常见防雷(surge,lighting)器件(TVS,压敏电阻,气体放电管,固体放电管,SPD)应用

常见防雷（surge,lighting)器件(TVS,压敏电阻，气体放电管，固体放电管，SP D)应用
TVS瞬态干扰抑制器性能与应用
瞬态干扰
瞬态干扰指交流电网上出现的浪涌电压、振铃电压、火花放电等瞬间干扰信号，其特点是作用时间极短，但电压幅度高、瞬态能量大。

瞬态干扰会造成控制系统的电源电压的波动；当瞬态电压叠加在控制系统的输入电压上，使输入控制系统的电压超过系统内部器件的极限电压时，便会损坏控制系统内部的设备，因此必须采用抑制措施。

硅瞬变吸收二极管
硅瞬变吸收二极管的工作有点象普通的稳压管，是箝位型的干扰吸收器件；其应用是与被保护设备并联使用。

硅瞬变电压吸收二极管具有极快的响应时间(亚纳秒级)和相当高的浪涌吸收能力，及极多的电压档次。

可用于保护设备或电路免受静电、电感性负载切换时产生的瞬变电压，以及感应雷所产生的过电压。

TVS管有单方向(单个二极管)和双方向(两个背对背连接的二极管)两种，它们的主要参数是击穿电压、漏电流和电容。

使用中TVS管的击穿电压要比被保护电路工作电压高10％左右，以防止因线路工作电压接近TVS击穿电压，使TVS漏电流影响电路正常工作；也避免因环境温度变化导致TVS管击穿电压落入线路正常工作电压的范围。

TVS管有多种封装形式，如轴向引线产品可用在电源馈线上；双列直插的和表面贴装的适合于在印刷板上作为逻辑电路、I/O总线及数据总线的保护。

TVS的特性
TVS的电路符号和普通的稳压管相同。

其电压-电流特性曲线如图1所示。

其正向特性与普通二极管相同，反向特性为典型的PN结雪崩器件。

图2是TVS的电流-时间和电压-时间曲线。

在浪涌电压的作用下，TVS两极间的电压由额定反向关断电压VWM上升到击穿电压VBR，而被击穿。

随着击穿电流的出现，流过TVS的电流将达到峰值脉冲电流IPP，同时在其两端的电压被箝位到预定的最大箝位电压VC以下。

其后，随着脉冲电流按指数衰减，TVS两极间的电压也不断下降，最后恢复到初态，这就是TVS抑制可能出现的浪涌脉冲功率，保护电子元器件的过程。

当TVS两极受到反向高能量冲击时，它能以10~12s级的速度，将其两极间的阻抗由高变低，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电位箝位于预定值，有效地保护电子设备中的元器件免受浪涌脉冲的损害。

TVS具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差小、
箝位电压容易控制、体积小等优点，目前已广泛应用于家用电器、电子仪表、通讯设备、电源、计算机系统等各个领域。

