模电13.-共集电极放大电路(射极输出器)射极输出器

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模电试题及答案(大学期末考试题)

《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。

2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成断开；4、三极管是（）控制元件，场效应管是（）控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（），集电结（）。

6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（），发射结压降（）。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是（）、（）、（）放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/ F ）。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（1+AF ）BW，其中BW=（fH –fL ），（1+AF）称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。

13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。

16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。

17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。

二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。

模电总复习(二)

模电总复习(二)模电总复习（二）1.晶体管工作在放大区时的偏置状态为（）A. b与e极，b与c极间均正向偏置B. b与e极，b与c极间均反偏C. b与e极间正偏，b与c极间反偏D. b与e极间反偏，b与c极间正偏2.放大电路中的晶体管应工作在（）A. 饱和区B. 放大区C. 载止区D. 夹断区3．电子电路里常用的双极型三极管是（）A. 电压控制器件B. 电流控制器件C. 其它物理量控制器件D. 以上各项都不是4.在单管共射放大器中（）A. i o与v i反相B. v o与i o同相C. v o与v i同相D. v o与v i反相5. 某放大电路中的一只三极管，三个引线的标号分别为1、2、3，它们对公共端的电位分别是V1= - 4V，V2= -3.3V，V3= - 8V，该三极管是（）A. NPN型硅管B. NPN型锗管C. PNP型硅管D. PNP型锗管6.分压式共射放大电路如下图所示。

若更换晶体管使β由50变为100，则电路的电压放大倍数（）A. 约为原来的一半B. 基本不变C. 约为原来的2倍D. 约为原来的4倍8. 晶体管中电流分配关系为（）A. I B=I C+I EB. I C=I B+I EC. I E=I C+I BD. I B≥I C+I E9.某放大电路如下图所示。

设V CC=12V，I CEO≈0，则在静态时该三极管处于（）。

A. 放大区B. 饱和区C. 截止区D. 区域不定10.运算放大器理想化条件为（）。

A. A vo=∞r i=∞r o=∞K CMR= 0B. A vo=0 r i=∞r o=0 K CMR=∞C. A vo=∞r i=∞r o= 0 K CMR=∞D. A vo=∞r i=0 r o=∞K CMR=011.要想稳定放大器的输出电压，并同时提高其输入电阻，则需引的负反馈应为（）。

A. 电流串联B. 电压串联C. 电流并联D. 电压并联12.射极输出器不具备以下哪一个特点（）A. 输入电阻高B. 输出电阻低C. 电压放大倍数大于1D. 输出电压与输入电压同相13.若要求仅在输入电压过零时，输出电压发生跳变，除此之外输出电压保持不变，则应当选用（）。

模电试卷

一填空题 (15分)1、BJT用来放大时，应使发射结处于，集电结处于；工作在饱和区时，发射结处于，集电结处于。

2、FET是通过改变来改变漏极电流的，所以它是一个器件。

3、小功率直流稳压电源由________、________、________、________四部分组成。

4、若三极放大电路的A1u＝A2u＝30dB,A3u=20dB,则其总电压增益为 dB,折合为倍。

5、差动放大电路的基本功能是对差模信号的_______作用和对共模信号的_______作用。

二、计算画图题 (85分)1、两个稳压管的稳压值ＶZ1=5V，ＶZ2=7V，它们的正向导通压降均为0.6V，电路在以下二种接法时，输出电压Ｖo为多少？若电路输入为正弦信号ＶI=20sinωt（V），画出图（a）输出电压的波形。

(8分)（a） (b)2、下图所示电路中，设Ｄ为理想二极管，试画出其传输特性曲线Ｖo＝f（Ｖi）。

（8分）3、电路如图所示，已知三极管的β=100，VBE=-0.7V （15分）（1）试计算该电路的静态工作点；（2）画出简化的H参数小信号等效电路；（3）求该电路的电压增益A V, 输入电阻R i, 输出电阻Ro。

（4）若V O中的交流成分出现如图所示的失真现象，问是截止失真还是饱和失真？为消除此失真，应调节电路中的哪个元件，如何调整？4、电路如图，A为理想运放，输入波形如图。

