干膜光致抗蚀剂的技术条件
干膜的技术性能要求
干膜的技术性能要2008-9-23作者来干膜光致抗蚀剂的技术条印制电路制造者都希望选用性能良好的干膜,以保证印制板质量,稳定生产,提高效益。
生产干膜的厂家也有一个标准来衡量产品质量。
为此在电子部、化工部的支持下198年在大连召开了光致抗蚀干膜技术协调会定了国产水溶性光致抗蚀干膜的总技术要求。
近年来随着电子工业的迅速发展,印制板的精度密度不断提高,为印制板生产的需要,不断推出新的干膜产品系列,性能和质量有了很大的改进和提高,但至今国产干膜的技术要有修订。
现8年制定的技术要求的主要内容介绍如下,虽具体数字指标已与现今干膜产品及应用工艺技术距,但作为评价干膜产品的技术内容仍有参考价值外使用干膜时,首先应进行外观检查。
质量好的干膜必须无气泡、颗粒、杂质;抗蚀膜厚度均匀;颜色均匀致;无胶层流动。
如果干膜存在上述要求中的缺陷,就会增加图像转移后的修版量,严重者根本无法使用。
膜卷必卷绕紧密、整齐,层间对准误差应小于1mm,这是为了防止在贴膜时因卷绕误差而弄脏热压辊,也不会因卷绕不而出现连续贴膜的故障。
聚酯薄膜应尽可能薄,聚酯膜太厚会造成曝光时光线严重散射,而使图像失真,降低干膜辨率。
聚酯薄膜必须透明度高,否则会增加曝光时间。
聚乙烯保护膜厚度应均匀,如厚度不均匀将造成光致抗蚀层层流动,严重影响干膜的质量。
干膜外观具体技术指标如表7—1所述:表7—1 干膜外观的技术指标指标名称指标一级二级透明度透明度良好,无浑浊。
透明度良好,允许有不明显的浑浊。
色泽浅色,不允许有明显的色不均匀现象。
浅色,允许有色不均匀现象,但不得相差悬殊。
气泡、针孔不允许有大于0.1mm的气泡及针孔不允许有大于0.2mm的气泡及针孔,0.1~0.2mm的气泡及针孔许<20个平方M。
指标名称指标一级二级凝胶粒子不允许有大于0.1mm的凝胶粒子。
不允许有大于0.2mm的凝胶粒子,0.1~0.2mm的凝胶粒子允许≤个/平方M允许有少量的机械杂质。
机械杂质不允许有明显的机械杂质。
光致抗蚀剂
光致抗蚀剂一. 光致抗蚀剂分类及其机理光致抗蚀剂(简称光刻胶或抗蚀剂)是一种用于光加工工艺中对加工材料表面起临时选择则性保护的涂料,是现代加工工业的重要功能材料之一[1]。
光致抗蚀剂分为两大类:①正性光致抗蚀剂:受光照部分发生降解反应而能为显影液所溶解,留下的非曝光部分的图形与掩模版一致。
正性抗蚀剂具有分辨率高、对驻波效应不敏感、曝光容限大、针孔密度低和无毒性等优点,适合于高集成度器件的生产。
它主要包括:聚乙烯醇肉桂酸酯、聚乙烯氧肉桂酸乙酯、环氧树脂、环化橡胶等等。
②负性光致抗蚀剂:受光照部分产生交链反应而成为不溶物,非曝光部分被显影液溶解,获得的图形与掩模版图形互补。
负性抗蚀剂的附着力强、灵敏度高、显影条件要求不严,适于低集成度的器件的生产。
它主要包括:线性酚醛树脂、聚甲基丙烯酸甲酯等等。
二.光致抗蚀剂的起源光致抗蚀剂的历史可追溯至照相的起源,1826年人类第一张照片诞生就是采用了光致抗蚀剂材料--感光沥青。
在19世纪中期,又发现将重铭酸盐与明胶混合,经曝光、显影后能得到非常好的图形,并使当时的印刷业得到飞速的发展。
二次大战以后,East—man--Kodak公司的Minsk等人研究成功的聚乙烯醇肉桂酸酯(KPR)为代表的新型感光高分子用于照相制版,从而开创了微电于工业用的光刻胶历史。
1944年德国Kalle公司发表了重氮萘醌的光重排反应,在此基础上,1949年开发了重氮萘醌——线性酚醛树脂系感光材料,即紫外正性光刻胶,成为二十世纪八十年代超大规模集成电路用光致抗蚀剂的主流。
1958年East.man--Kodak的Mu9plot和J.J.Sagura等开发了环化橡胶一双叠氮系负性光刻胶取代了。
1954年该公司开发的聚乙烯醇肉桂酸酯负性光刻胶,现在它仍为负性光致抗蚀剂的主流。
1980年IBM首先发现使用光致产酸剂可使聚合物分子上的特丁氧基脱落,脱悬挂基团反应使憎水聚合物变成亲水性聚合物,这种极性的变化使这种光刻胶可以成正型和负型的两型图像,且光致产酸的量并不随反应的进行而减少,对反应具有加速的作用,故称之为化学增幅型光刻胶[2]。
