模拟电子技术习题解
模拟电子技术习题答案(1)
模拟电子技术习题答案(1)第一章常用半导体器件1习题答案〖题1.1〗（1）杂质浓度，温度（2）呈圆形电中性，呈圆形电中性（3）等同于，大于，变宽，大于，变窄（4）逆向打穿（5）减小，减小，增大（6）左移，下移，加高（7）、发射结，erf（8）一种载流子参予导电，两种载流子参予导电，压控，流控。
〖题1.2〗二极管电路如图t1.2所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出端电压uo。
设二极管的导通压降为ud=0.7v。
adbadr10v5vcb?uo??r5v10vuo?(a)b1d1a?r12v9v?uob1b2(b)d1d2r10v15vuoab2d2??(c)(d)图t1.2解：（a）uo=ua－ud=－5v－0.7v=－5.7v（b）uo=ub=uc=－5v（c）uo=ua=－0.7v（d）uo=ua=－9.3v〖题1.3〗二极管电路例如图t1.3(a)右图，未知ui?10sin?t(mv)，e?1.2v，ui电容c和直流电源e对交流视为短路，二极管的伏安特性曲线如图t1.3(b)所示，r?100?，谋二极管两端的电压和穿过二极管的电流。
解：id?id?id?(5?1.92sin?t)maud?ud?ud?(0.7?0.01sin?t)v+redcid/ma12id8400.30.60.91.2ud/v??ud(a)(b)图t1.3第一章常用半导体器件2〖题1.4〗设图t1.4中的二极管d为理想二极管，试通过计算判断它们是否导通？。
6k?d4k??5k?1k?4k?5kb20v?18kd?20k?14kb?1k5k?15v10vaa10v?2k(a)(b)图t1.4解：(a)ua??10?41?(?20)9v4?61?45ub??2010v,ua?ub,二极管导通；5?525?(?15)4v(b)ua??10?2?185?201ub??151v,ua?ub,二极管截至。
1?141k?1k??d5v?(a)d??〖题1.5〗在图t1.5所示电路中，已知ui=10sinωt(v),二极管的正向压降和反向电流均可忽略。
模拟电子技术习题及答案
习题55.1在以下几种情况下，应分别采用哪种类型的滤波电路〔低通、高通、带通、带阻〕。
（1）从输入信号中提取100kHz～200kHz的信号；（2）抑制1MHz以上的高频噪声信号；（3）有用信号频率为1GHz以上的高频信号；（4）干扰信号频率介于1 kHz～10 kHz；解答：〔1〕带通滤波器；〔2〕低通滤波器；〔3〕高通滤波器；〔4〕带阻滤波器。
5.2在以下各种情况下，应分别采用哪种类型〔低通、高通、带通、带阻〕的滤波电路。
〔1〕抑制50Hz交流电源的干扰；〔2〕处理具有1Hz固定频率的有用信号；〔3〕从输入信号中取出低于2kHz的信号；〔4〕抑制频率为100kHz以上的高频干扰。
解：〔1〕带阻滤波器〔2〕带通滤波器〔3〕低通滤波器〔4〕低通滤波器5.3填空：〔1〕为了防止50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用滤波电路。
〔2〕输入信号的频率为10kHz～12kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用滤波电路。
（3）为了获得输入电压中的低频信号，应选用滤波电路。
〔4〕为了使滤波电路的输出电阻足够小，保证负载电阻变化时滤波特性不变，应选用滤波电路。
解：〔1〕带阻〔2〕带通〔3〕低通〔4〕有源5.4无源一阶RC低通滤波电路的截止频率决定于的倒数，在截止频率处输出信号比通带内输出信号小dB。
解答：时间常数，3dB5.5无源一阶RC高通滤波电路的截止频率决定于的倒数，在截止频率处输出信号比通带内输出信号小dB。
解答：时间常数，3dB5.6 一阶滤波电路阻带幅频特性以 /十倍频斜率衰减，二阶滤波电路那么以 /十倍频斜率衰减。
阶数越 ，阻带幅频特性衰减的速度就越快，滤波电路的滤波性能就越好。
解答：-20 dB ，-40 dB ，高。
5.7 试求题图所示电路的传递函数和频率响应表达式。
