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模拟电子技术基础pdf
本书是参照1977年11月由高等学校基础工程课程的电气和无线电教材会议编写的“电子技术基础”（自动化）教科书的教学大纲，以及其他机构提出的修订建议而编写的。
兄弟学院和大学。
现在，它以两本书出版：模拟电子技术基础知识和数字电子技术基础知识。
该课程的基础部分可用于高校自动化专业的“电子技术基础”课程两个学期。
在编译过程中，我们尝试着重于分析和解决问题的能力的培养。
我们认为，自动化专业的毕业生应该具有先瞻，二算，三选四的能力。
能够阅读就是能够理解专业中典型的电子设备的原理图，了解各个部分的组成和工作原理；能够进行计算的是对每个环节的工作性能进行定性或定量的分析和估计；能够选择并做的是能够在满足专业的一般任务时大致选择方案并选择相关的元件和设备，并且通过安装和调试，基本上就可以开发出来了。
因此，为了能够阅读，本书加强了基本概念和各种典型基本单元电路的介绍，并专门设计了用于阅读图纸的章节；为了能够计算，本书加强了基本原理和基本分析方法。
至于选择和做事的能力，应该主要在设计课程实验课和其他后续教学环节中进行培养，但为了满足这方面的要求，还有一些设计实例和一些章节。
电子设备的实际问题。
在应对新技术日益增长与空间有限之间的矛盾时，我们在确保基本概念，基本原理和基本分析方法的前提下，采取措施使学生适应1980年代电子技术的发展需求。
因此，大大减少了由分立元件组成的一些单元的内容，例如调制放大器，功率放大器，门电路和触发电路，而与线性集成电路和数字集成电路有关的单元则相应地得到了增强。
此外，还使用小写字母（更深入的部分），星号（其他内容）和投注（补充说明和参考资料）来满足不同的要求。
在总结了模拟电子技术的基本章节之后，还附上了思路流程图，以帮助读者理解编译的意图和基本内容，并用粗线将其概述。
）童世白，金国芬，严世，吴百春，孙家新，张乃国等同志参加了基本模拟电子技术的编写。
童世柏负责组织和完成草案。
马中普，董洪芳，杨素兴，王汉伟，孙长龄，胡东成，尤素英等同志参加了讨论和整理。
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模拟电子技术基础华教网1电子技术发展2。
模拟信号和模拟电路3。
电子信息系统的组成4。
模拟电子技术基础课程特点5。
如何学习本课程6。
课程目标7。
试验方法六氯环己烷华教网1电子技术的发展，电子技术的发展，促进了计算机技术的发展，使其“无所不在”并得到广泛应用！广播与通信：发射机、接收机、广播、录音、程控交换机、电话、手机；网络：路由器、ATM交换机、收发机、调制解调器；行业：钢铁、石化、机械加工、数控机床；交通：飞机、火车、船舶、汽车；军事：雷达、电子导航；航空航天：卫星定位、医疗监控：伽玛刀、CT、B超、微创手术；消费电子产品：家用电器（空调、冰箱、电视）、音频、视频摄像机、摄像机、电子手表）、电子玩具、各种报警器，安全系统HCH a华教网电子技术的发展很大程度上体现在元器件的开发上。
1904年、1947年和1958年，从电子管到半导体管再到集成电路，集成电子管应运而生，晶体管研制成功。
HCH-atsin与电子管、晶体管和集成电路的比较。
半导体器件的发展华教网. 贝尔实验室在1947年制造了第一个晶体管，1958年制造了集成电路，1969年制造了大规模集成电路。
第一个有四个晶体管的集成电路于1975年制造，1997年，一个集成电路中有40亿个晶体管。
一些科学家预测，整合程度将以每6年10倍的速度增长，到2015年或2020年达到饱和。
学习电子技术课程时要时刻注意电子技术的发展！六氯环己烷华教网一些科学家要记住！第一个晶体管的发明者（由贝尔实验室的约翰·巴丁、威廉·肖克利和沃尔特·布拉丹发明）于1947年11月底发明了晶体管，并于12月16日正式宣布“晶体管”的诞生。
他获得了诺贝尔物理学奖。
1956年。
1972年，他因对超导性的研究而获得诺贝尔物理学奖。
1958年9月12日，第一个集成电路及其发明者Ti 的Jack Kilby在德州仪器实验室实现了将电子器件集成到半导体材料中的想法。
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电子技术基础模拟部分 第五版
第四章作业题解答
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模拟电子技术基础模拟电子技术基础简介1.电子技术的发展2.模拟信号和模拟电路3.电子信息系统的组成4.模拟电子技术的基础课程的特点5.如何学习本课程6.课程目的7.测试方法HCH atsin 1，电子技术的发展，电子技术的发展，促进计算机技术的发展，使其“无处不在”，广泛用过的！广播和通信：发射机，接收机，公共地址，录音，程控交换机，电话，移动电话；网络：路由器，ATM交换机，收发器，调制解调器；行业：钢铁，石化，机械加工，数控机床；运输：飞机，火车，轮船，汽车；军事：雷达，电子导航；航空航天：卫星定位，监测医疗：伽马刀，CT，B超检查，微创手术；消费类电子产品：家用电器（空调，冰箱，电视，音响，摄像机，照相机，电子手表），电子玩具，各种警报器，安全系统HCH a 电子技术的发展在很大程度上反映了在组件开发中。
1904年，1947年和1958年，从电子管到半导体管再到集成电路，集成电子管应运而生，晶体管得到了成功的开发。
