wire bonding工艺文件
半导体wire bond工艺流程
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1. 表面处理。
利用酸性溶剂去除金属表面的油污和氧化物。
Bonding 技术介绍.ppt
5.2 在操作之前，必须确认球焊和平焊的使用
5.3 通常，压焊的第一个压焊点在芯片上，第二点在引线框架或基层上
5.4 平焊压焊工艺可以代替球焊压焊的场合
5.5 平焊允许的焊盘的间距为75μm
5.6 球焊允许的焊盘的间距大于125μm
5.7 全显微状态下工作
5.8 严格的 ESD 要求及环境,元器件的清洁Βιβλιοθήκη 化要求根据压焊的几何学原理决定
毛细管的形状，尺寸，材料 直接影响压焊的最后形状
压焊机的压焊速度
产量的考虑
4.2 洁净要求及环境条件
工作间的清洁 工具的清洁
100000 级净化环境
工作台的振动
照明
温湿度
4.3 焊接表面的清洁
金线的储存条件 氩等离子 紫外线
N2 微量的污染都会影响 可靠性和焊接性
溶剂清洁
4.4 压焊金属线的物理性质
5.9 严格的物料存储如金线（ 放在干燥的N2环境中，减小湿度的影响 ）
5.10 一般，球焊的第一个焊点要比第二个位置要高
5.11 压焊工艺返修简单，但受制于操作空间
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6 压焊工艺的评估：
通常，对压焊效果的评估有两种方法： 外观检查及机械测试 6.1 外观检查
外观检查主要通过光学显微镜，电子显微扫描（SEM），X 射线探测等 手段来实现。 SEM 探测图（良好的球焊效果及月牙形的尾部）
3.3.2 铝线压焊则用于封装或PCB不能加热的场合。有更精细的间 距。采用细铝线压焊可以达到小于60μm（50 μm）的间距。 铝线主要用于平焊工艺。费用较低。
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4 压焊的工序控制：
有效的对压焊进行工序控制，必须从以下几方面着手：
4.1 压焊机的设置
Wire-Bonding工艺以及基本知识 PPT
Capillary的選用：
Hole径（Ｈ）
Hole径是由规定的Wire径ＷＤ（Wire Diameter)
来決定
H
H=1.2~1.5WD
WD
Capillary主要的尺寸：
H：Hole Diameter (Hole径) T：Tip Diameter B：Chamfer Diameter(orCD) IC：Inside Chamfer IC ANGLE：Inside Chamfer Angle FA：Face Angle (Face角) OR：Outside Radius
Die 第一焊点搜索速度1st Search Speed 1
3. 第一焊點接触階段
最初的球形影响参数: 接觸压力和预备功率 Impact Force and Standby Power
1/16 inch 總長L
Capillary尺寸對焊線品質的影響：
1. Chamfer径（ＣＤ） Chamfer径过于大的话、Bonding強度越弱，易造成虛焊.
CD
CD
大家应该也有点累了，稍作休息
大家有疑问的，可以询问和交流
2. Chamfer角（ICA ） Chamfer角：小→Ball Size：小 Chamfer角：大→Ball Size：大
1．Wire Bonding原理
IC封裝中電路連接的三種方式： a. 倒裝焊（Flip chip bonding) b. 載帶自動焊（TAB---tape automated bonding) c. 引線鍵合（wire bonding)
Wire Bonding------引線鍵合技術
Wire Bonding的作用
Wire Bonding的四要素： ➢ Time(時間） ➢ Power(功率） ➢ Force(壓力） ➢ Temperature（溫度）
