场效应管的测量方法

场效应管怎么测量好坏

场效应管怎么测量好坏
场效应管测量好坏有以下方法：
方法一将指针式万用表拨至“RX1K”档，并电调零。

场效应管带字的一面朝着自己，从左到右依次为：G（栅极），D（漏极），S （源极）。

将黑表笔接在D极，红表笔接在S极上，此时，万用表指针应不动；然后再对换表笔，再测，此时，万用表指针应向右摆动。

用指针万用表测，G极，与其余两个极之间，无论是两个表笔怎样对调测，万用表指针均应不动。

方法二将数字万用表拨至“二极管”档，也就是，蜂鸣器档。

黑表笔接D极，红表笔接S极，此时，应显示一个数值，一般情况下为400多Ω到500Ω多之间。

然后，再对换表笔，应无显示，为“1”。

然后，黑表笔接D极，红表笔先去触碰一下G极，然后红表笔再接到S极上，此时，会发现显示的数值与原来相比，变小了许多，一般为100多Ω到几十Ω之间。

这说明，此场效应管已被触发导通了。

在这个时候，黑表笔接S极，红表笔接D极，会发现，有数值显示了。

这说明，此场效应管是完好的。

如果所测的结果与上述两种方法均不符，则这个场效应管就是坏的。

一般情况下，D极和S极击穿的比较常见。

用数字万用表的“二极管”档测，会听到蜂鸣器的响声。

场效应管的主要参数意义及其测试方法

场效应管的主要参数意义及其测试方法场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种三端器件，常用于放大、开关和稳压等电路中。

场效应管的主要参数包括漏极-源极电流（IDSS）、漏极-源极截止电压（VGS(Off)）、漏极电阻（RDS(On)）和跨导（Transconductance），其测试方法主要包括IDSS测试、VGS截止测试、RDS测试和跨导测试。

1.漏极-源极电流（IDSS）：IDSS是指在给定源极-栅极电压下，场效应管的漏极电流。

它反映了场效应管的导通能力，通常单位为毫安（mA）。

IDSS测试方法为：将场效应管的源极和栅极短接，连接好漏极回路，将源极-漏极电压保持为0V，测量漏极电流。

2. 漏极-源极截止电压（VGS(Off)）：VGS(Off)是指在给定漏极电流下，场效应管的截止电压。

它反映了场效应管在关闭状态下的电压阈值，通常单位为伏特（V）。

VGS(Off)测试方法为：将场效应管的源极和栅极短接，连接好漏极回路，并将漏极电流维持在预定值，测量栅极-源极电压。

3.漏极电阻（RDS(On)）：RDS(On)是指在给定栅极-源极电压下，场效应管的漏极电阻。

它反映了场效应管的导通状态下的电阻情况，通常单位为欧姆（Ω）。

RDS测试方法为：将场效应管的源极和栅极短接，连接好漏极回路，并将栅极-源极电压维持在预定值，测量漏极电阻。

4. 跨导（Transconductance）：跨导是指在给定栅极-源极电压下，场效应管的斜率。

它反映了场效应管的输入导通能力，通常单位为毫安/伏特（mA/V）。

跨导测试方法为：将场效应管的源极和漏极短接，连接好栅极回路，并将栅极-源极电压维持在预定值，测量漏极电流对应的变化。

场效应管的测量方法

场效应管的测量方法场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种常见的半导体器件，用于放大电信号和控制电流流动。

它是现代电子技术中至关重要的组成部分，广泛应用于通信、计算机、电力、医疗设备等领域。

本文将从测量方法的角度对场效应管进行全面评估，并探讨其在实际应用中的价值和意义。

一、场效应管的基本原理1.1 堆叠型场效应管堆叠型场效应管是一种常见的结构，由源极、栅极和漏极组成。

其中，栅极是控制电流流动的关键部分，通过改变栅极电压来控制电流的大小。

当栅极电压为正时，沟道中的电子流可以被栅极电场引导，从而形成导电通路；当栅极电压为负时，电子流被屏蔽，无法通过沟道，电流几乎为零。

这种控制电流的特性使得场效应管成为一种理想的放大器和开关。

1.2 压敏型场效应管压敏型场效应管则是利用栅极与源极之间的电场形成PN结，具有较高的电压稳定性。

这种结构特点使得压敏型场效应管在防火、防雷等领域得到广泛应用。

二、场效应管的测量方法2.1 静态参数测量静态参数测量主要是通过电流-电压（I-V）特性曲线来评估场效应管的性能。

通过改变栅极电压和漏极电压，测量器件的电流变化，以确定其工作状态和性能指标。

常见的静态参数包括：- 零漏极电流（IDSS）：在源极和栅极间施加零电压时，测量的漏极电流；- 转移特性曲线：以栅极电压为横轴，漏极电流为纵轴，绘制的特性曲线；- 漏极截止电压（VDS(off)）：当栅极电压为零时，测量的漏极电压。

