超高真空多功能磁控溅射镀膜设备
磁控溅射镀膜机的使用流程
磁控溅射镀膜机的使用流程1. 准备工作在操作磁控溅射镀膜机之前，需要进行一些准备工作，确保操作环境的安全和设备的正常运行。
•确认设备的电源线是否连接正常，并检查设备是否接地稳定。
•检查溅射镀膜机的压力表、温度计、流量计等仪表是否正常工作。
•检查溅射镀膜机的气源、电源等供应是否稳定。
2. 打开溅射镀膜机首先，需要打开磁控溅射镀膜机。
1.将溅射镀膜机的总电源开关置于开启状态。
2.检查控制面板是否正常亮起。
3.按下溅射镀膜机操作面板上的电子锁开关，解锁镀膜机的控制功能。
3. 调试设备参数在使用溅射镀膜机之前，需要根据工艺要求对设备参数进行调试。
1.调整辅助气体流量：根据工艺要求，通过操作面板上的流量调节阀，调整辅助气体的流量。
2.调整溅射镀膜机室内的真空度：根据工艺要求，使用溅射镀膜机上的真空度调节阀，调整室内的真空度。
3.设置溅射材料和靶材的参数：根据工艺要求，使用面板上的参数调节器，设置溅射材料和靶材的参数，如功率、速度等。
4. 加载靶材和标的物在进行溅射镀膜之前，需要先加载靶材和标的物。
1.打开磁控溅射镀膜机的前装门，将待镀膜的标的物放置在标的物台上。
2.打开磁控溅射镀膜机的靶材舱门，将靶材装入靶材托盘中，然后将靶材托盘放入靶材舱。
3.使用磁控溅射镀膜机的操作面板，将坐标定位到标的物的位置上。
5. 开始溅射镀膜一切准备就绪后，可以开始进行溅射镀膜操作了。
1.检查一遍设备的参数和操作流程是否设定正确。
2.按下溅射镀膜机操作面板上的“启动”按钮，启动溅射镀膜过程。
3.监控溅射镀膜过程中的参数变化，并根据需要进行相应的调整。
4.在镀膜时间达到要求后，按下操作面板上的“停止”按钮，停止溅射镀膜过程。
6. 完成操作完成溅射镀膜后，需要进行一些收尾工作。
1.关闭磁控溅射镀膜机的电源开关。
2.清理溅射镀膜机内的靶材残留物和镀膜沉积物。
3.维护设备，保持设备的清洁和正常运行。
4.将操作面板上的电子锁开关设置为锁定状态，以防止设备误操作。
磁溅射镀膜真空镀膜机工作原理
磁溅射镀膜真空镀膜机工作原理
磁溅射镀膜真空镀膜机工作原理是利用磁场和靶材，通过溅射的方式将材料沉积在基材上。
具体工作原理如下：
1. 制备真空环境：将待处理的基材放置在真空室中，并通过抽气系统将真空室抽气，从而形成真空环境。
2. 加热靶材：在真空室中的靶材加热装置加热靶材，使其达到蒸发温度。
3. 产生磁场：在靶材附近放置一个磁场装置，通过施加磁场使得靶材表面形成磁场区域。
4. 溅射过程：当靶材达到蒸发温度后，靶材表面的原子开始蒸发，并在磁场的作用下形成等离子体。
这些等离子体会冲击或溅射出靶材的原子或分子。
5. 沉积在基材上：随后，被溅射出来的原子或分子沉积在基材表面，形成所需的薄膜。
通过控制溅射的过程参数，例如靶材的温度、溅射功率、气体气压等，可以控制沉积的薄膜的厚度、成分和结构。
总的来说，磁溅射镀膜真空镀膜机通过将靶材加热蒸发，并在
磁场的作用下将溅射出的原子或分子沉积在基材上，实现了薄膜的制备。
多工位磁控溅射镀膜机安全操作及保养规程
多工位磁控溅射镀膜机安全操作及保养规程1. 引言多工位磁控溅射镀膜机是一种用于在物体表面形成薄膜的设备。
本文档旨在说明多工位磁控溅射镀膜机的安全操作规程和保养规程，以确保操作人员的安全，并延长设备的使用寿命。
2. 安全操作规程2.1 检查设备 - 在操作前，必须仔细检查多工位磁控溅射镀膜机的各个部件是否完好无损。
- 确保设备的电源和其他电气设备都处于正常工作状态。
