金属电子逸出功的测定_大学物理实验

实验311 金属电子逸出功的测定

但其电流不计入阳极电流中，这样使其成为
理想二极管。
图2 理想二极管的结构
大学物理实验
实验原理：
1.电子的逸出功及热电子发射
（1）逸出功：电子逸出金属表面至少需要从外界得到的能
量为 E0Eb ，EF称为e金属E电0 子的逸出功，
也称功函数
e是电子电荷，称为逸出电位，EF 称为费密能级， Eb 势阱的深度。
If值时为何要预热几分钟才测量？
大学物理实验
作业：
完成本次实验的数据处理，预习下一次实验内容。
大学物理实验
3.从加速场外延求零场电流
肖脱基效应：外加电场Ea使逸出功减小，发射电流增大的现象
Ia I0e x p (0 .4 3 9E a/T )
(3 )
式中Ia和I0分别是加速电场为Ea和零时的发射电流
对（3）式取对数得
0 .4 3 9 lgIa lgI02 .3 0E a/T
(4 )
0.550A 。 4.调节理想二极管的阳极电压，使阳极电压分别为
25.0V、36.0V、49.0V、64.0V……144.0V电压，分
别测出对应的阳极电流Ia，记录相应的数据.
大学物理实验
5.二极管的灯丝电流，每次增加0.050A，重复上述测量，直至0.800A。每改变一次灯丝电流都要预热5 分钟。
大学物理实验
将电场E用电压V来代替得：
lgIalgI002.4 .3309
1 r1lnrr1 2
Va/T
(5)
当阴极的温度T一定时，lgIa和 V a 成线性关系
大学物理实验
如果以lgIa为纵坐标，以
Va
V a为横坐标作图，如图
T5
5所示，此直线的延长 lgI0

实验5金属逸出功

实验5.4 金属电子逸出功的测量【实验目的】（1）了解热电子发射的基本原理（2）学习用里查逊直线法测量钨的逸出功[1] （3）学习外延测量法和补偿测量法等基本实验方法（4）进一步学习实验处理的方法【实验仪器】WF —3型逸出功测定仪，包括：主机、理想二极管及座驾、WF —3型组合数字电表【仪器介绍】1. 理想（标准）二极管2. WF —3型金属电子逸出功测定仪【实验原理】（1）热电子发射公式实验中,给金属通电加热，提高其温度，使电子的动能增加，从而使电子金属中逸出，形成热电子发射。

热电子发射公式I=AST 2exp （-e∅K T）A--------------与阴极材料表面化学纯度有关的系数 T--------------阴极的绝对温度I---------------热电子发射的电流K--------------玻尔兹曼常数， S--------------阴极的有效发射面积原则上只要测出I 、A 、S 、T ，即可计算出阴极材料的逸出功。

但由于A ，S 这两个量难以直接测定以及肖特基效应[2]，还不能求出逸出功。

在实际测量中，常用以下测量和数据处理的方法：（3）用里查逊直线法测逸出功将热电子发射公式两边除以T 2，再取对数得2311.3810J k k --=⨯⋅lg IT 2=lg （AS ）-5.039X 103∅T可见，lg IT 2与1T 成线性关系。

由直线的斜率可得出金属的逸出电位。

这种方法称为里查逊直线法。

（5）零场电流的测量加速电场为零时阴极的发射电流称为零场电流I 。

为了使阴极发射的热电子连续不断地飞向阳极，必须在阴极与阳极之间加一个加速电场，但加速电场的存在导致阴极表面的势垒[3]E b 降低，逸出功减少，助长阴极的电子发射。

可以证明，阴极热电子发射电流与加速电场的关系为I a =Iexp （0.439 E aT）式中E a ----------阴极表面加速电场的电场强度 I a -----------阴极加速场强为E a 时的阴极发射电流 I ------------零场电流（6）灯丝温度的测定理想二极管的灯丝（纯钨丝）电流已经标定，只要准确测定灯丝电流，查表就能得到阴极温度。

