3.34碳化硅纤维的制备.

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碳化硅纤维的制备 (Silicon Carbide Fibre, SF或SiCf)
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概述:
制备方法:化学气相沉积法(CVD) 聚合物转化法
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化学气相沉积法:
类似于BF的CVD法,芯丝可用钨或碳 1961年,Gareis首先申请碳化硅专利 60年代,美国通用利用CVD制造钨芯碳化硅纤维
钨芯后来被碳芯取代 1975年,制造了碳芯碳化硅纤维 1984年,美国制成连续碳化硅纤维
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CVD法钨芯碳化硅纤维的制造方法
CVD法的工艺装置简图
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CVD碳化硅纤维的结构
CVD碳化硅纤维的表面形貌 碳芯碳化硅纤维的断面结构
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聚合物转化法:
1975年日本失岛圣使教授首次提出
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主要技术内容:
高性能的碳化硅(SiC)纤维是由聚二甲基硅烷经热分解重排转化为聚碳硅烷 (PCS),再以PCS为先驱体经熔融纺丝、不熔化处理及高温烧成而制得。SiC 纤维不仅具有高强度、高模量及优异的耐高温氧化性、耐化学腐蚀性等独特 性能,而且SiC纤维自身是一种半导体材料(电阻率在106Ω .cm左右),通过 改变原料组成或制备工艺条件可调节碳化硅纤维的电阻率,使其成为吸波材 料(电阻率在101-103Ω .cm时纤维具有最佳吸波性能)。
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聚合物转化法制备碳化硅纤维的工艺
包括四个阶段:
(1) 制备聚碳硅烷(PCS)
(2) 熔融纺丝
(3) 不熔化处理
(4) 高温烧成(Nicalon纤维)
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