TVS的主要参数
*最大反向漏电流ID和额定反向关断电压VWM。

VWM是TVS最大连续工作的直流或脉冲电压，当这个反向电压加于TVS的两极间时它处于反向关断状态，流过它的电流应小于或等于其最大反向漏电流ID。

*最小击穿电压VBR和击穿电流IR。

VBR是TVS最小的击穿电压。

在25℃时，低于这个电压TVS是不会发生雪崩的。

当TVS流过规定的1mA电流(IR)时，加于TVS两极的电压为其最小击穿电压VBR。

按TVS的VBR与标准值的离散程度，可把VBR分为5％和10％两种。

对于5％的VBR来说，VWM=0.85VBR；对于10％的VBR来说，VWM=0.81VBR。

图1 TVS电压－电流特性
图2 TVS电压(电流)时间特性
*最大箝位电压VC和最大峰值脉冲电流IPP。

当持续时间为20mS的脉冲峰值电流IPP流过T VS时，在其两端出现的最大峰值电压为VC。

VC、IPP反映了TVS的浪涌抑制能力。

VC与V BR之比称为箝位因子，一般在1.2~1.4之间。

*电容量C。

电容量C是由TVS雪崩结截面决定的，是在特定的1MHz频率下测得的。

C的大小与TVS的电流承受能力成正比，C太大将使信号衰减。

因此，C是数据接口电路选用TVS的重要参数。

*最大峰值脉冲功耗PM。

PM是TVS能承受的最大峰值脉冲功率耗散值。

在给定的最大箝位电压下，功耗PM越大，其浪涌电流的承受能力越大；在给定的功耗PM下，箝位电压VC越低，其浪涌电流的承受能力越大。

另外，峰值脉冲功耗还与脉冲波形、持续时间和环境温度有关。

而且，TVS所能承受的瞬态脉冲是不重复的，器件规定的脉冲重复频率(持续时间与间歇时间之比)为0.01％。

如果电路内出现重复性脉冲，应考虑脉冲功率的累积，有可能损坏TVS。

*箝位时间TC。

TC是从零到最小击穿电压VBR的时间。

对单极性TVS小于1×10-12s；对双极性TVS小于10×10-12s。

TVS的分类
TVS器件按极性可分为单极性和双极性两种；按用途可分为通用型和专用型；按封装和内部结构可分为：轴向引线二极管、双列直插TVS阵列、贴片式和大功率模块等。

轴向引线的产品峰值功率可以达到400W、500W、600W、1500W和5000W。

其中大功率的产品主要用在电源馈线上，低功率产品主要用在高密度安装的场合。

对于高密度安装的场合还可以选择双列直插和表面贴装的封装形式。

4TVS的选用
*确定被保护电路的最大直流或连续工作电压，电路的额定标准电压和最大可承受电压。

*TVS的额定反向关断电压VWM应大于或等于被保护电路的最大工作电压。

若选用的VWM 太低，器件可能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作。

*TVS的最大反向箝位电压VC应小于被保护电路的损坏电压。

*在规定的脉冲持续时间内，TVS的最大峰值脉冲功率PM必须大于被保护电路可能出现的峰值脉冲功率。

在确定了最大箝位电压后，其峰值脉冲电流应大于瞬态浪涌电流。

一般TVS的最大峰值脉冲功率是以10/1000ms的非重复脉冲给出的，而实际的脉冲宽度是由脉冲源决定的，当脉冲宽度不同时其峰值功率也不同。

如某600WTVS，对1000ms脉宽最大吸收功率为600W，但是对50ms脉宽吸收功率就可达到2100W，而对10ms的脉宽最大吸收功率就只有200W了。

而且吸收功率还和脉冲波形有关：如果是半个正弦波形式的脉冲，吸收功率就要减到75％，若是方波形式的脉冲，吸收功率就要减到66％。

*平均稳态功率的匹配对于需要承受有规律的、短暂的脉冲群冲击的TVS，如应用在继电器、功率开关或电机控制等场合，有必要引入平均稳态功率的概念。

举例说明，在一功率开关电路中会产生120Hz，宽度为4ms，峰值电流为25A的脉冲群。

选用的TVS可以将单个脉冲的电压箝位到11.2V。

此中平均稳态功率的计算为：脉冲时间间隔等于频率的倒数1/120=0.0083s，峰值吸收功率是箝位电压与脉冲电流的乘积11.2V×25A=280W，平均功率则为峰值功率与脉冲宽度对脉冲间隔比值的乘积，即280×(0.000004S/0.0083S)=0.134W。

也就是说，选用的TVS平均稳态功率必须大于0.134W。

*对于数据接口电路的保护，还必须注意选取具有合适电容C的TVS器件。

*根据用途选用TVS的极性及封装结构。

交流电路选用双极性TVS较为合理；多线保护选用T VS阵列更为有利。

*温度考虑瞬态电压抑制器可以在－55℃~＋150℃之间工作。

如果需要TVS在一个变化的温度下工作，由于其反向漏电流ID是随温度增加而增大；功耗随TVS结温增加而下降，从＋25℃到＋175℃，大约线性下降50％；击穿电压VBR随温度的增加按一定的系数增加。