已知R=10kΩ，C=0.5μF,Vz=±6V，试画出Vo波形。

（10分）5、电路如图，在深度负反馈条件，估计电压放大倍数Ａvf=Ｖo/Ｖs （10分）6、差分式放大器如图，已知 Vcc=6V，Rb=6KΩ，Rc=6KΩ，Re=5.1KΩ，（14分）ＶBE=0.7V，ｒbb'=100Ω，β=100。

计算：（1）电路静态工作点。

（2）差模电压放大倍数。

（3）差模输入电阻、输出电阻。

7、倍压整流电路如图，简述其工作原理，当R L＝∞时，输出电压Vo为多少？（10分）8、如图所示电路或者一个正弦波振荡电路，问（10分）（1）为保证电路正常的工作，节点，K J L M应该如何连接？（2）R2应该选多大才能振荡？（3）振荡的频率是多少？（4）R2使用热敏电阻时，应该具有何种温度系数？一填空题1、温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将，输出特性曲线将，而且输出特性曲线之间的间隔将。

共射极电路电压放大共集电极电路

共射极电路电压放大共集电极电路共射极电路和共集电极电路是电子电路中常见的两种放大电路结构。

它们在电子设备中起到了重要的作用，特别是在信号放大方面。

本文将分别介绍这两种电路的原理和特点。

共射极电路是一种常见的放大电路结构，它由一个NPN型晶体管组成。

在这种电路中，输入信号通过基极输入，输出信号通过集电极输出。

共射极电路的工作原理是通过控制输入信号的电流，改变晶体管的输出电流，从而实现信号的放大。

共射极电路的特点是输入电阻较低，输出电阻较高。

这意味着它可以很好地适应不同的输入信号源，并且可以驱动较高的负载电阻。

此外，共射极电路还具有较高的电压增益和较低的失真。

因此，它常用于要求较高增益和较低失真的放大器电路中。

与之相对的是共集电极电路，它也是一种常见的放大电路结构，由一个PNP型晶体管组成。

在这种电路中，输入信号通过基极输入，输出信号通过发射极输出。

共集电极电路的工作原理是通过控制输入信号的电流，改变晶体管的输出电流，从而实现信号的放大。

共集电极电路的特点是输入电阻较高，输出电阻较低。

这意味着它可以很好地适应高阻抗信号源，并且可以驱动较低的负载电阻。

此外，共集电极电路还具有较低的电压增益和较高的带宽。

因此，它常用于要求较低增益和较高带宽的放大器电路中。

共射极电路和共集电极电路在放大电路中起到了不同的作用。

共射极电路适用于需要较高增益和较低失真的场合，而共集电极电路适用于需要较低增益和较高带宽的场合。

因此，在电子设备的设计中，根据不同的需求选择合适的电路结构非常重要。

总结起来，共射极电路和共集电极电路是电子电路中常见的两种放大电路结构。

它们分别具有不同的特点和应用场合。

在电子设备的设计中，根据具体需求选择合适的电路结构非常重要。

通过合理的选择和设计，可以实现信号的有效放大和传输，从而满足不同应用场景的需求。

南邮通达模电填空选择题整理

通达13级期末模电填空题选择题整理一、填空题整理1.半导体的导电能力与温度、光照强度、掺杂浓度和材料性质有关。

2.利用PN结击穿时的特性可制成稳压二极管，利用发光材料可制成发光二级管，利用PN结的光敏性可制成光敏（光电）二级管。

3.在本征半导体中加入 5价元素可形成N型半导体，加入3价—元素可形成P型半导体。

N型半导体中的多子是自由电子；P型半导体中的多子是―空穴。

4. PN结外加正向电压时导通外加反向电压时截止这种特性称为PN结的单向导电性。

5.通常情况下硅材料二极管的正向导通电压为 0.7v ，锗材料二极管的正向导通电压为 0.2v 。

6..理想二极管正向电阻为0,反向电阻为（你猜），这两种状态相当于一个______ 开关。

7..晶体管的三个工作区分别为放大区、截止区和饱和区。

8.1.压二极管是利用PN结的反向击穿特性特性制作的。

8.2.极管从结构上看可以分成 PNP 和 NPN 两种类型。

10.晶体三极管工作时有自由电子和空穴两种载流子参与导电，因此三极管又称为双极型晶体管。

11.设晶体管的压降UCE不变，基极电流为20R A时，集电极电流等于2mA,则§=__100__。

12.场效应管可分为绝缘栅效应管和结型两大类，目前广泛应用的绝缘栅效应管是 MOS管，按其工作方式分可分为耗尽型和增强型两大类，每一类中又分为N 沟道和P沟道两种。