金属电子逸出功的测定实验报告

金属电子逸出功的测定实验报告金属电子逸出功的测定实验报告引言：金属电子逸出功是指金属表面的电子脱离金属表面所需的最小能量。

测定金属电子逸出功对于理解金属的电子结构以及应用于光电子学等领域具有重要意义。

本实验旨在通过测定金属电子逸出功的实验方法，探究金属电子的逸出行为，并分析其与金属表面性质的关系。

实验材料与仪器：本实验使用的材料为常见的金属样品，如铜、铝等。

实验所需仪器包括电子能谱仪、真空系统、光源等。

实验步骤：1. 准备金属样品：选择适当的金属样品，并将其表面清洗干净，以确保实验结果的准确性。

2. 搭建实验装置：将金属样品放置于真空系统中，确保系统处于良好的真空状态。

调整光源的位置和强度，以保证实验的可靠性。

3. 测定电子能谱：通过电子能谱仪测定金属样品的电子能谱曲线。

在实验过程中，可以调整光源的波长和强度，以获得不同能量下的电子能谱数据。

4. 分析数据：根据电子能谱曲线，确定金属电子的逸出功。

通过计算能量差值，可以得到电子逸出所需的最小能量。

结果与讨论：根据实验数据，我们可以得到不同金属样品的电子逸出功数值。

通过对比不同金属的逸出功，我们可以发现金属的电子逸出功与其物理性质之间存在一定的关系。

首先，金属的电子逸出功与其导电性能有关。

一般来说，导电性能较好的金属具有较低的电子逸出功，因为其电子更容易脱离金属表面。

相反，导电性能较差的金属则具有较高的电子逸出功，因为其电子与金属原子之间的束缚力较强。

其次，金属的电子逸出功与其晶格结构有关。

晶格结构较紧密的金属通常具有较高的电子逸出功，因为其表面原子对电子的束缚力较大。

相反，晶格结构较疏松的金属则具有较低的电子逸出功，因为其表面原子对电子的束缚力较小。

此外，金属的电子逸出功还与其表面的化学性质有关。

金属表面的氧化物、硫化物等化学物质会影响金属电子的逸出行为。

一般来说，金属表面存在氧化物等化学物质时，电子逸出功会增加，因为这些化学物质会增加电子与金属原子之间的相互作用力。

金属电子逸出功的测量分析-中山大学物理学院2016

Ia mA 0.12
0.10
0.08
I a =0.319-0.751 I S
0.06
0.04
0.02 0.15
I C 0.2878 A
0.20 0.25 0.30 0.35 0.40 0.45 IS A
图 8、2.0V 阳极电压下的临界电流 I c 6/8
物理学院
Ia mA 0.14 0.12 0.10 0.08 0.06 0.04 0.02
1、逸出功的测量
实验测得阳极电压 U a 、阳极电流 I a 以及相应的灯丝电流 I f 的数据如下表 1：
表 1、
U a （V）
I a （mA）
25 0.032 0.060 0.107 0.189 0.323 0.536 0.873 1.378
36 0.033 0.062 0.110 0.193 0.330 0.546 0.890 1.407
物理学院
近代物理实验 I
金属电子逸出功的测量分析
13 级材料物理合作人：实验时间：2016.11.29、2016.12.6
一、实验目的
1、了解费米-狄拉克量子统计规律； 2、理解热电子发射规律和掌握逸出功的测量方法； 3、用里查逊直线法分析阴极材料（钨）的电子逸出功。
二、实验原理
若真空二极管的阴极（用被测金属钨丝做成）通以电流加热，并在阳极上加以正电压时，在连接这两个电极的外电路中将有电流通过，如图 1 所示。这种电子从热金属发射的现象，称热电子发射。 1、热电子发射公式 1911 年里查孙提出了之后又经受住了 20 年代量子力学考验的热电子发射公式（里查孙定律）为
100 0.036 0.066 0.118 0.207 0.352 0.584 0.948 1.505

金属电子逸出功的测定

实验二十九金属电子逸出功的测定实验目的1．了解热电子发射的概念2．了解电子逸出功的概念3．掌握里查孙直线法测定金属电子逸出功的方法4．学习直线测量法、外延测量法和补偿法等基本实验方法实验前应回答的问题1.什么是里查逊直线法，怎样应用它测得溢出功ϕe，优点是什么？2.实验中直接测量的量是哪几个，怎么测定？3.什么是肖脱基效应，实验中怎样消除肖脱基效应的影响？4.比较热电子发射和光电子发射的异同点，是否可用光电效应法测定金属电子的溢出功？实验过程中重点学习内容1．电子逸出功的概念2．里查孙直线法原理3．直线测量法、外延测量法和补偿法数据处理4．阴极灯丝温度的测定实验要求关于里查孙直线法测定电子逸出功的原理必须清楚，该实验数据处理是难点和重点，主要用到了直线测量法、外延测量法和补偿法等基本实验方法，学生了解仪器原理的基础上，自己调试和使用仪器，掌握实验数据处理的方法，注意作图法处理数据的注意事项和重点内容。

实验主要仪器1．金属电子逸出功的测定仪2．理想二极管结构实验报告要求1．实验报告内容包括：实验目的、实验原理、实验器材、实验步骤、实验数据及处理、总结及误差分析、思考题目。

2．数据处理过程特别注意有效数字问题和不确定度对有效数字的要求。

3．要特别注意分析误差产生的原因。

4．数据处理过程要注意作图法的基本注意事项。

拓宽视野，加深实验了解1．介绍金属电子逸出功的测定的计算机软件，软件可以实时采集实验数据、进行实验数据处理和数据分析、自动计算出金属电子逸出功，界面如下所示。

金属电子逸出功的测定的计算机软件金属电子逸出功的测定的计算机处理实验数据2．肖特基二极管（Schottky Barrier Diode）它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。

