M28S 直插式-T0-92封装
华三路由器软件升级指南
M28S三极管
A,Dec,20102.COLLECTORJIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTDTO-92 Plastic-Encapsulate TransistorsM28STRANSISTOR (NPN)FEATURES z High DC Current Gain and Large Current CapabilityMAXIMUM RATINGS (T a =25℃ unless otherwise noted)ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a =25℃ unless otherwise specified)ParameterSymbol Test conditions Min Typ Max UnitCollector-base breakdown voltage V (BR)CBO I C = 0.1mA ,I E =0 40 VCollector-emitter breakdown voltage V (BR) CEO I C =1mA,I B =0 20 VEmitter-base breakdown voltage V (BR)EBO I E =0.1mA,I C =0 6 VCollector cut-off current I CBO V CB =40V,I E =0 1 μACollector cut-off current I CEO V CE =20V,I B =0 5 μA Emitter cut-off currentI EBO V EB =5V,I C =0 0.1 μAhFE(1)V CE =1V, I C =1mA290 h FE(2) V CE =1V, I C =100mA 300 1000h FE(3) V CE =10V, I C =300mA 300 DC current gainh FE(4)V CE =1V, I C =500mA300Collector-emitter saturation voltage V CE(sat) I C =600mA,I B =20mA 0.55 V Transition frequencyf TV CE =10V,I E =50mA ,f =30MHz 100 MHzCLASSIFICATION OF h FE(2)RANK B CDRANGE300-550 500-700 650-1000SymboParameter Value UnitV CBO Collector-Base Voltage 40 VV CEO Collector-Emitter Sustaining Voltage 20 VV EBO Emitter-Base Voltage 6 VI C Collector Current 1 AP C Collector Power Dissipation 0.625 WR θJA Thermal Resistance From Junction To Ambient 200 ℃/WT j Junction Temperature 150 ℃T stgStorage Temperature -55~+150℃ 【南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】Sponge strip2000 pcsSponge strip The top gasketLabel on the Inner BoxPlastic bagLabel on the Outer BoxInner Box: 333 mm ×162mm ×43mmOuter Box: 350 mm × 340mm × 250mmQA LabelSeal the box with the tapeStamp “EMPTY” on the empty boxInner Box: 240 mm ×165mm ×９５mmLabel on the Inner BoxOuter Box: 525 mm × 360mm × 262mmLabel on the Outer BoxQA LabelSeal the box with the tapeStamp “EMPTY” on the empty box。
to92封装功耗
to92封装功耗
摘要：
1.TO92 封装简介
2.TO92 封装的功耗特性
3.TO92 封装功耗的优化方法
4.总结
正文：
TO92 封装是一种常见的集成电路封装形式，广泛应用于各种电子产品中。
作为一种成熟的封装技术，TO92 在保证设备性能的同时，也具有较低的功耗，使得设备在运行过程中能耗较低，更加环保节能。
一、TO92 封装简介
TO92 封装，又称为TO-92 封装，是一种表面贴装型封装。
它具有体积小、结构简单、散热性好、可靠性高等优点，适用于各种中小型集成电路的封装。
TO92 封装的外形尺寸为9.2mm×9.2mm，因此得名TO92。
二、TO92 封装的功耗特性
1.静态功耗：TO92 封装的静态功耗主要取决于集成电路的设计和制造工艺。
一般来说，静态功耗较低的集成电路更符合节能环保的要求。
2.动态功耗：动态功耗是指设备在运行过程中消耗的电能。
TO92 封装的动态功耗与集成电路的工作频率、电压等参数有关。
对于功耗要求较高的设备，应选择具有较低动态功耗的集成电路。
三、TO92 封装功耗的优化方法
1.选择低功耗设计：在设计阶段，采用低功耗设计理念和技术，降低设备