13.晶体管工作在放大区时，具有发射结正偏、集电结反偏的特点。

14.晶体管工作在饱和区时，具有发射结正偏、集电结正偏的特点。

15.饱和失真和截止失真属于非线性失真，频率失真属于线性失真。

16.共集电极放大器又叫射极输出器，它的特点是：输入电阻高（高、低）；输出电阻低（高、低）；电压放大倍数约为 J。

17.多级放大器由输入级、中间级__________ 和输出级组成；其耦合方式有—阻容耦合和直接耦合、变压器耦合三种；集成运算放大器运用的是直接耦合耦合方式。

模拟电子技术基础复习题(基础知识填空和简答)

习题1一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度，而少数载流子的浓度则与温度有很大关系。

2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。

当外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。

3、在N 型半导体中，电子为多数载流子，空穴为少数载流子。

二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。

（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。

（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。

（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。

（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。

（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。

（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。

（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V VsD -⋅=表示。

式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594T V T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。

当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1e T V V>>，于是T V V s e I I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1e T V V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。

《电工电子技术基础》部分题解

一、领会、理解下列名词、术语及间答题1.支路：电路中的每一个分支。

一条支路流过一个电流，称为支路电流。

2.结点：三条或三条以上支路的联接点。

3.回路：由支路组成的闭合路径。

4.网孔：内部不含支路的回路。

5.电压源：由电动势E和内阻R0串联的电源的电路模型。

6.电流源：由电流I S和内阻R0并联的电源的电路模型。

7.瞬时功率p：瞬时电压与瞬时电流的乘积8.平均功率(有功功率)P：瞬时功率在一个周期内的平均值9.相电压：端线与中性线间（发电机每相绕组）的电压10.线电压：端线与端线间的电压11.相电流：流过每相负载的电流12.线电流：流过端线的电流13.零输入响应: 无电源激励, 输入信号为零, 仅由元件的初始储能所产生的电路的响应。