2.2 穿戴个人防护装备 - 在操作多工位磁控溅射镀膜机时，所有操作人员必须穿戴个人防护装备，包括护目镜、手套和防护服等。
-进入操作区域前，务必将头发束起，以免被机械部件卷入。
2.3 操作步骤 - 在启动多工位磁控溅射镀膜机前，仔细阅读并理解设备的操作手册。
- 按照正确的步骤操作设备，切勿随意更改设置。
- 在使用过程中，确保保持设备清洁，并及时清理溅射物。
- 在清洁或维护设备前，务必切断电源或将设备置于安全状态。
2.4 紧急情况处理 - 在发生紧急情况时，立即切断电源并通知相关责任人。
- 遇到火灾时，使用灭火器进行扑灭，并尽快撤离人员。
3. 设备保养规程3.1 日常清洁 - 每日使用后，对多工位磁控溅射镀膜机进行清洁，包括清理外表面和吸尘器。
- 清洁过程中，切勿将水或其他液体直接喷洒到设备上，以免损坏电路。
3.2 维护保养 - 定期对多工位磁控溅射镀膜机进行维护保养，包括检查设备内部电路、电源连接线和冷却系统。
- 如果发现任何异常情况，应及时联系专业维修人员进行维护。
3.3 零部件更换 - 根据设备说明书中的保养计划，定期更换多工位磁控溅射镀膜机的零部件，以确保设备的正常运行。
- 零部件更换时，务必使用原厂配件，并按照说明书中的步骤进行操作。
4. 安全培训和监督•在操作多工位磁控溅射镀膜机前，需要进行相关的安全培训，并获取相关的操作资格证书。
•操作人员需要定期接受安全知识的培训和更新，以确保对操作规程的熟悉程度。
•设备的操作和保养应有专人监督，以避免操作失误和忽视保养工作。
磁控溅射设备说明书教材
磁控溅射沉积系统用户手册声明：感谢您购买中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司（以下简称沈阳科仪公司）的设备，请您在使用该设备之前认真阅读本说明书，当您拿到该说明书时，请认真阅读以下声明。
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您的义务请您在使用过程中，将发生故障的操作步骤填写在用户反馈问题清单中，我们将参考此表内容尽我们最大的能力在最短的时间内完成维修。
如何使用本手册如果您是初次使用该设备，那么您需要通读用户手册。
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本手册涉及的字体及符号说明：字体的大小直接反应父、子关系，符号说明见下表：符号指示性说明代表意义➢描述性说明没有先后顺序之分，是比❑和■高一级目录❑详细描述性说明没有先后顺序之分■详细描述性说明有先后顺序之分提示性说明有利于深刻认识系统，并且可以避免不必要的故障发生警告性说明必须严格遵守的内容，否则会发生严重事故目录绪言 (1)一、系统简介 (1)1、概述 (1)2、工作原理以及技术指标 (2)工作原理： (2)技术指标： (2)3、系统主要组成 (3)溅射真空室组件： (3)上盖组件： (4)真空获得和工作气路组件： (5)安装机台架组件： (7)4、设备安装 (7)安装尺寸： (7)配套设施： (7)二、系统主要机械机构简介 (8)1、磁控溅射靶组件 (8)2、单基片加热台组件 (9)3、基片加热公自转台组件 (10)4、基片挡板组件 (11)三、操作规程： (11)1、开机前准备工作 (11)2、开机（大气状态下泵抽真空） (12)启动总电源： (12)大气状态下溅射室泵抽真空： (12)3、溅射室处于真空状态时抽真空： (13)4、工作流程： (13)➢装入样品： (13)➢磁控溅射镀膜： (14)5、靶材的取出和更换: (15)6、停机： (16)四、电源及控制 (16)分类： (17)供电要求： (17)使用说明 (18)电控单元使用说明： (19)五、注意事项 (20)1、安全用电操作注意事项: (20)2、操作注意事项： (21)六、常见故障及排除 (22)七、紧急状况应对方法 (23)1、突然断电 (23)2、突然断水 (24)3、出现严重漏气 (24)八、用户反馈问题清单 (25)九、维护与维修 (26)绪言磁控溅射沉积系统是高真空多功能磁控溅射镀膜设备。
BMS500B型超高真空磁控溅射设备技术方案
BMS500B型超高真空磁控溅射设备技术方案一、MS500B型设备技术方案1、本设备的实验目的为用于制备半导体薄膜及金属及金属化合物薄膜，用于薄膜光电效应的研究。
工作方式为单靶独立工作、双靶共溅射、三靶共溅射和四靶共溅射。
2、设备的组成：由超高真空磁控溅射镀膜室、进样室、隔断阀门、送样机构、电源及控制系统和真空系统组成。
镀膜室和进样室之间由GV100超高真空手动闸板阀隔断。
3、磁控溅射镀膜室1个，3.1梨型溅射镀膜室1个，尺寸为Φ500㎜×450㎜，其上安装有：真空室大法兰盖1个。
上大法兰盖有装有高温样品架接口法兰1个。
底板上有4个靶法兰接口，用于安装4个Φ50（Φ2″）的磁控靶。
下面有CF200法兰接口1个用于连接真空系统和2个CF35真空测量法兰接口。
前和左面2个方向各有1个CF100观察窗口和观察窗挡板。
左侧有CF100进样法兰接口1个。
有照明用电极法兰1个。
CF16工作气体和干燥氮气充气口1个，由3路质量流量计和1路充气气路汇合到1个CF16超高真空截止阀。
备用CF63、CF35法兰各2个。
3.2真空获得与测量溅射镀膜室采用FB1200涡轮分子泵+2XZ-8机械泵，极限真空优于6.0×10-6Pa，系统漏率：≤1.3×10-8Pa·L/S，测量采用北京大学产DL-70数显复合真空计。
3.3 高温样品架组件：⑴基片尺寸：ф30mm。
⑵基片加热温度：≥600℃±1℃。
⑶基片台相对磁控靶距离在50-100mm范围内可调,沿轴向移动。
⑷基片可连续回转,0～30转/分。
⑸设置样品挡板组件。
⑹为避免其他地方过热，加热器隔热屏。
3.4磁控靶:4个Φ2英寸磁控靶，靶射频和直流兼容。
靶安装位置为在真空室下底板上做共溅射。
3.5磁控靶挡板:每个磁控靶都有各自挡板，以防止在其不工作时靶材受到污染。
3.6 镀膜室采用外烘烤，设置室内照明。
3.7充气气路：在镀膜室上有3路通过质量流量计的进气气路，实现进气控制，另外有1路充氮气气路。
高真空磁控溅射仪技术参数
高真空磁控溅射仪技术参数1用途该系统适用于实验室制备金属单质、氧化物、介电质、半导体膜、电极材料等。
2 工作条件2．１环境温度: 0 —４０℃；２.２相对湿度: 2０-5０％;2．3适用电源规格：3８0Ｖ（ＡC),50。
3 技术参数3．1真空腔室采用前开门，选用优质不锈钢，牌号不低于3０4★３.2 前级机械泵：抽速不小于8．3L/ｓ★３。
3 复合分子泵:抽速不小于1300L/ｓ；包含可控蝶阀★３．4 溅射室极限真空度≤8x１０—6Pa（经烘烤除气后）３．5系统真空检漏漏率≤５x10—7Pa.l／S★３。
6系统停泵关机12小时后真空度≤6Ｐa3.7 反磁控皮拉尼真空计★测试范围： 10—9ｍbａｒ至1000mbａr精度：不超过±3０%可重复性：不超过±5%反应时间：P１0-6mｂar:小于10毫秒3.８电容膜片真空计测试范围:10—2Pa至10２Pa精度:0。