2.2 动态参数测量动态参数测量主要是评估场效应管的响应速度和频率特性。

常见的动态参数包括：- 开关时间：指场效应管从开关状态到导通状态所需的时间；- 内部电容：用于描述电荷移动的速度，在高频应用中尤为重要；- 过载能力：指器件在负载变化时的电流变化能力。

三、场效应管在实际应用中的价值3.1 放大器场效应管作为一种理想的放大器，具有高增益、低噪声和低失真等特点，被广泛应用于音频放大、射频放大等领域。

场效应管检测方法

场效应管检测方法一、用指针式万用表对场效应管进行（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。

具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。

当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。

因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。

也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。

当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。

若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。

若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。

（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。

然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。

要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。

（3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ，黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。

场效应管测量方法

场效应管测量方法
场效应管（Field Effect Transistor，FET）的测量方法包括静态参数测试和动态参数测试。

静态参数测试是指测量场效应管的静态电气参数，主要包括栅极漏电流、栅极截止电压、输出导通电流等。

其中，栅极漏电流可以通过将栅源端短路，然后测量栅极到源极之间的电流来测量；栅极截止电压可以通过将栅源端短路，然后在栅极和源极之间施加一系列电压并测量对应的输出电压来测量；输出导通电流可以通过在栅极和源极之间施加一定的栅极电压，同时测量输出电流来测量。

动态参数测试是指测量场效应管的动态电性能，主要包括开关时间、开关损耗、放大增益等。

其中，开关时间可以通过在输入端施加一个快速的信号，然后测量输出端的响应时间来测量；开关损耗可以通过测量在开关过程中的功率消耗来测量；放大增益可以通过在输入端施加一个小信号，然后测量输出端的变化来测量。

总之，场效应管的测量方法涉及到静态参数测试和动态参数测试，通过测量这些参数可以评估场效应管的性能和可靠性。

mos管测量方法图解

mos管测量方法图解
mos管测量方法图解
场效应管英文缩写为FET.可分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（MOSFET），我们平常简称为MOS管。

而MOS管又可分为增强型和耗尽型而我们平常主板中常见使用的也就是增强型的MOS管。

下图为MOS管的标识
我们主板中常用的MOS管G D S三个引脚是固定的。

不管是N沟道还是P沟道都一样。

把芯片放正。

从左到右分别为G极D极S极！如下图：
用二极管档对MOS管的测量。

首先要短接三只引脚对管子进行放电。

1然后用红表笔接S极。

黑表笔接D极。

如果测得有500多的数值。

说明此管为N沟道。

2黑笔不动，用红笔去接触G极测得数值为1.
3红笔移回到S极，此时管子应该为导通。

4然后红笔测D极，而黑笔测S极。

应该测得数值为1.（这一步时要注意。

因为之前测量时给了G极2.5V万用表的电压，所以DS之间还是导通的，不过大概10几秒后才恢复正常。

建议进行这一步时再次短接三脚给管子放电先）
5然后红笔不动，黑笔去测G极，数值应该为1
到此我们可以判定此N沟道场管为正常。

用万用表测量场效应管

用万用表测量场效应管用万用表测量（试）vmos功率场效应管1、判断引脚极性（电极）万用表复置r×1k档，分别测试三个电极间的阻值，如果其中—脚与另两脚间的电阻为无穷大，且互换表笔测试仍—样．表明这—脚为栅极g。

由图1(b)可以窥见，源、漏极之间相等于一个pn结，测量其正、逆向电阻，以阻值较小(约几千欧)的那次为依据，白表笔接的是源极(p型)s，白表笔直奔的就是漏极(n型)d，对n导线vmos管推论恰好相反。