14.零状态响应: 储能元件的初始能量为零，仅由电源激励所产生的电路的响应。

15.全响应: 电源激励、储能元件的初始能量均不为零时，电路中的响应。

16.软磁材料：具有较小的矫顽磁力，磁滞回线较窄。

一般用来制造电机、电器及变压器等的铁心。

常用的有铸铁、硅钢、坡莫合金即铁氧体等。

17.永磁材料：具有较大的矫顽磁力，磁滞回线较宽。

一般用来制造永久磁铁。

常用的有碳钢及铁镍铝钴合金等。

18.矩磁材料：具有较小的矫顽磁力和较大的剩磁，磁滞回线接近矩形，稳定性良好。

在计算机和控制系统中用作记忆元件、开关元件和逻辑元件。

常用的有镁锰铁氧体等。

19.铜损：在交流铁心线圈中, 线圈电阻R上的功率损耗称铜损。

20.铁损：在交流铁心线圈中，处于交变磁通下的铁心内的功率损耗称铁损。

21.磁滞损耗：由磁滞所产生的能量损耗称为磁滞损耗。

22.涡流损耗：由涡流所产生的功率损耗。

23.高压：1KV及以上的电压称为高压。

有1, 3, 6, 10, 35, 110, 330, 550KV等。

24.低压：1KV及以下的电压称为低压。

有220，380V。

25.安全电压：36V以下的电压称为低压。

我国规定的安全电压等级有：12V、24V、36V等。

共射极基本放大电路

流电流所流过的路径，称为交流通路。画交流通路时，
放大电路中的耦合电容短路；由于直流电源VCC的内阻
很小（理想电压源内阻近似为零），对交流变化量几乎不起作用，所以直流电源对交流视为短路。图3所示基本共射放大电路的交流通路如图6所示。
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图 6 共射放大电路的交流通路
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共射放大电路
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图 1 放大电路中三极管的三种连接方式
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共射放大电路
一、共射放大电路的组成及放大作用
1. 电路基本组成及各元件作用共发射极基本放大电路的组成如图2所示，本电路采用的是NPN管。为保证放大电路能够不失真地放大交流信号，放大电路的组成应遵循以下原则：
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图2 共（发）射极放大电路
响放大电路的正常工作。
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共射放大电路
5. 静态工作点稳定电路
1) 分压式偏置电路
分压式偏置电路如图a)所示，与固定偏置式电路不同的是：基极直流偏置电位UBQ是由基极偏置电阻Rb1和Rb2对VCC分压来取得的，故称这种电路为分压式偏置电路；电路中增加了发射极电阻Re，用来
根据电路有 IBQRVbCC(1 UB)ERQ e
ICQIBQ
U CE V C Q C IC(R Q c R e )
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图12 带有发射极电阻Re 的固定偏置式直流电路
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共射放大电路
三、微变等效电路法
1. 放大电路的动态性能指标
放大电路放大的对象是变化量，研究放大电路除了要保证放大电路具有合适的静态工作点外，更重要的是研究其放大性能。衡量放大电路性
基本放大电路
1 共射放大电路 2 共集电极电路与共基极电路 3 场效应管基本放大电路 4 多级放大电路 5 放大电路的频率特性 6 小信号调谐放大器

模电实验单级共射放大电路

模电实验单级共射放⼤电路单极共射放⼤电路⼀、实验⽬的（1）掌握⽤Multisim 13 仿真软件分析单极放⼤电路主要性能指标的⽅法。

（2）熟悉掌握常⽤电⼦仪器的使⽤⽅法，熟悉基本电⼦元器件的作⽤。

（3）学会并熟悉“先静态后动态”的电⼦线路的基本调试⽅法。

（4）分析静态⼯作点对放⼤器性能的影响，学会调试放⼤器的静态⼯作点。

（5）掌握放⼤器的放⼤倍数、输⼊电阻、输出电阻及最⼤不失真输出电压的测试⽅法。

（5）测量放⼤电路的频率特性。

⼆、实验原理1.基本电路电路在接通直流电源CC V ⽽未加⼊输⼊信号时（通过隔直流电容1C 将输⼊端接地），电路中产⽣的电流、电压为直流量，记为BEQ V ，CEQ V ，BQ I ，CQ I ，由它们确定了电路的⼀个⼯作点，称为静态⼯作的Q 。

三极管的静态⼯作点可⽤下式近似估算：)7.0~6.0(=BEQ V V 硅管；（0.2~0.3）V 锗管()e c CQ CC CEQ R R I V V +-=CC P BQ V R R R R V 212++= EBEQBQ EQ CQ R V V I I -=≈βCQ BQ I I =2.静态⼯作点的选择放⼤器静态⼯作点的选择是指对三极管集电极电流C I （或CE V ）的调整与测试。

在晶体管低频放⼤电路中，静态⼯作点的选择及稳定具有举⾜轻重的作⽤，直接关系到放⼤电路能否正常可靠地⼯作。

若⼯作点偏⾼（C I 放⼤），则放⼤器在加⼊交流信号以后易产⽣饱和失真，此时输出信号o u 的负半周将被削底；若⼯作点偏低，则易产⽣截⽌失真，即o u 的正半周被削顶（⼀般截⽌失真不如饱和失真明显）。

这些情况都不符合不失真放⼤的要求。

所以在选定⼯作点以后还必须进⾏动态调试，即在放⼤电路的输⼊端加⼊⼀定的输⼊电压i u ，并检查输出电压o u 的⼤⼩和波形是否满⾜要求。

如不满⾜，则应调节静态⼯作点的位置。

还应说明的是，上⾯所说的⼯作点“偏⾼”或“偏低”不是绝对的，应该是相对信号的幅度⽽⾔。

模电填空题

模拟电子技术与项目实训练习——填空题一、填空题(每题1分)1.理想二极管的正向电阻为（0 ），反向电阻为（∞）2.在N型半导体中，多子是（自由电子），少子是（空穴）；在P型半导体中，多子是（空穴），少子是（自由电子）。