因此，必须查阅有关产品资料，考虑温度变化对其特性的影响。

TVS管在使用中应注意的事项
对瞬变电压的吸收功率(峰值)与瞬变电压脉冲宽度间的关系。

手册给的只是特定脉宽下的吸收功率(峰值)，而实际线路中的脉冲宽度则变化莫测，事前要有估计。

对宽脉冲应降额使用。

对小电流负载的保护，可有意识地在线路中增加限流电阻，只要限流电阻的阻值适当，不会影
响线路的正常工作，但限流电阻对干扰所产生的电流却会大大减小。

这就有可能选用峰值功率较小的TVS管来对小电流负载线路进行保护。

对重复出现的瞬变电压的抑制，尤其值得注意的是TVS管的稳态平均功率是否在安全范围之内。

降额使用
作为半导体器件的TVS管，要注意环境温度升高时的降额使用问题。

特别要注意TVS管的引线长短，以及它与被保护线路的相对距离。

当没有合适电压的TVS管供采用时，允许用多个TVS管串联使用。

串联管的最大电流决定于所采用管中电流吸收能力最小的一个。

而峰值吸收功率等于这个电流与串联管电压之和的乘积。

TVS管的结电容是影响它在高速线路中使用的关键因素，在这种情况下，一般用一个TVS管与一个快恢复二极管以背对背的方式连接，由于快恢复二极管有较小的结电容，因而二者串联的等效电容也较小，可满足高频使用的要求。

结语
各种电子系统及通信网络等，经常会受到外来的电磁干扰，这些干扰主要来自电源线路的暂态过程、雷击闪电、以及宇宙射电等。

这些干扰会使得系统动作失误甚至硬件损坏。

对这些问题，要做好全面的预防保护措施，设计选用合适的硅瞬变吸收二极管是解决瞬态干扰的良好方案。

但随着电子工业界探索更多地提高效率和增加功能、集成度不断提高的电子产品，设计提供完整的电路保护解决方案，将形成电路保护技术的又一次革命。

压敏电阻器VSR
MOV 金属氧化压敏电阻(metal-oxide varistor )
Varistor 压敏电阻简称VSR
压敏电阻器简称VSR，是一种对电压敏感的非线性过电压保护半导体元件。

它在电路中用文字符号“RV”或“R”表示，图1-21是其电路图形符号。

（一）压敏电阻器的种类
压敏电阻器可以按结构、制造过程、使用材料和伏安特性分类。

1．按结构分类压敏电阻器按其结构可分为结型压敏电阻器、体型压敏电阻器、单颗粒层压敏电阻器和薄膜压敏电阻器等。

结型压敏电阻器是因为电阻体与金属电极之间的特殊接触，才具有了非线性特性，而体型压敏电阻器的非线性是由电阻体本身的半导体性质决定的。

2．按使用材料分类压敏电阻器按其使用材料的不同可分为氧化锌压敏电阻器、碳化硅压敏电阻器、金属氧化物压敏电阻器、锗（硅）压敏电阻器、钛酸钡压敏电阻器等多种。

3．按其伏安特性分类压敏电阻器按其伏安特性可分为对称型压敏电阻器（无极性）和非对称型压敏电阻器（有极性）。

（二）压敏电阻器的结构特性与作用
1．压敏电阻器的结构特性压敏电阻器与普通电阻器不同，它是根据半导体材料的非线性特性制成的。

图1-22是压敏电阻器忍气吞声外形，其内部结构如图1-23所示。

普通电阻器遵守欧姆定律，而压敏电阻器的电压与电流则呈特殊的非线性关系。

当压敏电阻器两端所加电压低于标称额定电压值时，压敏电阻器的电阻值接近无穷大，内部几乎无电流流过。

当压敏电阻器两端电压略高于标称额定电压时，压敏电阻器将迅速击穿导通，并由高阻状态变为低阻状态，工作电流也急剧增大。

当其两端电压低于标称额定电压时，压敏电阻器又能恢复为高阻状态。

当压敏电阻器两端电压超过其最限制电压时，压敏电阻器将完全击穿损坏，无法再自行恢复。

2．压敏电阻器的作用与应用压敏电阻器广泛地应用在家用电器及其它电子产品中，起过电压保护、防雷、抑制浪涌电流、吸收尖峰脉冲、限幅、高压灭弧、消噪、保护半导体元器件等作用。

图1-24是压敏电阻器的典型应用电路。

（三）压敏电阻器的主要参数
压敏电阻器的主要参数有标称电压、电压比、最大控制电压、残压比、通流容量、漏电流、电压温度系数、电流温度系数、电压非线性系数、绝缘电阻、静态电容等。

