电子线路第四版线性部分-谢嘉奎-复习资料全
高频电子线路课件(谢嘉奎第四版)1-3
② 采用自举电路
R1 ,R2 , C2,取代 R 。特 点:交流电位由 O 经 C2 自举到 C 点,即 vC vO。
工作原理:Av 1,故 vB vO vC,通过 R2 的交流电流 i 0, 因而从 B 点向虚线框看进去的交
流电阻(vB/i)很大,趋于无穷,T3 的交流负载电阻便近似等于
图 1-3-4 二极管偏置电路
3.VBE 倍增电路
VBB
VBE3(1
R1 R2
)
(1)偏置电路
由 T3、R1、R2 组成,且由电 流源 IR 激励,为互补功率管 T1、 T2 提供偏置电压 VBB。
图 1–3–5 VBE 倍增偏置电路
T3、R1 构成电压并联负反馈电路,反馈电路的输出电 阻很小,几乎不影响输入信号的传输。
1.3 乙类推挽功率放大电路
从原理电路到实用电路,还需解决如下等问题:
① 交越失真 —— 加偏置电路; ② 双电源 —— 单电源供电; ③ 互补管难配 —— 准互补推挽电路; ④ 安全 —— 过载保护; ⑤ 充分激励 —— 输入激励电路。
一、交越失真和偏置电路
1.交越失真(Crossover Distortion) (1)定义 在零偏置条件下,考虑到导通电压的影响,输出电压 波形在衔接处出现的失真,称交越失真。
五、输入激励电路
1.必要性
互补功放, 功率管为射随器,Av < 1。若要求输出最大 信号功率,则要求激励
级提供振幅接近电源电
压的推动电压(单电源
为 VCC /2 )。
2.电路 T3:输入激励级, T3 的直流负载 R(忽略 T1 和 T2基 极电流),直流负 载线为Ⅰ。
图 1–3–9(a) 未加自举电容的电路 (b)输入激励级图解分析
电子线路 非线性部分(第四版)谢嘉奎 第3章正弦波振荡器
(a)并联谐振回路 图 3-1-5 谐振回路的相频特性曲线
可见在实际振荡电路中,是依靠具有负斜率相频特性 的谐振回路来满足相位稳定条件的,且 Qe 越高,Z() 随 的变化斜率越大,频率稳定度越高。
3.1.3 基本组成及其分析方法
要产生稳定的正弦振荡,振荡器必须满足起振、平衡、 稳定三项条件。 1.组成 ① 可变增益放大器——提供足够的增益,且其增益随 输入电压增大而减小。
① A() 放大管(可略) 并联谐振回路相移 Z()
② f(),随 的变化十分缓慢,可认为它与 无关。
故 Z() 随 变化的特性可代表 T() 随 变化的特性。
并联谐振回路,其相频特性
z ( ) arctan
2( 0 )
0
Qe
0 ——谐振频率
① 振荡器离开原平衡状态,导致停振或突变到新的平 衡状态。原平衡状态是不稳定的,应避免。
② 振荡器有回到平衡状态的趋势。当干扰消失后,能 回到平衡状态。原平衡状态是稳定的。 必须讨论稳定条件,保证振荡器所处平衡状态是稳定的。
二、振幅稳定条件
图 3-1-2 所示环路增益特 性,还满足振幅稳定条件。 1.稳定过程 若 Vi ViA , T ( osc ) 1,干扰使:
2.环路增益存在两个平衡点的情况 如图 3-1-3 所示,振荡器存在着两个平衡点 A 和 B, 其中 A 是稳定的,B 点是否稳定? 分析:若使 Vi > ViB ,则 T(osc) 随之增大,导致 Vi 进 一步增大,从而更远离平衡点 B。最后到达平衡点 A。 反之,若 Vi ViB T ( osc )
Vi ,直到停止振荡。
可见,这种振荡器不满足振幅起 振条件,必须加大的电冲击,产生大 于ViB 的起始扰动电压,才能进入平衡 点 A,产生持续等幅振荡。
电子线路非线性部分(第四版)谢嘉奎第6章反馈控制电路
1.I 较大,超过环路滤波器的通频带
vd(t) 虽然受到较大衰减,但仍可以使 VCO 振荡频率
摆到 i ,环路很快锁定。称为快捕过程。
快捕带:能够锁定的最大 |i| ,以 c 表示
c AdAoAF(c)
2.I 比第一种情况大 vd(t) 受到很大衰减,不能使 VCO 振荡频率摆到 I 。
捕捉过程如下:
变为 V om ,反复循环直到达到 A 点,进入稳定状态。
AI 、Ar 越大剩余幅差越小。
二、应用
1.自动增益控制电路(AGC)
自动增益控制电路的作用:当输出信号电压变化很大 时,保持输出电压几乎不变。
调幅接收机加入 AGC 电路是为了接收机输出的信号 稳定,避免声音忽强忽弱。
高放、混频、中放构成的可控增益放大器。
e0 ,减小到 e。