题图解答：()1v sR C A s sR C =+，j (j )1j v R CA R Cωωω=+5.8 题图5.8中所示为一个一阶低通滤波器电路，试推导输入与输出之间的传递函数，并计算截止角频率H ω。
模拟电子技术基础习题及答案
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。
（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。
试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？ 解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。
模拟电子技术(王成华第二版)课后习题及答案_1
习 题题1.1 求硅本征半导体在温度为250K 、300K 、350K 时载流子的浓度。
若掺入施主杂质的浓度317d cm 10=N ，分别求出在250K 、300K 、350K 时电子和空穴的浓度。
解：当K 250=T 时，有:38221.123162231i 1i cm 10057.12501087.3)()(go ⨯=⨯⨯⨯=⋅==−−kTkTE ee TA T p T n ，同理，当K 300=T 时，有: 3102i 2i cm 10095.1)()(⨯==T p T n ，当K 350=T 时，有: 3113i 3i cm 10060.3)()(⨯==T p T n ， 当掺入施主杂质后，电子浓度：d N n =，空穴浓度：n n p 2i =，当K 250=T 时，317cm 10=n ,31712i cm 112.010)(==T n p ， 当K 300=T 时，317cm 10=n ,331722i cm 10199.110)(⨯==T n p ， 当K 350=T 时，317cm 10=n ,351732i cm 10364.910)(⨯==T n p 。
题1.2 若硅PN 结的317a cm 10=N ，316d cm 10=N ，求K 300=T 时PN 结的内建电位差。
解：)ln(2i da T n N N U U ⋅⋅=ϕ， 当K 300=T 时，mV 26T =U ，310i cm 1043.1⨯=n ,代入得：76.0)cm 101.43(cm 10cm 10ln V 026.023********=⎥⎦⎤⎢⎣⎡⨯⨯⨯=ϕU V 。
题1.3 已知锗PN 结的反向饱和电流为610−A ，当外加电压为0.2V 、0.36V 及0.4V 时流过PN 结的电流为多少？由计算结果说明伏安特性的特点。
解：根据PN 结方程，流过PN 结的电流)1(TS −⋅=U U eI I ，6S 10−=I A ，26T =U mV ，2.01=U V 时，3S 11019.2)1(T1−⨯=−⋅=U U eI I A ，36.02=U V 时，03.1)1(T2S 2=−⋅=U U e I I A ，4.03=U V 时，8.4)1(T3S 3=−⋅=U U eI I A ，2.04−=U V 时，04=I ，反向截止， 36.05−=U V 时，05=I ，反向截止， 4.06−=U V 时，06=I ，反向截止，由此可见，PN 结外加正向电压时，斜率稍有增加就引起正向电流明显增加。
《模拟电子技术》经典习题(有图详细分析版)
项目一习题参考答案1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极，N区接电源的负极。
2. 在常温下，硅二极管的死区电压约为0.5V，导通后正向压降约为0.6～0.8V ；锗二极管的死区电压约为0.1V，导通后正向压降约为0.2～0.3V。
3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型；按材料分为硅管和锗管。
三极管是电流控制型器件，控制能力的大小可用 表示，它要实现信号放大作用，需发射结正偏，集电结反偏。
4. 场效应管是电压控制型器件，控制能力的大小可用g m表示，它的主要特点是输入电阻很大。
