模电复习总结-习题集1.doc
模电复习资料及答案
设计题一．设计一带通滤波电路要求：（1）信号通过频率范围f在100 Hz至10 kHz之间；（2）滤波电路在1 kHz的幅频响应必须在±1 dB范围内，而在100 Hz至10 kHz滤波电路的幅频衰减应当在1 kHz时值的±3 dB范围内；（3）在10 Hz时幅频衰减应为26 dB，而在100 kHz时幅频衰减应至少为16 dB。
（一）．电路方案选择这是一个通带频率范围为100HZ~10KHZ的带通滤波电路，在通带内我们设计为单位增益。
根据题意，在频率低端f=100HKZ时，幅频响应要求衰减不小于16dB。
因此可选择一个二阶低通滤波电路的截止频率FH=10khz，一个二阶高通滤波电路的截止频率FL=100hz，有源器件扔采用运放CF412(LF412),将这两个滤波电路串联如图所示，就构成了所要求的带通滤波器。
由巴特沃斯低通，高通电路阶数N与增益的关系可知：二阶巴特沃斯滤波器的Avf1=1.586，因此，由两级串联的带通滤波电路的通带电压增益（Avf1）*2=（1.586）*2=2.515，由于所需要的通带增益为0dB,因此在低通滤波器输入部分加了一个由电阻R1，R2组成的分压器。
（二）元件参数的选择和计算在选用元件时，应当考虑元件参数误差对传递函数带来的影响。
现规定选择电阻值的容差为1%，电容值的容差为5%。
由于每一电路包含若干电阻器和两个电容器，预计实际截止频率可能存在较大的误差（也许是+10%，-10%）。
为确保在100HZ和10KHZ处的衰减不大于3dB。
现以额定截止频率90HZ,和11KHZ 进行设计。
由于在运放电路中的电阻不宜选择过大或过小。
一般为几千欧至几十千欧较合适。
因此，选择低通极电路的电容值为1000pF，高通级电路的电容值为0.1uF。
然后由公式Wc=（1/RC)可计算出精确的电阻值。
对于低通级由于已知c=1000pF和FH=11kHZ,根据公式Wc=（1/RC)算得R3=14.47KΩ，现选择标准电阻值R3=14.0KΩ。
(完整word版)模电复习资料(判断和填空有答案)
判断题第一章半导体 1、少数载流子是电子的半导体称为P型半导体。
(对）二极管1、由PN结构成的半导体二极管具有的主要特性是单向导电性.(对)2、普通二极管反向击穿后立即损坏，因为击穿是不可逆的。
(错)3、晶体二极管击穿后立即烧毁。
（错)三极管1、双极型晶体三极管工作于放大模式的外部条件是发射结正偏，集电结也正偏。
（错）2、三极管输出特性曲线可以分为三个区,即恒流区，放大区,截止区。
(错）3、三极管处于截止状态时，发射结正偏。
（错）4、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（P型或N型）构成的，所以极e和c极可以互换使用。
（错）5、当集电极电流值大于集电极最大允许电流时，晶体三极管一定损坏。
（错）6、晶体三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化,温度升高，β减少。
(错）场效应管1、场效应管的漏极特性曲线可分成三个区域：可变电阻区、截止区和饱和区.（错)第二章1、技术指标放大电路的输出信号产生非线性失真是由于电路中晶体管的非线性引起的，对2、基本放大电路在基本放大电路中,若静态工作点选择过高，容易出现饱和失真。
（对）3、放大电路的三种组态射极跟随器电压放大倍数恒大于1,而接近于1。
（错)三种基本放大电路中输入电阻最大的是射极输出器。
(对）射极跟随器电压放大倍数恒大于1，而接近于1。
（错）射极输出器不具有电压放大作用.（对）4、多级放大电路直流放大器是放大直流信号的，它不能放大交流信号。
（错）直流放大器只能放大直流信号。
（错）现测得两个共射放大电路空载时的放大倍数都是-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数为10000。
（错）多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄，级数愈少，通频带愈窄.（错）。
多级放大器总的电压放大倍数是各级放大倍数的和.（错）多级阻容耦合放大器的通频带比组成它的单级放大器的通频带宽。
(错)第四章在三种功率放大电路中,效率最高是的甲类功放。