限幅鉴频器 频率比较器 放大器
转换特性 e vc
VCO 可控频率电路 混频器
转换特性 vc e
(a)o = e0,①
→②
(b)M 锁定时的平衡
点,剩余角频差
(c)M 、P 稳定平衡 点,但 P 点环路已失去 调解作用。 N 不稳定平 衡点。
同步带:H = e02 捕捉带:p = e03
分析环路锁定的动态过程及其性能特点。
6.2.1 基本环路方程
一、鉴相器
(a) 图 6–2–1 鉴相器的电路模型
作用:比较两个输 入电压之间的相位差, 产生相应的输出电压 vd(t) 。
设 r 为参考角频率。 r — VCO 未加控制电压时的固有振荡角频率。
i
= r
di (t)
dt
(a) 图 6–2–1 鉴相器的电路模型
益,从而有效地减
小非线性失真。
电子线路_非线性部分(第四版)谢嘉奎_绪论第一章_标准
优点: 增益高,选择性好。 直接高放接收机:解调前仅包括高放,无混频器、本 机振荡、中频放大器等,增益低,选择性差。
17
6.其他通信系统
① 调频无线通信系统,发射机和接收机都包括上述各
模块,区别主要在于调制器和解调器上。
实现调制的模块——频率调制器;
Po 一定,C 越高,PD 越小 PC 小, 既可选 PCM
小的管子,以降低费用,也节省能源。
③ 失真小。
31
尽管功率增益也是重要的性能指标,但安全、高效和 小失真更重要,前者可以通过增加前置级祢补。
二、功率管的运用特点
1.功率管的运用状态 根据功率管在一个信号周期内导通时间的不同,功率管 运用状态可分为甲类、乙类、甲乙类、丙类等多种。
非线性电路:对信号进行处理时,使用了器件特性的 非线性部分,利用器件的非线性完成振荡、频率变换等功 能。
器件特性与使用条件密切相关,例如:
2
小信号条件下,输入信号小,在一定条件下电路可用 线性等效电路表示,例如各种小信号放大器(《线性电子线 路》)中,器件的特性归属线性电子线路。
大信号条件下,输入信号大,必涉及器件的非线性部 分,例如功率放大器。故不能用线性等效电路表示电子器 件的特征,而必须用非线性电路的分析方法。所以,功放 归属非线性电子线路。
18
(2)本课程讨论的内容——三类电路 ① 功率放大电路——在输入信号作用下,可将直流 电源提供的部分功率转换为按输入信号规律变化的输出信 号功率,并使输出信号的功率大于输入信号的功率。
② 振荡电路——可在不加输入信号的情况下,稳定 地产生特定频率或特定频率范围的正弦波振荡信号。
③ 波形变换和频率变换电路——能在输入信号作用 下产生与之波形和频谱不同的输出信号。包括:调制电路、 解调电路、混频电路和倍频电路。
电子线路 非线性部分 第四版 谢嘉奎 课件 第五章 角度解调
5.3.3 相位鉴频器 (鉴相器phase detector) 鉴相器是用来比较两个同频输入电压 u1 (t ) 和 u2 (t ) 的相位,而输 出电压 u0 ( t ) 是两个输入电压相位差的函数, uo (t ) 即 uo ( t ) = f [ϕ1 ( t ) − ϕ 2 ( t )] 鉴相器 u (t )
u1 u2
调频脉 冲序列
低通滤波器或 脉冲计数器
u3 单稳 u4
uΩ
u FM
限幅放大
微分
半波整流 (a)
低通滤波
uo
u FM
t
u1
t
u2 u3
t t
u4 uo (b)
t t
2. 鉴频器的主要特性
能全面描述鉴频器主要特性的是鉴频特性曲线。它是指鉴频器的输出 电压uo(t),与其输入FM信号瞬时频偏Δω(t)或Δf(t)之间的关系曲线
5.3
调频波的解调原理及电路
5.3.1 鉴频方法及其实现模型 5.3.2 振幅鉴频器(斜率鉴频器) 5.3.3 相位鉴频器 5.3.4 比例鉴频器 5.3.5 移相乘积鉴频器
5.3 调频波的解调原理及电路
5.3.1 鉴频方法及其实现模型
1. 鉴频方法 调频信号的解调是从调频波 uFM = U cos[ωo t + m ∫ uΩ (t )dt ] 中 恢 复 出 原 调制信号 uΩ (t ) 过程,完成调频波解调过程的电路称为频率检波器 将调频波进行特定的波形变换,根据波形变换特点的不同,可归 纳以下几种实现方法: 第一种方法,将调频波通过频率—幅度线性变换网络,将调频波变换 成调频—调幅波,再通过包络检波器检测出反映幅度变化的解调电 压。把这种鉴频器称为斜率鉴频器,或称振幅鉴频器 。
线性电子线路(谢嘉奎)第四版第一章课件
ni pi AT e 2kT
