模拟电子技术习题及答案

模拟电子技术

第1章半导体二极管及其基本应用1．1 填空题

1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。

2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P 型半导体，其多数载流子是空穴。

3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。

4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。

5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。

6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。

7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。

8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于650 Ω，交流电阻等于26 Ω。

1．2 单选题

1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。

A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度D．晶格缺陷2．PN结形成后，空间电荷区由( D )构成。

A．价电子B．自由电子C．空穴D．杂质离子3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。

A．减小B．基本不变C．增大

4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。

A．增大B．基本不变C．减小

5．变容二极管在电路中主要用作( D )。、

A．整流B．稳压C．发光D．可变电容器1．3 是非题

1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。( √)

2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( ×)

3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。( ×)

4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。( ×)

1．4 分析计算题

1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U D(on)=0.7V，试写出各电路的输出电压Uo值。

解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U0＝(6—0.7)V＝5.3 V。

(b)令二极管断开，可得U P＝6 V、U N＝10 V，U P

(c)令V1、V2均断开，U N1＝0V、U N2＝6V、U P＝10V，U P—U N1>Up—

U N2，故V1优先导通后，V2截止，所以输出电压U0＝0.7 V。

2．电路如图T1．2所示，二极管具有理想特性，已知ui＝(sinωt)V，试对应画出u i、u0、i D的波形。

解：输入电压u i为正半周时，二极管正偏导通，所以二极管两端压降为零，即u0＝0，而流过二极管的电流i D＝u i／R，为半波正弦波，其最大值I Dm＝10 V ／1 kΩ＝10 mA；当u i为负半周时，二极管反偏截止，i D＝0，u0＝u i为半波正弦波。因此可画出电压u0电流i D的波形如图(b)所示。

3．稳压二极管电路如图T1．3所示，已知U Z＝5 V，I Z＝5 mA，电压表中流过的电流忽略不计。试求当开关s 断开和闭合时，电压表○V和电流表○A1、○A2读

数分别为多大?

解：当开关S 断开，R 2支路不通，I A2＝0，此时R 1与稳压二极管V 相串联，因此由图可得

Z A I mA K V R U U I >=Ω-=-=5.62)518(1211

可见稳定二极管处于稳压状态，所以电压表的读数为5 V 。

当开关S 闭合，令稳压二极管开路，可求得R 2两端压降为

Z R U U R R R U <=⨯+=+=6.3185.025.012122

故稳压二极管不能被反向击穿而处于反向截止状态，因此，R 1、R 2构成串联电路，电流表A 1、A 2的读数相同，即

mA K V R R U I I A A 2.75.021821121=Ω+=+==）（

而电压表的读数，即R 2两端压降为3.6 V 。

第2章 半导体三极管及其基本应用

2．1 填空题

1．晶体管从结构上可以分成 PNP 和 NPN 两种类型，它工作时有

2 种载流子参与导电。

2．晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结 正偏 ，集电结 反偏 。

3．晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是 放大 、 饱和 、 截止 。

4．当温度升高时，晶体管的参数β 增大 ，I CBO 增大 ，导通电压U BE

减小。

5．某晶体管工作在放大区，如果基极电流从10μA变化到20μA时，集电极电流从1mA变为1.99 mA，则交流电流放大系数β约为99 。

6．某晶体管的极限参数I CM=20mA、P CM=100mW、U(BR)CEO=30V，因此，当工作电压U CE=10V时，工作电流I C不得超过10 mA；当工作电压U CE=1V 时，I C不得超过20 mA；当工作电流I C=2 mA时，U CE不得超过30 V。

7．场效应管从结构上可分为两大类：结型、MOS ；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：耗尽型、增强型。

8．U GS(off)表示夹断电压，I DSS表示饱和漏极电流，它们是耗尽型场效应管的参数。

2．2 单选题

1．某NPN型管电路中，测得U BE=0 V，U BC= —5 V，则可知管子工作于( C )状态。

A．放大B．饱和C．截止D．不能确定

2．根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为( B )。

A．NPN型低频小功率硅晶体管B．NPN型高频小功率硅晶体管

C．PNP型低频小功率锗晶体管D．NPN型低频大功率硅晶体管

3．输入( C )时，可利用H参数小信号电路模型对放大电路进行交流分析。

A．正弦小信号B．低频大信号C．低频小信号D．高频小信号4．( D )具有不同的低频小信号电路模型。

A．NPN型管和PNP型管B．增强型场效应管和耗尽型场效应管