模拟电子技术习题解
模拟电子技术习题答案(1)
模拟电子技术习题答案(1)第一章常用半导体器件1习题答案〖题1.1〗（1）杂质浓度，温度（2）呈圆形电中性，呈圆形电中性（3）等同于，大于，变宽，大于，变窄（4）逆向打穿（5）减小，减小，增大（6）左移，下移，加高（7）、发射结，erf（8）一种载流子参予导电，两种载流子参予导电，压控，流控。
〖题1.2〗二极管电路如图t1.2所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出端电压uo。
设二极管的导通压降为ud=0.7v。
adbadr10v5vcb?uo??r5v10vuo?(a)b1d1a?r12v9v?uob1b2(b)d1d2r10v15vuoab2d2??(c)(d)图t1.2解：（a）uo=ua－ud=－5v－0.7v=－5.7v（b）uo=ub=uc=－5v（c）uo=ua=－0.7v（d）uo=ua=－9.3v〖题1.3〗二极管电路例如图t1.3(a)右图，未知ui?10sin?t(mv)，e?1.2v，ui电容c和直流电源e对交流视为短路，二极管的伏安特性曲线如图t1.3(b)所示，r?100?，谋二极管两端的电压和穿过二极管的电流。
解：id?id?id?(5?1.92sin?t)maud?ud?ud?(0.7?0.01sin?t)v+redcid/ma12id8400.30.60.91.2ud/v??ud(a)(b)图t1.3第一章常用半导体器件2〖题1.4〗设图t1.4中的二极管d为理想二极管，试通过计算判断它们是否导通？。
6k?d4k??5k?1k?4k?5kb20v?18kd?20k?14kb?1k5k?15v10vaa10v?2k(a)(b)图t1.4解：(a)ua??10?41?(?20)9v4?61?45ub??2010v,ua?ub,二极管导通；5?525?(?15)4v(b)ua??10?2?185?201ub??151v,ua?ub,二极管截至。
1?141k?1k??d5v?(a)d??〖题1.5〗在图t1.5所示电路中，已知ui=10sinωt(v),二极管的正向压降和反向电流均可忽略。
模拟电子技术习题及答案
习题55.1在以下几种情况下，应分别采用哪种类型的滤波电路〔低通、高通、带通、带阻〕。
（1）从输入信号中提取100kHz～200kHz的信号；（2）抑制1MHz以上的高频噪声信号；（3）有用信号频率为1GHz以上的高频信号；（4）干扰信号频率介于1 kHz～10 kHz；解答：〔1〕带通滤波器；〔2〕低通滤波器；〔3〕高通滤波器；〔4〕带阻滤波器。
5.2在以下各种情况下，应分别采用哪种类型〔低通、高通、带通、带阻〕的滤波电路。
〔1〕抑制50Hz交流电源的干扰；〔2〕处理具有1Hz固定频率的有用信号；〔3〕从输入信号中取出低于2kHz的信号；〔4〕抑制频率为100kHz以上的高频干扰。
解：〔1〕带阻滤波器〔2〕带通滤波器〔3〕低通滤波器〔4〕低通滤波器5.3填空：〔1〕为了防止50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用滤波电路。
〔2〕输入信号的频率为10kHz～12kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用滤波电路。
（3）为了获得输入电压中的低频信号，应选用滤波电路。
〔4〕为了使滤波电路的输出电阻足够小，保证负载电阻变化时滤波特性不变，应选用滤波电路。
解：〔1〕带阻〔2〕带通〔3〕低通〔4〕有源5.4无源一阶RC低通滤波电路的截止频率决定于的倒数，在截止频率处输出信号比通带内输出信号小dB。
解答：时间常数，3dB5.5无源一阶RC高通滤波电路的截止频率决定于的倒数，在截止频率处输出信号比通带内输出信号小dB。
解答：时间常数，3dB5.6 一阶滤波电路阻带幅频特性以 /十倍频斜率衰减，二阶滤波电路那么以 /十倍频斜率衰减。
阶数越 ，阻带幅频特性衰减的速度就越快，滤波电路的滤波性能就越好。
解答：-20 dB ，-40 dB ，高。
5.7 试求题图所示电路的传递函数和频率响应表达式。
题图解答：()1v sR C A s sR C =+，j (j )1j v R CA R Cωωω=+5.8 题图5.8中所示为一个一阶低通滤波器电路，试推导输入与输出之间的传递函数，并计算截止角频率H ω。
模拟电子技术基础习题及答案
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。
（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。
试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？ 解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。
模拟电子技术(王成华第二版)课后习题及答案_1
习 题题1.1 求硅本征半导体在温度为250K 、300K 、350K 时载流子的浓度。
若掺入施主杂质的浓度317d cm 10=N ，分别求出在250K 、300K 、350K 时电子和空穴的浓度。
