电子元器件失效模式总结
功能安全之“元器件失效模式”
功能安全之“元器件失效模式”汽车电子硬件工程师，最近开始调研“功能安全”相关正文：继续王顾左右而言他。
因为功能安全是在是很大的一个概念。
如果说细了，篇幅很长，显得无趣；而且会显得虚，可操作性差。
因为，工程师往往要求的不是know what、know why，而是know how。
例如，知道热量传递的三种方式传导/对流/辐射，是不是知识？是！该不该掌握？该掌握。
有用吗？没用。
项目脚打后脑勺迫切需要的确认PCB上元器件的温度到底是149度or 151度，然后得马上送去加工。
1、电子元器件失效模式引自ISO26262-5附录中的例子。
电阻的失效率和失效模式即电阻的失效率为2Fit；失效模式中开路占90%，失效率2*90%=1.8Fit失效模式中短路占10%，失效率2*10%=0.2Fit电容的失效率和失效模式：MOSFET的失效率和失效模式：电磁阀的失效率和失效模式：MCU的失效率和失效模式：MCU的失效率很高，为100Fit。
ISO26262中失效模式两行填写的都是ALL，可能是笔误。
但在其文字描述部分提到，由于MCU内部过于复杂，其失效模式得具体ADC、Timer、I/O等展开，此处简化的失效模式正常50%、错误50%。
2、有用吗？没用吗。
有用吗？没用吗知道这个到底有什么用呢？既然主题是功能安全，失效率和失效模式在功能安全的评估中会用到。
功能安全评估中关于硬件的指标有4个。
以其中的1个指标举例，失效率在功能安全评估中的应用。
ASIL B C D对所有元器件失效率的累加之和要求如下：即某路涉及功能安全的回路中，所有元器件的失效率累加之和ASIL B要求<100FitASIL C要求<100FitASIL D要求<10Fit注：有的人也许有疑问，为什么ASIL B和C的要求是一样的，因为这只是指标之一。
那么，问题来了，前面提到MCU失效率是100Fit。
如果安全回路中涉及到MCU，那仅一个元器件就超标了，怎么办？又回到了之前博客文章提到的办法：1）检测和诊断2）如果还不行，那就增加一条回路做冗余备份3、你知道的太多了，呯！呯！呯！ISO26262-5对元器件失效率和失效模式的描述没有出现在正文中，而是出现在附录中，以示例的形式展示给阅读者。
电子元器件的失效模式、周期与可靠性
接件开 譬良 缘 良 触断 簧裂吊力降 触断 不晰 缘料 插及关 不、 不、 瞬、 断 、 下 、 刀头 步清、 材 绝 接 弹 克 动 绝
２ 电子 元器 件 的失效 周期
分析 电子元 器件 的失效 周 期 ， 是 要找 出 电子元 器件 失效 的客 观规 律 ， 个元 器件 的失效虽 然 是个 随机 就 每 事件 ， 是偶 然发 生 的 ， 但大 量元 器 件 的失 效 却呈 现 出一 定 的规律 性 。经 过 元 器 件 大量 使 用 和 试 验 的结 果 表
的失效 所 造成 的 ， 元器 件 的质量 直接 影 响到 电子 电路或 系统 的质 量 。常 用 的 电子 元 器件 主要 有 ： 导 体 器 半 件包 括 晶体 管 、 成 电路等 组成 的有 源 元件 ； 阻器 、 容器 、 集 电 电 电位 器 等组 成 的无 源 元 件 ； 电器 、 插 件 、 继 接 开 关 等组 成 的接触 元件 。在 实践 中 ， 电子 元器 件 的失效 是 多种 多样 的 ， 主要元 器件 的失 效模式 如 表 １ 示 。 所
表 １ 失效 模式
元 器件 名称 半 导体器件 电阻器 电容器 电位器 继 电器 失 效 模 式 开路 、 短路 、 无功能 、 特性劣化 、 重测合格率低 、 结构 不好 断路 、 械损 伤 、 机 接触损坏 、 短路 、 绝缘击穿 、 阻值漂 移 击穿 、 开路 、 电参 数退 化 、 电解液泄漏 、 机械损伤 参 数漂移 、 开路 、 短路 、 接触 不 良、 动噪声大 、 机械损伤 接 触不 良、 触点粘结 、 灵敏度恶化 、 接点误动作 、 接触 簧片断裂 、 圈断线 、 圈短路及烧毁 线 线
表1失效模式元器件名称失效模式半导体器件开路短路无功能特性劣化重测合格率低结构不好电阻器断路机械损伤接触损坏短路绝缘击穿阻值漂移电容器击穿开路电参数退化电解液泄漏机械损伤电位器参数漂移开路短路接触不良动噪声大机械损伤继电器接触不良触点粘结灵敏度恶化接点误动作接触簧片断裂线圈断线线圈短路及烧毁接插件及开关羹譬不良绝缘不良接触瞬断弹簧断裂吊克力下降动触刀断头删6步不清晰绝缘材料2电子元器件的失效周期分析电子元器件的失效周期就是要找出电子元器件失效的客观规律每个元器件的失效虽然是个随机事件是偶然发生的但大量元器件的失效却呈现出一定的规律性
PCB和PCBA失效模式介绍
PCB和PCBA失效模式介绍PCB（Printed Circuit Board，印刷电路板）和PCBA（Printed Circuit Board Assembly，印刷电路板组装）是电子设备中不可或缺的重要组成部分。
它们的失效模式可以影响电子设备的正常运行和可靠性。
下面将详细介绍PCB和PCBA的失效模式。
1.PCB失效模式：（1）短路故障：短路是指PCB上两个或多个电路之间存在直接的导电路径，导致电流绕过原本的电路。
短路故障可能由PCB的介质破裂、导线未完全切割或焊锡未正确处理等原因引起。
（2）开路故障：开路是指PCB上的电路中存在中断，导致电流无法通过。
开路故障可能由PCB上的导线断裂、焊点脱落或导线未正确连接等原因引起。
（3）漏电故障：漏电是指电流从PCB上的电路中部分泄漏到周围环境中，导致电路工作不正常。
漏电故障可能由PCB的介质损坏、导线之间的间隙不足或工作环境湿度过高等原因引起。
（4）电容或电感失效：电容或电感是PCB电路中常用的元器件，其失效可能导致电路性能下降或完全失去功能。
电容或电感失效可能由元器件老化、环境温度波动或PCB设计不合理等原因引起。
