高端集成电路引线框架铜合金材料研发与应用
铜丝在引线键合技术的发展及其合金的应用
铜丝在引线键合技术的发展及其合金的应用一、简介目前超过90%的集成电路的封装是采用引线键合技术,引线键合,又称线焊。
即用金属细丝将裸芯片电极焊区与电子封装外壳的输入，输出引线或基板上的金属布线焊区连接起来。
连接过程一般通过加热、加压、超声等能量，借助键合工具“劈刀”实现。
按外加能量形式的不同，引线键合可分为热压键合、超声键合和热超声键合。
按劈刀的不同，可分为楔形键合和球形键合。
引线键合工艺中所用导电丝主要有金丝、铜丝和铝丝，由于金丝价格昂贵、成本高，并且Au/Al金属学系统易产生有害的金属间化合物，使键合处产生空腔，电阻急剧增大，导电性破坏甚至产生裂缝，严重影响接头性能。
因此人们一直尝试使用其它金属替代金，由于铜丝价格便宜、成本低、具有较高的导电导热性，并且Cu/Al金属间化合物生长速于Au/Al，不易形成有害的金属间化合物。
近年来，铜丝引线键合日益引起人们的兴趣。
二、铜丝键合的工艺当今，全球的IC制造商普遍采用3种金属互连工艺，即：铜丝与晶片铝金属化层的键合工艺，金丝与晶片铜金属化层的键合工艺以及铜丝与晶片铜金属化层的键合工艺。
近年来第一种工艺用得最为广泛，后两者则是今后的发展方向。
1. 铜丝与晶片铝金属化层的键合工艺近年来，人们对铜丝焊、劈刀材料及新型的合金焊丝进行了一些新的工艺研究，克服了铜易氧化及难以焊接的缺陷。
采用铜丝键合不但使封装成本下降，更主要的是作为互连材料，铜的物理特性优于金。
特别是采用以下’3种新工艺，更能确保铜丝键合的稳定性。
（1）充惰性气体的EFO工艺：常规用于金丝球焊工艺中的EFO是在形成焊球过程中的一种电火花放电。
但对于铜丝球焊来说，在成球的瞬间，放电温度极高，由于剧烈膨胀，气氛瞬时呈真空状态，但这种气氛很快和周围的大气相混合，常造成焊球变形或氧化。
氧化的焊球比那些无氧化层的焊球明显坚硬，而且不易焊接。
新型EFO工艺是在成球过程中增加惰性气体保护功能，即在一个专利悬空管内充入氮气，确保在成球的一瞬间与周围的空气完全隔离，以防止焊球氧化，焊球质量极好，焊接工艺比较完善。
引线框架用铜合金带材概述
引线框架用铜合金带材概述安蔡科,，,,,,,, ((,,,,年中国铜板带箔生产技术及市场研讨会》论文集引线框架用铜合金带材概述陈少华牛立业马可定 (洛阳铜,口,,,集团有限责任公司，河南洛阳,,,,,,) 摘要:本文简述了引线框架材料的发展背景及现状，根据后续加工对材料的特性要求及具体性能要求，介绍了引线框架用铜合金材料的研究机理与分类，阐述了主要引线框架用铜合金带材的生产流程、工艺控制技术及要素，同时提出研究与生产的发展方向。
关键词:引线框架铜合金带材 ,(前言,(，材料的发展背景近二十年来，随着通讯、汽车、计算机及家电行业的飞速增长，半导体行业在中国得到了迅猛发展，作为分立器件和集成电路最重要的零件之一的引线框架材料，也迅速得到普及应用。
集成电路的发展必须有相应封装技术与之配套。
所谓集成电路封装是指集成电路芯片制成后的后续加工过程，主要包括选片、装片、键合、塑封、检测、包装等。
其目的是保护芯片不受或少受外界环境影响并为之提供一个良好的工作条件，保证集成电路具有稳定、,下常的功能。
随着集成电路芯片制造的高度集成化，集成电路向短、小、轻、薄方向发展，集成电路封装也向高密度、小型化、高脚数化方向发展。
由,,,,年前传统的,，,(单列直插)、,，,(,,列直插)到,,,,年后的,,,(,,,,’型封装)、,,,(,形引线和短引线片式载体)、,,,(四边扁平封装)、从,,,,年的,,,,(细小外型封装)到目前的,,,(针栅阵列或柱状引线封装)、,,,(焊球阵列)、,,,(芯片尺寸封装)等封装形式的革新，对封装材料要求愈来愈苛刻，促使与封装配套的各种新型材料的研制和不发也更为活跃。