的静态功耗和动态功耗。
2.优化电路布局：合理的电路布局可以减小信号传输过程中的损耗，降低设备的功耗。
3.采用节能工艺：在封装过程中，采用节能工艺，如低K 介电材料、铜互连技术等，以降低设备的功耗。
总之，TO92 封装在保证设备性能的同时，也具有较低的功耗。
场效应管与三极管基础知识讲解
mos管分四种，N沟道增强型和耗尽型，P沟道增强型和耗尽型。
箭头指向g 的且带虚线的为N增强，没有虚线的为N耗尽。
箭头背向g端的且带虚线的为P增强，不带虚线则为P耗尽。
希望说的你能明白，小妹新手，多多关照！有没说清楚的继续，呵呵···场效应管三极管开关电路基础发布时间：2008-12-08 23:08:32三极管简介:三极管的种类很多，并且不同型号各有不同的用途。
三极管大都是塑料封装或金属封装，常见三极管的外观，有一个箭头的电极是发射极，箭头朝外的是NPN型三极管，而箭头朝内的是PNP型。
实际上箭头所指的方向是电流的方向。
图1双极面结型晶体管有两个类型：npn和pnp。
npn类型包含两个n 型区域和一个分隔它们的p型区域；pnp类型则包含两个p型区域和一个分隔它们的n型区域，图2和图3分别是它们的电路符号。
以下的说明将集中在npn BJT。
图2: npn BJT 的电路符号图3: pnp BJT 的电路符号BJT工作于三种不同模式：截止模式、线性放大模式及饱和模式，见图4。
图4 四种工作模式BJT在电子学中是非常重要的元件。
它们被广泛应用在其他展品中，特别是模拟电路里的放大器和数码电路里的电子开关。
开关电路原则a. BJT三极管Transistors只要发射极e 对电源短路就是电子开关用法N管发射极E 对电源负极短路. 低边开关;b-e 正向电流饱和导通P管发射极E 对电源正极短路. 高边开关 ;b-e 反向电流饱和导通b. FET场效应管MOSFET只要源极S 对电源短路就是电子开关用法N管源极S 对电源负极短路. 低边开关;栅-源正向电压导通P管源极S 对电源正极短路. 高边开关;栅-源反向电压导通总结:低边开关用 NPN 管高边开关用 PNP 管三极管b-e 必须有大于C-E 饱和导通的电流场效应管理论上栅-源有大于漏-源导通条件的电压就就OK假如原来用NPN 三极管作ECU 氧传感器加热电源控制低边开关则直接用N-Channel 场效应管代换;或看情况修改下拉或上拉电阻基极--栅极集电极--漏极发射极--源极NPN和PNP 开关三极管（1）我把NPN三极管看成一个三个脚继电器.基极-----就是一个小电流的.继电器的信号吧集电极-----可以说是正极吧发射极------可以说负极吧有一个小电流流入了基极的话那么集电极和发射极就会通.（2）PNP三极管看成一个三个脚继电器.基极-----就是一个小电流的继电器信号集电极-----可以说是正极吧发射极------可以说负极吧有一个小电流流出了基极的话，那么集电极和发射极就会通.三极管VS场效应管三极管BJT--------TRANSISTORS ----------- 电流驱动场效应管----- FET ------------------------- 电压驱动MOS场效应管MOSFET ................ 电压驱动2N70022n7002 IC产品型号的一种描述：晶体管极性:N沟道漏极电流, Id 最大值:280mA电压, Vds 最大:60V开态电阻, Rds(on):5ohm电压@ Rds测量:10V电压, Vgs 最高:2.1V功耗:0.2W工作温度范围:-55to 150封装类型:SOT-23针脚数:3SVHC(温度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010) SMD标号:702功率, Pd:0.2W外宽:3.05mm外部深度:2.5mm外部长度/高度:1.12mm封装类型:SOT-23带子宽度:8mm晶体管数:1晶体管类型:MOSFET温度@ 电流测量:25°C满功率温度:25°C电压Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:60V电流, Id 连续:0.115A电流, Idm 脉冲:0.8A表面安装器件:表面安装通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:5ohm通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:5.3ohm阈值电压, Vgs th 典型值:2.1V阈值电压, Vgs th 最高:2.5VSVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)MOS管的基本知识（转载）2011-05-07 06:39:32| 分类：电路硬件设计| 标签：|字号大中小订阅现在的高清、液晶、等离子电视机中开关电源部分除了采用了PFC技术外，在元器件上的开关管均采用性能优异的MOS 管取代过去的大功率晶体三极管，使整机的效率、可靠性、故障率均大幅的下降。
晶闸管封装类型
晶闸管封装类型晶闸管（Thyristor）是一种半导体器件，有多种封装类型，每种类型都有其特定的用途和优势。
以下是一些常见的晶闸管封装类型：1. TO-92：这是一种小型封装，通常用于低功率应用。
TO-92 封装适用于一些小型电子设备，但不常用于高功率或高电流应用。
2. TO-220：这是一种较大的封装，适用于中等功率应用。
TO-220 封装通常用于功率调节器、电源和其他需要处理中等功率的应用。