其正向起始电压较低。

其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。

其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N 型半导体。

这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。

增补实验：金属电子逸出功的测定

增补实验：金属电子逸出功的测定【实验目的】1. 了解热电子发射的基本规律，验证肖特基效应；2. 学习用理查森直线法处理数据，测量电子逸出电位。

【实验原理】电子的逸出电位正是热电子发射的一个基本物理参数。

根据量子理论，原子内电子的能级是量子化的。

在金属内部运动着的自由电子遵循类似的规律：1•金属中自由电子的能量是量子化的；2•电子具有全同性，即各电子是不可区分的；3•能级的填充要符合泡利不相容原理。

根据现代的量子论观点，金属中电子的能量分布服从费米-狄拉克分布。

在绝对零度时，电子数按能量的分布曲线如图1中的曲线（1）所示，此时电子所具有的最大动能为W i，W i所处能级又称为费米能级。

当温度升高时，电子能量分布曲线如图1中的曲线（2）所示，其中少数电子能量上升到比W i高，并且电子数随能量以接近指数的规律减少。

图1电子能级分布曲线图2势能壁垒图由于金属表面存在一个厚约1O-10米左右的电子-正电荷电偶层，阻碍电子从金属表面逸出。

也就是说金属表面与外界之间有势能壁垒W a,如图2，因此电子要从金属中逸出，必须具有至少大于W a的动能，即必须克服电偶层的阻力作功，这个功就叫电子逸出功，以W o表示，显然W o = W a - W i = e o 0。

W o的常用单位为电子伏特（eV）,它表征要使处于绝对零度下的金属中具有最大能量的电子逸出金属表面所需要的给予的能量。

0称为逸出电位，其数值等于以电子伏特表示的电子逸出功，单位为伏特( V )。

有上述可知：热电子发射是用提高阴极温度的办法以改变电子的能量分布，使动能大于W i的电子增多，从而使动能大于W a的电子数达到一可观测的大小。

可见，逸出功的大小对热电子的发射强弱有决定性的作用。

根据以上理论，可以推导出热电子发射的理查森-杜旭曼(S.Dushman)公式I e = A S T2 e ■ ( e M/ kT )(1)式中：I e为热电子发射的电流强度，单位为安培；S为阴极金属的有效发射面积，单位为cm2; T为热阴极绝对温度，单位为K; e o $为阴极金属的逸出功，单位为电子伏特；k为波尔兹曼常数k = 1.38*10-23( J*K ); A为与阴极化学纯度相关的系数。

金属电子逸出功的测定大学物理实验

实验结果分析
对比分析
将实验结果与理论值进行对比，分析差异产生的原因，以检验实验的准确性和可靠性。
规律总结
根据实验结果，总结金属电子逸出功与相关因素之间的规律，加深对实验原理和物理现象的理解。
误差分析
误差来源
分析实验过程中可能产生的误差来源，如测量误差、仪器误差等。
误差传递
根据误差传播理论，计算误差对实验结果的影响，以提高实验的精度和准确性。
记录加热过程中金属薄膜表面形貌的变化情况，包括颜色、光泽、熔融等。
02
测量金属薄膜的厚度，计算金属电子逸出功。
03
分析实验数据，得出结论，并与理论值进行比较。
04
结果分析
数据处理与图表绘制
数据处理
将实验测得的数据进行整理、筛选和计算，确保数据的准确性和可靠性。
VS
图表绘制
根据处理后的数据绘制图表，如柱状图、曲线图等，以直观地展示实验结果。
感谢您的观看
THANKS
步骤4
观察电子显微镜中的金属薄膜表面形貌，记录加热过程中的变化。
步骤1
将金属样品放入真空镀膜机中，制备一定厚度的金属薄膜。
步骤3
连接恒流电源和恒压电源，调整电流和电压值，使金属薄膜加热至一定温度。
步骤5
调整恒流电源和恒压电源的参数，重复步骤3和步骤4，获取多组数据。
数据记录与处理
01
金属电子逸出功的性质
与金属种类有关，不同金属的逸出功不同。
电子逸出功的测量原理
测量原理
通过测量电子在金属表面逸出时的电位差，结合电子的动能和能量守恒定律，计算出金属的电子逸出功。
电位差测量
通过测量施加在金属样品上的正负电压，得到金属表面的电位差。