5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能，因为二极管正向电阻很小，若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大，相当于干电池正、负极短路。
6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止，并求出A、B两端的电压U AB(设VD为理想二极管，即二极管导通时其两端电压为零，反向截止时电流为零)。
图1.52 题6图解：（a）VD导通，U AB=-6V。
（b）VD截止，U AB=-12 V。
（c）VD1导通，VD2截止，U AB=0 V。
（d）VD1截止，VD2导通，U AB=-15 V。
7. 在图1.53所示电路中，设VD为理想二极管，u i =6sinω t (V)，试画出u O的波形。
图1.53 题7图解：（a）（b）8. 电路如图1.54所示，已知u i=5sinΩ t(V)，二极管导通电压为0.7V。
试画出u i与的波形。
解：u i>3.7V时，VD1导通，VD2截止，u o=3.7V；3.7V>u i>-4.4V时，VD1截止，VD2截止，u o= u i；u i<-4.4V时，VD1截止，VD导通，u o=-4.4 V。
9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示，试判别各三极管的工作状态。
图1.54 题8图图1.55 题9图解：（a）三极管已损坏，发射结开路（b）放大状态（c）饱和状态（d）三极管已损坏，发射结开路10. 测得放大电路中六只晶体管的电位如图1.56所示。
《模拟电子技术》胡宴如主编耿苏燕版(第四版)习题解答第2章
第2章放大电路中某三极管三个管脚○1○2○3测得对地电位-8V ，-3V,和3V 、12V 、，试判别此管的三个电极，并说明它是NPN 管还是PNP 管，是硅管还是锗管解：放大电路中的发射结必定正偏导通，其压降对硅管为，对锗管则为。
（1）三极管工作在放大区时，U B 值必介于U C 和U E 之间，故对应的管脚○3为基极，U B =，○2脚电位与○3脚基极电位差为，所以○2脚为发射极，则○1脚为集电极，该管为PNP 锗管。
（2）由于○3脚电位为介于3V 和12V 之间，故○3脚为基极，○1脚电位低于○3脚，故○1脚为发射极，则○2脚为集电极，该管为NPN 硅管。
对图所示各三极管，试判别其三个电极，并说明它是NPN 管还是PNP 管，估算其β值。
解：（a ）因为i B <i C <i E ，故①、②、③脚分别为集电极、发射极和基极。
由电流流向可知是NPN 管：4904.096.1==≈mAmAi i B C β （b ）①、②、③脚分别为基极、集电极和发射极。
由电流流向知是PNP 管10001.01==≈mAmA i i B C β 图所示电路中，三极管均为硅管，β=100，试判断各三极管的工作状态，并求各管的图图I B 、I C 、U CE 。
解：（a ）mA k VV I B 1.0517.06≈Ω-=设三极管工作在放大状态，则 I C =βI B =100×=10mA U CE =16V －10mA ×1k Ω=6V由于U CE =6V>U CE =，三极管处于放大状态，故假设成立。
因此三极管工作在放大状态，I B =，I C =10 mA ，U CE =6V 。
（b ）mA k VI B 077.056)7.05(=Ω-=设三极管工作在放大状态，则得 I C =βI B =100×= 则U CE =-(5V －×3k Ω)=-(5V － ＞0说明假设不成立，三极管已工作在饱和区，故集电极电流为mA k V R U V I I C CES CC CS C 57.13V3.0-5=Ω=-==因此三极管的I B=，I C=，U CE=U CES≈（c）发射结零偏置，故三极管截止，I B=0，I C=0，U CE=5V。
模拟电子技术基本练习题(解)
电子技术基础（模拟部分）综合练习题2010-12-12一．填空题：（将正确答案填入空白中）1．N型半导体是在本征半导体中掺入3价元素，其多数载流子是电子，少数载流子是空穴。
P型半导体是在本征半导体中掺入5价元素，其多数载流子是空穴，少数载流子是电子。