（5）热失效：PCB长时间工作时，可能会因为温度过高而失效，例如导线材料烧毁、焊点熔化或介质结构破裂等。
热失效通常由电路功耗过大、散热不良或环境温度过高等原因引起。
2.PCBA失效模式：（1）元器件失效：PCBA中的元器件包括各种电子元件，如电容、电阻、二极管、集成电路等。
元器件失效可能导致电路不稳定、工作频率偏差或工作电压异常等问题。
元器件失效的原因可能是老化、过载、电压过高或环境温度过高等。
（2）焊接缺陷：焊接是PCBA组装过程中关键的环节，焊接缺陷可能会导致焊点脱落、接触不良或焊点间距不合适等问题。
焊接缺陷的原因可能是焊锡浆质量不好、焊接温度不合适或焊接工艺控制不当等。
（3）触点故障：PCBA中的触点负责传输信号或电力，触点故障可能导致信号丢失、电阻增加或电流不稳定等问题。
细叙各类电子元器件的失效模式与机理
细叙各类电子元器件的失效模式与机理
电子元器件的主要失效模式包括但不限于开路、短路、烧毁、爆炸、漏电、功能失效、电参数漂移、非稳定失效等。
对于硬件工程师来讲电子元器件失效是个非常麻烦的事情，比如某个半导体器件外表完好但实际上已经半失效或者全失效会在硬件电路调试上花费大把的时间，有时甚至炸机。
硬件工程师调试爆炸现场
所以掌握各类电子元器件的实效机理与特性是硬件工程师比不可少的知识。
下面分类细叙一下各类电子元器件的失效模式与机理。
电阻器失效模式与机理失效模式：各种失效的现象及其表现的形式。
失效机理：是导致失效的物理、化学、热力学或其他过程。
1、电阻器的主要失效模式与失效机理为1) 开路：主要失效机理为电阻膜烧毁或大面积脱落，基体断裂，引线帽与电阻体脱落。
2) 阻值漂移超规范：电阻膜有缺陷或退化，基体有可动钠离子，保护涂层不良。
3) 引线断裂：电阻体焊接工艺缺陷，焊点污染，引线机械应力损伤。
4) 短路：银的迁移，电晕放电。
2、失效模式占失效总比例表
(1)、线绕电阻
失效模式占失效总比例开路90%阻值漂移2%引线断裂7%其它1%
(2)、非线绕电阻
失效模式占失效总比例开路49%阻值漂移22%引线断裂17%其它7%
3、失效机理分析
电阻器失效机理是多方面的，工作条件或环境条件下所发生的各种理化过程是引起电阻器老化的原因。
(1)、导电材料的结构变化
薄膜电阻器的导电膜层一般用汽相淀积方法获得，在一定程度上存在无定型结构。
按热力。
电子元器件的失效机理和失效模式分析
电子元器件的失效机理和失效模式分析摘要：电子元器件在运行过程中，经常由于失效与故障的发生影响到电子设备的正常运转。
元器件不仅是电子设备最为基础的组成结构，而且也是提高系统性能的主要载体。
一般来说，电子设备中的许多问题都是由电子元件的问题引起的。
为了确保电子设备可以正常工作，我们必须对常见设备中电子元器件的失效机理与常见故障情况有一个清晰的认知。
关键词：电子元器件；失效；机理；缺陷；故障1.电子元器件的失效机理一般来说，设计方案存在破绽，制作工艺不完善，使用方法不当，以及环境方面存在问题都会导致电子元器件出现故障。
我们将通过以下几个方面来分析探索电子元器件发生故障的缘由。
（一）电阻器的失效原理电阻作为电子设备的加热元件，是电子设备中使用时间最长的设备。
在电子设备的使用过程中，因电阻器故障造成电子设备发生故障的缘由占总数的15%。
电阻器的失效机理，对电子设备的结构和工艺特性有着决定性的意义。
当电阻出现问题后，人们通常不会将其修复，而是会思考：我们为什么不用一条新的电阻线代替呢？当电阻丝烧毁时，在某些情况下，烧毁的区域可以重新焊接，然后使用。
电阻劣化大多是由于其散热性差、湿度过大或制造存在漏洞等缘由引起的，而烧坏则是由于电路异常引起的，如短路、过载等缘由。
常见的电阻烧坏情形有两种：一种是电流过载和电阻高温引发的电阻烧坏，此时很轻易便可以发觉电阻表面出现损伤。
另一种则是瞬时高压加到电阻上引起的电阻开路或电阻值增大，一般情况下，此时电阻的表面变化不明显，这种故障电阻在高压电路中经常出现[1]。
电阻失效通常是因为致命故障和漂移参数故障。
结合电子设备的实际使用情况我们发现，由前者原因引发电阻器故障的占比可高达90%，包含了短路，机械损伤，接触损坏等等情形，而一般只有10%的电阻故障是由漂移参数故障引起的。
另外接触不良非常容易引起故障，而出现接触不良的情形主要是因为：（1）接触压力太大导致弹簧片松弛，接触点偏离轨道。
元器件失效模式(RAC)
小信号二极管
参数变化
开路
开路
参数变化
短路
射频晶体管
参数变化
开关二极管
短路
短路
不连续
开路
开路
复式晶体管
短路
烧毁
加压不当
参数负漂移
基极开路
游离颗粒
发射极开路
其它
连续损耗
半导体闸流管
断不开
无输出
短路
结构
开路
光电子器件
闭合失效
发光二极管
开路
三端双向可控硅
开关二极管
断开失效
短路
闭合失效
光电耦合器
退化
电压基准二极管
混合集成电路
封装失效
能力降低
偶然失效
真空电子器件
电过应力
示波器
输出能力降低
开路
高螺旋电流
短路
发射枪失效
输出退化
螺旋线断开
混合电路装置
开路
电子管
电源故障
性能退化
失控
短路
性能退化
无输出
超出额定值
微波集成电路
烧毁
微波滤波器
中心频率漂移
破裂
无输出
元器件失效模式及其失效比例（表续）
元器件名称
失效模式
比例%
元器件名称
（齐纳）
参数变化
不能切换
开路
过电应力
短路
开路
接线故障
元器件失效模式及其失效比例（表续）
元器件名称
失效模式
比例%
元器件名称
失效模式
比例%
光电耦合器（续）
污染
运算放大器（续）
功能失效
应用总结-电子元器件失效分析
内部资料
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失效模式与失效机理