解：当K 250=T 时，有:38221.123162231i 1i cm 10057.12501087.3)()(go ⨯=⨯⨯⨯=⋅==−−kTkTE ee TA T p T n ，同理，当K 300=T 时，有: 3102i 2i cm 10095.1)()(⨯==T p T n ，当K 350=T 时，有: 3113i 3i cm 10060.3)()(⨯==T p T n ， 当掺入施主杂质后，电子浓度：d N n =，空穴浓度：n n p 2i =，当K 250=T 时，317cm 10=n ,31712i cm 112.010)(==T n p ， 当K 300=T 时，317cm 10=n ,331722i cm 10199.110)(⨯==T n p ， 当K 350=T 时，317cm 10=n ,351732i cm 10364.910)(⨯==T n p 。
题1.2 若硅PN 结的317a cm 10=N ，316d cm 10=N ，求K 300=T 时PN 结的内建电位差。
解：)ln(2i da T n N N U U ⋅⋅=ϕ， 当K 300=T 时，mV 26T =U ，310i cm 1043.1⨯=n ,代入得：76.0)cm 101.43(cm 10cm 10ln V 026.023********=⎥⎦⎤⎢⎣⎡⨯⨯⨯=ϕU V 。
题1.3 已知锗PN 结的反向饱和电流为610−A ，当外加电压为0.2V 、0.36V 及0.4V 时流过PN 结的电流为多少？由计算结果说明伏安特性的特点。
解：根据PN 结方程，流过PN 结的电流)1(TS −⋅=U U eI I ，6S 10−=I A ，26T =U mV ，2.01=U V 时，3S 11019.2)1(T1−⨯=−⋅=U U eI I A ，36.02=U V 时，03.1)1(T2S 2=−⋅=U U e I I A ，4.03=U V 时，8.4)1(T3S 3=−⋅=U U eI I A ，2.04−=U V 时，04=I ，反向截止， 36.05−=U V 时，05=I ，反向截止， 4.06−=U V 时，06=I ，反向截止，由此可见，PN 结外加正向电压时，斜率稍有增加就引起正向电流明显增加。
《模拟电子技术》经典习题(有图详细分析版)
项目一习题参考答案1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极，N区接电源的负极。
2. 在常温下，硅二极管的死区电压约为0.5V，导通后正向压降约为0.6～0.8V ；锗二极管的死区电压约为0.1V，导通后正向压降约为0.2～0.3V。
3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型；按材料分为硅管和锗管。
三极管是电流控制型器件，控制能力的大小可用 表示，它要实现信号放大作用，需发射结正偏，集电结反偏。
4. 场效应管是电压控制型器件，控制能力的大小可用g m表示，它的主要特点是输入电阻很大。
5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能，因为二极管正向电阻很小，若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大，相当于干电池正、负极短路。
6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止，并求出A、B两端的电压U AB(设VD为理想二极管，即二极管导通时其两端电压为零，反向截止时电流为零)。
图1.52 题6图解：（a）VD导通，U AB=-6V。
（b）VD截止，U AB=-12 V。
（c）VD1导通，VD2截止，U AB=0 V。
（d）VD1截止，VD2导通，U AB=-15 V。
7. 在图1.53所示电路中，设VD为理想二极管，u i =6sinω t (V)，试画出u O的波形。
图1.53 题7图解：（a）（b）8. 电路如图1.54所示，已知u i=5sinΩ t(V)，二极管导通电压为0.7V。
试画出u i与的波形。
解：u i>3.7V时，VD1导通，VD2截止，u o=3.7V；3.7V>u i>-4.4V时，VD1截止，VD2截止，u o= u i；u i<-4.4V时，VD1截止，VD导通，u o=-4.4 V。
9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示，试判别各三极管的工作状态。
图1.54 题8图图1.55 题9图解：（a）三极管已损坏，发射结开路（b）放大状态（c）饱和状态（d）三极管已损坏，发射结开路10. 测得放大电路中六只晶体管的电位如图1.56所示。
《模拟电子技术》胡宴如主编耿苏燕版(第四版)习题解答第2章
第2章放大电路中某三极管三个管脚○1○2○3测得对地电位-8V ，-3V,和3V 、12V 、，试判别此管的三个电极，并说明它是NPN 管还是PNP 管，是硅管还是锗管解：放大电路中的发射结必定正偏导通，其压降对硅管为，对锗管则为。
（1）三极管工作在放大区时，U B 值必介于U C 和U E 之间，故对应的管脚○3为基极，U B =，○2脚电位与○3脚基极电位差为，所以○2脚为发射极，则○1脚为集电极，该管为PNP 锗管。
（2）由于○3脚电位为介于3V 和12V 之间，故○3脚为基极，○1脚电位低于○3脚，故○1脚为发射极，则○2脚为集电极，该管为NPN 硅管。
对图所示各三极管，试判别其三个电极，并说明它是NPN 管还是PNP 管，估算其β值。
解：（a ）因为i B <i C <i E ，故①、②、③脚分别为集电极、发射极和基极。
