陶瓷储能电容器的关键技术对钛酸钡粉体掺杂改性

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掺杂钛酸钡粉体及陶瓷的制备和介电性能研究

掺杂钛酸钡粉体及陶瓷的制备和介电性能研究
本论文翡主要内容包括以下几个方覆: 一、钛酸钡的制备及介电饿能研究 采用溶胶一凝胶法制得钛酸钡纳米晶粉体,研究了预烧温度、烧结漱度、钛 钡毙(Ti/Ba)等对陶浚豹结构、分瞧健戆静影嗡。结果表明;隧羞颈浇渥发靛手}裹, 陶瓷晶粒明显长大,陶瓷的致密性提高;烧络温度以1300℃为佳。 二、锟掺杂钛酸钡的制备及介电性能研究
were characterized by XRD,
SEM and TEM methods+The dielectric properties of the ceramics were determined.
In general,the main work is as follows:
1.Preparation and dielectric propegies ofbarium titanate The nanocrystalline barium titanate powders were prepared by sol-gel method
multicomposition barium titanate powders.So in this paper Nb205,C0203,NiO,
barium Nd203 and Nb20s-C0203*-Nd203 doped
titanate powders and ceramics were
ceramics prepared by sol—gel method.The powders and
calcined at 800。C for 2h.The influence of calcined temperature,Ti/Ba ratio,fired
temperature on the microstructure and dielectric properties were investigated.The

钛酸锶钡铁电陶瓷材料掺杂改性研究进展探究

钛酸锶钡铁电陶瓷材料掺杂改性研究进展探究

钛酸锶钡铁电陶瓷材料掺杂改性研究进展探究摘要:鉴于钛酸锶钡陶瓷材料较好的优势特征,所以在当今社会上具有广泛的应用,主要包括较高的介电常数以及介质的耗损较小等。

经对材料微观构成进行改变,能够于较宽范围之中实施材料的介电常数调节。

因此,在电容器、PTC 陶瓷以及动态随机存储器等内已经普遍的应用到此系列材料。

本文对不同掺杂物在BST材料中的应用和钛酸锶钡陶瓷发展情况进行了一个探究。

关键词:钛酸锶钡;铁电陶瓷材料;掺杂改性;电解质引言钛酸钡(BaTiO3)陶瓷是一种无铅型的高介电环境友好材料.稀土作为“现代化学工业维他命”,能移动钛酸钡的居里温度从而提高介电性能。

1.不同掺杂物在BST材料中的应用1.1B2O3在BST中的应用随着大规模集成电路的飞速发展,对动态随机存储器(DRAM)的存储性能要求在不断的提高。

由于BST薄膜具有介电常数高和热稳定性好,且居里温度可调等优点,被认为是最有发展前途的DRAM材料之一,引起了学界的广泛关注。

有研究指出掺杂B203掺杂Ba0.5Sr0.5TiO3陶瓷薄膜,发现当掺杂B2O3的物质的量分数为5%时,烧结温度比纯Ba0.5 Sr0.5 TiO3的烧结温度降低了100℃,并且,B2O3的添加改善了陶瓷的结构,细化了陶瓷晶粒,提高了陶瓷介质的绝缘电阻,减小了渗漏电流,降低了薄膜的表面粗糙度。

近年来,相关人员等在此基础上进行了更深入的研究,结果发现在BST薄膜中掺杂非金属氧化物B2O3可以显著降低材料的烧结温度,当B2O3的掺杂量小于5%时,渗漏电流随着掺杂量的增加而减小,当B 2O 3的掺杂量大于此数值时,则出现相反的变化关系。

有相关研究了B 2O 3在Ba 0.7 Sr 0.5 Ti O3铁电材料的掺杂改性作用,发现B 2O 3除了有效的降低材料的烧结温度、减小损耗、提高材料的高频稳定性外,并不改变材料的居里温度,是一种很有发展前途的LTCC 材料。

1.2 Bi 2O 3在BST 中的应用Bi 2O 3在BaTi03中的固熔度物质的量分数为5%左右,而在SrTiO 3中的固熔度则达10%。

钛酸钡陶瓷的种类

钛酸钡陶瓷的种类
掺杂改性是通过在钛酸钡陶瓷中加入其他元素,以改变其性能的一种方法。
掺杂元素如锶、钙、镁等,可以改变钛酸钡的介电常数、压电系数、热导率等性能 参数。
通过选择不同的掺杂元素和掺杂量,可以定制钛酸钡陶瓷以满足特定应用的需求。
表面处理
表面处理是为了改善钛酸钡陶 瓷的表面性能,提高其与金属
或其他材料的粘附性。
高介电常数
钛酸钡陶瓷具有很高的介电常数,使其在制造电容器 、电子滤波器等电子元件方面具有优异性能。
压电性
钛酸钡陶瓷具有压电性,即在外力作用下能够产生电 荷,可用于制造传感器和换能器等。
热稳定性
钛酸钡陶瓷具有较好的热稳定性,能够在较高温度下 保持其性能。
钛酸钡陶瓷的应用领域
电子元件
由于其高介电常数和良好的热稳 定性,钛酸钡陶瓷广泛应用于制 造电容器、电子滤波器、电子管 座等电子元件。

