物理学教程(第二版)马文蔚下册公式原理整理

12、电场中的任意等势面间的电势差都相等，所以电荷在等势面上运动做功为零。 13、沿着电场线的方向电势降低，等势面密的地方电场强度大，等势面稀得地方 电场强度小。 14、电场强度与等势面的关系 E dV
dl 求均匀带电钢环轴线上的一点的电场强度
R X
V
q 40 (R2
x2 )1/2
E dV d (
2 r
的感应电动势。（电场强度 E ）
2 0 r
t
5） 载流直导线附近的线框运动产生的电动势。 6） 已知磁场变化，求感应电动势的大小和方向。 7） 双缝干涉，求两侧明纹间距，用玻璃片覆盖其中的一缝，零级明纹的移
动情况。（两明纹间距为 d d ' ，要求两侧明纹的间距，就是要看他们 d
9、 单缝衍射的第一暗纹 b sin k （k=1、2….）k=1 时求衍射角 10、自然光透过偏振片，光强为原来的一半
11、马吕斯定律，注意平方（ I I0COS 2 , 为两偏振片狭缝的夹角）
12、无限大均匀带电平面激发的电势 E 2 0
13、劈尖 14、迈克尔孙干涉仪，动臂反射镜移动，干涉条纹的移动（ d n / 2 ， n 为 移动的条纹的个数） 15、单缝衍射，两侧第几级暗纹之间的距离（暗纹 b sin k （k=1、2….）， 明纹 b sin (2k 1) / 2 （k=1、2….），中间明晚呢的宽度为 2 f / b ）
之间有多少个 d ，在一缝加玻璃片，使得一端的光程增加，要使得两侧 光程相等，光应该向加玻璃片的一方移动）
8） 牛顿环暗环公式，理解第几暗环的半径与 k 的关系。（ r kR （k=0、
1、2…..）） 9） 光栅方程，光栅常数，第几级主极大与相应的衍射角，相应的波长，每
厘米刻线条数，第一级谱线的衍射角（光栅明纹方程 (b b ') sin k
物理期末知识点整理 1、 计算题知识点
1） 电荷在电场中运动，电场力做功与外力做功的总的显影使得带电粒子动 能增加。
2） 球面电荷均匀分布，在球内各点激发的电势，特别是在球心激发的电势 （根据高斯定理，球面内的电场强度为零，球内的电势与球面的电势相等
q ，电势满足叠加原理） 4 0 R
3） 两个导体球相连接电势相等。 4） 载流直导线在距离 r 处的磁感应强度 B 0I ，导线在磁场中运动产生
B
0I 4 r0
(cos1
cos2 )
通电长直导线产生的磁场 B 0I 通电圆环在中心处产生的磁场强度 B 0I
2 r0
2R
I
当
x
R
时
B
0 IR 2 2x3
2
24、磁矩 m I S
r0
1
25、安培环路定理 B dl 0I
26、磁通量 BS
BdS （单位 wB T m2 ） s
q
)
dx
dx 40 (R2 x2 )1/2
qx
40 (x2 R2 )3/2
15、感应电荷电场与外电场叠加，使导体内电场为零，导体处于静态平衡状态。
导体处于经典平 衡状态的条件
导体内部任何一点的电场强度为零 导体面处电场强度的方向都与导体表面垂直
16、电位移矢量 D r0E 17、电容 C Q
（n
为电流数密度， vd
为漂移速度，电流时标量）
电流密度 j I / s envd s( A / m2 ) 时矢量
I s jd s
n NA M
21、电荷在磁场中受力： F qv B （1T 1N A1m1 ）
22、毕奥-萨伐尔定律： dB
Байду номын сангаас
0Idl r 4 r3
23、通电导线产生的磁场
5、 导线在磁场中运动（产生感应电动势），电流在磁场中运动受到安培力的作 用。
6、 干涉条件（频率相同，相位相等或相位差恒定，振动方向相同）
7、 薄膜干涉（主要是垂直入射的情况，光程差为 2dn 1 （有无半波损失主要 2
看题目的具体条件而定））
8、 增透膜（ 2dn (2k 1) / 2 （k=0、1、2….））
27、当 r R 时 B 0I 2 r0
0
r
R
时
B
0 Ir 2 R2
0I 2 R
R
r R
4
28、 qvB mv2 R mv
R
Bq
T 2 m Bq
29、在均匀磁场中，若载流导线闭合路的平面与磁感应强度垂直，此闭合回路不
受力的作用。
30、安培力 F l Idl B
16、电子加速后的德布罗意波长为 1.23 nm U
17、电场力沿闭合路径做功为零。 物理公式整理
1、电子电荷 e 1.602 1019 C
me 9.11031kg
2、 两 个 点 电 荷 之 间 的 作 用 力 为 ：
F
1 4 0
q1q2 r2
er
（ 0 8.851012 C 2 N 1 m2 (F m1) ）
（k=0、1、2….）暗纹方程 (b b ') sin (2k 1) / 2 （k=0、1、2….）
光栅常数为 b b ' ）
b
10）
布鲁斯特定律，入射角与折射角的关系
tan b
n2 n1
2、 电场强度的矢量合成 3、 电荷正负与电场线方向的关系（电场线从正电荷发出，终止于负电荷）
4、 安培环路定理 Bdl 0I 。
q 0
8 通电直导线在周围所激发的电场强度为： E 2 0 R
9、实验电荷
q0 从
A
移至
B
的过程，电场力做功W
q1q2 4 0
1 ( RA
1 RB
)
只与始点和终点的位置有关，与路径无关，所以电场强度沿闭合路径积分为零。
10、U AB AB Edl
WAB q(VB VA )
11、点电荷场产生的电势：V Q 4 0 R
U
s Dds 0
求电容的步骤：（1）设两极间带电分别为 Q （2）求极板间的电场强度 E
3
（3）求电容 C Q 0S Ud
18、孤立到踢球的电容： C 40R
19、电容所具有的能量W 1 CU 2 1 QU 1 E2Sd
2
2
2
电场能量密度：
we
1 2
E2
20、
I
dq dt
envd s
3、电场强度：
E
F
q0
4、
点电荷产生的电场强度： E
F q0
Q 4 0 r 2
er
Qr 4 0 r 3
5、
dl
r
R
P dEx
当 x R 时 E q 40 x2
x dE
当 x=0 时 E=0
dE
当x
2 R 时，电场强度最大
2
2
6、电场强度通量e s Eds
7、高斯定理
e
s
Eds