由电流流向可知是NPN 管：4904.096.1==≈mAmAi i B C β （b ）①、②、③脚分别为基极、集电极和发射极。
由电流流向知是PNP 管10001.01==≈mAmA i i B C β 图所示电路中，三极管均为硅管，β=100，试判断各三极管的工作状态，并求各管的图图I B 、I C 、U CE 。
解：（a ）mA k VV I B 1.0517.06≈Ω-=设三极管工作在放大状态，则 I C =βI B =100×=10mA U CE =16V －10mA ×1k Ω=6V由于U CE =6V>U CE =，三极管处于放大状态，故假设成立。
因此三极管工作在放大状态，I B =，I C =10 mA ，U CE =6V 。
（b ）mA k VI B 077.056)7.05(=Ω-=设三极管工作在放大状态，则得 I C =βI B =100×= 则U CE =-(5V －×3k Ω)=-(5V － ＞0说明假设不成立，三极管已工作在饱和区，故集电极电流为mA k V R U V I I C CES CC CS C 57.13V3.0-5=Ω=-==因此三极管的I B=，I C=，U CE=U CES≈（c）发射结零偏置，故三极管截止，I B=0，I C=0，U CE=5V。
模拟电子技术基本练习题(解)
电子技术基础（模拟部分）综合练习题2010-12-12一．填空题：（将正确答案填入空白中）1．N型半导体是在本征半导体中掺入3价元素，其多数载流子是电子，少数载流子是空穴。
P型半导体是在本征半导体中掺入5价元素，其多数载流子是空穴，少数载流子是电子。
2．为使三极管能有效地有放大作用，要求三极管的发射区掺杂浓度最高；基区宽度最薄；集电结结面积最大。
3．三极管工作在放大区时，发射结要正向偏置，集电结反向偏置，工作在饱和区时，发射结要正向偏置，集电结正向偏置，工作在截止区时，发射结要反向偏置，集电结反向偏置。
4．工作在放大状态的三极管，流过发射结的电流主要是扩散电流，流过集电结的电流主要是漂移电流。
5．某三极管，其α=0.98，当发射极电流为2mA，其基极电流为0.04mA，该管的β值为49。
6．某三极管，其β=100，当集电极极电流为5mA，其基极电流为0.05mA，该管的α值为0.99。
7．某三极管工作在放大区时，当I B从20µA增大到40µA，I C从1mA变成2mA。
则该管的β约为 50。
8.半导体三极管通过基极电流控制输出电流，所以它属于电流控制器件。
其输入电阻较低；场效应管通过栅极电压控制输出电流，所以它属于电压控制器件。
其输入电阻很高。
9.晶体管的三个工作区是放大区，截止区，饱和区。
场效应的三个工作区是可变电阻区，饱和区，截止区。
10．场效应管又称单极型管，是因为只有一种载流子参与导电；半导体三极管又称双极型管，是因为有两种载流子参与导电。
11．串联式直流稳压电源是由组成取样电路；比较放大器；基准电压和调整管。
12．集成运算放大器的内部电路是由偏置电路, 中间放大器, 输入级和输出级四部分组成。
13．在一个三级放大电路中，已知A v1=20；A v2=-100；Av3=1，则可知这三级放大电路中A1是共基极组态；A2是共射极组态；A3是共集电极组态。
14．正弦波振荡电路一般是由如下四部分组成放大器；反馈网络；稳幅电路和选频网络。
模拟电子技术基础-第一章课后习题详解
习题1.1选择合适答案填入空内。
（1）在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
A. 增大B. 不变C. 减小（3）工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为。
A. 83B. 91C. 100（4）当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，它的低频跨导g m将。
A.增大B.不变C.减小解：（1）A ，C （2）A （3）C （4）A1.2 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.5V时，管子会因电流过大而烧坏。
1.3 电路如图P1.3所示，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
图P1.3解图P1.3解：u i和u o的波形如解图P1.3所示。
1.4 电路如图P1.4所示，已知u i＝5sinωt(V)，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出u i与u O的波形，并标出幅值。
图P1.4解图P1.4解：波形如解图P1.4所示。
1.5 电路如图P1.5（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。
图P1.5解：u O的波形如解图P1.5所示。
解图P1.51.6 电路如图P1.6所示，二极管导通电压U D＝0.7V，常温下U T≈26mV，电容C对交流信号可视为短路；u i为正弦波，有效值为10mV。
试问二极管中流过的交流电流有效值解：二极管的直流电流I D＝（V－U D）/R＝2.6mA其动态电阻r D≈U T/I D＝10Ω故动态电流有效值I d＝U i/r D≈1mA 图P1.61.7现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V和8V，正向导通电压为0.7V。