HCH atsin与电子管，晶体管和集成电路的比较半导体组件的发展，贝尔实验室在1947年制造了第一个晶体管，在1958年制造了集成电路，在1969年制造了LSI，在1975年制造了第一个集成电路四个晶体管，而1997年单个集成电路中有40亿个晶体管。
一些科学家预测，集成度将提高10倍/ 6年，到2015或2020年达到饱和。
学习电子技术课程应始终注意发展电子技术！hch a tsin 要记住的一些科学家！第一个晶体管的发明者（由贝尔实验室的John Bardeen，William schockley和Walter bradain发明）在1947年11月底发明了该晶体管，并于12月16日正式宣布了“晶体管”的诞生。
他获得了诺贝尔物理学奖。
1956年。
1972年，他因超导研究而获得诺贝尔物理学奖。
1958年9月12日，第一个集成电路及其发明者Ti的Jack Kilby在德州仪器公司的实验室中实现了将电子设备集成到半导体材料中的想法。
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本书是参照1977年11月全国高校工科基础电气与无线电教材会议编制的《电子技术基础》（自动化）教材的教学大纲，以及其他人提出的修改建议编写而成。
兄弟院校。
出版了《模拟电子技术基础知识》和《数字电子技术基础知识》两本书。
本课程的基础部分可用于高校自动化专业“电子技术基础”课程的两个学期。
在编写过程中，我们尽量注重分析问题和解决问题的能力的培养。
我们认为自动化专业的毕业生应该有预见能力，二次计算，三选四。
会读是指能够理解本专业典型电子设备的原理图，了解各部分的组成和工作原理；会计算是对各环节的性能进行定性或定量的分析和估算；能够选择和能在满足专业一般任务时大致选择方案和选择相关元器件和设备，通过安装调试，基本可以开发。
为了提高对电路设计的基本概念和基本方法的阅读能力，我们应该在课程中加强对基本概念和基本方法的阅读能力，其中还包括一些设计实例和一些关于实际问题的章节。
电子设备。
在处理新技术日益增多与空间有限的矛盾时，我们采取措施使学生适应上世纪80年代电子技术发展的需要，同时保证基本概念、基本原理和基本分析方法。
因此，一些由分立元件组成的单元，如调制放大器、功率放大器、门电路和触发电路的内容大大减少，而与线性集成电路和数字集成电路有关的单元也相应地增加了。
此外，小写字母（更深入的部分）、星号（其他内容）和投注（附加说明和参考资料）也用于满足不同的要求。
在总结了《模拟电子技术》的基本章节后，还附上了一个思路流程图，以帮助读者理解编写的意图和基本内容，并用粗线条勾勒出来。
）童世白、金国芬、严实、吴百春、孙家新、张乃国参加了模拟电子技术基础课程的编写。
童世白负责组织定稿。
马忠普、董红芳、杨苏兴、王汉伟、孙长岭、胡东城、游素英等参加讨论整理。
朱亚尔、蔡文华、朱占星、杨、胡二山等同志参加讨论整理。
李世新同志协助了部分绘图工作。
在对模拟电子基础技术进行梳理和确定的过程中，我们得到了来自全国60多所兄弟院校的老师们的宝贵意见。
《模拟电子技术》课程标准PDF.pdf
《模拟电子技术》课程标准适用专业：应用电子技术、电子信息工程技术课程代码：C2-2 开设时间：第2学期学时数：90一、课程概述《模拟电子技术》是电子信息工程技术专业、应用电子技术专业的一门专业平台基础课程，它是针对中级电子元器件检验员、初中级电子设备装接工、初中级电子设备调试工、初中级家用电子产品维修工等岗位工作人员从事的电子元器件测试、电子线路板装接与焊接、电子线路板调试、电子线路板检测、电子线路板故障分析，诊断和维修、简单电子线路设计等工作任务进行分析后，归纳总结出其所需的元件识别与测试、电路分析、电路装接、电路调试、电路测试、电路维修、电路设计等能力要求而设置的课程。
二、教学目标（一）知识目标◼直流稳压电源的组成；◼整流电路的组成与原理；◼滤波电路的组成与原理；◼集成稳压电路的组成；◼集成稳压电源的安装；◼集成电源的调试与参数测量；◼直流电源的故障排除；◼开关直流稳压电源的构成框图；◼音频单管放大电路的组成；◼三极管的结构与特性；◼固定偏置放大电路的组成与分析；◼分压式放大电路的组成与分析；◼放大电路的频率特性；◼音频单管放大电路的设计与安装；◼音频单管放大电路的调试与测试；◼音频单管放大电路的故障排除；◼场效应管及其放大电路；◼集成放大电路的组成。
（二）能力目标◼能识别、检测及选用电子元器件；◼能识读电子电路图；◼能进行电子电路的分析与计算；◼能使用常用电子测量仪器仪表；◼能使用面包板制作电子线路；◼能进行电子线路板的调试和检测；◼能进行电子线路板故障分析、诊断和维修；◼能进行简单电子线路的设计；◼能利用信息媒体检索电子元器件数据手册及相关资料；◼能阅读电子元器件数据手册及相关资料；◼能进行电气安全操作；◼能独立制定工作计划、决策和实施，并准确进行和吸纳他人评价意见。
（三）素质目标◼具有热爱本职工作、不断开拓创新的能力；◼劳动组织能力、集体意识和社会责任心；◼具有团队协作能力，人际交往和协商沟通能力；◼公共关系处理能力；◼具有良好的职业道德和规范和安全、环保、成本、质量控制等职业素质；◼良好的心理素质和克服困难与挫折的能力；◼人际交流能力；爱国、爱校、爱岗精神；诚信品质和遵纪守法意识；勇于创新、敬业乐业的工作作风；安全意识，责任意识；文明、友善和团队协作精神。