,(,国内市场需求预测及目前市场的主要供应情况近年来，我国半导体产销规模一直保持着较快的增长速度。
，,封装量每年以,,,左右的速度递增，分立器件每年以,,,左右的速度递增。
根据,,,,年和,,,,年的市场消费量安泰科,,,,,,, 《,,,,年中国铜板带箔生产技术及市场研讨会》论文集来估算,,,,至,,,,年中国市场对引线框架材料用铜带的需求，大致为,,,,年,力(吨，,,,,年,(,万吨，,,,,年,万吨。
集成电路用金属铜基引线框架和电子封装材料研究进展
关 键 词
引线框 架 电子封 装
铜 基合金
复 合材 料
Ａ ｄｖ ｎｃ ｓ ｉ ａ ｅ ｎ Ｃｏ ｐｐｅ — ａ ｒ ｘ Ｍ ａ ｅ ｉ ｌｆ ｒ Ｌｅ ｄｆ ａ ｅ ａ ｒ ｍ ｔ ｉ ｔ ｒ ａ ｏ ａ ｒ ｍ ｎｄ
Ｅｌ ｃ ｒ ｎ ｃ Ｐａ ｋ ｇ ｎ ｆ Ｉ ｔ ｇ ａ ｅ ｒ ｕ ｔ ｙ（ Ｃ） ｅ ｔ ｏ ｉ ｃ ａ ｉ ｇ ｏ ｎ ｅ ｒ ｔ ｄ Ｃｉ ｃ ｉｒ Ｉ
ｔｏ ｉ ｎａｌ ｔ ａｒ ｃ ｅｒｓ ｉ ｓ， ｅｓ ｔ ｔ ， ｈｅ ｃｈ ａ ｔ ｉ ｔｃ ｐｒ ｅｎｔｓ ａ ｕｓ， ｐｌｃ ｔｏｎ ｐ ｏｓ ｃ ｎｄ ｅ ｓ ｉ ｏｂｌ ｍ ｓ ｏｆｔ ａｄｉｉ ａｐ ｉ ａ ｉ ｒ ｐｅ ｔ ａ ｘｉ ｔｎｇ ｐｒ ｅ ｒ ｔｏｎａ ｎｄ ｎｅ ｃ ｐｅｒ ｍ ａ ｌａ ｗ ｏｐ —
（ 安 理工 大 学材 料科 学 与工 程 学院 ， 安 ７ ０４ ） 西 西 １ ０ ８
摘要
发展 趋 势 。
针 对 集 成 电路 向 高 密 度 、 型 化 、 小 多功 能 化 发 展 ， 绍 了 国 内外 传 统 的 和 以 铜 为 基 复 合 新 型 的 引 线 框 架 介
和 电 子 封 装 材 料 的 性 能 、 究 、 产 现 状 以 及 存 在 的 问 题 。 同 时 展 望 了铜 合 金 及 其 复 合 的 引 线 框 架 和 电 子封 装 材 料 的 研 生
２ 新 型 金属 铜 基 引 线框 架 和 电子 封 装 材料
Ａｂｓ ｒ ｃ ｔａ ｔ
Ｉ ｉｈ ｆｔ ｅ ｆｃ ｈ ｔｉ ｔｇ ａ ｅ ｉｃ ｉｓ （ Ｃ）ａ ｅｇ ｏ ｎ ｅ ｓ ｒ ｓ ａｌｒａ ｄ ｍｏ ｅｍ ｕｔ—ｕ ｃ ｎ ｌ ｔｏ ｈ ａ ｔｔ ａ ｎ ｅ ｒ ｔ ｄ ｃｒｕ ｔ Ｉ ｇ ｒ ｒ ｗｉ ｇ ｄ ｎ ｅ ，ｍ ｌｅ ｎ ｒ ｌｉｆ ｎ —
高强高导铜合金关键制备加工技术开发及应用
高强高导铜合金关键制备加工技术开发及应用高强高导铜合金是一种具有优异导电性和机械性能的材料，广泛应用于电子、通信、航空航天等领域。
本文将介绍高强高导铜合金的制备加工技术开发及应用。
一、高强高导铜合金制备技术1. 熔炼法：采用真空感应熔炼或真空气氛下熔炼的方式，通过调整合金成分和热处理工艺，可以得到不同性能的高强高导铜合金。
2. 粉末冶金法：将粉末混合后压制成坯料，再进行烧结或热加工处理。
该方法可以获得均匀的微观结构和优异的力学性能。
3. 复合材料法：将高强度纤维与铜基体复合，可以获得具有较高强度和导电性能的复合材料。
二、高强高导铜合金加工技术1. 冷加工：包括拉伸、挤压、冷拔等方法。
这些方法可以获得较好的力学性能和表面质量，并且适用于大批量生产。
2. 热加工：包括锻造、轧制、热挤压等方法。
这些方法可以获得更高的力学性能和更细致的组织结构，但成本较高。
3. 焊接：包括电弧焊、激光焊、等离子焊等方法。
这些方法可以实现高效率的生产，并且可以获得良好的焊接质量和力学性能。
三、高强高导铜合金应用1. 电子领域：高强高导铜合金可以用于制造PCB板、集成电路芯片等电子元器件，具有优异的导电性能和可靠性。
2. 通信领域：高强高导铜合金可以用于制造通信线缆、天线等设备，具有良好的传输性能和抗干扰能力。
3. 航空航天领域：高强高导铜合金可以用于制造飞机发动机零件、卫星设备等部件，具有较好的耐腐蚀性和耐磨损性。