制备工艺
高纯度钛酸钡陶瓷的制备工艺较为 复杂,需要经过多次提纯、合成和 烧结等步骤,以确保最终产品的纯 度和性能。
应用领域
高纯度钛酸钡陶瓷广泛应用于电子 、通讯、航空航天等领域,作为功 能陶瓷和结构陶瓷的重要原料。
多孔钛酸钡陶瓷
孔隙结构
应用领域
多孔钛酸钡陶瓷具有发达的孔隙结构 ,孔径大小可调,孔隙率较高。
传感器
利用其压电性,钛酸钡陶瓷可以 用于制造压力传感器、加速度传 感器等传感器件。
通讯领域
在通讯领域,钛酸钡陶瓷可用于 制造高频通讯器件,如手机、无 线电通讯设备中的元件。
02
钛酸钡陶瓷的种类
高纯度钛酸钡陶瓷
纯度要求
高纯度钛酸钡陶瓷的原料纯度要 求极高,通常需要达到99.9%以 上,以确保陶瓷的性能和稳定性
感谢观看

基于钛酸钡粉体的高储能电容器材料的制备

基于钛酸钡粉体的高储能电容器材料的制备

基于钛酸钡粉体的高储能电容器材料的制备知者问国瓷材料(300285) 高纯纳米钛酸钡可以用来做高性能储能材料。

请问公司下游客户中有做高性能储能产品的吗?应用面主要在哪些行业?2012年08月17日14:08国瓷材料答知者: 尊敬的投资者:您好!目前公司的主要客户主要是MLCC生产厂家。

关于高纯纳米钛酸钡用于储能材料方面的文章网上都有介绍如“基于钛酸钡粉体的高储能电容器材料的制备”等,请参考。

2012年08月17日16:47北京化工大学硕士学位论文基于钛酸钡粉体的高储能电容器材料的制备姓名:翟晓静专业:化学工程与技术,本研究从高介电性能材料BaTi03粉体的表面包覆入手,分别利用sol-gel法和沉淀法在纳米BaTi03表面包覆上一层氧化铝后,再利用s01.gel 法在其表面包覆一层钙镁硅铝酸盐玻璃(CaMgAl4Si8024),制成了具有双包覆层的"芯.壳结构材料。

系统地研究了包覆A1203的工艺参数,并对此双包覆层材料的电性能进行了研究。

根据热分析实验确定了双包覆层复合陶瓷的烧结温度为800℃,陶瓷的击穿场强最大可达2.8×106V//cm。

随着超级电容器在移动通讯航空航天和国防科技等领域的不断应用【l】,特别是环保汽车-电动汽车的出现,大功率的超级电容器更显示了其前所未有的应用前景。

其在纯动力车的应用在于,当汽车启动和爬坡时快速提供大电流和大功率电流,可减少电动汽车对蓄电池大电流放电的限制,大大延长电池的使用寿命,提高电动汽车的实用性。

由美国EEstor公司开发的新储能系统【2】成功应用在Texas公司的ZENN汽车中。

国家十五计划"863"电动汽车重大专项攻关中已将电动车用超级电容器的开发列入发展计划。

电子工业近几十年快速发展,原来单纯仅靠一种材料作为电容器介质的材料已表现出许多缺陷。

例如,单纯依靠具有高介电常数的陶瓷材料制作的电容器,尽管其电容值较高,但在使用过程中有致命的弱点就是陶瓷的脆性,受温差和机械作用等影响易于开裂;并且,从现代产品的制造工艺和成本等方面考虑,大多数陶瓷电容器需要在1000℃左右的高温下与丝网电极进行共烧,工艺复杂能耗大,柔韧性差,易开裂。

掺杂碳酸钡粉体及陶瓷的制备和介电性能研究

掺杂碳酸钡粉体及陶瓷的制备和介电性能研究

掺杂碳酸钡粉体及陶瓷的制备和介电性能研究学院:物理院指导老师:卢雪梅姓名:侯凯伦年级专业:13级电子科学与技术二零一六年七月八号摘要钦酸钡具有高介电常数,是多层陶瓷电容器(MLCC)的主要介电材料,关于钦酸钡及掺杂钦酸钡的制备和介电性能研究已成为一个热点领域。

其中,NbZOS一Co203一ReZO3掺杂钦酸钡体系具有高的介电常数和介电温度稳定性。

钦酸钡粉体的制备方法及掺杂方式对陶瓷的电学性质有很大影响。

溶胶一凝胶法可制得多组分均匀掺杂的钦酸钡粉体,所以本论文采用溶胶一凝胶法制备分别掺杂NbZOs、CoZO3、NIO、NdZO3和同时掺杂NbZOs一CoZO3一NdZO3的钦酸钡基粉体及其陶瓷。

采用XRD、SEM、TEM等对粉体和陶瓷的相组成、微观形貌进行表征,并测试了陶瓷的介电性能。

本论文的主要内容包括以下几个方面:一、钦酸钡的制备及介电性能研究采用溶胶一凝胶法制得钦酸钡纳米晶粉体,研究了预烧温度、烧结温度、钦钡比(iTB/a)等对陶瓷的结构、介电性能的影响。