(对)第五章从信号的传输途径看，集成运放由输入级，输出级,偏置电路这几个部分组成。
《模拟电子技术基础》复习资料及答案.doc
《模拟电子技术》复习资料答案一、填空题1.半导体不同于导体利绝缘体的三大独特件质为掺杂性、热敏性、光敏性；其电阻率分別受佳质、温度、光照的增加而下降。
2.用于制造半导体器件的材料通常是_硅、错和帥化稼。
3.当外界温度、光照等变化时，半导体材料的导电能力会发生很大的变化。
4.纯净的、不含杂质的半导体，称为本征半导体。
5.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。
6.本征半导体中掺入III族元素,例如B、A1 ,得到P型半导体。
7.木征硅中若掺入五价元素的原了，则多数载流了应是一电子,掺杂越多，则其数量一定越一多，而少数载流子应是—空穴，掺杂越多，则其数量一定越一少。
8.半导体中存在着两种载流子：带正电的空穴和带负电的.电子。
9.N型半导体小的多数载流子是_电子，少数载流子是一空穴。
10.杂质半导体分N型（电子）和P型（空穴）两大类。
11.N型半导体多数载流了是一电了，少数载流了是_空穴。
P型半导体多数载流了是一空穴，少数载流子是_电子。
12.朵质半导体中，多数载流子浓度主要取决于掺杂浓度，而少数载流子则与温度有很大关系。
13.PN结的主要特性是一单向导电性。
14.PN结是多数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动处于动态平衡而形成的,有时又把它称为空间电荷区（势垒区）或耗尽区（阻挡层）。
15.PN结加正向电压时，空间电荷区变窄；PN结加反向电压时，空间电荷区变宽。
16.PN结在无光照、无外加电压吋，结电流为零°17.PN结两端电压变化时，会引起PN结内电荷的变化，这说明PN结存在电容效应。
18.二极管是由—个PN结构成，因而它同样具有PN结的单向导电特件。
19.二极管的伏安特性可川数学式和Illi线來描述，其数学式是上去屋佟LL，其曲线又口J分三部分：1I-：向特性、反向特性、击穿特性。
20.品体二极管的正向电阻比其反向电阻小，稳压二极管的反向击穿电压通常比一般二极管的止，击穿区的交流电阻乂比正向区的小o21.有两个晶体三极管A管的［3二200, /CEO=200M A； B管的卩二50, /CEO=10M A,其他参数人致相同，相比之下旦管的性能较好。
(完整版)模电综合复习题
中国石油大学（华东）现代远程教育《模拟电子技术》综合复习资料第一章常用半导体器件 dfadasfds 一、选择 sdasdasda1、在晶体管放大电路中，测得晶体管 的各个电极 的电位如下图所示，该晶体管 的类型是 [ A ] asdasdasdasdasd A. B. C. D.NPN 型硅管 PNP 型硅管 NPN 型锗管 PNP 型锗管2V 6V 1.3V2、三极管各个电极 的对地电位如下图所示，可判断其工作状态是[ D ] asdasdasdasA.饱和B.放大C.截止D.已损坏3 、在如下图所示电路中，当电源V=5V 时，测得 I=1mA 。
若把电源电压调整到 V=10V ，则电流 的大小将是 [ C ]A.I=2mA C.I>2mAB.I<2mA D.不能确定4 、在杂质半导体中，多数载流子 的浓度主要取决于[ B ]A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷5、二极管 的主要特性是A.放大特性 [ C ]B. 恒温特性 恒流特性C.单向导电特性D.6、温度升高时，晶体管 的反向饱和电流 A.增大7 、下列选项中，不属三极管 的参数是 I CBO将 [ B ]B.减少C.不变D.不能确定[ B ]A.电流放大系数βB.最大整流电流 I FC.集电极最大允许电流I CMD.集电极最大允许耗散功率 PCM8、温度升高时，三极管 的β值将 A.增大9、在 N 型半导体中，多数载流子是[ A ]B.减少C.不变D. 不能确定[ A ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质10、下面哪一种情况二极管的单向导电性好[ A ]A.正向电阻小反向电阻大C.正向电阻反向电阻都小B.D.正向电阻大反向电阻小正向电阻反向电阻都大11、在 P型半导体中，多数载流子是[ B ]A. 电子B. 空穴C. 离子D. 杂质四、 asdasdsafsdafsadfas在某放大电路中，晶体管三个电极的电流下图所示。