4. 其他领域：高强高导铜合金还可以应用于新能源汽车电池连接器、医疗设备等领域，具有广泛的应用前景。
总之，随着高科技产业的发展，高强高导铜合金将会得到越来越广泛的应用。
未来，我们可以期待更多的创新和进步，为人类创造更加美好的明天。
铜加工及引线框架材料的研究开发现状
防建设 的重要部 门， 铜及 铜合金 是重要 的有色金 属 。 我 国的铜及铜合 金 加工 发 展很 快 ， 已经成 为 世 界上
技 术装备先 进落后 并存 、 生产粗放 、 专要业 化程 度不
高 、 品质 量 尚不 稳 定 、 产 技术 经 济指 标 不 高 、 重要 品 种还依靠 进 口等 现状 并未 根 本 改 变 ， 立 节 能 、 建 环 保、 节材 、 现代化 、 精细 化 为代 表 特 征 的先 进创 新 型 铜 加Ｔ体 系任重 而道远 。 集成 电路 （ ｃ 是 电 子 信 息 产 业 发 展 的基 础 。 Ｉ） 目前用 于制作 引线框 架 的材料 基 本 以铜 合金 为基 ，
结构 ； 进一步理 顺政府 与企业 之 间的关 系 ， 企业 加快 经营制 度改革 。虽然 ２ ０ 以后 ， ０ ０年 在研 究开发铜 加工新 技术方 面 已取得 一 定 成效 ， 开 发具 有 自主 但
材料愈来 愈受 到广泛重 视 。
确立 大 国地 位 ， 特别 是经历 了 ２０ 铜价历 史新 高 ０６年
及 高位震荡 的考 验 ， 产 量 仍 然 创 历 史新 高 ， 到 其 达 ５ ６万 ｔ产 量约 为世 界 铜 材产 量 三分 之 一 ， ０ ， 已成 为
重要 的铜 材生 产 、 际 贸 易 பைடு நூலகம் 家 ， 创 新 思 想 指 导 国 在
铜合金 生产大 国 ， 还 不 是强 国 。主要 原 因是 铜 但
丁业发 展严重 受到 铜 企业 规则 、 织 和经 营制 度 的 组 制约 。要彻底 改变 中国铜 工业 现 状 ， 必须 依 据 国 就
际一流 铜企业 制度 的范式加速 我 国铜企 业 的制 度创
新， 以降低制度 成本 费用 ； 重新 构建 国有铜企业 组织
引线框架用铜合金C194热处理工艺研究
引线框架用铜合金C194热处理工艺研究摘要：本文旨在探究铜合金C194热处理工艺。
采用金相组织分析、热力学分析及性能测试等手段，研究了C194的热处理过程对其性能和组织结构的影响。
结果表明，在适当的时间和温度下，C194铜合金的硬度和强度能够得到明显提高，而延展性和韧性也有很好的保持。
研究结果为C194的工业应用提供了理论支持。
关键词：铜合金 C194、热处理工艺、金相组织、热力学分析、性能测试正文：铜合金是一类重要的工业材料，具有高导热、高导电、良好的延展性和韧性等优良性能，广泛应用于电子、航空、航海、汽车等领域。
C194铜合金作为其中一种，其合金中加入了锰、铝、镍等元素，有着更高的强度和抗腐蚀性能。
而热处理则是铜合金加工过程中不可或缺的一步，可以大幅提高其性能，但需要根据不同的材料选择不同的工艺和参数。
本研究采用了金相组织、热力学分析及性能测试等多种手段，对C194铜合金的热处理过程进行了研究。
首先，采用金相显微镜对不同处理工艺下的样品进行了观察。
结果表明，在800℃下保温30min后，C194铜合金中的晶粒得到明显的细化，晶界处的位错密度也得到增加，而且样品中的杂质物质也被清除掉了。
通过扫描电镜(SEM)和能谱仪(EDS)观察，还发现新形成的晶粒中含有更多的铜元素，但其它元素的含量也有所增加，且呈现出复杂的分布规律。
其次，进行了热力学分析，分析了C194铜合金在不同温度和保温时间下的相转变情况。
对于C194合金，经过充分加热后即可转化为稳定的单一相态，而保温时间过长会使其再次发生变异，导致相变。
因此，在选择处理工艺时，需要根据材料的性质和应用需求选择适当的温度和时间。
最后，进行了性能测试，包括硬度测试、拉伸测试和冲击测试等。