2%分辨率:０。
003％压强最大：260ＫPa反应时间：不超过３０毫秒温度效应:在满量程：0.01％读值/℃3．9配备三靶溅射系统,含一个强磁靶。
靶大小为60mm或3英寸,XX靶可/顺次／共同工作,电源和靶可自动切换,XX靶含旋转气动控制挡板组件3.１0 全自动匹配直流电源2台★功率输出：单输出 0～500W,最大可输出到500W输出电流: 0～１A模式:功率调节、电流调节或电压调节显示精度:小于实际输出值的0。
2％，或小于最大输出值的2％多级弧抑制及灭弧３。
11 ★全自动匹配射频溅射电源1套(包括600w射频电源、1000VA匹配器、射频电缆、数据电缆）频率：１3.５６０Ｍ，误差不超过± 0。
００5 %最大输出功率（W）： 600W，５0Oｈｍ负载最小输出功率(W）: 6Ｗ， 50Ｏhm负载反射功率极限(W）: 小于200W射频输出接头：N－ｔype（fem.）最低启辉气压:1０—5Ｐa射频匹配器最大工作功率：1０0０W射频匹配器阻抗调节范围：－j220到j5０3。
磁控溅射镀膜机使用说明
磁控溅射镀膜机使用说明磁控溅射镀膜机是一种广泛应用于材料科学、电子制造领域的设备，通过磁控溅射技术，可以在各种基底材料上沉积一层或多层金属、非金属或半导体薄膜。
该设备主要由真空室、磁控溅射源、进样室、控制系统等部分组成。
（1）确认电源连接正常，检查真空泵、冷却循环水等设备是否正常工作。
（2）打开真空室门，将基底材料放置在样品台上。
（3）关闭真空室门，启动真空系统，将室内抽至高真空状态。
（4）打开磁控溅射源，进行预溅射清洗靶材。
（5）调整工艺参数，如溅射功率、时间、气压等，开始进行溅射镀膜。
（6）镀膜过程中，监控各种参数，如气压、电流、功率等，确保设备正常运行。
定期检查和维护设备部件，如真空泵、冷却循环水系统等。
避免在镀膜过程中触摸设备内部部件，以免造成人身伤害。
如遇设备故障或异常情况，请立即停机检查，并专业人员进行维修。
保持设备清洁和整洁，定期进行清洁和维护。
磁控溅射镀膜技术的研究始于20世纪70年代，最初是为了满足空间电子器件对抗辐射损伤的需求。
随着科技的发展，磁控溅射镀膜技术的应用领域越来越广泛，然而也存在一些问题，如薄膜应力大、耐磨性差等，需要进一步研究和改进。
磁控溅射镀膜技术的基本原理是利用磁场控制下的电场放电，使靶材表面上的原子或分子被激发后沉积到基材表面，形成一层薄膜。
具体工艺过程包括：真空泵抽气、加热靶材、加磁场、加电场、溅射沉积等步骤。
该技术的特点在于沉积速度快、薄膜质量高、适用范围广等。
磁控溅射镀膜技术在光电领域的应用主要是在太阳能电池上制备减反射膜和抗反射膜。
在光学领域，磁控溅射镀膜技术可以用来制备各种光学薄膜，如增透膜、反射膜、滤光片等。
在电子领域，磁控溅射镀膜技术可以用来制备各种电子薄膜，如半导体薄膜、绝缘薄膜、导电薄膜等。
未来，磁控溅射镀膜技术的发展趋势主要体现在以下几个方面：一是进一步完善磁控溅射镀膜技术的工艺参数，提高薄膜的质量和性能；二是研究磁控溅射镀膜技术在新型材料制备中的应用，如纳米材料、石墨烯等；三是探索磁控溅射镀膜技术在生物医学、环境治理等领域的应用可能性。
磁控溅射(2讲义仪器)
【附录】DHRM-3射频磁控溅射镀膜装置介绍DHRM-3射频磁控溅射镀膜装置是高真空磁控溅射镀膜设备。
它可用于在高真空背景下，充入高纯氩气，采用磁控溅射方式制备各种金属膜、介质膜、半导体膜，而且又可以较好地溅射铁磁材料（Fe、Co、Ni），制备磁性薄膜。