结果表明:随着预烧温度的升高,陶瓷晶粒明显长大,陶瓷的致密性提高;烧结温度以1300℃为佳。

二、妮掺杂钦酸钡的制备及介电性能研究首先合成了H3困b(O2#)1水溶液,其含妮量由重量法测定。

进而采用溶胶一凝胶法制得妮掺杂钦酸钡基纳米晶粉体。

随着掺妮量的增加,陶瓷的粒径明显减小,陶瓷的烧结温度降低;在介电性能方面,随掺妮量的增加,居里峰向低温方向移动,居里峰处的介电常数值逐渐减小。

采用溶胶一凝胶法制备了妮钻钦复合掺杂钦酸钡粉体及陶瓷,研究了预烧温度、妮钻比、掺杂方式等对陶瓷结构和介电性能的影响。

结果发现:固相掺杂时,1150℃2/h预烧陶瓷的介温谱出现“壳一芯”结构所具有的双峰现象;液相掺杂时,1200℃2/h预烧陶瓷的介温谱出现双峰,室温介电常数达到3550,介电损耗小于1.5%,具有较好的介电温度稳定性。

总之,本文采用溶胶一凝胶法制得单独掺杂妮、钻、钦的钦酸钡基陶瓷,并研究了掺杂量、预烧温度、钦钡比等对陶瓷的结构和性能的影响。

陶瓷储能电容器的关键技术1对钛酸钡粉体掺杂改性

陶瓷储能电容器的关键技术1对钛酸钡粉体掺杂改性


3.2控制粒径大小、粒径分布和组分及相的均一性
实践表明,紧靠钛酸钡的掺杂改性,是不能同时实现钛酸钡介 电常数和温度系数改善。根据晶粒的尺寸效应,随着晶粒尺寸[] 增大,钛酸钡的介电常数是先增大后减小的。实验表明,当钛酸 钡的粒径为1.116um时[4],其介电常数最大。因此,在烧结过程中, 控制钛酸钡粒径大小是提高介电常数的一个重要途径。此外均匀、 的粒径分布、均匀的组成分布、均一的相结构和致密的结构也是 提高介电常数和改善温度系数的重要因素。 目前科研人员多采用溶胶-凝胶法来制备高纯度、亚微米级的 钛酸钡。
L/O/G/O
陶瓷储能电容器
天津大学 电子信息工程学院 王月
天津大学电子信息工程学院
摘要:陶瓷储能电容器由于具有比功率密度大、比能量 密度大、充放电时间短、循环寿命长、温度使用范围广 等优点,有可能成为新一代的储能装置,已成为各方关 注的焦点。本文将简单介绍陶瓷电容器的储能原理及极 化机制,从钛酸钡粉体的掺杂、粉体粒径、击穿电压三 Click to add title in here 方面分析了陶瓷储能电容器的关键技术。

图1.电极附近的空间电荷
实际上,晶界、相界、晶格缺陷等缺陷区都可以阻挡自由 离子的运动。因此,自由离子再外加电场的作用下聚集在缺 陷处,形成空间电荷(图2)。
该理论认为包裹氧化铝后 形成大量氧空位,氧空位 偏聚在钛酸钡和绝缘晶界 附近,导致空间电荷极化 加强,形成了晶界效应。

下表是目前市场上电动汽车的技术指标[1]:

从上表可以看出,这些传统电池都不能很好的达到电动汽车 的要求,于是人们开始寻找各方面性能都比较优异且价格适中 储能器件,而陶瓷电容器恰好具备满足电动汽车各项要求的性 能,成为科学研究的焦点。下表陶瓷储能电容器与电池性能比 较:

掺杂离子及掺杂工艺对钛酸钡性能的影响

掺杂离子及掺杂工艺对钛酸钡性能的影响
除放射性元素 Pm 外 ,其它 16种稀土元素 ( Sc,
Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm , Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm , Yb, Lu)离子均可对 BaTiO3进行掺杂 。由于对应离子电 价不等的原因 ,它们在 B aTiO3中的固溶极限较小 , 但对 B aTiO3性能的改善却十分显著 。大量研究表 明 : La, Nd, Sm , Eu 这 4 种元素的离子主要取代 A 位 ; Dy, Yb, Lu这 3种元素的离子主要取代 B 位 ;而 其它元素的离子则既有可能取代 A 位 ,也有可能取 代 B 位 [ 4 - 5 ] 。通过电价补偿 ,稀土元素离子对 A 位 的施主掺杂可以有效地使 B aTiO3半导化 。 Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm , Gd, Tb, Dy, Ho, Er可使 B aTiO3陶瓷 半导化 ; Lu元素可使 BaTiO3半导化 ,但电阻率很高 ; 而 Eu, Yb两种元素不能使 BaTiO3陶瓷半导化 ,而成
为绝缘体 [ 6 - 7 ] 。另外 ,在稀土元素掺杂的 B aTiO3陶 瓷中 ,再加入 Cu, M n元素 ,可以有效地增大电阻比
ρ m ax
ρ / [ 8 ] m in
。利用稀土元素离子使
B aTiO3半导化的
特性可将其制成 PTC热敏电阻陶瓷元件 ,在家用电
器 ,军用 、宇航用电子产品以及汽车制造业有着广泛
18
无机盐工业 第 37卷第 9期
B aTiO3基固溶体的居里峰显著向高温方向移动的同 时 ,介电常数也随之降低 。在 B aTiO3中掺入 Pb2 + , Pb2 +取代 A 位 ,由于 Pb2 + 的半径小于 B a2 + 的半径 , 活动空间相对较大 ,因此更容易沿晶轴迁移而形成 四方相晶核 ,使钛酸钡晶体按四方相方式生长 ,有利 于四方相钛酸钡的形成 。掺铅的钛酸钡更容易烧 结 ,烧结温度随铅掺入量的增加而降低 。但铅会对 环境造成污染 ,且对钛酸钡的介电性能造成不良影 响 ,因此很少单独使用 。 1. 3 Sr2 + , Zr4 +和 Sn4 +掺杂对 B aTiO3性能的影响