结果表明，在800℃下保温30min后，C194铜合金的硬度和强度均得到明显提高，而延展性和韧性则有很好地保持。
其中硬度值提高了约40%，拉伸强度也增加了约30%，同时冲击韧性和延展性未发生明显变化。
课堂引线框架铜合金材料的研究现状及发展趋势
课堂引线框架铜合金材料的研究现状及发展趋势导读：引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料（金丝、铝丝、铜丝）实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。
引线框架用铜合金大致分为铜一铁系、铜一镍-硅系、铜一铬系、铜一镍一锡系(JK--2合金)等，三元、四元等多元系铜合金能够取得比传统二元合金更优的性能，更低的成本，铜一铁系合金的牌号最多，具有较好的机械强度，抗应力松弛特性和低蠕变性，是一类很好的引线框架材料。
由于引线框架制作及封装应用的需要，除高强度、高导热性能外，对材料还要求有良好的钎焊性能、工艺性能、蚀刻性能、氧化膜粘接性能等。
材料向高强、高导电、低成本方向发展在铜中加人少量的多种元素，在不明显降低导电率的原则下，提高合金强度(使引线框架不易发生变形)和综合性能，抗拉强度600Mpa以上，导电率大于80%IACS的材料是研发热点。
并要求铜带材向高表面，精确板型，性能均匀，带材厚度不断变薄，从0.25mm向o.15mm、0.1mm逐步减薄，0.07一0.巧~的超薄化和异型化。
按照合金强化类型可分为固溶型、析出型、析中型从材料设计原理看，引线框架材料几乎都是析出强化型合金，采用多种强化方法进行设计，主要有形变强化、固溶强化(合金化强化)、晶粒细化强化、沉淀强化，加人适量的稀土元素可使材料的导电率提高1.5一3%IACS，有效地细化晶粒，可提高材料的强度，改善韧性，而对导电性的影响很小。
从加工硬化与固溶硬化相结合和固溶一时效硬化以及复合强化等方面进行研究，改进材料性能。
随着电子通讯等相关信息产业的快速发展，对集成电路的需求越来越大，同时对其要求也越来越高。
现代电子信息技术的核心是集成电路，芯片和引线框架经封装形成集成电路。
作为集成电路封装的主要结构材料，引线框架在电路中发挥着重要作用，例如承载芯片、连接芯片和外部线路板电信号、安装固定等作用。
高端集成电路引线框架铜合金材料研发与应用
高端集成电路引线框架铜合金材料研发与应用一、引言高端集成电路是现代电子技术的重要组成部分，它具有高集成度、高性能、高可靠性等特点。
而其中的引线框架则是集成电路中最为关键的部分之一，其质量和可靠性直接影响着整个芯片的性能和寿命。
因此，研究和开发高品质的引线框架材料对于提升集成电路质量和可靠性具有非常重要的意义。
二、传统引线框架材料存在问题传统引线框架材料主要采用镍铁合金或钨合金等材料制作，这些材料虽然具有较好的导电性和耐腐蚀性能，但同时也存在一些问题。
首先，这些材料硬度较大，在加工过程中容易产生裂纹和变形等缺陷；其次，这些材料价格昂贵，难以满足大规模生产需求；最后，这些材料由于密度较大，在使用过程中容易导致芯片热量积聚过多而影响芯片稳定运行。
三、铜合金作为新型引线框架材料针对传统引线框架材料存在的问题，近年来研究人员开始关注铜合金作为新型引线框架材料。
铜合金具有良好的导电性和热导性能，同时密度较小、硬度适中，易于加工成型。
另外，铜合金价格相对较低，可以满足大规模生产需求。
因此，铜合金被认为是一种非常有潜力的引线框架材料。
四、铜合金引线框架材料研发进展目前，国内外已经有不少研究机构和企业开始进行铜合金引线框架材料的研发工作。
其中，美国IBM公司开发出了一种新型铜合金引线框架材料，并在其生产的Power7系列芯片中使用。
该材料不仅具有优异的导电性和耐腐蚀性能，而且硬度适中、加工容易、价格相对较低。
此外，在国内也有不少企业开始进行相关研究工作，并取得了一定进展。