1．标称电压标称电压是指通过1mA直流电流时，压敏电阻器两端的电压值。

2．电压比电压比是指压敏电阻器的电流为1mA时产生的电压值与压敏电阻器的电流为0.1mA 时产生的电压值之比。

3．最大限制电压最大限制电压是指压敏电阻器两端所能承受的最高电压值。

4．残压比流过压敏电阻器的电流为某一值时，在它两端所产生的电压称为这一电流值为残压。

残压比则的残压与标称电压之比。

5．通流容量通流容量也称通流量，是指在规定的条件（以规定的时间间隔和次数，施加标准的冲击电流）下，允许通过压敏电阻器上的最大脉冲（峰值）电流值。

6．漏电流漏电流与称等待电流，是指压敏电阻器在规定的温度和最大直流电压下，流过压敏电阻器的电流。

7．电压温度系数电压温度系数是指在规定的温度范围（温度为20~70℃）内，压敏电阻器标称电压的变化率，即在通过压敏电阻器的电流保持恒定时，温度改变1℃时压敏电阻两端的相对变化。

8．电流温度系数电流温度系数是指在压敏电阻器的两端电压保持恒定时，温度改变1℃时，流过压敏电阻器电流的相对变化。

9．电压非线性系数电压非线性系数是指压敏电阻器在给定的外加电压作用下，其静态电阻值与动态电阻值之比。

10．绝缘电阻绝缘电阻是指压敏电阻器的引出线（引脚）与电阻体绝缘表面之间的电阻值。

11．静态电容静态电容是指压敏电阻器本身固有的电容容量。

气体放电管在浪涌抑制电路的应用
1.浪涌电压的产生和抑制原理
在电子系统和网络线路上，经常会受到外界瞬时过电压干扰，这些干扰源主要包括：由于通断感性负载或启停大功率负载，线路故障等产生的操作过电压；由于雷电等自然现象引起的雷电浪涌。

这种过电压（或过电流）称为浪涌电压（或浪涌电流），是一种瞬变干扰。

浪涌电压会严重危害电子系统的安全工作。

消除浪涌噪声干扰，防止浪涌危害一直是关系电子设备安全可靠运行的核心问题。

为了避免浪涌电压损害电子设备，一般采用分流防御措施，即将浪涌电压在非常短的时间内与大地短接，使浪涌电流分流入地，达到削弱和消除过电压、过电流的目的，从而起到保护电子设备安全运行的作用。

