电磁感应微元法

电磁感应中的“微元法”和“牛顿第四定律”江苏省特级教师 江苏省丰县中学 戴儒京所谓：“微元法”所谓“微元法”，又叫“微小变量法”，是解物理题的一种方法。

1.什么情况下用微元法解题？在变力作用下做变变速运动（非匀变速运动）时，可考虑用微元法解题。

2. 关于微元法。

在时间t ∆很短或位移x ∆很小时，非匀变速运动可以看作匀变速运动，运动图象中的梯形可以看作矩形，所以x t v ∆=∆，s x l t lv ∆=∆=∆。

微元法体现了微分思想。

3. 关于求和∑。

许多小的梯形加起来为大的梯形，即∑∆=∆S s ，（注意：前面的s 为小写，后面的S 为大写），并且0v v v -=∆∑，当末速度0=v 时，有∑=∆0v v ，或初速度00=v 时，有∑=∆v v ，这个求和的方法体现了积分思想。

4. 无论物理规律用牛顿定律，还是动量定理或动能定理,都可以用微元法. 如果既可以用动量定理也可以用动能定理解。

对于使用老教科书的地区，这两种解法用哪一种都行，但对于使用课程标准教科书的地区就不同了，因为课程标准教科书把动量的内容移到了选修3-5，如果不选修3-5，则不能用动量定理解，只能用动能定理解。

微元法解题，体现了微分和积分的思想，考查学生学习的潜能和独创能力。

电磁感应中的微元法一些以“电磁感应”为题材的题目。

可以用微元法解，因为在电磁感应中，如导体切割磁感线运动，产生感应电动势为B L v E =，感应电流为R BLvI =，受安培力为v RL B B I L F 22==，因为是变力问题，所以可以用微元法.1.只受安培力的情况例1. 如图所示，宽度为L 的光滑金属导轨一端封闭，电阻不计，足够长，水平部分有竖直向上、磁感应强度为B 的匀强磁场中。

质量为m 、电阻为r 的导体棒从高度为h 的斜轨上从静止开始滑下，由于在磁场中受安培力的作用，在水平导轨上滑行的距离为S 而停下。

（1） 求导体棒刚滑到水平面时的速度0v ；（2） 写出导体棒在水平导轨上滑行的速度v 与在水平导轨上滑行的距离x 的函数关系，并画出x v -关系草图。

（3）求出导体棒在水平导轨上滑行的距离分别为S/4、S/2时的速度1v 、2v ；hx 0 S/4 S/2 S 例题图解：（1）根据机械能守恒定律，有2021mv mgh =，得gh v 20=。

①(2)设导体棒在水平导轨上滑行的速度为v 时，受到的安培力为v RL B BIL f 22-==，安培力的方向与速度v 方向相反。

用微元法，安培力是变力，设在一段很短的时间t ∆内，速度变化很小，可以认为没有变化，所以安培力可以看做恒力，根据牛顿第二定律，加速度为==m f a v mRL B 22-，很短的时间t ∆内速度的变化为==∆at v t v mRL B ∆⋅-22，而x t v ∆=∆，那么在时间t 内速度的变化为∑∆⋅-=∆t v mRL B V )(22，因为x ，所以x mRL B V ⋅-=∆)(22，速度=∆+=V v v 0x mRL B v ⋅-220 ②2.既受安培力又受重力的情况 例2. 2010年南京市高考模拟题如图所示，竖直平面内有一边长为L 、质量为m 、电阻为R 的正方形线框在竖直向下的匀强重力场和水平方向的磁场组成的复合场中以初速度0v 水平抛出，磁场方向与线框平面垂直，磁场的磁感应强度随竖直向下的z 轴按kz B B +=0得规律均匀增大，已知重力加速度为g ,求：（1） 线框竖直方向速度为1v 时，线框中瞬时电流的大小； （2） 线框在复合场中运动的最大电功率；（3） 若线框从开始抛出到瞬时速度大小到达2v 所经历的时间为t ，那么，线框在时间t 内的总位移大小为多少？解：（1）因在竖直方向两边的磁感应强度大小不同，所以产生感应电流为 RkL RLv B B R e i 2112)(=-==(2)当安培力等于重力时竖直速度最大，功率也就最大=-=IL B B mg )(12Rv L k Rv L B B mm422212)(=-所以42Lk mgR v m ===m m mgv P 4222Lk R g m（3）线框受重力和安培力两个力，其中重力mg 为恒力，安培力=f Rv L k Rv L B B zz422212)(=-为变力，我们把线框的运动分解为在重力作用下的运动和在安培力作用下的运动。

在重力作用下，在时间t 内增加的速度为gt v =∆1)(，求在安培力作用下在时间t 内增加的速度为2)(v ∆用微元法，设在微小时间t ∆内，变力可以看做恒力，变加速运动可以看做匀加速运动，加速度为=a mRv L k z 42-，则在t ∆内速度的增加为=∆v mRv L k z 42-t ∆，而z t v z ∆=∆，所以在时间t 内由于安培力的作用而增加的速度（因为增加量为负，所以实际是减小）为∑∆-=∆z mRL k v 422)(，所以z mRL k v ⋅-=∆422)(再根据运动的合成，时间t 内总的增加的速度为21)()(v v ∆+∆=-gt z mRL k ⋅42。

从宏观看速度的增加为2022v v -，所以-gt z mRL k ⋅42=2022v v -，得线框在时间t 内的总位移大小为422022)(Lk v v gt mR z --=。

