电子技术习题答案
（完整版）电子技术基础习题答案
（完整版）电子技术基础习题答案三、选择题：（每小题2分，共20分）1、单极型半导体器件是（C）。
A、二极管；B、双极型三极管；C、场效应管；D、稳压管。
2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。
A、三价；B、四价；C、五价；D、六价。
3、稳压二极管的正常工作状态是（ C）。
A、导通状态；B、截止状态；C、反向击穿状态；D、任意状态。
4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管（C）。
A、已经击穿；B、完好状态；C、内部老化不通；D、无法判断。
5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（A）而成。
A、多子扩散；B、少子扩散；C、少子漂移；D、多子漂移。
6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E＝2.1V，V B＝2.8V，V C＝4.4V，说明此三极管处在（A）。
A、放大区；B、饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。
7、绝缘栅型场效应管的输入电流（C）。
A、较大；B、较小；C、为零；D、无法判断。
8、正弦电流经过二极管整流后的波形为（C）。
A、矩形方波；B、等腰三角波；C、正弦半波；D、仍为正弦波。
9、三极管超过（C）所示极限参数时，必定被损坏。
A、集电极最大允许电流I CM；B、集—射极间反向击穿电压U（BR）CEO；C、集电极最大允许耗散功率P CM；D、管子的电流放大倍数。
10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（C）A、发射结正偏、集电结正偏；B、发射结反偏、集电结反偏；C、发射结正偏、集电结反偏；D、发射结反偏、集电结正偏。
三、选择题：（每小题2分，共20分）1、基本放大电路中，经过晶体管的信号有（C）。
A、直流成分；B、交流成分；C、交直流成分均有。
2、基本放大电路中的主要放大对象是（B）。
A、直流信号；B、交流信号；C、交直流信号均有。
3、分压式偏置的共发射极放大电路中，若V B点电位过高，电路易出现（B）。
A、截止失真；B、饱和失真；C、晶体管被烧损。
电子技术基础练习题库及答案
电子技术基础练习题库及答案一、单选题（共70题，每题1分，共70分）1、本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。
A、✔B、×正确答案：A2、单相半波整流电路，负载电阻RL=750W，变压器次级电压有效值，U2=20V，则输出电压平均值U0为。
A、18VB、20VC、9V正确答案：C3、PN结两端加正向电压时，那么参加导电的是（）A、少数载流子。
B、既有多数载流子又有少数载流子。
C、多数载流子。
正确答案：C4、符号IB表示三极管基极电流的（）A、直流分量。
B、交流分量。
C、直流分量和交流分量之和。
正确答案：A5、在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，若静态工作点设置太低，将产生（）A、截止失真。
B、放大失真。
C、饱和失真。
正确答案：A6、三端集成稳压器cw7812的输出电压是（）A、5VB、9VC、12V正确答案：C7、测得在放大状态的三极管的三个管角电位分别是15.5v,6v,6.7v，则该三极管类型是（）A、npn型硅管。
B、npn型锗管C、PnP型锗管正确答案：A8、稳压管的稳压区是指其工作在（）的区域。
A、正向导通。
B、反向击穿。
C、反向截止。
正确答案：B9、在由运放组成的电路中运放工作在非线性状态的电路是。
（）A、差值放大器。
B、反相放大器。
C、电压比较器。
正确答案：C10、组合逻辑电路的输出与电路的原状态（）A、无关B、有关C、不一定正确答案：B11、组合电路的特点是任意时刻的输出与电路的原状态有关。
A、×B、✔正确答案：A12、下列三种电路中，输入电阻最大的电路是（）A、共集放大电路。
B、共射放大电路。
C、共基放大电路。
正确答案：A13、最常用的显示器件是（）数码显示器。
A、七段B、五段C、九段正确答案：A14、逻辑代数运算于普通代数运算结果（）A、相同B、不想同C、有的相同，有的不相同。
正确答案：C15、非门的逻辑功能是（）A、有0出0。
全1出1。
B、有1出1。
(完整版)电子技术复习题(答案)
电子技术复习题一、填空1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。
2.当电源电压升高时，电抗原件将能量存储起来，而当电源电压降低时，又将能量释放出来，从而使输出电压比较平滑，这就是滤波3.双极性晶体管按结构可分为NPN 型和PNP 型。
4.晶体管是有三个电极的电流放大器，任选其中一个电极为公共电极时，可组成三种不同的四端网络，分别成为共基极、共发射极、共集电极。
5．构成放大电路的条件有两个：一是发射结正偏，集电结反偏；二是放大电路要有完善的直流通路和交流通路。
6、当温度升高时，会引起放大电路的静态工作点向上偏移，造成饱和失真 7、半导体的导电性能具有光敏性、热敏性和 掺杂性 特点。
8．半导体载流子的运动有扩散运动和 漂移 运动。
9．硅二极管的正向导通压降约为 0.6~0.7 V10．二极管的反向电压在一定范围时，电流基本上是 恒定（或不变） 的。
11．稳压管工作在 反向击穿 区。
12．NPN 型硅三极管的发射结电压U BE 约这 0.6~0.7 V 。
13．PNP 型锗三极管的发射结电压U BE 约为 -0.2~ -0.3 V 。
14．非线性失真包括截止失真和 饱和 失真。
15．为不产生非线性失真，放大电路的静态工作点Q 大致选在交流负载线的 中点 ，输入信号的幅值不能太大。
16．在外部因素（如温度变化、三极管老化、电源电压波动等）的影响下，会引起放大电路 静态工作点 的偏移。
17．外部因素中，对放大电路静态工作点影响最大的是 温度 变化。
18．三极管级间耦合的方式主要有：阻容耦合、变压器耦合和 直接耦合 。
19．三极管阻容耦合电路的频率特性包括幅频特性和 相频特性 。
20．三极管阻容耦合电路的 电压放大倍数 与频率的关系称为幅频特性。
21．三极管阻容耦合电路的输出电压相对于输入电压的 相位移 与频率的关系称为相频特性。
22．场效应管是一种 电压 控制的单极型半导体器件。
23．场效应管有两种类型：结型场效应管、 绝缘栅 场效应管。
电子技术第1章课后答案
第1章半导体存器件1。
1 在如图1.4所示的各个电路中，已知直流电压V，电阻kΩ,二极管的正向压降为0.7V,求U o。
图1.4 习题1.1的图分析U o的值与二极管的工作状态有关,所以必须先判断二极管是导通还是截止。
若二极管两端电压为正向偏置则导通，可将其等效为一个0.7Ｖ的恒压源；若二极管两端电压为反向偏置则截止，则可将其视为开路。
解对图1。
4（a）所示电路,由于V，二极管VD承受正向电压，处于导通状态，故:（V）对图1.4（b）所示电路，由于V,二极管VD承受反向电压截止，故：（V）对图1.4（c）所示电路，由于V，二极管VD承受正向电压导通，故：（V）1.2 在如图1.5所示的各个电路中，已知输入电压V，二极管的正向压降可忽略不计,试分别画出各电路的输入电压u i和输出电压u o的波形.分析在u i和5V电源作用下，分析出在哪个时间段内二极管正向导通，哪个时间段内二极管反向截止。
在忽略正向压降的情况下，正向导通时可视为短路，截止时可视为开路,由此可画出各电路的输入、输出电压的波形。
图1。
5 习题1.2的图解对图1。
5（a）所示电路,输出电压u o为:u i≥5V时二极管VD承受正向电压导通,U D=0，u o=5V；u i〈5V时二极管VD承受反向电压截止，电阻R中无电流，u R=0，u o=u i。
输入电压u i和输出电压u o的波形如图1.6（a）所示。
图1。
6 习题1.2解答用图对图1。