2．为使三极管能有效地有放大作用，要求三极管的发射区掺杂浓度最高；基区宽度最薄；集电结结面积最大。
3．三极管工作在放大区时，发射结要正向偏置，集电结反向偏置，工作在饱和区时，发射结要正向偏置，集电结正向偏置，工作在截止区时，发射结要反向偏置，集电结反向偏置。
4．工作在放大状态的三极管，流过发射结的电流主要是扩散电流，流过集电结的电流主要是漂移电流。
5．某三极管，其α=0.98，当发射极电流为2mA，其基极电流为0.04mA，该管的β值为49。
6．某三极管，其β=100，当集电极极电流为5mA，其基极电流为0.05mA，该管的α值为0.99。
7．某三极管工作在放大区时，当I B从20µA增大到40µA，I C从1mA变成2mA。
则该管的β约为 50。
8.半导体三极管通过基极电流控制输出电流，所以它属于电流控制器件。
其输入电阻较低；场效应管通过栅极电压控制输出电流，所以它属于电压控制器件。
其输入电阻很高。
9.晶体管的三个工作区是放大区，截止区，饱和区。
场效应的三个工作区是可变电阻区，饱和区，截止区。
10．场效应管又称单极型管，是因为只有一种载流子参与导电；半导体三极管又称双极型管，是因为有两种载流子参与导电。
11．串联式直流稳压电源是由组成取样电路；比较放大器；基准电压和调整管。
12．集成运算放大器的内部电路是由偏置电路, 中间放大器, 输入级和输出级四部分组成。
13．在一个三级放大电路中，已知A v1=20；A v2=-100；Av3=1，则可知这三级放大电路中A1是共基极组态；A2是共射极组态；A3是共集电极组态。
14．正弦波振荡电路一般是由如下四部分组成放大器；反馈网络；稳幅电路和选频网络。
模拟电子技术基础-第一章课后习题详解
习题1.1选择合适答案填入空内。
（1）在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
A. 增大B. 不变C. 减小（3）工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为。
A. 83B. 91C. 100（4）当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，它的低频跨导g m将。
A.增大B.不变C.减小解：（1）A ，C （2）A （3）C （4）A1.2 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.5V时，管子会因电流过大而烧坏。
1.3 电路如图P1.3所示，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
图P1.3解图P1.3解：u i和u o的波形如解图P1.3所示。
1.4 电路如图P1.4所示，已知u i＝5sinωt(V)，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出u i与u O的波形，并标出幅值。
图P1.4解图P1.4解：波形如解图P1.4所示。
1.5 电路如图P1.5（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。
图P1.5解：u O的波形如解图P1.5所示。
解图P1.51.6 电路如图P1.6所示，二极管导通电压U D＝0.7V，常温下U T≈26mV，电容C对交流信号可视为短路；u i为正弦波，有效值为10mV。
试问二极管中流过的交流电流有效值解：二极管的直流电流I D＝（V－U D）/R＝2.6mA其动态电阻r D≈U T/I D＝10Ω故动态电流有效值I d＝U i/r D≈1mA 图P1.61.7现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V和8V，正向导通电压为0.7V。
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；
AA.顶部失真 B.底部失真
C.为正弦波
（4）若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可