3 2
Eg 0
ni pi AT e 2kT
式中,浓度单位为cm , A——常量 (硅:3.88×1016 cm-3K-3/2,锗:1.76×1016cm-3K-3/2) T——热力学温度
-3
3 2
Eg 0
k——是玻尔兹曼常数(8.63×10-5 eV/K),
Eg0 ——T=0 K(即-273℃)时的禁带宽度,导带与价 带间的距离(硅为1.21 eV, 锗为0.785 eV) 该公式的核心是什么? 载流子浓度是温度的函数
ni pi AT e 2kT
公式表明,本征半导体的载流子浓度和温度、材料有关。 将相关参数带入公式中,可以得到300K时硅的 ni=1.43×1010cm-3 (教材给出1.5×1010cm-3,不准确)。 由此可以看到,尽管本征半导体在室温情况下具有一 定的导电能力,但是,本征半导体中载流子的数目远小于 原子数目(硅:4.96×1022cm-3),因此本征半导体的导 电能力很低。 结论:室温下本征半导体的导电能力非常弱 说明:本征半导体的导电能力随温度升高,增加很快 硅,500K时:ni=3.53×1014cm-3, 600K时 : ni=4.81×1015cm-3
3.本征激发和复合 因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现 的,称为电子-空穴对。 游离的部分自由电子也可能回到空穴中去,称为复合
本征激发
+4 +4 +4
+4
+4 +4
+4 +4 +4
复合
本征激发数目越多,复合量 越大,使得本征激发数目减 少;这又使得复合减少。 最终,在一定温度下达到动态平衡
电子线路第四版线性部分教学大纲
电子线路第四版线性部分教学大纲一、课程简介电子线路是现代电子技术中的基础课程之一,是掌握电子技术的必修课程。
本课程为电子线路第四版,主要围绕电路中的线性部分展开教学。
通过本课程的学习,学生将会掌握电路的基本理论和方法,包括电子元器件、线性电路基础、放大器、滤波器等知识点。
二、课程内容1.电子元器件•电子元器件的种类及其特点•半导体材料和二极管•三极管的基本原理及应用•MOS场效应管的基本原理及应用2.线性电路基础•电路基本理论及基本电路变换•节能器、电阻、电容、电感等电子元器件的应用•戴维南定理和环路定理在电路分析中的应用3.放大器•放大器的原理及分类•功率放大器的特点和应用•反馈的基本理论和应用4.滤波器•滤波器的基本原理及分类•有源RC滤波器和有源滤波器的应用•操作放大器和滤波器的结合三、教学目标通过本课程的学习,学生应该能够: - 深入了解电子元器件的种类及其特点,掌握半导体材料和二极管的原理及应用 - 熟悉三极管和MOS场效应管的基本原理及应用,并能在电路中灵活运用 - 掌握电路基本理论,重点掌握戴维南定理和环路定理在电路分析中的应用,能够运用节能器、电阻、电容、电感等电子元器件进行电路设计 - 熟悉放大器的原理及分类,了解功率放大器的特点和应用,了解反馈的基本理论和应用场景 - 掌握滤波器的基本原理及分类,熟悉有源RC滤波器和有源滤波器的应用场景,掌握操作放大器和滤波器的结合应用四、教学方法本课程采用理论教学与实践教学相结合的方式进行教学。
理论教学的主要内容包括: - 课前预习:让学生在课前对所要学习的知识点进行了解,为后续的理论讲解打下基础。
- 讲解理论:通过对电路基本理论、电子元器件、放大器、滤波器等内容进行详细的讲解,使学生逐步掌握这些知识点的核心要点。
- 练习:通过课堂练习、作业等方式,巩固学生的理论基础,同时培养学生的分析和解决问题的能力。
实践教学的主要内容包括:- 实验:通过设计与实验相结合的方式,让学生亲手操作电路,加深对理论知识的理解和掌握。
电子线路-非线性部分(第四版)谢嘉奎-第4章振幅调制-解调与混频电路讲课讲稿
v O ( t ) V m c0 c t o M a V s m c Ω 0 o cc t o s t s
V m c0 c o t 1 2 M s a V m c0 o c Ω ) t s 1 2 M (a V m c0 o c Ω ) t s
单音调制时调幅信号的频谱:由三个分量组成:
(7)
所以,输出调幅波电流的数学表达式为
i I m 0 ( 1 M a cΩ o ) cs to c t s
(8)
式中:Im0 = a1Vcm :调制前载波电流振幅;
Im0(1 + Ma cos t) :调幅波电流振幅;