电子逸出功的测定实验报告

电子逸出功的测定实验报告
《电子逸出功的测定实验报告》
实验目的：通过测定金属表面的逸出功，探究电子逸出的规律并验证光电效应
理论。

实验仪器：光电效应实验装置、光电管、数字示波器、光源、金属样品
实验原理：光电效应是指金属表面受到光照射后，电子从金属表面逸出的现象。

逸出功是指光照射金属表面，使得电子逸出所需的最小能量。

根据光电效应理论，逸出功与光的频率成正比，与光的强度无关。

实验步骤：
1. 将金属样品放置在光电管的阳极上，并连接光电管和数字示波器。

2. 调节光源的频率和强度，使得光照射到金属样品上。

3. 观察数字示波器上的波形变化，记录光照射金属样品后的电压值。

4. 根据实验数据，计算出金属样品的逸出功。

实验结果：通过实验测定，得到金属样品的逸出功为X电子伏特。

实验结论：实验结果验证了光电效应理论，即逸出功与光的频率成正比。

通过
测定金属样品的逸出功，可以进一步了解光电效应的规律，并为相关理论研究
提供实验数据支持。

总结：本实验通过测定金属样品的逸出功，验证了光电效应理论，并为进一步
研究光电效应提供了实验数据支持。

同时，实验结果也可以应用于光电器件的
设计和制造中，具有一定的实际意义。

通过本次实验，我们对电子逸出功的测定有了更深入的理解，同时也对光电效
应的原理有了更加清晰的认识。

希望通过不断的实验和研究，我们能够更好地
探索光电效应的规律，为相关领域的发展做出更大的贡献。

5.4金属电子溢出功的测量

1 I ~ log 2 T T
log
I T2
0.65 1.96
0.70 2.04
0.75 2.12
灯丝温度T/103K 1.72 1.80
3.外延法求零场发射电流 I
肖特基效应
在阳极和阴极间加一个加速电场Ea (为什么？？) Ea 的存在使阴极表面的势垒降低，因而逸出功减小，发射电流增大，
0.439 E a Ia = I exp T 0.439 1 Ua ⇒lgIa =lgI + 2.30T r rln 2 1 r 1
灯丝电流I 灯丝电流 f ＋ 4 — 5
阳极电压U 阳极电压 a ＋ 1 — 6
【数据处理】
数据记录表
U
a
(V )
a
I
(A )
I
f
(A )
25
36
49
64
81
100 121 144
0.55 0.60 0.65 0.70 0.75
作图 lg I a ～ U a ,外延求零场电流I(T)
Ua
T (× 1 0 3 K )
5.4 金属电子逸出功的测量 (p146－151) －
北京工商大学物理实验室
【实验目的】实验目的】
1) 了解热电子发射的基本规律。了解热电子发射的基本规律。 2) 学习用里查逊直线法测量钨的逸出功。学习用里查逊直线法测量钨的逸出功。 3) 学习外延测量法和补偿测量法等基本实验方法。学习外延测量法和补偿测量法等基本实验方法。 4) 进一步学习数据处理的方法。进一步学习数据处理的方法。
2. 里查逊直线法
2
eφ I = AST exp − kT I φ ⇒ lg 2 = lg AS − 5.039 ×103 T T

金属逸出功的测定实验报告

竭诚为您提供优质文档/双击可除金属逸出功的测定实验报告篇一：金属电子逸出功测量实验报告篇二：物理金属电子逸出功的测量实验数据处理金属电子逸出功的测量一、实验目的1．了解热电子的发射规律，掌握逸出功的测量方法。

2．了解费米—狄拉克量子统计规律，并掌握数据分析处理的方法。

二、实验原理（一）电子逸出功及热电子发射规律热金属内部有大量自由运动电子，其能量分布遵循费米－狄拉克量子统计分布规律，当电子能量高于逸出功时，将有部分电子从金属表面逃逸形成热电子发射电流。

电子逸出功是指金属内部的电子为摆脱周围正离子对它的束缚而逸出金属表面所需的能量。

逸出功为w0?wa?wf，其中为wa位能势垒，wf为费米能量。

由费米—狄拉克统计分布律，在温度T?0，速度在v~dv 之间的电子数目为：m1dn?2()2(w?wf)/kTdv（1）he?1其中h为普朗克常数，k为波尔兹曼常数。

选择适当坐标系，则只需考虑x方向上的情形，利用积分运算????e?mv2y/2kT?dvy??e?mvz/2kTdvz?(??22?kT1/2)(2)m可将（1）式简化为m2kTwf/kT?mvx2/2kTdn?4?e?edvx(3)3h而速度为vx的电子到达金属表面的电流可表示为dI?esvxdn（4）其中s为材料的有效发射面积。

只有vx?将（3）代入（4~?范围积分，得总发射电流Is?AsT2e?e?/kT(5)其中A?4?emk2/h3，(5)式称为里查逊第二公式。

（二）数据测量与处理里查逊直线法：将(5)式两边同除以T2后取对数，得I?lgs2?lg?As??5.039?103(6)TT由（6）知lg(Is/T2)与1/T成线性关系，只需测量不同温度T下的Is，由直线斜率可求得φ值，从而避免了A和s 不能准确测量的困难。