MSDS FF-9000S(干膜) 系列
第十一部分 毒理学资料
急性毒性[B]:无 亚急性和慢性毒性[C]: 通常碰触皮肤时无刺激性,但对某些体质之人会有轻度刺激及红肿现象,长期吸入时会刺激鼻、喉,并引 起头痛、想吐、意识不清等症状。 刺激性[B]:通常碰触皮肤时无刺激性 致敏性[C]:无 致突变性[C]:无 致畸性[C]:无 致癌性[C]:无 其 他[C]:无
生态毒性[B]:无 生物降解性[B]:无资料 非生物降解性[B]:无资料 生物富集或生物积累性[C]: 其它有害作用[C]:
第十二部分 生态学资料
第十三部分 废弃处置
废弃物性质[B]: □危险废物 ■工业固体废物 废弃处置方法[B]:废弃时,请依法令规定处置,原则上是以焚化处理。 废弃注意事项[B]:无资料
第十四部分 运输信息
危险货物编号[B]: 无 UN 编号[B]: 无资料 包装标志[B]: 无
包装类别[B]: 普通 包装方法[B]: 内包装:卷芯筒
外包装:瓦楞纸箱 运输注意事项[B]: 运送过程中,请保持于暗处,并控制
干燥(RH50%以下)及低温( 4~2法规信息
第二部分 成分/组成信息
PET 膜 PE 膜 丙烯酸树脂
主要成分,有害成分[B]
含量[B] 30% 30% 40%
CAS No.[B]
第三部分 危险性概述
危险性类别[B]:无主要危险性 侵入途径[B]:在貼膜過程中,可能會產生微量的溶劑蒸氣,會被口鼻等吸入 健康危害[B]:无 环境危害[B]:PET 膜/ PE 膜不易自然分解,隨意丟棄將對環境造成衝擊。 燃爆危险[B]:不易燃,无爆炸危险性。
pcb用干膜结构
干膜光致抗蚀剂的结构、感光胶层的主要成分及作用干膜光致抗蚀剂的结构干膜光致抗蚀剂由聚酯薄膜,光致抗蚀剂膜及聚乙烯保护膜三部分组成。
聚酯薄膜是支撑感光胶层的载体,使之涂布成膜,厚度通常为25μm左右。
聚酯薄膜在曝光之后显影之前除去,防止曝光时氧气向抗蚀剂层扩散,破坏游离基,引起感光度下降。
聚乙烯膜是复盖在感光胶层上的保护膜,防止灰尘等污物粘污干膜,避免在卷膜时,每层抗蚀剂膜之间相互粘连。
聚乙烯膜一般厚度为25μm左右。
光致抗蚀剂膜为干膜的主体,多为负性感光材料,其厚度视其用途不同,有若干种规格,最薄的可以是十几个微米,最厚的可达100μm。
干膜光致抗蚀剂的制作是先把预先配制好的感光胶在高清洁度的条件下,在高精度的涂布机上涂覆于聚酯薄膜上,经烘道干燥并冷却后,覆上聚乙烯保护膜,卷绕在一个辊芯上。
★光致抗蚀剂膜层的主要成分及作用我国大量用于生产的是全水溶性干膜,这里介绍的是全水溶性干膜感光胶层的组成。
1)粘结剂(成膜树脂)作为光致抗蚀剂的成膜剂,使感光胶各组份粘结成膜,起抗蚀剂伪骨架作用,它在光致聚合过程中不参与化学反应。
要求粘结剂具有较好的成膜性;与光致抗蚀剂的各组份有较好的互溶性;与加工金属表面有较好的附着力;它很容易从金属表面用碱溶液除去;有较好的抗蚀、抗电镀、抗冷流、耐热等性能。
粘结剂通常是酯化或酰胺化的聚苯乙烯——顺丁烯二酸酐树脂(聚苯丁树脂)。
2)光聚合单体它是光致抗蚀剂胶膜的主要组份,在光引发剂的存在下,经紫外光照射发生聚合反应,生成体型聚合物,感光部分不溶于显影液,而未曝光部分可通过显影除去,从而形成抗蚀图像。
多元醇烯酸酯类及甲基丙烯酸酯类是广泛应用的聚合单体,例如季戊四醇三丙烯酸酯是较好的光聚合单体。
3)光引发剂在紫外光线照射下,光引发剂吸收紫外光的能量产生游离基,而游离基进一步引发光聚合单体交联。
干膜光致抗蚀剂通常使用安息香醚、叔丁基恿醌等作光引发剂。
4)增塑剂可增加干膜抗蚀剂的均匀性和柔韧性。
光致抗蚀剂剥离液及剥离方法
光致抗蚀剂剥离液及剥离方法以光致抗蚀剂剥离液及剥离方法为标题,就是要探讨光致抗蚀剂剥离液的特性及其在剥离过程中的应用方法。
下面将从光致抗蚀剂剥离液的定义、特性、制备方法以及剥离方法等方面进行分析和介绍。
一、光致抗蚀剂剥离液的定义和特性光致抗蚀剂剥离液是一种利用光致抗蚀效应来实现材料表面剥离的特殊溶液。