模电知识点复习总结
模电知识点复习总结模拟电子技术（模电）是电子工程中的重要基础学科之一，主要研究电路中的电压、电流以及能量的传输和转换。
下面是我对模电知识点的复习总结：一.基础知识1.电路基本定律：欧姆定律、基尔霍夫定律、电压分压定律、电流分流定律、功率定律。
2.信号描述与频域分析：时间域与频域的关系。
傅里叶级数和傅里叶变换的基本概念和应用。
3.理想放大器：增益、输入/输出电阻、输入/输出阻抗的概念和计算方法。
4.放大器基本电路：共射、共集、共基放大器的特点、电路结构和工作原理。
二.放大器设计1.放大器的参数：增益、输入/输出电阻、输入/输出阻抗。
2.放大器的稳定性：稳态稳定性和瞬态稳定性。
3.放大器的频率响应：截止频率、增益带宽积、输入/输出阻抗对频率的影响。
4.放大器的非线性失真：交趾略失真、交调失真、互调失真等。
5.放大电路的优化设计：负反馈、输入/输出阻抗匹配、增益平衡等。
三.运算放大器1.运算放大器的基本性质：增益、输入阻抗、输出阻抗、共模抑制比。
2.电压放大器：非反转放大器、反转放大器、仪表放大器、差分放大器。
3.运算放大器的应用电路：比较器、积分器、微分器、换相器、限幅器等。
4.运算放大器的非线性失真：输入失真、输出失真、交调失真等。
四.双向可调电源1.双向可调电源的基本原理：输入电压、输出电压和控制信号之间的关系。
2.双向可调电源的电路结构：移相电路、比较器、反相放大器、输出级等。
3.双向可调电源的控制方式：串行控制和并行控制。
五.滤波器设计1.常见滤波器类型：低通、高通、带通和带阻滤波器。
2.滤波器的频率响应特性：通频带、截止频率、衰减量。
3.滤波器的传输函数：频率选择特性、阶数选择。
4.滤波器的实现方法：RC、RL、LC和电子管等。
六.可控器件1.二极管：理想二极管模型、二极管的非理想特性、二极管的应用。
2.可控硅：双向可控硅、单向可控硅、可控硅的触发电路和应用。
3.功率晶体管：NPN、PNP型功率晶体管的特性参数、功率放大电路设计。
《模拟电子技术》复习试题10套与答案解析
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性 C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A 空穴B 三价元素硼C 五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P 沟道增强型MOS 型B P 沟道耗尽型MOS 型C N 沟道增强型MOS 型D N 沟道耗尽型MOS 型E N 沟道结型F P 沟道结型 图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃ B 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
（完整版）模电总结复习资料
（完整版）模电总结复习资料第⼀章半导体⼆极管⼀.半导体的基础知识1.半导体---导电能⼒介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流⼦----带有正、负电荷的可移动的空⽳和电⼦统称为载流⼦。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺⼊微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺⼊微量的三价元素（多⼦是空⽳，少⼦是电⼦）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺⼊微量的五价元素（多⼦是电⼦，少⼦是空⽳）。
6. 杂质半导体的特性*载流⼦的浓度---多⼦浓度决定于杂质浓度，少⼦浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体⾃⾝的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，⼀种杂质半导体可以改型为另外⼀种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截⽌。