5（b）所示电路,输出电压u o为:u i≥5V时二极管VD承受正向电压导通,U D=0,u o= u i；u i〈5V时二极管VD承受反向电压截止，电阻R中无电流,u R=0,u o=5V。
输入电压u i和输出电压u o的波形如图1。
6（b）所示。
对图1。
5（c）所示电路,输出电压u o为：u i≥5V时二极管VD承受反向电压截止，电阻R中无电流，u R=0，u o= u i；u i〈5V时二极管VD承受正向电压导通，U D=0,u o=5V。
电子技术及应用习题解答第1章
思考与练习1－、选择题：（请将唯一正确选项的字母填入对应的括号内）1、如图1-1所示，电路中所有的二极管都为理想二极管（即二极管正向压降可忽略不计），则哪个选项对D1、D2和D3的工作状态判断正确？（ ）（A ）D1、D2导通，D3截止 （B ）D1、D3导通，D2截止 （C ）D1、D2截止，D3导通 （D ）D1、D3截止，D2导通D 10V4V图1-1 题1.1图答案：C 。
原因：3D 的负极所接电压为-7V ，是最低电压，所以3D 导通。
3D 导通后1D 和2D 承受反向电压而截止。
2、如图1-2所示，电路中所有的二极管都为理想二极管，且L1、L2、L3、L4四盏灯都相同，则哪个灯最亮？（ ）（A ）L1 （B ）L2 （C ）L3 （D ）L4R图1-2题1.2图答案：D 。
原因：当电源~220V 正半周时，只有4D 承受正向电压导通，L4不亮；1D 、2D 和3D 承受反向电压截止，L1、L2和L3同时点亮；当电源~220V 负半周时，只有4D 承受反向电压截止，只有L4点亮；1D 、2D 和3D 承受正向电压导通，L1、L2和L3同时不亮；由此可见，灯泡L4最亮。
3、在如图1-3所示的电路中，已知10V E 稳压管Z1D 和Z2D 的稳定电压分别为5V 和3V ，正向压降都是0.7V ，则A 、B 两点间的电压O U 为多少？（ ）（A ）－2.3V （B ）4.3V （C ）2.3V （D ）－4.3VED Z 22图1-3 题1.3图答案：C 。
原因：A 点电位：A 100.79.3V V =-=；B 点电位：1037B V V =-=；所以，9.37 2.3O A B U V V V=-=-=4、下面关于二极管表述不正确的是？（ ） （A ）具有单向导电性； （B ）由硅材料或锗材料构成；（C ）既有点接触型二极管，也有面接触型二极管；（D ）只能工作在反向击穿区，不能加正向电压。
电工电子技术习题(附答案)
电工电子技术习题（附答案）一、单选题（共30题，每题1分，共30分）1、目前铁路IP网的IP地址属于( )地址。
A、A类B、B类C、C类D、D类正确答案：A2、Ethernet Switch的100Mbit/s全双工端口的带宽为( )。
A、100Mbit/sB、20Mbit/sC、200Mbit/sD、10/100Mbit/s正确答案：C3、扩音机与扬声器直接配接,通常叫低阻配接,适用于( )输出的扩音机。
A、小功率定压B、小功率C、小功率定阻D、大功率正确答案：C4、华为接入网ESC显示故障或者离线,可能原因( )。
A、数据配置错误B、ESC板故障或者跳线错误C、与ESC通信的RSA,RSP,PV8,PV4故障D、以上都有可能正确答案：D5、100W扩音机输出阻抗是( )。
A、36欧B、50欧C、30欧D、60欧正确答案：A6、(考题). 郑西高铁ZXMP S385设备SE以太网板用户端口( )A、16个B、9个C、24个D、4个正确答案：B7、话路CH17对应的时隙是( )。
A、TS16B、TS17C、TS18D、TS19正确答案：C8、视频信号画面的像素数量4CIF指( )A、352 X 288B、704 X 576C、720 X 576D、1280 X 720正确答案：B9、通信段管内各站段会议系统通道均为主备用通道,主用通道为64 kbit/s可视会议,备用通道为四线音频会议。
当会议主通道故障时可通过会议汇接机操作台瞬间转换为备用通道,对会议过程无影响。
( )A、对B、错数据网正确答案：B10、应急通信线路设备的日常维护项目以下哪一项不属于月周期测试( )。
A、连接线、插件检查B、通话柱通话试验C、抢险工具等其他器材性能检查数量核对D、电缆复用器检查、室外连接试验正确答案：D11、(考题) 郑西线北电BTS9000出现“Blockedairinlet”告警最可能是( )模块引发的。
A、DDMB、RICAMC、SICSD、RMBlockedairinlet:堵塞的空气入口正确答案：C12、以下不是数据链路层的功能是( )A、帧同步B、对“帧”的差错检测与恢复C、链路连接的建立和分离D、对“比特流”的差错检测与恢复正确答案：B13、综合视频监控系统核心节点到区域节点的网络传输质量要求网络丢包率不大于( )A、10-6B、10-5C、10-4D、10-3正确答案：D14、一般情况下,路由器与路由器之间的连接需要使用( )网线。
电子技术基础习题答案
第1章检测题（共100分, 120分钟）一、填空题: （每空0.5分, 共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量旳五价元素构成旳。
这种半导体内旳多数载流子为自由电子, 少数载流子为空穴, 不能移动旳杂质离子带正电。
P型半导体是在本征半导体中掺入极微量旳三价元素构成旳。
这种半导体内旳多数载流子为空穴, 少数载流子为自由电子, 不能移动旳杂质离子带负电。
2.三极管旳内部构造是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结构成旳。
三极管对外引出旳电极分别是发射极、基极和集电极。
3.PN结正向偏置时, 外电场旳方向与内电场旳方向相反, 有助于多数载流子旳扩散运动而不利于少数载流子旳漂移；PN结反向偏置时, 外电场旳方向与内电场旳方向一致, 有助于少子旳漂移运动而不利于多子旳扩散, 这种状况下旳电流称为反向饱和电流。
4、PN结形成旳过程中, P型半导体中旳多数载流子由P 向N 区进行扩散, N型半导体中旳多数载流子由N 向P 区进行扩散。
扩散旳成果使它们旳交界处建立起一种空间电荷区, 其方向由N 区指向P 区。
空间电荷区旳建立, 对多数载流子旳扩散起减弱作用, 对少子旳漂移起增强作用, 当这两种运动到达动态平衡时, PN结形成。
7、稳压管是一种特殊物质制造旳面接触型硅晶体二极管, 正常工作应在特性曲线旳反向击穿区。
三、选择题：（每题2分, 共20分）2.P型半导体是在本征半导体中加入微量旳（ A ）元素构成旳。
A.三价；B.四价；C.五价；D.六价。
3.稳压二极管旳正常工作状态是（ C ）。
A.导通状态；B.截止状态；C.反向击穿状态；D.任意状态。
5.PN结两端加正向电压时, 其正向电流是（ A ）而成。
A.多子扩散；B.少子扩散；C.少子漂移；D.多子漂移。
6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE＝2.1V, VB＝2.8V, VC＝4.4V, 阐明此三极管处在（ A ）。
A.放大区；B.饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。
电子技术课后习题详解
习题解答【1-1】填空:1．本征半导体是,其载流子是和。
两种载流子的浓度.2．在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系.3．漂移电流是在作用下形成的。
4．二极管的最主要特征是,与此有关的两个主要参数是和.5．稳压管是利用了二极管的特征，而制造的特殊二极管。
它工作在。
描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是、、、和.6．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时,稳压管的稳压值将。
7．双极型晶体管可以分成和两种类型，它们工作时有和两种载流子参与导电。
8．场效应管从结构上分成和两种类型，它的导电过程仅仅取决于载流子的流动；因而它又称做器件.9．场效应管属于控制型器件，而双极型晶体管是控制型器件。
