。

这类触发电路可获得宽脉冲，输出功率大。

为此，我们在使用额定电流100A以上的可控硅元件时，其触发电路输出电流、电压参数应比可控硅元件的门极触发电流、电压参数(出厂值范围)大2～3倍，但需要注意其触发电路的限定值。

浅析晶闸管参数选择

浅析晶闸管参数选择晶闸管是一种半导体器件，具有开关功率和控制信号的功能。

在实际的电路设计和应用中，晶闸管的参数选择对于电路的性能和稳定性至关重要。

本文将从晶闸管的工作原理、参数及选择等方面进行浅析，以帮助读者更好地理解晶闸管的选择和应用。

一、晶闸管工作原理晶闸管是一种四层PNPN结构的半导体器件，其工作原理是基于PNP或NPN晶体管的耦合和反馈原理。

当晶闸管的控制端施加一个触发信号时，PNP-NPN结构内部会形成正反馈，导致晶闸管进入导通状态；当控制信号消失时，晶闸管会自动关闭。

这一特性使得晶闸管成为一种可以控制电流的开关器件，广泛应用于电力电子、变频调速、电磁启动、逆变器等领域。

二、晶闸管参数1. 最大反向电压（VRRM）：晶闸管能够承受的最大反向电压，决定了晶闸管的安全工作范围。

2. 最大正向电流（ITAV）：晶闸管可以持续工作的最大正向电流，直接关系到晶闸管的载流能力和散热能力。

3. 触发电流（IGT）：晶闸管进入导通状态所需的最小控制电流，是控制晶闸管导通的关键参数。

4. 阻断能力（di/dt、dv/dt）：晶闸管在承受高压和高电流冲击时的性能，涉及到晶闸管的抗干扰和稳定性。

5. 吸收时间（tq）：晶闸管在关闭状态转换为导通状态所需的时间，决定了晶闸管的开关速度。

1. 根据实际需求确定VRRM和ITAV：根据具体的电路工作电压和电流要求，选择晶闸管的VRRM和ITAV参数，使其能够稳定工作在所需的工作环境中。

2. 考虑IGT和触发方式：根据控制信号的特点和控制电路的设计要求，选择适合的IGT和触发方式，保证晶闸管可以可靠地控制。

3. 注意di/dt、dv/dt和tq：在高频开关电路中，需要特别注意晶闸管的阻断能力和吸收时间，以降低电压和电流冲击造成的损坏。

四、举例分析以一款控制电机的变频调速器为例，其输出电流为20A，工作电压为220V，控制系统为数字信号控制。

根据上述参数选择原则，我们可以选择VRRM为400V的晶闸管，ITAV为30A，IGT为20mA，di/dt、dv/dt和tq都要能够适应变频调速器的工作条件。

可控硅选型方法晶闸管选型方法

可控硅选型方法晶闸管选型方法
1．选择晶闸管的类型：晶闸管有多种类型，应根据应用电路的具体要求合理选用。

若用于交直流电压控制、可控整流、交流调压、逆变电源、开关电源保护电路等，可选用普通晶闸管。

若用于交流开关、交流调压、交流电动机线性调速、灯具线性调光及固态继电器、固态接触器等电路中，应选用双向晶闸管。

若用于交流电动机变频调速、斩波器、逆变电源及各种电子开关电路等，可选用门极关断晶闸管。

若用于锯齿波生发器、长时间延时器、过电压保护器及大功率晶体管触发电路等，可选用 BTG 晶闸管。

若用于电磁灶、电子镇流器、超声波电路、超导磁能储存系统及开关电源等电路，可选用逆导晶闸管。

若用于光电耦合器、光探测器、光报警器、光计数器、光电逻辑电路及自动生产线的运行监控电路，可选用光控晶闸管 2．选择晶闸管的主要参数晶闸管的主要参数应根据应用电路的具体要求而定。

所选晶闸管应留有一定的功率裕量，其额定峰值电压和额定电流（通态平均电流）均应高于受控电路的最大工作电压和最大工作电流 1.5~2 倍。

晶闸管的正向压降、门极触发电流及触发电压等参数应符合应用电路（指门极的控制电路）的各顶要求，不能偏高或偏低，否则会影响晶闸管的正常工作。

浅析晶闸管参数选择

浅析晶闸管参数选择
晶闸管（SCR）是一种常用的半导体器件，它可以将直流电转换为交流电，并且可以通过控制管子的触发电压和电流来调节输出电压和电流。

晶闸管的参数选择对于电路的稳定性、可靠性和效率起着至关重要的作用。

本文将简要介绍晶闸管的参数选择。

1. 阻断电压（VDRM）
阻断电压是指在正向通电状态下，晶闸管能够保持稳定导通的最大电压。

在选择晶闸管时，必须确保所选晶闸管的阻断电压不低于电路的最大工作电压，以确保晶闸管在正常工作时不会烧毁。

承受电流是指在阻断状态下，晶闸管可以承受的最大反向电流。

在实际应用中，由于一些不确定的因素（如温度变化、线路噪声等），晶闸管可能会受到过高的反向电流，因此必须确保所选晶闸管的承受电流不低于电路的最大反向电流。

3. 推导电流（IT）
推导电流是指在触发晶闸管后，晶闸管准备从关断状态转换到导通状态时需要的最小电流。

选择晶闸管时，必须考虑电路中所用触发电流的情况，并选择具有可靠触发特性的晶闸管。

4. 触发电压（VGT）
触发电压是指在晶闸管被触发并导通时，晶闸管的门极电压。

由于晶闸管的导通是由触发电流决定的，因此选择晶闸管时必须确保所选晶闸管的触发电压小于触发电路提供的电压，否则无法实现导通。

综上，晶闸管参数选择需要根据所选电路的具体情况和要求进行选择，应综合考虑电压、电流、触发特性等因素，并根据实际情况进行合理选择。

只有选择合适的晶闸管才能保证电路的稳定性和可靠性。