8. PN结的伏安特性⼆. 半导体⼆极管*单向导电性------正向导通，反向截⽌。
*⼆极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析⽅法------将⼆极管断开，分析⼆极管两端电位的⾼低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，⼆极管导通(短路);若 V阳1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态⼯作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题⼿段----将⼆极管断开，分析⼆极管两端电位的⾼低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，⼆极管导通(短路);若 V阳*三种模型微变等效电路法三. 稳压⼆极管及其稳压电路*稳压⼆极管的特性---正常⼯作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压⼆极管在电路中要反向连接。
第⼆章三极管及其基本放⼤电路⼀. 三极管的结构、类型及特点1.类型---分为NPN和PNP两种。
《模电》复习(有答案)
03
02
01
模拟电路的基本概念
模拟电路的基本元件
电阻是模拟电路中最基本的元件之一，用于限制电流和电压。
电容是能够存储电荷的元件，具有隔直流通交流的特性。
电感是能够存储磁能的元件，具有阻抗交流的作用。
二极管是单向导电的元件，常用于整流、开关等电路中。
04
电源：为电路提供稳定的直流或交流电源。
实验设备与仪器
实验准备
熟悉实验原理、目的、步骤和注意事项，准备好所需的仪器和元件。
电路搭建
根据实验要求，使用适当的电子元件搭建模拟电路。
参数测量
使用示波器等测量仪器，记录实验数据，观察信号波形。
结果分析
对实验数据进行分析，得出结论，并与理论值进行比较。
实验方法与步骤
发射机与接收机
通过模拟电路实现信号的调制和解调，如调频、调相和调幅等，以适应不同的通信信道。
调制解调技术
模拟电路用于信号处理和控制，如音频、视频信号的处理和通信系统的控制。
信号处理与控制
通信系统
模拟电路用于构建模拟控制器，实现对系统的连续控制和调节。
模拟控制器
模拟电路用于连接传感器和执行器，实现系统输入与输出的转换和控制。
详细描述
反馈放大电路的性能指标主要包括增益、带宽和稳定性等。
总结词
增益表示反馈放大电路的放大能力，与开环增益和反馈系数有关；带宽表示反馈放大电路能够正常工作的频率范围；稳定性则表示反馈放大电路对外部干扰和内部参数变化的敏感程度。
详细描述
反馈放大电路
总结词
集成运算放大器是一种高性能的模拟集成电路，具有高带宽、低噪声、低失真等特点。
模电复习总结
模电复习总结5⽉8⽇到14⽇，⽤了7天时间总结了模拟电⼦，其中⾃⼰⼿敲了⼤约8000字，到最后实在敲烦了，直接粘贴了部分内容。
另外还很⽆耻的粘下了好多图⽚。
希望对各位的复习能够起到点作⽤。
模拟电⼦——注电基础考试复习⽤⼀、元件基础1、半导体半导体器件中最常⽤的半导体材料有硅和锗两种，都是四价元素，其纯净物导电性很差，按照⼀定规律掺⼊三价、五价元素后，导电性能⼤幅上升，分别形成N型、P型半导体。
四价、五价元素混合后形成N型半导体，容易失去电⼦，形成较稳定的正价离⼦。
四价、三价元素混合后形成P型半导体，容易吸收电⼦，形成较稳定的负价离⼦。
P型半导体和N型半导体制造在同⼀块材料上，在两种半导体的交界⾯上形成PN结。
PN结是构成半导体器件的基础。
2、⼆极管⼀对PN结称为⼆极管，分别在P端和N端引出管脚。
P端易失去电⼦，作为⼆极管的正端。
N端易吸收电⼦，作为⼆极管的负端。
PN结由于两侧材料吸收电⼦能⼒不同的性质，成为⼀个耗尽层。
耗尽层到点能⼒较低，形成⼀个不稳定的内电场h0，此内电场从N端指向P端，即⼆极管的正端指向负端，内电场电压从P端指向N端。
其不稳定包括两个⽅⾯。