WireBond工艺培训
WireBond工艺培训1. 概述WireBond工艺是一种常用于半导体封装和芯片连接的技术。
它主要通过金或铝线将芯片的引脚与相关设备连接，以实现电信号传输和电源供应。
本文档将介绍WireBond工艺的基本原理、操作步骤以及常见问题解决方法，以供工程师和操作人员参考。
2. WireBond工艺原理WireBond工艺的基本原理是采用金属线将芯片引脚与其他器件或引线连接。
其主要有两种类型：•焊线连接（Wedge Bonding）：通过压焊法将金属线焊接在芯片的引脚和外部元器件之间的连接点上。
•黏结连接（Ball Bonding）：先将金属线焊接在芯片上，然后通过高温和压力形成金属球，并将金属球与外部元器件连接。
WireBond工艺通常采用自动化设备进行操作，其中包括焊丝机、金属线拨线机、焊丝剪切机等。
操作人员需要熟悉设备的使用方法，以及掌握正确的工艺参数和操作技巧。
3. WireBond工艺流程WireBond工艺的基本流程如下：1.准备工作：确认所需材料和设备齐全，检查设备是否正常工作。
2.芯片连接准备：将芯片放置在夹具上，根据芯片引脚位置设置正确的工艺参数。
3.焊丝选择：根据芯片和外部器件的要求，选择合适的金属线材料和直径。
4.焊丝切割：使用焊丝剪切机将金属线切割成适当的长度。
5.焊丝拨线：使用金属线拨线机将焊丝正确地放置在芯片引脚和外部器件之间的连接点上。
6.焊接操作：根据焊丝机设定的参数，在芯片引脚和外部器件之间进行焊接。
7.检查与测试：对焊接后的连接进行目视检查和必要的电性测试，确保连接质量符合要求。
8.清理和维护：清理焊丝机和其他设备，记录工艺参数和操作记录。
4. 常见问题解决方法在WireBond工艺中，常见的问题包括焊丝断裂、焊丝位置偏移、焊接不牢固等。
以下是一些常见问题的解决方法：•焊丝断裂：检查焊丝剪切机的切割质量和参数，并确保金属线的质量符合要求。
另外，注意操作时不要过度拉扯焊丝。
Wire bonding生产工艺标准
Wire bonding 生产工艺标准一、 目的：建立基本的wire bonding 标准，制定生产过程中产品合格／不合格的判断标准。
二、 范围：本标准只适用于金线球焊工艺。
三、 基本焊接条件：热压超声波焊接只用于金线键合，所需的温度、压力、超声波功率及时间视不同机型、不同衬底材料很大不同，具体应根据机型、衬底材料特性科学设定。
四、 品质判断标准：1） 球形标准，如图—1所示： ① 球的直径：以2.5φ-3.5φ为标准 ，低于2.5φ为球小，大于3.5φ为球大。
② 球的厚度：以0.5φ-1.5φ为标准，低于0.5φ为球扁，大于1.5φ为球厚。
③ 球畸形：焊线偏离焊球中心超过1/2φ为球畸形。
注：以上φ为金线直径，以下类同。
球的直径：2．5φ-3．5φ球的厚度：0．5φ-1．5φ2） 线形标准： ① 线形不良：线摆动以≤3φ、S 形≤2φ为标准，超过此标准为线形不良。
线形摆动如图—2所示：图—2：线形摆动标准② 线受损：以≤1/4φ为标准，超过1/4φ为线受损不可接受。
③ 弧形标准：晶粒边距金线垂直距离至少1.5φ，少于1.5φ为线低；晶粒面距线形最高不超过200um，如图—3所示：线形摆动：≤3φ晶粒边距金线垂直距离至少1.5φ200um④ 跪线：如图—4所示，圆圈处所指的金线贴在焊接表面上为跪线，不可接受。
标准线形为圆圈处所指的金线与焊接表面应有一定角度，如图—3所示。
图—4：跪线3） 焊口标准： ① 焊口：长为0.8φ—1.5φ，宽为1.5φ—2.5φ，且瓷咀印必须完整，超出此规格范围为不可接受，如图—5所示：图—5：焊口标准② 线尾：线尾长度必须≤1φ，大于1φ时为线尾长，不可接受。
跪线length：0.8φ—1.5φwidth：1.5φ—2.5φ瓷咀印③ 虚焊、脱焊：焊球与die 面接触，焊口与frame 表面接触，拉力测试为0时为虚焊；焊球或焊口中有一个不与焊接表面接触时为脱焊。
Bonding 技术介绍