3.10、键合失效——一般是指金丝和铝条互连之间的键合失效。由于金铝之间的化学势的不同，经长期使用或200℃以上高温储存后，会产生多 种金属间化合物，如紫斑、白斑等。结果使铝层变薄，粘附性下降，造 成半断线状态，接触电阻增加，最后导致开路失效。在300℃高温下还会 产生空洞，即柯肯德尔效应，这种效应是在高温下金向铝中迅速扩散并 形成化合物，在键合点四周出现环形空洞，使铝膜部分或全部脱离，形 成高阻或开路。
内部资料
无锡华润矽科微电子有限公司
失效分析的主要内容
二、失效分析的主要内容-思路
2.1、明确分析对象 明确分析对象及失效发生的背景。在对委托方提交的失效样品进行具 体的失效分析操作之前，失效分析人员应该和委托方进行沟通，了解失 效发生时的状况，确定在设计、生产、检测、储存、传送或使用哪个阶 段发生的失效，如有可能要求委托方详细描述失效发生时的现象以及失 效发生前后的操作过程。 2.2、确定失效模式 失效的表面现象或失效的表现形式就是失效模式。失效模式的确定通 常采用两种方法，即电学测试和显微镜观察。 立体显微镜观察失效样品的外观标志是否完整，是否存在机械损伤， 是否有腐蚀痕迹等； 金相显微镜和扫描电子显微镜等设备观察失效部位的形状、大小、位 置、颜色，机械和物理特性等，准确的扫描失效特征模式。 电学测试判断其电参数是否与原始数据相符，分析失效现象可能与失 效样品中的哪一部分有关。
内部资料
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失效模式与失效机理
（2）操作失误造成的电损伤 2-1 双列直插式封装的集成电路当测试时不慎反插，往往就会造成电 源和地两端插反，其结果是集成电路电源与地之间存在的PN结隔离二极 管就会处于正偏(正常情况是反偏)，出现近100毫安的正向电流，这种电 过应力损伤随着通电时间的增长而更加严重。这种损伤如果不太严重， 虽然电路功能正常，只表现出静态功耗增大，但这种受过损伤的电路， 可靠性已严重下降，如果上机使用，就会给机器造成隐患。 2-2 T0-5型金属管壳封装的集成电路，电测试时容易出现管脚插错或 管脚间相碰短路。这种意外情况有时也会导致集成电路内部某些元器件 的电损伤。 2-3 电路调试时，不慎出现“试笔头”桥接短路管脚，这种短接有时 会造成电损伤。 2-4 在电子设备中设置的“检测点”，如果位置设置不当又无保护电 路时，维修时就可能将不正常的电压引入该端而损伤器件。
常见的电子元器件失效机理与分析
常见的电子元器件失效机理与分析电子元器件的主要失效模式包括但不限于开路、短路、烧毁、爆炸、漏电、功能失效、电参数漂移、非稳定失效等。
对于硬件工程师来讲电子元器件失效是个非常麻烦的事情，比如某个半导体器件外表完好但实际上已经半失效或者全失效会在硬件电路调试上花费大把的时间，有时甚至炸机。
硬件工程师调试爆炸现场所以掌握各类电子元器件的实效机理与特性是硬件工程师比不可少的知识。
下面分类细叙一下各类电子元器件的失效模式与机理。
电阻器失效失效模式：各种失效的现象及其表现的形式。
失效机理：是导致失效的物理、化学、热力学或其他过程。
电阻器的失效模式与机理▶开路：主要失效机理为电阻膜烧毁或大面积脱落，基体断裂，引线帽与电阻体脱落。
▶阻值漂移超规范：电阻膜有缺陷或退化，基体有可动钠离子，保护涂层不良。
▶引线断裂：电阻体焊接工艺缺陷，焊点污染，引线机械应力损伤。
▶短路：银的迁移，电晕放电。
失效模式占失效总比例表▶线绕电阻：▶非线绕电阻：失效模式机理分析电阻器失效机理是多方面的，工作条件或环境条件下所发生的各种理化过程是引起电阻器老化的原因。
▶导电材料的结构变化：薄膜电阻器的导电膜层一般用汽相淀积方法获得，在一定程度上存在无定型结构。
按热力学观点，无定型结构均有结晶化趋势。
在工作条件或环境条件下，导电膜层中的无定型结构均以一定的速度趋向结晶化，也即导电材料内部结构趋于致密化，能常会引起电阻值的下降。
结晶化速度随温度升高而加快。
电阻线或电阻膜在制备过程中都会承受机械应力，使其内部结构发生畸变，线径愈小或膜层愈薄，应力影响愈显著。
一般可采用热处理方法消除内应力，残余内应力则可能在长时间使用过程中逐步消除，电阻器的阻值则可能因此发生变化。
结晶化过程和内应力清除过程均随时间推移而减缓，但不可能在电阻器使用期间终止。
可以认为在电阻器工作期内这两个过程以近似恒定的速度进行。
与它们有关的阻值变化约占原阻值的千分之几。
电负荷高温老化：任何情况，电负荷均会加速电阻器老化进程，并且电负荷对加速电阻器老化的作用比升高温度的加速老化后果更显著，原因是电阻体与引线帽接触部分的温升超过了电阻体的平均温升。
光电子元器件的失效模式和失效机理
光电子元器件的失效模式和失效机理朱炜容1.1 光电子器件的分类在光电子技术中，光电子元器件包括光源器件以及光探测器件。
其中光源器件主要有发光二极管和激光器。
光探测器件主要是光电二极管。
作为电气元件，光纤和光缆也是光电子技术中不可缺少的组成元件。
1.2 激光器的失效模式及失效机理随着工作时间的增加，半导体激光器的工作性能将会劣化，发射功率和效率下降，有时还会发生突然失效的灾变性损坏。
造成半导体激光器退化的原因除了其本身的因素外，还有使用温度、工作条件等环境因素。
一、暗线缺陷暗线缺陷是激光器工作时形成的缺陷网络，这些缺陷最终会导致发射功率的下降。
暗线缺陷的形成除了材料、工艺过程中会引入外，其形成过程与温度有很大的关系，它所引起的退化速率强烈地依赖于温度。
二、腔面损伤退化腔面的损伤退化一般有灾变性退化和化学腐蚀损伤退化。
在高功率密度激光的作用下，由于局部过热、氧化、腐蚀、介质膜的针孔和杂质等因素使腔面遭受损伤，从而使局部电流密度增加，局部大量发热，在热电正反馈的作用下，最终腔面局部熔融，导致灾难性的损伤，器件完全失效。
腔面的化学腐蚀是由于光化学作用使腔面表面发生氧化，并形成局部缺陷，导致腔面局部发热，使激光器性能退化甚至失效。