光致抗蚀效应是指在特定光照条件下,光致抗蚀剂与材料表面相互作用,形成一层致密的抗蚀膜,从而使材料表面产生剥离现象。
光致抗蚀剂剥离液具有以下特性:1. 具有较高的剥离效率:光致抗蚀剂剥离液能够在短时间内实现材料表面的剥离,加快工艺速度。
2. 无需物理力:光致抗蚀剂剥离液利用光致抗蚀效应实现剥离,无需额外的物理力施加,避免了材料表面的损伤。
3. 对材料表面无损伤:光致抗蚀剂剥离液在剥离过程中对材料表面无损伤,可以保持材料的原始特性和质量。
4. 适用范围广:光致抗蚀剂剥离液适用于多种材料的剥离,如金属、陶瓷、玻璃等。
二、光致抗蚀剂剥离液的制备方法光致抗蚀剂剥离液的制备方法主要包括以下几个步骤:1. 选择合适的光致抗蚀剂:根据待剥离材料的特性和要求,选择适合的光致抗蚀剂。
光致抗蚀剂应具有较高的光致抗蚀效应和较好的溶解性。
2. 优化剥离液组成:根据光致抗蚀剂的特性,选取合适的溶剂和辅助剂,优化剥离液的组成,以提高剥离效率和稳定性。
3. 调整pH值:根据待剥离材料的pH敏感性,调整剥离液的pH 值,以实现最佳剥离效果。
4. 优化光照条件:确定合适的光照条件,如光照强度、波长和照射时间,以提高光致抗蚀效应和剥离效率。
5. 质量控制:在制备过程中进行质量控制,确保剥离液的稳定性和一致性。
三、光致抗蚀剂剥离液的剥离方法光致抗蚀剂剥离液的剥离方法主要包括以下几个步骤:1. 表面处理:将待剥离材料的表面进行清洁和处理,以去除表面污染物和氧化物,提高剥离效果。
2. 涂覆剥离液:将光致抗蚀剂剥离液均匀涂覆在待剥离材料的表面,确保液体完全覆盖并与材料表面充分接触。
光致抗蚀剂
LOGO
图形转移
2.聚乙烯醇肉桂酸酯光敏抗蚀剂 两个分子的交联聚合,称为“光二聚作用交联”。 它的光交联固化原理如下:
O C O ( CH CH2 ) n CH CH
在光的作用下,肉桂酸基的双键被打开,然后相邻的两个 分子的肉桂酸基被打开的双键互相交联:
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图形转移
用抗蚀剂借助于“光化学法”或“丝网漏印法”把电路图 形转移到覆铜箔板上,再用蚀刻的方法去掉没有抗蚀剂保 护的铜箔,剩下的就是所需的电路图形,这种电路图形与 所需要的电路图形完全一致,称为正像。这种图形转移称 为“正像图形转移”。
用“丝网漏印法”把抗蚀剂印在覆铜箔板上,没有抗蚀剂 保护的铜箔部分是所需的电路图形,抗蚀剂所形成的图形 便是“负像”。这种工艺称为“负像图形转移”。
O N2 R R O N N R O N N hv O
R
N2
C R
O H2O R
H COOH
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图形转移
(2)对—重氮醌类 在干燥的情况下,对—重氮醌的光分解是以自由基的形式 参加反应的,生成化学活性很强的碳烯,然后继续键合生 成聚苯醚:
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图形转移
此外,还有另外两种交联方式。即在增感剂的作用下, 肉桂酸基的双键打开形成自由基,然后以如下的形式交 联
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图形转移
5.1.3光分解型光敏抗蚀剂
光分解型抗蚀剂是由含有受光照后容易发生分解的基团如 重氮基、重氯醌基和叠氮基等基团的树脂构成。 1.重氮盐光敏抗蚀剂 重氮盐类光敏抗蚀剂是由重氮化合物和高分子化合物组成, 或者是分子上引入了重氮基的高分子化合物构成。
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图形转移
光致抗蚀剂标准需求和发展建议
光致抗蚀剂标准需求和发展建议曹可慰 吴怡然 赵俊莎 李其聪(中国电子技术标准化研究院)摘 要:光致抗蚀剂,也称光刻胶,应用于集成电路等半导体制造中的光刻工艺。
光致抗蚀剂在光刻工艺中起到感光和抗刻蚀作用,主要成分有树脂、光引发剂、溶剂和添加剂。
光致抗蚀剂是全球技术与贸易竞争的焦点,也是我国产业链供应链的薄弱环节。