通常vmos管曲面极d与外壳(或散热片)就是连在一起的，这就是更容易区分凿、源两电极了。

图1vmos功率场效应管外形及内部结构示意图①万Weinreb复置r×1k档，先短路一下栅－源极，泄压下栅极上感应器的电荷，然后用黑表笔接s，白表笔接d，例如测到的阻值在几千欧，再短接—之下g、s后互换表笔测得阻值为无穷大，表明管子凿、源极间pn结是不好的。

②用导线将g、s短路起来，万用表置r×1档，黑表笔接s，红表笔接d，如测得的阻值在几欧姆，说明管子是好的，并且阻值越小，还说明管子的放大能力越强。

其判断理由是：将g、s极短路并用黑表笔接源极s时，就相当于给栅极加上了正偏压，这个正电压产生的电场会把源极n+型和p沟道区内的电子吸附到氧化膜的表面，从而分离出大量的空穴参予导电，使电流剧增，电阻减小。

③万用表复置r×10档，分别测量g－s、g－d极间的两极向电阻，如果都为无穷大，表明管于是不好的，否则表明栅极与漏、源极间存有漏电或者打穿损毁。

对于n导线管互换表笔测试即可。

3、放大能力（跨导）的测量vmos管及的压缩能力(跨导)的测量可以参照《绝缘栅场效应管的测量》一文中关于mos管压缩能力的测试方法。

场效应管检测方法

场效应管检测方法
场效应管（也叫MOSFET）的检测方法如下：
1. 使用万用表检测场效应管的极性。

将万用表调至二极管测量档位，将黑表笔连接到TO（源/栅/发射）引脚，然后将红表笔依次接触与TO引脚相连的D（漏极/集电极）和G（栅极/基极）引脚。

如果万用表的示数没有变化或者非常小，说明场效应管是P型的；如果示数明显有变化，说明场效应管是N型的。

2. 使用万用表检测场效应管导通。

将万用表调至二极管测量档位，将黑表笔连接到TO（源/栅/发射）引脚，然后将红表笔依次接触与TO引脚相连的D（漏极/集电极）和G（栅极/基极）引脚。

如果万用表的示数为低阻值，说明场效应管导通；如果示数为高阻值，说明场效应管截止。

3. 使用数字万用表或示波器检测场效应管的漏极/集电极电压和栅极/基极电压。

将黑表笔接触到场效应管的TO（源/栅/发射）引脚，将红表笔依次接触到场效应管的D（漏极/集电极）和G（栅极/基极）引脚。

通过读取数字万用表上的电压示数或示波器上的波形变化，可以确定场效应管所处的工作区域（截止、饱和或放大）。

以上是常用的场效应管检测方法，具体方法可以根据具体的测试设备和需求进行适当的调整。

场效应管好坏测量方法

场效应管好坏测量方法场效应管是一种常用的半导体器件，广泛应用于放大、开关、滤波等电路中。

场效应管的好坏直接影响到整个电路的性能，因此对场效应管进行准确的测量和评估是非常重要的。

本文将介绍几种常用的场效应管好坏测量方法，希望能为大家提供一些参考。

首先，我们可以通过静态参数来评估场效应管的好坏。

静态参数包括漏极电流、饱和电流、开启电压等。

通过测量这些参数，我们可以初步了解场效应管的基本性能。

漏极电流是指在一定的栅极电压下，场效应管的漏极-源极间的电流，它反映了场效应管的导通能力。

饱和电流是指在一定的栅极电压下，场效应管的漏极-源极间的最大电流，它反映了场效应管的最大导通能力。

开启电压是指在一定的漏极电流下，场效应管的栅极电压，它反映了场效应管的导通起始点。

通过测量这些参数，我们可以初步判断场效应管的好坏。

其次，我们可以通过动态参数来评估场效应管的好坏。

动态参数包括开关时间、导通电阻、截止频率等。

开关时间是指场效应管从截止到导通或者从导通到截止所需要的时间，它反映了场效应管的开关速度。

导通电阻是指场效应管在导通状态下的电阻大小，它反映了场效应管的导通能力。

截止频率是指场效应管在高频条件下的截止频率，它反映了场效应管在高频条件下的性能。

通过测量这些参数，我们可以更全面地评估场效应管的好坏。

最后，我们可以通过温度特性来评估场效应管的好坏。

温度特性是指场效应管在不同温度下的性能表现。

由于场效应管在实际应用中会受到温度的影响，因此了解场效应管在不同温度下的性能表现对于评估其好坏非常重要。

通过测量场效应管在不同温度下的静态和动态参数，我们可以更准确地评估场效应管的好坏。

综上所述，对场效应管进行好坏测量是非常重要的。

我们可以通过静态参数、动态参数和温度特性来评估场效应管的好坏。

通过准确的测量和评估，我们可以更好地选择和应用场效应管，从而提高电路的性能和稳定性。

希望本文介绍的方法能够帮助大家更好地了解和应用场效应管。

场效应管检测方法

场效应管检测方法一、用指针式万用表对场效应管进行（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。

具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。

当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。

因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。

也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。

当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。

若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。

若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。

（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。

然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。

要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。

（3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ，黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。