10．当温度升高时，双极性晶体管的β将，反向饱和电流I CEO将，正向结压降U BE将。
11．用万用表判断电路中处于放大状态的某个晶体管的类型与三个电极时，测出最为方便。
12．晶体管工作有三个区域，在放大区时,应保证和；在饱和区，应保证和;在截止区，，应保证和。
13．当温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将，输出特性曲线将，而且输出特性曲线之间的间隔将.解:1.完全纯净的半导体，自由电子，空穴,相等。
2.杂质浓度,温度。
3.少数载流子，(内)电场力。
4.单向导电性,正向导通压降U F和反向饱和电流I S.5.反向击穿特性曲线陡直，反向击穿区，稳定电压（U Z）,工作电流（I Emin），最大管耗（P Zmax）和动态电阻（r Z）6.增大；7.NPN,PNP，自由电子，空穴(多子,少子)。
8.结型,绝缘栅型，多数，单极型。
9.电压，电流。
10.变大,变大，变小。
11.各管脚对地电压；12.发射结正偏，集电结反偏；发射结正偏，集电结正偏；发射结反偏,集电结反偏.13.左移，上移，增大。
【1—2】在图1-2的各电路图中，E =5V ，u i =10t ωsin V ，二极管D 视为理想二极管，试分别画出输出电压u o 的波形。
电子技术习题集-答案
第2章 习题2.1.1 如右下图所示电路中，E 12V =， D 为硅二极管，R 10K =Ω，则二极管D 和和电阻R 上的电压各为多少？流过二极管的电流多大？解： 二极管正偏导通:D U 0.7V ≈; R U 120.711.3V =-=D R 11.3I I 1.13mA 10===2.1.2 在下图中的各电路图中，i u 12sin t ω=V ，二极管D 的正向压降忽略不计。
试分别画出输出电压o u 的波形。
（a ） （b ） （c ）解：2.1.3二极管电路如图所示，试分别判断图（a ）和（b ）中的二极管是导通还是截止，并求出AB 两端电压AB U 。
设二极管是理想的。
(a) (b)解：(a) D 导通，AB U 6V =-； （b ）D1导通，D2截止；AB U 0V =；2.2.1在下图中，所有稳压二极管均为硅管且稳压电压Z U 6V =，输入电压i u 12sin t ω=V ，画出输出电压o u 波形图。
解：2.2.2在下图所示的(a)和（b ）分别为稳压管的并联和串联连接，哪种稳压管的用法不合理？试说明理由。
解：（a ）由于稳压管的击穿电压各不相同，击穿电压低的管子工作，而另一个不工作。
(b)可以串联连接，输出电压为两个稳压管稳压电压之和。
2.2.2在如图所示的稳压管稳压电路中, I U 14V =，波动范围10%±；稳压管的稳定电压Z U 6V =，稳定电流Z I 5mA =，最大耗散功率ZM P 180mW =；限流电阻R 200Ω=；输出电流o I 20mA =。
（1）求I U 变化时稳压管的电流变化范围；（2）如果负载电阻开路，会发生什么现象？解：输入电压波动范围：Imin I U 0.9U (0.914)V 12.6V ==⨯=Imax I U 1.1U (1.114)V 15.4V ==⨯=I U 波动时流过限流电阻R 的电流变化范围为：Imin Z R min U U 12.66I 0.033(A)33mA R 200--====Imax Z R max U U 15.46I 0.047(A)47mA R 200--====稳压管最大稳定电流ZM ZM Z P 180I 30mA U 6=== （1）Z D min R min o I I I 332013mA =-=-=Z D max R max o I I I 472027mA =-=-=（2）如果负载电阻开路，即o I 0mA =，则稳压管中电流为限流电阻上的电流。
电子技术复习题及答案
一、填空题1、右图中二极管为理想器件，V1工作在_导通__ 状态；V2工作在__截止___状态。
2、差分放大器对差模信号有较强的放大能力，对共模信号有较强的__抑制__能力。
3、三级管工作在放大区时，发射结__正向__偏置，集电结__反向__偏置，工作在饱和区时，发射结__正向_偏置，集电结_正向__偏置。
4、根据反应的分类方式，负反应电路有4种组合形式，即_串联负反应、_并联负反应__、_电流负反应_、电压负反应。
5、理想集成运算放大器有两个重要特性对分析线性运用电路非常有用，他们分别是虚短、虚断。
6、逻辑函数的表示形式有四种：逻辑函数式、______真值表____、卡诺图和逻辑图。
7、将十六进制〔0BF〕转换成十进制= __191________。
8、计数器、存放器、编码器、译码器中，属于组合逻辑电路的是___译码器编码器___，属于时序逻辑电路的是_____计数器、存放器_________ 。
9、共阳接法的发光二极管数码显示器，应采用___低_______电平驱动的七段显示译码器。
1、数字信号只有 0 和 1 两种取值。
2、十进制123的二进制数是 1111011 ；八进制数是 173 ；十六进制数是7B 。
3、一位十进制计数器至少需要 4 个触发器。
4、有一A/D转换器，其输入和输出有理想的线性关系。
当分别输入0V和5V电压时，输出的数字量为00H和FFH，可求得当输入2V电压时，电路输出的数字量为：66H 。
5、设ROM容量为256字×8位，那么它应设置地址线 8 条，输出线 8 条。
6、用256字×4位RAM，扩展容量为1024字×8位RAM，那么需要 8 片1、在常温下，锗二极管的门槛电压约为 0.1 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.2 V。
2、三极管须使发射结正向偏置，集电结反向偏置才能工作在放大区。
3、一般直流稳压电源由电源变压器、整流电路、滤波电路和稳压电路四个局部组成。
电子技术及实训习题库及参考答案
电子技术及实训习题库及参考答案一、单选题（共50题, 每题1分, 共50分）1、射极输出器的特点之一是, 具有(____)。
A.很大的输出电阻；B.很大的输入电阻；C.与共射极电路相同；D.输入、输出电阻均不发生变化正确答案: B2、单相桥式整流电路中, 负载RL承受的是整流变压器二次绕组的(____)。
A.全部电压；B.一半电压；C.三分之一电压；D.四分之一电压正确答案: A3、稳压二极管的动态电阻越小, 稳压性能（ )A.不稳定；B.越差；C.越好；D.不确定正确答案: C4、单相桥式整流电路中, 二极管导通的时间是(____)周期。
A.1/2；B.1/5C.1/4；D.1/3；正确答案: A5.差模输入信号是(____)。
A.大小相反、极性相同B.大小相等、极性相同；C.大小相反、极性相反；D.大小相等、极性相反；正确答案: D6、稳压二极管是一个可逆击穿二极管, 稳压时其两端电压必须（）,它的稳压值Uz才有导通电流。
A.反偏；B.正偏；C、小于D.大于；正确答案: D7、工作在放大区的某三极管, 基极电流从20微安减小到10微安时, 集电极电流从1.5毫安变为1毫安, 其电流放大系数β约为(____)。
A.10；B、25C.100；D.50；正确答案: D8、在本征半导体中掺入适量的(____)价元素, 可以形成 N 型半导体。
A、7B、5；C、3；D、1；正确答案: B9、三极管的电流放大系数由三极管的（）决定。
A.射极电流；B.集电极电流；C.工艺结构D.基极电流；正确答案: C10、三极管的电流放大系数β表明(____)极电流对(____)极电流的放大能力。
A.基, 集电；B.集电, 基C.集电, 发射；D.基, 发射；正确答案: B11、单相桥式整流中, 每个二极管导通的时间是(____)周期。
A.1/4；B.1/3C.1/6；D.1/2；正确答案: D12.差模信号是大小（）的两个信号。
电力电子技术练习题库与参考答案
电力电子技术练习题库与参考答案一、单选题（共30题，每题1分，共30分）1、直接耦合式强迫换流是给晶闸管加上反向电压而使其关断，因此又叫（）。
A、电流换流B、器件换流C、电压换流D、负载换流正确答案：C2、PWM控制技术在( )电路中的应用最为广泛。
