静电放电(ESD)最常用的三种模型及其防护设计

  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

ESD :ESD 的相关种,下面介 1.HBM 该模型等效电路如

2.MM 机器模型与人体模于机器模型于人体模型

静Electrostat 关知识。为介绍最常用M :Human 型表征人体如下图。图M :Machine 模型的等效模型的差异型放电时没型。

电放电(tic Discharg 为了定量表征用的三种。

Body Mode 体带电接触器图中同时给出ES e Model ,机效电路与人体异较大,实际没有电阻,且

ES ESD)最常ge ,即是静征ESD 特性el ,人体模器件放电,出了器件 H SD 人体模型机器模型:体模型相似际上机器的且储电电容SD

机器模型常用的三静电放电,每性,一般将模型:

Rb 为等效HBM 模型型等效电路

似,但等效的储电电容变容大于人体模

型等效电路三种模型每个从事硬ESD 转化成效人体电阻的ESD 等级路图及其ESD 电容(Cb)是变化较大,模式,同等路图及其

ESD 及其防护硬件设计和生成模型表达方1.5k Ω,Cb 级。

D 等级

200pF ,等但为了描述等电压对器件D 等级

护设计

生产的工程方式,ESD b 为等效人等效电阻为(述的统一,

件的损害,程师都必须掌的模型有很人体电容100(Rb) 0,机器取 200pF 机器模式远掌握很多0pF 。器模。由远大

3.CDM 半导体运输及存贮擦,就会使的器件通过

器件的一般给出的 通过器较大,某些会比较低。 ESD 防

ESD 防板防护设计还不能满足的ESD 直接 一般整计是在器件的。ESD 是压限制、电M :Charged 体器件主要贮过程中,使管壳带电过管脚与地的ESD 等级的是HBM 器件的ESD 些管脚的E 。

防护是一项防护设计可计可以提高足要求时,接加载到器整机、单板件不能满足是电荷放电

电流限制、d Device Mo 要采用三种封由于管壳与电。器件本身地接触时,发ESD 级一般按以上和MM 。

D 数据可以了SD 电压会特项系统工程,可分为单板防高单板ESD 水需要进行应器件,所以加板、接口的接足ESD 环境要电,具有电压

高通滤波、odel ,充电封装型式(金与其它绝缘身作为电容发生对地放充电器件模上三种模型了解器件的特别低,一需要各个ESD 防护设计、水平,降低应用环境设加工环境的接触放电应要求的情况压高,持续

、带通滤波电器件模型:金属、陶瓷缘材料(如包容器的一个极放电引起器件模型等效电型测试,大部的ESD 特性一般来说,高个环节实施全D 防护设计系统防护设低系统设计难设计防护设计的ESD 防护应达到±2000况下,通过衰续时间短的特

波等方式实现:

瓷、塑料)。包装用的塑料极板而存贮件失效而建电路图及其部分ESD 敏感,但要注意高速端口,全面的控制计流程图

设计、加工难度和系统计。ESD 敏是至关重要0V(HBM)以衰减加到器特点,根据现。

它们在装配料袋、传 递贮电荷。CD 建立的,器件ESD 等级

感器件手册意,器件的每高阻输入端制。下图是一工环境设计和统组装的静敏感器件在装要的。

上的防护要器件上的ES

据这些特点,配、传递、递用的塑料DM 模型就是件带电模型上都有器件每个管脚的端口,模拟一个ESD 防和应用环境电防护要求装联和整机要求。器件D 能量达到,ESD

能量试验、测试料容器等)相互是基于已带型如下: 件的ESD 数据的ESD 特性差拟端口ESD 防护的流程图境防护设计求。当系统设机组装时,环件的ESD 防护到保护器件的量衰减可通过试、互磨带电据,差异电压图: ,单设计环境护设的目过电

相关文档
最新文档