少子寿命跟晶界与位错

少子寿命跟晶界与位错。还有金属离子有关

影响少子寿命最主要的原因是重金属杂质的影响，一般都沉淀在埚底的机会大，跟电阻率一样，头部高尾部低，但没有电阻率这么稳定，如果料里金属杂质多的话，也许头部有１５，尾部只有０．０几，金属杂质的分凝系数很小，在CZ工艺中大部分金属杂质往硅棒的尾部分凝。再加上尾部位错和缺陷的，少子寿命就很低。要想少子寿命高，所以最好不要用拉过的埚底料，洗料要尽量不用与金属相接触，料的含金属杂质少拉出的东西品质一定好，目前解决的好像就是在保护气体中加入少量的氧气。

但是如果硅片在磷扩散后的少子寿命偏低，还是与金属杂质有很大关系，解决办法就是：用硅片扩散前/后清洗设备清洗。一般用于磷扩散后的片子是重掺杂的,建议不要用在其它炉管内,以免造成沾污,这种片子工艺后表面有一层氧

单片或块状硅材料

扩散形成P-N后的太阳电池（无金属电极)

少子寿命：1um-1ms

电阻率测试范围：≥0.1Ωcm

测试速度：2 seconds/point