Ball Bonding 图
ANSYS TRAINING
2.2 Wedge Bonding （平焊/楔焊） 将两个楔形焊点压下形成连接，在这种工艺中没有球形成。
Wedge Bonding 图
ANSYS TRAINING
ANSYS TRAINING
2.3 球焊和平焊的主要区别： 2.3.1 两者的焊点结构
ANSYS TRAINING
7.2.2 “ 破裂 ” 现象
7.2.3 不一致的 ” 尾巴 “ 现象 7.2.4 ” 剥离 “ （ 焊接不牢 ）现象
ANSYS TRAINING
8 压焊技术的发展历史：
8.1 1957年，贝尔实验室首先展示了压焊技术。 8.2 随着微电子技术的不断发展，压焊技术也得到了全面发展，主
Wire Bonding 工艺介绍
ANSYS TRAINING
1 Wire Bonding 是什么？
Wire Bonding (压焊，也称为帮定，键合，丝焊) 是指使用金属 丝（金线等），利用热压或超声能源，完成微电子器件中固态电 路内部互连接线的连接，即芯片与电路或引线框架之间的连接。
ANSYS TRAINING
4.4 压焊金属线的物理性质
溶剂清洁 金属线的硬度 金属线的拉伸强度
合金成分
ANSYS TRAINING
ANSYS TRAINING
只有充分考虑以上因素，才能有效控制压焊工序，才能获得高精度 ，高可靠性，高强度，和有竞争力价格的压焊产品。
目前，主要的方法是通过对拉力测试值，焊球剪切测试值进行 SPC( 统计工序控制 )及外观检查来控制。
ANSYS TRAINING
3.3 金属线 目前，最常用的是金线( Au ,Cu)和铝线( Al , 1%Si/Mg)。 最常用的金属线的直径为： 25 – 30 μm
半导体wire bond工艺流程
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1. 焊盘镀层。
Bonding-技术介绍
根据压焊的几何学原理决定
毛细管的形状，尺寸，材料 直接影响压焊的最后形状
压焊机的压焊速度
产量的考虑
4.2 洁净要求及环境条件
工作间的清洁 工具的清洁
100000 级净化环境
工作台的振动
照明
温度
4.3 焊接表面的清洁
金线的储存条件 氩等离子 紫外线
N2 微量的污染都会影响 可靠性和焊接性
溶剂清洁
4.4 压焊金属线的物理性质
Wire Bonding 的方式有两种：
Ball Bonding(球焊)和 Wedge Bonding (平焊/楔焊)
2.1 Ball Bonding ( 球焊） 金线通过空心夹具的毛细管穿出，然后经过电弧放电使伸出
部分熔化，并在表面张力作用下成球形，然后通过夹具将球压焊 到芯片的电极上，压下后作为第一个焊点，为球焊点，然后从第 一个焊点抽出弯曲的金线再压焊到相应的位置上，形成第二个焊 点，为平焊（楔形）焊点，然后又形成另一个新球用作于下一个 的第一个球焊点。
34
10 压焊技术的局限性：
由于丝线压焊必须在元器件的外围或表层进行，否则会导致短 路现象，故，压焊工艺不适合应用在高密度的内部连接中，如 I/O 密度大于 500 的情况。
35
WireBonding工艺介绍
1
1 Wire Bonding 是什么？
Wire Bonding (压焊，也称为帮定，键合，丝焊) 是指使用金属 丝（金线等），利用热压或超声能源，完成微电子器件中固态电 路内部互连接线的连接，即芯片与电路或引线框架之间的连接。
2
压焊放大图
3
2 Wire Bonding 的方式：
5.9 严格的物料存储如金线（ 放在干燥的N2环境中，减小湿度的影响 ）
qfn封装wire bongding设计规则-概述说明以及解释
qfn封装wire bongding设计规则-概述说明以及解释1.引言1.1 概述概述部分的内容将简要介绍本文所涉及的主题——qfn封装wire bongding设计规则，并对文章结构和目的进行概括说明。