三、电极退化高功率半导体激光器的欧姆接触退化和热阻退化与其他电子器件的电极退化相似。
电极金属和半导体材料间存在互扩散，在烧结的部位，孔洞和晶须的生长现象是常见的退化模式。
另外，热应力导致的电极损伤也很常见。
由于电极远离器件的有源区，电极退化对器件特性的影响一般在老化或工作一定时间后再表现出来。
半导体激光器的工作性能对温度非常敏感，温度升高将加速暗线缺陷的生长，腔面氧化等失效机理，严重影响激光器的寿命。
激光器的转换效率不高，自身的功耗很大，因此降低热阻是提高激光器寿命和可靠性的主要方法之一。
芯片电极烧结质量的好坏不但影响了热阻的大小，而且还关系到电极的电阻，因为激光器在正常工作时，其一般工作电流为几十甚至上百安培，即使是很小的电极电阻，也将产生很大的热功耗，减小电极电阻可以减小激光器本身的热功耗。
失效模式
电子元器件主要失效模式和机理介绍本报编辑：韩双露时间: 2009-5-22 17:16:45 来源: 电子制造商情中国赛宝实验室分析中心陈媛摘要：电子元器件的种类繁多，相应的失效模式和机理也很多，本文归纳和总结电子元器件的失效模式、分析和验证电子元器件的失效机理。
针对失效模式和失效机理采取有效措施，是不断提高电子元器件可靠性水平的过程。
关键词：电子元器件、可靠性、失效模式、失效机理引言电子元器件的失效主要是在产品的制造、试验、运输、存储和使用等过程中发生的，与原材料、设计、制造、使用密切相关。
电子元器件的种类很多，相应的失效模式和机理也很多。
失效模式是指失效的外在直观失效表现形式和过程规律，通常指测试或观察到的失效现象、失效形式，如开路、短路、参数漂移、功能失效等。
失效机理是指失效的物理、化学变化过程，微观过程可以追溯到原子、分子尺度和结构的变化，但与此相对的是它迟早也要表现出的一系列宏观（外在的）性能、性质变化，如疲劳、腐蚀和过应力等。
从现场失效和试验失效中去收集尽可能多的信息(包括失效形态、失效表现现象及失效结果等)进行归纳和总结电子元器件的失效模式，分析和验证失效机理，并针对失效模式和失效机理采取有效措施，是不断提高电子元器件可靠性水平的过程。
1 集成电路失效模式和机理介绍集成电路的主要失效模式有功能失效、参数漂移、短路、开路等。
集成电路失效模式统计分布见图1。
图1 集成电路失效模式分布集成电路的主要失效机理有：1）过电应力（EOS）：是指元器件承受的电流、电压应力或功率超过其允许的最大范围。
2）静电损伤(ESD)：微电子器件在加工生产、组装、贮存以及运输过程中，可能与带静电的容器、测试设备及操作人员相接触，所带静电经过器件引脚放电到地，使器件受到损伤或失效3）闩锁效应（latch-up）：集成电路由于过电应力触发内部寄生晶体管结构而呈现的一种低阻状态，这种低阻状态在触发条件去除或终止后仍会存在。
电子元器件的失效模式、周期与可靠性
电子元器件的失效模式、周期与可靠性摘要：电子元器件在所有的电子系统或者电子装置中尤为重要，主要原因在于电子元件作为电子系统或者电子装置的主要组成元件，在正常的使用过程中对于系统或装置的性能起到了基础的保障作用，尤其当规模庞大的电子系统和装置在正常运行使得过程中，电子元器件的质量和效率能够为期提供最大的作用。
因此在这其中，电子元器件出现问题就会导致电子系统和装置出现故障，甚至发生爆炸和燃烧，这对于安全生产影响极大，所以对于电子元器件的实效模式和周期以及可靠性的研究要结合实际的使用场景和使用现状进行，研究电子元器件的失效周期，使得在实际的使用过程中能够保证元器件的正常。
关键词：电子元器件；失效模式和周期；可靠性一、电子元器件的失效模式电子系统或者装置在实际的使用过程中主要的元器件组成占据着重要的位置，其中每一个元器件都有着固定的作用，因此在电子系统中出现某一个元器件失效，将会直接导致电子系统的故障，在这其中，电子元器件的失效形式有多个方面，重要的就是要对元器件的失效模式进行分析和研究，找到其中的失效规律，和失效的主要原因，从而可以更好的对其进行更换和维修。
常用的元器件以及失效模式如下：（一）半导体之类的元器件半导体作为电子系统中重要的元件，其失效模式主要在于：电路的开路、短路、功能失效、质量劣质以及结构出现问题，这其中，电路的开路主要来自于电焊点的不牢靠，使得焊点脱落，导致电路发生开路，影响元器件的正常使用；而短路的情况主要体现在元器件的焊接点过于靠近，在通电的过程中出现电流交叉，从而发生短路，短路的情况影响及其严重，可能会导致电子系统发生爆炸。
（二）电阻和电容出现的失效电阻和电容作为电子系统中重要的基本组成元件，在正常的使用过程中能够使得电子系统正常的运转，这其中出现的主要问题在于断路、绝缘的击穿和电解质的泄露等原因，因此，对于电子系统的影响巨大。
（三）电位器以及继电器的失效电位器的失效主要表现在机械损伤方面，电位器作为主要的动作元件，在使用频率过高的情况下极易发生机械方面的损伤，并且这种损伤是不可避免的，所以严重的情况就会出现电位器失灵；此外继电器的失效主要在于其灵敏度发生变化，其中的弹簧连接以及动、断触点在长时间的闭合、断开过程中由于动作过大极易发生失灵的现象，因此容易造成电子系统或装置的使用不稳定。
元器件失效模式RAC
元器件失效模式RACRAC（Reliability Assurance Center）是元器件失效模式的一种评估方法，可用于评估元器件在特定环境下的可靠性。
在电子设备中，元器件的可靠性是非常重要的，因为元器件失效可能会导致整个电路或设备的故障。
为了提高设备的可靠性，需要对元器件进行可靠性评估，以确定其使用寿命和失效模式。
RAC方法是一种系统的元器件可靠性评估方法，通过分析元器件的失效数据和失效模式，以及在特定环境下的条件，来预测元器件的可靠性。
RAC方法包括以下几个步骤：1.失效数据收集：首先，需要收集元器件的失效数据，包括失效时间和失效模式。