《模拟电子技术基础》详细习题答案童诗白,华成英版,高教版)章 信号的运算和处理题解
精品行业资料，仅供参考，需要可下载并修改后使用！第七章信号的运算和处理自测题一、判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果。
（1）运算电路中一般均引入负反馈。
（）（2）在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。
（）（3）凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
（）（4）各种滤波电路的通带放大倍数的数值均大于1。
（）解：（1）√（2）×（3）√（4）×二、现有电路：A. 反相比例运算电路B. 同相比例运算电路C. 积分运算电路D. 微分运算电路E. 加法运算电路F. 乘方运算电路选择一个合适的答案填入空内。
（1）欲将正弦波电压移相＋90O，应选用。
（2）欲将正弦波电压转换成二倍频电压，应选用。
（3）欲将正弦波电压叠加上一个直流量，应选用。
（4）欲实现A u＝－100的放大电路，应选用。
（5）欲将方波电压转换成三角波电压，应选用。
（6）欲将方波电压转换成尖顶波波电压，应选用。
解：（1）C （2）F （3）E （4）A （5）C （6）D三、填空：（1）为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用滤波电路。
（2）已知输入信号的频率为10kHz～12kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用滤波电路。
（3）为了获得输入电压中的低频信号，应选用滤波电路。
（4）为了使滤波电路的输出电阻足够小，保证负载电阻变化时滤波特性不变，应选用滤波电路。
解：（1）带阻（2）带通（3）低通（4）有源四、已知图T7.4所示各电路中的集成运放均为理想运放，模拟乘法器的乘积系数k 大于零。
试分别求解各电路的运算关系。
图T7.4解：图（a ）所示电路为求和运算电路，图（b ）所示电路为开方运算电路。
它们的运算表达式分别为I3142O 2O43'O 43I 12O2O1O I343421f 2I21I1f O1 )b (d 1)1()( )a (u R kR R R u ku R R u R R u R R u t u RCu u R R R R R R R u R u R u ⋅=⋅-=-=-=-=⋅+⋅+++-=⎰∥习题本章习题中的集成运放均为理想运放。
模拟电子技术课后习题解答
第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594TV T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1e TV V >>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
模拟电子技术 课后习题及答案
第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断以下说法是否正确，用“√〞和“×〞表示判断结果填入空内。
〔1〕在N 型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P 型半导体。
〔 〕 〔2〕因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
〔 〕〔3〕PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
〔 〕〔4〕处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
〔 〕 〔5〕结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。
〔 〕〔6〕假设耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，那么其输入电阻会明显变小。
〔 〕解：〔1〕√ 〔2〕× 〔3〕√ 〔4〕× 〔5〕√ 〔6〕×二、选择正确答案填入空内。
〔1〕PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄B. 根本不变C. 变宽〔2〕设二极管的端电压为U ，那么二极管的电流方程是 。
A. I S e UB. T U U I e SC.)1e (S －TU U I〔3〕稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿〔4〕当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏〔5〕U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管解：〔1〕A 〔2〕C 〔3〕C 〔4〕B 〔5〕A C三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。
求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
解：U O1＝6V，U O2＝5V。