从例题可以看出，所谓微元法是数学上的微积分理念在解物理题中的应用. 3.重力和安培力不在一条直线上的情况 例3．2008年高考江苏省物理卷第15题如图所示，间距为L 的两条足够长的平行金属导轨与水平面的夹角为θ，导轨光滑且电阻忽略不计．场强为B 的条形匀强磁场方向与导轨平面垂直，磁场区域的宽度为d 1，间距为d 2．两根质量均为m 、有效电阻均为R 的导体棒a 和b 放在导轨上，并与导轨垂直．（设重力加速度为g ）⑴若a 进入第2个磁场区域时，b 以与a 同样的速度进入第1个磁场区域，求b 穿过第1个磁场区域过程中增加的动能△E k ；⑵若a 进入第2个磁场区域时，b 恰好离开第1个磁场区域；此后a 离开第2个磁场区域时，b 又恰好进入第2个磁场区域．且a ．b 在任意一个磁场区域或无磁场区域的运动时间均相等．求b 穿过第2个磁场区域过程中，两导体棒产生的总焦耳热Q ； ⑶对于第⑵问所述的运动情况，求a 穿出第k 个磁场区域时的速率v ．解：⑴因为a 和b 产生的感应电动势大小相等，按回路方向相反，所以感应电流为0，所以a 和b 均不受安培力作用，由机械能守恒得 1sin k E mgd θ∆= ①⑵设导体棒刚进入无磁场区时的速度为1v ,刚离开无磁场区时的速度为2v ,即导体棒刚进入磁场区时的速度为2v ,刚离开磁场区时的速度为1v ，由能量守恒得：在磁场区域有：2212111sin 22m Q m mgd θ+=+v v ②在无磁场区域：2221211sin 22m m m gd θ=+v v ③解得：12()sin Q mg d d θ=+⑶用微元法设导体棒在无磁场区域和有磁场区域的运动时间都为t ， 在无磁场区域有：21sin gt θ-=v v ④ 且平均速度：1222d t+=v v ⑤在有磁场区域，对a 棒：sin F mg BIl θ=- 且：2Bl I R=v解得: Rv l B F 2mgsin 22-=θ ⑥因为速度v 是变量，用微元法根据牛顿第二定律, 在一段很短的时间t ∆内t m F v ∆=∆则有22sin 2B l g t m R θ⎡⎤∆=-∆⎢⎥⎣⎦∑∑v v因为导体棒刚进入磁场区时的速度为2v ,刚离开磁场区时的速度为1v , 所以∑-=∆21v v v,1dt v =∆∑，t t =∆∑ 所以：122212sin d mRlB gt v v -=-θ ⑦联立④⑤⑦式,得mRd l B d l B mgRdv 8sin 412212221-=θ（原答案此处一笔带过，实际上这一步很麻烦，以下笔者给出详细过程： ④代入⑦得：θsin 4122mgR d l B t =， ⑧⑧代入⑤得：122221sin 8d l B R mgd v v θ=+ ⑨⑦+⑨得：mRd l B d l B mgRdv 8sin 412212221-=θ。

）a ．b 在任意一个磁场区域或无磁场区域的运动时间均相等, 所以a 穿出任一个磁场区域时的速率v 就等于1v ．所以mRd l B d l B mgRdv 8sin 41221222-=θ。

（注意：由于a ．b 在任意一个磁场区域或无磁场区域的运动时间均相等，所以a 穿出任一个磁场区域时的速率v 都相等，所以所谓“第K 个磁场区”，对本题解题没有特别意义。

） 练习题练习题1. 2007年高考江苏省物理卷第18题如图所示，空间等间距分布着水平方向的条形匀强磁场，竖直方向磁场区域足够长，磁感应强度Ｂ＝１Ｔ，每一条形磁场区域的宽度及相邻条形磁场区域的间距均为d=0.5m ，现有一边长l=0.2m 、质量m=0.1kg 、电阻Ｒ＝0.1Ω的正方形线框ＭＮＯＰ以v 0=7m/s 的初速从左侧磁场边缘水平进入磁场，求（１）线框ＭＮ边刚进入磁场时受到安培力的大小Ｆ。

（２）线框从开始进入磁场到竖直下落的过程中产生的焦耳热Ｑ。

（３）线框能穿过的完整条形磁场区域的个数n 。

解：（1）线框ＭＮ边刚进入磁场时，感应电动势 V Blv E 4.10==，感应电流 ==RE I A 14，受到安培力的大小 Ｆ=N BIl 8.2=（2）水平方向速度为0，==2021mv Q J 45.2（3）用“微元法”解线框在进入和穿出条形磁场时的任一时刻，感应电动势 0Blv E =，感应电流 RE I =，受到安培力的大小 Ｆ=BIl ，得Rv l B F 22=，在t t ∆→时间内，由牛顿定律：v t mF ∆=∆求和，∑∑∆=∆v t v mRl B )(22,022v x mRl B =⋅解得 m lB R mv x 75.1220==，线框能穿过的完整条形磁场区域的个数n=375.44.075.1=，取整数为4。

练习题2.2009年高考江苏省物理卷第15题如图所示，两平行的光滑金属导轨安装在一光滑绝缘斜面上，导轨间距为L 、足够长且电阻忽略不计，导轨平面的倾角为α。

条形匀强磁场的宽度为d ，磁感应强度大小为B 、方向与导轨平面垂直。

长度为d 2的绝缘杆将导体棒和正方形的单匝线框连接在一起组成“”型装置。

总质量为m ，置于导轨上。

导体棒中通以大小恒为I 的电流（由外接恒流源产生，图中未画出）。

线框的边长为d （L d <），电阻为R ，下边与磁场区域上边界重合。

将装置由静止释放，导体棒恰好运动到磁场区域下边界处返回。