2.浪涌电压抑制器件分类
浪涌电压抑制器件基本上可以分为两大类型。

第一种类型为橇棒（crow bar）器件。

其主要特点是器件击穿后的残压很低，因此不仅有利于浪涌电压的迅速泄放，而且也使功耗大大降低。

另外该类型器件的漏电流小，器件极间电容量小，所以对线路影响很小。

常用的撬棒器件包括气体放电管、气隙型浪涌保护器、硅双向对称开关（CSSPD）等。

另一种类型为箝位保护器，即保护器件在击穿后，其两端电压维持在击穿电压上不再上升，以箝位的方式起到保护作用。

常用的箝位保护器是氧化锌压敏电阻(MOV)，瞬态电压抑制器（TVS）等。

3.气体放电管的构造及基本原理
气体放电管采用陶瓷密闭封装，内部由两个或数个带间隙的金属电极，充以惰性气体（氩气或氖气）构成，基本外形如图1所示。

当加到两电极端的电压达到使气体放电管内的气体击穿时，气体放电管便开始放电，并由高阻变成低阻，使电极两端的电压不超过击穿电压。

4.气体放电管与其它浪涌抑制器件参数比较
1）火花间隙（Arc chopping）
为两个形状象牛角的电极，彼此间有很短的距离。

当两个电极间的电位差达到一定程度时，间隙被击穿打火放电，由此将过电流释放入地。

优点：放电能力强，通流容量大（可做到100kA以上），漏电流小；
缺点：残压高（2～4kV），反应时间慢（≤100ns），有跟随电流（续流）。

2）金属氧化物压敏电阻（Metal oxide varistor）
该器件在一定温度下，导电性能随电压的增加而急剧增大。

它是一种以氧化锌为主要成分的金属氧化物半导体非线性电阻。

没有过压时呈高阻值状态，一旦过电压，立即将电压限制到一定值，其阻抗突变为低值。

优点：通流容量大，残压较低，反应时间较快（≤50ns），无跟随电流（续流）；
缺点：漏电流较大，老化速度相对较快。

3）瞬态抑制二极管（Transient voltage suppressor）
亦称齐纳二极管，是一种专门用于抑制过电压的器件。

其核心部分是具有较大截面积的PN结，该PN结工作在雪崩状态时，具有较强的脉冲吸收能力。

优点：残压低，动作精度高，反应时间快（<1ns），无跟随电流（续流）；
缺点：耐流能力差，通流容量小，一般只有几百安培。

4）气体放电管(Gas discharge tube)
气体放电管可以用于数据线、有线电视、交流电源、电话系统等方面进行浪涌保护，一般器件电压范围从75～10000V，耐冲击峰值电流20000A，可承受高达几千焦耳的放电。

优点：通流量容量大，绝缘电阻高，漏电流小；
缺点：残压较高，反应时间慢（≤100ns），动作电压精度较低，有跟随电流（续流）。

各种浪涌抑制器件的共同特点为器件在阈值电压以下都呈现高阻抗，一旦超过阈值电压，则阻抗便急剧下降，都对尖峰电压有一定的抑制作用。

但各自都有缺点,因此根据具体的应用场合,一般采用上述器件中的一个或者几个的组合来组建相应的保护电路。

各种浪涌抑制器件的参数对比见表1所列。

5.气体放电管的主要参数
1）反应时间指从外加电压超过击穿电压到产生击穿现象的时间，气体放电管反应时间一般在μs 数量极。

2）功率容量指气体放电管所能承受及散发的最大能量，其定义为在固定的8×20μs电流波形下，所能承受及散发的电流。

3）电容量指在特定的1MHz频率下测得的气体放电管两极间电容量。

气体放电管电容量很小，一般为≤1pF。

4）直流击穿电压当外施电压以500V/s的速率上升，放电管产生火花时的电压为击穿电压。

气体放电管具有多种不同规格的直流击穿电压，其值取决于气体的种类和电极间的距离等因素。

5）温度范围其工作温度范围一般在－55℃～＋125℃之间。

6）电流—电压特性曲线以美国克来电子公司CG2－230L气体放电管为例，如图2所示。

7）绝缘电阻是指在外施50或100V直流电压时测量的气体放电管电阻,一般>1010Ω。

6.气体放电管的应用示例
1）电话机/传真机等各类通讯设备防雷应用
如图3所示。

特点为低电流量，高持续电源，无漏电流，高可靠性。

2）气体放电管和压敏电阻组合构成的抑制电路
图4是气体放电管和压敏电阻组合构成的浪涌抑制电路。

由于压敏电阻有一致命缺点：具有不稳定的漏电流，性能较差的压敏电阻使用一段时间后，因漏电流变大可能会发热自爆。

为解决这一问题在压敏电阻之间串入气体放电管。

但这又带来了缺点就是反应时间为各器件的反应时间之和。

例如压敏电阻的反应时间为25ns，气体放电管的反应时间为100ns，则图4的R2,G,R3的反应时间为150ns，为改善反应时间加入R1压敏电阻,这样可使反应时间为25ns。

3）气体放电管在综合浪涌保护系统中的应用
自动控制系统所需的浪涌保护系统一般由二级或三级组成，利用各种浪涌抑制器件的特点，可以实现可靠保护。

气体放电管一般放在线路输入端，做为一级浪涌保护器件，承受大的浪涌电流。

二级保护器件采用压敏电阻，在μs级时间范围内更快地响应。

对于高灵敏的电子电路，可采用三级保护器件TVS，在ps级时间范围内对浪涌电压产生响应。

如图5所示。

当雷电等浪涌到来
时，TVS首先起动，会把瞬间过电压精确控制在一定的水平；如果浪涌电流大，则压敏电阻起动，并泄放一定的浪涌电流；两端的电压会有所提高，直至推动前级气体放电管的放电，把大电流泄放到地。