五、某晶体管的输出特性曲线如下图，其集电极最大耗散功率P CM＝200mW，试画出它的过损耗区。
《模拟电子技术基础》典型习题解答
半导体器件的基础知识1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。
图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。
1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。
图P1.2解：u O的波形如解图P1.2所示。
解图P1.21.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM R 的取值范围。
图P1.3解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为Ω=-=k 8.136.0ZZ I ～I U U R 1.4 U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。
（1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？图P1.4解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故V33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故LO I L 5VR U U R R =⋅≈+当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。
（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
1.5 电路如图P1.5（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝3V ，R 的取值合适，u I 的波形如图（c ）所示。
模拟电子技术习题及答案
模拟电子技术第1章半导体二极管及其基本应用1.1填空题1.半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
2.本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N型半导体,其多数载流子是3±—;若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体,其多数载流子是空穴o3. PN结在正偏时导通反偏时截止,这种特性称为单向导电性。
4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大,正向压降将减小。
5.整流电路是利用二极管的单向导电性,将交流电变为单向脉动的直流电。
稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
6.发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7.光电二极管能将光信号转变为电信号,它工作时需加反向偏置电压。
8.测得某二极管的正向电流为1 mA,正向压降为V,该二极管的直流电阻等于650 交流电阻等于26 Q。
1. 2单选题1.杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（C ）。
A.温度B.掺杂工艺C.掺杂浓度D.晶格缺陷2. PN结形成后，空间电荷区由（D ）构成。
A.价电子B.自由电子C.空穴D.杂质离子3.硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而（B ）。
A.减小B.基本不变C.增大4.流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将（C ）o A.增大B.基本不变C.减小5.变容二极管在电路中主要用作（D ）o、A.整流B.稳压C.发光D.可变电容器1.3是非题1.在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（V ）2.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（X ）3.二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。
（X ）4.只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。
（X ）1.4分析计算题1.电路如图TL 1所示，设二极管的导通电压仄丽）二，试写出各电路的输出电压Uo值。
解：（a）二极管正向导通，所以输出电压U0= （6—V= Vo（b）令二极管断开，可得5=6 V、U N=10 V, IUU N,所以二极管反向偏压而截止，Uo=10 Vo（c）令1、V,2均断开，U N尸0V、U N2=6V、U P=10V,U P—UQUp—LU,故％优先导通后，V2截止，所以输出电压Uo= V o2.电路如图TL 2所示，二极管具有理想特性，已知ui=（sin3t）V,试对应画出口、U。
模拟电子技术(王成华第二版)课后习题及答案_3