标准在提升光致抗蚀剂质量稳定性上有重要的作用,我国光致抗蚀剂标准化工作还处于起步阶段。
随着我国产业的发展壮大,为光致抗蚀剂标准填补空白创造了条件。
本文从光致抗蚀剂产业体系发展现状和需求出发,结合标准现状梳理分析,提出了标准成体系化发展的思路和建议。
关键词:光致抗蚀剂,光引发剂,标准,标准体系Requirements and Development Suggestions for Photoresist StandardsCAO Ke-wei WU Yi-ran ZHAO Jun-sha LI Qi-cong(China Electronics Standardization Institute )Abstract: Photoresist is used in the photolithography process in the manufacturing of semiconductor such as integrated circuits. Photoresist, mainly consisting of resin, photoinitiator, solvent and additive, plays a photosensitive and anti-etching role in photolithography. Photoresist is the focus of global technology and trade competition, and also a weak link in China’s industrial and supply chains. Standards play an important role in improving the quality and stability of photoresists, meanwhile the standardization of photoresist in China is still in the initial stage. With the industrial development in China, there is an opportunity for developing standards on photoresists to fill the gap. Starting from the current development status and needs of the photoresist industrial system, this article analyzes the current status of standards, and proposes ideas and suggestions for the systematic development of standards.Keywords: photoreisit, photoinitiator, standards, standards system作者简介:曹可慰,博士,高级工程师,主要研究方向为电子材料标准化。
干膜光致抗蚀剂的技术条件
干膜光致抗蚀剂的技术条件印制电路制造者都希望选用性能良好的干膜,以保证印制板质量,稳定生产,提高效益.生产干膜的厂家也需要有一个标准来衡量产品质量.为此在电子部、化工部的支持下,1983年在大连召开了光致抗蚀干膜技术协调会议,制定了国产水溶性光致抗蚀干膜的总技术要求.近年来随着电子工业的迅速发展,印制板的精度密度不断提高,为满足印制板生产的需要,不断推出新的干膜产品系列,性能和质量有了很大的改进和提高,但至今国产干膜的技术要求还没有修订.现将83年制定的技术要求的主要内容介绍如下,虽具体数字指标已与现今干膜产品及应用工艺技术有差距,但作为评价干膜产品的技术内容仍有参考价值. 外观使用干膜时,首先应进行外观检查.质量好的干膜必须无气泡、颗粒、杂质;抗蚀膜厚度均匀;颜色均匀一致;无胶层流动.如果干膜存在上述要求中的缺陷,就会增加图像转移后的修版量,严重者根本无法使用.