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单选题1.稳压二极管构成的稳压电路，其接法是（）A.稳压管与负载电阻串联B.稳压管与负载电阻并联C.限流电阻与稳压管串联后，负载电阻再与稳压管串联D.限流电阻与稳压管串联后，负载电阻再与稳压管并联答案:D2.共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（）能力A.放大差模抑制共模B.输入电阻高C.输出电阻低答案:A3.为了使放大器带负载能力强，一般引入（）负反馈。
A.电压B.电流C.串联答案:A4.输入失调电压UIO是（）A.两个输入端电压之差B.输入端都为零时的输出电压C.输出端为零时输入端的等效补偿电压。
答案:C5.长尾型差分放大电路中，电阻Re的主要作用时（）。
A.提高输入电阻B.提高差模电压增益C.提高共模抑制比D.提高共模电压增益答案:C6.差分放大器由双端输入变为单端输入，差模电压增益是（）。
A.增加一倍B.为双端输入是的1/2C.不变D.不定答案:C7.晶体三极管用于放大时，使其发射结、集电结处于()。
A.发射结正偏、集电结正偏B.发射结正偏、集电结反偏C.发射结反偏、集电结正偏D.发射结反偏、集电结反偏答案:B8.某LC振荡电路的振荡频率为f0＝100kHz，如将LC选频网络中的电容C增大一倍，则振荡频率约为()A.200kHzB.140kHzC.70kHzD.50kHz答案:C9.正弦波振荡电路的基本组成包括()A.基本放大器和正反馈网络B.基本放大器和选频网络C.基本放大器和负反馈网络D.基本放大器、正反馈网络、选频网络、稳幅电路答案:D10.采用长尾差动放人电路，并且提高长尾电阻Re的阻值是为了()。
A.提高差模电压放大倍数B.提高共模电压放大倍数C.提高共模抑制比D.提高差模输出电阻答案:C11.欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈答案:C12.射随器适合做多级放大电路的中间隔离级，是因为射随器的（）A.输入电阻高B.输出电阻低C.输入电阻高，输出电阻低答案:C13.稳压管的稳压区是其工作在（）A.正向导通B.反向截止C.反向击穿答案:C14.在桥式整流电阻负载中，理想二极管承受最高反压是（）U2U2U2U2答案:A15.工作在放大状态下的理想运放电路，运放两个输入端的电流i+=i-=0，称此为()A.虚短B.虚断C.虚联D.虚地答案:B16.多级负反馈放大电路容易引起自激振荡的原因是（）。
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电子技术基础模拟部分 第一章 绪论1、写出下列正弦电压信号的表达式（设初始相角为零）： （1）峰-峰值10V ，频率10 kHz; （2）有效值220 V ，频率50 Hz; （3）峰-峰值100 mV ，周期1 ms ； （4）峰-峰值0.25 V ，角频率1000 rad/s;解:正弦波电压表达式为 )t sin(V = (t)m θω+v ，由于0=θ，于是得到： （1） V )105sin(2 = (t)4t v π⨯； （2） V 001sin 2220 = (t)t v π； （3） V 00020.05sin = (t)t v π； （4） V 00010.125sin = (t)t v ；2、电压放大电路模型如图( 主教材图 1.4. 2a ) 所示，设输出开路电压增益10=vo A 。
试分别计算下列条件下的源电压增益s vs A υυο=:( 1 ) si i R R 10= ，οR R L 10=； ( 2) si i R R = ，οR R i =； ( 3) 10si i R R = ，10οR R L =； ( 4 ) si i R R 10= ，10οR R L =。
电压放大电路模型解：由图可知，)(i si i i s R R R v v +=，i v LLA R R R v νοοο⋅+=，所以可得以下结果: （1）si i R R 10=，οR R L 10=时，i i si i i s v R R R v v 1011)(=+=，i i v L L v A R R R v 101110⨯=⋅+=νοοο，则源电压增益为26.8101111100≈==i i s vs v v v v A ο。
同理可得： （2）5.225===iis vs v v v v A ο （3）0826.0111110≈==i i s vs v v v v A ο （4）826.010111110≈==i i s vs v v v v A ο3、在某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压的峰-峰值分别为5μA 和5mV ，输出端接2k Ω电阻负载，测量到正弦电压信号峰-峰值为1V 。
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本书是一本关于模拟电子技术的教材，主要讲解和讨论电子学的核心
内容，其中包括电子元件，器件，集成电路和系统。
书籍中阐述了电子元
件的特性、器件特性、以及电路设计和分析技术。
此外还涉及到建模技术，电路仿真和实现技术，模拟信号处理和反馈控制，还有其他各种与模拟电
子有关的技术。
本书适用于电子科学，电子工程和电脑科学专业的学生，
也可以被其他有兴趣的人所使用。
本书涵盖的内容丰富，文字简洁明了，
可以为读者提供全面的理论知识和实践应用技能，可以帮助读者更加深入
地了解模拟电子技术。
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判断题（正确的在括号内画√，错误的画×）1．组成放大电路的基本原则之一是电路中必须包含有源器件（√）。