习 题题 3.1 在题图 3.1 所示的电路中，1T 、2T 、3T 的特性都相同，且321βββ==很大，===3BE 2BE 1BE U U U 0.7V ，计算21U U −。
题图3.1 解：43.1107.01511BE CC REF 1C 2C =−=−==≈R U V I I I mA ， 85.743.157.02C 23BE 21=⨯+=⋅+=−∴I R U U U V 。
题3.2 由对称三极管组成题图3.2所示的微恒流源电路。
设三极管的β相等，=BE U 0.6V ，=CC V +15V 。
要求：①设反向饱和电流2S 1S I I =，根据三极管电流方程导出工作电流C1I 与2C I 之间的关系式。
②若要求mA 5.01C =I ，μA 202C =I ，则电阻R 、E R 。
题图3.2解：①2C 1C E T 1E 2E 2C ln I I R U I I I ⋅≈=≈， RU V I I BE CC 1C REF −=≈。
②mA 5.01C =I ，μA 202C =I 时，Ωk 8.285.06.015C1BE CC =−=−=I U V R ， Ωk 18..4ln 2C C12C T E =⋅=I I I U R 。
题3.3 题图3.3所示电路是某集成运放的一个多路输出恒流源电路。
图中所有三极管均为硅管，−=BE U 0.7V ，>>β1。
计算1o I 、2o I 和3o I 。
题图3.3解：mA 265.0203.57.0)6(00E REF ==+−−−=R R I ， μΑ3.5265.0255.01E 0E REF 1o =⨯=⋅=R R I I ， m Α1325.0265.015.02E 0E REF 3o 2o =⨯=⋅==R R I I I 。
题 3.4 在题图 3.4 所示的一种改进型镜像恒流源中，设==21U U 10V ，Ωk6.81=R ，Ωk7.42=R ，三个晶体管的特性均相同，且=β50，=BE U 0.7V 。
模拟电子技术习题答案
模拟电子技术习题答案电工电子教学部2012.2第一章 绪论一、填空题：1. 自然界的各种物理量必须首先经过 传感器 将非电量转换为电量，即 电信号 。
2. 信号在频域中表示的图形或曲线称为信号的 频谱 。
3. 通过傅立叶变换可以实现信号从 时域 到频域的变换。
4. 各种信号各频率分量的 振幅 随角频率变化的分布，称为该信号的幅度频谱。
5. 各种信号各频率分量的 相位 随角频率变化的分布，称为该信号的相位频谱。
6. 周期信号的频谱都由 直流分量 、基波分量 以及 无穷多项高次谐波分量 组成。
7. 在时间上和幅值上均是连续的信号 称为模拟信号。
8. 在时间上和幅值上均是离散的信号 称为数字信号。
9. 放大电路分为 电压放大电路 、电流放大电路、互阻放大电路 以及 互导放大电路 四类。
10. 输入电阻 、输出电阻 、增益 、 频率响应 和 非线性失真 等主要性能指标是衡量放大电路的标准。
11. 放大电路的增益实际上反映了 电路在输入信号控制下，将供电电源能量转换为信号能量 的能力。
12. 放大电路的电压增益和电流增益在工程上常用“分贝”表示，其表达式分别是 dB lg 20v A =电压增益 、dB lg 20i A =电流增益 。
13. 放大电路的频率响应指的是，在输入正弦信号情况下，输出随 输入信号频率连续变化 的稳态响应。
14. 幅频响应是指 电压增益的模与角频率 之间的关系 。
15. 相频响应是指 放大电路输出与输入正弦电压信号的相位差与角频率 之间的关系 。
二、某放大电路输入信号为10pA 时，输出为500mV ，它的增益是多少？属于哪一类放大电路？ 解： Ω105A10V 50pA 10mV 5001011i o r ⨯====-.i v A 属于互阻放大电路 三、某电唱机拾音头内阻为1M Ω，输出电压为1V （有效值），如果直接将它与10Ω扬声器连接，扬声器上的电压为多少？如果在拾音头与扬声器之间接入一个放大电路，它的输入电阻R i =1M Ω，输出电阻R o =10Ω，电压增益为1，试求这时扬声器上的电压。
模拟电子技术例题习题
模拟电子技术B 1.6 已知图P1.6所示电路中稳压管的稳定电压UZ＝ 6V，最小稳定电流IZmin＝5mA，最大稳定电流 IZmax＝25mA。 （1）分别计算UI为10V、15V、35V三种情况下输 出电压UO的值； （2）若UI＝35V时负载开路，则会出现什么现象? 为什么？
例题习题
（1）当UI＝15V时，若UO＝UZ＝6V，则 IR=(15-6)V/1K =9mA IDZ=-3mA<IZmin，所以稳压管未击穿。故 当UI＝35V时，若UO＝UZ＝6V，则 RL 500 UIO U I =29mA 15V 5V R=(35-6)V/1K R RL 1000 500 IDZ=17mA， IZMAX>IDZ>IZMIN，所以UO＝UZ＝6V （2）当UI＝35V时，若空载，则有 IDZ= IR=(35-6)V/1K =29mA，IDZ>IZMAX 稳压管将因功耗过大而损坏。
第8页
模拟电子技术B
例题习题
1.8 现测得放大电路中这两只 管子两个电极的电流如图P1.8 所示。分别求另一电极的电流， 标出其实际方向，并在圆圈中 画出管子，且分别求它们的电 流放大系数β。 【解】 （a） I C 1mA 100 I B 10 A （b）
IC 5mA 50 I B 100 A
I BQ
VBB U BEQ Rb
3V 0.7V 460 A 5 K
ICQ=βIBQ=50460μA=23mA。