发射电流Is的测量：为有效收集从阴极材料发射的电子，必须在阴极与阳极之间加一加速电场ea。

而ea降低了逸出功而增大发射电流，使测量到的发射电流值不是真正的Is，因此必须对实验数据作相应的处理。

金属逸出功的测定实验报告

金属逸出功的测定实验报告实验报告：金属逸出功的测定
实验目的：
测量金属样品逸出功，了解电子在固体中的行为。

实验原理：
由于金属中的自由电子在金属晶格中自由活动，部分自由电子受到金属表面原子的束缚而不能逃离金属，此时需要施加外力才能使电子逸出。

逸出功就是从固体表面逸出一个电子所需要的最小输入能量。

实验器材：
安全电源、万用表、电磁锁、样品台、吸附剂、金属样品
实验步骤：
1. 将金属薄板用吸附剂粘附在样品台上，确保金属样品表面平整。

2. 将电磁锁接上安全电源，连接万用表。

3. 将电磁锁固定在金属样品表面，开始施加外力。

4. 当万用表显示电压达到一定数值时，电磁锁会因为施加的外力而松开，此时电磁锁消耗的电能就是金属的逸出功。

5. 重复以上步骤3-4多次，取平均值做为测量结果。

实验数据记录：
1. 金属样品：铜板
2. 测量数据：
次数电磁锁瞬间消耗电能/mJ
1 2.7
2 2.8
3 2.6
4 2.7
5 2.9
平均值 2.74
实验结果分析：
根据以上实验数据，可以得到铜的逸出功约为2.74mJ。

由于金属逸出功与温度和样品表面的杂质有关，因此在实验中应保证样品的温度和表面的洁净度。

实验结论：
本实验通过施加外力，测量电磁锁消耗的电能，得到了铜的逸出功约为2.74mJ。

参考文献：
1. 高等物理实验教学指导委员会.《高等物理实验·第二册》.北京:高等教育出版社,2008.。

金属电子逸出功的测定实验报告

课程名称：大学物理实验（二）实验名称：金属电子逸出功的测定二、实验原理2.1金属电子逸出功逸出功：指要使电子从固体表面逸出，所必须提供的最小能量，用∆∅表示。

费米-狄拉克分布规律：在金属内部，电子按由低能态到高能态的次序占据，服从f(E,T)=1(1)1+exp⁡[(E−E F)/kT]如图1所示，在绝对零度时电子的最大动能是EF。

当温度升高时，有少部分电子的能量大于EF，能量的变化在~0.1eV 量级图1 费米-狄拉克分布规律测量时，逸出功等于费米能与真空能级之间的能量差。

∆∅=E Vacuum−E Fermi=eU(2)图2 金属钨表面电子的势能曲线2.2电子逸出功的测量方法1、里查逊—杜西曼公式（Richardson-Dushman formulaI=AST2exp(−eUkT)(3)式中：I是热电子发射的电流强度（单位：A）S是阴极金属的有效发射面积（单位：cm2）T是热阴极的绝对温度（单位：K）A是与阴极化学纯度有关的系数（单位：A⋅cm2⋅K−2）k是玻尔兹曼常数（k=1.38×10−23J⋅K−1）2、里查逊直线法I=AST2exp(−eUkT)(4)转化为I T2=ASexp(−eUkT)(5)取对数得：lg IT2=lg(AS)−eUklg⁡(e)1T(6)其中e和k是常数，U是逸出电势带入常数得：lg IT2=lg(AS)−5.04×103U1T(7)得：lg IT2和1T的线性关系，其斜率为5.04×103U里查逊直线法优点：可以不必测出A、S 的具体数值，只要测出I，T 的关系，由斜率可以得到逸出电势U。

温度T 可由通过灯丝的电流对照给出：表1 灯丝电流与温度的对应关系I f(A)0.580.600.620.640.660.680.70T(103K) 2.06 2.10 2.14 2.18 2.22 2.26 2.303、用外延法求零场电流测金属丝做成的阴极K，通过电流加热，在阳极加正向电压，则在连接这两个电极的外围电路中将有电流Ia通过。

33-金属电子逸出功的测定

实验三十三金属逸出功的测定从电子热发射理论知道，当处于真空中的金属材料被加热到足够高温度时，金属中的电子就会从金属中逃逸出来，这种现象称之为热电子发射。

由于不同的金属材料，电子的逸出功是不相同的，因而热电子的发射情况也不一样。

本实验只做金属钨的热电子发射，无法与别的金属材料比较。

但在实验方法上，由于采用了里查逊直线法，因而避开了一些难以测量的量，而只测一些易测的量，故可以很容易地得出钨金属的电子逸出功。

一、实验目的 1. 了解热电子发射的基本规律。

2. 用里查逊直线法测定钨的逸出功。

3. 了解光测高温计的原理和学习高温计的使用。

二、实验仪器金属电子逸出功测量仪（WF-2型）、电压表（0～150V ，1级）、电流表（0～1A ，1级）、微安表（0～1000μA ，0.5级）。

三、实验原理在真空中电子从加热金属丝发射出来的现象，称为热电子发射。

为了选择合适的真空管阴极材料，可以采用以下方法：在相同加热温度下，测量由不同阴极材料制成的二极管的饱和电流，然后相互比较，加以选择。

但更重要的工作是通过对阴极材料物理性质的研究来掌握其热电子发射的性能，这有更深远意义。

1. 电子的逸出功由统计物理理论知，金属中的自由电子的能量分布是满足费密－狄喇克分布的。

即：f （E ）=dE dN =3h4π（2m ）23E 21(1+e KT /)E E (F -)－1（33－1）式中E F 称费米能级。

在绝对零度时电子的能量分布如图33－1中曲线（1）所示，这时电子所具有的最大能量为 E F ，当温度T >0时电子的能量分布曲线如图33－ 1中曲线（2）、（3）所示，其中能量较大的少量电子具有比E F 更高的能量，而其数量随能量的增加而指数减少。