2．有源器件是指：为满足晶体管正常工作条件，需加上直流电源（×）。
2．为了保证晶体管工作在线性放大区，双极型管的发射结和集电结都应加上正向偏置电压。
（×）3．直流放大器必须采用直接耦合方式（√），所以它无法放大交流信号。
（×）3．放大电路的静态是指：（1）输入端开路时的电路状态。
（×）（2）输入信号幅值等于零时的电路状态。
（√）（3）输入信号幅值不变化时的电路状态。
（×）（4）输入信号为直流时的电路状态。
（×）5．H参数等效电路法和图解法都能求解电路的静态工作点。
（×）6．H参数模型是交流小信号模型，所以无法解直流放大电路的电压放大倍数。
（×）7．晶体管的输入电阻rbe是一个动态电阻，所以它与静态工作点无关。
（×）8．在共射放大电路中，当负载电阻RL减小，电压放大倍数下降，（√）输出电阻也减小。
（×）9．共集放大电路电压放大倍数小于1，所以不能实现功率放大。
（×）10．图判断题10所示放大电路具备以下特点：（1）电压放大倍数接近于1，负载RL是否接通关系不大；（√）（2）输出电阻比2k小得多，（√）（3）与晶体管的β大小无关；（×）（3）输入电阻几乎是ber的β倍。
（×）11．结型场效应管通常采用两种偏置方式，即自偏压和分压式偏置电路。
（√）12. 在共源放大电路中，当负载电阻减小时，电压放大倍数绝对值下降，输出电阻也减小。
（×）13．MOS场效应管的栅极输入电流几乎等于零，所以MOS管组成的放大电路的输入电阻总可以视为无穷大（×）14．场效应管的跨导随漏极静态电流增大而增大（√），输入电阻则随漏极静态电流增大而减小。
（×）15．场效应管的栅极电流几乎等于零，所以场效应管放大电路的输入电阻通常很大（√），输出电阻也很大。
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模电往高大上讲，就是电子器件和电子线路及其应用的一门专业基础课。
往通俗点说就是，高中理想的二极管贴近现实，甚至长了一个“脚”，三极管诞生了，各种功率等数据嫌小，找放大电路来帮忙，还有对看不见摸不着的信号进行各种处理。
模拟电子技术以晶体管、场效应管等电子器件为基础，以单元电路、集成电路的分析和设计为主导，研究各种不同电路的结构、工作原理、参数分析及应用。
通过本课程的学习，使学生掌握模拟电路的基本原理及分析方法，深刻认识单元电路、集成电路在实际电路中的应用。
学习后，您将会做什么：
能熟练掌握阅读和分析电路图的方法，具备查阅电子器件和集成电路手册的能力，学会常用电子仪器的使用，掌握电路的设计、安装及调试方法
适用人群：
从事电子技术使用以及现场维修的技术人员。
PLC使用人员，中级或以上的电工。
课程特色：
以实际材料为例，迅速讲解相关知识，举例大量的实际电路知识，图示性强。
能使人很清晰的看懂知识点。
第一章：直流稳压电源的制作与调试（第1-12课时）
第二章：分立元件放大电路分析与调试（第12-30课时）
第三章：集成运算放大器基础及负反馈电路（第31-37课时）第四章：集成运算放大器的应用（第38-49课时）
第五章：功率放大电路（第50-58课时）
第六章：正弦波振荡电路（第59-63课时）
第七章：光电子器件及其应用（第64-68课时）
第八章：晶闸管及其应用电路（第69-76课时）。
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《模拟电路》教案课程名称电子三年制《模拟电路》授课学时64主讲(责任)教师参与教学教师________________________________ 授课班级/人数专业（教研室）电子课程名称：模拟电子技术基础第讲 1 授课题目半导体基础知识、半导体二极管课型讲授使用教具多媒体教学重点1、了解本征半导体、杂质半导体的导电机理2、熟悉N型半导体，P半导体的基本特性3、异形半导体接触现象4、二极管的伏安特性、单向导电性及等效电路（三个常用模型）教学难点1、半导体的导电机理:两种载流子参与导电；2、掺杂半导体中的多子和少子3、PN结的形成；4、二极管在电路中导通与否的判断方法，共阴极或共阳极二极管的优先导通问题；教学内容教学组织过程1 半导体的基本知识（10min）（1）半导体材料（2）半导体的共价键结构（3）本征半导体、空穴极其导电作用（4）杂质半导体2 PN结的形成及特性（25min）（1）PN结的形成（2）PN结的单向导电性（3）PN结的电容效应3 二极管（25min）1.3.1、二极管的结构1.3.2、二极管的伏安特性♦正向特性：死区电压、导通电压♦反向特性：反向饱和电流、温度影响大♦反向击穿特性：电击穿（雪崩击穿、齐纳击穿）、热击穿1.3.3、主要参数(略讲)4 二极管电路的简化模型分析方法（25min）4.1理想模型正向偏置管压降为零；反向偏置电阻无穷大，电流为零。
4.2恒压降模型二极管导通后，管压降恒定，典型值硅管0.7V。
4.3折线模型二极管导通后，管压降不恒定，用一个电池和一个电阻r d来作进一步近似。
小结（5min）本讲宜教师讲授。
用多媒体演示半导体的结构、导电机理、PN结的形成过程及其伏安特性等，便于学生理解和掌握。
课后小结课程名称：模拟电子技术基础第讲 2 授课题目特殊二极管、检测及判别二极管、半导体二极管的基本应用课型讲授使用教具多媒体教学重点1、掌握稳压管工作条件2、了解光敏二极管和发光二极管3、整流电路、限幅电路、稳压电路教学难点1、稳压管伏安特性曲线2、稳压管工作条件3、单向桥式整流电路教学内容教学组织过程1、特殊二极管（5min）（1）光敏二极管（2）发光二极管2、稳压二极管（15min）（1）稳压管等效电路（2）稳压管的主要参数3、限幅电路（15min）4、二极管门电路（5min）5、整流电路（1）单相半波整流电路（15min）（2）单相桥式整流电路（15min）项目一手机充电器整体设计讨论、分析（20min）（1）降压电路（2）整流电路（3）滤波（4）稳压本讲以教师讲授为主。