膜卷必须卷绕紧密、整齐,层间对准误差应小于1mm,这是为了防止在贴膜时因卷绕误差而弄脏热压辊,也不会因卷绕不紧而出现连续贴膜的故障.聚酯薄膜应尽可能薄,聚酯膜太厚会造成曝光时光线严重散射,而使图像失真,降低干膜分辨率.聚酯薄膜必须透明度高,否则会增加曝光时间.聚乙烯保护膜厚度应均匀,如厚度不均匀将造成光致抗蚀层胶层流动,严重影响干膜的质量.干膜外观具体技术指标如表7—1所述:表7—1 干膜外观的技术指标◎光致抗蚀层厚度一般在产品包装单或产品说明书上都标出光致抗蚀层的厚度,可根据不同的用途选用不同厚度的干膜.如印制蚀刻工艺可选光致抗蚀层厚度为25μm的干膜,图形电镀工艺则需选光致抗蚀层厚度为38μm 的干膜.如用于掩孔,光致抗蚀层厚度应达到50μm.干膜厚度及尺寸公差技术要求如表7—2.表7—2 干膜的厚度及尺寸公差◎聚乙烯保护膜的剥禺性要求揭去聚乙烯保护膜时,保护膜不粘连抗蚀层.◎贴膜性当在加热加压条件下将干膜贴在覆铜箔板表面上时,贴膜机热压辊的温度105土10℃,传送速度~米/分,线压力公斤/cm,干膜应能贴牢.◎光谱特性在紫外——可见光自动记录分光光度计上制作光谱吸收曲线揭去聚乙烯保护膜,以聚酯薄膜作参比,光谱波长为横坐标,吸收率即光密度D作纵坐标,确定光谱吸收区域波长及安全光区域.技术要求规定,干膜光谱吸收区域波长为310~440毫微米nm,安全光区域波长为≥460毫微米nm.高压汞灯及卤化物灯在近紫外区附近辐射强度较大,均可作为干膜曝光的光源.低压钠灯主要幅射能量在波长为~589.6nm的范围,且单色性好,所发出的黄光对人眼睛较敏感、明亮,便于操作.故可选用低压钠灯作为干膜操作的安全光.◎感光性感光性包括感光速度、曝光时间宽容度和深度曝光性等. 感光速度是指光致抗蚀剂在紫外光照射下,光聚合单体产生聚合反应形成具有一定抗蚀、能力的聚合物所需光能量的多少.在光源强度及灯距固定的情况下,感光速度表现为曝光时间的长短,曝光时间短即为感光速度快,从提高生产效率和保证印制板精度方面考虑,希望选用感光速度快的干膜.干膜曝光一段时间后,经显影,光致抗蚀层已全部或大部分聚合,一般来说所形成的图像可以使用,该时间称为最小曝光时间.将曝光时间继续加长,使光致抗蚀剂聚合得更彻底,且经显影后得到的图像尺寸仍与底版图像尺寸相符,该时间称为最大曝光时间.通常干膜的最佳曝光时间选择在最小曝光时间与最大曝光时间之间.最大曝光时间与最小曝光时间之比称为曝光时间宽容度.干膜的深度曝光性很重要.曝光时,光能量因通过抗蚀层和散射效应而减少.若抗蚀层对光的透过率不好,在抗蚀层较厚时,如上层的曝光量合适,下层就可能不发生反应,显影后抗蚀层的边缘不整齐,将影响图像的精度和分辨率,严重时抗蚀层容易发生起翘和脱落现象.为使下层能聚合,必须加大曝光量,上层就可能曝光过度.因此深度曝光性的好坏是衡量干膜质量的一项重要指标.第一次响应时的光密度和饱和光密度的比值称为深度曝光系数.此系数的测量方法是将干膜贴在透明的有机玻璃板上,采用透射密度计测量光密度,测试比较复杂,且干膜贴在有机玻璃板上与贴在覆铜箔板上的情况也有所不同.为简便测量及符合实际应用情况,以干膜的最小曝光时间为基准来衡量深度曝光性,其测量方法是将干膜贴在覆铜箔板上后,按最小曝光时间缩小一定倍数曝光并显影,再检查覆铜箔板表面上的干膜有无响应.在使用5Kw高压汞灯,灯距650mm,曝光表面温度25土5℃的条件下,干膜的感光性应符合如表7—3要求:表7---3干膜的感光性◎显影性及耐显影性干膜的显影性是指干膜按最佳工作状态贴膜、曝光及显影后所获得图像效果的好坏,即电路图像应是清晰的,未曝光部分应去除干净无残胶.曝光后留在板面上的抗蚀层应光滑,坚实.干膜的耐显影性是指曝光的干膜耐过显影的程度,即显影时间可以超过的程度,耐显影性反映了显影工艺的宽容度.干膜的显影性与耐显影性直接影响生产印制板的质量.显影不良的干膜会给蚀刻带来困难,在图形电镀工艺中,显影不良会产生镀不上或镀层结合力差等缺陷.干膜的耐显影性不良, 在过度显影时,会产生干膜脱落和电镀渗镀等毛病.上述缺陷严重时会导致印制板报废. 对干膜的显影性和耐显影性技术要求如表7—4.