A、逆变B、整流C、变频D、斩波正确答案：A3、单相全桥电压型逆变电路阻感负载，需要（）个续流二极管。
A、2B、4C、1D、3正确答案：B4、逆变电路根据交流输出侧接的对象，可分为（）。
A、单相逆变电路和三相逆变电路B、电压型逆变电路和电流型逆变电路C、有源逆变电路和无源逆变电路D、电容式逆变电路和电感式逆变电路正确答案：C5、单相全控桥式整流电路最多需要（）个晶闸管。
A、2B、3C、1D、4正确答案：D6、采用调制法得到PWM波形，把希望输出的波形作为（）。
A、正玄波B、载波C、调制信号D、锯齿波正确答案：C7、绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合型器件，它是由（）复合而成的。
A、GTR和MOSFETB、GTR和GTOC、GTO和MOSFETD、SCR和MOSFET正确答案：A8、所谓电力电子技术就是应用于电力领域的（）技术。
A、变换B、电子C、控制D、交流正确答案：B9、单相桥式可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( )。
A、0º-150°B、0º-90°C、0º-120°D、0º-180°正确答案：D10、斩波电路控制方式中，ton和T都可调，改变占空比，称为（）。
A、频率调制B、PWMC、相位控制D、混合型正确答案：D11、得到PWM波形的方法有（）。
A、计算法和调制法B、计算法和画图法C、调制法和画图法D、计算法和理论法正确答案：A12、逆变电路根据直流侧电源性质的不同，可分为（）。
A、电压型逆变电路和电流型逆变电路B、单相逆变电路和三相逆变电路C、电容式逆变电路和电感式逆变电路D、有源逆变电路和无源逆变电路正确答案：A13、斩波电路控制方式中，ton不变，改变T，称为（）。
电子技术基础习题带答案
理论测验一、单项选择题：1．不属于对助焊剂的要求的是 CA、常温下必须稳定,熔点应低于焊料B、在焊接过程中具有较高的活化性,较低的表面张力,粘度和比重应小于焊料C、绝缘差、无腐蚀性、残留物无副作用,焊接后的残留物难清洗D、不产生有刺激性的气味和有害气体,熔化时不产生飞溅或飞沫2．松香酒精溶液的松香和酒精的比例为 BA、1：3B、3：1C、任何比例均可3．烙铁头按照材料分为合金头和纯铜头,使用寿命长的烙铁头是 AA、合金头B、纯铜头4．焊接一般电容器时,应选用的电烙铁是 AA、 20W内热式B、35W内热式C、60W外热式D、100W外热式5．150W外热式电烙铁采用的握法是 BA、正握法B、反握法C、握笔法6．印刷电路板的装焊顺序正确的是 CA、二极管、三极管、电阻器、电容器、集成电路、大功率管,其它元器件是先小后大;B、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管,其它元器件是先大后小;C、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管,其它元器件是先小后大;D、电阻器、二极管、三极管、电容器、集成电路、大功率管,其它元器件是先大后小; 7．在更换元器件时就需要拆焊,属于拆焊用的工具的是 AA、电烙铁、铜纺织线、镊子B、电烙铁、铜纺织线、螺丝刀C、电烙铁、镊子、螺丝刀D、铜纺织线、镊子、螺丝刀二、多项选择题1．焊点出现弯曲的尖角是由于 ABA、焊接时间过长,烙铁撤离方向不当B、焊剂太多,烙铁撤离方向不当C、电烙铁功率太大造成的D、电烙铁功率太小造成的2．焊接一只低频小功率三极管应选用的电烙铁是 AA、20W内热式B、35W内热式C、50W外热式D、75W外热式３．75W外热式电烙铁 BA、一般做成直头,使用时采用握笔法B、一般做成弯头,使用时采用正握法C、一般做成弯头,使用时采用反握法D、一般做成直头,使用时采用正握法４．下列电烙铁适合用反握法的是 DA、20WB、35WC、60WD、150W５．20W内热式电烙铁主要用于焊接 DA、8W以上电阻B、大电解电容器C、集成电路D、以上答案都不对６．焊点表面粗糙不光滑 BA、电烙铁功率太大或焊接时间过长B、电烙铁功率太小或焊丝撤离过早C、焊剂太多造成的D、焊剂太少造成的７．电烙铁“烧死”是指 CA、烙铁头不再发热B、烙铁头粘锡量很多,温度很高C、烙铁头氧化发黑,烙铁不再粘锡D、烙铁头内电热丝烧断,不再发热８．一般电烙铁有三个接线柱,其中一个是接金属外壳的,接线时应 BA、用三芯线将外壳保护接地B、用三芯线将外壳保护接零C、用两芯线即可,接金属外壳的接线柱可空着９．所谓夹生焊是指 CA、焊料与被焊物的表面没有相互扩散形成金属化合物B、焊料依附在被物的表面上,焊剂用量太少C、焊件表面晶粒粗糙,锡未被充分熔化;三、判断题1．在检测电阻的时候,手指可以同时接触被测电阻的两个引线,人体电阻的接入不会影响测量的准确性; ×2．在应用SMT的电子产品中分为两种安装方式：完全表面安装和混合安装; √3．笔握法适用于小功率的电烙铁焊接印制板上的元器件; √4．焊接时每个焊点一次焊接的时间应该是3～5秒; ×四、简答题：1．在焊接过程中,助焊剂的作用是什么答：1除去氧化物;为了使焊料与工件表面的原子能充分接近,必须将妨碍两金属原子接近的氧化物和污染物去除,助焊剂正具有溶解这些氧化物、氢氧化物或使其剥离的功能;2防止工件和焊料加热时氧化;焊接时,助焊剂先于焊料之前熔化,在焊料和工件的表面形成一层薄膜,使之与外界空气隔绝,起到在加热过程中防止工件氧化的作用; 3降低焊料表面的张力;使用助焊剂可以减小熔化后焊料的表面张力,增加其流动性,有利于浸润;2．怎样做可以避免烙铁头烧死,烙铁不再粘锡答：烙铁头不粘锡主要是其温度过高,表面氧化所致,首先要在烙铁加热后在松香里反复摩擦去掉氧化皮,再沾上焊锡就可以了;3．电烙铁的握法有哪几种正握法主要适用于什么场合答：电烙铁的握法有正握、反握和笔握;正握法适于中等功率烙铁或带弯头电烙铁的操作;4．电子产品组装时,元件安装有哪些标准答：1元件器的标志方向应按照图纸规定的要求,安装后能看清元件上的标志;若装配图上没有指明方向,则应使标记向外易于辨认,并按从左到右、从下到上的顺序读出;2元器件的极性不得装错,安装前应套上相应的套管;3安装高度应符合规定要求,同一规格的元器件应尽量安装在同一高度上;4安装顺序一般为先低后高,先轻后重,先易后难、先一般元器件后特殊元器件;5元器件在印制电路板上的分布应尽量均匀、疏密一致,排列整齐美观;不允许斜排、立体交叉和重叠排列;6元器件外壳和引线不得相碰,要保证1mm左右的安全间隙,无法避免时,应套绝缘套管;7元器件的引线直径与印制电路板焊盘孔径应有～0.4mm的合理间隙;8MOS集成电路的安装应在等电位工作台上进行,以免产生静电损坏器件,发热元件不允许贴板安装,较大的元器件的安装应采取绑扎、粘固等措施;5．电子产品装配工艺文件包括哪几部分答：、由四个部分组成：企业区分代号、该工艺文件的编制对象设计文件的十进分类编号、工艺文件简号以及区分号;理论测验一、判断题：1. 逻辑变量的取值,１比０大; ×2. 因为逻辑表达式A+B+AB=A+B成立,所以AB=0成立; ×3．在时间和幅度上都断续变化的信号是数字信号,语音信号不是数字信号; ×4．组合逻辑电路的特点是具有记忆功能×5．只用与非门不能实现Y=A B＋BC; × 6译码显示器既要完成译码功能,还有将译码后的结果或数据显示出来; √7．优先编码器对同时输入的信号中只对优先级别最高的一个信号编码; √8．半导体数码管采用共阴极方式时,译码器输出低电平驱动相应的二极管发光; ×9.同或门的逻辑功能是“相同出0,相异出1”; ×10.译码器的功能是将二进制数码还原成给定的信息; √二、填空题1.有一数码,作为自然二进制数时,它相当于十进制数 147 ;2.优先编码器允许同时输入两个以上的编码信号,但工作时只对优先级别高的输入信号进行编码,其余的输入信号可看成无效信号 ;3.客观事物的最基本的逻辑关系有_与逻辑、_或逻辑和_非_逻辑三种;个“1”连续进行非运算,其结果是 0 ;与非门多余的输入端应接高电平 ;6.同或门和异或门的关系可以用非逻辑关系表示;7.对TTL与非门闲置端不用的处理方法是悬空 ;8.