3. TO-247：TO-247 是一种更大型的封装，适用于高功率和高电流的应用。
这种封装常见于功率逆变器、交流电源等高功率电子设备。
4. TO-263（D2PAK）：这是一种表面贴装封装，适用于空间受限的应用。
TO-263 通常用于功率放大器、逆变器等应用。
5. TO-218：这是一种大型金属封装，适用于大功率、高电流的应用。
TO-218 封装通常用于高功率直流电源、电焊设备等领域。
6. TO-3：这是一种金属封装，适用于一些高功率、高频率的应用。
TO-3 封装通常用于大功率开关电源、电机控制等。
7. SOT-223：这是一种表面贴装封装，适用于中小功率应用。
SOT-223 封装常见于一些轻便、便携设备中。
8. SOT-23：这是一种小型表面贴装封装，适用于低功率应用。
SOT-23 封装广泛用于小型电子设备中。
9. TO-92/TO-92L：这是一种小型封装，适用于低功率、小信号应用。
TO-92/TO-92L 封装常见于一些小型模拟和数字电路中。
这只是一些常见的晶闸管封装类型，实际上，还有其他一些非常规或专用的封装类型，具体的选择取决于应用的要求以及电子设计的具体需求。
92封装的场效应管脚位
92封装的场效应管脚位1. 场效应管是一种常用的半导体器件，用于放大或开关电路。
其中，92封装的场效应管是一种常见的型号，其引脚布局十分重要。
2. 在92封装的场效应管中，一般包括源极（S）、栅极（G）和漏极（D）三个引脚。
正确连接这些引脚是使用场效应管的前提。
3. 首先，我们来了解一下源极（S）引脚。
源极是场效应管的输出端，它与外部电路的负极相连。
在连接时，应该将源极引脚与负极相连接，确保电流的正常流动。
4. 接下来是栅极（G）引脚。
栅极是场效应管的控制端，用于控制电流的流动。
在使用场效应管时，通过控制栅极电压的大小，可以调节电流的大小。
通常，栅极引脚应与电压控制信号相连。
5. 最后是漏极（D）引脚。
漏极是场效应管的输入端，电流通过源极到达漏极。
所以，在连接时，漏极引脚应与电流输入端相连，确保电流正常流入。
6. 为了更好地理解92封装的场效应管的引脚位，可以参考其引脚布局图。
根据引脚布局图，可以准确地连接各个引脚，避免错误连接。
7. 需要注意的是，在连接场效应管时，应该避免引脚接触不良，以免影响电路的正常工作。
可以使用焊接或插接的方法，确保引脚与电路的可靠连接。
8. 在使用92封装的场效应管时，还需要注意管子上的标识。
通常，管子上会标明型号、批号等信息，以及引脚的标号。
这些信息对于正确连接引脚非常重要。
9. 总结一下，92封装的场效应管的脚位包括源极（S）、栅极（G）和漏极（D）三个引脚。
正确地连接这些引脚是使用场效应管的前提，通过正确连接可以保证电流的正常流动和电路的正常工作。
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国内主要封装企业封装形式介绍
国内主要封装企业封装形式介绍国内主要独资封装企业概况企业名称主要封装形式飞思卡尔MAP BGA81 TAB SO1C28 PDIP三星电子（苏州）QFP48-100S098-16 TO-220 1-PAK D-PAK日立半导体（苏州）SOP SOT TSOP53飞索半导体（AMD）PLCC44-64苏州双胜DIP6-40 TO-220 TO-251/252 TO-925 SOT23英特尔（上海）FCBGA TSOP WBGA SCSP VFBGA金朋芯封（上海）PDIP PLCC SOIC SSOP TSSOP BGA/CSP上海宏盛TSOP BGA CSP安靠（上海）LQFP CABGA FLEXBGA SIP TSOP PLCC MLF CLBGA BGA 勤益（上海）SOT-23 25 26 89 223 25 252 220 263 SOP-8桐辰（上海）TSOP PQFP PBGA MIC20 BGA sfackBGA PLCC威宇（上海）PBGA TFBGA QFN SIP QFP捷敏（上海）DPAK SOIC8 TSSOP8 GEM2021J TSOP6TSOP5 GEM2928J国内主要合资封装企业概况企业名称主要封装形式南通富士通DIP SIP SOP QFP SSOP TSOP TQEP LCC MCM首钢NEC SSIP SOP SSOP DIP SDIP SOT QFP TSOP上海纪元微科PDIP PLCC TSSOP SOIC MSOP TSOP TO220 SOT23无锡华芝SDIP24 54 56 QFP48上海华旭DIP8 14 16 18 20 22 24 28 36 40PIN SOP8 14 16 20 28PIN QFP44 56PIN PLCC68PIN SIP9 10 DIP14宁波明昕TO-92 TO-126 TO-220 TO-251上海新康SOIC-8系列TSOP-6 PPAK SUPAK SOT乐山-菲尼克斯SOIC TO-220 SC59 SOD3 SOT等深爱半导体TO-92 TO-126 TO-220 TO-3P TO-3三菱四通MCU MSIG SCR-LM万立电子（无锡公司）TO-202 TO-220 TO-126A TO-126B TO-3PL TO-3 F2上海松下NL-95 FS-16S QFS-80 TOP-3E TO-220E QFP-84 LQFP SDIL-42 USOF-26 E-3S LQFP-80 SDIL-64深圳赛意法DIP8-16 SOP8 DQPAK TO-220 BGA无锡开益禧TO-92 220 126 3PN 3PH 92M SOT-23上海永华TO-92 