封装工艺介绍
常见ic封装工艺简介
常见ic封装工艺简介答案：常见的IC封装工艺包括DIP、QFP/PFP、SOT、SOIC、TSSOP、QFN、BGA、CSP等。
DIP（Dual In-line Package），即双列直插式封装，是最普及的插装型封装之一，适用于绝大多数中小规模集成电路。
DIP封装的芯片有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上，或者直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。
DIP封装适合在PCB上穿孔焊接，操作方便，但体积较大，适用于标准逻辑IC、存储器和微机电路等应用。
QFP/PFP（Quad Flat Package/Plastic Flat Package），即四方引脚扁平式封装，适用于大规模或超大型集成电路。
QFP封装的芯片引脚之间距离很小，管脚很细，必须采用SMD（表面安装设备技术）将芯片与主板焊接起来。
QFP封装适用于SMD表面安装技术在PCB电路板上安装布线，成本低廉，适用于中低功耗，适合高频使用，操作方便且可靠性高。
SOT（Small Outline Transistor）、SOIC（Small Outline Integrated Circuit）、TSSOP （Thin Small Outline Small Outline Package）、QFN（Quad Flat No-lead Package）、BGA（Ball Grid Array Package）、CSP（Chip Scale Package）等，这些封装形式各有特点，适用于不同的应用场景。
例如，QFN是一种无引脚封装形式，适用于表面贴装技术；BGA通过球栅阵列形式连接，提供了更高的I/O密度；CSP则通过采用Flip Chip技术和裸片封装，实现了芯片面积与封装面积的比值接近1:1，为目前最高级的技术。
这些封装形式的选择取决于多种因素，包括封装效率、芯片面积与封装面积的比值、引脚数等。
不同的封装形式各有优势，选择合适的封装形式对于确保电子设备的性能、可靠性和成本至关重要。
集成电路封装技术-封装工艺流程介绍
第二章 封装工艺流程
2.4.2 载带自动键合技术
TAB的关键技术
芯片凸点制作技术
TAB载带制作技术
载带引线与芯片凸点的内引线焊接和载带外引线 焊接技术
第二章 封装工艺流程
2.4.2 载带自动键合技术
TAB的关键技术--芯片凸点制作技术
一般工艺方法 将芯片反面淀积一定厚度的Au或Ni，同时在焊盘上淀积
Au-Pd-Ag和Cu的金属层。然后利用合金焊料将芯片焊接在 焊盘上。焊接工艺应在热氮气或能防止氧化的气氛中进行。
硬质焊料
合金焊料
软质焊料
第二章 封装工艺流程
2.3.3 导电胶粘贴法 导电胶是银粉与高分子聚合物〔环氧树脂〕的混合物。银
第二章 封装工艺流程
2.3.1共晶粘贴法 预型片法，此方法适用于较大面积的芯片粘贴。优点是
可以降低芯片粘贴时孔隙平整度不佳而造成的粘贴不完全 的影响。
第二章 封装工艺流程
2.3.2 焊接粘贴法
变形方式的不同，继而产生的各种应力。当材料在外力作用下不能产生位移时，它的几何形状和尺寸将发
在一点的集度焊称为接应粘力〔贴St法res是s〕利。物用体合由于金外反因而响变进形时行，芯在物片体粘内各贴局的部之方间法产生。相优互作点用是的内力， 应变方向平热行，传而导切应性力好的方。向与应变垂直。按照载荷〔Load〕作用的形式不同，应力又可以分为拉伸压
这三种连接技术对于不同的封装形式和集成电路芯片集成度的限制各有 打线键合适用引脚数为3-257；载带自动键合的适用引脚数为12-600；
第二章 封装工艺流程
2.4.1 打线键合技术
打线键合技术
超声波键合（Ultrasonic Bonding ,U/S bonding）
集成电路封装技术封装工艺流程介绍
集成电路封装技术封装工艺流程介绍集成电路封装技术是指将芯片封装在塑料或陶瓷封装体内，以保护芯片不受外界环境的影响，并且方便与外部电路连接的一种技术。
封装工艺流程是集成电路封装技术的核心内容之一，其质量和工艺水平直接影响着集成电路产品的性能和可靠性。
下面将对集成电路封装技术封装工艺流程进行介绍。
1. 芯片测试首先，芯片在封装之前需要进行测试，以确保其性能符合要求。
常见的测试包括电性能测试、温度测试、湿度测试等。
只有通过测试的芯片才能进行封装。
2. 芯片准备在封装之前，需要对芯片进行准备工作，包括将芯片固定在封装底座上，并进行金线连接。
金线连接是将芯片的引脚与封装底座上的引脚连接起来，以实现与外部电路的连接。
3. 封装材料准备封装材料通常为塑料或陶瓷，其选择取决于芯片的性能要求和封装的环境条件。
在封装之前，需要将封装材料进行预处理，以确保其表面光滑、清洁，并且具有良好的粘附性。
4. 封装封装是整个封装工艺流程的核心环节。