场效应管好坏的简单判断方法

一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。

具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。

当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。

因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。

也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。

当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。

若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。

若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。

（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。

然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。

要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。

（3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ，黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。

MOS管和IGBT模块的测试方法

MOS管和IGBT模块的测试方法MOS管（MOSFET）的测试方法:场效应管,如果已知型号与管脚,用万用电表测G（栅极）和S（源极）之间,G与D（漏极）之间没有PN结电阻,说明该管子已坏.用万用电表的R×1kΩ档,其表棒分别接在场效应管的S极和D极上,然后用手碰触管子和G极,若表针不动,说明管子不好;若表针有较大幅度的摆动,说明管子可用.另外:1、结型场效应管和绝缘栅型场效应管的区别（1）从包装上区分由于绝缘栅型场效应管的栅极易被击穿损坏,所以管脚之间一般都是短路的或是用金属箔包裹的;而结型场效应管在包装上无特殊要求. （2）用指针式万用表的电阻档测量用万用表的“R×lk”档或“R×100”档测G、S管脚间的阻值,N结的正、反向阻值,此管为结型管.2、用万用表电阻档判别结型场效应管管脚一般用R×1k或R×100档进行测量,测量时,任选两管脚,测正、反向电阻,阻值都相同（均为几千欧）时,该两极分别为D、S极（在使用时,这两极可互换）,余下的一极为由于绝缘栅型场效应管在测量时易损坏,所以不使用此方法进行管脚识别,一般以查手册为宜.简单方法检测IGBT模块的好坏：l 、判断极性首先将万用表拨在R×1K 。

挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（ G ）。

其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。

在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（ C ）：黑表笔接的为发射极（ E ）。

2 、判断好坏将万用表拨在R×10KQ 档，用黑表笔接 IGBT 的集电极（ C ），红表笔接 IGBT 的发时极（ E ），此时万用表的指针在零位。

用手指同时触及一下栅极（ G ）和集电极（ C ），这时工 GBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站们指示在某一位置。

测量MOS管好坏方法

一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。

具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。

当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。

因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。

也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。

当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。

若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。

若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。

（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。

然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。

要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。

（3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ，黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。

【最新】场效应管测量方法

【最新】场效应管测量方法下面是对场效应管的测量方法场效应管英文缩写为FET.可分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(MOSFET),我们平常简称为MOS管.而MOS管又可分为增强型和耗尽型而我们平常主板中常见使用的也就是增强型的MOS管.下图为MOS管的标识我们主板中常用的MOS管G D S三个引脚是固定的。

不管是N沟道还是P沟道都一样。

把芯片放正。

从左到右分别为G极D极S极!如下图:用二极管档对MOS管的测量。

首先要短接三只引脚对管子进行放电。

1然后用红表笔接S极.黑表笔接D极.如果测得有500多的数值..说明此管为N沟道..2黑笔不动..用红笔去接触G极测得数值为1.3红笔移回到S极.此时管子应该为导通...4然后红笔测D极.而黑笔测S极.应该测得数值为1.(这一步时要注意.因为之前测量时给了G极2.5V万用表的电压..所以DS之间还是导通的..不过大概10几秒后才恢复正常...建议进行这一步时再次短接三脚给管子放电先)5然后红笔不动.黑笔去测G极..数值应该为1到此我们可以判定此N沟道场管为正常有的人说后面两步可以省略不测...不过我习惯性把五个步骤全用上。

当然.对然P沟道的测量步骤也一样...只不过第一步为黑表笔测S极.红表笔测D极..可以测得500多的数值...测量方法描述到此结束....场效应管测量方法绝缘栅型场效应管(MOSFET)除了放大能力稍弱，在导通电阻、开关速度、噪声及抗干扰能力等方面较双极型三极管均有着明显的优势。