若负载M 为aLC2a调2aV谐1回m路k,aV V 谐mm 振0 在Mfac:,调谐幅振度电。阻
(2)
其中,c = 2fc:载波角频率; fc:载波频率,c >> 。
若同时作用在一个非线性器件 i = f(v) 上,有
Vcmcos ct + V cos t
(3)
将非线性器件的输出电流用三角函数展开
i a 0 a 1 v a 2 v 2 a 3 v 3
(4)
将式(3)代入式(4) ,取前三项,则
1.电路组成模型
vO (t) [[[V v A c m (tc) V 0 m k A av A M M v( A t)(tc )]c v V m v c( o t)(c tts )]A ]co cts
式中,AM :相乘器乘积系数; A:相加器的加权系数,且 A = k,AM AVcm = ka。
(6)
若负载为 LC 调谐回路, ,2 ,2c 均远离 c,去
掉它们及直流分量,则式(6)可写为
ia1Vcm cocsta2Vcm V[cocs(Ω)tcosc (Ω)t] a1Vcm cocst2a2Vcm VcocstcoΩs t
非线性电子线路(谢嘉奎第四版_部分)答案
⾮线性电⼦线路(谢嘉奎第四版_部分)答案声明:由不动脑筋⽽直接抄取答案的⾏为引发的后果⾃负,与本⼈⽆任何关联,愿好⾃为之。
解释权归本⼈所有。
1-2 ⼀功率管,它的最⼤输出功率是否仅受其极限参数限制?为什么?解:否。
还受功率管⼯作状态的影响,在极限参数中,P CM 还受功率管所处环境温度、散热条件等影响。
1-3 ⼀功率放⼤器要求输出功率P。
= 1000 W,当集电极效率ηC由40%提⾼到70‰时,试问直流电源提供的直流功率P D和功率管耗散功率P C各减⼩多少?解:当ηC1 = 40%时,P D1 = P o/ηC = 2500 W,P C1 = P D1P o=1500 W当ηC2 = 70%时,P D2 = P o/ηC =1428.57 W,P C2 = P D2P o = 428.57 W可见,随着效率升⾼,P D下降,(P D1 P D2) = 1071.43 WPC下降,(P C1 P C2) = 1071.43 W1-6 如图所⽰为低频功率晶体管3DD325的输出特性曲线,由它接成的放⼤器如图1-2-1(a)所⽰,已知V CC = 5 V,试求下列条件下的P L、P D、ηC(运⽤图解法):(1)R L= 10Ω,Q点在负载线中点,充分激励;(2)R L = 5 Ω,I BQ同(1)值,I cm = I CQ;(3)R L = 5Ω,Q点在负载线中点,激励同(1)值;(4)R L = 5 Ω,Q点在负载线中点,充分激励。
解:(1) R L = 10 Ω时,作负载线(由V CE = V CC I C R L),取Q在放⼤区负载线中点,充分激励,由图得V CEQ1 = 2.6V,ICQ1= 220mA,I BQ1 = I bm = 2.4mA因为V cm = V CEQ1V CE(sat) = (2.6 0.2)V = 2.4 V,I cm = I CQ1 = 220 mA所以mW26421cmcmL==IVP,P D= V CC I CQ1 =ICRL作负载线,I BQ同(1)值,即I BQ2 =2.4mA,得Q2点,V CEQ2 =3.8V,I CQ2 = 260mA这时,V cm = V CC V CEQ2 = 1.2 V,I cm = I CQ2 = 260 mA所以mW15621cmcmL==IVP,P D = V CC I CQ2 = 1.3 W,ηC = P L/ P D = 12%(3)当R L = 5 Ω,Q在放⼤区内的中点,激励同(1),由图Q3点,V CEQ3 = 2.75V,I CQ3= 460mA,I BQ3 = 4.6mA, I bm = 2.4mA 相应的v CEmin= 1.55V,i Cmax= 700mA。
高频电子线路课件(谢嘉奎第四版)1-5
当 VS = VREF 时 误差放大器输出静态电压,经电压比较器使 T1 管的 导通时间为 ton 或占空系数为 d0,稳压器的输出电压
VO = VREF
R1 R2 = f T
调解过程如下: VO VS ton d VO 反之亦然。
1.5.3 开关型稳压器
开关型稳压器的调整管工作在开关状态,通过控制开 关的启闭时间来调整输出电压。
一、直流–直流变换器 1.降压型变换器
