存储器及其与系统的连接

• RAM从结构上可以分为两种：
(1)静态RAM（Static RAM）
每个存储器电路由MOS晶体管构成，其基本结构为一个双稳态触 发器。特点：工作稳定，不需要进行刷新；成本高，功耗大
(2)动态RAM（Dynamic RAM）
利用MOS管栅源间的极间电荷存储信息。特点：制造容易，功耗 小，成本低，集成度高；但电容上存储的电荷易泄露，需要 不断刷新
• ROM有三种类型：
(1)掩模ROM 由生产厂家利用光刻掩模技术将程序写入，写入后内容永久固
定，用户不可更改，可靠性高 (2)可编程ROM（PROM） 常用的有熔断丝PROM，该熔断丝串联在晶体管的某个电极中，
用户编程时利用专门的编程器，用大电流将熔丝烧断，从 而将信息永久保存下来。一次写入机会 (3)可擦写的可编程ROM（EPROM） 特点：可以反复的写入程序。EPROM有两类：用紫外线擦写 的EPROM和用电擦写的E2PROM
容量为2K×8 ，电擦除， 电编程，既能对单个存储 单元进行擦除和重写，也 能对整个芯片在10mS内进 行擦除。工作电压+5V， 编程电压+21V。
2816有3种工作方式：
（1）读模式： Vcc 5V , CE 0, OE 0
（2）单字节写模式： Vpp 21V , CE 0, OE 1
Fra Baidu bibliotek二节 常用存储器芯片
一、RAM芯片
1、6264RAM芯片
主要包括512×128的存储器矩阵、行／列地址译码器以及数据 输入输出控制逻辑电路。地址线13位，其中A12～A3用于行 地址译码，A2～A0和A10用于列地址译码。
6264是容量为8K×8的静态RAM芯片，采用CMOS工艺，为 双列直插值封装，28支引脚，其中地址线A0~A12，+5V电源， 额定功耗为220mW，存取时间为200nS
先擦后写，擦除时所有数据线必须全为TTL高电压，写入时 在数据线上输入所需写的字节 （3）芯片擦除模式：
Vpp 21V , CE 0, OE 的电压为 9 ~ 15V
擦除时所有数据线必须全为TTL高电压，擦出后，所有2K 的单元内容均为FFH
2、2817AE2PROM芯片
容量为2K×8 ，电擦除，电编程，在擦写操作时无需外加 编程电源，使用单一的+5V电源，在执行写操作之前，会自 动对写入的单元进行擦除。
A12～A0：地址线，输入，寻址范围为8K。 D7～D0：数据线，8位，双向传送数据。
CE ：片选信号，输入，低电平有效，与 WR 控制线相连
WE ：写允许信号，输入，低电平有效。 OE ：数据输出允许信号；输入，与 RD 控制线相连
VCC ：十5V电源。 GND：地
NC ： 表示引脚未用。
2、62256RAM芯片 容量为32K×8 28只引脚 地址线A0~A14 +5V电源
芯片内READY引脚： 在擦写期间：低电平 擦写完成后：高电平
第三节 存储器的寻址方法
CPU在和存储器交换信息之前，首先要准确无误地找 到所需操作的那个单元，这就是存储器的寻址
需要解决两个问题： 一是，找到操作的存储器芯片，称为片选 二是，找到芯片中的特定单元，称为字选
片选有两种方法：线选法和译码法
一、EPROM芯片
分为三类：掩模ROM 、可编程ROM（PROM） 、可擦写的可 编程ROM（EPROM、E2PROM）
1、2764EPROM芯片
容量为8K×8的EPROM，紫 外线编擦除，电编程，双列 直插式封装，28只引脚，地 址线A0~A12，工作电压+5V， 编程电压+21V
引脚中PGM 为编程信号线， 当 CE 和 PGM 均处与低电平 是芯片处于编程模式
• 存储器芯片的选择
应从几个方面考虑：存储器类型、容量、速度，还有价格、功 耗以及对电路的要求
根据应用要求选择存储器类型和容量
如RAM6116容量：4K×4 EPROM2732容量：4K×8
存储器速度的选择
存储器的速度应该与CPU的工作速度相匹配。对于速度慢的 芯片，需要插入等待时间Tw，这样就浪费了大量的主机时间
非门）
每个芯片的地址范围为：
RAM芯片：实际使用系统地址总线11根，占用的地址范围为 0001 0000 0000 0000 ~ 0001 0011 1111 1111
即1000H~13FFH EPROM芯片：实际使用系统地址总线13根，占用的地址范围为
0010 0000 0000 0000 ~ 0010 1111 1111 1111 即2000H~2FFFH
第一节 存储器概述
微型计算机中使用的是半导体存储器 可分为随机存取存储器(RAM)和只读存储器(ROM)
RAM（Random Access Memory）：它的存储单元的 内容可以读出和改写。主要用于存放现场输入/输出 的数据、运算的中间结果以及各种临时性信息
ROM（Read Only Memory）：只能读，不能随意改 写。用于存放程序、表格和常数
2、27128EPROM芯片：容量为16K×8，地址线A0~A13 3、27256EPROM芯片：容量为32K×8，地址线A0~A14
三、E2PROM芯片
E2PROM的特点是能在不脱离系统的情况下修改其存储单元 中的内容。在断电的情况下仍能保持存储单元的内容不变。应 用十分广泛。
1、2816E2PROM芯片
例2、某存储器由两个2K×8的RAM，还有两个外设（I/O）端 口，请编址。
一、线选法
字选：将存储器芯片的全部地址线与系统地址总线的低位线一 一对应相连
片选：将字选后剩余的系统地址线高位中的某一根直接用作某 一存储器芯片的片选信号
例1、某存储器由两个存储器芯片组成，其中一片为RAM容量 1K×8，另一片为EPROM容量为4K×8，请编址。
分析：
一般的单片机系统，地址总线为16根，其编号为A0~A15 容量为1K×8芯片地址线为10根，与系统总线的A0~A9相连 容量为4K×8芯片地址线为12根，与系统总线的A0~A11相连 片选信号由剩余的地址总线的A12~A15给出 只有两个芯片，可用A12=1时选RAM，A13=1时选EPROM （芯片的片选信号CE是低电平有效，故每一片选线上均价一