TO-251 220 3P国内部分封装厂家概况企业名称主要封装型式江苏长电HSOP SDIP HSIP SSOP FSIP FDIP DIP QFP PLCC LQFP PQFTO系列SOT/SOD系列DIP 系列SOP系列天津中环高压硅堆为主北京东光微电子塑封线可封装DIP系列北京宇翔CC4000系列BH54HC/74HC系列HTL 专用IC厦门华联DIP8-28新会硅峰TSOP SOJ DIP COB成都亚光电子SOT23 系列天水华天微电子SOP SSOP QFP TSOP SSOP中国振华永光电工厂SOT23系列西安卫光TO-110 TO-126 TO-3P上海华旭DIP8-36 40PIN SOP8-20 28PIN QFP44 56PIN PLCC68PIN SIP9 10 DIP14华越芯装TSOP QEP广东粤晶高科SOT-23 SOT-323 TO-92 TO-92L TO-126吉林华星TO-92 TO-126 TO-220 TO-3P F2中科院微电子中心TO-92 120 126 DIP8-24济南晶恒TO-220 257 254无锡微电子科研中心CDIP CerDIP FP QFP PGA LCC BGA佛山蓝箭QJ D1P8-28 40 SIP-9 SDIP-42 电子模块等无锡玉祁红光厂TO-92 92S 126 126B等北京微电子技术研究所DIP LCC PGA BGA MCM绍兴华越DIP SOP QFP。
sod-882封装内部结构
sod-882封装内部结构
SOD-882封装是一种小型表面贴装封装，通常用于集成电路芯片。
其内部结构通常由多个金属引脚和连接器组成，这些引脚和连
接器连接到集成电路芯片的内部电路。
SOD-882封装的内部结构设
计旨在提供紧凑的尺寸和良好的热管理，以便在PCB上占用尽可能
少的空间并且能够有效散热。
此外，SOD-882封装通常采用层叠结构，以确保在高频和高速应用中具有良好的信号完整性和电气性能。
在制造过程中，SOD-882封装内部结构的设计还需要考虑到焊接和
封装工艺，以确保良好的可靠性和焊接质量。
从材料角度来看，SOD-882封装通常采用高温塑料材料，如环
氧树脂，以提供良好的机械强度和耐热性。
内部结构的设计也需要
考虑到材料的热膨胀系数，以确保在温度变化时不会对封装造成应
力损害。
此外，SOD-882封装的内部结构还可能包括内部引线和焊料，这些元件在封装过程中起着连接和支撑芯片的作用。
总的来说，SOD-882封装的内部结构设计需要考虑到尺寸、热
管理、信号完整性、焊接工艺和材料特性等多个方面，以确保封装
具有良好的性能和可靠性。
雷赛智能控制DM882S数字式两相步进驱动器使用说明书
深圳市雷赛智能控制股份有限公司地址：深圳市南山区学苑大道1001号南山智园A3栋10-11楼邮编：518000电话：400-885-5521传真：*************Email：********************网址：DM882S数字式两相步进驱动器使用说明书版本：V1.10版权所有不得翻印【使用前请仔细阅读本手册，以免损坏驱动器】深圳市雷赛智能控制股份有限公司版本说明版本日期更改内容V1.002018-05-10V1.102020-03-26增删部分内容目录一、产品简介 (3)1.概述 (3)2.特点 (3)3.应用领域 (3)二、电气、机械和环境指标 (3)1.电气指标 (3)2.使用环境及参数 (3)3.机械安装图 (3)4.散热方式 (3)三、驱动器接口和接线介绍 (4)1.接口描述 (4)2.控制信号接口电路 (4)3.报警信号接口电路 (5)4.控制信号时序图 (5)5.控制信号模式设置 (5)6.接线要求 (5)四、电流、细分拨码开关设定和参数自整定 (6)1．电流设定 (6)2.细分设定 (6)3.参数自整定功能 (6)4.电机参数设定 (6)五、供电电源选择 (6)六、电机选配 (7)1.电机选配 (7)2.电机接线 (7)七、典型接线案例 (8)八、保护功能 (8)九、常见问题 (8)1.应用中常见问题和处理方法 (8)2.驱动器常见问题答用户问 (8)雷赛产品保修条款 (9)DM882S数字式两相步进驱动器一、产品简介1.概述DM882S是雷赛公司推出的数字式两相步进电机驱动器，采用数字DIP技术，采用最新算法，相比市面上的驱动器，中高速力矩提升15%，而且用户可以设置51200内的任意细分以及额定电流内的任意电流值，能够满足大多数场合的应用需要。
低中高速运行都很平稳，噪音超小。
驱动器内部集成了参数自动整定功能，能够匹配不同电机自动生成适配的运行参数，更好的发挥电机性能。
半导体放电管T0-92直插
A.General Description 简要概述半导体放电管器件专门用来防止敏感的电信设备、POS 终端、基站设备、网络视频等设备出现由闪电、电源接触和电源感应引起的过压故障危险。
它们具有高电气浪涌抑制能力，有助于防止瞬间故障和断开状态的高阻抗，使系统的正常运行过程变得实际上更加透明。
广泛应用在：网络通迅及消费类电子产品、高速数据传输设备（T1/E1、XDSL、ISDN、HDSL、CATV、SLIC 等）。
经典应用：电话信号接口防护、RS485、RS232、RS422等数据接口。