模拟电子技术基础
2022 模拟电子技术基础一、常用半导体器件1.1本征半导体纯净的，具有晶体结构的半导体1.1.1本征激发：自由电子导电；价电子依次填补空穴，形成了空穴的移动，空穴也能导电本征激发越多，导电能力越好复合：自由电子与空穴相撞，重新变成价电子1.1.2载流子的浓度载流子的浓度与本征激发，复合相关。
本征激发的速率与温度有关，温度越高，本征激发的速率越快。
复合的速率与载流子的浓度有关1.2杂质半导体在本征半导体掺入少量杂质元素1.2.1N型半导体掺入少量P(磷)多子→自由电子少子→空穴温度对N型半导体的多子影响不大，对少子浓度影响巨大施主原子：贡献载流子的原子1.2.2P型半导体掺入少量B(硼)多子→空穴少子→自由电子温度对P型半导体的少子影响不大，对多子浓度影响巨大1.3PN结由于扩散运动形成的空间电荷区，也称耗尽层(PN结)(阻挡层) 1.3.1基本概念漂移运动：少子在空间电荷区的运动漂移运动阻挡了因扩散运动而消耗势垒的可能多子的扩散运动与少子的漂移运动就会达到动态平衡空间电荷区的宽度与掺杂浓度有关，浓度高的区域PN结窄。
1.3.2单向导电性外电场削弱了内电场的作用，使得扩散运动得以重新恢复R限定了外电场通过的最大电流，防止PN结烧毁反向电压会增强内电场的作用，抑制扩散运动，促进漂移运动；但是漂移运动属于少子，且与温度相关，漂移运动形成的电流称为反向饱和电流。
1.4PN结的伏安特性曲线1.4.1正向特性：存在死区，有导通电压：PN结的电流方程Is为反向饱和电流U T为温度当量，仅跟温度相关。
在室温下U T=26mV U为PN结上外加电压1.4.2反向特性：Ge管的反向电流比Si管的大得多反向存在击穿：雪崩击穿：掺杂浓度低时，耗尽层宽度大，当外加反向电压时，耗尽层为粒子加速器，少子加速击穿带走价电子，形成链式反应温度越高，雪崩击穿所需电压越高。
齐纳击穿：掺杂浓度高时，PN结窄，当外加反向电压时，形成的电场强度大，直接将价电子从共价键内带出。
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电子技术基础模拟部分 第一章 绪论1、写出下列正弦电压信号的表达式（设初始相角为零）： （1）峰-峰值10V ，频率10 kHz; （2）有效值220 V ，频率50 Hz; （3）峰-峰值100 mV ，周期1 ms ； （4）峰-峰值0.25 V ，角频率1000 rad/s;解:正弦波电压表达式为 )t sin(V = (t)m θω+v ，由于0=θ，于是得到： （1） V )105sin(2 = (t)4t v π⨯； （2） V 001sin 2220 = (t)t v π； （3） V 00020.05sin = (t)t v π； （4） V 00010.125sin = (t)t v ；2、电压放大电路模型如图( 主教材图 1.4. 2a ) 所示，设输出开路电压增益10=vo A 。
试分别计算下列条件下的源电压增益s vs A υυο=:( 1 ) si i R R 10= ，οR R L 10=； ( 2) si i R R = ，οR R i =； ( 3) 10si i R R = ，10οR R L =； ( 4 ) si i R R 10= ，10οR R L =。
电压放大电路模型解：由图可知，)(i si ii s R R R v v +=，i v L LA R R R v νοοο⋅+=，所以可得以下结果: （1）si i R R 10=，οR R L 10=时，i i si i i s v R R R v v 1011)(=+=，i i v L L v A R R R v 101110⨯=⋅+=νοοο，则源电压增益为26.8101111100≈==i i s vs v v v v A ο。
同理可得： （2）5.225===iis vs v v v v A ο （3）0826.0111110≈==ii s vs v v v v A ο （4）826.010111110≈==i i s vs v v v v A ο3、在某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压的峰-峰值分别为5μA 和5mV ，输出端接2k Ω电阻负载，测量到正弦电压信号峰-峰值为1V 。
模拟电子技术习题(2020年7月整理).pdf
模拟电子技术练习题一、单选题(每题1分)1. 基本组态双极型三极管放大电路中，输入电阻最大的是____A______电路。
A.共发射极B.共集电极C. 共基极D. 不能确定2. 差分放大电路由双端输入改为单端输入，则差模电压放大倍数（D ）。
A．不变B．提高一倍C．提高两倍D．减小为原来的一半3. 把差分放大电路中的发射极公共电阻改为电流源可以（）A．增大差模输入电阻B．提高共模增益??C．提高差模增益D．提高共模抑制比4. 选用差分放大电路的主要原因是（A ）。
A．减小温漂B．提高输入电阻C．稳定放大倍数D．减小失真5. 对恒流源而言，下列说法不正确的为（D）。
A．可以用作偏置电路B．可以用作有源负载C．交流电阻很大D．直流电阻很大6. 放大电路A、B的放大倍数相同，但输入电阻、输出电阻不同，用它们对同一个具有内阻的信号源电压进行放大，在负载开路条件下测得A的输出电压小，这说明A的（B）。