在封装过程中，首先将芯片放置在封装底座上，然后将封装材料覆盖在芯片上，并通过加热和压力的方式将封装材料与封装底座紧密结合。
在封装过程中，需要控制封装温度、压力和时间，以确保封装材料与芯片、封装底座之间的结合质量。
5. 封装测试封装完成后，需要对封装产品进行测试，以确保其性能和可靠性符合要求。
常见的封装测试包括外观检查、尺寸测量、焊接质量检查、封装材料密封性测试等。
6. 封装成品通过封装测试合格的产品即为封装成品，可以进行包装、贴标签、入库等后续工作。
封装成品可以直接用于电子产品的生产和应用。
总的来说，集成电路封装技术封装工艺流程是一个复杂的过程，需要精密的设备和严格的工艺控制。
只有通过合理的工艺流程和严格的质量控制，才能生产出性能优良、可靠性高的集成电路产品。
随着科技的不断进步，集成电路封装技术也在不断创新和发展，以满足不断变化的市场需求。
相信随着技术的不断进步，集成电路封装技术将会迎来更加美好的发展前景。
封装工艺
10、SOT(Small Outline Transistor )
小外形晶体管。SOT系列主要有SOT-23、 SOT-223、SOT25、SOT-26、SOT323、 SOT-89等。当电子产品尺寸不断缩小 时， 其内部使用的半导体器件也必须变小， 更小的半导体器件使得电子产品能够更 小、更轻、更便携，相同尺寸包含的功 能更多。 SOT-25 SOT-26 SOT-223 SOT-23
图示过程:
抓片头 装片头 框架 银浆分 配器 校正台 簿膜 吸嘴 芯片 簿膜 顶头
圆片
四.键合过程
键合(wire bonding)的目的
为了使芯片能与外界传送及接收信号，就必须在 芯片的接触电极与框架的引脚之间，一个一个对 应地用键合线连接起来。这个过程叫键合。
框架 内引 脚 芯片接处电极 键合引线
3.吸水性，透湿率要低。
4.热膨胀系数要高，导热率要低。
5.成型收缩率和内部应力要小。
6.成型，硬化时间要短，脱模性要好。
7.流动性及充填好，飞边少。
使用塑封封装的理由:
1.工艺简单，便于大量生产，成本低。
2.工作温度较低
3.芯片事先加了保护性钝化膜。
4.塑封材料符合封装的要求。
六.电镀工程
电镀的目的:
(2)由于温度降低，可以减少金铝间的金属化合物的产生，从 而提高键合强度，降低接触电阻。 (3)能键合不能耐300 ℃ 以上高温的器件。 (4)键合压力，超声功率可以降低一些。 (5)有残余的钝化层或有轻微氧化的铝压点也能键合。
五.塑封工程
IC密封的目的
密封是为了保护器件不受环境影响（外部冲击， 热及水伤）而能长期可靠工作。
全自动切割方式
贴膜 划片洗净及干燥 装片
IC封装工艺简介
IC封装工艺简介集成电路（IC）封装工艺是制造IC的重要步骤之一，它关系到IC的稳定性、散热效果和外形尺寸等方面。
通过不同的封装工艺，可以满足不同类型的IC器件的需求。
封装工艺分类目前常见的IC封装工艺主要有以下几种类型：1.贴片封装：是将IC芯片直接粘贴在PCB基板上的封装方式，适用于小型、低功耗的IC器件。
2.裸片封装：IC芯片和封装基板之间没有任何封装材料，可以获得更好的散热效果。
3.塑封封装：将IC芯片封装在塑料基板内部，并封装成标准尺寸的芯片，适用于多种场合。
4.BGA封装：球栅阵列封装是一种高端封装技术，通过焊接球栅来连接芯片和PCB基板，适用于高频高性能的IC器件。
封装工艺流程IC封装工艺包括以下几个主要步骤：1.芯片测试：在封装之前，需要对芯片进行测试，确保芯片的功能正常。
2.粘贴：在贴片封装中，IC芯片会被粘贴到PCB基板上，需要精确的定位和固定。
3.焊接：通过焊接技术将IC芯片和PCB基板连接起来，确保信号传输的可靠性。
4.封装：将IC芯片包裹在封装材料中，形成最终的封装芯片。
5.测试：封装完成后需要进行最终的测试，确保IC器件性能符合要求。
封装工艺发展趋势随着技术的不断进步，IC封装工艺也在不断发展，主要体现在以下几个方面：1.多功能集成：随着对IC器件功能和性能需求的提高，封装工艺需要支持更多的功能集成，如封装中集成无源器件或传感器等。
2.微型化：随着电子产品体积的不断缩小，IC封装工艺也在朝着微型化的方向发展，以满足小型化产品的需求。
3.高性能封装：为了提高IC器件的性能和可靠性，封装工艺需要支持更高频率、更高功率的IC器件。
综上所述，IC封装工艺在集成电路制造中扮演着重要的角色，通过不断的创新和发展，可以满足各类IC器件的需求，推动整个电子产业的不断进步。
封装工艺介绍
Check
C sun N/A Cure Parameter Nitrogen gas flow Die Shear
Oven
Wire Bonding
Page 15
Purpose:
Use ultrasonic, force , temp, time to connect the bond pad with lead frame by gold/copper/Silver/Aluminium wire.