在镀膜工艺条件下，采用微机控制样品转盘和靶挡板，可以制备单层膜，为新材料和薄膜科学研究领域提供了十分理想的研制手段。
概述本系统主要由溅射真空室、磁控溅射靶、基片公转台、单基片加热台、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。
图1、真空室示意图图2、电控柜示意图工作原理及技术指标工作原理：磁控溅射镀膜的基本原理是以磁场改变电子运动方向，束缚和延长电子的运动路径，提高电子的电离概率和有效地利用了电子的能量。
因此，在形成高密度等离子的异常辉光放电中，正离子对靶材轰击所引起的靶材溅射更加有效。
技术指标：系统主要组成溅射真空室组件：圆筒型真空室尺寸Φ300X300，电动上掀盖结构，选用不锈钢材料制造，氩弧焊接，表面进行化学抛光处理，接口采用金属垫圈密封或氟橡胶圈密封。
真空室组件上焊有各种规格的法兰接口，上盖组件上可以安装电动提升机构组件，真空获得和工作气路组件：图3、气路原理图溅射真空室选用分子泵T+机械泵R通过一个超高真空闸板阀G主抽，并通过一个旁抽角阀V1进行旁路抽气；通过二路MFC质量流量控制器充工作气体，每路配有角阀V5、V6，配有混气室，还可以不走混气室从角阀V2或V3单独进气。
MFC流量范围：一路100SCCM、一路500SCCM。
通过V4阀充入干燥氮气放气。
系统主要机械机构简介1、磁控溅射靶组件溅射真空室采用单靶溅射结构，靶在下，基片在上，向上溅射成膜，可以溅射磁性材料的电磁靶，靶材2英寸； RF、DC兼容；靶内有水冷；直接向上溅射时，靶材表面与基片表面间距离为40～80mm连续可调；靶配有单独的屏蔽罩，以避免污染；配有电动挡板，按键控制挡板开合。
真空磁控溅射镀膜设备用户手册
真空磁控溅射镀膜控制系统用户手册2008-07-09V1.1目录1.系统简述 (4)1.1真空系统 (4)1.2 传送系统 (4)1.3 加热系统 (4)1.4 溅射电源 (4)1.5 冷却水 (4)1.6 工艺气路 (5)2.系统供电 (5)2.1 柜体通电前检查 (5)2.2 现场设备通电前检查 (5)2.3 电源送电顺序 (5)2.3.1 PLC控制柜 (5)2.3.2 电加热柜 (6)2.3.3 泵组柜 (6)3.PLC运行程序 (6)3.1 环境模式 (7)3.2 工作模式 (7)3.3 安全连锁 (9)3.4 系统报警 (10)4.上位机软件操作 (12)4.1 上位机画面 (12)4.1.1 介绍 (12)4.1.1.1 图例 (12)4.1.2总貌 (14)4.1.3 真空 (15)4.1.4 传动 (17)4.1.5加热 (19)4.1.6 参数设定 (21)4.1.7 溅射电源 (23)4.1.8 控制模式 (25)4.1.9 分子泵使能操作 (27)4.1.10 历史报警 (28)4.1.11 框架信息 (29)4.1.12运行注意事项 (30)4.1.12.1 开机注意事项 (30)4.1.12.1 停机注意事项 (31)5. 工程维护 (31)5.1 传输设置 (31)5.1.1 传输工程文件 (32)5.2 WINGP运行 (33)6.变量地址表 (34)TFT系统需要实现玻璃在真空环境下自动化的连续镀膜，生产线布置为“回”字型矩形结构，生产线划分为4个区，位于生产线左右侧的上片区和下片区，位于上下片平台间的工艺区和回传区，其中呈”->”方向移动的区域为工艺区，呈”<-“方向移动的区域为回送区。