概述:QFN封装是一种广泛应用于电子元件的封装形式，它具有小尺寸、低成本、良好的热传导性能等特点，已经成为现代电子设备中常见的封装选择之一。
在QFN封装中，wire bonding是一项非常关键的步骤，它涉及到在芯片和封装基座之间通过金属线进行连接。
而qfn封装wire bonding 设计规则则是指在进行wire bonding过程中，需要遵循的一系列设计准则和原则，以确保连接的可靠性和稳定性。
文章结构:本文将围绕qfn封装wire bongding设计规则展开讨论，分为三个主要部分：引言、正文和结论。
引言部分将对文章的背景和目的进行介绍，正文部分将详细阐述qfn封装wire bongding设计规则的重要性、基本原则和具体要点，结论部分将对文章进行总结，并展望未来qfn封装wire bongding设计规则的发展。
目的:本文的目的是探讨qfn封装wire bongding设计规则在电子封装领域的重要性，为相关领域的从业者和研究人员提供有关于qfn封装wire bongding设计规则的基本知识和具体要点。
通过对qfn封装wire bongding设计规则的讨论和总结，本文旨在提高电子封装领域从业者对该规则的认识和理解，以减少因设计不当而导致的不良连接和可靠性问题。
同时，本文也将展望未来qfn封装wire bongding设计规则的发展趋势，为该领域的进一步研究和应用提供参考和启示。
1.2 文章结构文章结构部分的内容可以包括以下信息:文章结构部分旨在为读者介绍本文的整体结构，使读者对文章的内容有一个清晰的了解。
本文分为引言、正文和结论三个部分。
引言部分首先概述了文章的主题和重要性，然后介绍了文章的结构和目的。
wire bonding引线键合形成机理模型 -回复
wire bonding引线键合形成机理模型-回复wire bonding引线键合是一种常见的半导体封装技术，用于将芯片与封装基板之间连接。
本文将以"wire bonding引线键合形成机理模型"为主题，从基础知识到详细步骤，逐步回答并解释这个主题。
引线键合是一种可靠的连接技术，它通过使用金属线将芯片的引脚与封装基板的引脚连接在一起。
这种连接可以传输信号和电力，同时提供机械支撑和热耦合。
在wire bonding引线键合中，金属线通常是由铝或金制成的。
它们具有优良的导电性和足够的弹性，可以承受一定的应变。
引线键合可以分为两种类型：压力键合和焊锡键合。
压力键合是通过应用机械力来实现金属线的弯曲和连接。
焊锡键合则是通过加热和融化焊锡来形成连接。
下面将逐步介绍wire bonding引线键合的形成机理模型的步骤：1. 准备工作: 引线键合之前，首先要准备好芯片和封装基板。
芯片上有许多金属引脚，而封装基板上有相应的焊盘或引脚，用来连接金属线。
此外，还需要一些工具和设备，如键线机、焊锡头等。
2. 金属线制备: 在键线机中，金属线从线盘上穿过，并通过一系列的轮式供给装置，将金属线传递到合适的位置。
引线键合中常用的金属线通常是细丝状的，直径在10-50微米之间。
3. 定位与对准: 在键线机的辅助元件的帮助下，芯片和封装基板被准确地定位和对准。
这一步非常关键，因为引线的准确性和可靠性取决于对准的精度。
4. 压力键合: 在压力键合过程中，金属线首先被压缩和弯曲，然后通过机械力压到芯片引脚和封装基板引脚上。
这种压力力量在金属线和引脚之间形成机械紧固和电接触。
5. 热焊键合: 在焊锡键合过程中，金属线首先被压缩和弯曲，然后通过焊锡头提供的热量进行焊接。
热焊加热金属线和引脚，并融化焊锡，使其形成牢固的连接。
6. 检测和质量控制: 在引线键合完成后，需要进行检测和质量控制。
这些检测可以包括接触电阻、焊点质量、焊点可靠性等方面的测试。
Wire-Bonding工艺以及基本知识参考幻灯片
Smaller CD – Smaller
MBD
Bigger CD – Bigger
MBD
CD MBD
CA:70(Degree
)
CD MBD
CA:120(Degre
e)