产品特点产品特点:: 精确导通电压、快速响应 超强的浪涌处理能力 双向对称,可靠性高 安装简便，器件体积小分SMA、SMB 贴片型/DO-15、TO-92直插型 符合ROHS 要求满足通信产品标准要求T0-92B.Dimension产品尺寸C.Specification电气特性D.Surge Ratings浪涌额定值B级2502502501008030500 C级50040040015010050500E.Product Terminology产品术语Electrical Parameters电气参数V DM:Repetitive peak Off-state Voltage最高峰值电压，器件可保持关断状态，也即：不正作峰值电压VBo:Switching Voltage半导体雪崩或开关切换动作电压Ipp：Surge Ratings最大额定峰值脉冲电流I DM：Off-state current在V DM下最大泄漏电流值I H Min ：Minimum Holding current 导通状态最小电流C ：O ff-state Capacitance 不工作状态下器件电容值di/dt ：Rate of Rise ofCurrent电流上升率dv/dt ：Rate of Rise of Voltage电压上升率F.Thermal Considerations 温度特性考虑封装形式Symbol 符号Parameter 参数Value 值TO-92T J Operating Junction Temperature Range 工作温度范围-40~+150℃T SStorage Temperature Range 贮存温度范围-55~+150℃R ØJAThermal Resistance:Junction to Ambient90℃/WG.Part Name Information 产品命名信息H.Packing information 包装信息10001000CS/Reel CS/Reel1010000PCS 000PCS /BOX50,000PCS /CartonNOTE:ALL DATA AND SPECIFICATIONS ARE SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.注意注意：：所有的规格、参数更新将不例行通知。
FOSAN富信电子 三极管 M28S-产品规格书
安徽富信半导体科技有限公司ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.M28SSOT-23Bipolar Transistor 双极型三极管▉Features 特点NPN General Purpose 通用▉AbsoluteMaximum Ratings 最大额定值Characteristic 特性参数Symbol 符号Rat 额定值Unit 单位Collector-Base Voltage 集电极基极电压V CBO 40V Collector-Emitter Voltage 集电极发射极电压V CEO 20V Emitter-Base Voltage 发射极基极电压V EBO 6V Collector Current 集电极电流I C1000mA Power dissipation 耗散功率P C (T a =25℃)300mW Thermal Resistance Junction-Ambient 热阻R ΘJA420℃/WJunction and Storage Temperature 结温和储藏温度T J ,T stg -55to+150℃■Device Marking 产品打标M28S=28SANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.M28S■ElectricalCharacteristics 电特性(T A =25℃unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为25℃)Characteristic 特性参数Symbol 符号Min 最小值Type 典型值Max 最大值Unit 单位Collector-Base Breakdown Voltage集电极基极击穿电压(I C =100µA ，I E =0)BV CBO 40——V Collector-Emitter Breakdown Voltage集电极发射极击穿电压(I C =1mA ，I B =0)BV CEO 20——V Emitter-Base Breakdown V oltage发射极基极击穿电压(I E =100µA ，I C =0)BV EBO 6——V Collector-Base Leakage Current 集电极基极漏电流(V CB =40V ,I E =0)I CBO ——0.1µA Collector-Emitter Leakage Current 集电极发射极漏电流(V CE =20V ,I B =0)I CEO ——5µA Emitter-Base Leakage Current发射极基极漏电流(V EB =5V ，I C =0)I EBO——0.1µADC Current Gain(V CE =1V,I C =100mA)直流电流增益(V CE =1V,I C =300mA)(V CE =1V,I C =500mA)H FE 300300300—1000Collector-Emitter Saturation Voltage集电极发射极饱和压降(I C =600mA ，I B =20mA)V CE(sat)——0.55V Base-Emitter Saturation V oltage基极发射极饱和压降(I C =600mA ，I B =20mA)V BE(sat)—— 1.2V Transition Frequency特征频率(V CE =10V ，I C =50mA)f T—100—MH