TFT控制系统实现对生产过程中的真空、加热、传动、电源、冷却水、工业气体在镀膜过程中的连续控制。
1.1真空系统真空系统设备集中于真空室区域，由抽气设备（机械泵、罗茨泵、分子泵）检测设备（PG 表，CG表）、安全阀（分子泵前蝶阀、机械泵罗茨泵间自吸阀、管道阀和破空阀）；通过机械泵 ->罗茨泵->分子泵接力抽气，将腔室内压力由大气变为真空，并在生产过程中保持适合生产的真空环境；1.2 传送系统传送系统共24台操作电机，上下片平台各4台，工艺区11台，回传区5台传动电机，除上下片平台各有2台电机可实现双向传动外，其余电机均为单向传动；其中除M3 –M9 可以通过端子通断和模拟量信号协同控制电机转速外，其余电机的传动速度由端子通断直接控制；1.3 加热系统加热系统共66台，在连续生产过程中，逐段加热工艺区腔室内的温度，以确保在玻璃在镀膜过程中的环境温度，加热系统进行PID运算，通过固态继电器的电压脉冲控制加热器的加热频率；1.4 溅射电源在工艺区有4个溅射室，室内配置MF中频溅射电源和DC直流溅射电源，通过电源产生的高电压电离气体分子；1.5 冷却水机械泵、分子泵、溅射电源冷却管路安装有压力检测设备，通过水流开关检测冷却水压力是否符合设备冷却的要求；1.6 工艺气路气路由供气管道，流量计和切断阀组成；2.1 柜体通电前检查➢柜间连接线校核；➢所有断路器，熔断器处于断开状态；➢检查泵组柜，电加热柜一次主排、母排绝缘和是否短路；➢检查泵组柜，PLC柜，电加热柜，电源柜是否短路；2.2 现场设备通电前检查➢电缆接线的校核；➢接线的电源电压等级是否与设备匹配；➢机械泵，罗茨泵，传动电机通电前进行三相对地绝缘（电阻>0.5M欧）测试；➢其它现场设备是否有短路现象，例如分子泵，阀门等；➢控制回路的功能测试；2.3 电源送电顺序2.3.1 PLC控制柜➢传动控制柜PLC模块电源供电(220V)QF51->SB54（面板）->QF81;➢PLC控制柜及PLC模块触摸屏供电(220V)QF51->SB54（面板）->QF82;➢检修插座供电(220V)QF51->SB54（面板）->QF86;➢传动控制柜I/O模块供电(24V)QF51->SB54->QF71->QF74;➢PLC控制柜I/O模块供电(24V)QF51->SB54->QF71->QF71.1;➢流量计供电(±15V)QF51->SB54->QF61;➢温度控制器供电(24V)QF51->SB54->QF64->QF64.1;➢中频/直流控制电源(24V)QF51->SB54->QF64->QF66;➢阀门，机械泵气镇，油镇供电(24V)QF51->SB54->QF84->QF84.1;➢光电开关及真空计电源(24V)QF51->SB54->QF84->QF85;传动电机供电(380V)QF51(泵组控制柜)-->QF165(泵组控制柜)-->(QF52-QF311)2.3.2 电加热柜➢电加热供电(220V)QF51(泵组控制柜)->QF166(泵组控制柜)->(QF54~QF185)2.3.3 泵组柜➢机械泵供电(380V)QF51->QF111(进片室)QF51->QF114(工艺区)QF51->QF116(出口室)➢罗茨泵供电(380V)QF51->QF112(进片室)QF51->QF115(工艺区)QF51->QF118(出口室)➢分子泵供电(380V)QF51->(QF111-QF162)➢中频溅射电源供电(380V)QF411->(QF412-QF416)直流溅射电源供电(380V)QF411->(QF421-QF432)3.PLC运行程序PLC程序采用三菱GX Works2 1.31H开发。