A. 输入电阻大B. 输入电阻小C. 输出电阻大D.输出电阻小7. 深度电流串联负反馈放大器相当于一个（D）。
A. 压控电压源B. 压控电流源C. 流控电压源D. 流控电流源8. 负反馈放大电路中，反馈信号（A）。
A. 仅取自输出信号B. 取自输入信号或输出信号C. 仅取自输入信号D. 取自输入信号和输出信号9. 引入（C）反馈，可稳定电路的增益。
A. 电压B. 电流C. 负D. 正10. 构成反馈通路的元器件（A）。
A. 只能是电阻元件B. 只能是三极管、集成运放等有源器件C. 只能是无源器件D. 可以是无源器件，也可以是有源器件二、判断题(每题1分)1. 与三极管放大电路相比，场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳定性好等优点。
（）2. 差分放大电路中单端输出与双端输出相比，差模输出电压减小，共模输出电压增大，共模抑制比下降。
（）3. 差分放大电路单端输出时，主要靠电路的对称性来抑制温漂。
（）4. 单端输出的长尾式差分放大电路，主要靠公共发射极电阻引入负反馈来抑制温漂。
模拟电子技术基础(完整课件)
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封装好的集成电路
课程的教学方法
模电——“魔”电 特点：电路形式多、公式多、工程性强 教学方法： 课堂讲课 ——每章小结 ——自我检测题
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总成绩＝期末（70％）＋平时（30％） 平时：作业、课堂、实验等
教材：《模拟电子技术基础》，李国丽王涌李如 春主编，高等教育出版社，国家级十二 五规划教材
就在这个过程中，爱迪生还发现了一 个奇特 的现象：一块烧红的铁会散发出电子云。后人 称之为爱迪生效应，但当时不知道利用这一效 应能做些什么。
1904年，英国发明家弗莱明在真空中加热的 电丝(灯丝)前加了一块板极，从而发明了第一 只电子管，称为二极管。
1906 年，美国发明家德福雷斯特，在二极管 的灯丝和板极之间巧妙地加了一个栅板，从而 发明了第一只真空三极管，建树了早期电子技 术上最重要的里程碑——电子工业真正的诞生 起点 。
2000年10月10日，基尔比 与另外两位科学家共同分享 诺贝尔物理学奖。
获得2000年Nobel物理奖
1958年第一块集成电路：TI公司的Kilby，12个器件，Ge晶片
1959年7月30日，硅谷的仙童半导体公司的诺依斯 采用先进的平面处理技术研制出集成电路，也申请到 一项发明专利 ，题为“半导体器件——导线结构”； 时间比基尔比晚了半年，但确实是后来微电子革命的 基础。
1959年仙童制造的IC
诺依斯
1971年：全球第一个微处理器4004由Intel 公司推出，在它3毫米×4毫米的掩模上，有 2250个晶体管，每个晶体管的距离是10微米， 每秒运算6万次。也就是说，一粒米大小的芯片 内核，其功能居然与世界上第一台计算机—— 占地170平方米的、拥有1.8万个电子管的 “爱
模拟电子技术（模电课后习题含标准答案）（第三版）
模拟电⼦技术（模电课后习题含标准答案）（第三版）第1章常⽤半导体器件1.1选择合适答案填⼊空内。
(l)在本征半导体中加⼊( A )元素可形成N 型半导体，加⼊( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升⾼时，⼆极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增⼤ B.不变 C.减⼩(3)⼯作在放⼤区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增⼤到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增⼤；B.不变；C.减⼩ 1.3电路如图P1.2 所⽰，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。
设⼆极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所⽰。
1.4电路如图P1.3所⽰，已知t u i ωsin 5=(V )，⼆极管导通电压U D =0.7V 。
试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。
1.6电路如图P1.4所⽰, ⼆极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。
试问⼆极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：⼆极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω故动态电流的有效值：/1di D I U r mA =≈1.7现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。
试问： (1)若将它们串联相接，则可得到⼏种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则⼜可得到⼏种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。
