NAND_FLASH详解

BGA(Ball Grid Array Package)---球栅阵列封装
随着集成电路技术的发展，对集成电路的封装要求更加严格。这是因为封装技术 关系到产品的功能性，当IC的频率超过100MHz时，传统封装方式可 能会产生所 谓的“CrossTalk”现象，而且当IC的管脚数大于208 Pin时，传统的封装方式有其 困难度。因此，除使用QFP封装方式外，现今大多数的高脚数芯片（如图形芯片 与芯片组等）皆转而使用BGA(Ball Grid Array Package)封装技术。BGA一出现 便成为CPU、主板上南/北桥芯片等高密度、高性能、多引脚封装的最佳选择。 BGA封装具有以下特点： 1.I/O引脚数虽然增多，但引脚之间的距离远大于QFP封装方式，提高了成品率。
1. NOR FLASH和NAND FLASH
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年 首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统 天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结结，强调 降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升 级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和 NAND闪存。
第四章 FLASH的应用
第一节 什么叫FLASH
Flash Memory中文名字叫闪存，是一种长寿命的非易失性（在断电情况下 仍能保持所存储的数据信息）的存储器。
第二节 FLASH的分类
功能特性分为两种：一种是NOR型闪存，以编码应用为主，其功能多与 运算相关；另一种为NAND型闪存，主要功能是存储资料，如数码相机 中所用的记忆卡。
第一章 FLASH的感性认识
什么叫闪存 FLASH的分类 FLASH常见品牌
第二章 FLASH制作过程
封装方式 具体的制作过程
第三章 FLASH发展
闪存前期发展至90纳米制程的过渡 NAND FLASH的70纳米时代 NAND FLASH的60-50纳米时代 NAND FLASH的40纳米时代 NAND FLASH 30纳米时代及前景发展
2.虽然BGA的功耗增加，但由于采用的是可控塌陷芯片法焊接，从而可以 改善
热性能。 3.信号传输延迟小，适应频率大大提高。 4.组装可用共面焊接，可靠性大大提高。
封装方式二 COB
COB（Chip on board）工艺，是指厂商为节省成本，没有采用标准的闪存芯 片+控制芯片独立封装的形式，而是将闪存芯片和控制器芯片直接连接，封 装在一体，并固定于印刷线路板上的生产方式。
单芯片TSOP生产工艺流程比较简单，只需要经过一次贴片、一次烘烤、一次 引线键合就可以了，流程如图所示：
晶圆是制造IC的基本原料，而晶圆又是什么制作来的呢--硅，晶圆的原始材 料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅 。
从上表从而可以看出，我们现在FLASH行业的一些常见品牌： 1.SamSung三星 2.Toshiba 东芝 （最早提出闪存概念的公司） 3.Hynix 海力士 4.Micron Technology 镁光 5.Interl 英特尔（第一个生产闪存并投入市场的公司）
芯片封装是指包裹于硅晶外层的物质。目前最常见的封装方式有 TSOP(ThinSmall Outline Packaging)，BAG,COB ，一体成型等 ，早期的芯片设计以 DIP(DualInline Package) 以及 SOJ(Small Outline J-lead) ，CSP(Chip ScalePackage)的 方式封装为主。以下对不同封装方式的介绍能够帮助了解它们的不同点。
B.MLC能耗比SLC高，在相同使用条件下比SLC要多15%左右的电流消耗。 C.MLC理论写入次数上限相对较少，因此在相同使用情况下，使用寿命比较SLC
短。 D.MLC的价格比SLC低30％~40%，有些甚至更低。
目前MLC和SLC 在2GB闪存芯片上的价格相差了将近100多元，他们的差异还是比 较明显的。所以对于选择数码播放器的朋友，选择更便宜廉价的MLC芯片产品还 是选择稳定性和性能更好的SLC产品，就看你的需要了。
b) SLC芯片和MLC技术特点及区别 一般而言，SLC虽然生产成本较高，但在效能上大幅胜于MLC。SLC晶片
可重复写入次数约10万次，而MLC晶片的写入次数至少要达到1万次才算 标准，而目前三星MLC芯片采用的MLC芯片写流SLC芯片，MLC芯片目前技术条件下，理论速度只能 达 到2MB左右，因此对于速度要求较高的应用会有一些问题。
2. NOR FLASH和NAND FLASH的区别

NOR的读速度比NAND稍快一些。

NAND的写入速度比NOR快很多。

NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。

大多数写入操作需要先进行擦除操作。

NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少
3. SLC/MLC基本原理
a) 什么是SLC和MLC？ SLC全称为Single-Level Cell，MLC全称为Multi-Level Cel数码播放器
TSOP (Thin Small Outline Package 薄型小尺寸封装 ) 镶嵌在电路版上的包装 , TSOP 最早被应用在制造笔记型计算机所用的名片 大小模块上。
近年来，叠层芯片封装逐渐成为技术发展的主流。叠层芯片封装技术，简称 3D封装，是指在不改变封装体尺寸的前提下，在同一个封装体内于垂直方向 叠放两个以上芯片的封装技术，它起源于快闪存储器(NOR/NAND)及SDRAM的叠 层封装。
中一般采用两种不同类型的NAND闪存。其中一种叫做SLC（Single Level Cell），单层单元闪存；第二种叫做MLC（Multi Level Cell），多层单元 闪存。两者的主要区别是SLC每一个单元储存一位数据，而MLC通过使用 大量的电压等级，每一个单元储存两位数据，数据密度比较大。