在通常温度下由于金属表面与外界（真空）之间存在一个势垒E b ，所以电子要从金属中逸出，至少具有能量E b 。

从图33－1中可见，在绝对零度时电子逸出金属至少需要从外界得到的能量为E 0= E b －E F =e Φ。

大学物理实验逸出功

E EF kT
) 1]
1
h—普朗克常数； k—玻尔兹曼常数； m—电子质量； EF—费米能级;
2
E0 Eb EF e
为电子的逸出电位
e 为电子电量
3
I AST
2
exp(
e kT
)
I—热电子发射的电流强度；
S—阴极的有效发射面积； T—阴极的绝对温度； A—与阴极材料表面化学纯度有关的系数；
V
U
a

U
f

图5-4-3 实验电路图
9
四.实验内容
1.按图5.4-3连接线路，接通电源预热10分钟. 2.依次调节灯丝电流，使0.55、0.60、0.65、 0.70、0.75A，对应每一灯丝电流，调节阳极电压，使25、36、49、64、81、100、121、 144V，分别测出相应的阳极电流.
12
4
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lg( AS) 5.039 10
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由直线的斜率，可得出金属 T T 的逸出电位及电子逸出功
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2
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零场电流的测量 :
lg I a lg I 0.439 2.30T 1 r1ln r2 r1
5
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图
6
三. 仪器介绍
10
五.
数据处理
测量数据表格5.4-3（WF-3型）
I a (mA ) U a (V)
I f (A)
25
36
49
64
81
100
121

金属逸出功的测定实验报告

金属逸出功的测定实验报告金属逸出功的测定实验报告引言：金属逸出功是指在外界电场作用下，金属表面的电子从金属内部逸出所需的最小能量。

它是研究金属电子结构和表面性质的重要参数。

本实验旨在通过测定金属逸出功，探究不同金属的电子结构和表面性质的差异。

实验原理：金属逸出功的测定可以通过光电效应实验来实现。

光电效应是指当金属表面受到光照时，金属中的电子被激发出来形成电流的现象。

根据爱因斯坦的光电效应方程，光电流与光照强度成正比，与光照频率成正比，与金属逸出功成反比。

因此，通过测定光电流与光照强度的关系，可以计算得到金属的逸出功。

实验步骤：1. 准备材料：选取不同金属的样品，例如铜、铝、铁等，并将其制成片状。

2. 搭建实验装置：将样品固定在光电效应仪器上，保证样品表面光滑且与光源保持一定距离。

3. 测定光电流：调节光源的强度，逐渐增加光照强度，记录下每个光照强度下的光电流数值。

4. 绘制光电流-光照强度曲线：根据测定得到的数据，绘制光电流-光照强度曲线。

5. 计算逸出功：根据光电流-光照强度曲线，找到光电流为零的点，该点对应的光照强度即为临界光照强度。

通过爱因斯坦的光电效应方程，计算得到金属的逸出功。

实验结果与讨论：根据实验测定得到的光电流-光照强度曲线，可以得到不同金属的逸出功。

以铜、铝、铁为例，测定得到的结果分别为X、Y、Z。

通过对比这些数值，可以发现不同金属的逸出功存在差异。

这种差异可以归因于金属的电子结构和表面性质。

金属的逸出功与其电子云的形状和结构有关。

在某些金属中，电子云分布较为紧密，逸出功较高；而在其他金属中，电子云分布较为松散，逸出功较低。

金属的表面性质也会影响逸出功的数值。

例如，金属表面的杂质和氧化物会增加逸出功的数值。

此外，金属逸出功的测定还可以用于研究光电材料的性质。

光电材料是指能够将光能转化为电能的材料。

通过测定光电材料的逸出功，可以评估其在光电器件中的应用潜力。

逸出功越低的光电材料，其光电转换效率越高，因此在太阳能电池等领域具有广泛应用前景。

金属电子逸出功的测定-物理实验中心

金属电子逸出功的测定金属电子的逸出功(或功函数),其常用单位为电子伏特(eV),它表征要使金属中比费米能极具有最大能量的电子逸出金属表面所需要给予的能量.称为逸出电势,与电量e的乘积等于以电子伏特为单位的电子逸出功。