将B 。
A.RW减小 B.RC减小 C.VCC减小
五、现有直接耦合基本放大电路如下：
A.共射电路 D.共源电路
B.共集电路 E.共漏电路
C.共基电路
它们的电路分别如图2.2.1、2.5.1(a)、2.5.4(a)、
(9)Ro 5k
(10 )Ro2.5k
(1)1U s 20 mV (12 )U s 60 mV
2.6 电路如图P2.6所示，已知晶体管＝50，在下列情
况下，用直流电压表测晶体管的集电极电位，应分别
为 多 少 ？ 设 VCC ＝ 12V ， 晶 体 管 饱 和 管 压 降 UCES ＝ 0.5V。
IEQUBRQ fURBe EQ1mA
IBQ1IEQ 10μA
U C E V C Q C IE(R Q c R f R e ) 5 .7 V
（1） Au 、Ri和Ro；
微变等 效电路
Ib Ic
rbe Ui Rb1 Rb2
Ib
RL
Uo
Rf
Rc
（1） Au 、Ri和Ro；
Ib Ic
rbe
rbb'(1
R2 VCC
R3
2.4 电路如图a所示，图b是晶体管的输出特性，静态
时UBEQ＝0.7V。利用图解法分别求出RL＝∞和RL＝ 3kΩ时的静态工作点和最大不失真输出电压Uom（有 效值）。
解：由晶体管的输出特性可知，=100
空载时： IBQ1105.7mA 2μ 0AICQIBQ2mA
U CE Q V CC ICR Q C6V
所以最大不失真输出电压峰
值约为5.3V，有效值约为
3.75V。 带载时：IBQ＝20μA，ICQ＝ 2mA，UCEQ＝3V；最大不失 真输出电压峰值约为2.3V， 有效值约为1.63V。
空载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝6V。 带载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝3V。
解： 在空载和带负载情况下，
电路的静态电流、rbe均相等， 它们分别为
IBQ
VCC
UBEQUBEQ
Rb
R
22μ A
ICQIBQ1.7m 6 A
rberbb' (1)2Im E 6QV 1.3k
（1）空载时：
U CE V Q C CICR Q c6 .2V
Au rbRec 308
AusRsrberbeAu 93
2.5在图P2.5所示电路中，已知晶体管的＝80，rbe＝
1kΩ，＝20mV；静态时UBEQ＝0.7V，UCEQ＝4V， IBQ＝20μA。判断下列结论是否正确，凡对的在括号 内打“”，否则打“×”。
(1)A u 204103 200
(2)A u 04.75.71
(3)A u 8105400 (4)A u8012.5200
（1）正常情况 （2）Rb1短路 （3）Rb1开路 （4）Rb2开路 （5）RC短路
2.6 晶体管＝50，VCC＝12V，晶体管饱和管压降
UCES＝0.5V。
解：设UBE＝0.7V。则
（1）正常情况：基极静态电流
IB
VCC UBE Rb2
UBE Rb1
0.022mA
U CV C CIC R c6.4V
－VCC改 为＋VCC
加Rb
VBB反接且在 输入端串电阻
加Rb和Rc
2.2 画出图示各电路的直流通路和交流通路。设 所有电容对交流信号均可视为短路。
直流通路 +VCC
R1 R2
R3
(a) 交流通路
直流通路
R3
R4
R1
R2
VCC
交流通路
+
+
ui R1 –
R4
uo
–
R1
交流通路
直流通路
R1
)
26mV IEQ
Ui
2.73k
R b1
R b2
rbe
Ib RL
Uo
A urbe (R (1 c∥ R)LR )f 7.7
Rf
Rc
R i R b ∥ 1 R b ∥ 2 [ r b e ( 1 ) R f] 3 .7 k
Ro Rc 5k
（2）若电容Ce开路，对Q点没有影响，但影响交流 参数。
2.7.2和2.7.9(a)所示；设图中Re<Rb，且ICQ、 IDQ均相等。
选择正确答案填入空内，只需填A、 B、……
图2.2.1 共射电路
图2.5.1 共集电路
图2.5.4 共基电路
2.7.2 共源电路
2.7.9 共漏电路
（1）输入电阻最小的电路是 共基电路 ，最大的 是 共源、共漏电路；