3.二极管具有（单向导电性）；当（正向偏置）时，二极管呈（低阻导通）状态；当（反向偏置）时，二极管呈（高阻截止）状态。

4.半导体中有（空穴）和（自由电子）两种载流子参与导电，其中（空穴）带正电，而（自由电子）带负电。

5.硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（大）。

6.普通硅二极管的正向导通压降范围大约为（0.6~0.8 ）V，在工程估算中一般取（0.7 ）V；锗二极管的正向导通压降范围大约为（0.2~0.3 ）V，在工程估算中一般取（0.2 ）V。

发光二极管的正向导通压降范围大约为（1~2.5 ）V。

7.在工程估算中,硅二极管的正向导通电压取（0.7 ）V , 锗二极管的正向导通电压取（0.2 ）V。

8.在桥式整流电路中，未接入滤波电容时，输出电压的平均值为变压器次级电压有效值的（0.9 ）倍；接入滤波电容后，输出电压的平均值为变压器次级电压有效值的（ 1.1~1.2 ）倍9.如用交流电压表测得变压器次级的交流电压为20V，经桥式整流后，则在纯电阻负载两端用直流电压表测出的电压值约为（18V ）；经桥式整流电容后，直流电压表测出的电压值约为（22~24V ）。

10.稳压管通常工作在（反向击穿区），当其正向导通时，相当于一只（普通二极管）。

11.发光二极管工作在（正向）偏置条件下；导通电压的范围为（1~2.5 ）V。

光电二极管工作在（反向）偏置条件下; 变容二极管工作在（反向）偏置条件下。

12.三极管能放大的内因是：发射区掺杂浓度（高）、基区宽度（窄）且杂质浓度（低）、集电结面积（大）；外部条件是：发射结处于（正向）偏置，集电结处于（反向）偏置。

13.在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，既能放大电流，又能放大电压的组态是（共射）电路；只放大电流，不放大电压的组态是（共集）电路；只放大电压，不放大电流的组态是（共基）电路。

共集电极电路电压放大倍数 ,输入电阻 ,输出电阻

共集电极电路引言共集电极电路是一种常见的放大电路，也被称为电压跟随器。

它通过输入信号的放大来产生输出信号，并且具有一定的电压放大倍数，输入电阻和输出电阻。

本文将详细介绍共集电极电路的工作原理、特点以及如何计算电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。

工作原理共集电极电路由晶体管、电容和电阻组成。

其中晶体管的发射极与负载电阻相连，基极与输入电容和输入电阻相连，集电极则通过电阻与电源相连。

当输入信号加在输入电容上时，当信号为正半周期时，电容对信号具有低阻抗，信号较大部分通过电容进而对基极放电，因而晶体管进入放大区，放大信号后通过集电极输出。

当信号为负半周期时，输入电容对信号具有高阻抗，此时信号无法通过电容，而是通过输入电阻进入基极，使晶体管继续工作。

这样，输入信号的正负半周期都能够通过晶体管的放大，从而实现电压的跟随放大。

特点1.电压放大倍数较小：由于共集电极电路是一个电压跟随器，其输出电压近似等于输入电压，因此电压放大倍数较低。

2.输入电阻较高：共集电极电路的输入电阻取决于基极与输入电容并联后的电阻。

输入电容对信号具有低阻抗，因此输入电阻相对较高。

3.输出电阻较低：由于晶体管的集电极直接与负载电阻相连，而负载电阻一般取得较小，输出电阻相对较低。

计算电压放大倍数、输入电阻和输出电阻共集电极电路的电压放大倍数可以通过以下公式计算：A v=−R c R e其中，Av代表电压放大倍数，Rc是负载电阻，Re是发射极电阻。