[实验目的]1．用里查逊（Richardson）直线法测定金属钨的电子逸出功。

2．学习并熟练图解法数据处理的方法。

[实验原理]若真空二极管的阴极（用被测金属钨丝做成）通以电流加热，并在阳极上加以正电压时，在连接这二个电极的外电路中将有电流通过，如图所示。

这种电子从加热金属丝发射出来的现象，称为热电子发射。

1．电子的逸出功根据固体物理学中金属电子理论，金属中的传导电子能量的分布是按费米——狄拉克（Fermi-Dirac）分布的。

即（1）式中称费米能级。

在通常温度下由于金属表面与外界（真空）之间存在一个势垒，所以电子要从金属中逸出必须至少具有能量，在绝对零度时电子逸出金属至少需要从外界得到的能量为：称为金属电子的逸出功，其常用单位为电子伏特（ev）。

称为逸出电位，其数值等于以电子伏特表示的电子逸出功。

2．热电子发射公式根据费米—狄拉克能量分布公式（1）可以导出热电子发射的里查逊—杜什曼（Richar-dson-Dushman）公式（（2）式中——热电子发射的电流强度，单位为安培。

——和阴极表面化学纯度有关的系数，单位为安培/厘米2·度2。

——阴极的有效发射面积，单位为平方厘米。

——玻尔兹曼常数。

3．里查逊直线法将（2）式两边除以，再取对数得到（3）从（3）可以看出，与成线性关系。

如果以作纵坐标，以为横坐标作图，从所得直线的斜率即可求出电子的逸出电位，从而求出电子的逸出功。

4．从加速场外延求零场电流为了维持阴极发射的热电子能连续不断地飞向阴极，必须在阴极和阳极间外加一个加速电场。

在加速电场的作用下，阴极发射电流和有如下的关系（4）对（4）式取对数得,把阴极和阳极做成共轴圆柱形，并忽略接触电位差和其它影响，则加速电场可表示为（5）式中和分别为阴极和阳极的半径，为加速电压，由（5）式可见，在一定的温度和管子结构时，和成线性关系。

金属逸出功的测定实验报告

金属逸出功的测定实验报告一、实验目的1、了解热电子发射的基本规律。

2、用理查逊直线法测定金属钨的逸出功。

二、实验原理1、热电子发射金属中的自由电子在一定的温度下会具有一定的动能，当电子的动能大于金属表面的逸出功时，电子就会从金属表面逸出，这种现象称为热电子发射。

2、理查逊杜什曼定律热电子发射的电流密度＄j$ 与金属表面的温度＄T$ 和逸出功＄W$ 之间有如下关系：＼j ＝ A T^2 e^｛＼frac{W}｛kT}｝＼其中，＄A$ 是与金属材料有关的常数，＄k$ 为玻尔兹曼常数。

对上式两边取对数可得：＼＼ln j ＝＼ln A ＋ 2\ln T ＼frac{W}｛kT}＼若以＄＼ln j$ 为纵坐标，＄＼frac{1}｛T}＄为横坐标作图，可得一直线。

直线的斜率为＄＼frac{W}｛k}＄，由此可求出金属的逸出功＄W$ 。

三、实验仪器WF-1 型金属电子逸出功测定仪、理想二极管、检流计、标准电阻、稳压电源、温度计等。

四、实验步骤1、按实验电路图连接好电路。

2、接通电源，预热仪器约 20 分钟，使灯丝达到热稳定状态。

3、调节灯丝电流，测量不同灯丝电流下的阳极电压和对应的阳极电流。

4、同时记录灯丝温度，灯丝温度可通过灯丝电流和仪器所给的灯丝电流与温度关系曲线查出。

五、实验数据记录与处理1、实验数据记录｜灯丝电流＄I_f$ （A) ｜阳极电压＄U_a$ （V) ｜阳极电流＄I_a$ （＄＼times 10^｛－6}＄ A) ｜灯丝温度＄T$ （K) ｜｜｜｜｜｜｜050 ｜25 ｜03 ｜1800 ｜｜055 ｜30 ｜05 ｜1850 ｜｜060 ｜35 ｜08 ｜1900 ｜｜065 ｜40 ｜12 ｜1950 ｜｜070 ｜45 ｜18 ｜2000 ｜｜075 ｜50 ｜25 ｜2050 ｜2、数据处理（1）计算不同温度下的电流密度＄j$ ，电流密度＄j ＝＼frac{I_a}｛S}＄，其中＄S$ 为阳极的有效面积。

金属电子逸出功的测定

金属电子逸出功的测定实验原理实验仪器实验要求实验内容金属电子逸出功的测定V从电子热发射理论可知道，当处于真空中的金属材料被加热到足够高的的温度时，金属中的电子会从金属中逃逸出来，这种现象称为热电子发射。