⼀个是受外界温度影响⽐较⾼，试验测得300K（25℃）时，温度电压当量U T≈26mV，在室温附近，温度每升⾼1℃，正向压降约减⼩2~2.5mV，温度每升⾼10℃，反向电流约增⼤⼀倍。
另⼀个是外部电压的影响。
当正向加⼀个电压时，由于内外电场⽅向相反，相当于内电场被削弱，耗尽层变薄，电压差很⼩，可以⼤量通过电⼦，容易导电。
当反向加⼀个电压时，由于内外电场⽅向相反，相当于内电场被加强，耗尽层变厚，电压差很⼤，很难通过电⼦，基本不导电。
这就是⼆极管的单向导电性。
⼆极管的伏安特性曲线中包括正向特性和反向特性。
实际使⽤的主要是较为直线部分，正向特性的线性部分为导通部分，线性部分延长线与电压轴的交点为导通电压U on。
导通电压根据不同材料和制作⼯艺，⼀般在0.1V~0.8V范围内（计算时，如不给出的话，硅管取0.7V，锗管取0.3V）。
模电复习资料（全答案）
模电复习资料（全答案）一、填空题1、要使三极管正常放大信号，要求三极管发射极重掺杂、基区很薄、集电极面积大于发射极面积、发射结和集电结均正向运用。
2、N型半导体是在本征半导体中掺入五价元素，其多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。
3、P型半导体是在本征半导体中掺入三价元素，其多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。
4、PN结未加外部电压时，扩散电流等于漂移电流；加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，其耗尽层变薄；加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，其耗尽层变厚。
5、三极管工作在放大区时，发射结为正向运用，集电结为反向运用；工作在饱和区时，发射结正向运用，集电结正向运用；工作在截止区时，发射结反向运用，集电结反向运用。
6、工作在放大状态的三极管，流过发射结的电流主要是扩散电流，流过集电结的电流主要是漂移电流。
7、三种基本放大电路中，输入电阻最大的是共c极放大电路；输入电阻最小的是共b极放大电路；输入电压与输出电压相位相反的是共e极放大电路；电压放大倍数最大的是共e极放大电路；；电压放大倍数最小的是共b极放大电路；输出电阻最小的是共c极放大电路。
8、半导体三极管通过基极电流控制输出电流，所以属于电流控制器件，其输入电阻小；场效应管通过控制栅极电压来控制输出电流，所以属于电压控制器件，其输入电阻大。
9、为提高放大器的输入电阻应引入交流串联负反馈，为降低放大电路输出电阻，应引入交流电压负反馈。
10、能提高放大倍数的是正反馈，能稳定放大倍数的是负反馈。
11、为稳定输出电流，应引入交流电流负反馈；为稳定输出电压，应引入交流电压负反馈；为稳定静态工作点，应引入直流负反馈；为了展宽放大电路频带，应引入交流负反馈。
12、差动放大器主要利用对称特性来抑制零漂。
13、完全对称的长尾差动放大器中的e R 对共模信号产生串联电流负反馈，对差模信号不产生反馈。
14、为使运放线性工作，应当在其外部引入深度负反馈、无穷、无穷、零、零、无穷、.15、理想集成运放的=ud A ，=id r ，=o r ，=B I ，=CMR K 。
模电复习题及答案
模电复习题及答案一、选择题1. 在模拟电路中，放大器的基本功能是什么？A. 滤波B. 信号放大C. 信号调制D. 信号解调答案：B2. 什么是负反馈放大器？A. 反馈信号与输入信号相位相反B. 反馈信号与输入信号相位相同C. 反馈信号极性与输入信号相同D. 反馈信号极性与输入信号相反答案：A3. 运算放大器（Op-Amp）的开环增益通常有多大？A. 10^2B. 10^3C. 10^5D. 10^6 及以上答案：D4. 下列哪个不是模拟信号的特点？A. 连续变化B. 可以是数字信号C. 可以是周期性变化D. 可以是瞬时值答案：B5. 在模拟电路设计中，温度漂移通常是由什么引起的？A. 电路元件的老化B. 环境温度的变化C. 电源电压的波动D. 所有上述因素答案：B二、简答题1. 简述差分放大器的工作原理。
答案：差分放大器是一种具有两个输入端的放大器，其工作原理是基于两个输入端电压差的变化进行放大。
当两个输入端的电压差发生变化时，差分放大器会放大这个差值，而对两个输入端共同的直流分量不敏感，从而提高电路的稳定性和抗干扰能力。