超高真空磁控溅射镀膜与离子束清洗系统操作规程
超高真空磁控溅射镀膜与离子束清洗系统操作规程一．开机1 分子泵、各磁控靶接通冷却水，检查水路是否漏水。
2 各单元电源与总电源接通，总电源供电。
（启动总电源前，报警选择档指向报警；开总电源后，A、B、C灯亮）3 启动机械泵，缓慢打开旁抽阀V2，预抽溅射室。
4打开ZDF2AK复合真空计，当示数显示小于5 Pa时，关闭旁抽阀V2，打开电磁阀(有清脆的响声)，然后启动分子泵开关，待示数显示为零时，启动START，并马上打开闸板阀G1（逆时针旋转到底后稍微回转），开始抽高真空。
5 打开计算机，进行运行参数设置。
（见后面介绍）6 达到所需真空度后，准备镀膜。
（见后面介绍）7 镀膜完毕后，关闭直流或射频电源，关气路。
（见后面介绍）二、靶位自动调节程序1 挡板控制及状态各靶挡板显示与溅射室内靶挡板位置一致。
若不一致，则改变计算机上显示状态，点击“开（关）”按钮即可，在挡板没有达到相应的“开（关）”状态时，该按钮是闪烁的，达到所需状态时，按钮是亮的。
2 转盘控制与状态样品与样品挡板状态确定显示与当前溅射室内一致，若不一致，则重新标定。
例如：当前溅射室内状态为样品2对应样品位置A位，样品挡板显示A位，然而计算机显示样品1对应样品位置A 位，样品挡板显示A位。
拖动样品1到样品2，将弹出“样品编号”对话框，点击“否”，则可以重新标定样品编号。
重新标定样品挡板，样品位置时也是如此操作。
注意：样品位置和样品编号不能同时改变。
例如：样品1在A位置溅射完毕后，需要在B位溅射样品2，则应该先把样品1拖到样品2，将弹出“样品编号”对话框，点击“是”，可将样品2移动到A靶位；然后，将样品位置A拖到B，将弹出“样品位置”对话框，点击“是”，可将样品2移动到B靶位。
样品速度和挡板速度公转速度和挡板公转速度均调为1.0 r/min即可，运行稳定。
3 运行设置点击“修改”按钮，输入控制语句，点击“关闭”按钮，然后点击“运行”按钮，设备将按照设置的语句运行。
[重点]超高真空多功能磁控溅射镀膜设备
![[重点]超高真空多功能磁控溅射镀膜设备](https://img.taocdn.com/s3/m/fd90e10ca9114431b90d6c85ec3a87c240288ae2.png)
超高真空多功能磁控溅射镀膜设备超高真空多功能磁控溅射镀膜设备一、首次开机分子泵、各磁控靶接通冷却水。
检查水路是否漏水。
各单元电源与总电源接通，总电源供电。
开闸板G1、G2，启动机械泵Ⅰ、Ⅱ，开电磁阀，预抽溅射室、进样室。
根据镀膜需要，依次开截止阀V1（混气室）、V3（氧气）、V4（氩气），将MFC1、MFC2、MFC3开至清洗挡，预抽气路。
开复合真空计热偶测量部分（V1满偏电流87mA, V2满偏电流100mA，这两个值会因热偶更换而改变），分别观测溅射室、进样室低真空，待真空度≤20Pa时（一般2~3Pa），开分子泵Ⅰ、Ⅱ抽高真空。
待分子泵正常后，待复合电离“V1测量”溅射室、“V2测量”进样室到0.1Pa以下后，才可以打开DL-7超高真空计看溅射室高真空；打开复合真空计真空规管“灯丝” 看进样室高真空（从10-1挡随真空度增大逐打到10-4~10-5）二、开盖之后打开冷却循环水机开关，分子泵、各磁控靶接通冷却水，检查水路是否漏水总电源供电，L1、L2、L3灯亮镀膜室、进样室均为大气状态时，打开连接进样室、镀膜室之间的闸板阀G3，启动机械泵Ⅱ，逐渐打开进样室的旁抽角阀V7对两室进行旁抽，开FZH-2BK3型复合真空计热偶测量部分（V1或V2），两室真空度低于20Pa。