如图 1–5–15(a)所示,电路由开关 S、续流二极管 D 和低通滤波器 L1、C2 组成。 S 闭合:vA = VI,D 截止, 电感 L1 充电。
S 断开:vA = 0,D 导通 (设VD(on) = 0),电感 L1 放电。
稳压二极管构成的基准电压源电路如图 1–5–13(a)所示。
基准电压 VREF
VREF = VZ - 2V(on)
VZ - 3V(on) R2VZ ( R1 - 2 R2 )V(on) R1 = R1 R2 R1 R2
VZ(6 ~ 8 V)具有正温度系数,V(on) 具有负温度系数。
满足 R1 - 2 R2 = - VZ / T 时,基准电压 VREF 的温 R2 V(on) / T 度系数
1.5.2 串联型稳压器
一、工作原理 1.组成
串联型稳压器的组成 如图 1-5-12(a)所示。 串联型稳压器组成: 调整管、取样电路、 基准电压源和比较放大器。
图 1-5-12(a)
串联稳压电路的组成方框图
串联型稳压器组成: 调整管 —— 功率管或 复合管与负载串联。 比较放大器 —— 单管 放大器、差分放大器、集 成运放等。 基 准 电 压 源 —— 温 度 系数很小的电压源电路。
(电子线路线性部分谢嘉奎第四版)第4章+放大器基础-2
半电路共模交流通路
voc1 − voc2 voc = A = =0 vc vic vic
双端输出电路利用对称性抑制共模信号。 双端输出电路利用对称性抑制共模信号。
利用对称性抑制共模信号(温漂)原理: 利用对称性抑制共模信号(温漂)原理:
T ↑→ICQ1 = ICQ2 ↑→VCQ1 =VCQ2 ↓ (=VCC − ICQ1RC)
第4章
放大器基础
4.4 差分放大器
差分放大器具有抑制零点漂移的作用, 差分放大器具有抑制零点漂移的作用,广泛用于集 成电路的输入级,是另一类基本放大器。 成电路的输入级,是另一类基本放大器。
4.4.1 电路结构
VCC T1 RC + vo RL REE VEE RC T2 RC T1 VCC RC RL + REE VEE T2
β3R3
R3 + rb′e3 + R1 // R2
)
KCMR = gmRo3 很大
14
第4章
放大器基础
任意输入时, 任意输入时,输出信号的计算
单端输出时
vo1 = voc1 + vod1 = A c1vic + A d1vid v v vo2 = voc2 + vod2 = A c2vic + A d2vid v v
4
第4章
放大器基础
VCC RC T1 + vo RL REE VEE T1 + RC T2
差模性能分析 双端输出电路
1)半电路差模交流通路 ) REE 对差模视为短路。 对差模视为短路。 因 iC1 = ICQ + ic iC2 = ICQ - ic
+ vi1 -
电子线路(非线性部分)习题完全答案(谢嘉奎第四版)
电子线路(非线性部分)1-2 一功率管,它的最大输出功率是否仅受其极限参数限制?为什么?解:否。
还受功率管工作状态的影响,在极限参数中,P CM 还受功率管所处环境温度、散热条件等影响。
第二章2-1 为什么谐振功率放大器能工作于丙类,而电阻性负载功率放大器不能工作于丙类?解:因为谐振功放的输出负载为并联谐振回路,该回路具有选频特性,可从输出的余弦脉冲电流中选出基波分量,并在并联谐振回路上形成不失真的基波余弦电压,而电阻性输出负载不具备上述功能。
2-2 放大器工作于丙类比工作于甲、乙类有何优点?为什么?丙类工作的放大器适宜于放大哪些信号?解:(1)丙类工作,管子导通时间短,瞬时功耗小,效率高。
(2) 丙类工作的放大器输出负载为并联谐振回路,具有选频滤波特性,保证了输出信号的不失真。
为此,丙类放大器只适宜于放大载波信号和高频窄带信号。
2-4 试证如图所示丁类谐振功率放大器的输出功率2)sat (CE CC L2o )2(π2V V R P -=,集电极效率CC)sat (CE CC C 2V V V -=η。
已知V CC = 18 V ,V CE(sat) = 0.5 V ,R L = 50 Ω,试求放大器的P D 、P o 和ηC 值。
解:(1) v A 为方波,按傅里叶级数展开,其中基波分量电压振幅。