Z Output Capacitance输出电容(V CB =10V ，I E =0,f=1MH Z )C ob—10—pFANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.M28S ■Typical Characteristic Curve典型特性曲线ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.M28S■Dimension外形封装尺寸Symbol Dimensions In Millimeters Dimensions In Inches Min Max Min Max A 0.900 1.1500.0350.045A10.0000.1000.0000.004A20.900 1.0500.0350.041b 0.3000.5000.0120.020c 0.0800.1500.0030.006D 2.800 3.0000.1100.118E 1.200 1.4000.0500.055E1 2.2502.5500.0890.100e 0.950TYP0.037TYPe1 1.8002.0000.0710.079L 0.550REF0.022REFL10.3000.5000.0120.020θ0o8o 0o8o。
二极管封装类型
二极管封装类型
二极管封装类型可以分为芯片封装、外壳封装两种类型，常见的芯片封装有TO-18、TO-5、TO-92、TO-126、TO-251、TO-252等，外壳封装则包括DI_8、DI_9、DI_12、DI_14、DI_16等。
TO-18芯片封装为圆柱形，高度约4.4mm，外径约3.2mm，耐高温，用于小功率的放大和低频封装；TO-5芯片封装有铜底座，高约7mm，外径约5.08mm，主要用于中频封装；TO-92封装以扁长的圆柱形为主，高约
5.2mm，外径约3.6mm，常用于放大和中频封装；TO-126芯片封装高约
6.25mm，外径约9mm，耐高温，主要用于高功率封装；TO-251芯片封装高约4.4mm，外径约6.4mm，用于小功率封装；TO-252也称SOT-23芯片封装，高约2.8mm，外径约3.1mm，常用于放大和低频封装。
DI_8外壳封装为圆柱形，高约1.13mm，外径约2.54mm；DI_9有小号和大号两种，小号高约5.08mm，外径约7.62mm，大号高约7.62mm，外径约9.53mm；DI_12高约10.1mm，外径约4.2mm；DI_14的高约1.93mm，外径约2.54mm；DI_16的高约4.8mm，外径约3.4mm。
TO220封装结构
TO220封装结构TO220封装结构是一种常见的电子元件封装结构，广泛应用于各种电子设备和电路中。
它是一个矩形封装，具有三个引脚，其中一个是用来散热的金属片。
本文将介绍TO220封装结构的特点、优势以及其在电子设备中的应用。
一、TO220封装结构的特点TO220封装结构具有以下几个特点：1. 封装形状：TO220封装是一个长方形的封装结构，封装外形为6.5mm x 10mm x 4.57mm，较为紧凑。
这种形状方便于元件的安装和布局。
2. 引脚数量：TO220封装结构通常具有三个引脚，其中一个引脚是金属片，用于散热，而另外两个引脚则用于电子元件的连接。
3. 引脚排列：TO220封装结构的引脚排列为直线型，方便于焊接和插拔操作。
4. 散热性能：TO220封装结构中的金属片起到了散热的作用。
金属片与元件内部的散热片相连，通过金属片可以将热量传递到外部环境中，提高元件的散热效果。
二、TO220封装结构的优势TO220封装结构相比其他封装结构具有以下几个优势：1. 散热性能好：由于TO220封装结构带有金属片，可以有效地散发热量，提高元件的散热效果。
这对高功率应用和长时间运行的电子设备尤为重要。
2. 安装便捷：TO220封装结构的引脚排列为直线型，方便焊接和插拔，使得元件的安装更加便捷。
3. 可靠性高：TO220封装结构的引脚通过焊接与电子设备的电路板连接，具有较好的稳定性和可靠性。
4. 适用范围广：TO220封装结构适用于广泛的应用场景，包括电源模块、功率器件、放大器、开关等电子设备。
三、TO220封装结构的应用TO220封装结构广泛应用于各种电子设备中，包括但不限于以下几个领域：1. 电源模块：TO220封装结构常用于电源变换器中，用于转换电压和电流，提供稳定的电源输出。
2. 功率器件：TO220封装结构适用于功率放大器和开关器件，能够提供高功率的输出。
3. 驱动器：TO220封装结构常用于电机驱动器和继电器驱动器等设备，能够提供稳定的信号输出。
2SK2082-01中文资料
- Electrical Characteristics (TC=25°C), unless otherwise specified
Item
Symbol
Test conditions
Drain-Source Breakdown-Voltage
V (BR)DSS ID=1mA
VGS=0V
Gate Threshhold Voltage
V GS(th)
ID=1mA
VDS=VGS
Zero Gate Voltage Drain Current
I DSS
VDS=900V Tch=25°C
VGS=0V
Tch=125°C
Gate Source Leakage Current
I GSS
11
ID [A]
PD [W]
→ Tc [°C]
→ VDS [V]
This specification is subject to change without notice!