二焊点不良：第二焊点根部有撕 裂或隐裂现象
Cratering Test
弧度不良：焊丝与芯片，引线框及其 他焊丝的最短距离＜2倍焊丝直径
IMC Check
Molding
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Purpose:
Seal the product with EMC to prevent die, gold wire from being damaged, contaminated and oxygenic.
Wafer Mount
Page 6
Purpose:
Combine the wafer with Dicing tape onto the frame for die sawing
Wafer Saw
Purpose:
Make the wafer to unit can pick up by die bonder
度沿刀片与晶圆接触点的切线方向呈直线运动,切割晶圆产生
就越大，背面崩裂现象就会有加重的趋势。
一般硅晶片
的硅屑被去离子水(Dl water)冲走。
Laser full cutting
将激光能量于极短的时间内集中在微小区域，使固体升华、蒸 发的全切割加工
集成电路封装工艺介绍
为什么要对芯片进行封装？任何事物都有其存在的道理，芯片封装的意义又体现在哪里呢？从业内普遍认识来看，芯片封装主要具备以下四个方面的作用：固定引脚系统、物理性保护、环境性保护和增强散热。
下面我们就这四方面做一个简单描述。
1.固定引脚系统要让芯片正常工作，就必须与外部设备进行数据交换，而封装最重要的意义便体现在这里。
当然，我们不可能将芯片内的引脚直接与电路板等连接，因为这部分金属线相当细，通常情况下小于1.5微米（μm），而且多数情况下只有1.0微米。
但通过封装以后，将外部引脚用金属铜与内部引脚焊接起来，芯片便可以通过外部引脚间接地与电路板连接以起到数据交换的作用。
外部引脚系统通常使用两种不同的合金——铁镍合金及铜合金，前者可用于高强度以及高稳定性的场合，而后者具有导电性和导热性较好的优势。
具体选用何种引脚系统可根据实际情况来定。
2.物理性保护芯片通过封装以后可以免受微粒等物质的污染和外界对它的损害。
实现物理性保护的主要方法是将芯片固定于一个特定的芯片安装区域，并用适当的封装外壳将芯片、芯片连线以及相关引脚封闭起来，从而达到保护的目的。
应用领域的不同，对于芯片封装的等级要求也不尽相同，当然，消费类产品要求最低。
3.环境性保护封装的另一个作用便是对芯片的环境性保护，可以让芯片免受湿气等其他可能干扰芯片正常功能的气体对它正常工作产生不良影响。
4.增强散热众所周知，所有半导体产品在工作的时候都会产生热量，而当热量达到一定限度的时候便会影响芯片正常工作。
而封装体的各种材料本身就可以带走一部分热量。
当然，对于大多数发热量大的芯片，除了通过封装材料进行降温以外，还需要考虑在芯片上额外安装一个金属散热片或风扇以达到更好的散热效果。
集成电路封装工艺介绍(上)电子封装是一个富于挑战、引人入胜的领域。
它是集成电路芯片生产完成后不可缺少的一道工序，是器件到系统的桥梁。
封装这一生产环节对微电子产品的质量和竞争力都有极大的影响。
集成电路封装工艺介绍
集成电路封装工艺介绍
SMD（Surface Mount Technology，表面安装技术）集成电路封装技术是一种利用表面安装技术来安装集成电路片上的元件，这种技术为模块封装提供了一种新的封装方式。
SMD封装技术在使用后可以实现低成本、高密度和高可靠性，在封装技术中已经得到了广泛应用。
下面介绍SMD集成电路封装工艺：
1.贴标：将集成电路封装片进行贴标，贴标中需包含集成电路芯片型号、芯片生产厂商、批量等信息，以及集成电路封装片的图纸。
2.清洗：进行封装片的清洗，通常使用抛光膏、洗涤液等来完成清洗工作，使其能够保持清洁无杂质。
3.引弧焊：将元件焊接到封装片上，通常采用引弧焊工艺，即采用电弧的能量将元件与前面进行过清洗的封装片上焊上。
4.返修：返修是根据集成电路封装的失效原因，通过改变封装片上的焊接参数和元件的安装形式，来改善集成电路封装的质量，以保证封装片的质量，通过返修可以减少集成电路封装的失效。
5.检测：检测是从元件安装，焊接，到封装完成后，进行完整性和质量检测，进而使其在使用中能够发挥良好的性能，满足质量要求。
集成电路封装工艺
集成电路封装工艺一、基本概念1.集成电路封装：将芯片与封装材料结合，形成电路封装结构，以提供芯片的保护、连接和安装环境。