表7—4 干膜的显影性和耐显影性◎分辨军所谓分辨率是指在1mm的距离内,干膜抗蚀剂所能形成的线条或间距的条数,分辨率也可以用线条或间距绝对尺寸的大小来表示.干膜的分辨率与抗蚀剂膜厚及聚酯薄膜厚度有关.抗蚀剂膜层越厚,分辨率越低.光线透过照相底版和聚酯薄膜对干膜曝光时,由于聚酯薄膜对光线的散射作用,使光线侧射,因而降低了干膜的分辨率,聚酯薄膜越厚,光线侧射越严重,分辨率越低.技术要求规定,能分辨的最小平行线条宽度,一级指标<0.1mm,二级指标≤.◎耐蚀刻性和耐电镀性技术要求规定,光聚合后的干膜抗蚀层,应能耐三氯化铁蚀刻液、过硫酸铵蚀刻液、酸性氯化铜蚀刻液、硫酸——过氧化氢蚀刻液的蚀刻.在上述蚀刻液中,当温度为50一55℃时,干膜表面应无发毛、渗漏、起翘和脱落现象.在酸性光亮镀铜、氟硼酸盐普通锡铅合金、氟硼酸盐光亮镀锡铅合金以及上述电镀的各种镀前处理溶液中,聚合后的于膜抗蚀层应无表面发毛、渗镀、起翘和脱落现象.◎去膜性能曝光后的干膜,经蚀刻和电镀之后,可以在强碱溶液中去除,一般采用3—5%的氢氧化钠溶液,加温至60℃左右,以机械喷淋或浸泡方式去除,去膜速度越快越有利于提高生产效率.去膜形式最好是呈片状剥离,剥离下来的碎片通过过滤网除去,这样既有利于去膜溶液的使用寿命,也可以减少对喷咀的堵塞. 技术要求规定,在3—5%重量比的氢氧化钠溶液中,液温60土10℃,一级指标为去膜时间30—75秒,二级指标为去膜时间60一150秒,去膜后无残胶.◎储存期干膜在储存过程中可能由于溶剂的挥发而变脆,也可能由于环境温度的影响而产生热聚· 合,或因抗蚀剂产生局部流动而造成厚度不均匀即所谓冷流,这些都严重影响干膜的使用. 因此在良好的环境里储存干膜是十分重要的.技术要求规定,干膜应储存在阴凉而洁净的室内,防止与化学药品和放射性物质一起存放.储存条件为:黄光区,温度低于27℃5—21℃为最佳,相对湿度50%左右.储存期从出厂之日算起不小于六个月,超过储存期按技术要求检验合格者仍可使用.在储存和运输过程中应避免受潮、受热、受机械损伤和受日光直接照射.◎其它性能在生产操作过程中为避免漏曝光和重曝光,干膜在曝光前后颜色应有明显的变化,这就是干膜的变色性能.当使用于膜作为掩孔蚀刻时,要求干膜具有足够的柔韧性,以能够承受显影过程、蚀刻过程液体压力的冲击而不破裂,这就是干膜的掩蔽性能.。
干膜技术资料[借鉴材料]
特选材料
二、光致抗蚀干膜:
光致抗蚀干膜是六十年代后期研制与开发出来的光成像 原材料。由主体树脂和光引发剂或光交联剂组成。又根据 感光材料的种类的不同,有的增加触变剂、流平剂、填料 等。此种材料的最大特点是分辨率高、抗蚀能力强、涂布 均匀、感光层的厚度可制作成25μm、分辨率达到极限值为 0.10mm。工序操作简单易实现自动化生产,适合大批量印 制电路板生产。但随着组装密度要求越来越高,印制电路 图形的导细更细和间距更窄。采用此类光致抗蚀干膜,要 制造出0.10-0.076mm导线宽度就显得更加困难。而且制作 出更薄的光致抗蚀干膜,从加工手段分析是不太可能。所 以,基干膜本身厚度与涂覆尺寸的收缩限制再提高是很困 难的
4)光致抗蚀剂的分类: 按用途分为耐蚀刻抗蚀剂和耐电镀抗蚀剂。 按显影类型分为全水溶性抗蚀剂、半水溶性抗蚀剂和溶剂 性抗蚀剂。
按物理状态分为液体抗蚀剂和干膜抗蚀剂
按感光类型分为正性抗蚀剂和负性抗蚀剂。
19
特选材料
液体光抗蚀剂(湿膜)
20
液体光抗蚀剂(湿膜)
特选材料
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特选材料
干膜光致抗蚀的种类
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特选材料
干膜光致抗蚀的种类
概述 :干膜光致抗蚀剂产生于1968年,而在七十年代初发展起来的i 种感光材料,我国于七十 年代中期开始干膜的研制和应用,至今已 有几种产品用于印制电路板生产,由于干膜具有良好的工艺性能、 优良的成像性和耐化学药品的性能,在图形电镀工艺中,它对于制 造精密细导线、 提高生产率、简化工序、改善产品质量等方面起到 了其它光致抗蚀剂所起不到的作用。应用干膜制造印制板有如下特 点:
干膜光致抗蚀剂的制作是先把预先配制好的感光胶在高清洁度的 条件下,在高精度的涂 布机上涂覆于聚酯薄膜上,经烘道干燥并 冷却后,覆上聚乙烯保护膜,卷绕在一个辊芯上。
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干膜光致抗蚀剂的技术
条件
Corporation standardization office #QS8QHH-HHGX8Q8-GNHHJ8
干膜光致抗蚀剂的技术条件
印制电路制造者都希望选用性能良好的干膜,以保证印制板质量,稳定生产,提高效益。
生产干膜的厂家也需要有一个标准来衡量产品质量。
为此在电子部、化工部的支持下,1983年在大连召开了光致抗蚀干膜技术协调会议,制定了国产水溶性光致抗蚀干膜的总技术要求。
近年来随着电子工业的迅速发展,印制板的精度密度不断提高,为满足印制板生产的需要,不断推出新的干膜产品系列,性能和质量有了很大的改进和提高,但至今国产干膜的技术要求还没有修订。
现将83年制定的技术要求的主要内容介绍如下,虽具体数字指标已与现今干膜产品及应用工艺技术有差距,但作为评价干膜
产品的技术内容仍有参考价值。
外观
使用干膜时,首先应进行外观检查。
质量好的干膜必须无气泡、颗粒、杂质;抗蚀膜厚度均匀;颜色均匀一致;无胶层流动。
如果干膜存在上述要求中的缺陷,就会增加图像转移后的修版量,严重者
根本无法使用。
膜卷必须卷绕紧密、整齐,层间对准误差应小于1m m,这是为了防止在贴膜时因卷绕误差而弄脏热压辊,也不会因卷绕不紧而出现连续贴膜的故障。
聚酯薄膜应尽可能薄,聚酯膜太厚会造成曝光时光线严重散射,而使图像失真,降低干膜分辨率。
聚酯薄膜必须透明度高,否则会增加曝光时间。
聚乙烯保护膜厚度应均匀,如厚度不均匀将造成光致抗蚀层胶层流动,严重影响干膜的质量。
干膜外观具体技术指标如表7—1所述:
表7—1 干膜外观的技术指标
◎光致抗蚀层厚度
一般在产品包装单或产品说明书上都标出光致抗蚀层的厚度,可根据不同的用途选用不同厚度的干膜。
如印制蚀刻工艺可选光致抗蚀层厚度为25μm的干膜,图形电镀工艺则需选光致抗蚀层厚度为3 8μm的干膜。
如用于掩孔,光致抗蚀层厚度应达到50μm。
干膜厚度及尺寸公差技术要求如表7—2。
表7—2 干膜的厚度及尺寸公差
◎聚乙烯保护膜的剥禺性
要求揭去聚乙烯保护膜时,保护膜不粘连抗蚀层。
◎贴膜性
当在加热加压条件下将干膜贴在覆铜箔板表面上时,贴膜机热压辊的温度105土10℃,传送速度~米/分,线压力公斤/cm,干膜应能贴牢。
◎光谱特性
在紫外——可见光自动记录分光光度计上制作光谱吸收曲线(揭去聚乙烯保护膜,以聚酯薄膜作参比,光谱波长为横坐标,吸收率即光密度D作纵坐标),确定光谱吸收区域波长及安全光区域。
技术要
求规定,干膜光谱吸收区域波长为310~440毫微米(nm),安全光区域波长为≥460毫微米(nm)。
高压汞灯及卤化物灯在近紫外区附近辐射强度较大,均可作为干膜曝光的光源。
低压钠灯主要幅射能量在波长为~589.6nm的范围,且单色性好,所发出的黄光对人眼睛较敏感、明亮,便于操作。
故可选用低压钠灯作为干膜操作的安全光。
◎感光性
感光性包括感光速度、曝光时间宽容度和深度曝光性等。
感光速度是指光致抗蚀剂在紫外光照射下,光聚合单体产生聚合反应形成具有一定抗蚀、能力的聚合物所需光能量的多少。
在光源强度及灯距固定的情况下,感光速度表现为曝光时间的长短,曝光时间短即为感光速度快,从提高生产效率和保证印制板精度方面考虑,希望选用感光速度快的干膜。
干膜曝光一段时间后,经显影,光致抗蚀层已全部或大部分聚合,一般来说所形成的图像可以使用,该时间称为最小曝光时间。
将曝光时间继续加长,使光致抗蚀剂聚合得更彻底,且经显影后得到的
图像尺寸仍与底版图像尺寸相符,该时间称为最大曝光时间。
通常干膜的最佳曝光时间选择在最小曝光时间与最大曝光时间之间。
最大曝光时间与最小曝光时间之比称为曝光时间宽容度。
干膜的深度曝光性很重要。