组合逻辑电路的设计步骤是根据实际要求的逻辑关系建立真值表、由真值表写出逻辑表达式、化简逻辑表达式、画逻辑电路图 ;9.译码显示器是先将输入的二进制码译码成十进制数的信号,再利用译码输出驱动显示数字;三、选择题：1.十进制整数转换成二进制整数一般采用 B 方法;A. 除2取整法B. 除2取余法C. 乘2取整法D. 除10取余法2．当A = B = 0时,能实现Y = 1的逻辑运算是 C ;A．Y = AB B．Y = A+B C．Y A B=+=+D．Y A B 3．二进制的减法运算法则是 D ;A．逢二进一B．逢十进一C．借一作十D．借一作二4．MOS或门的多余输入端应 C ;A．悬空B．接高电平C．接低电平D．高低电平均可5．组合逻辑电路应该由哪种器件构成 C ;A．触发器B．计数器C．门电路D．振荡器6．三位二进制编码器输出与输入端的数量分别为 B ;A．3个和2个B．3个和8个C．8个和3个D．2个和3个7．七段显示译码器,当译码器七个输出端状态为abcdefg = 0110011时,高电平有效,输入一定为 C ;A．0011 B．0110 C．0100 D．0101 8．下列门电路,不属于基本门电路 D ;A．与门B．或门C．非门D．与非门9．组合逻辑电路的特点有 A ;A．电路某时刻的输出只决定于该时刻的输入B．含有记忆元件C．输出、输入间有反馈通路D．电路输出与以前状态有关10．TTL逻辑电路是以 A 为基础的集成电路;A．三极管B．二极管C．场效应管D．不能确定四、问答题：1. 十进制转换成二进制的具体转换方法是什么答：十进制数的整数部分采用“除2取余法”；小数部分采用“乘2取整法”;2. 分别描述异或门和同或门的逻辑功能,并说明他们之间的关系;答：异或门的逻辑功能是：同为0,异为1;同或门的逻辑功能是：同为1,异为0;异或逻辑和同或逻辑之间是非逻辑关系;3．简述图7-4中与发光二极管串联电阻的作用,如果将电阻值更换为100kΩ,则发光二极管还能正常发光吗为什么答：电路中与发光二极管串联的的电阻起到分压作用;如果将阻值更换为100kΩ,会导致电流过小,使二极管不能正常发光;4.译码的含义是什么为什么说译码是编码的逆过程译码器和编码器在电路组成上有什么不同答：译码的含义是把某种输入代码翻译成一个相应的信号输出;由于编码是将各种输入信息编成二进制代码输出,所以说译码是编码的逆过程;编码器电路有n2个输入端,则有n个输出端；而译码器电路有n个输入端,则有n2个输出端;理论测验一、判断题：1.脉冲技术现在已经广泛应用于电子计算机、自动控制、遥控遥测、电视、雷达和广播通讯等许多领域; √2.正弦波属于脉冲波的特殊形式; ×3.矩形波是脉冲波的常用波形之一,理想的矩形波都有一个上升边沿和下降边沿,中间为平顶部分; √电路中电容器的充电速度与R和C的大小有关,放电的速度取决于时间常数√积分电路的工作特点是对脉冲信号起到“突出恒定量,压低变化量”的作用;√微分电路的工作特点是对脉冲信号起到“突出变化量,压低恒定量”; √7.多谐振荡器是一种能自动反复输出矩形脉冲的自激振荡电路,并且含有丰富的多次谐波; √8．施密特触发器广泛用于将连续变化的波形,如三角波、正弦波等变换成矩形波;√9．A/D转换器是用来通过一定的电路将模拟量转变为数字量;模拟量可以是电压、电流等电信号,也可以是压力、温度、湿度、位移、声音等非电信号; √10. 数/模转换器DAC的主要性能参数是分辨率、线性误差、建立时间、温度灵敏度和输出电平; √二、填空题1.电阻R和电容C构成的简单电路叫RC电路,常用于脉冲波形变换的电路是RC微分电路和 RC积分电路;2. 微分电路是脉冲电路中常用的一种波形变换电路,能把矩形脉冲波变换成一对正、负极性的尖峰脉冲波;3. 积分电路也是脉冲电路中常用的一种波形变换电路,能把矩形脉冲波变换成三角波,也叫锯齿波;4.触发器的两种输出状态是高电平或低电平,如果其中一个是稳定状态而另一个是暂稳状态,这种触发器称为单稳态触发器 ;5.常用的集成施密特触发器有两种类型,一种是 TTL 施密特触发器,另一种是CMOS 施密特触发器;6. 单稳态触发器不仅能用于延时电路,而且可以把不规则的波形变换成幅度和宽度都相等的脉冲形;7 多谐振荡器工作时,不需要外加触发信号,电路的输出状态会在高低电平两种状态间反复不停地翻转,没有稳定的状态,所以又称无稳态电路;;三、选择题：1．脉冲数字系统中,经常要处理脉冲的产生、延时、整形等问题,而实现这些功能的电路有 ABC ;A、多谐振荡器B、单稳态触发器C、施密特触发器D、正弦波发生器2.下列集成电路中属于单稳态触发器的是 ABC ;A、CT74121B、CT74LS123C、CT74122D、NE5553. 下列集成电路属于CMOS型施密特触发器组件的是 AD ;A、CC40106B、CT74LS132C、CT7414D、CC40934．把经过计算机分析处理的数字信号转换成模拟信号,去控制执行机构的器件,称为数模转换器,即 B 转换器;A、A/DB、D/AC、TTLD、CMOS5．A/D转换后,输出的数字信号可以有ABCD 等;A、8位B、10位C、12位D、16位6．555定时器是一种数字与模拟混合型的中规模集成电路,应用广泛;外加电阻、电容等元件可以构成ABC等典型电路;A、多谐振荡器B、单稳电路C、施密特触发器D、稳压器四、问答题：1.什么是脉冲信号矩形波的主要参数是什么答：脉冲指含有瞬间突然变化、作用时间极短的电压或电流称为脉冲信号;矩形波的主要参数如下： 1 脉冲幅度Vm 2 上升时间tr 3 下降时间tf 4 脉冲宽度tp 5 脉冲周期T;2. 简述555定时器引脚功能答：1 8脚是集成电路工作电压输入端,电压为5～18V;2 1脚为地;32脚为触发输入端;43脚为输出端;5 6脚为阈值端;64脚是复位端;75脚是控制端;87脚称放电端;3. 555定时器可以构成的常见电路是那三种,各有什么特点答：555定时器可以构成的常见电路有单稳态触发器、多谐振荡器和施密特触发器;多谐振荡器的特点：无外输入信号、外围有RC元件、且6、2端短接在一起;单稳态触发器的特点：有一外输入信号、外围有RC元件、6、2端分开且分别与它们连接;施密特触发器的特点：外围没有RC元件、6、2短接、并引入外输入信号;4. A/D和D/A转换各是什么意思答： A/D转换是指将模拟量转变为数字量;D/A转换是指将数字量转换成模拟量;理论测验一、判断题：1.触发器属于组合逻辑电路;×2.触发器具有两个状态,一个是现态,另一个是次;×3．时钟脉冲的作用是使触发器翻转;×4.主从JQ触发器和边沿JK触发器的逻辑功能相同;×5．基本RS触发器可以由两个或非门交叉耦合构成;√6. 即使电源关闭,移位寄存器中的内容也可以保持下去;√7. 所有的触发器都能用来构成计数器和移位寄存器;×8.移位寄存器74LS194可串行输入并行输出,但不能串行输入串行输出;×9. 同步计数器的计数速度比异步计数器快;√10．移位寄存器只能串行输入;×二、填空题1. 基本RS触发器,当、都接高电平时,该触发器具有_ 保持功能;2.同步RS触发器状态的改变与同步信号CP 同步;3.时序电路通常包组合电路和存储电路两个组成部分;4．主从触发器是一种能防止空翻的触发器;触发器是在JK触发器基础上,增加一个与非门,把J和K两个输入端合为一个输入端D 组成的;6．仅具有“置0”、“置1”功能的触发器叫 T触发器 ;7．时序电路的次态输出不仅与即时输入有关,而且还与现态有关;8．在一个CP脉冲作用期间,触发器状态产生二次或多次翻转称＿＿空翻＿现象;9．JK触发器的逻辑功能为＿置0 、＿置1＿、＿翻转＿和＿保持＿;10．将JK触发器的两个输入端接在一起,就构成了＿＿D＿＿触发器,其逻辑功能为＿＿置0＿＿和＿置1＿;三、选择题：1. R-S型触发器不具有 B 功能;A. 保持B. 翻转C. 置1D. 置02. 触发器的空翻现象是指 CA.一个时钟脉冲期间,触发器没有翻转；B.一个时钟脉冲期间,触发器只翻转一次C.一个时钟脉冲期间,触发器发生多次翻转D.每来2个时钟脉冲,触发器才翻转一次3. 下列触发器中不能用于移位寄存器的是 C ;触发器触发器 C.基本RS触发 D.负边沿触发D触发器4.触发器是一种 B ;A、单稳态电路B、双稳态电路C、无稳态电路5.