2.封装工艺：指封装过程中所需要进行的操作和方法，包括封装流程、工艺参数的选择、工艺设备的操作等。
3.封装材料：封装芯片的材料，包括封装基底、封装芯片、引线材料等。
二、主要步骤1.芯片准备：在封装之前，需要进行芯片的准备工作，包括切割、测试和打磨等。
2.封装设计：根据芯片的尺寸、引脚数量和功能需求，设计封装结构和引线布局。
3.封装材料安装：将芯片放置在封装基底上，并固定好。
4.引线焊接：将引线与芯片的金属引脚相连接，实现信号传输和电路连接。
5.填充和灌封：使用封装材料填充器灌注封装基底中的空隙，以保护芯片。
6.引线修整和测试：修整引线的长度和位置，并进行封装的测试，确保封装质量和功能正常。
7.成品包装：对封装好的芯片进行标识、分类和包装，方便销售和使用。
三、常见封装类型1.DIP封装：双列直插封装，是最早的封装方式，引线通过孔插入电路板中。
2.QFP封装：方形扁平封装，引线以密集的“枪口”状排列，适用于高密度电路设计。
3.BGA封装：球栅阵列封装，芯片的引脚以球形焊点连接到电路板上，用于高性能和高速芯片。
4.CSP封装：芯片级封装，芯片直接封装在基底上，尺寸小、功耗低、散热性好。
5.COB封装：芯片覆盖封装，将芯片直接粘接在基底上，整个芯片组成一个整体。
封装工艺在集成电路制造中起到了重要的作用，能够增强电路的稳定性和可靠性，提高电路的性能和尺寸紧凑度。
随着科技的不断进步和集成电路的不断发展，封装工艺也在不断创新和改进。
未来，随着新的材料和封装技术的引入，集成电路封装工艺将会进一步提高，为电子设备的发展提供更多可能性。
SOP封装工艺流程介绍
目录
• SOP封装简介 • SOP封装工艺流程 • SOP封装材料 • SOP封装技术发展趋势 • SOP封装工艺问题与对策
01
SOP封装简介
SOP封装定义
SOP封装，全称为Small Outline Package，是一种常见的电子封装形 式，主要用于将集成电路（IC）封装 在印刷电路板（PCB）上。
微型化是指通过减小封装尺寸来减小整个电子设备的体积和重量。SOP封装技 术通过改进封装结构、减小引脚间距、采用薄型小尺寸封装等形式，实现了更 小的封装尺寸，满足了电子设备微型化的需求。
高集成度
总结词
随着集成电路技术的发展，SOP封装技术也呈现出高集成度 的发展趋势。
详细描述
高集成度是指通过在单一封装内集成更多的电子元件和功能 ，提高整个系统的性能和功能。SOP封装技术通过采用多芯 片组装、集成无源元件等方式，实现了更高的集成度，提高 了系统的性能和功能。
02
这一步骤中，需要检查产品是否有明显的缺陷、污渍或不良的
机械性能。
外观检查通常采用自动化设备进行，以提高检查效率和准确性。
03
测试与筛选
测试与筛选是对已完成的SOP封装产品进行电气 性能测试和筛选的过程。
这一步骤中，需要使用测试设备对产品的电气性 能进行检测，如电压、电流、电阻和电容等。
对于不合格的产品需要进行筛选和处理，以确保 最终产品的质量和可靠性。
VS
详细描述
引脚扭曲的原因可能包括引脚材料质量不 佳、加工精度不足、插装过程中受到外力 等。为了解决这个问题，可以加强引脚材 料的质量控制、提高加工精度、优化插装 工艺，并在插装过程中避免外力作用。
芯片破损
总结词
封装工艺流程
封装工艺流程
封装工艺是电子元器件制造中至关重要的一环，它直接影响到元器件的性能和可靠性。
在封装工艺中，包括了多个步骤和工艺流程，下面将对封装工艺流程进行详细介绍。
首先，封装工艺的第一步是芯片准备。
芯片准备包括对芯片进行清洗、切割和测试。
清洗是为了去除芯片表面的杂质和污垢，以保证封装工艺的顺利进行；切割是将芯片切割成单个的芯片块，以便后续的封装；测试是对芯片进行功能和性能的测试，以筛选出不合格的芯片，确保封装后的产品质量。
接下来是封装材料的准备。
封装材料包括封装胶、导线、基板等。
封装胶是用来封装芯片和导线的材料，它需要具有良好的粘接性能和导热性能；导线是用来连接芯片和基板的材料，它需要具有良好的导电性能和可焊性；基板是封装的载体，它需要具有良好的导热性能和机械强度。
然后是封装工艺的主要步骤——封装。
封装是将芯片和导线封装在封装胶中，并将其固定在基板上的过程。
在封装过程中，需要控制好封装胶的温度、压力和时间，以确保封装胶能够充分固化，
并且芯片和导线能够被牢固地固定在基板上。
最后是封装产品的测试和包装。
测试是对封装后的产品进行功能和性能的测试，以确保产品符合规定的标准和要求；包装是将测试合格的产品进行包装，以便于存储和运输。