超细(Ba,Sr)TiO3基陶瓷电容器的掺杂改性研究

超细(Ba,Sr)TiO3基陶瓷电容器的掺杂改性研究

超 2 ( a rTO 基 陶瓷 电容器 的掺杂 改性研究  ̄ B , )i3 S
管 浩, 黄新 友 , 国 军 黄
( 苏 大 学 材 料 科 学 与 工 程学 院 , 苏 镇 江 2 1 ) 江 江 10 3
, I c

要 : 了得 到性 能 优 良 的超 细 电 容 器 陶瓷 , 用 改 进 的 溶 胶 一 胶 法 制 备 高 纯 、 细 B aSn i, 体 , 得 粉 体 平 均 为 采 凝 超 avr TO 粉 3 所
Suyo 0 gmoictno t -n B td nd n df ai f laf e( i o ur i
0 e i fr a air 3 蛐 c o pct s c c o
G N a H NG Xi— o , A UA H o, UA n y u HU NG ojn Gu -u
Zn , n , 2 , 03 sr w tra s s d e , d e e to ed p t d s tr g t mp r t r n d e e t cp o e t s O M O Bi Y2 a mae l 03 a i wa t i d a f c f t o a s a i e i e e a u e o i lcr r p r e u n h n n n n i i n cot tr f a dr ir s cu eo T e a c s ay e . ee t cc n tn dd ee  ̄ cl s o a h 2 2 3a d 00 4 r s e t ey. n m BS c rmi s Wa a lz d Dilcr o sa t a lc s dd r c 0 .0 p c i l n i n i o c e n e v g meh d u t - o e ; ilc r p o e t s a a i r i n c i o K w词 8 Ba 7S oT O3 s l e t o ; l a f ep wd r d e e ti r p r e ;c p c tr : o ro i ;o - l

钛酸钡介电陶瓷制备方法及其掺杂改性研究进展

钛酸钡介电陶瓷制备方法及其掺杂改性研究进展
电子 陶 瓷材料 主 要 是 指 具 有 电 磁 功 能 的一 类 陶瓷 。近
钛酸 钡具有 铁 电性能 l 5 ] 。
在不 同的温 度下 , 钛 酸 钡 具 有 不 同 的 晶 型结 构 , 纯 的钛
酸钡 ( B a Ti O 。 ) 的居里 点约 为 1 2 0℃ , 此 时具有 最大 的介 电常 数, 约1 4 0 0 。但 是在 室温 下 B a Ti O。 介 电常数 较小 , 大约 为居 里点 的 1 / 6 , 这使 其应 用受 到 了极 大 的限制 。近 年来 , 通过 在
Ab s t r a c t As a n i mp o r t a n t a n d n e w d i e l e c t r i c c e r a mi c ma t e r i a l ,Ba Ti Oa h a s a h i g h d i e l e c t r i c c o n s t a n t ,h i g h r e —
性 能, 可 以用 来制造光 电和介 电材料 。为 了提 高钛 酸钡在 室温下的介 电常数 使其 得到 广泛的应 用 , 通常在钛 酸钡 中 加入 一些其 他物质对其进行改性研究 。在对钛酸钡材料 常用的制备 方 法介 绍的基础 上 , 结合研 究 实际 , 重点综述 了 其掺 杂改性 的研 究现状 。只有不断开发钛酸钡材料新 的制备 方 法并对其进行 改性研 究 , 才能使 其性 能不 断提 高, 应
Di e l e c t r i c Ce r a mi c s Ma t e r i a l J I AO Ge n g s h e n g
( Co mp o s i t e s Te c h n o l o g y Re s e a r c h Ce n t e r , We i n a n No r ma l Un i v e r s i t y ,W e i n a n 7 1 4 0 0 0 )

钛酸锶钡基复合陶瓷的储能性能及其改性研究

钛酸锶钡基复合陶瓷的储能性能及其改性研究

钛酸锶钡基复合陶瓷的储能性能及其改性探究关键词:钛酸锶钡基复合陶瓷;储能性能;氧化状态;掺杂离子;改性探究1.引言钛酸锶钡基复合陶瓷因其优异的介电性能和储能性能,成为了一种备受探究者关注的新型储能材料。

其具有高介电常数、低损耗、高比能量等优良特性,被广泛应用于电子元器件、储能电容器和高性能电磁波吸纳材料等领域。

在实现钛酸锶钡基复合陶瓷材料的性能优化和广泛应用之前,我们需要深度了解其制备、结构和性能之间的干系,以及影响储能性能的因素。

2.钛酸锶钡基复合陶瓷的制备与性质2.1 钛酸锶钡陶瓷的基本结构与性质钛酸锶钡陶瓷是由钛酸锶(SrTiO3)和钛酸钡(BaTiO3)两种单质混合形成的一种复相陶瓷材料。