将Chamfer角由90°变更為120°可使Ball形状变大，随之 Ball的宽度变宽、与Pad接合面積也能变宽。
Chamfer Angle：90°
Chamfer Angle：120°
CONFIDENTIAL
3. OR（Outer Radius）及FA（Face Angle）： 对Hill Crack、Capillary的OR（Outer Radius）及FA（Face Angle）的數值是重要影響因素
2nd Neck部 Crack発生ห้องสมุดไป่ตู้
荷重过度附加接触面导致破损 Crack発生
1/16 inch 總長L
CONFIDENTIAL
Capillary尺寸對焊線品質的影響：
1. Chamfer径（ＣＤ） Chamfer径过于大的话、Bonding強度越弱，易造成虛焊.
CD
CD
CONFIDENTIAL
2. Chamfer角（ICA ） Chamfer角：小→Ball Size：小 Chamfer角：大→Ball Size：大
CONFIDENTIAL
3．Bonding用 Capillary
Capillary的選用：
Hole径（Ｈ）
Hole径是由规定的Wire径ＷＤ（Wire Diameter)
来決定
H
H=1.2~1.5WD
WD
Capillary主要的尺寸：
H：Hole Diameter (Hole径) T：Tip Diameter B：Chamfer Diameter(orCD) IC：Inside Chamfer IC ANGLE：Inside Chamfer Angle FA：Face Angle (Face角) OR：Outside Radius
Wire_Bond焊线动作分解说明
pad
heat
lead
Formation of a second bond Base
pad
heat
lead
Tail Length
pad
lead
Tail Length
pad
lead
Tail Length
pad
lead
Tail Length
Tail
length
pad
lead
Disconnection of the tail
SEARCH SPEED1
pad
SEARCH TOL 1
lead
Free air ball is captured in the chamfer
SEARCH SPEED1
pad
SEARCH TOL 1
lead
Free air ball is captured in the chamfer
SEARCH SPEED1 SEARCH TOL 1
NOT INCLUDE DEDICATE LINE
Free air ball is captured in the chamfer
pad lead
Free air ball is captured in the chamfer
SEARCH HEIGHT
pad lead
Free air ball is captured in the chamfer
Bonding Process
The Wire Bond Temp
PREHEAT
BONDSITE
CU L/F200+/-10
200+/-10
AL L/F210+/-10
Wire-Bonding工艺以及基本知识 PPT课件
CONFIDENTIAL
3. OR（Outer Radius）及FA（Face Angle）： 对Hill Crack、Capillary的OR（Outer Radius）及FA（Face Angle）的數值是重要影響因素
2nd Neck部 Crack発生
荷重过度附加接触面导致破损 Crack発生
BSOB 時BOND HEAD的動作步驟：
CONFIDENTIAL
BSOB的二個重要參數：
1. Ball Offset：此項設定值球時，當loop base 拉起後，capillary 要向何方向拉弧 設定範圍: -8020, 一般設定: -60
設定值為正值 : 代表capillary 向lead 的方向拉弧 設定值為負值 : 代表capillary 向die 的方向拉弧
Die 第一焊点搜索速度1st Search Speed 1
CONFIDENTIAL
3. 第一焊點接触階段
最初的球形影响参数: 接觸压力和预备功率 Impact Force and Standby Power
线夹打开- Wire Clamp Open
最初的球形和质量決定于1ST BOND ： CONTACT TIME CONTACT POWER, CONTACT FORCE,
Smaller CD – Smaller
MBD
Bigger CD – Bigger
MBD
CD MBD
CA:70(Degree
)
CD MBD
CA:120(Degre
e)
将Chamfer角由90°变更為120°可使Ball形状变大，随之 Ball的宽度变宽、与Pad接合面積也能变宽。
Bonding 技术介绍
5.1 焊接工艺操作空间有限 5.2 在操作之前，必须确认球焊和平焊的使用 5.3 通常，压焊的第一个压焊点在芯片上，第二点在引线框架或基层上 5.4 平焊压焊工艺可以代替球焊压焊的场合 5.5 平焊允许的焊盘的间距为75μm 5.6 球焊允许的焊盘的间距大于125μm 5.7 全显微状态下工作 5.8 严格的 ESD 要求及环境,元器件的清洁净化要求 5.9 严格的物料存储如金线（ 放在干燥的N2环境中，减小湿度的影响 ） 5.10 一般，球焊的第一个焊点要比第二个位置要高 5.11 压焊工艺返修简单，但受制于操作空间
2.3.3 两者的操作流程 2.3.3.1球焊流程示意图
ANSYS TRAINING
ANSYS TRAINING
ANSYS TRAINING
ANSYS TRAINING
3 Wire bonding 所需的设备及物料：