这些数据可以从实际应用中获得，也可以从元器件制造商或可靠性实验室获取。
2.失效模式分析：通过对失效数据进行统计分析，可以确定元器件的失效模式。
失效模式包括短路、开路、电容变化等。
失效模式的分析可以帮助我们了解元器件的退化和失效机制。
3.环境条件评估：在特定的环境条件下，元器件的可靠性可能会有所变化。
因此，需要评估元器件在特定环境条件下的可靠性。
环境条件包括温度、湿度、振动等。
通过模拟这些环境条件，可以评估元器件在实际应用中的可靠性。
4.可靠性预测：综合考虑失效模式和环境条件，可以进行元器件的可靠性预测。
可靠性预测可以用于确定元器件的使用寿命和故障率。
这对于设计和维护电子设备非常重要，可以帮助我们选择合适的元器件和制定有效的维护计划。
5.可靠性改进措施：通过了解元器件的失效模式和环境条件，可以采取一些措施来改善元器件的可靠性。
例如，通过改变元器件的材料、结构或制造工艺，可以减少元器件的失效率。
此外，也可以通过改变电路设计或增加故障检测和恢复机制来提高设备的可靠性。
总之，RAC方法是一种全面的元器件可靠性评估方法，可以帮助我们了解元器件的失效模式和可靠性，在设计和维护电子设备时提供指导。
通过使用RAC方法，可以提高设备的可靠性，降低故障率，延长设备寿命，从而提高设备的性能和可用性。
电子元器件失效分析
电子元器件失效分析第一篇：电子元器件失效分析电子元器件失效分析1.失效分析的目的和意义电子元件失效分折的目的是借助各种测试分析技术和分析程序确认电子元器件的失效现象.分辨其失效模式和失效机理.确定其最终的失效原因，提出改进设计和制造工艺的建议。
防止失效的重复出现，提高元器件可靠性。
失效分折是产品可靠性工程的一个重要组成部分，失效分析广泛应用于确定研制生产过程中产生问题的原因，鉴别测试过程中与可靠性相关的失效，确认使用过程中的现场失效机理。
在电子元器件的研制阶段。
失效分折可纠正设计和研制中的错误，缩短研制周期；在电子器件的生产，测试和试用阶段，失效分析可找出电子元器件的失效原因和引起电子元件失效的责任方。
根据失效分析结果。
元器件生产厂改进器件的设计和生产工艺。
元器件使用方改进电路板设汁。
改进元器件和整机的测试，试验条件及程序，甚至以此更换不合格的元器件供货商。
因而，失效分析对加快电子元器件的研制速度.提高器件和整机的成品率和可靠性有重要意义。
失效分折对元器件的生产和使用都有重要的意义.如图所列。
元器件的失效可能发生在其生命周期的各个阶段.发生在产品研制阶段，生产阶段到使用阶段的各个环节，通过分析工艺废次品，早期失效，实验失效及现场失效的失效产品明确失效模式、分折失效机理，最终找出失效原因，因此元器件的使用方在元器件的选择、整机计划等方面，元器件生产方在产品的可靠性方案设计过程，都必须参考失效分折的结果。
通过失效分折，可鉴别失效模式，弄清失效机理，提出改进措施，并反馈到使用、生产中，将提高元器件和设备的可靠性。
2.失效分析的基本内容对电子元器件失效机理，原因的诊断过程叫失效分析。
进行失效分析往往需要进行电测量并采用先进的物理、冶金及化学的分析手段。
失效分析的任务是确定失效模式和失效机理.提出纠正措施，防止这种失效模式和失效机理的重复出现。
因此，失效分析的主要内容包括：明确分析对象。
确定失效模式，判断失效原因，研究失效机理，提出预防措施（包括设计改进)。
电感零件常见失效模式及分析手法
（1）不良品外观检查确认(非破坏)
（2）不良品/良品电气特性比对确认(非破坏)
经过电气测试确认：2pcs 不良品电感值都小于规格要求的 33uH±20% 的范围，DCR 明显小于规格值 0.35(Ω)max.基本判断不良品为短路失 效。
3.不良品进一步 Wire 拆解分析(破坏)
4. Core 验证分析(破坏) Core 外观检查 OK,不良品与库存新品拆解进行对比分析将拆解后的库 存新品的 Wire 绕制上在不良品的 Core 上，感值恢复为 29.8uH；将拆 解后的不良品的 Wire 绕制上在库存新品的 Core 上，感值为 17.1uH， 同样出现感值偏低现象。因此初步排除 Core 不良的原因，不良的问题 点是出现在 Wire 方面。4
电子零件失效分析之电感
对于电子品质工程师来说电子元器件失效是非常麻烦的事情，比如 某个半导体器件外表完好但实际上已经半失效或者完全失效会在硬件 电路调试上面花费大把的时间，有时甚至炸机。所以掌握各类电子元器 件的实效机理与特性是工程师必不可少的知识。
电感是导线内通过交流电流时，在导线的内部及其周围产生交变磁 通，导线的磁通量与产生此磁通量的电流成之比。
1 .芯片电感机械/外力异常分析---本体 Crack 裂痕或破损：
电气异常分析---内电极熔化 Crack 裂痕开路：
总结:
1.熟知零件的组成结构，材料，制程和特性 2.FA 一般流程
例如：不良率，异常现象，零件 DateCode, 发生不良的流程，PCB 上发生异常的位置，终端产品及客户等
磨损/异物附着、产品底部平整度不佳/底部料片偏移等，对此改善和应 对的措施为原材料厂商提供电镀报告，可焊性测试验证。
电子元器件的失效分析
电子元器件的失效分析随着人们对电子产品质量可靠性的要求不断增加，电子元器件的可靠性不断引起人们的关注，如何提高可靠性成为电子元器件制造的热点问题。
例如在卫星、飞机、舰船和计算机等所用电子元器件质量可靠性是卫星、飞机、舰船和计算机质量可靠性的基础。
这些都成为电子元器件可靠性又来和发展的动力，而电子元器件的实效分析成为其中很重要的部分。
一、失效分析的定义及意义可靠性工作的目的不仅是为了了解、评价电子元器件的可靠性水平，更重要的是要改进、提高电子元器件的可靠性。
所以，在从使用现场或可靠性试验中获得失效器件后，必须对它进行各种测试、分析，寻找、确定失效的原因，将分析结果反馈给设计、制造、管理等有关部门，采取针对性强的有效纠正措施，以改进、提高器件的可靠性。