t [s] →
1,1 1,4 Ω
5
10
S
2200 3300 pF
210 320 pF
65 100 pF
25
40 ns
60
90 ns
140 210 ns
70 110 ns
9
A
9A
36 A
1,2 1,8 V
450
ns
4
µC
- Thermal Characteristics Item Thermal Resistance
tf
RGS=10 Ω
Avalanche Capability
k2837场效应管参数
k2837场效应管参数k2837场效应管参数是指一种特定型号的场效应管，其中k表示该管的包装有外壳封装，2837则是该管的型号代码。
场效应管凭借其独特的电路功能，使得其成为电子工程师们非常重视的元器件，它可以实现精确控制电流，广泛应用于各种电子设备。
K2837场效应管的特性参数主要有：最大供电电压Vdss=60V，最大功耗Pd=1.5W，最大允许电流Idss=2mA，最小允许电流Igss=2uA，最低工作温度Tj=-55℃，最高工作温度Tj=150℃，集电极电容Ciss=35pF，漏极电容Coss=20pF，扩散电容Crss=25pF，增益带宽产Bf=4MHz，反向漏极损耗Rdson=30ohm。
K2837场效应管的外形尺寸结构如下：封装形式为TO-92外壳封装，外壳封装的长度、宽度、高度分别为3.7mm、3.6mm、7.9mm，重量为0.01g。
K2837场效应管的电气参数规格如下：最大工作电压Vds=50V，最大工作电流Id=0.8A，最大漏极电流Idr=1.5A，最小触发电流Igt=1uA，最大触发电压Vgt=2V，静态漏极电阻Rd=150ohm，反向漏极损耗Rds(on)=30ohm，最大增益Gfs=50dB，欠饱和电流Idss=2mA，饱和电流Ids(sat)=0.2A，欠压锁定电压Vth=3V。
K2837场效应管的应用范围非常广泛，可以用于运放放大器、音频放大器、调节器、调制器、音频调节器、模拟放大器、脉冲变换器、电源管理等电子设备。
此外，K2837场效应管还可以用于节温、节流、限制电流、定时器、脉冲发生器、隔离放大器等电路中。
K2837场效应管一般都采用空气密封技术来保证其在热环境下的可靠性，并且其封装外壳采用高分子环氧树脂，在安装时可以克服振动和热衰减，因此其可靠性可靠。
总之，K2837场效应管是一款优质的场效应管，具有较高的性能，适用于各种电子设备，特别是需要准确控制电流的设备。
人教版高中物理选修2-1各种集成电路简介
各样集成电路简介一三端稳压 IC电子产品中常有到的三端稳压集成电路有正电压输出的 78××系列和负电压输出的 79××系列。
故名思义，三端 IC 是指这种稳压用的集成电路只有三条引脚输出，分别是输入端、接地端和输出端。
它的样子象是一般的三极管，TO-220 的标准封装，也有 9013 样子的 TO-92 封装。
用 78/79 系列三端稳压 IC 来构成稳压电源所需的外头元件很少，电路内部还有过流、过热及调整管的保护电路，使用起来靠谱、方便，并且价钱廉价。
该系列集成稳压 IC 型号中的 78 或 79 后边的数字代表该三端集成稳压电路的输出电压，如 7806 表示输出电压为正 6V ，7909 表示输出电压为负 9V 。
78/79 系列三端稳压 IC 有好多电子厂家生产， 80 年月就有了，往常前缀为生产厂家的代号，如TA7805 是东芝的产品，AN7909 是松下的产品。
（点击这里，查察有关看前缀辨别集成电路的知识）有时在数字 78 或 79 后边还有一个 M 或 L，如 78M12 或 79L24，用来差别输出电流和封装形式等，此中78L 调系列的最大输出电流为100mA，78M 系列最大输出电流为 1A，78 系列最大输出电流为 1．5A。
它的封装也有多种，详见图。
塑料封装的稳压电路拥有安装简单、价钱便宜等长处，所以用得比许多。
79 系列除了输出电压为负。
引出脚摆列不同之外，命名方法、外形等均与 78 系列的同样。
因为三端固定集成稳压电路的使用方便，电子制作中常常采纳，能够用来改装分立元件的稳压电源，也常常用作电子设施的工作电源。
电路图如下图。
注意三端集成稳压电路的输入、输出和接地端绝不可以接错，不然简单烧坏。
一般三端集成稳压电路的最小输入、输出电压差约为 2V，不然不可以输出稳固的电压，一般应使电压差保持在 4-5V ，即经变压器变压，二极管整流，电容器滤波后的电压应比稳压值高一些。
肖特基二极管的原理和封装介绍
肖特基二极管的原理和封装介绍一、肖特基二极管原理肖特基二极管是由德国物理学家沃尔特·肖特基发明的一种二极管。
与普通二极管不同的是，肖特基二极管的结电容很小，开关速度很快，具有低电压降和较高的阻值等优点。
肖特基二极管的原理是在p型半导体与金属之间形成Schottky势垒，使得电流从p型半导体流向金属时，需要克服这个势垒，同时由于金属具有一定的能带结构，肖特基二极管还可以将电流从金属转移到p型半导体。
因此，肖特基二极管具有更低的前向压降和开关速度快的特点。
二、肖特基二极管封装介绍肖特基二极管的封装形式有多种，常见的有TO-220、SOT-23、SMB等形式。