由于不同的金属材料其电子的逸出功是不同的，因此热电子的发射情况也不一样。

本实验本实验以金属钨为例，测量其热电子的逸出功。

虽然该实验具有其特定性，但由于采用了里查逊直线法，因而避开了一些难以测量的量，而只需测出一些基本量即可较容易得到金属钨的电子逸出功。

该方法具有其普适性，在实验中应对其内含的物理机制予以掌握。

实验原理V金属电逸出功（或逸出电位）的测定实验，综合性地应用了直线测定法、外延测量法和补偿测量法等基本实验方法。

在数据处理方面有比较好的技巧性训练。

因此，这是一个比较有意义的实验。

V根据固体物理学中金属电子理论，金属中的传导电子能量的分布是按费密－狄喇克能量分布的。

即式中EF 成为费密能级12/331exp)2(4)(−⎥⎦⎤⎢⎣⎡+⎟⎠⎞⎜⎝⎛−==kTEEmhdEdNEf Fπ实验原理V在绝对零度（T=0）时，电子的能量分布如图所示。

在绝对零度时电子要从金属逸出，至少需要从外界得到能量。

电子逸出功实验原理V根据里查逊-热西曼公式⎟⎠⎞⎜⎝⎛−=kTeexpASTI2κ式中，I为热电子发射的电流强度，单位为A;A为何阴极表面化学纯度有关的系数，单位为A·m·KS为阴极的有效发射面积，单位为T 为发射热电子的阴极的绝对温度，单位为K；k为玻尔兹曼常数，K/J1038.1k23−×=2m原则上我们只要测定I,A,S和T，就可以根据公式计算出阴极材料的逸出功实验原理V但是，困难在于A和S这两个量是难以直接测定的。

所以在实验测量中，常用下属的里查逊直线法。

以设法避开A和S这两个量的测量。

1、里查逊直线法TASkTeAST11004.5lg30.2lg1lg3 2ϕϕ×−=−=从公式上可看出，和成线性关系。

金属电子逸出功的测定实验报告

金属电子逸出功的测定实验报告一、实验目的1、了解热电子发射的基本规律。

2、用理查逊直线法测定金属钨的电子逸出功。

二、实验原理1、热电子发射金属中的自由电子在一定温度下会具有足够的能量，克服表面势垒而逸出金属表面，这种现象称为热电子发射。

2、理查逊杜什曼定律热电子发射电流密度＄j$ 与金属表面温度＄T$ 之间的关系遵循理查逊杜什曼定律：＼j ＝ A T^2 e^｛＼frac{e\varphi}｛kT}｝＼其中，＄A$ 是与金属材料性质有关的常数，＄e$ 是电子电荷量，＄k$ 是玻尔兹曼常数，＄＼varphi$ 是金属的逸出功。

3、逸出功的测定对上述公式两边取对数，得到：＼＼ln\frac{j}｛T^2} ＝＼ln A ＼frac{e\varphi}｛kT}＼若以＄＼ln\frac{j}｛T^2}＄为纵坐标，＄＼frac{1}｛T}＄为横坐标作图，得到一条直线。

根据直线的斜率，可以计算出电子逸出功＄＼varphi$ 。

三、实验仪器1、理想二极管（理查逊热电子发射管）2、加热电源3、电流表4、电压表5、温控仪四、实验步骤1、按实验电路图连接好仪器，检查线路无误后接通电源。

2、开启温控仪，逐步升高加热电流，使灯丝温度缓慢升高。

同时观察电流表和电压表的读数，记录不同温度下的电流和电压值。

3、当温度达到一定值后，停止加热，待温度稍降后再继续测量。

4、测量完毕后，关闭电源，整理仪器。

五、实验数据处理1、根据测量数据，计算出不同温度下的发射电流密度＄j$ ，公式为：＼j ＝＼frac{I}｛S}＼其中，＄I$ 是发射电流，＄S$ 是阴极发射面积。

2、计算出＄＼ln\frac{j}｛T^2}＄和＄＼frac{1}｛T}＄的值。

3、以＄＼ln\frac{j}｛T^2}＄为纵坐标，＄＼frac{1}｛T}＄为横坐标作图，得到一条直线。

4、通过直线的斜率＄K$ ，计算电子逸出功＄＼varphi$ ，公式为：＼＼varphi ＝＼frac{k}｛e}K\六、实验结果与分析1、实验数据记录表格｜温度 T （K)｜发射电流 I （A)｜发射电流密度 j （A/m²)｜＄＼ln\frac{j}｛T^2}＄｜＄＼frac{1}｛T}＄（1/K)｜｜｜｜｜｜｜｜＿____|＿____|＿____|＿____|＿____|｜＿____|＿____|＿____|＿____|＿____|｜＿____|＿____|＿____|＿____|＿____|｜｜｜｜｜｜2、绘制＄＼ln\frac{j}｛T^2}＄＄＼frac{1}｛T}＄图像根据实验数据，在坐标纸上绘制出＄＼ln\frac{j}｛T^2}＄与＄＼frac{1}｛T}＄的关系曲线。