uo=VCC-ICQRC<UBE
所以T处于饱和状态
第11页
模拟电子技术B
例题习题
第2章 基本放大电路
1. 静态工作点 (Quiescent Point) 放大电路没有输入信号时的工作状态称为静态。 静 态工作点Q（直流值）：UBEQ、IBQ、 ICQ 和UCEQ
模拟电子技术习题解10 (1)
C. 整流管将因电流过大而烧坏
（3）直流稳压电源中滤波电路的目的是 C ） A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将交、直流混合量中的交流成分滤掉 将交、 （4）滤波电路应选用 B 。 ） A.高通滤波电路 高通滤波电路 C. 带通滤波电路 B. 低通滤波电路
。
10.4 选择合适答案填入空内。 选择合适答案填入空内。 （1）若要组成输出电压可调、最大输出电流为 ）若要组成输出电压可调、最大输出电流为3A 的直流稳压电源， 的直流稳压电源，则应采用 D 。 A. 电容滤波稳压管稳压电路 B. 电感滤波稳压管稳压电路 C. 电容滤波串联型稳压电路 D. 电感滤波串联型稳压电路 （2）串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象 ） 是 C 。 A.基准电压 基准电压 B. 采样电压 C.基准电压与采样电压之差 基准电压与采样电压之差
解：（1） 空载时稳压管流过的最大电流为： ：（ ） 空载时稳压管流过的最大电流为 U Im ax − U Z I D max = I R max = = 52.5mA＞I Z max = 40mA R 所以本电路不能空载
Z
（2）求负载电流的范围 ）
I D Z min I L max
I D Z max
解：（1）电路为全波整流电路，波形为 ：（ ）电路为全波整流电路，
（2）输出电压平均值UO（AV）和输出电流平均值 ）输出电压平均值 （ ） IL（AV）分别为 （ ）
U O(AV) ≈ 0.9U 2
I L(AV)
（3）二极管的平均电流 D（AV）和所承受的最大 ）二极管的平均电流I （ ） 反向电压U 反向电压 R分别为
解：（1）输出电压的最小值： ：（ ）输出电压的最小值： UOmin＝1.25V （2） ）
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；
AA.顶部失真 B.底部失真
C.为正弦波
（4）若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可
将B 。
A.RW减小 B.RC减小 C.VCC减小
五、现有直接耦合基本放大电路如下：
A.共射电路 D.共源电路
B.共集电路 E.共漏电路
C.共基电路
它们的电路分别如图2.2.1、2.5.1(a)、2.5.4(a)、
(9)Ro 5k
(10 )Ro2.5k
(1)1U s 20 mV (12 )U s 60 mV
2.6 电路如图P2.6所示，已知晶体管＝50，在下列情
况下，用直流电压表测晶体管的集电极电位，应分别
为 多 少 ？ 设 VCC ＝ 12V ， 晶 体 管 饱 和 管 压 降 UCES ＝ 0.5V。
IEQUBRQ fURBe EQ1mA
IBQ1IEQ 10μA
U C E V C Q C IE(R Q c R f R e ) 5 .7 V
（1） Au 、Ri和Ro；
微变等 效电路
Ib Ic
rbe Ui Rb1 Rb2
Ib
RL
Uo
Rf
Rc
（1） Au 、Ri和Ro；
Ib Ic
rbe
rbb'(1
R2 VCC
R3
2.4 电路如图a所示，图b是晶体管的输出特性，静态
时UBEQ＝0.7V。利用图解法分别求出RL＝∞和RL＝ 3kΩ时的静态工作点和最大不失真输出电压Uom（有 效值）。
解：由晶体管的输出特性可知，=100
空载时： IBQ1105.7mA 2μ 0AICQIBQ2mA
U CE Q V CC ICR Q C6V
所以最大不失真输出电压峰
值约为5.3V，有效值约为
3.75V。 带载时：IBQ＝20μA，ICQ＝ 2mA，UCEQ＝3V；最大不失 真输出电压峰值约为2.3V， 有效值约为1.63V。
空载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝6V。 带载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝3V。
解： 在空载和带负载情况下，
电路的静态电流、rbe均相等， 它们分别为
IBQ
VCC
UBEQUBEQ
Rb
R
22μ A
ICQIBQ1.7m 6 A
rberbb' (1)2Im E 6QV 1.3k
（1）空载时：
U CE V Q C CICR Q c6 .2V
Au rbRec 308
AusRsrberbeAu 93
2.5在图P2.5所示电路中，已知晶体管的＝80，rbe＝
1kΩ，＝20mV；静态时UBEQ＝0.7V，UCEQ＝4V， IBQ＝20μA。判断下列结论是否正确，凡对的在括号 内打“”，否则打“×”。
(1)A u 204103 200
(2)A u 04.75.71
(3)A u 8105400 (4)A u8012.5200
（1）正常情况 （2）Rb1短路 （3）Rb1开路 （4）Rb2开路 （5）RC短路
2.6 晶体管＝50，VCC＝12V，晶体管饱和管压降
UCES＝0.5V。
解：设UBE＝0.7V。则