这种测试分析，寻找失效原因或机理的过程，就是失效分析。
失效分析室对电子元器件失效机理、原因的诊断过程，是提高电子元器件可靠性的必由之路。
元器件由设计到生产到应用等各个环节，都有可能失效，从而失效分析贯穿于电子元器件的整个寿命周期。
因此，需要找出其失效产生原因，确定失效模式，并提出纠正措施，防止相同失效模式和失效机理在每个元器件上重复出现，提高元器件的可靠性。
归纳起来，失效分析的意义有以下5点：（1）通过失效分析得到改进设计、工艺或应用的理论和思想。
（2）通过了解引起失效的物理现象得到预测可靠性模型公式。
（3）为可靠性试验条件提供理论依据和实际分析手段。
（4）在处理工程遇到的元器件问题时，为是否要整批不用提供决策依据。
（5）通过实施失效分析的纠正措施可以提高成品率和可靠性，减小系统试验和运行工作时的故障，得到明显的经济效益。
二、失效的分类在实际使用中，可以根据需要对失效做适当的分类。
按失效模式，可以分为开路、短路、无功能、特性退化（劣化）、重测合格；按失效原因，可以分成误用失效、本质失效、早期失效、偶然失效、耗损失效、自然失效；按失效程度，可分为完全失效、部分（局部）失效；按失效时间特性程度及时间特性的组合，可以分成突然失效、渐变失效、间隙失效、稳定失效、突变失效、退化失效、可恢复性失效；按失效后果的严重性，可以分为致命失效、严重失效、轻度失效；按失效的关联性和独立性，可以分为关联失效、非关联失效、独立失效、从属失效；按失效的场合，可分为试验失效、现场失效（现场失效可以再分为调试失效、运行失效）；按失效的外部表现，可以分为明显失效、隐蔽失效。
元器件的失效物理模型
元器件的失效物理模型一、引言元器件作为电子设备的重要组成部分，其正常运行对于整个系统的稳定性和可靠性至关重要。
然而，由于各种原因，元器件可能会发生失效，导致设备无法正常工作。
本文将从物理角度探讨元器件失效的原因和模型。
二、热失效模型热失效是元器件失效的常见原因之一。
当元器件长时间处于高温环境下工作时，其内部元件可能会受到热应力的影响，导致元器件性能下降甚至失效。
这种热失效主要是由于材料的热膨胀系数不同以及热扩散不均匀引起的。
三、机械失效模型机械失效是元器件失效的另一个常见原因。
当元器件受到机械应力的作用时，其内部的结构可能会发生变形或破裂，导致性能下降或完全失效。
机械失效主要包括应力过大、疲劳破裂、震动引起的断裂等。
四、电磁失效模型电磁失效是元器件失效的重要原因之一。
当元器件长时间受到电磁场的作用时，其内部的电子结构可能会发生改变，导致性能下降或失效。
电磁失效主要包括电磁辐射引起的电磁干扰、电磁感应引起的故障等。
五、化学失效模型化学失效是元器件失效的特殊原因之一。
当元器件受到化学物质的腐蚀或污染时，其内部的材料可能会发生化学反应或变化，导致性能下降或失效。
化学失效主要包括氧化、腐蚀、污染等。
六、结论元器件的失效物理模型主要包括热失效、机械失效、电磁失效和化学失效。
这些模型揭示了元器件失效的原因和机制，为我们预防和解决元器件失效问题提供了理论基础。
通过深入研究和理解这些模型，我们可以提高元器件的可靠性和稳定性，保证电子设备的正常运行。
通过以上的描述，我们可以清晰地了解到元器件失效的物理模型，从而更好地理解元器件失效的原因和机制，为预防和解决元器件失效问题提供理论支持。
因此，只有深入研究和理解这些模型，并采取相应的措施，我们才能提高元器件的可靠性和稳定性，保证电子设备的正常运行。
电子元器件失效的敏感环境与失效模式总结
2.3混合集成电路
传统的混合集成电路，按基片表面的厚膜导带、薄膜导带工艺不同分为厚膜混合集成电路和薄膜混合集成电路两大类：某些小型的印制电路板（PCB）电路，由于印制电路是以膜的形式在平整板表面形成导电图形的，也归类为混合集成电路。随着多芯片组件这一先进混合集成电路的出现，其基板特有的多层布线结构和通孔工艺技术，已使组件成为混合集成电路中一种高密度互连结构的代名词，多芯片组件所采用的基板又包括：薄膜多层、厚膜多层、高温共烧、低温共烧、硅基、PCB多层基板等。
另一方面，电连接器在贮存、运输和工作时，会受到各种振动载荷和冲击力的作用，当外界振动载荷的激励频率和电连接器固有频率接近时，会使得电连接器产生共振现象，造成接触件的间隙变大，间隙增大到一定程度，接触压力会瞬时消失，从而导致电接触的“瞬断”。在振动、冲击载荷作用下，电连接器内部会产生应力，当应力超过材料的屈服强度时，会使得材料产生破坏和断裂；在这种长期应力的作用下，材料也会发生疲劳损伤，最后引发失效。
热致击穿、芯片焊接失效、内引线键合失效，冲击导致钝化层破裂。
高温、冲击、振动
5
阻容元件
磁芯基体破裂，电阻膜破裂，引线断裂。
冲击、高低温
6
板级电路
焊点开裂、孔铜断裂。
高温
电真空器
热丝疲劳断裂。
振动
2、典型元器件失效机理分析
电子元器件的故障模式并不单一，仅对有代表性的部分典型元器件敏感环境的耐受极限进行分析，以得到较为通适的结论。
电子元器件失效分析方法探讨
电子元器件失效分析方法探讨摘要：本文介绍了电子元器件失效的含义，对电子元器件失效进行了分类。
分析了电子元器件失效的机理，同时探讨了电子元器件失效分析的原则，电子元器件失效分析的一般程序，介绍了电子元器件失效非破坏性分析的常用方法。
关键词：电子元器件；失效分析；常用方法；分析原则0 引言当前，电子信息技术已经成为最重要的技术之一，而电子元器件则是电子信息技术发展的前提。
为了促进电子信息技术的进一步发展，就要提高电子元器件的可靠性，所以就必须了解电子元器件失效的机理、模式以及分析技术等。
1电子元器件失效的含义所谓失效是指电子元器件出现的故障。
各种电子系统或者电子电路的重要组成部分一般是不同类型的元器件，当它需要的元器件较多时，则标志其设备的复杂程度就较高；反之，则低。
一般还会把电路故障定义为：电路系统规定功能的丧失。