输入电阻的计算公式如下：R in=β⋅R e其中，Rin代表输入电阻，β是晶体管的电流放大倍数。

输出电阻的计算公式如下：R out=R c其中，Rout代表输出电阻。

需要注意的是，上述公式都是近似计算，实际电路中可能存在其他影响因素，例如晶体管的非线性等。

总结共集电极电路是一种常见的放大电路，具有一定的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。

它通过晶体管的放大作用，实现输入信号的跟随放大，输出与输入信号类似但幅度增大。

共集电极放大电路名词解释

共集电极放大电路名词解释
共集电极放大电路是一种电子传输线路电路，其输入信号由三极管的基极和集电极两端输入，输出信号由三极管的发射极两端获得。

由于集电极是共同端，所以称为共集电极放大电路。

共集电极放大电路的工作原理基于反相输入、正相输出的特性，集电极向信号源提供低电阻度，实现了高输入阻抗，同时输出电阻较小，实现了低输出阻抗。

在这种电路中，射极跟随集电极操作，射极电流常数，从而保持输出电压稳定。

与其它放大器电路相比，共集电极放大电路具有以下优点：
1. 高输入阻抗：集电极输入端提供高阻抗，这意味着输入信号源不会被放大器电路负载影响。

2. 低输出阻抗：射极作为输出端，可以提供非常低电阻度，以便可通过长电缆等连接方式将信号传输到远距离处。

3. 无需反馈：通常不需要任何反馈电路就能实现宽带频率响应，因为其内部布线结构令其自身能够给出反馈。

4. 无放大：在该电路中，对于同一输入电压的变化，输出电压的变化相应较小，这意味着该电路能够放大大范围的几乎所有类型的模拟信号。

因此，共集电极放大电路可用于缓冲器和低电平信号设备。

如需更多信息，建议查阅电子工程相关书籍或咨询专业人士。

模电复习资料(判断和填空有答案)

判断题第一章半导体 1、少数载流子是电子的半导体称为P型半导体。

（对）二极管1、由PN结构成的半导体二极管具有的主要特性是单向导电性。

（对）2、普通二极管反向击穿后立即损坏，因为击穿是不可逆的。

（错）3、晶体二极管击穿后立即烧毁。

（错）三极管1、双极型晶体三极管工作于放大模式的外部条件是发射结正偏，集电结也正偏。

（错）2、三极管输出特性曲线可以分为三个区,即恒流区,放大区,截止区. （错）3、三极管处于截止状态时，发射结正偏。

（错）4、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（P型或N型）构成的，所以极e和c极可以互换使用。

（错）5、当集电极电流值大于集电极最大允许电流时，晶体三极管一定损坏。

（错）6、晶体三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化，温度升高，β减少。

（错）场效应管1、场效应管的漏极特性曲线可分成三个区域：可变电阻区、截止区和饱和区。

（错）第二章1、技术指标放大电路的输出信号产生非线性失真是由于电路中晶体管的非线性引起的，对2、基本放大电路在基本放大电路中，若静态工作点选择过高，容易出现饱和失真。

（对）3、放大电路的三种组态射极跟随器电压放大倍数恒大于1,而接近于1。

（错）三种基本放大电路中输入电阻最大的是射极输出器。

（对）射极跟随器电压放大倍数恒大于1,而接近于1。

（错）射极输出器不具有电压放大作用。

（对）4、多级放大电路直流放大器是放大直流信号的，它不能放大交流信号。

（错）直流放大器只能放大直流信号。

（错）现测得两个共射放大电路空载时的放大倍数都是-100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数为10000。

（错）多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄，级数愈少，通频带愈窄。

（错）。

多级放大器总的电压放大倍数是各级放大倍数的和。

（错）多级阻容耦合放大器的通频带比组成它的单级放大器的通频带宽。

（错）第四章在三种功率放大电路中，效率最高是的甲类功放。

（对）第五章从信号的传输途径看，集成运放由输入级，输出级，偏置电路这几个部分组成。

模电期末复习总结(大二)