其化学式为(1-x)BaTiO3-xSrTiO3。

在理论结构上,钛酸锶钡陶瓷由多个钛酸锶和钛酸钡单晶颗粒组成,形成了一个完整的二元体系。

钛酸锶钡陶瓷具有许多优良的物理特性,如高介电常数、低损耗、高比能量和良好的耐热性等。

2.2 钛酸锶钡基复合陶瓷的制备方法钛酸锶钡基复合陶瓷的制备方法有多种,其中包括传统的固相合成法、溶胶-凝胶法、水热法等。

目前,在详尽应用方面,通常使用的是固相合成法和溶胶-凝胶法。

2.3 影响钛酸锶钡基复合陶瓷储能性能的因素钛酸锶钡基复合陶瓷的储能性能受多种因素的共同影响,包括陶瓷材料的制备方法、化学组成、晶体结构、氧化状态以及掺杂离子等因素。

3.影响钛酸锶钡基复合陶瓷储能性能的因素3.1 氧化状态对钛酸锶钡基复合陶瓷储能性能的影响氧化状态是影响钛酸锶钡基复合陶瓷储能性能的重要因素,它可以改变晶体结构和材料的电学性质。

试验表明,当氧化状态较高时,钛酸锶钡基复合陶瓷具有更好的储能性能。

这是由于氧化状态的提高可以增强晶体的电学响应、提高介电常数和比能量,同时降低了材料的损耗。

3.2 掺杂离子对钛酸锶钡基复合陶瓷储能性能的影响掺杂离子是影响钛酸锶钡基复合陶瓷储能性能的另一重要因素。

添加适量的掺杂离子可以引起晶格畸变、提高空间电荷极化和介电响应,从而提高储能性能。

钛酸钡粉体的表面包覆与电子陶瓷改性

钛酸钡粉体的表面包覆与电子陶瓷改性
对钛 酸 钡粉体 的 包覆效 果 ; 讨 了掺 杂 工艺 对 Y掺 杂钛 酸 钡 陶瓷 半 导化 和 室温 电 阻率的 探
影响, 以及 用非均 匀形核 表 面淀积 包覆 工艺制备 的 陶瓷 P C T R和 细 晶介质 陶瓷 的性质 . 润 湿性 实验显 示 , 用表 面淀 积 包覆 工 艺确 实能获得 良好 的 包覆 效 果 利 关键词 : 钛酸钡; 粉体; 表面包 覆; 电子陶瓷; 非均匀形核; 毛细管浸润性; 半导体; 电介质
面包覆 的研 究一 直 在 进行 中¨ J但 是 , . 电子 功 能 材
料组成 比较 复杂 , 结构 精确 控制 比较 困难 , 因此 电子 陶瓷制 造工 艺一 直 以来 以氧 化 物 固相 反 应 法 为 主 , 非 均匀 形核 表面 淀积包 覆工 艺在发 展功 能材 料方 面 的应用 做得 很 少 , 其 在可 溶 性 N 尤 b盐 溶 液 制 备 和 仓储 比较 困难 的情 况下 更 是 如 此 . 相淀 积 表 面 包 液
中图分类号 : Q 7 T 4 1
文献标识码 : A
钛 酸钡 ( a i 简 记 为 B ) B TO , T 已被广 泛应 用于研
晶相 材
究 和发 展各种 电子 陶瓷 元 器 件. 电子 陶瓷 的性 能 主 要 取决 于其 化学 组成 、 相结 构与微 结构 . 它们 与制 备 工艺有 着 十分密 切 的关 系 . 随着 科 学技 术 的进 步 和
对 电子 元器 件 的微小 型化 、 集成化 、 功能化 和绿 色 多
料, 以可溶性无机盐 , 例如新鲜制备草酸铌、 其它金
属元 素硝 酸盐 、 酸钠 或 者 醇 化正 硅 酸 乙酯 为改 性 硅 杂质 金属 离子 源 , 用 非 均 匀形 核 表 面 淀积 包 覆 方 采 法( 简称 为表 面淀积包 覆工 艺 ) 在水 热 B T纳米 晶粉 体表 面 淀 积 改 性 金 属元 素 , 如 Y,aN ,o Z , 例 L , b C ,n MgS, ,iMn等 的氧 化 物 或 者 它们 的 水 合 物 , 图 达 以 到改 性杂 质氧 化物与 B T水热 粉 体在 纳 米 水平 上 的 均匀 混合 , 实现 对 陶瓷化 学组成 、 相结 构与 微结构 的 准 确 控 制 , 而 达 到 对 电子 陶 瓷 性 能 的设 计 、 剪 从 “ 裁 ” 文 中还 探 讨 了表 面淀 积 包 覆 工 艺 、 制方 法 、 . 控 表 面包覆 效果 的表 征 和包 覆 粉 体 特性 , 及其 在 电子

钛酸锶钡基中高压电容器陶瓷的改性研究的开题报告

钛酸锶钡基中高压电容器陶瓷的改性研究的开题报告

钛酸锶钡基中高压电容器陶瓷的改性研究的开题报告论文题目:钛酸锶钡基中高压电容器陶瓷的改性研究一、研究背景及意义随着电子技术的不断发展,电子产品的电路板及部件尺寸越来越小,而对于高压电容器来说,其体积却难以大幅缩小。