7.结语
各种电子系统，以及通信网络等，经常会受到外来的电磁干扰，这些干扰主要来自电源线路的暂态过程、雷击闪电、以及宇宙射电等。

这些干扰会使得系统动作失误甚至硬件损坏。

针对这些问题，要做好全面的预防保护措施，就需要先找到问题的根源，再选用合适的浪涌抑制器件予以解决。

固体放电管
固体放电管是基于晶闸管原理和结构的一种两端负阻器件。

可以吸收突波，抑制过高电压，达到保护易损组件的目的。

该器件是在硅单晶片两面同时掺杂同种杂质而形成。

简单的结构如图1所示。

图中p区和n区连结在一起。

选用不同的材料和工艺，可以做出各种不同电压和电流的放电管。

图1结构图
固态放电管的工作原理和一个两端的可控硅相似，简述如下：
从结构图可以看出，固态放电管两面的结构基本上是相同的。

在使用中两个极都有加高电位的可能性。

在分析工作原理时，假定A接高电位，K接低电位，该器件的特性曲线如图2所示，可以把导通与阻断的过程分为四个阶段。

图2V-I曲线
1)阻断区：图2中的0到VBR段。

此时器件所加电压低于击穿电压，J1正偏，J2为反偏，电流很小，J2起到了阻挡电流的作用。

外加电压几乎都加在了J2上，由于漏电流很小，固态放电管电阻很大，故称为阻断区。

2)雪崩区：VBR到VBO段
所加电压从VBR逐渐增加到VBO时，J2的空间电荷区内的电场很强，区的宽度被拉得很宽，区内的载流子在足够强的电场作用下，产生了倍增效应，通过J2的载流子突然增加，电流也突然增大，这就是雪崩区。

3)负阻区：VBO到A段
当外加电压增加到大于VBO时由于雪崩效应而产生了大量的电子空穴对，此时这些载流子
在电场的强烈的抽取作用下，进入N2区，大量的电子与空穴因不能很快复合而分别积累在N2区和P2区，因而使J2空间电荷区的电场减弱，降落在J2上的电压将下降，雪崩效应随之减弱，但外加电压并不变，这样加在其它结上的正偏压要增加，从而使通过J2的电流增大，于是，出现了电压不变而电流增加的负阻现象。

4)导通区：A到B段
雪崩效应，使J2空间电荷区越变越窄且由反偏变成了正偏，这样器件的阻抗变得很低，电流变得很大，于是器件由高阻的阻断状态，变成了低阻的导通状态，其伏安特性曲线类似于整流元件的正向特性。

从上述原理中可以看出，当外加电压低于VBR时，漏电流很小，处于断开状态。

不影响被保护组件的正常工作。

当外加电压大于VBO时，放电管很快进入导通状态，压降很小，起到了保护作用。

外加电压去掉后，电流很快就降到低于维持电流IH，放电管自然恢复，回到断开状态。

综上所述，该器件的优点是导通电压小，几乎无热耗，可重复使用，能承受较大的冲击电流，响应快，使用安全、可靠，其性能优于其它瞬间过压保护元器件。

固态放电管与其他瞬间过电压保护器件的比较见表1。

表1固态放电管与其它瞬间过压保护器件性能比较
器件类别固态放电管气体放电管 TVS二极管
保护方式负阻负阻箝位
原理固态四层可控硅结构气体电离导电雪崩二极管
响应时间＜1ns ＞1μs ＞1ns
电容 50pF 1pF 50pF
最大瞬间电流(8/200)μs 3000A 20000A 50A
最大漏电流1μA 1pA 20μA
重复使用可靠性无限重复使用可能蜕化可能损坏
主要优点精确导通，无限重复快速响应瞬间电流最大低电压使用，价廉
主要缺点瞬间电流较小响应时间缓慢瞬间电流最小
注：固态放电管使用时注意事项
1)击穿电压必须大于被保护组件的最大工作电压
2)转折电压必须小于被保护组件所允许的瞬间峰值电压
PS：
固体放电管的特点是响应速度快（10～20ns级），吸收电流大、动作电压稳定、使用寿命长。

其工作原理是：当外界干扰低于触发电压时，放电管处于截止状态；当干扰电压超出触发电压时，放电管工作在负阻区。

此时电流极大，使干扰能量转
气体放电管压敏电阻TVSTSS 漏电流极小(pA级)小(µA级)小(µA级)较小(µA级) 限制电压点火电压高，低～中低低限制电压低通流容量大(10kA级)大(1kA~10kA以上)中(100A级)低(10A级) 响应时间中~慢(0. 1~1us)较快(＜25ns)快(＜1ns)快(＜1ns) 续流问题有无无有电容量低(1pF)中～高(500pF)高(1000pF)较低。