EQ
U = V − I R +U
CEQ CC CQ C
BEQ
2.5 放大电路的三种组态
2.5.2
共基极放大电路
动态分析动态分析
ɺ U βR ɺ = = A ɺ U r + (1 + β ) R
o C u i be
e
r R =R + 1+ β
be i e
R =R
o
c
2.5 放大电路的三种组态
2.5.2
R ′D = RD // RL
ɺ Uo ɺ Au = = −gmR ′D ɺi U
Ri = RG + ( R 1 // R 2)
Ro = RD
共源组态基本放大器未接C 等效电路如图: 未接 S时:等效电路如图等效电路如图
一般 rds >> RD// RL >> RS; rds可忽略。可忽略。 •电压增益为电压增益为
很高
很高
1 // R s // rds gm
电压增益小于1, 但接近于1,输入输出电压同相, 输入电阻高,输出电阻低。
1/ gm
R D // rds
电压增益高,输入输出电压同相,输入电阻低, 输出电阻主要取决于RD。
R D // rds
电压增益高,输入输出电压反相,输入电阻高, 输出电阻主要取决于RD。
EQ
BQ
U =V I R
CEQ CC EQ
e
2.5 放大电路的三种组态
2.5.1
共集电极放大电路
二、动态分析
电压放大倍数
ɺ ɺ u = U o = (1 + β ) R ′e A ɺ U i r be + (1 + β ) R ′e

（整理）模电各章重点内容及总复习外加试题和答案

（整理）模电各章重点内容及总复习外加试题和答案《模电》第⼀章重点掌握内容：⼀、概念1、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。

2、半导体奇妙特性：热敏性、光敏性、掺杂性。

3、本征半导体：完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。

4、本征激发：环境温度变化或光照产⽣本征激发，形成电⼦和空⽳，电⼦带负电，空⽳带正电。

它们在外电场作⽤下均能移动⽽形成电流，所以称载流⼦。

5、P型半导体：在纯净半导体中掺⼊三价杂质元素，便形成P型半导体，使导电能⼒⼤⼤加强，此类半导体，空⽳为多数载流⼦（称多⼦）⽽电⼦为少⼦。

6、N型半导体：在纯净半导体中掺⼊五价杂质元素，便形成N型半导体，使导电能⼒⼤⼤加强，此类半导体，电⼦为多⼦、⽽空⽳为少⼦。

7、PN结具有单向导电性：P接正、N接负时（称正偏），PN结正向导通，P接负、N接正时（称反偏），PN结反向截⽌。

所以正向电流主要由多⼦的扩散运动形成的，⽽反向电流主要由少⼦的漂移运动形成的。

8、⼆极管按材料分有硅管(S i管)和锗管(G e管)，按功能分有普通管，开关管、整流管、稳压管等。

9、⼆极管由⼀个PN结组成，所以⼆极管也具有单向导电性：正偏时导通，呈⼩电阻，⼤电流，反偏时截⽌，呈⼤电阻，零电流。

其死区电压：S i管约0。

5V，G e管约为0。

1 V ，其死区电压：S i管约0.5V，G e管约为0.1 V 。

其导通压降：S i管约0.7V，G e管约为0.2 V 。

这两组数也是判材料的依据。

10、稳压管是⼯作在反向击穿状态的：①加正向电压时，相当正向导通的⼆极管。

（压降为0.7V，）②加反向电压时截⽌，相当断开。

③加反向电压并击穿（即满⾜U﹥U Z）时便稳压为U Z。

11、⼆极管主要⽤途：整流、限幅、继流、检波、开关、隔离（门电路）等。

⼆、应⽤举例：（判⼆极管是导通或截⽌、并求有关图中的输出电压U0。

三极管复习完第⼆章再判）参考答案：a、因阳极电位⽐阴极⾼，即⼆极管正偏导通。

—模电复习试题

—模电复习试题学校2003—2004学年度第学期期末考试试卷2019年9⽉9⽇⼀、填空题（本题60分，共60题）1.和开路PN 结的结区宽度相⽐，当PN 结加上正偏电压时其结区宽度窄；当PN 结加上反偏电压时，其结区宽度宽。