2 电子元器件失效的分类根据不同的标准，对失效的分类一般主要有以下几种归类法。
以失效原因为标准：主要分为本质失效、误用失效、偶然失效、自然失效等。
以失效程度为标准：主要分为部分失效、完全失效。
以失效模式为标准：主要分为无功能、短路、开路等。
以失效后果的严重程度为标准：主要分为轻度失效、严重失效以及致命失效。
除上述外，还有多种分类标准，如以失效场合、失效外部表现为标准等。
3 电子元器件失效的机理电子元器件失效的机理也有不同分类，通常以其导致原因作为分类依据，主要可分为下面几种失效机理。
（1）表层劣化：元器件钠离子遭污染然后造成沟道出现漏电、γ辐射有损、表面蠕变或击穿等；（2）设计问题造成的劣化：指电子元器件的电路、版图以及结构等方面出现的设计问题；（3）内部劣化：是指由CMOS 闭锁效应、二次击穿、重金属玷污、中子辐射损伤以及材料问题所引发的瞬间功率过载、结构性能退化等；（4）使用不当引起的损坏：指电浪涌损伤、静电损伤、过高温度造成的破坏、干扰信号导致的故障等；（5）金属化系统劣化：是指电子元器件内的铝电迁移、铝腐蚀、铝缺口等；（6）封装劣化：是指管腿出现腐蚀、漏气或壳内有外来物导致短路或漏电等。
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元器件的失效模式总结Beverly Chen2016-2-4一、失效分析的意义失效分析（Failure Analysis）的意义在于通过对已失效器件进行事后检查，确定失效模式，找出失效机理，确定失效的原因或相互关系，在产品设计或生产工艺等方面进行纠正以消除失效的再次发生。
一般的失效原因如下：二、失效分析的步骤失效分析的步骤要遵循先无损，后有损的方法来一步步验证。
比如先进行外观检查，再进行相关仪器的内部探查，然后再进行电气测试，最后才可以进行破坏性拆解分析。
这样可以避免破坏性的拆解破坏证据。
拿到失效样品，首先从外观检查开始。
1. 外观检查：收到失效样品后，首先拍照，记录器件表面Marking信息，观察器件颜色外观等有何异常。
2.根据器件类型开始分析：2.1贴片电阻，电流采样电阻A: 外观检查，顶面覆盖保护层有针状圆形鼓起或黑色击穿孔->内部电阻层烧坏可能->万用表测量阻值：测得开路或者阻抗偏大->内部电阻层烧毁可能->可能原因：过电压或过电流烧毁—>检查改电阻的稳态功率/电压或者瞬时功率/电压是否已超出spec要求。
Coating 鼓起并开裂黑色击穿点●可失效样品寄给供应商做开盖分析，查看供应商失效报告：如发现烧毁位置位于激光切割线下端，可确定是过电压导致失效。
需要考虑调整应用电路，降低电压应力，或者换成能承受更大应力的电阻。
激光切割线去除coating保护层后，可以看到烧毁位置位于激光切割线旁边，该位置电应力最集中。
B: 外观检查，顶面底面均无异常->万用表测量阻值：测得开路或者阻抗偏大->内部电阻层烧毁或者电极因硫化断开或阻抗增大->检查改电阻的稳态功率或者瞬时功率是否已超出spec要求，如有可能是过电压或过功率烧毁；应力分析在范围内，考虑硫化->失效样品寄给供应商分析。
查看供应商失效报告：●如发现烧毁位置位于激光切割线下端，可确定是过电压导致失效。
需要考虑降低应用电路中的电压应力，或者换成能承受更大应力的电阻。
●如果测试发现保护层附近电极硫元素含量高且电极沿保护层边缘发生断裂情况，可确认是应用中硫化物污染导致银电极被硫化生成AgS而断开需确认应用环境是否硫含量比较高。
如果有必要，更换为抗硫化电阻。
端电极与玻璃保护层交界处放大C: 外观检查，顶面覆盖保护层有任意位置的大片的脱落或者，且露出的基板或电阻层颜色正常，无黑色烧坏痕迹->万用表测量阻值：测得阻值正常，或者偏大或者开路->可能原因：外力撞击造成保护层/电阻层/基板破裂，需检查电阻是否靠近板边或者靠近螺丝或其他组装器件。
D：其他贴片电阻2.2贴片陶瓷电容A: 外观检查，外观无异常->测量C，DF，IR（端子间电阻）值与SPEC是否相符->如C，DF，IR（端子间绝缘电阻）值OK，给电容加额定电压后，再测量C,DF，IR值（静置24hr 再测比较准确），如仍在spec范围内，器件正常；如果是因换了一个品牌的同规格的陶瓷电容导致模块的输入或输出纹波偏大，需要查看一下不同品牌电容的DF（ESR影响）和DC bias 性能是否有差异。
B: 外观检查，外观无异常->测量C，DF，IR（端子间电阻）值与SPEC是否相符->如C，DF，IR（端子间电阻）值OK，给电容加额定电压后，再测量C,DF，IR值，如果C，DF，IR异常，可能是耐压不足的原因，可失效样品寄给供应商做分析以确认原器件是否有质量问题。
C: 外观检查，外观无异常->测量C，DF，IR（端子间电阻）值与SPEC是否相符->如C，DF，IR（端子间电阻）异常，再仔细观察是否有陶瓷体微裂现象->无论有无裂纹，将失效样品寄给供应商做分析。
需要注意的是柔性端子的电容，在受到板弯等机械外力后，容易在端子的弹性层靠近底面位置发生开裂而导致开路，如果柔性端子电容外观无异常，但是测量电容发现开路或者容值减小，则有可能是这种情况。
Polymer AgD: 外观检查，陶瓷体上有明显的裂纹->测量C，DF，IR（端子间电阻）值与SPEC是否相符->将失效样品寄给供应商做分析。