曝光时,光能量因通过抗蚀层和散射效应而减少。
若抗蚀层对光的透过率不好,在抗蚀层较厚时,如上层的曝光量合适,下层就可能不发生反应,显影后抗蚀层的边缘不整齐,将影响图像的精度和分辨率,严重时抗蚀层容易发生起翘和脱落现象。
为使下层能聚合,必须加大曝光量,上层就可能曝光过度。
因此深度曝光性的好坏是衡量干膜质量的一项重要指标。
第一次响应时的光密度和饱和光密度的比值称为深度曝光系数。
此系数的测量方法是将干膜贴在透明的有机玻璃板上,采用透射密度计测量光密度,测试比较复杂,且干膜贴在有机玻璃板上与贴在覆铜箔板上的情况也有所不同。
为简便测量及符合实际应用情况,以干膜的最小曝光时间为基准来衡量深度曝光性,其测量方法是将干膜贴在覆铜箔板上后,按最小曝光时间缩小一定倍数曝光并显影,再检查覆铜箔板表面上的干膜有无响应。
在使用5Kw高压汞灯,灯距650mm,曝光表面温度25土5℃的条件下,干膜的感光性应符合如表7—3要求:
表7---3干膜的感光性
◎显影性及耐显影性
干膜的显影性是指干膜按最佳工作状态贴膜、曝光及显影后所获得图像效果的好坏,即电路图像应是清晰的,未曝光部分应去除干净无残胶。
曝光后留在板面上的抗蚀层应光滑,坚实。
干膜的耐显影性是指曝光的干膜耐过显影的程度,即显影时间可以超过的程度,耐显影性反映了显影工艺的宽容度。
干膜的显影性与耐显影性直接影响生产印制板的质量。
显影不良的干膜会给蚀刻带来困难,在图形电镀工艺中,显影不良会产生镀不上或镀层结合力差等缺陷。
干膜的耐显影性不良,在过度显影时,会产生干膜脱落和电镀渗镀等毛病。
上述缺陷严重时会导致印制板报废。
对干膜的显影性和耐显影性技术要求如表7—4。
表7—4 干膜的显影性和耐显影性
◎分辨军
所谓分辨率是指在1mm的距离内,干膜抗蚀剂所能形成的线条(或间距)的条数,分辨率也可以用线条(或间距)绝对尺寸的大小来表示。
干膜的分辨率与抗蚀剂膜厚及聚酯薄膜厚度有关。
抗蚀剂膜层越厚,分辨率越低。
光线透过照相底版和聚酯薄膜对干膜曝光时,由于聚酯薄膜对光线的散射作用,使光线侧射,因而降低了干膜的分辨率,聚酯薄膜越厚,光线侧射越严重,分辨率越低。
技术要求规定,能分辨的最小平行线条宽度,一级指标<0.1mm,二级指标≤。
◎耐蚀刻性和耐电镀性
技术要求规定,光聚合后的干膜抗蚀层,应能耐三氯化铁蚀刻液、过硫酸铵蚀刻液、酸性氯化铜蚀刻液、硫酸——过氧化氢蚀刻液的蚀刻。
在上述蚀刻液中,当温度为50一55℃时,干膜表面应无发毛、渗漏、起翘和脱落现象。
在酸性光亮镀铜、氟硼酸盐普通锡铅合金、氟硼酸盐光亮镀锡铅合金以及上述电镀的各种镀前处理溶液中,聚合后的于膜抗蚀层应无表面发毛、渗镀、起翘和脱落现象。
◎去膜性能
曝光后的干膜,经蚀刻和电镀之后,可以在强碱溶液中去除,一般采用3—5%的氢氧化钠溶液,加温至60℃左右,以机械喷淋或浸泡方式去除,去膜速度越快越有利于提高生产效率。
去膜形式最好是呈片状剥离,剥离下来的碎片通过过滤网除去,这样既有利于去膜溶液的使用寿命,也可以减少对喷咀的堵塞。
技术要求规定,在3—5%(重量比)的氢氧化钠溶液中,液温60土10℃,一级指标为去膜时间30—75秒,二级指标为去膜时间60一150秒,去膜后无残胶。
◎储存期
干膜在储存过程中可能由于溶剂的挥发而变脆,也可能由于环境温度的影响而产生热聚· 合,或因抗蚀剂产生局部流动而造成厚度不均匀(即所谓冷流),这些都严重影响干膜的使用。
因此在良好的环境里储存干膜是十分重要的。
技术要求规定,干膜应储存在阴凉而洁净的室内,防止与化学药品和放射性物质一起存放。
储存条件为:黄光区,温度低于27℃(5—21℃为最佳),相对湿度50%左右。
储存期从出厂之日算起不小于六个月,超过储存期按技术要求检验合格者仍可使用。
在储存和运输过程中应避免受潮、受热、受机械损伤和受日光直接照射。
◎其它性能
在生产操作过程中为避免漏曝光和重曝光,干膜在曝光前后颜色应有明显的变化,这就是干膜的变色性能。
当使用于膜作为掩孔蚀刻时,要求干膜具有足够的柔韧性,以能够承受显影过程、蚀刻过程液体压力的冲击而不破裂,这就是干膜的掩蔽性能。