传统的高压电容器陶瓷材料存在电容量小、失谐因子高以及温度稳定性差等问题。

因此,新型高压电容器陶瓷材料的研究具有重要意义。

钛酸锶钡基材料是一种优良的高温陶瓷材料,具有良好的稳定性和高介电常数,是一种理想的高压电容器材料。

然而,其电容量仍然不够大,需要通过改性手段来提高其性能。

二、研究内容本文拟研究钛酸锶钡基中高压电容器陶瓷材料的改性方法,以提高其电容量及稳定性。

主要内容包括以下几个方面:1. 实验方法的建立:包括原材料的采购、制备方法的确定、实验过程所需仪器设备的选购。

2. 改性剂的筛选:通过探究不同的改性剂,选择适合钛酸锶钡基陶瓷材料的改性剂。

3. 改性效果评估:通过对比改性前后的钛酸锶钡基陶瓷材料性能的变化,评估改性效果。

4. 优化改性方案:根据评估结果,优化改性方案,进一步提高材料性能。

三、预期成果本文预期可达成以下几个方面的成果:1. 建立一套可靠的钛酸锶钡基中高压电容器陶瓷材料制备实验方法。

2. 筛选出适合钛酸锶钡基陶瓷材料的改性剂。

3. 通过改性手段,提高钛酸锶钡基陶瓷材料的电容量及稳定性。

四、研究方法本文主要使用实验研究方法,包括以下步骤:1. 原料制备:选取适当的钛酸锶钡粉末,按照一定比例混合,制备出陶瓷坯。

2. 改性剂的筛选:通过探究不同的改性剂,选择适合钛酸锶钡基陶瓷材料的改性剂。

3. 陶瓷材料制备:将改性剂与钛酸锶钡粉末混合,再制备出陶瓷坯。

4. 性能测试:分别在不同的温度下测试改性前后的陶瓷材料的电容量、失谐因子等性能。

5. 结果分析:根据实验结果,评估改性效果及优化改性方案。

五、研究进展目前,已经完成了相关文献搜集及文献阅读、钛酸锶钡陶瓷材料的制备实验的初步尝试。

多层陶瓷电容器用钛酸钡的研制

多层陶瓷电容器用钛酸钡的研制
多层陶瓷电容器用钛酸钡的研 制
01 引言
03 制备方法
目录
02 材料选择 04 工艺流程
05 性能测试
07 结论
目录
06 结果与讨论
引言
随着科技的快速发展,电子元器件的微型化和高性能化已成为趋势。多层陶 瓷电容器(MLCC)作为一种重要的电子元器件,在便携式设备和航空航天等领域 得到了广泛应用。而钛酸钡作为MLCC的关键材料之一,具有优异的介电性能和稳 定的化学性质,是制备高性能MLCC的关键要素。本次演示将介绍多层陶瓷电容器 用钛酸钡的研制,旨在提高MLCC的性能和稳定性。
工艺流程
制备多层陶瓷电容器用钛酸钡的工艺流程如下:
1、配料:按照钛酸钡的化学计量比,计算并称量钛酸钡的原料。
2、溶液制备:将称量好的原料溶解在适量的溶剂中,制备成均匀的溶液。
3、共沉淀:向上述溶液中加入沉淀剂,使钛和钡离子生成沉淀。控制沉淀 剂的用量和反应温度,以保证生成的沉淀为钛酸钡。
4、过滤与洗涤:将生成的沉淀过滤,并用溶剂洗涤以去除残余的杂质。
4、通过优化配料比例、溶液制备条件、热处理温度等工艺参数,可以进一 步提高钛酸钡粉末及所制备的MLCC的性能。
结论
本次演示介绍了多层陶瓷电容器用钛酸钡的研制,详细探讨了材料选择、工 艺流程、性能测试、结果与讨论等方面。
感谢观看
9、烧成与调整:将生坯进行烧成,使各组分发生相变和结晶,然后对烧成 后的MLCC进行性能调整。
10、测试与检验:对制备好的MLCC进行性能测试和检验,确保满足设计要求。
性能测试
为了评价多层陶瓷电容器用钛酸钡的性能,需要进行一系列测试。主要的测 试项目包括介电常数、介质损耗因数、绝缘电阻、耐电压等。这些测试通常采用 电子万能试验机、LCR数字电桥、高温炉等设备和仪器进行。通过这些测试,可 以获得钛酸钡粉末及所制备的MLCC的性能数据,从而评估其质量和可靠性。