2. 什么是积分器和微分器？它们在电路中有什么应用？答案：积分器是一种将输入信号的瞬时值转换为输出信号的积分值的电路。
在电路中，积分器常用于模拟信号的低通滤波、信号的平滑处理等。
微分器则是将输入信号的瞬时值转换为输出信号的导数，常用于检测信号的变化率，如在控制系统中用于快速响应输入信号的变化。
三、计算题1. 如果一个共射放大器的β值为100，输入电压为10mV，求输出电压。
答案：假设共射放大器的放大倍数为Av = β * (1 + R'L/Rin)，这里R'L是负载电阻，Rin是输入电阻。
由于题目没有给出具体的电阻值，我们只能假设一个简单的情况，即R'L远大于Rin，可以忽略Rin的影响。
那么Av ≈ β。
输出电压Vout = Av * Vin = 100 * 10mV = 1V。
比较全的模电复习试题一到九章,不含判断题.(DOC)
d一、选择题1.晶体管能够放大的内部条件是（a ）A两个背靠背的PN结 B空穴和电子都参与了导电 C有三个掺杂浓度不一样的发区域 Ddd射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，并且基区很薄，集电结面积比发射结大2.晶体管能够放大的外部条件是（）A发射结正偏，集电结正偏 B发射结正偏，集电结反偏C发射结反偏，集电结正偏 D发，集电结反偏3.在一个由NPN型晶体管构成的放大电路中，关于晶体管三个电极的电位，下列说法正确的是（）A集电极电位一定最高 B集电极电位一定最低C发射极电位一定最高 D基极电位一定最低4.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的（）A输出功率 B交流参数C静态工作点 D交流和直流参数5.放大器产生零点漂移的主要原因是（）A电路增益太大 B电路采用了直接耦合方式C电路采用了变压器耦合 D电路参数随坏境温度的变化而变化6. 场效应管的漏极电流是由_________的漂移运动形成。
A 少子B 多子 C两种载流子7. 场效应管是利用外加电压产生的_________来控制漏极电流的大小的。
A 电流B 电场C 电压8.夹断电压指的是（）A ID=0时的Ugs电压B ID=0时的Uds电压C ID最大时的Ugs电压9．当场效应管的漏极直流电流ID从1mA变为2mA时，它的低频跨导将_________。
A 增大 B 减小 C 不变10．当ugs=0时，不能够工作在恒流区的场效应管是_________。
A 结型B 增强型MOS管C 耗尽型MOS管11.测得某放大电路中三极管三个管脚对地电压分别为U1=2V，U2=6V，U3=2.7V，则三极管三个电极为（）。
A.①管脚为发射极，②管脚为基极，③管脚为集电极；B.①管脚为发射极，②管脚为集电极，③管脚为基极；C.①管脚为集电极，②管脚为基极，③管脚为发射极；D. ①管脚为发射极，②管脚为集电极，③管脚为基极。
12.在共射基本放大电路中，集电极电阻RC的作用是（）。
模拟电子技术总结(典型习题)
课程主要内容总结 半导体二极管及其基本应用电路 1、PN结及半导体二极管的单向导电特性、伏
安特性方程； 2、二极管应用电路 3、稳压二极管的主要参数、稳压管稳压电路。
双极型BJT及其放大电路
1、BJT的工作原理与电流分配关系、BJT的输 入输出特性、参数； 2、BJT放大电路的图解分析方法和微变电路分 析方法；
3、共射极、共基极、共集电极三种基本放大电路 的静态与动态指标的分析与计算； 4、放大电路的频率响应有关概念问题。
FET及其基本放大电路
1、MOSFET场效应管的分类、工作原理、输出 特性曲线、转移特性曲线、参数； 2、JFET场效应管的分类、工作原理、输出特性 曲线、转移特性曲线、参数； 3、共源极、共漏极、共栅极三种FET放大电路的 微变等效电路分析方法。
1、多路电流源如下图所示，已知所有晶体管的特性 完全一致，VBE=0.7V。
（1）求IC1、IC2的值；
（2）T3的作用是什么？简述理由。
2、分析下面电路，回答下列问题，选择正确答案。
3、现有下列单元电路，
回答下列问题：
(12)实现函数Y=AX2，应选用何电路运算放大器及其单元电路
1、FET、BJT多及放大电路的分析和计算； 2、各种电流源电路的特点； 3、差分式放大电路的静态与动态分析。