总的来说，封装工艺流程包括芯片准备、封装材料的准备、封装和封装产品的测试和包装。
每个步骤都至关重要，任何一环节的问题都可能导致产品的质量不合格。
因此，在封装工艺中，需要严格控制每个步骤的工艺参数，以确保产品的质量和可靠性。
半导体封装工艺介绍
半导体封装工艺介绍半导体封装工艺是指将半导体芯片封装在外部保护材料中的过程。
封装是半导体制造中非常重要的一步，它能够为芯片提供保护、连接和散热，同时也决定了芯片的最终形态和性能。
在半导体封装工艺中，常见的封装形式包括晶圆级封装、芯片级封装和模块级封装。
晶圆级封装是指将整个晶圆进行封装，形成封装体积较大的组五芯片。
这种封装方式适用于需要处理大量器件，或者需要集成多个芯片的应用。
晶圆级封装工艺主要包括晶圆薄化、切割、球焊、倒装焊等步骤。
芯片级封装是指将单个芯片进行封装，形成封装体积较小的芯片组件。
这种封装方式适用于需要高度集成的应用，如移动设备、计算机等。
芯片级封装工艺主要包括铜薄膜封装、焊点球分离、球贴粘结等步骤。
模块级封装是指将多个芯片进行封装，形成具有特定功能的模块。
这种封装方式适用于需要实现特定功能的应用，如通信设备、汽车电子等。
模块级封装工艺主要包括芯片布局、芯片连接、封装材料应用等步骤。
在半导体封装工艺中，常见的封装材料包括基板、封装胶、焊料等。
基板是芯片的支撑材料，它能够提供机械支撑和交流电连接。
封装胶是用于保护芯片和连接线的材料，它能够提供机械强度和防潮性能。
焊料是用于芯片和基板之间的连接，它能够提供良好的导电性和机械强度。
在半导体封装工艺中，常见的连接技术包括焊接和粘接。
焊接是指通过加热将焊料熔化后使其流动，从而实现芯片和基板之间的连接。
焊接技术具有连接可靠、成本低、性能稳定等优点。
粘接是指使用粘胶剂将芯片和基板粘合在一起。
粘接技术具有连接灵活、成本低、可逆性等优点。
总之，半导体封装工艺是将半导体芯片封装在外部保护材料中的过程，它对于半导体设备的性能和可靠性有着重要影响。
不断发展的封装工艺将推动半导体技术的进一步发展，为各个领域的应用提供更加高效、可靠的解决方案。
封装的工艺技术
封装的工艺技术封装的工艺技术封装工艺技术是现代电子元器件制造过程中的关键环节之一。
封装是将电子元器件（如芯片、电阻、电容等）封装在塑料或金属外壳中，以保护其免受外界环境的损害，同时提供连接与布线的功能。
封装工艺技术的发展，对电子产品的品质、性能和可靠性都起着至关重要的作用。
如今，随着电子产品的不断更新换代，封装工艺技术也在不断创新与发展。
首先，封装工艺技术的实质是在保护电子元器件的基础上，实现器件与电路板的相互连接。
常见的封装工艺技术有表面贴装（SMT）、插装、分立封装等。
其中，SMT技术是目前最主流也是最广泛应用的一种封装工艺技术，它通过将电子元器件直接粘贴在电路板上，使用焊接技术与电路板相连接。
相比传统的插装技术，SMT技术具有体积小、功耗低、重量轻、信号传输速度快的优势，能够大大提高电子产品的性能和可靠性。
其次，封装工艺技术的提高有助于实现电子设备的集成化和微型化。
随着科技的进步和市场需求的变化，人们对电子产品的要求也越来越高。
尤其是在智能手机、平板电脑等方面，消费者对电子产品的体积和重量都有较高的要求。
在这种情况下，封装工艺技术的发展就显得尤为重要。
通过优化封装技术，可以实现更小的封装体积，从而使得电子设备更轻巧、便携。
同时，封装技术的发展也使得电子产品能够集成更多的功能模块，提供更好的用户体验。
最后，封装工艺技术的提高也对电子产品的可靠性和环保性产生了积极的影响。
封装工艺技术的优化，可以让电子元器件更牢固地固定在外壳中，从而提高电子产品的抗冲击能力和耐用性。
在环保方面，优化的封装工艺技术可以使用更少的材料，减少对环境的影响。
例如，采用无铅封装技术，可以避免有毒铅元素的使用，从而降低环境污染。
总之，封装工艺技术的不断创新和发展，在电子产品制造领域起着举足轻重的作用。
通过不断优化封装工艺技术，可以实现电子产品的集成化、微型化和高可靠性。
未来，随着科技的不断进步，封装工艺技术还将继续为电子产品的发展提供强大支持，推动电子产品向更高质量和性能的方向发展。
一文详解封装制程工艺
点就是制程能力。
SIP封装制程按照芯片与基板的连接方式可分为引线键合封装和倒装焊两种。
引线键合封装工艺工艺流程圆片→圆片减薄→圆片切割→芯片粘结→引线键合→等离子清洗→液态密封剂灌封→装配焊料球→回流焊→表面打标→分离→最终检查→测试→包装。