)2(π2)sat (CE CC cm V V V -=通过每管的电流为半个余弦波,余弦波幅度,)2(π2)sat (CE CC LL cm cm V V R R V I -==其中平均分量电流平均值 cm C0π1I I =所以 2)sat (CE CC L2cm cm o )2(π221V V R I V P -== )2(π2)sat (CE CC CC L2C0CC D V V V R I V P -==CC)sat (CE CC D o C 2/V V V P P -==η(2) W 24.1)2(π2)sat (CE CC CC L2D =-=V V V R P W 17.1)2(π22)sat (CE CC L2o =-=V V R P %36.94/D o C ==P P η2-5 谐振功率放大器原理电路和功率管输出特性曲线如图所示,已知V CC = 12 V ,V BB = 0.5 V ,V cm = 11 V ,V bm = 0.24 V 。
非线性电子线路(谢嘉奎第四版部分)问题详解
声明:由不动脑筋而直接抄取答案的行为引发的后果自负,与本人无任何关联,愿好自为之。
解释权归本人所有。
1-2 一功率管,它的最大输出功率是否仅受其极限参数限制?为什么?解:否。
还受功率管工作状态的影响,在极限参数中,P CM 还受功率管所处环境温度、散热条件等影响。
1-3 一功率放大器要求输出功率P。
= 1000 W,当集电极效率ηC由40%提高到70‰时,试问直流电源提供的直流功率P D和功率管耗散功率P C各减小多少?解:当ηC1 = 40%时,P D1 = P o/ηC = 2500 W,P C1 = P D1P o=1500 W当ηC2 = 70%时,P D2 = P o/ηC =1428.57 W,P C2 = P D2P o = 428.57 W可见,随着效率升高,P D下降,(P D1 P D2) = 1071.43 WPC下降,(P C1 P C2) = 1071.43 W1-6 如图所示为低频功率晶体管3DD325的输出特性曲线,由它接成的放大器如图1-2-1(a)所示,已知V CC = 5 V,试求下列条件下的P L、P D、ηC(运用图解法):(1)R L= 10Ω,Q点在负载线中点,充分激励;(2)R L = 5 Ω,I BQ同(1)值,I cm = I CQ;(3)R L = 5Ω,Q点在负载线中点,激励同(1)值;(4)R L = 5 Ω,Q点在负载线中点,充分激励。
解:(1) R L = 10 Ω时,作负载线(由V CE = V CC I C R L),取Q在放大区负载线中点,充分激励,由图得V CEQ1 = 2.6V,ICQ1= 220mA,I BQ1 = I bm = 2.4mA因为V cm = V CEQ1V CE(sat) = (2.6 0.2)V = 2.4 V,I cm = I CQ1 = 220 mA所以mW26421cmcmL==IVP,P D= V CC I CQ1 =1.1 W,ηC = P L/ P D = 24%(2) 当R L = 5 Ω时,由V CE = V CCICRL作负载线,I BQ同(1)值,即I BQ2 =2.4mA,得Q2点,V CEQ2 =3.8V,I CQ2 = 260mA这时,V cm = V CC V CEQ2 = 1.2 V,I cm = I CQ2 = 260 mA所以mW15621cmcmL==IVP,P D = V CC I CQ2 = 1.3 W,ηC = P L/ P D = 12%(3)当R L = 5 Ω,Q在放大区的中点,激励同(1),由图Q3点,V CEQ3 = 2.75V,I CQ3= 460mA,I BQ3 = 4.6mA, I bm = 2.4mA相应的v CEmin= 1.55V,i Cmax= 700mA。
厦门大学846电子线路-总复习指南
注:本指南为个人在师兄师姐总结的基础上,更加的完善,并加入了自己的思路和方法。
复习指南(模电和数电+非线性)一、前言:1、需要准备的参考书目:①谢嘉奎主编的《电子线路(线性部分)》(第四版)②《电子线路(第四版)》教学指导书③阎石主编的《数字电子技术基础》(第五版)④《数字电子技术基础》习题解答(阎石,王红编,高教出版社)注:如果复习时间充裕的话可另准备一本谢嘉奎主编的《电子线路(非线性部分)》。
其他版本的如康华光的模电和数电最好不要用。
2、①模电和数电的基本知识点和考核重点要着重记忆②课后习题做两边以上,有些重点题目要重复多次做③真题做两遍以上3、真题最后一道大题30分,内容考查为《非线性部分》+NE555,这部分我会总结一些易考知识点,如果时间充裕,可以结合课本仔细的学习一下,但不用涉及计算,只需理论即可。