下面4种触发器中,抗干扰能力最强的是 CA.同步D触发器B.主从JK触发器C.边沿D触发器D.同步RS触发器6. 对于JK触发器,若希望其状态由0转变为1,则所加激励信号是 D=0X =X0 =X1 =1X7．仅具有保持和翻转功能的触发器是 DA．JK触发器 B;RS触发器 C;D触发器 D;T触发器8．对于JK触发器,输入J=0,K=1,CP时钟脉冲作用后,触发器的Q n+1应为AA．0 B.1 C.可能为0,也可能为1 D. 与Q n 有关四、问答题：1．怎样实现普通机械式开关的防抖功能答：用两个按键S1、S2、CD4011等构成了一个无抖动开关;电路如图所示;用集成块CD4011内部的两个与非门连接成一个基本RS触发器,当按钮开关S3、S2闭合时可使RS触发器复位端R和置位端S的电平变为0,断开时可使R、S的电平变为1;通过S3、S2可给RS触发器设置输入状态,从而决定输出状态;当S3闭合、S2断开时,R=0,S=1,触发器的输出端Q=0,LED2不会点亮,当S3断开、S2闭合时,R=1,S=0,触发器的输出端Q=1,LED2点亮;当S3、S2都断开时,R=S=1,触发器的输出端Q保持原来的状态即R=S=1之前的那个状态,输出端Q的电平变化,相当于开关的闭合和断开;这种闭合与断开是无抖动的可用示波器在测试点P3观察Q端的电平变化,是矩形波;2.怎样由JK触发器构成D触发器答：在JK触发器的基础上,增加一个与非门把J、K两个输入端合为一个输入端D,CP为时钟脉冲输入端;这样,就把JK触发器转换成了D触发器;3.什么是触发器的空翻现象答：在一个时钟脉冲周期中,触发器发生多次翻转的现象叫做空翻;4．查阅资料,画出用D触发器构成一个4位右移寄存器的原理图,并说明工作过程;答：用D触发器构成的四位移位寄存器,当CP上升沿同时作用于所有触发器时,触发器输入端的状态都为现态;于是,CP上升沿到达之后,各触发器按状态函数进行状态转换;输人代码DI存人触发器F0,Q1按Q0原来状态翻转,Q2按Q1原来状态翻转、Q3按Q2原来状态翻转;总的看来,移位寄存器中的代码依次右移了一位;可见,经过4个CP信号后,串行输入的四位代码全部移入了移位寄存器,并在四个输出端得到并行输出代码;利用移位寄存器可实现代码的串行—并行转换;若再加4个CP信号,寄存器中的四位代码还可以从串行端依次输出;。
电子技术复习题及答案解析
一、填空题1、FX系列PLC中“RST”是什么功能指令（）A.置位B. 复位C. 上升沿脉冲D. 下降沿脉冲2、梯形图中，为减少程序所占步数，应将并联触点数多支路排在（C）A、前B、后C、上D、下3、用于串联连接逻辑块的指令是（）A.SETB.RSTC.ANBD.ORB4、将堆栈中逻辑结果读出并清除堆栈内容的指令为（C ）A.MPSB.MRDC.MPPD.SP5、中间继电器的电气文字符号是（ A ）。
A、KAB、KTC、SBD、KM6、上升沿检出开始梯形图逻辑运算的指令是（ A ）A.LDIB.LDPC.LDD.LDF7、按下复合按钮时（A ）。
A.动断点先断开B、动合点先闭合C、动断动合点同时动作8、PLC的核心是（ C ）。
A、存储器B、总线C、CPUD、I/O接口9、下列电器中哪个是电磁式电器，它是依据电磁感应原理来工作的电器？（A ）A.接触器B. 行程开关C. 熔断器D. 刀开关10、PLC的输入端口一般不能接（C ）A. 继电器触点B.点动开关C.负载线圈D. 行程开关11、和下列梯形图功能相同的是（A ）。
A.B.C.D.12、熔断器是（ C ）在被保护的电路中。
A、并联B、混联C、串联D、串联或并联13、低压电器是用于交流50HZ（或60HZ），额定电压为（C）；直流额定电压1500V及以下的电路中的电器。
A、1200V以下B、1500V以下C、1200V以上D、1500V以上14、三菱FX系列PLC 的输入和输出继电器采用（B ）进制数字编号。
A. 二B. 八C. 十D. 十六15、由于电弧的存在将导致（A ）。
A、电路分断时间加长B、电路分断时间缩短C、电路分断时间不变16、下列指令形式正确的是（B ）A、MC X0B、MC N0 M20C、MC N10 Y0D、MC Y017、将堆栈中逻辑结果读出并清除堆栈内容的指令为（C ）A、MPSB、MRDC、MPPD、SP18、用于并联连接单个常开触点的指令是（C ）A、ORB、ANIC、ORID、AND19、热继电器主要由热元件、（B ）和触点组成。
电力电子技术习题+参考答案
电力电子技术习题+参考答案一、单选题（共20题，每题1分，共20分）1、为了防止逆变失败，最小逆变角限制为( )。
A、100～150B、200～250C、300～350D、400～450正确答案：C2、三相半波可控整流电路的自然换相点是（）A、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°B、本相相电压与相邻电压正半周的交点处C、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°D、交流相电压的过零点正确答案：B3、逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成（）A、逆阻型晶闸管B、大功率三极管C、可关断晶闸管D、双向晶闸管正确答案：A4、若增大SPWM逆变器的输出电压基波频率，可采用控制方法是（）A、增大三角波幅度B、增大正弦调制波频率C、增大正弦调制波幅度D、增大三角波频率正确答案：B5、可实现有源逆变的电路为（）。
A、三相半波可控整流电路B、单相半控桥整流电路C、三相半控桥整流桥电路D、单相全控桥接续流二极管电路正确答案：A6、目前，在中小型变频器中普遍采用的电力电子器件是（）。
A、SCRB、GTOC、MOSFETD、IGBT正确答案：D7、电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是（）A、30°～150B、0°～150°C、15°～125°D、0°～120°正确答案：B8、具有自关断能力的电力半导体器件称为( )A、触发型器件B、全控型器件C、不控型器件D、半控型器件正确答案：B9、晶闸管稳定导通的条件（）A、晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流B、晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流C、晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流D、晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流正确答案：A10、将直流电能转换为交流电能供给负载的变流器是( )A、有源逆变器B、A/D变换器C、D/A变换器D、无源逆变器正确答案：D11、在单相全控桥整流电路中，两对晶闸管的触发脉冲，应依次相差（）度。
电子技术基础(第五版)习题册参考答案
(２) 硅管ꎬ ＰＮＰ 型ꎬ １、 ２、 ３ 管脚依次为发射极、 集电极、
基极ꎮ
(３) 锗管ꎬ ＰＮＰ 型ꎬ １、 ２、 ３ 管脚依次为集电极、 基极、 发
射极ꎮ
(４) 锗管ꎬ ＮＰＮ 型ꎬ １、 ２、 ３ 管脚依次为基极、 发射极、 集
电极ꎮ
６. 答: 第 (１) 种情况能正常工作ꎬ 因为 Ｉ Ｃ < Ｉ ＣＭ 、 Ｕ ＣＥ <
８. Ｃꎻ ９. Ｃꎻ １０. Ｂꎻ １１. Ｃꎻ １２. Ｃꎻ １３. Ｂꎻ １４. Ａꎻ
１５. Ｂꎻ １６. Ｃꎻ １７. Ｃꎻ １８. Ｄꎻ １９. Ａꎻ ２０. Ａꎻ ２１. Ａꎻ
２２. Ｂꎻ ２３. Ａꎻ ２４. Ｂꎻ ２５. Ｂꎻ ２６. Ａꎻ ２７. Ｃꎻ ２８. Ｄꎻ
２９. Ｃꎻ ３０. ＡＣꎻ ３１. Ｂꎻ ３２. Ｂꎻ ３３. Ａꎻ ３４. Ｄꎻ ３５. Ｃꎻ
附录 习题册参考答案
第一章 半导体二极管
§ １—１ 半导体的基本知识
一、 填空题
１. 导体ꎻ 绝缘体ꎻ 半导体
２. 半导体
３. 热敏ꎻ 光敏ꎻ 掺杂
４. 正ꎻ 负ꎻ 负ꎻ 正
５. 单向导电ꎻ 导通ꎻ 截止
６. 高
二、 判断题
１.
× ꎻ ２.