1、两个管⼦都正接。
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判断题（正确的在括号内画√，错误的画×）1．组成放大电路的基本原则之一是电路中必须包含有源器件（√）。
2．有源器件是指：为满足晶体管正常工作条件，需加上直流电源（×）。
2．为了保证晶体管工作在线性放大区，双极型管的发射结和集电结都应加上正向偏置电压。
（×）3．直流放大器必须采用直接耦合方式（√），所以它无法放大交流信号。
（×）3．放大电路的静态是指：（1）输入端开路时的电路状态。
（×）（2）输入信号幅值等于零时的电路状态。
（√）（3）输入信号幅值不变化时的电路状态。
（×）（4）输入信号为直流时的电路状态。
（×）5．H参数等效电路法和图解法都能求解电路的静态工作点。
（×）6．H参数模型是交流小信号模型，所以无法解直流放大电路的电压放大倍数。
（×）7．晶体管的输入电阻rbe是一个动态电阻，所以它与静态工作点无关。
（×）8．在共射放大电路中，当负载电阻RL减小，电压放大倍数下降，（√）输出电阻也减小。
（×）9．共集放大电路电压放大倍数小于1，所以不能实现功率放大。
（×）10．图判断题10所示放大电路具备以下特点：（1）电压放大倍数接近于1，负载RL是否接通关系不大；（√）（2）输出电阻比2k小得多，（√）（3）与晶体管的β大小无关；（×）（3）输入电阻几乎是ber的β倍。
（×）11．结型场效应管通常采用两种偏置方式，即自偏压和分压式偏置电路。
（√）12. 在共源放大电路中，当负载电阻减小时，电压放大倍数绝对值下降，输出电阻也减小。
（×）13．MOS场效应管的栅极输入电流几乎等于零，所以MOS管组成的放大电路的输入电阻总可以视为无穷大（×）14．场效应管的跨导随漏极静态电流增大而增大（√），输入电阻则随漏极静态电流增大而减小。
（×）15．场效应管的栅极电流几乎等于零，所以场效应管放大电路的输入电阻通常很大（√），输出电阻也很大。
（×）16．共漏放大电路电压放大倍数总是小于1（√），所以不能实现功率放大。
（×）17．场效应管的跨导gm=IDQ/VGSQ（×）还是mg＝D I/GSV。
（√）18．增强型绝缘栅场效应管可以采用自偏压电路。
（×）19．耗尽型绝缘栅场效应管不能采用自偏压电路。
（×）20．如果输入级是共射放大组态，则输入电阻只与输入级有关。
（√）21．如果输入级是共集放大组态，则输入电阻还与后级有关。
（√）22．如果输出级是共射放大组态，则输出电阻只与输出级有关。
（√）23．如果输出级是共集放大组态，则输出电阻还与前级有关。
（√）24．放大直流信号，只能采用直接耦合方式。
（√）25．放大交流信号，只能采用阻容耦合方式或变压器耦合方式。
（×）26．欲提高多级放大电路的输入电阻，试判断以下一些措施的正确性：（1）输入级采用共集组态放大电路。
（√）（2）输入级中的放大管采用复合管结构。
（√）（3）输入级中的放大管采用场效应管。
（√）27．复合管的β值近似等于组成复合管的各晶体管的值乘积。
（√）28．一个NPN管和一个PNP管可以复合成NPN管也可以复合成PNP管。
（√）1、（×）多级放大器的通频带比单级放大器的通频带宽。
2、（×）功率放大器有功率放大作用，无电压放大作用。
23、（×）用指针式万用表的R×10Ω和R×1K档分别测量一个整流二极管的正向电阻，两次测试的电阻值应该相同。
4、（√）在三极管放大电路中，为了稳定直流工作点可引入直流负反馈。
5、（×）OCL直流放大器只能放大直流信号，不能放大交流信号。
6、（×）多级放大器的通频带比单级放大器的通频带宽。
7、（√）三极管有放大、饱和、截止三种工作状态。
8、（√）在数字电路中三极管作为开关使用时，它是工作在饱和或截止两种状态下。
9、（×）差动放大器只有一个信号输入端，有两个信号输出端。
10、（×）在功率放大电路中，输出功率最大时，功率管的消耗功率最大。
11、（×）在深度负反馈的条件下，闭环放大倍数AF≈1/F，它与反馈网络有关，而与放大器开环放大倍数A无关，故可以省去放大通路，仅留下反馈网络，来获得稳定的放大倍数。
12、（×）由于负反馈能展宽频带，所以只要负反馈足够深，就可以用低频管来代替高频管组成放大电路来放大高频信号。
13、（×）同相输入比例运算放大器是一种电压并联负反馈放大器。
14、（×）互补对称功放在工作时总有一只功放管是截止的，所以输出波形必然失真。
15、（√）为了使功率放大器有足够高的输出功率，功放三极管往往工作在极限状态。
16、（√）结型场效应管的漏极、源极可调换使用。
17、（×）在功率放大器中，静态电流越大，电路效率越高。
18、（√）直流负反馈可以稳定电路的静态工作点，交流负反馈可以改善放大器的动态性能。
19、（√）放大电路中的负反馈将削弱净输入信号。
20、（×）电容具有“通直隔交”的作用。
21、（×）稳压管不是二极管。
22、（×）在放大电路中，若静态工作点选的过高，则容易产生截止失真。
23、（×）引入负反馈不会降低放大电路的放大倍数。
24、（√）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
25、（×）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
26、（√）现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。