（1）该电路的最大不失真输出电
压有效值Uom≈ B ；
A.2V
B.3V C.6V
因为：
IC
Hale Waihona Puke VCCUCEQ2mA RC
ICRL 3V
（2）当Ui＝1mV时，若在不 失真的条件下，减小RW，则输
出电压的幅值将 C ；
A.减小 B.不变 C.增大
（3）在Ui＝1mV时，将Rw调到输出电压最大且刚好不
失真，若此时增大输入电压，则输出电压波形将
（2）Rb1短路： 由于UBE＝0V，T截止，UC＝12V
2.6 晶体管＝50，VCC＝12V，晶体管饱和管压降
UCES＝0.5V。
（3） Rb1开路：则临界饱和基极电流
IBSVCCR UcCES0.04m 5A
实际基极电流为：
IB
VCCUBE0.22mA Rb2
由于IB＞IBS，故T饱和， UC＝UCES＝0.5V。
Ro 的表达式。 解： Q点为：
V C C (IB Q IB )R Q c IB (R Q 1 R 2 ) V BEQ
IBQR1VRC2C(U 1B EQ )Rc
ICQ IBQ
U CE V Q C C (1)IBR Q c
微变等效电路 Ib Ic
rbe
R Ui 1
Ib R3
Uo
R2
Au
R2
解：根据电路接法，可分别采用耗尽
型N沟道和P沟道MOS管。
习题
2.1按要求填写下表。
电路名称 连接方式（e、c、b） 性能比较（大、中、小）
公共极 输入极 输出极 Au Ai Ri Ro 其它
共射电路 e
b
c 大 大小 大
共集电路 c
b
e 小 大大小
共基电路 b
e
c
大 小 小 大 频带宽
2.2分别改正图示各电路中的错误，使它们有可能放 大正弦波信号。要求保留电路原来的共射接法和耦 合方式。
rbe=1kΩ。
(2）若测得 Ui 和 Uo 的有效值分
别为1mV和100mV，则负载电 阻RL为多少千欧？
解：（2）求解RL：
Au U Uoi 100
Au
RL'
rbe
1 1 1 Rc RL
RL 1k
RL 1.5k
2.11 在图P2.10所示电路中，设静态时ICQ＝2mA，晶 体管饱和管压降UCES＝0.6V。试问：当负载电阻RL＝ ∞和RL＝3kΩ时电路的最大不失真输出电压各为多少 伏？
∥R3 rbe
Ro R2∥R3
Ri rbe∥R1
2.15 试求出图P2.3（b）所示电路Q点、 Au 、Ri和Ro
参数变化
IBQ
UCEQ
Au
Ri
Ro
Rb增大
②
①
②
①③
Rc增大
③
②
①
③
①
RL增大
③
③
①
③
③
2.11 电路如图所示，晶体管的＝100，rbb 10 0。
（1）求电路的Q点、 Au 、Ri和Ro；
（2）若电容Ce开路，则将引 起电路的哪些动态参数发生
变化？如何变化？
解：（1）求Q点 ：
UBQRbR 1bR 1b2VCC2V
2.6 晶体管＝50，VCC＝12V，晶体管饱和管压降
UCES＝0.5V。
（4） Rb2开路时： 无基极电流IBQ，T截止， UC＝12V。
（5） RC短路： 由于集电极直接接直流 电源，UC＝VCC＝12V
2.7电路如图所示，晶体管的＝80， rbb’=100Ω。分
别计算RL＝∞和RL＝3kΩ时的Q点、Au 、Ri 和Ro。
100，R’b＝100kΩ。填空：要求先填文字表达式后 填得数。
（1）当＝0V时，测得UBEQ＝
0.7V，若要基极电流IBQ＝20μA，
则 R’b和RW之和Rb＝ VCC U BEQ I BQ
≈ 565 kΩ；而若测得
UCEQ＝6V，则Rc＝
VCC U CEQ
I BQ
≈
3 kΩ。
（2）若测得输入电压有效
2.10 已知图P2.10所示电路中晶体管的 ＝100，
rbe=1kΩ。 （1）现已测得静态管压降UCEQ ＝ 6V ， 估 算 Rb 约 为 多 少 千 欧 ；
解：（1）求解Rb ICQVCCRU c CEQ2mA
IB
Q
ICQ
2
0μA
Rb
VCCUBEQ5 IBQ
6k5
2.10 已知图P2.10所示电路中晶体管的 ＝100，
R iR b∥ rb erb e1 .3 k
Ro Rc 5k
（2）RL＝5kΩ时： U CE Q R cR L R LV C CIC(Q R c∥ R L )2.3 V
Au rbReL 115