3.1 压焊机（平焊机及球焊机） 3.1.1 平焊机
ANSYS TRAINING
9 压焊技术的应用：
由于压焊工艺具有高可靠性，高品质，工艺成熟，操作简单， 成本低廉等优点，目前广泛应用于微电子封装领域，在世界半导体 元器件行业中，90%采用压焊技术，其中，采用球焊工艺的占93% ，平焊工艺的占5%。主要表现在以下领域： 8.1 陶瓷和塑料球栅阵列封装的元器件，如 PBGA 8.2 陶瓷和塑料象限扁平封装的元器件，如 PQFP 8.3 小芯片尺寸的封装器件及多芯片模块，如 CSP，COB，MCM 8.4 场效应晶体管放大器，如 JCA 放大器 8.5 微波及半导体器件，如 低群延迟接收机 8.6 动态随机存取存储器，如 DRAM
4.4 压焊金属线的物理性质
溶剂清洁 金属线的硬度 金属线的拉伸强度
wirebonding封装工艺
wirebonding封装工艺
Wirebonding封装工艺是一种把金属线接到封装器件表面的加工办法。
Wirebonding封装工艺可以广泛应用于电子封装和IC封装行业，特别是
当焊接办法无法实现时，Wirebonding封装技术可以发挥作用。
Wirebonding封装工艺主要步骤有三：前处理、Wirebonding和清洁处理。
前处理过程主要是对封装表面形态和电化学性能进行处理，以保证Wirebonding和表面清洁处理工艺正常进行；Wirebonding过程包括定位、钢丝熔合、焊接和压印，Wirebonding正确及有效地完成了金属线被熔接
到电子封装器件表面的过程；清洁处理过程是对已完成处理的封装器件进
行清洁处理，以确保最终产品的清洁度和完好度。
WB焊线工艺技术资料
3-5. 超声波振动在Capillary上的传递方式
CAPILLARY的 振动分布
超声波振动
TRANSDUCER CAPILLAR Y
0
+
CAPILLARY TIP 部位的振幅最大
System Block
*重要：超声波振動的安定化 Torque Wrench 装配Capillary时拧紧Screw,管理 Torque Tool冶具 管理安装Capillary的長度,专用JIG.
FEED
CLAMP OPEN: [
CLAMP CLOSE: [
**] g
4-1-4. Intermediate Load Time
按如下方式连接示波器: CH1: TP—⑥ (WC+) → HDV-550 GND: TP—
20
→ HDV-550 ⑵调整VR11 使②的值为”1.5ms±0.05ms”. CH1: 2V/div TIME: 500us
Press
Cut Clamp
Feed Spark Power Spark Time
Spark
3．BONDING用 CAPILLARY
3－１ CAPILLARY各部位介绍
（参照 SPT 及 PECO 的设计标准)
Capillary 的各部位的设计分别决定了 CHIP的PAD部位及L/F的STITCH SIZE 部位的Bonding状态.
⑸ Manual模式下,使用W/C键 执行打开Clamp的操作.
⑹ 调整VR4 使Tension Gauge的测量结果达到”10g±2g”. ⑺ 重复⑴~⑹步的操作,直至达到满意的测量结果.
4-1-3. Load 设定 KEY MAIN
**] g [ 60] g
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4.2All person involved shall ask the advise of the production Supervisor and Process Engineer when any question, doubt and problem arise.
这文档的目的是为所有摄像模块项目的邦线工艺提供一个标准的指导和程序
2.0SCOPE/适用范围:
This procedure is applicable to wire bond process of all camera module product.
这程序适用于所有摄像模块的邦线工艺
3.0EQUIPMENTS AND MATERIALS/设备和物料:
最后,QA必须拿到该unit做最终检验.参照图纸, QA操作员要检查每一根线,确保编线无误.
6.1.2.10..5As the unit can pass at 3 departments, EE should save the program in a floppy disk, thus, thelayout will be easier next time. And then normal product can run.
6.1.2.10.2EE who setup the program for every model at Wire Bond process must double checkthe layout comparing with the drawing.
负责在Wire Bond工序给任一产品设置程序的EE必须要将已编线与图纸做对比,并要再三检查.
操作员和技术员必需要使用基材夹具当执行目检和转移板从一个地方到另一个地方.
6.1.2.10Layout Monitor编线监查
6.1.2.10.1When setup program for the Wire Bond machine, EE technician must makesure the PRs is available and the alignment is correct. Every time the PRs andalignment redone, the layout
正常生产前,操作员需要确定机器是否设置好和首个测试板质量通过,邦线正确.