（一般2~3Pa）关闸板阀G3、关旁抽角阀V7。
启动机械泵Ⅰ，打开电磁阀，打开闸板阀G1、G，打开分子泵Ⅰ、Ⅱ抽高真空。
三、日常开机一般情况下，两个真空室都必须保持在＜20Pa的真空状态.接通冷却循环水机总电源供电启动机械泵Ⅰ和Ⅱ。
看复合真空计V1测量和V2测量，确认两室为＜20Pa真空状态后.启动机械泵Ⅱ1~2分钟后（可以防止机械泵Ⅱ返油），打开电磁阀，启动分子泵Ⅰ和分子泵Ⅱ。
6.开闸板阀G1、G2。
四、进样室换样关闭复合真空计电离部分（高真空）（如果电离部分已经打开）关闭闸板阀G2、G3打开充气阀，充满后，关闭充气阀开窗口，换样，关窗口（随着真空度变好，拧紧窗口旋钮）。
高真空磁控离子溅射仪安全操作及保养规程
高真空磁控离子溅射仪安全操作及保养规程1. 引言高真空磁控离子溅射仪是一种常用于薄膜制备和表面处理的设备。
为了确保操作人员的安全以及设备的正常运行，本文档旨在提供高真空磁控离子溅射仪的安全操作和保养规程。
2. 安全操作规程2.1. 操作前的准备工作在操作高真空磁控离子溅射仪之前，必须进行以下准备工作：•确保操作人员已经接受相关培训并了解设备的操作原理和使用方法；•穿戴符合安全标准的个人防护装备，包括护目镜、防护服和手套等；•检查设备是否处于良好的工作状态，包括检查真空系统、电源和气路等各个部分；•清理工作区域，保持设备周围的通道畅通，以便应急情况下的撤离。
2.2. 操作过程中的注意事项在操作高真空磁控离子溅射仪的过程中，需要注意以下事项：•严禁将手放入设备内部，以免发生意外伤害；•在操作过程中避免操作手套被夹损；•禁止将液体或其他易燃物品放置在设备周围；•操作过程中请注意设备的运行情况，如异常声响、烟雾等不寻常现象，应立即停机检查；•在设备运行时，禁止随意拔掉电源插头或关闭主电源开关；•当设备出现故障或其他紧急情况时，应立即停机并采取相应措施，如报警、断电等。
2.3. 操作后的清理工作在操作高真空磁控离子溅射仪后，需要进行以下清理工作：•关闭设备的电源和主电源开关；•清理设备内外的污垢和碎片；•将使用过的材料和溶液妥善处理，不得随意倾倒；•检查设备是否处于停机状态，并确保设备及周围环境的安全。
3. 保养规程3.1. 定期维护为了保持设备的正常运行和延长设备的使用寿命，应定期进行以下维护工作：•检查真空系统，保持真空度在设定范围内，定期更换真空泵油；•定期检查和校准设备的参数与仪器的读数的一致性；•清洁设备的外壳和控制面板，使用清洁剂清除表面污垢；•定期检查设备的电源线、气路、电路等部分，确保其完好无损；•防止设备积尘，定期清理设备内部的灰尘，保持设备的通风良好；•定期检查并更换设备的耗材和易损件，确保设备的正常运行。
实验室真空双靶射频磁控溅射镀膜仪
双射频磁控镀膜仪CY-MSP300S-2RF
实验室专用镀膜仪，磁控溅射相较于普通的等离子溅射拥有能量高速度快的优点，镀膜速率高，样品温升低，是典型的高速低温溅射。
磁控靶配有水冷夹层，水冷机能够有效的带走热量，避免热量在靶面聚集，使磁控镀膜能长时间稳定工作。
紧凑化设计，实现了体积与性能的平衡，造型美观功能全面。
整机均采用触控屏控制，内置一键式镀膜程序，操作简单易上手，实验室制备薄膜的理想设备。
选配直流电源和射频电源，功率从500W-1000W不等，可用于制备单层或多层铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜等。