查看失效器件的外观以及供应商的切片分析报告和图片：如果陶瓷体的裂纹出现在电容顶面的中心，且曾圆形往外扩散，顶面可见或不可见下陷凹坑，多为电容在贴片过程中受到过大的下压里，导致电容破裂；切片照片中，如果陶瓷体上的裂纹是从端子的边缘开始往内部延伸，多为机械或者板弯●切片照片中，对于柔性端子的电容，如果器件测量开路，但是陶瓷体本身没有异常，则可能是受机械应力引起柔性层开裂导致端子开路；●切片照片中，如果陶瓷体上的裂纹是从端子的侧壁中央沿着电极往电容水平方向延伸，多为焊接热应力引起的失效；●切片照片中，如果陶瓷体上的裂纹是从端子的最外侧电极的靠边缘的位置往另一侧的电极延伸击穿，多为过电压应力失效；如果可以在切片照片上看到内部电极间陶瓷体上的裂纹是从内部电极间某个点向周围扩散，且该点不在从端子往内部延伸的裂纹上，并能看到熔融的电极金属，则可能是电容内部电压击穿，且能量较大；需要检查电路中是否有超高的电压应力存在，或者确认电容本身的耐压能力；如果对于一个应用了一段时间，C ，DF 值都没有变化，但是IR 降低，漏电流增大的电容，可能的原因有，1.电容本体有微裂，随着时间变长水汽进入，在电压的作用下，漏电流逐渐增大直至失效。
2. 电容介质材有空洞或裂纹，在电压作用下，电极的离子迁移，造成漏电流逐渐增大直至失效。
E ：其他2.3 固态钽或铝电容A: 外观检查，外观无异常->测量C ，DF ，ESR 值与SPEC 是否相符->如果C ，DF ，ESR 值都正常，该器件应该是个OK 品，可将其装到模块上做进一步验证。
B: 外观检查，外观无异常->测量C ，DF ，ESR 值与SPEC 是否相符->如果C ，DF 正常，ESR 值偏大->找未焊的新样品测试ESR->如果新样品初始ESR 正常，过完回流焊后ESR 偏大，很可能是器件吸潮后过回流焊后器件内部水汽爆开造成连接异常导致ESR 偏大。
->确认物料是否真空包装，回流焊曲线是否超出J-STD-020推荐的回流焊曲线要求。
另：超声波清洗也可能会造成ESR 偏大。
一颗ESR 偏大的钽电容样品（右上角被打磨过了）因水汽进入塑封材料，在回流焊后因热机械应力在不同材料层间产生微裂C: 外观检查，外观无异常->测量C ，DF ，ESR 值与SPEC 是否相符->如果C ，DF 正常，ESR 值偏大->找未焊的新样品测试ESR->如果新样品初始ESR 异常，将样品送给供应商做质量分析。
D: 外观检查，外壳有明显裂纹或者烧焦痕迹等明显的->检查应用电路和电压电流波形，是否有电压反向，电压或纹波电流超过额定值的情况->如果应力超出，需修改电路；如果应力正常，将样品和相关信息提供给供应商做质量分析。
E ：其他2.4 铝电解电容A: 外观检查，外观无异常->测量C ，DF(tan δ)，漏电流, Impedance 值与SPEC 是否相符->如果C ，DF ，漏电流, Impedance 值都正常，该器件应该是个OK 品，可将其装到模块上做进一步验证。
需要注意，铝电解电容在低温下阻抗和ESR 会增大，看是否会因此对电路应用造成影响。
B: 外观检查，外观无异常->测量C ，DF(tan δ)，Impedance 值与SPEC 是否相符->如果C ，DF ，漏电流, Impedance 值超出spec ，而外观又看不出来，可以先测量一下未使用过的样品的参数是否正常，未使用过的样品是正常，而装配和使用后的样品有问题，可以判定电容是装配和使用后失效。
失效分析参考下面的防爆阀鼓起的电解电容的分析步骤。
C: 外观检查，电容顶盖有明显的鼓起或者防爆阀（X 型，Y 型，K 型等形状的刻线）裂开或者溢液的情况->如果是SMD 表贴型电容，首先检查该电容的回流焊曲线是否超出了供应商的推荐的回流焊接曲线，过高的温度会使贴片铝电解电容内部的电解液过度膨胀造成防爆阀突起或裂开->如果回流焊曲线没有问题，检查应用电路是否有电压或纹波电流超过额定值的情况。
过大的电压会造成介质击穿漏电流增大，电容内部发热严重造成电解液膨胀甚至溢出；过大的纹波电流或者充放电电流，会使ESR 上损耗增大，电容内部发热严重造成电解液膨胀甚至溢出->如果应力超出，需修改电路；如果应力正常，将样品和相关信息提供给供Micro CrackMolding resinSilverGraphite Manganese应商做失效分析。
阴极为电解液的电解电容，有的可以在顶部看到防爆阀刻痕，但是有一些小封装的电解电容或者阴极为固态聚合物的电解电容的顶部也是没有防爆阀刻痕的。
D: 外观检查，电容顶盖有明显的鼓起或者防爆阀（X型，Y型，K型等形状的刻线）裂开或者溢液的情况->如果是直插引脚的电解电容，检查应用电路是否有电压或纹波电流超过额定值的情况。
过大的电压会造成介质击穿漏电流增大，电容内部发热严重造成电解液膨胀甚至溢出；，过大的纹波电流或者充放电电流，会使ESR上损耗增大，电容内部发热严重造成电解液膨胀甚至溢出->如果应力超出，需修改电路。
E: 外观检查，电容顶盖有明显的鼓起或者防爆阀（X型，Y型，K型等形状的刻线）裂开或者溢液的情况->如果是直插引脚的电解电容，且应用电路的应力正常，检查电容的引脚是否有摇晃或松动的情况。
由于机械外力造成引脚松动或扭曲的话，可能会造成引脚在电容内部电极的焊接端移位或松动，从而导致内部绝缘层破损或阻抗变大等异常情况，造成应用时电容内部温度过高引起失效->可以将样品和相关信息提供给供应商做质量分析。
F：其他2.5瓷片电容Pending2.6薄膜电容A: 外观检查，电容本体鼓起或外壳裂缝->检查C发现容量变小->如果是过完波峰焊以后出现外壳鼓包裂缝并发生容量变小的问题，可能是高温导致薄膜收缩导致失效。
->需要确认是本身器件的质量问题还是焊接条件不当。
可以将全新的薄膜电容样品，引脚做260C浸锡试验，分别浸入10S，20S，30S，看电容的外观和容量是否有变化。
如发生变化，将样品和相关信息提供给供应商做质量分析。
如外观容量等没有发生变化，需要检查我们的焊接条件，比如波峰焊的预热或焊接时间是否过长，或者薄膜电容的引脚孔径是否过大导致锡液涌上本体造成失效。
B：其他2.7电感A: 外观检查，磁芯破损->测量L值和DCR与SPEC是否相符，如果DCR正常但是L值超出SPEC，则是磁芯破损造成电感失效->铁氧体磁芯破损，考虑组装或运输过程中的机械外力对器件造成的影响；如果是金属粉模压磁芯破裂，需检查是否是在清洗过程，或者回流焊后破损或者原材料来料就有破损。