27、（√）阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，它只能放大交流信号。
28、（×）只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。
29、（×）功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。
30、（×）当OCL电路的最大输出功率为1W时，功放管的集电极最大耗散功率应大于1W。
31、（×）若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。
32、（×）只要在放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。
33、（×）既然电流负反馈稳定输出电流，那么必然稳定输出电压。
34、（×）在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。
35、（×）若U2为电源变压器副边电压的有效值，则半波整流电容滤波电路和全波整流电容滤波电路在空载时的输出电压均为2U2。
36、（√）电容滤波电路适用于小负载电流，而电感滤波电路适用于大负载电流。
三、选择题：1、对三极管放大作用的实质，下列说法正确的是（A ）。
A 三极管可以用较小的电流控制较大的电流；B 三极管可以把小电流放大成大电流；C 三极管可以把小电压放大成大电压；D 三极管可以把小能量放大成大能量。
32、用指针式万用表的R×10和R×1K档分别测量一个整流二极管的正向电阻，二次测试结果是（B ）A：相同；B：R×10 档的测试值小；C：R×1K档的测试值小 3、在放大电路中，为了稳定静态工作点可以引入（ A ）；若要稳定放大倍数可以引入（ B ）；某些场合为了提高放大倍数可以适当引入（ C ）。
（A：直流负反馈；B：交流负反馈；C：交流正反馈）4、在反馈类型的判别时我们可以用（ B ）判别正、负反馈；用（ C ）判别串联、并联反馈；用（ A ）判别电压、电流反馈。
（A：输出端短路法；B：瞬时极性法；C：输入端短路法）5、有一三极管处于放大状态基极电流为30uA,放大倍数为β=60，则集电极电流为（ B ）。
（A：0 mA; B：1.8 mA C：不确定）6、乙类推挽功率放大器的理想最大效率为（C ）。
A．58．5% B.68.5% C.78.5% D.100%7、稳压管一般工作于（C ）状态A、正向导通B、反向截止C、反向击穿 8、下列各项中，（D ）是本征半导体。
A、N型半导体；B、P型半导体；C、PN结D、纯净的半导体。
9、在放大电路的三种工作状态中，哪种功耗最小（C ）。
A、甲类 B、甲乙类 C、乙类。
10、微变等效电路中，只有（ B ）信号。
A、直流 B、交流 C、交直流均有。
11、差动电路对哪种信号无放大作用（ A ）。
A、共模 B、差模12、在二极管的主要参数中，最大整流电流IF指的是（ A ）。
A、允许最大正向平均电流； B、允许最大正向电流； C、允许最大反向平均电流； D、允许最大反向电充； 13、三极管具有（ C ）作用。
A、电压放大B、电压缩小C、电流放大D、电流缩小。
14、放大器在输入信号作用下的工作状态，称为（ B ）。
A、静态； B、动态； C、稳压。
15、在单级共射极放大电路中，为了使工作在饱和状态的晶体三极管进入放大状态，可采用的办法是（ A ）：A 减小IB B 提高VG的绝对值C 减小 RC的值D 减小RB16、单级共射极放大器的输出电压和输入电压在相位和频率的关系是（C ）： A 同相位，频率相同B 相位差90o，频率相同C 相位差180o，频率相同D 相位差360o，频率不同 17、N沟道增强型绝缘栅场效应管的符号是（C ）。
A BC D 18、光电二极管的符号是（C ）： AB4C D19、已知三极管各极电位，则（ B ）管工作在放大状态：A B C D20、测得某放大电路中BJT的两个电极的电流如图所示，则管脚①②③分别为（ B ）：A、c b eB、b c eC、c e bD、b e c21、要求引入负反馈后能使放大器的输入电阻增大，输出电流的变化尽可能小，则该负反馈的类型应为（ A ）：A 电流串联负反馈B 电压串联负反馈C 电流并联负反馈D 电压并联负反馈 22、PN结加正向电压时，空间电荷区将（ A ）。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽23、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（B ）。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏 24、UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有（AC ）。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管25、在本征半导体中加入（ A ）元素可形成N型半导体，加入（ C ）元素可形成P型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价26、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（A ）。
A. 增大B. 不变C. 减小27、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为（C ）。