圆片减薄圆片减薄是指从圆片背面采用机械或化学机械（CMP）方式进行研磨，将圆片减薄到适合封装的程度。
随着系统朝轻薄短小的方向发展，芯片封装后模块的厚度变得越来越薄，因此在封装之前一定要将圆片的厚度减薄到可以接受的程度，以满足芯片装配的要求。
圆片切割圆片减薄后，可以进行划片。
较老式的划片机是手动操作的，现在一般的划片机都已实现全自动化。
无论是部分划线还是完全分割硅片，目前均采用锯刀，因为它划出的边缘整齐，很少有碎屑和裂口产生。
芯片粘结已切割下来的芯片要贴装到框架的中间焊盘上。
焊盘的尺寸要和芯片大小相匹配，若焊盘尺寸太大，则会导致引线跨度太大，在转移成型过程中会由于流动产生的应力而造成引线弯曲及芯片位移现象。
贴装的方式可以是用软焊料（指Pb-Sn 合金，尤其是含Sn 的合金）、Au-Si 低共熔合金等焊接到基板上，在塑料封装中最常用的方法是使用聚合物粘结剂粘贴到金属框架上。
引线键合在塑料封装中使用的引线主要是金线，其直径一般为0.025mm~0.032mm。
引线的长度常在1.5mm~3mm之间，而弧圈的高度可比芯片所在平面高 0.75mm。
键合技术有热压焊、热超声焊等。
这些技术优点是容易形成球形（即焊球技术），并防止金线氧化。
为了降低成本，也在研究用其他金属丝，如铝、铜、银、钯等来替代金丝键合。
热压焊的条件是两种金属表面紧紧接触，控制时间、温度、压力，使得两种金属发生连接。
表面粗糙（不平整）、有氧化层形成或是有化学沾污、吸潮等都会影响到键合效果，降低键合强度热压焊的温度在300℃~400℃，时间一为40ms（通常,加上寻找键合位置等程序，键合速度是每秒二线）。
超声焊的优点是可避免高温，因为它用20kHz~60kHz的超声振动提供焊接所需的能量，所以焊接温度可以降低一些。
半导体封装工艺介绍
IC Package （IC的封装形式）
按与PCB板的连接方式划分为：
PTH
PTH-Pin Through Hole, 通孔式； SMT-Surface Mount Technology，表面贴装式。 目前市面上大部分IC均采为SMT式的
SMT
IC Package （IC的封装形式） 按封装外型可分为： SOT 、QFN 、SOIC、TSSOP、QFP、BGA、CSP等； 决定封装形式的两个关键因素: 封装效率。芯片面积/封装面积，尽量接近1:1； 引脚数。引脚数越多，越高级，但是工艺难度也相应增加； 其中，CSP由于采用了Flip Chip技术和裸片封装，达到了 芯片面积/封装面积=1:1，为目前最高级的技术； 封装形式和工艺逐步高级和复杂
存放条件：零下5°保存，常温下需回温24小时；
主要成分为：环氧树脂及各种添加剂（固化剂，改性剂，脱
Raw Material in Assembly(封装原材料) 【Epoxy】银浆 成分为环氧树脂填充金属粉末（Ag）； 有三个作用：将Die固定在Die Pad上； 散热作用，导电作用； 50°以下存放，使用之前回温24小时；
Cavity
L/F
L/F
EOL– Molding（注塑）
Molding Cycle -L/F置于模具中，每个Die位于Cavity中，模具合模。 -块状EMC放入模具孔中 -高温下，EMC开始熔化，顺着轨道流向Cavity中 -从底部开始，逐渐覆盖芯片 -完全覆盖包裹完毕，成型固化
EOL– Laser Mark（激光打字） 在产品（Package）的正面或者背面激光刻字。内容有：产品名称，生产日期，生产批次等； Before After
FOL– Wire Bonding 引线焊接 陶瓷的Capillary 内穿金线，并且在EFO的作用下，高温烧球； 金线在Cap施加的一定压力和超声的作用下，形成Bond Ball； 金线在Cap施加的一定压力作用下，形成Wedge；
半导体封装工艺介绍
半导体封装工艺介绍半导体封装工艺是在半导体芯片制造过程中的最后一个重要环节，它是将成品芯片连接到封装材料（如封装盖、引线、基板等）上的过程。
封装工艺的主要目的是为了保护芯片免受外部环境的影响，并提供连接外部电路所需的物理支持。
以下是半导体封装工艺的介绍。
1.封装材料选择封装材料的选择非常重要，它必须具备良好的热传导能力、高的可靠性和稳定性，以及良好的防尘、防湿、防腐蚀等性能。
常见的封装材料有陶瓷、塑料和金属等。
选择适当的封装材料可以提高芯片的性能和可靠性。
2.芯片倒装封装芯片倒装封装是指将芯片倒置，将芯片连接到封装基板上。
倒装封装可以减小芯片尺寸，提高集成度，减小信号传输距离，增加工作速度。