× ꎻ ３. √
三、 选择题
１. Ｃꎻ ２. Ａꎻ ３. ＢＤꎻ ４. Ｃꎻ ５. Ａꎻ ６. Ｂ
＝
＝ ０ ０５ ( ｍＡ) ＝ ５０ ( μＡ)
Ｒ Ｂ ３００
Ｉ ＣＱ ≈β Ｉ ＢＱ ＝ ５０ × ０ ０５ ＝ ２ ５ ( ｍＡ)
Ｕ ＣＥＱ ＝ Ｖ ＣＣ － Ｉ ＣＱ Ｒ Ｃ ＝ １５ － ２ ５ × ３ ＝ ７ ５ ( Ｖ)
电子技术习题答案
第1章半导体晶体管和场效应管一、重点和难点1.半导体材料的导电特性半导体材料的导电特点决定了半导体器件的特点和应用场合，因此透彻的了解半导体的导电特点是学习电子技术的基础，也是本章的重点之一。
2.PN结的单向导电性所有的半导体器件都是由一个或者多个PN结组合而成的，深刻理解PN结的单向导电性的特点是本章的重点。
3.二极管的参数二极管的参数中，有表示极限的参数，有表示优劣的参数，同时有直流参数，又有交流参数，有建立在时间积累效应基础上的电流参数，还有建立在雪崩效应和隧道效应基础上的瞬时电压参数，正确的理解二极管的参数是应用的前提和基础，掌握每个参数的意义是本章的重点，也是本章的难点，4.二极管的应用二极管的主要利用其单向导电性可以用来构成各种电路，二极管的应用是本章的重点。
5.三极管的结构三极管的是由两个相互关联的PN结构成的，三极管由于其内部载流子的运动规律难于形象描述而成为本章的难点。
6.三极管的特性三极管不论输入还是输出都是非线性的，故此其为本章的难点，由于了解管子的特性是对于管子应用的基础和前提，因此正确理解输入电流对输出电流的控制也是本章的重点。
7.三极管的应用三极管在日常生活中有着非常广泛的应用，模拟电子中主要用其放大作用，数字电子中主要用其开关作用。
学习的目的主要是为了应用，因此是本章的重点。
二、学习方法指导1.半导体材料的导电特性半导体材料的导电性能介于导体和绝缘体之间，其导电特性包括：对温度反映灵敏(热敏性) ，杂质的影响显著(掺杂性) ，光照可以改变电阻率(光敏性)。
2.自由电子和空穴当一部分价电子挣脱共价键的束缚而成为自由电子后，共价键中就留下相应的空位，这个空位被称为空穴。
原子因失去一个价电子而带正电，也可以说空穴带正电。
在本征半导体中，电子与空穴总是成对出现的，它们被称为电子空穴对。
如果在本征半导体两端加上外电场，半导体中将出现两部分电流：一是自由电子将产生定向移动，形成电子电流；一是由于空穴的存在，价电子将按一定的方向依次填补空穴，亦即空穴也会产生定向移动，形成空穴电流。
电子技术基础习题答案
第1章检测题（共100分.120分钟）一、填空题：（每空分.共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为自由电子 .少数载流子为空穴 .不能移动的杂质离子带正电。
P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为空穴 .少数载流子为自由电子 .不能移动的杂质离子带负电。
2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。
三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。
3、PN结正向偏置时.外电场的方向与内电场的方向相反 .有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时.外电场的方向与内电场的方向一致 .有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散 .这种情况下的电流称为反向饱和电流。
4、PN结形成的过程中.P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散.N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。
扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区 .其方向由N区指向P区。
空间电荷区的建立.对多数载流子的扩散起削弱作用.对少子的漂移起增强作用.当这两种运动达到动态平衡时. PN结形成。
5、检测二极管极性时.需用万用表欧姆挡的R×1K档位.当检测时表针偏转度较大时.与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。
检测二极管好坏时.两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时.说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时.说明该二极管已经绝缘老化。
6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。
其导电沟道分有N沟道和P沟道。
7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管.正常工作应在特性曲线的反向击穿区。
8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空.务必将各电极短接。
二、判断正误：（每小题1分.共10分）1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电.说明P型半导体呈负电性。
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第一章习题1。
1 如需将PN结二极管处于正向偏置，应如何确定外接电压的极性?答:如需将PN结二极管处于正向偏置，外接电压的极性应该是P区端接高电位,N区端接低电位。
1。
2 PN结二极管的单向导电性是在什么外部条件下才能显示出来？答：在外部施加了正、反相电压且出现正相导通、反相截止时才能显示出来。
1。
3 PN结两端存在内建电位差，若将PN结短路，问有无电流流过？答:二极管短路时没有电流。
原因是ＰＮ结两端虽有电位差,但是在半导体和金属电极接触处，也有”接触电位差”,后者抵消了ＰＮ结两端的电位差。
金属一半导体结和ＰＮ结不同：(１）没有单向导电性,(２）接触电位差和外加电压的极性及幅值无关。
这种接触叫做"欧姆接触"。
从另一种角度分析，如果有电流，金属导线就会发热，二极管就要冷却。
作为一个热平衡的整体,要产生这种现象是不可能的.所以,二极管短路时Ｉ＝０。
1。
4 比较硅、锗两种二极管的性能。
在工程实践中，为什么硅二极管应用得较普遍？答：锗有32 、硅有14 个电子，最外围都有四个价电子。
电子数量、层数越多，受热激发的后价电子脱离共价健束缚的可能性就越大，所以,硅半导体更稳定。
1.5 当输入直流电压波动或外接负载电阻变动时，稳压管稳压电路的输出电压能否保持稳定?若能稳定,这种稳定是否是绝对的?答：当输入直流电压波动或外接负载电阻变动时,稳压管稳压电路的输出电压能保持基本稳定，但是由于其反相击穿特性曲线并非完全垂直下降，所以这种稳定不是绝对的。
1.6 光电子器件为什么在电子技术中得到越来越广泛的应用？试列举一二例。
答：因为可以利用可见或不可见光进行信号指示、遥控、遥测。
减少了导线的连接和一些干扰，带来了方便，比如电视机等家电的遥控器、指示灯等都是应用实例.1。
7 如何用万用表的“Ω”挡来辨别一只二极管的阳、阴两极？（提示：模拟型万用表的黑笔接表内直流电源的正端，而红笔接负端）答：如果二极管的内阻较小，模拟型万用表的黑笔接的是P端，而红笔接的是N端。
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第6章第1次 专业 班 学号 2009 姓名 一、填空题1．变压器的主要功能有 电压 变换、 电流 变换和 阻抗 变换。
2．稳压二极管稳压工作时，是工作在其特性曲线的 反向击穿 区。
3．稳压管是利用反向击穿 特性来稳压的，正向 也可以 稳压。
4．在电子线路和自动控制系统中，常需要稳定的直流电压，直流稳压电源主要由 变压 、整流 、 滤波 和 稳压 四部分电路组成。
5．电路如图1所示，二极管为理想元件，已知交流电压表V 1的读数为100V ，负载电阻R L =1 k Ω，开关S 断开时直流电压表V 2 = 45V ，电流表A= 45mA ；开关S 闭合时直流电压表V 2 = 90V ，电流表A= 90mA 。
图1二、选择题1．要得到P 型杂质半导体，在本征半导体硅或锗的晶体中，应掺入少量的（ A ）。
A ．三价元素B ．四价元素C ．五价元素D ．六价元素 2．稳压管电路如图2所示，稳压管Z1D 的稳定电压112V Z U =，Z2D 的稳定电压为26VZ U =，则电压0U 等于（ C ）。
A ．12 VB ．20 VC ．6 VD ．0 V图2 图33．理想二极管构成的电路如图3所示，则输出电压0U 等于（ A ） A ．8 V B .- 6 V C .2 V D .14 V4．在整流电路中，设整流电路的输出电流平均值为o I ，如果流过每只二极管的电流平均值D o /2I I =，每只二极管的最高反压为2U ，则这种电路是（ A ）A ．单相桥式整流电路B ．单相全波整流电路C ．单相半波整流电路D ．单相半波整流电容滤波电路 5．稳压管电路如图4所示，稳压管Z1D 的稳定电压112V Z U =，Z2D 的稳定电压为26VZ U =，则电压0U 等于（ C ）A ．12 VB ．20 VC ．6 VD ．0 V图4 图56．整流电路如图5所示，输出电压平均值0U 是18V ，若因故一只二极管损坏而断开，则输出电压平均值0U 是（ A ）A ．9 VB ．20 VC ．40 VD ．10 V三、计算题1．电路如图6所示，设S V U =6，i sin V u t ω=12，分别画出输出电压01U 和02U 的波形。