其中的大多数场效应管管，尤其是功率型场效应管管，内部集成有完好的保护电路，使用起来与双极型三极管一样方便。

不过，保护单元的存在却又使得场效应管内部结构变得更加复杂，测量方法也与传统双极型三极管差不多。

一、基本类型MOS管测试MOS管内部的保护环节有多种类型，这就决定了测量过程存在着多样性，常见的NMOS管内部结构如图1、图2所示。

图1、图2所示NMOS管的D-S间均并联有一只寄生二极管(InternalDiode)。

图解：数字式万用表检测场效应管

图解：数字式万用表检测场效应管场效应管与普通的三极管检测方法有很大区别。

由于常用的MOS场效应管的D-S极之间都有一个阻尼二极管，因此可以采用数字式万用表的二极管挡来检测D-S极之间的二极管压降，从而判断场效应管的性能，检测方法如下。

将数字式万用表的挡位开关拨至二极管挡，红表笔接S极、黑表笔接D极，此时万用表的屏幕上会显示出D-S极之间二极管的压降值，大功率场效应管的二极管压降值通常在0.4～0.8V之间，小功率场效应管的二极管压降值通常为0.5 5V左右；黑表笔接S极、红表笔接D极以及G极，与其他各引脚之间均应该无压降（以N沟道场效应管为例，P沟道场效应管应该是红表笔接D极、黑表笔接S极才有压降值）。

反之，则说明场效应管已经损坏。

在维修中，场效应管通常为击穿损坏，这时各引脚之间通常呈短路状态，因此各引脚间的压降值也通常为0V。

常用的贴片封装大功率场效应管5N03检测示意图分别如图1、图2所示。

图1 红表笔接S极、黑表笔接D极测量结果图2 红表笔接D极、黑表笔接S极测量结果常用的小功率场效应管BSP254A检测示意图如图3所示。

图3 常用的小功率场效应管BSP254A检测示意图常用的大功率场效应管FS10SM18A检测示意图如图4所示。

图4 常用的大功率场效应管FS10SM18A检测示意图在代换场效应管时，主要应该考虑如下参数：最大漏极功耗PDM（相当于普通三极管的PCM）、极限漏极电流ID、最大漏源电压VDS、导通电阻RDS（ON）。

除了考虑以上参数外，还要考虑引脚排列是否一致，因为场效应管的型号前缀字母与数字即使完全一致，只要后缀字母不相同，则引脚排列也可能不一致，如显示器中常用的行推动管BSP254与BSP254A，引脚排列就完全不一致。

在维修工作中，还要注意绝对不能用N沟道的场效应管代换P沟道的场效应管，反之也一样。

利用数字式万用表不仅能判定场效应管的电极、还可以测量管子的跨导（放大系数）。

MOS场效应管详解 BYCHIP 测量方法

MOS场效应管详解 BYCHIP 测量方法
MOS（Metal-Oxide-Semiconductor）场效应管采用基本上是朝着金属电极表面晶体硅构成，它是一种半导体电子器件，主要有接收、放大和控制电信号的作用。

MOS场效应管在制造厂家BYCHIP的测量方法可分为四个步骤：
第一，在MOSFET的晶体硅栅极上放置一个测试电极，然后施加符合VDS – VDSM的测试
信号，最后将ID – VGS电流-（栅）压限测试电平施加到晶体硅栅极；
第二，在任何栅极上施加一个DC（直流电压）信号，在VGS信号幅度范围内限流；
第三步，使用测试电路评估MOSFET的能量解耦性的参数，以获得最准确的结果；
最后，应用替代元件原理（ACE)和传表测试（CTT)，并结合晶体硅栅极的测试参数得出精
准的结果；
BYCHIP的测量方法可大大简化MOSFET的测量，可以比较准确的反映出MOSFET的性能，并实现准确的校准，也可以提高测量精度，可以节约电能等资源。

因此，BYCHIP的MOSFET测量方法与传统的方法相比具有许多优势：它不仅简化了测量过程，而且可以准确地反映出MOSFET的性能，大大提高了测量效率；它具有节能性，可以
提高整个设备的耗能效率；它也更加准确，可以有效解决源与漏极的电压和电流的匹配问题，确保MOSFET的精确性。

总之，BYCHIP的MOSFET测量方法可以很好地解决半导体电子器件的测量过程中的精准性
和测量效率问题。

在晶体硅电子器件的测量中是一个非常有用的工具。