（1）正常情况：基极静态电流
IB
VCC UBE Rb2
UBE Rb1
0.022mA
U CV C CIC R c6.4V
－VCC改 为＋VCC
加Rb
VBB反接且在 输入端串电阻
加Rb和Rc
2.2 画出图示各电路的直流通路和交流通路。设 所有电容对交流信号均可视为短路。
直流通路 +VCC
R1 R2
R3
(a) 交流通路
直流通路
R3
R4
R1
R2
VCC
交流通路
+
+
ui R1 –
R4
uo
–
R1
交流通路
直流通路
R1
)
26mV IEQ
Ui
2.73k
R b1
R b2
rbe
Ib RL
Uo
A urbe (R (1 c∥ R)LR )f 7.7
Rf
Rc
R i R b ∥ 1 R b ∥ 2 [ r b e ( 1 ) R f] 3 .7 k
Ro Rc 5k
（2）若电容Ce开路，对Q点没有影响，但影响交流 参数。
2.7.2和2.7.9(a)所示；设图中Re<Rb，且ICQ、 IDQ均相等。
选择正确答案填入空内，只需填A、 B、……
图2.2.1 共射电路
图2.5.1 共集电路
图2.5.4 共基电路
2.7.2 共源电路
2.7.9 共漏电路
（1）输入电阻最小的电路是 共基电路 ，最大的 是 共源、共漏电路；
（1）该电路的最大不失真输出电
压有效值Uom≈ B ；
A.2V
B.3V C.6V
因为：
IC
Hale Waihona Puke VCCUCEQ2mA RC
ICRL 3V
（2）当Ui＝1mV时，若在不 失真的条件下，减小RW，则输
出电压的幅值将 C ；
A.减小 B.不变 C.增大
（3）在Ui＝1mV时，将Rw调到输出电压最大且刚好不
失真，若此时增大输入电压，则输出电压波形将
（2）Rb1短路： 由于UBE＝0V，T截止，UC＝12V
2.6 晶体管＝50，VCC＝12V，晶体管饱和管压降
UCES＝0.5V。
（3） Rb1开路：则临界饱和基极电流
IBSVCCR UcCES0.04m 5A
实际基极电流为：
IB
VCCUBE0.22mA Rb2
由于IB＞IBS，故T饱和， UC＝UCES＝0.5V。
Ro 的表达式。 解： Q点为：
V C C (IB Q IB )R Q c IB (R Q 1 R 2 ) V BEQ
IBQR1VRC2C(U 1B EQ )Rc
ICQ IBQ
U CE V Q C C (1)IBR Q c
微变等效电路 Ib Ic
rbe
R Ui 1
Ib R3
Uo
R2
Au
R2
解：根据电路接法，可分别采用耗尽
型N沟道和P沟道MOS管。
习题
2.1按要求填写下表。
电路名称 连接方式（e、c、b） 性能比较（大、中、小）
公共极 输入极 输出极 Au Ai Ri Ro 其它
共射电路 e
b
c 大 大小 大
共集电路 c
b
e 小 大大小
共基电路 b
e
c
大 小 小 大 频带宽
2.2分别改正图示各电路中的错误，使它们有可能放 大正弦波信号。要求保留电路原来的共射接法和耦 合方式。
rbe=1kΩ。
(2）若测得 Ui 和 Uo 的有效值分
别为1mV和100mV，则负载电 阻RL为多少千欧？
解：（2）求解RL：
Au U Uoi 100
Au
RL'
rbe
1 1 1 Rc RL
RL 1k
RL 1.5k
2.11 在图P2.10所示电路中，设静态时ICQ＝2mA，晶 体管饱和管压降UCES＝0.6V。试问：当负载电阻RL＝ ∞和RL＝3kΩ时电路的最大不失真输出电压各为多少 伏？
∥R3 rbe
Ro R2∥R3
Ri rbe∥R1
2.15 试求出图P2.3（b）所示电路Q点、 Au 、Ri和Ro
参数变化
IBQ
UCEQ
Au
Ri
Ro
Rb增大
②
①
②
①③
Rc增大
③
②
①
③
①
RL增大
③
③
①
③
③
2.11 电路如图所示，晶体管的＝100，rbb 10 0。
（1）求电路的Q点、 Au 、Ri和Ro；
（2）若电容Ce开路，则将引 起电路的哪些动态参数发生
变化？如何变化？
解：（1）求Q点 ：
UBQRbR 1bR 1b2VCC2V
2.6 晶体管＝50，VCC＝12V，晶体管饱和管压降
UCES＝0.5V。
（4） Rb2开路时： 无基极电流IBQ，T截止， UC＝12V。
（5） RC短路： 由于集电极直接接直流 电源，UC＝VCC＝12V
2.7电路如图所示，晶体管的＝80， rbb’=100Ω。分
别计算RL＝∞和RL＝3kΩ时的Q点、Au 、Ri 和Ro。
100，R’b＝100kΩ。填空：要求先填文字表达式后 填得数。
（1）当＝0V时，测得UBEQ＝
0.7V，若要基极电流IBQ＝20μA，
则 R’b和RW之和Rb＝ VCC U BEQ I BQ
≈ 565 kΩ；而若测得
UCEQ＝6V，则Rc＝
VCC U CEQ
I BQ
≈
3 kΩ。
（2）若测得输入电压有效
2.10 已知图P2.10所示电路中晶体管的 ＝100，
rbe=1kΩ。 （1）现已测得静态管压降UCEQ ＝ 6V ， 估 算 Rb 约 为 多 少 千 欧 ；
解：（1）求解Rb ICQVCCRU c CEQ2mA
IB
Q
ICQ
2
0μA
Rb
VCCUBEQ5 IBQ
6k5
2.10 已知图P2.10所示电路中晶体管的 ＝100，
R iR b∥ rb erb e1 .3 k
Ro Rc 5k
（2）RL＝5kΩ时： U CE Q R cR L R LV C CIC(Q R c∥ R L )2.3 V
Au rbReL 115