2.理想运算放⼤器的开环电压增益为⽆穷，输出电阻为 0 。

3.在多级放⼤电路中，后级的输⼊电阻是前级负载的，⽽前级的输出电阻则也可视为后级信号源内阻的。

4.设晶体三极管在信号周期T 内的导电时间为t ，试写出甲类、⼄类和甲⼄类三种功放电路的t 与T 的关系。

甲类 t = T ，⼄类 t = T /2 ，甲⼄类 T /2 < t < T 。

5.设如图电路中，D 1为硅⼆极管，D 2为锗⼆极管，则D 1处于截⽌状态，D 2处于导通状态。

6.在RC 正弦波振荡器中，除正反馈⽀路外，⼀般都加⼊负反馈环节，其作⽤是和。

7.有两级共射极放⼤电路。

已知1v A =－50，R i1 = 2k Ω，R o1 = 5.1k Ω；402-=v A ，R i2 =5.1k Ω，R o2 =10k Ω。

则两级放⼤电路的总电压增益=vA 2000 ，输⼊电阻R i = ，输出电阻R o = ，输出与输⼊信号的相位。

8.若⼀个放⼤电路具有交流电流并联负反馈，则可以稳定输出电流和降低输⼊电阻。

9.在基本OCL 功放电路中，电源电压为±15V ，负载电阻R L = 8Ω，可以推算出其最⼤的输出功率P omax 约为 14 W ；电路最⼤效率约为 78.5 。

10.理想运放接有负反馈电路时，将⼯作在区线性，⽽开环运⾏或接有正反馈时，将⼯作在⾮线性区。

11.产⽣单⼀频率的振荡器，称为。

12.在差分放⼤电路中，R e的作⽤是抑制领票，对共模信号呈现很强的负反馈作⽤。

13.在放⼤电路中，为了稳定输出电压，应引⼊电压负反馈；为了使输⼊电阻提⾼，应引⼊串联负反馈。

14.⼩功率直流电源⼀般由电源变压器、整流、滤波、稳压四部分组成，15.场效应管的三个电极g、d、s类同晶体三极管的电极，⽽N沟道、P沟道场效应管则分别类同于两种类型的晶体三极管。

模电习题(含答案)

1. _非常纯净的单晶体结构的半导体_ 称本征半导体。

2. 杂质半导体分_N _型半导体和_P _型半导体，前者中多数载流子是_自由电子_，少数载流子是_空穴_，后者中多数载流子是_空穴_，少数载流子是_自由电子_。

3. 本征硅中若掺入5价元素的元素，则多数载流子应是_自由电子_，掺杂越多，则其数量一定越_多_，相反，少数载流子应是_空穴_，掺杂越多，则其数量一定越_少_。

4. P 区侧应带_负电_，N 曲一侧应带_正电_。

空间电荷区内的电场称为_内电场_，其方向从_N 区_指向_P 区_。

5. 在PN 结两侧外加直流电压，正端与P 区相连，负端与N 区相连，这种接法称之为PN 结的_正向_偏置。

6. 半导体三极管的输入特性曲线与二极管的正向特性相似，而输出特性曲线可以划分为三个工作区域，它们是_截止_区、_饱和_区和_放大_区。

7. 温度变化对半导体三极管的参数有影响，当温度升高时，半导体三极管的β值_增大_，ICBO 值_增大_，UBE 值_减小_。

8. 半导体三极管能够放大信号，除了内部结构和工艺特点满足要求外，还必须具备的外部工作条件是_发射结正偏、集电结反偏_。

9. 工作在放大区的某晶体管，当IB 从20微安增大到40微安时，Ic 从2毫安变为4毫安，它的β值约为_100_。

10. 半导体三极管的三个极限参数是_CM I _、_CEO RB U )(_、_CM P _。

11. NPN 型硅三极管处于放大状态时，在三个电极电位中，其电位高低关系为_E B C U U U >>_；基极和发射极电位之差约等于_0.7V _ 。

12. 半导体三极管从结构上分可以分为_PNP _型和_NPN _型两大类，他们工作时有_自由电子_、_空穴_两种载流子参与导电。

13. 在用万用表测量二极管的过程中，如果测得二极管的正反向电阻都为0Ω，说明该二极管内部已_击穿_；如果所测得的正反向电阻都为无穷，说明该二极管已_断路损坏_。