6.1.2.8Both Operator and EE/tech to check actual bonding layout of first unit after correction or machine adjustment made.
3.1Equipments/设备:
3.1.1Wirebonder (ASM Eagle60)/ASM Eagle60的邦线机
3.1.2Low Power Microscope (10X-30X magnification)/低倍显微镜
3.2Tools supplies/需用工具
3.2.1Finger cots/手指套
在生产中有发现任何有怀疑的缺陷应该告诉相关的负责人
4.3Only trained and certified operator, technicians and personnel are allowed to operate the machine/equipment
只有培训过并取得资格证的操作员和被允许的相关人员能操作机器
6.1.1Apply Wire bonding for Gold Wire (For process guide)
适用于金线机的工艺指导
6.1.2Process Guidelines/工艺指导:
6.1.2.1Always wear finger cots, gloves and ground strap when handling units.
Buy-off样板尺寸:两个单元/10条线
6.1.2.7Operator to perform machine and unit set-up buy-off for quality, correct and/or set-up has been done prior production run.
must be checked and monitored by 3 departments as the following procedure.
当为Wire Bond机器设置程序时, EE技术员必须要保证已做PRs合理可
.用,对位准确无误.当每次重做PRs和重新对位时, 3个部门必须按照如下步骤监查产品的排线状况.
型号转换生产前,操作员必需要确保测试板通过外观和拉力测试的要求
Buy-off frequency: Per Shift/set-up/Change Capillary/Change wire/Power failure
Buy-off频率:每班/设置/换瓷嘴/换金线/断电
Buy-off Sample Size: 2 units / 10 wires
5.4 Tweezer shall always be covered when not in use
镊子不用时要盖上套子
6.0PROCEDURE/步骤:
6.1Procedure guidelines, Parameter Setting and Capillary type.
步骤指导,参数设定和瓷嘴的选用
REVISION HISTORY /版本记录
REVISION
版本
CHANGE DESCRIPTION
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ISSUER
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RELEASE DATE
发行日期
01
REMARK
备注
APPROVAL
DEPARTMENT
NAME
TITLE
部门
名字
职位
DMP-001-F2 . 01
1.0
The purpose of this document is to provide general prescription and procedure for wire bond process of all Camera module model.
调整程序后,操作员和EE人员共同检查首个样板参照实际的邦线图样
6.1.2.9Operator and Techinician must use the substrate jig during performing visual inspection
and transporting of panel from one place to another.
WORK INSTRUCTION
作业指导书
DOC. No. /文件编号:
REV./版本号:
01
PRODUCT/产品: Camera Module
TITLE /标题:Camera Module Wirebond Process Work Instruction
摄像模块邦线工艺操作指导书
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6.1.2.10..3After checked by EE, a unit should be produced, transferred to MBU inspector formonitor again. MBU must check the layout carefully through the microscopecomparing with the drawing.
都能通过以后, EE需要将程序保存在软盘里,这样,下次的编线将会简易.然后可以正常生
sides, 3 departments should inspect the layout of the first unit at every beginning of the shift.process please refer to the above procedures.
EE检查完毕以后,需要做出一个unit的产品,然后送给MBU目检员再次检查.MBU必须在显微镜下对照图纸仔细检查.
6.1.2.10.4At last, QA must take the unit for final inspection. Comparing with the drawing, QAoperator should check each wire to make sure the layout is correct.
3.3.1Die attach units to be wire bonded/已贴晶片的PCBA
3.3.2Gold wire/金线
4.0REQUIREMENTS/要求:
4.1Machine must run/process good units only after satisfying all conditions
5.0SAFETY/RESPONSIBILITY/安全和责任:
5.1Operator must wear finger cots, gloves and ground strap when handling any device to prevent static electricity
生产时操作员必需戴手指套,手套和防静电手带去保护产品
候, 3个部门都要检查生产出来的第一个单元的产品的编线是否正确.具体流程请参照如上
6.2Gold wire Handlin来自 Procedure/装金线的步骤
6.2.1Replacing Wire Spool and Wire Threading Procedure.
更换线盘和穿线的步骤
6.2.1.1If there is a installed gold wire spool on the machine, carefully removed the ground wire form the machine and tweezer, attach it into the wire spool side rail using end wire terminal tape/ sticker