二极管正向压降忽略不计。
图6解：1．电路如图7所示，变压器副边电压为20 V ，负载电阻L 200R =Ω，求：（1）若1S 断开，2S 合上，求负载电压0U 和二极管电流D I 。
（2）若1S 合上，2S 合上，求输出电压0U 。
（3）若1S 合上，2S 断开，求电容电压C U 和二极管最高反压D R M U 。
图7解：（1）U o =0.9U 2=18V ；I D =0.5I o =45mA ；（2）U o =1.2U 2=24V ；（3）U C =U DRM =28.2V第7章第1次 专业 班 学号 2009 姓名 一、填空题1．某放大状态的三极管，测得各管脚电位为：①脚电位V 1=2.3 V ，②脚电位V 2=3 V ，③脚电位V 3=-9 V ，则可判定三极管为 PNP 硅 管， ② 脚为e 极，③ 脚为c 极。
2．某晶体管的极限参数mW100CM=P ，mA15CM=I ，V30(BR)CEO=U ，若工作电V10CE=U ，则工作电流C I 不得超过10mA ,若工作电流mA5C=I ，工作电压不得超过20V 。
3．交流放大电路的静态是指 u i =0 的工作状态，通常说的静态值（静态工作点）是I B 、 I C 、 U CE 。
4．交流放大电路的静态分析法有 图解法 和 估算法 两种。
5．固定偏臵基本交流放大电路的偏值电阻B R 减小时，使静态值B I 随之 上升 ，导致静态工作点沿直流负载线向 饱和区 靠近。
6．基本交流放大电路的集电极负载电阻C R 减小时，使直流负载线变 陡 ；C R 加大时，会使直流负载线变 平坦 。
两种情况都会使不失真的动态范围减小。
7．分析放大电路求静态值时须用 直流 通路，求动态参数时应该用 交流通路和 微变等效 电路。
8．若放大电路的信号源电动势S E 不变，而内阻S R 减小，则输出电压随之 上升 。
二、选择题1．NPN 型晶体管，处在饱和状态时是（ B ）A ．U BE <0，U BC <0B ．U BE >0，U BC >0 C ．U BE >0，U BC <0D ．U BE <0，U BC >0 2．工作在放大状态的晶体管，各极的电位应满足（ A ）。
A ．发射结正偏，集电结反偏B ．发射结反偏，集电结正偏C ．发射结、集电结均反偏D ．发射结、集电结均正偏4．电路如图1，C 3k ΩR =，晶体管的50β=，欲使晶体管工作在放大区，B R 应调至(C )。
A .10 k Ω B .100 k Ω C .300 k ΩD .∞图1 图2 图35．某固定偏臵单管放大电路的静态工作点Q 如图2所示，欲使工作点移至Q '需使( C )。
A ．偏臵电阻B R 增大 B ．集电极电阻C R 减小 C ．偏臵电阻B R 减小 3．基本放大电路如图3所示，该电路的输出电压o u 与输入电压i u 的相位( B )。
A ．相同B ．相反C ．相差/2π三、计算题1．电路如图4所示，已知C C 12V U =, B 600k R =Ω，C 3k R =Ω，L 6k R =Ω，S 2.3k R =Ω，BE 0.6V U =。
晶体管的电流放大系数100=β，输入电阻r be =1.7 kΩ。
试求：(1) 电路的静态工作点B I 、C I 、C E U ；(2) 放大电路的电压放大倍数u A 及us A 、输入电阻i r 及输出电阻0r 。
解：120.6(1)2060010020212236C C BEB BC B C E C C C C U U I AR I I A m A U U I R V--==≈μ=β=⨯μ==-=-⨯=图42626(2)200(1)200101 1.52(//)100(3//6)1331.5//600//1.5 1.53 1.5133532.3 1.5be EC L u bei B be o C i us u S ir k I R R A r r R r k r R k r A A R r =++β=+⨯≈Ωβ⨯=-=-=-==≈Ω==Ω=⨯=-⨯=-++2．分压式偏臵放大电路如图5所示，已知C C 12V U =，C 3.3k R =Ω，B133k R =Ω，B210k R =Ω，E1200R =Ω，E2 1.3k R =Ω，L 5.1k R =Ω，S 600R =Ω，BE 0.6V U =。
试计算该电路：(1) 50=β时的静态值、电压放大倍数u A 、输入电阻和输出电阻； (2) 换用100=β 的晶体管后的静态值和电压放大倍数u A 。
图5解：2121212110(1)12 2.833102.80.6 1.471.51.4729151()12 1.47(3.3 1.5) 4.92626200(1)20051 1.11.47(//)(1)B B C C B B B BE E CE E E B C E C C C C E E E be EC L u be E R V U VR R V U I m A I R R I I AU U I R I R R V r k I R R A r R ==⨯=++--===≈+==≈μ+β=--+=-+==++β=+⨯≈Ωβ=-++β12150(3.3//5.1)8.91.1510.2////((1))33//10//11.37.67//11.3 4.63.3i B B be E o C r R R r R k r R k =-≈-+⨯=++β==≈Ω==Ω121212.80.6(2) 1.471.51.4714.61101()12 1.47(3.3 1.5) 4.92626200(1)200101 2.01.47(//)100(3.3//5.1)9.(1)21010.2B BE E CE E EB C E C C C C E E E be EC L u be E V U I m A I R R I I AU U I R I R R V r k I R R A r R --===≈+==≈μ+β=--+=-+==++β=+⨯≈Ωβ=-=-≈-++β+⨯0第7章第2次 专业 班 学号 2009 姓名 一、填空题1．射极输出器的三大特点是1u A ≤、 输入电阻高 、 输出电阻小 。
2．射极输出器作为多级放大电路的输入级使用时有 输入电阻高 的好处。
3．射极输出器作为多级放大电路的输出级使用时有输出电阻小 的好处。
4．多级放大电路的耦合方式有 阻容耦合 、 直接耦合 和 变压器 耦合三种。
5．多级放大电路的输入电阻是第一级的输入电阻，可能与 第一级电路 有关；多级放大电路的输出电阻是最后一级的输出电阻，可能与 后一级电路 有关。
6．多级放大电路的电压放大倍数等于 各级电压放大倍数 的乘积，计算前级的电压放大倍数时必须把 后级的输入电阻 作为前级的负载。
7．互补对称功率放大电路从电路结构上可分为 OTL 和 OCL 两类。
二、选择题1．射极输出器电路中，输出电压o u 与输入电压i u 之间的关系是( B )。
A ．两者反相，输出电压大于输出电压B ．两者同相，输出电压近似等于输入电压C ．两者相位差90o ，且大小相等2．在多级放大电路中，功率放大级常位于( C )。
A ．第一级B ．中间级C ．末级或末前级3．某功率放大电路的工作波形如图1，静态工作点Q 靠近截止区，这种情况称为( C )。
A ．甲类工作状态B ．乙类工作状态C ．甲乙类工作状态图1 图24．互补对称功率放大电路，若设臵静态工作点使两管均工作在乙类状态，将会出现( C )。
A ．饱和失真B ．频率失真C ．交越失真5．OCL 互补对称功率放大电路如图2，T 1，T 2为硅管, i 0.2sin V u t ω≤，则理想状态下输出电压0u 等于( C )。
A ．12sin V t ωB ．0.2sin V t ω-C ．零三、计算题1．放大电路如图3所示，C C 12V U =,B 75k R =Ω，E 1k R =Ω，L 1k R =Ω，S 1k R =Ω，50β=，BE 0.6VU =。
（1）求静态工作点；（2）画出微变等效电路；（3）求输入电阻i r 、输出电阻o r 和电压放大倍数0u su A u =。
图3解：120.6(1)90(1)75511(1)5190 4.612 4.617.4C C BE B B EE B C C E C C C E U U I AR R I I m A I U U I R V--==≈μ++β+⨯=+β=⨯≈≈=-=-⨯=（2）(3)2626200(1)200510.484.6//((1)(//)75//(0.48511//1)75//2619.3(//)0.481//751.48//1//0.02915151(1)(//)511//1(1)(//)0.485be Ei B be E L be S B o E E L u be E L r k I r R r R R k r R R r R k R R A r R R =++β=+⨯≈Ω=++β=+⨯=≈Ω++==≈=Ω+β+β⨯=-=-++β+0.9811//1≈⨯2．两级阻容耦合放大电路如图4所示，已知CC 24V U =,B11M R =Ω，E127k R =Ω，B282k R =Ω，B343k R =Ω，C 10k R =Ω，E28.2k R =Ω，1250ββ==，BE1BE20.6V U U ==。