倒装封装需要进行焊接、接线、封装盖等工艺步骤。
3.球栅阵列封装（BGA）球栅阵列封装是一种常见的封装方式，它可以提供更多的引脚数量，并且引脚布局紧密，有利于功耗分布和信号传输。
BGA封装采用焊球连接芯片和封装基板，可以提高焊接可靠性和热传导能力。
4.多芯片封装（MCP）多芯片封装是将多个芯片集成在同一个封装盖内，节省空间、提高性能的封装技术。
MCP封装可以集成多个芯片，如存储芯片、逻辑芯片、功率芯片等，从而实现更高的集成度和性能。
5.系统级封装（SiP）系统级封装是将多个不同功能的芯片集成在同一个封装盖内，形成一个完整的系统。
系统级封装可以实现更高的集成度、更小的尺寸和更高的性能。
SiP封装通常包含各种芯片、射频模块、天线、滤波器等。
6.低温共热封装（LTCC）低温共热封装是一种在低温条件下封装的技术，可以提高封装成本和性能。
LTCC封装可以通过控制温度和时间来实现芯片和封装材料之间的结合，有利于提高封装精度和工艺稳定性。
7.高温共热封装（HTCC）高温共热封装是一种在高温条件下封装的技术，适用于对高温环境具有高要求的应用。
HTCC封装可以提供更大的功率传导和散热能力，增加芯片的可靠性和稳定性。
总之，半导体封装工艺是将芯片连接到封装材料上的过程，它直接影响到芯片的性能、可靠性和稳定性。
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导热电性能好，但CTE失配严重， 在焊接中易产生热应力，芯片易开 裂，一般只用于小芯片装片
工艺通用性强，适用于导电热性要
导电胶（Epoxy）
环氧树脂（填充银）化 芯片不需要预处理，粘结后固 求不高的器件，因为其导热电性能
学结合
化出来或热压结合
比共晶、铅锡银装片差，吸潮易形
成空洞，开裂。
软焊料（Soft Solder) 铅锡银焊料合金反应
芯片背面镀银或金或镍，镀银 基岛更优，轨道气保护加热
导热电性能好，但工艺复杂，焊料 易氧化，一般用于大电流大功率器 件
玻璃胶（DAF）
绝缘玻璃胶物理结合 上胶加热至玻璃熔融温度
成本低，适用于超薄芯片叠封，焊 线前需要洗plasma去除有机成分
Die Attach
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粘着剂的工艺流程
Die Attach
Post Mold Cure Laser Marking
De-junk De-flash Plating Trim/Form
Test Packing
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Laser Marking
Before
After
Wafer Grinding
Purpose:
Make the wafer to suitable thickness for the package
Wafer Saw
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Wafer Saw Technology
Technology
Advantages or Characteristics
Range of applic ation
使用微细金刚石颗粒构成的磨轮刀片，以每分钟3万转到4万
BD(Blade Dicing)
转的高转速切割晶圆，同时,承载着晶圆的工作台以一定的速 切割速度慢，生产效率低，随着晶片的厚度越薄，切割的难度也
的间隔
Thin wafer；背面附 金属膜的硅晶片如： GaP(磷化镓)晶片等
采用了非发热加工方式即短脉冲激光切割技术，来去除切割道上
Laser Groove + BD
先在切割道内切开用激光2条细槽(开槽)，然后再使用磨轮刀 的Low-k膜及铜等金属布线，所以能够在开槽加工过程中最大限度
片在2条细槽的中间区域实施全切割
Control
Check
C sun N/A Cure Parameter Nitrogen gas flow Die Shear
Oven
Wire Bonding
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Purpose:
Use ultrasonic, force , temp, time to connect the bond pad with lead frame by gold/copper/Silver/Aluminium wire.