下面分别进行介绍：1. TO-220封装：TO-220是肖特基二极管常用的封装形式，由于其结构紧凑、安装简便等优点，应用范围广。
TO-220封装的肖特基二极管可以承受一定的电流和功率，但由于体积较大，适用于一些对封装体积要求不高的应用场景。
2. SOT-23封装：SOT-23封装是一种非常小巧的封装形式，体积仅为TO-220的1/10左右，非常适合于轻量化、小型化的应用场景。
由于体积较小，其承受的电流和功率较低，但在电子设备中的应用非常广泛。
3. SMB封装：SMB封装是一个面积较小的封装形式，适合于高密度集成的应用场景。
由于体积小，电容值和电阻值相对较小，通常用于高频电路或路由器等设备中。
总之，肖特基二极管的封装形式多种多样，我们需要根据应用需求选择合适的封装形式。
结语：肖特基二极管的应用范围非常广泛，包括电源管理、变换器、放大器、模拟信号处理等领域。
掌握其原理和封装形式，能够在使用过程中更加准确地选择和应用。
场效应管封装说明
场效应管封装说明一、封装类型场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET）封装类型根据其应用场景和性能需求有多种类型，常见的主要包括：TO-220：一种常见的封装类型，适用于大部分电力电子应用。
TO-92：一种较小的封装类型，常用于小型电子设备中。
SIP/DIP：这些是引脚插入式封装，适用于需要更高可靠性的应用。
扁平封装（Surface Mount，简称SMT）：适用于高密度装配和空间受限的应用。
二、引脚定义场效应管的引脚定义通常会根据不同的封装类型而有所不同。
一般来说，场效应管的引脚定义包括以下三个引脚：源极（Source）：场效应管的控制栅极（Gate）与源极相连。
栅极（Gate）：通过施加电压来控制源极和漏极之间的通断。
漏极（Drain）：与源极相对，形成场效应管的电流通道。
三、尺寸参数场效应管的尺寸参数主要取决于其封装类型和应用需求。
主要的尺寸参数包括：封装尺寸：这包括封装体的长、宽和高的尺寸。
引脚间距：引脚之间的距离，对于插针式封装，通常为2.54mm（1/16英寸）或1.0mm（1/32英寸）。
引脚长度：插针式封装的引脚从封装顶部到插孔的距离。
四、电气特性场效应管的电气特性主要包括以下几个方面：电流-电压特性（Current-Voltage Characteristics）：场效应管是一种电压控制型器件，其漏极电流与栅极电压及源极与漏极之间的电压有关。
转移特性（Transfer Characteristics）：描述栅极电压对漏极电流的影响。
增益（Gain）：场效应管的电压增益等于输出电压与输入电压的比值。
开关特性（Switching Characteristics）：场效应管在开关状态下的性能表现，包括导通电阻、开关时间、反向恢复时间等。
最大额定值（Maximum Ratings）：场效应管的实际工作电压、电流、功率等不应超过最大额定值。
五、热特性场效应管的热特性主要包括以下几个方面：热阻（Thermal Resistance）：衡量场效应管散热性能的指标，热阻越低，散热性能越好。
肖特基二极管的几中封装-概述说明以及解释
肖特基二极管的几中封装-概述说明以及解释1.引言1.1 概述肖特基二极管广泛应用于电子电路中，其性能优越且具有多种封装类型。
本文将重点探讨肖特基二极管的几种封装类型及其特点。
在开始介绍各种封装类型之前，我们先对肖特基二极管进行简要概述。
肖特基二极管是一种特殊结构的二极管，它由金属与半导体形成的异质结构组成。
相较于普通的二极管，肖特基二极管具有更快的开关速度、较低的开启电压和较小的开启电流等优点。
这些特性使得肖特基二极管在嵌入式系统、功率管理、高频电路以及模拟电路等领域得到广泛应用。
对于肖特基二极管的封装类型，本文将着重介绍TO-92和SOT-23两种常见的封装形式。
这两种封装形式具有各自的特点和适用场景，并在实际应用中得到广泛使用。
除了封装类型外，本文还将讨论封装材料的选择和封装形式的设计对于肖特基二极管性能的影响。
这些因素直接影响着器件的散热性能、电气特性以及机械可靠性等方面。
最后，我们将总结肖特基二极管的各种封装类型，并强调封装对器件性能的重要影响。
深入了解肖特基二极管封装类型的优缺点，对于正确选择合适的封装类型，提升电路性能，具有重要意义。
通过本文的阐述，我们希望读者能够全面了解肖特基二极管的封装类型及其特点，从而在实际应用中能够做出明智的选择。
1.2 文章结构本文将围绕肖特基二极管的封装类型展开论述。
首先在引言部分概述肖特基二极管的基本知识，并介绍本文的目的。
接下来在正文部分，将详细介绍肖特基二极管的封装类型，包括TO-92封装和SOT-23封装。
对于每种封装类型，将讨论其特点，包括封装材料选择和封装形式设计。
在结论部分，将总结肖特基二极管的封装类型，并强调封装对器件性能的影响。
通过本文，读者将能够全面了解肖特基二极管的几种封装类型及其特点，从而对肖特基二极管的应用和选择有更深入的认识。
希望本文能为读者提供有价值的信息，并在实际应用中起到指导作用。
1.3 目的目的部分的内容可以按照以下方式编写：目的：肖特基二极管是一种重要的电子器件，具有快速开关、低功耗和高工作频率等特点，被广泛应用于各个领域。