基于掺杂改性的钛酸钡基陶瓷介电性能的研究进展

基于掺杂改性的钛酸钡基陶瓷介电性能的研究进展

基于掺杂改性的钛酸钡基陶瓷介电性能的研究进展李远亮;郑占申;顿温新;贺兴辉;王重言;刘媛媛;李金哲;张一旋【期刊名称】《陶瓷》【年(卷),期】2018(0)8【摘要】首先概述了制备工艺即研磨时间、预烧温度、烧结温度、保温时间以及烧结工艺和制备方法即高温固相法、溶胶凝胶法、水热法、沉淀法以及其它新型制备方法对钛酸钡基陶瓷介电性能的研究进展;其次综述了单一元素及多种元素对钛酸钡陶瓷掺杂的研究进展;重点介绍了不同种类的元素及其含量对钛酸钡介电常数及介电损耗的影响;介绍了稀土元素的含量与其进入晶格间位的关系;最后对这一研究方向的未来及其发展做了展望.【总页数】8页(P11-18)【作者】李远亮;郑占申;顿温新;贺兴辉;王重言;刘媛媛;李金哲;张一旋【作者单位】华北理工大学材料科学与工程学院河北省无机非金属材料重点实验室河北唐山 063210;华北理工大学材料科学与工程学院河北省无机非金属材料重点实验室河北唐山 063210;华北理工大学材料科学与工程学院河北省无机非金属材料重点实验室河北唐山 063210;华北理工大学材料科学与工程学院河北省无机非金属材料重点实验室河北唐山 063210;华北理工大学材料科学与工程学院河北省无机非金属材料重点实验室河北唐山 063210;华北理工大学材料科学与工程学院河北省无机非金属材料重点实验室河北唐山 063210;华北理工大学材料科学与工程学院河北省无机非金属材料重点实验室河北唐山 063210;华北理工大学材料科学与工程学院河北省无机非金属材料重点实验室河北唐山 063210【正文语种】中文【中图分类】TQ174【相关文献】1.低烧钛酸钡基介电陶瓷的研究进展 [J], 杜锋涛;赵俊英;畅柱国;崔斌;唐宗薰2.介电温度稳定型钛酸钡基陶瓷的研究进展 [J], 赵俊英;崔斌;畅柱国;唐宗薰3.钛酸钡介电陶瓷制备方法及其掺杂改性研究进展 [J], 焦更生;4.取向多孔钛酸钡基陶瓷的介电与压电性能 [J], 鲍寅祥;张妍;周科朝;黄伯云5.镧、铈掺杂对钛酸钡基介电陶瓷性能的影响 [J], 范素华;胡广达;张丰庆;岳雪涛;任艳霞;徐静因版权原因,仅展示原文概要,查看原文内容请购买。

钛酸锶钡微波铁电材料掺杂改性研究的开题报告

钛酸锶钡微波铁电材料掺杂改性研究的开题报告

钛酸锶钡微波铁电材料掺杂改性研究的开题报告一、题目钛酸锶钡微波铁电材料掺杂改性研究二、研究背景钛酸锶钡(SrBaTiO3,SBT)是一种具有良好铁电性能的材料,在微波通信、芯片电容器、电源等领域具有广泛用途。

然而,传统的SBT 材料存在着一些问题,例如铁电体积效应引起的压电畸变和晶格失稳,从而限制了SBT材料的性能和应用。

为了解决这些问题,一种常用的方法是通过掺杂改性来改善材料性能。

目前,已有很多研究表明,掺杂某些元素后可以提高SBT材料的压电常数、热稳定性和耐久性等性能。

三、研究内容和意义本研究将以SBT材料为基础,通过掺杂改性的方法,研究不同掺杂元素对SBT材料性能的影响。

通过合成不同掺杂比例的SBT材料,并进行结构分析、电学性能测试等实验,分析不同掺杂元素对SBT材料的晶体结构、铁电性、介电性、压电性等性能的影响。

本研究的意义在于:1. 深入研究了SBT材料的基础性能和掺杂改性的方法,为进一步制备具有优异性能的铁电材料提供技术支持。

2. 对掺杂某些元素后SBT材料的性能提升机制进行了深入探究,为继续研究其他铁电材料的改性提供借鉴。

四、研究方法和流程研究方法:1. 合成不同掺杂比例的SBT材料。

2. 对合成的材料进行晶体结构分析,包括X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)等。

3. 测试掺杂后SBT材料的物理性能,包括铁电性能、压电性能、介电性能等。

4. 分析不同掺杂元素对SBT材料性能的影响。

研究流程:1. 预处理原料,如TiO2、SrCO3、BaCO3等。

2. 合成不同掺杂比例的SBT材料。

3. 对合成的材料进行晶体结构分析,包括XRD、SEM等。

4. 测试掺杂后SBT材料的物理性能,包括铁电性能、压电性能、介电性能等。

5. 数据分析,分析不同掺杂元素对SBT材料性能的影响。

五、预期成果1. 成功合成不同掺杂比例的SBT材料。

2. 得到掺杂后SBT材料的物理性能数据,并分析不同掺杂元素对SBT材料性能的影响。

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下表是目前市场上电动汽车的技术指标[1]:

从上表可以看出,这些传统电池都不能很好的达到电动汽车 的要求,于是人们开始寻找各方面性能都比较优异且价格适中 储能器件,而陶瓷电容器恰好具备满足电动汽车各项要求的性 能,成为科学研究的焦点。下表陶瓷储能电容器与电池性能比 较:

3.2控制粒径大小、粒径分布和组分及相的均一性
实践表明,紧靠钛酸钡的掺杂改性,是不能同时实现钛酸钡介 电常数和温度系数改善。根据晶粒的尺寸效应,随着晶粒尺寸[] 增大,钛酸钡的介电常数是先增大后减小的。实验表明,当钛酸 钡的粒径为1.116um时[4],其介电常数最大。因此,在烧结过程中, 控制钛酸钡粒径大小是提高介电常数的一个重要途径。此外均匀、 的粒径分布、均匀的组成分布、均一的相结构和致密的结构也是 提高介电常数和改善温度系数的重要因素。 目前科研人员多采用溶胶-凝胶法来制备高纯度、亚微米级的 钛酸钡。
图2.缺陷处聚集的空间电荷