4、真题答案只作为参考,由于学校没有公布答案,答案多为自己以及前辈编写,有些只提供计算思路和计算公式,没有详细的数字答案,务必亲自动手计算;5、整个复习指南分为三个部分:模电,数电,非线性;包括考核重点、易于被轻视的但易考核的知识点以及重点习题;6、整个总结都是本人自己结合前辈和真题总结出来的,每个人自己都有自己的想法,一定要找到适合自己的复习方法,要结合考试知识点并重点分析历年真题。
7、2013年整个考试题模拟部分难度较前几年有所加大(个人感觉),模电部分考查了第三章六类场效应管的基本特性,第四章基本组态放大电路和差分放大电路,第六章集成运放;数电部分考查了第四章组合逻辑电路,第六章时序逻辑电路分析,第十章NE555组成的单稳态电路和多谐振荡器(两种电路的组合电路:多个555,其中一个为单稳态,一个为多谐振荡器)8、【电子线路(线性部分)】前三章不必太花时间看课本和做课后练习,只要找点那些易考点就行了,重点在四、五、六章;【数电部分】第一、二章不是重点,都是基础知识,稍微复习一下就行。
重点是第三、四、五、六章和第十章的NE555详情请看淘宝链接:/item.htm?spm=0.0.0.0.wI2Tkk&id=36331110566注:本指南为个人在师兄师姐总结的基础上,更加的完善,并加入了自己的思路和方法。
演示文稿目录
为二十一世纪而教育中国人(线性电子电路)天下没有教不好的学生,只有不会教书的老师。
曾浩今天的汗水决定明天的生活要注意从里到外好好打扮自己不要随便否定自己,相信你,你就是最优秀的,没有人会比你做得更好电子电路( 线性部分(第四版))嘉奎主编高等教育出版社授课曾浩重庆邮电大学目录第1章晶体二极管第2章晶体三极管第3章场效应管第4章放大器基础第5章放大器中的负反馈第6章集成运算放大器及其运用电路第一章晶体二极管1.1 半导体物理基础知识1.2 PN结1.3 晶体二极管电路的分析方法1.4 晶体二极管的应用1.5 * 其它二极管第二章晶体三极管2.1 放大模式下的晶体三极管工作原理2.2 晶体三极管的其它工作模式2.3 埃伯尔斯-莫尔模型2.4 晶体三极管的伏安特性曲线2.5 晶体三极管的小信号电路模型2.6 晶体三极管电路分析方法2.7 晶体三极管运用原理2.8 集成工艺第三章场效应管3.1 MOS场效应管3.2 结型场效应管3.3 场效应管应用原理第四章放大器基础4.1 偏置电路和耦合方式4.2 放大器的性能指标4.3 基本组态电路4.4 差分放大器补充内容:功率放大器4.5 电流源电路及其运用4.6 集成运算放大器4.7 放大器的频率特性4.8 * 放大器的噪声第五章放大器中的负反馈5.1 反馈放大器的基本概念5.2 负反馈对放大器性能的影响5.3 * 负反馈放大器的性能分析5.4 深度负反馈5.5 负反馈放大器的稳定性第六章集成运算放大器及其运用电路6.1 集成运放应用电路的组成原理6.2 集成运放的性能参数及其对应用电路的影响6.3 * 高精度和高速宽带集成运放6.4 集成电压比较器。
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电子线路第四版线性部分-谢嘉奎-复习资
料全
申明:本复习资料仅作为考试参考,不代表百分百会考本资料上的容。
一、选择填空题
1、本征半导体:纯净的、不含杂质的半导体称为本征半导体。
2、本征激发是半导体中产生自由的电子空穴对的条件。
3、N型半导体:本征半导体中掺入少量五价元素构成。
4、P型半导体:本征半导体中掺入少量三价元素构成。
5、PN结的基本特性:单向导电性(即正向导通,反向截止)。
除了单向导电性外还有反向击穿特性、温度特性、电容特性。
6、PN结的伏安特性方程式:
正偏时:
反偏时:
其中:热电压
倍。
7、硅PN结:VD(on)=0.7V
锗PN结:VD(on)=0.3V
8、PN结的击穿特性:热击穿(二极管损坏,不可恢复),齐纳击穿(可恢复)。
9、PN结的电容特性:势垒电容、扩散电容。
10、三极管部结构特点:发射区掺杂浓度大;基区薄;集电结面积大。
11、三极管的工作状态及其外部工作条件:放大模式:发射结正偏,集电结反偏;
饱和形式:发射结正偏,集电结正偏;
≈26mV(室温);温度每升高10℃,Is约增加一
截止模式:发射结反偏,集电结反偏。
12、三极管工作在放大模式下:
对NPN管各极电位间要求:Ve<Vb<Vc
对PNP管各极电位间要求:Ve>Vb>Vc
解:电压值都为正,可判断为NPN管;假设三极管工作在放大状态,根据电位间要求:Ve<Vb<Vc,可判断U1=10V 为C极电压,U2-U3=0.7V,可判断U2=3V为B极电压;U3=2.3V为E极电压;且UCE=10-2.3=7.7V>0.3V,由此可判断此三极管为NPN型三极管,且工作在放大状态,假设成立。
13、三极管静态工作点:IBQ、TCQ、VCEQ
14、公式:
15、三极管的三种组态:
16、混合Π型小号电路模型:
v
B Er b e
i BQ
i
E
v
B E
i
B
i
EQ
26
(1)r
e
(1)
I
CQ
rce三极管输出电阻,数值较大。
RL<< rce时,常忽略。
VA为厄尔利电压。
题目中若给出VA,需计算rce,若没有给出,忽略rce。
17、相干例题见第二章PPT 页。
18、结型场效应管的特性小结:
19、金属-氧化物-半导体场效应管:
20、增强型MOS管特征小结:
21、MOSFET的特征曲线:
22、放大器性能的首要指标有:输入电阻Ri、输出电阻Ro、增益A。
23、小旌旗灯号放大器四种电路模型:
(1)电压放大器:
电压增益:
开路电压增益:
Ro越小,RL对Av影响越小。
源电压增益:
Ri越大,RS对Avs影响越小。
(2)电流放大器:
电流增益:
短路电流增益:
Ro越大,RL对Ai影响越小。
源电流增益:
Ri越小,RS对Ais影响越小。
(3)互导放大器:互导增益:
(4)互阻放大器:互阻增益:
24、幻想放大器性能特性:
考试有可能会告诉你RiR0的大小,让我们选择放大器的类型。
25、放大器的失真:
26、差分放大器的特点:抑制共模号,放大差模号。
27、差放性能指标归纳总结:
28、幻想差放特性:输入电阻Ri无穷大,输出电阻R0无穷小,共模按捺比无穷大。
29、(了解)镜像电流源电路:
30、集成运放性能特性:
Av很大:(104 ~ 107或80 ~ 140 dB)
Ri很大:(几kΩ~ 105 MΩ)
Ro很小:(几十Ω)
静态输入、输出电位均为零。
31、三种组态电路中,共基电路频率特征最好、共发最差。
32、反应放大器:将放大器输出旌旗灯号的一部分或所有,通过反应网络回送到电路输入端,并对输入旌旗灯号举行调整,所形成的闭合回路即反应放大器。
33、(重点)反应放大器组成框图:
开环增益:
反馈系数:
闭环增益:
反应深度:
环路增益:
反馈深度F(或环路增益T )是衡量反馈强弱的一项重要指标。
其值直接影响电路性能。
判断电压与电流反馈:假设输出端交流短路,若反馈号消失,则为电压反馈;反之为电流反馈。
电压反馈使得输出电阻减小,电流反馈使得输出电阻增大。
判断串联与并联反馈:假设输入端交流短路,若反馈作用消失,则为并联反馈;反之为串联反馈。
串联反馈使得输入电阻增大,并联反馈使得输入电阻减小。
35、几个例题:
36、负反馈对放大器性能影响主要表现为:
(1)降低增益
(2)减小增益灵敏度(或提高增益稳定性)
(3)改变电路输入、输出电阻
(4)减小频率失真(或扩展通频带)
(5)减小非线性失真
(6)噪声性能不变(噪比不变)
37、基本放大器引入负反应的原则:
(1)在电路输出端:
若要求电路vo不乱或Ro小,应引入电压负反应。
若要求电路io稳定或Ro大,应引入电流负反馈。
(2)在电路输入端:
若要求Ri大或从号源索取的电流小,引入串联负反馈。
若要求Ri小或从号源索取的电流大,引入并联负反馈。
(3)反馈效果与号源阻RS的关系:
若电路采用RS较小的电压源激励,应引入串联负反馈。
若电路采用RS较大的电流源激励,应引入并联负反馈。
38、深度负反馈条件:将T >> 1或F >> 1称为深度负反馈条件。
39、深度负反馈条件下Avf的估算:
(1)根据反馈类型确定kf含义,并计算kf
若串联反馈:将输入端交流开路
若并联反馈:将输入端交流短路
(2)确定Afs(= xo / xs)含义,并计算Afs = 1 / kf
(3)将Afs转换成Avfs = vo / vs
40、虚短虚断:虚短路不能理解为两输入端短接,只是(v–- v+)的值小到了可以忽略不计的程度。
实际上,运放正是利用这个极其微小的差值进行电压放大的。
同样,虚断路不能理解为输入端开路,只是输入电流小到了可以忽略不计的程度。
41、重点
42、反向放大器:
二、计算题。