空洞不良：焊料装片单个空洞面积大于3% 芯片面积，累计空洞面积大于8%芯片面积 Solder paste 装片单个空洞面积大于5% 芯片面积，累计空洞面积大于10%芯片面 积
Epoxy cure
Purpose:
Solidify the epoxy after D/A
Inside
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Machine Material
C-Sun
NA Cure temp. Cure time
Profile
后固化目的：提高材料的交联密度；缓释制造应力。 后固化温度：通常在175度左右（接近Tg温度，分子链相对松弛；催化剂的活性较高。） 后固化时间：4-8H，通常恒温6H（后固化烘箱温度均匀性；后固化烘箱的升温速度。）
地排除因发热所产生的影响，能够提高生产效率，减少崩裂、分
Low-k wafer
层(薄膜剥离)等不良因素造成的加工质量问题。
SD(Stealth Dicing)
隐形切割是将激光聚光于工件内部，在工件内部形成改质层， 通过扩展胶膜等方法将工件分割成芯片的切割方法
由于工件内部改质，因此可以抑制加工屑的产生。适用于抗污垢
Wire Bonding
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Quality Control
Ball Shear
Wire Pull
球形不良：球径大小不良，＜2倍焊丝直径或 ＞4倍 焊丝直径；特殊情况（压区尺寸小于 常规 情况）下，球径＜焊区单边边长的70% 或＞焊区单边边长为不良； 球厚度不良:压扁变形,球厚度<30%焊线直径 或球厚度>70%焊线直径为不良
Wire Bonding
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The difference between Ball Bonding and Wedge Bonding
球焊Ball Bonding和键合Wedge Bonding的区别 1、在一定温度下，在超声发生器作用下，通过焊能头使电能转变为机械振动，带动
金球、铜球与铝层产生塑型形变，形成良好的牢度。(在形成球时需要用氢氮混合 气体避免铜线氧化） 2、键合又叫锲形焊，是因为它的压点象锲形(三棱镜)。在常温下，铝丝通过换能头及 劈刀的机械振动，与铝层粘合在一起。它的优点是不会产生化合物。
C-SAM 检查
Post Mold Cure
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Purpose:
To let EMC react completely so that products can be protected more effectively.
Oven
Machine Material Control
Check
性能差的工件；适用于抗负荷能力差的工件（MEMS等），且采 用干式加工工艺，无需清洗；可以减小切割道宽度，因此有助于
减小芯片间隔
Ultra-thin wafer(Flas h Memory, Memory
Controller)
Process difference between BD and SD:
Body Thickness/Wire Curvature
Void/Delamination Visual Inspection
Molding
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Quality Control
孔洞 上下错位
内部气泡 溢胶
缺角
弧度不良：焊线冲歪率大于20% 碰线不良：线与线的距离小于2倍线径、 断线、接触芯片或外引脚
Ball Bonding
Wedge Bonding
Machine Material Control
Check
KNS/ASM Wire/Capilary Bonding Parameter Heat Block Temp
WBP/WBS Ball Size//Crater Visual Inspection
度沿刀片与晶圆接触点的切线方向呈直线运动,切割晶圆产生
就越大，背面崩裂现象就会有加重ห้องสมุดไป่ตู้趋势。
一般硅晶片
的硅屑被去离子水(Dl water)冲走。
Laser full cutting
将激光能量于极短的时间内集中在微小区域，使固体升华、蒸 发的全切割加工
切割速度快，生产效率高，对于薄片可以有效减少背面崩裂现象， 切割槽宽度小，与刀片相比切割槽损失少，所以可以减小芯片间
Wafer Mount
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Purpose:
Combine the wafer with Dicing tape onto the frame for die sawing
Wafer Saw
Purpose:
Make the wafer to unit can pick up by die bonder
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Machine Material Control
Check
Disco(DFG8540) UV Tape
DI Wafer Resistivity Vacuum Pressure Wafer Roughness Wafer Warpage Wafer Thickness Visual Inspection
Machine Material Control
Check
ESEC/ASM Epoxy/Leadframe Bonding Parameter Collect/Needle Height Epoxy Thickness/Die Tilt Bonding Position/Die Shear Visual Inspection
Package process introduction
Presenter: GanJun Luo 2019/08/15
Purpose and Outline
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Purpose:
•Share package process introduction
Out line:
•The purpose of chip packaging •Process flow
Collect
Needle
Pick up tool: 247X479mil
Die Attach
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Die attach method
Eutectic, Epoxy, soft solder, DAF
装片工艺
粘结方式
技术要点
技术优缺点
共晶（Eutectic）
金属共晶化合物；扩散
芯片背面镀金，镀银基岛，轨 道气保护加热
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Machine Material Control
Check
Disco(DFD4360/DAD3350) Saw Blade
DI Water Resistivity(+CO2) Sawing/Cleaning Parameter
Kerf Chipping Width Visual Inspection