2.2晶界层理论[2] 晶界层电容器(GBLC)是由高介电常数的晶粒相和高介电强度 的晶界相组成的“芯-壳”结构,如图3所示
图3.理想钛酸钡“芯-壳”结构

内部的晶粒呈半导体性,外部晶界具有绝缘性质,两个晶粒和其 间的绝缘境界相当于一个小电容,于是整个结构可以看成许多个 小电容并联和串联(图2),使得整个晶界层电容器具有很高的介电 常数。
关键词:储能,关键技术,陶瓷电容器
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引言 迫于石油资源与环保等方面的压力,近年各国都 在大力发展电动汽车,而电动汽车的技术核心就是动 力电池。作为电动汽车的动力电池,目前主要有锂电 池、镍氢电池、燃料电池和超级电容器。电动汽车对 电池的比功率密度、比能量密度、充放电时间、循环 寿命、价格以及安全性等方面都有较高的要求,但是 上述电池都有其自身的局限性。
1.增大电容(C)
2.提高击穿电压
(V)
2.陶瓷储能电容器极化机制
目前对于陶瓷储能电器的极化机制,主要存在空间电荷极化 假说和晶界层理论假说。 2.1空间电荷极化 空间电荷极化一般存在不均匀的介质中,由于外加电场, 引起正负离子发生相对运动,介质内部个点离子浓度发生变化 产生电偶极子。聚集在电极附近的电荷就是空间电荷(图1)。
L/O/G/O
陶瓷储能电容器
天津大学 电子信息工程学院 王月
天津大学电子信息工程学院
摘要:陶瓷储能电容器由于具有比功率密度大、比能量 密度大、充放电时间短、循环寿命长、温度使用范围广 等优点,有可能成为新一代的储能装置,已成为各方关 注的焦点。本文将简单介绍陶瓷电容器的储能原理及极 化机制,从钛酸钡粉体的掺杂、粉体粒径、击穿电压三 Click to add title in here 方面分析了陶瓷储能电容器的关键技术。

1.陶瓷储能电容器的原理
陶瓷电容器的储能分别与电容量和击穿电压成正比,其定义 式:
1 E CV 2 2
显然,要获得高储能只有两种途径: 由电容的定义可知,要增大电容的电 容量,最终主要是由介电常数决定的。 而提高击穿电压则是与其制作工艺密 切相关。

图5.钛酸钡的钙钛矿结构

在钛酸钡结构中,由于Ba离子的半径较大,这使由Ba离子和 O离子组成的面心立方结构的晶胞尺寸变大,这也导致了体心的 Ti离子在氧八面体空隙中易于偏离体心位置,形成电偶极子。另 外,小离子半径的Ti离子也使得这个面心立方结构具有一定的松 散性。 掺入稀土元素Y3+、Nd3+取代Ba2+,掺入的Y3+、Nd3+ 起施主作 用,多余的一个电子被弱束缚在其附近,弱束缚电子被最近邻 的Ti4+俘获,使Ti4+变价还原为Ti3+,通过跳跃参与导电,提高 载流子密度,进而提高介电常数。已有实验显示,在钛酸钡中 添加La、Ce、Nd,得到相对介电常数为20720、损耗较小、容温 变化率较小的Y5V 型三稀土掺杂钛酸钡陶瓷材料。来自图1.电极附近的空间电荷
实际上,晶界、相界、晶格缺陷等缺陷区都可以阻挡自由 离子的运动。因此,自由离子再外加电场的作用下聚集在缺 陷处,形成空间电荷(图2)。
该理论认为包裹氧化铝后 形成大量氧空位,氧空位 偏聚在钛酸钡和绝缘晶界 附近,导致空间电荷极化 加强,形成了晶界效应。
有人认为,认为包裹氧化铝后形成大量氧空位,氧空位偏聚 在钛酸钡和绝缘晶界附近,导致空间电荷极化加强,形成了晶 界效应。晶界层起到阻挡载流子的运动,同时调整核壳比,控 制晶界层厚度也能提高耐击穿强度,减小电容的非线性效应。 是否有晶界层电容存在仍处在探索阶段。


3.3提高陶瓷超级电容器的击穿电压强度
钛酸钡单晶的击穿电压强度可以达到3000KV/mm 以上。采用 高纯度的钛酸钡粉体,将提高击穿电压强度。对半导体化的钛 酸钡进行包裹,其目的就是提高击穿电压,从而达到提高电容 器储能的目的。此外,在烧结过程中,包裹物往往是以液相的形 式存在,这会降低烧结温度,提高陶瓷电容器的致密度,改善 样品的微观结构。
图4 “芯-壳”结构等效图
该理论认为在钛酸钡基陶瓷外面包裹特定的金属氧化物,然后 在进行热处理,该包裹物与钛酸钡形成低共熔相会沿着晶界出浸 入,所形成的结构恰为上面所谓的“芯-壳”结构。

3.陶瓷储能电容器的关键技术
3.1对钛酸钡粉体掺杂改性[3] 钛酸钡是典型的钙钛矿结构,其中Ba和O离子共同组成面心立方 点阵,每个Ba离子被与其相邻的12个O离子包围,钛离子则进入氧 八面体的空隙中,也可以看成大离子A(ABO3)位于角上,B离子位 于体心,O离子位于面心(图3)。
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