放大电路中的反馈
1、反馈的概念、分类、判断、负反馈放大电路的 四种组态； 2、负反馈对放大电路性能的影响； 3、深度负反馈条件小负反馈放大电路电压放大倍 数的估算； 4、负反馈放大电路的稳定性问题。
2、电压比较器的分析计算（迟滞比较器） 3、方波三角波振荡电路。
直流稳压电源
1、直流稳压电源的组成； 2、桥式整流、电容滤波、串联稳压电路的原理、 分析和计算； 3、集成三端稳压器的应用。
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《模拟电子技术复习》1
一.设二极管采用恒压降模型且正向压降为0.7V,试判断下图中各二极管是否导通，并求出图（a）电路在v\-5sincotN吋的输出仏波形以及图（b）电路的输出电
Vo 3V D2
(a) (b)
丄提不:
一、解:
解：（a）吃0.7V, D导通，v o=0.7V； Vj<0.7V, D截止,v o=V{O输出波形如下:压Vol。
R
---3V
卩
i
(b) D2 导通，D1 截止，Vol二(—3+0.7)二-2.3V 。
二•放大电路如图所示。
已知:
Rbi=62K, 7?b2=15K, Rs=10K,
R C =1K, &=3K, C I =C2=10)I ,
0220)1, %c=+15V, 0=80,
V BE 二0. 7Vo 1 •说明电路属于何种组态，
画出该电路的直流通路；(5分)
2•计算该电路的静态工作点。
（5分）
3 •画小信号等效电路，
4•求电压放大倍数，输入电阻，输出电阻。
丄提示：
二、解：
解：1 •共发射极放大电路，直流通路见右图。
2.Q 点:
i^ 15=292V
=2.22mA
1R = ^ = 0.02»nA B P
乙丿= 15—222(3 + 1 丿= 6.12U
（3）微变等效电路图
R C =3K ,
Rbl + Rb2 Rb2 Re
(4)求电压放大倍数Av 、输入电阻和输出电阻；
A v =-pRc/r b e=(50x3yi .6=-94
丄【提示：r bc ： i b 支路电阻，不考虑外电阻Rbl 、Rb2o 不考虑Re,因为有 Ce]
%=300+(1+0)26 (mV) /I E (mA)=1.6(kQ)
Ri=Rbi 〃Rb2// r be =60//24//1.6^1.6 (kQ)
R (尸Rc=3( kQ) 三.放大电路如图所示。
已知C 足够大，场效应管的参数g m =0. 8ms, R 2=6. 8KQ, 三极管的参数0=50,氐二0. 5K,/?3=90KQ,/?4=10KQ,/?5=4KQ,/?6二 1・ 5KQ,/?L =4KQ 。
1•画岀其小信号模型等效电路。
2•计算电路的电压放大倍数A v 、输入电阻尺和输出电阻凡。
3•若/?s =10K 时，计算源电压放大倍数人灯
说明仇对电路频率响应有何影响。
I
人
丄提不:
三、解:
2•电压放大倍数Av 、输入电阻尺和输出电阻Ro ：
第二级的输入电阻为心二心〃局〃[%+(1/)/?6]=8.06K
丄提示：【已知％=0・5K,因为没有Ce ,故：ib 支路的Re 不可忽视】 第一级的电压增益：=- (R 2//R l2) gm 二3・8*0.8二2・95 第二级的电压增益：A‘2=_卩〃篤=J ・3
族+(1 +卩丿傀
总的电压增益：A=A/-A.2=
3.835
■ V
输入电阻7?i ： E = 〒 = R 产10M +
° +*cc
Vo
输出电阻島R( = 4K 【不含Rd
3•源电压放大倍数力A vs =^A V =75^x3.835=3. 83
1 s
丄提示：【信源内阻尺=10K降低了信源电压放大倍数】
&引入电流串联负反馈，所以电路的频带会变宽。
四•反馈放大电路如图示。
1.判断各电路中间级交流反馈的极性(要求在图上标出反馈极性)。
2•对于级间交流反馈为负反馈的电路，进一步判断反馈的类型，同时按深度负反馈的条件估算电路的闭环电压增益(写出表达式)。
并简单说明电路对输入电阻,
输出电阻的影响，对信号源内阻有什么要求?
丄提不:
解：1. (a)负反馈(b)正反馈【不能放大，自激振荡】
2. Q)电压串联负反馈
(a) (b)
(a)负反馈使：输入电阻增加，输出电阻减小，要求信号源内阻越小越好。