五、应用前景随着集成电路技术的不断发展和应用领域的不断扩大，高品质的引线框架材料将会越来越受到关注和重视。
铜合金作为一种新型引线框架材料，具有优异的性能和广阔的应用前景。
未来，随着铜合金材料技术的进一步发展和完善，相信它将会在集成电路领域中得到更加广泛的应用。
六、结论高端集成电路引线框架铜合金材料研发与应用是一个非常重要的课题。
传统引线框架材料存在缺陷，而铜合金作为一种新型引线框架材料具有优异的性能和广阔的应用前景。
引线框架铜合金新材料研制现状及发展
应用与市场 | Application & Market文|王碧文人类社会已进入信息时代，这个时代的核心是集成电路，又称为IC 产业。
集成电路由芯片、引线框架、塑封三部份组成，其中引线框架的作用是导电、散热、联接外部电路，因此要求制作引线框架材料具有高强度、高导电、良好的冲压和蚀刻性能。
目前全世界百分之八十的引线框架使用铜合金高精带材制作，据不完全统计，引线框架合金约77种，按合金系划分主要有铜-铁-磷、铜-镍-硅、铜-铬-锆三大系列，按着性能可分为高导电、高强度、中强中导等系列（表1），按着合金强化原理又可分为固溶强化、析出强化、两种强化共有的柝衷型等，引线框架用高精铜带已成为所有带材的代表，引领着带材发展方向，目前国内外现代生产方法是大锭热轧-高精冷轧法。
铜铁磷系合金是引线框架材的主体引线框架铜合金的研究、开发是铜合金发展历史上研究最深入、最成功、最有代表性，也是世界各国铜合金研究的热点。
日本及发达国家对引线框架合金研究、开发远早于中国，它们已形成Cu-Fe-P、Cu-Ni-Si、Cu-Cr-Zr 三大系列，主要生产厂和合金牌号见表2。
其中应用量最大合金是Cu-Fe-P 系，主要牌号是美国研发的C19200和C19400，目前中国该两牌号引线框架合金已产业化生产。
引线框架铜合金新材料研制现状及发展科学技术现代化对铜及铜合金材料提出越来越多的新要求，比如高强度、高导电、高导热、高耐蚀、节能、环保、特种功能等，所有这些新要求，将推动铜及铜合金材料的现代化进程。
本刊将分期介绍引线框架合金、环保合金、铜铬锆合金、多元复杂耐磨黄铜的研究现状及发展。
本文主要介绍了引线框架铜合金的代表性合金种类和生产厂家，并详细介绍了新型引线框架合金材料的性能和攻关方向。
世界有色金属 2012年 第8期58的强度和抗应力松弛能力。
但C7025却不需要BeCu 那么高的成本和操作技术。
C7025合金具有出众的破坏弯曲加工性能。
引线框架铜合金
引线框架铜合金材料1）介绍引线框架：作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料（金丝、铝丝、铜丝）实现芯片部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。
2）优势所在：科学技术现代化对铜及铜合金材料提出越来越多的新要求，引线框架的作用是导电、散热、联接外部电路，因此要求制作引线框架材料具有高强度、高导电、良好的冲压和蚀刻性能。
目前全世界百分之八十的引线框架使用铜合金高精带材制作，据不完全统计，引线框架合金约77种，最为显著的是C194铜合金材料：抗拉强度≥410 MPa,硬度120～145HV,电导率≥3.48×10-2S/m。
3）C194热轧工艺：本试验所用C194铜合金取自国某铜厂热轧后的板坯，用水冷铁模浇铸合金扁锭，铸锭尺寸为40 mmxl00 mmx600mm。
加热温度、保温时间和终轧温度是热轧工艺的几个关键因素。
1、开轧温度，是轧机开始对金属轧制的温度。
开轧温度在金属的塑性变化温度以上，这多半是使金属坯按照要求轧制成某种形状，每种金属均有自己的开轧温度。
生产现场总是希望开轧温度高一点，以便提高轧件的塑性，降低变形抗力，节省动力，易于轧制变形。
2、终轧温度，是金属产生塑性变形结束时的温度。
这个温度有两个要求：（1）要满足金属仍在塑性变化的温度区域，以便顺利完成轧制；（2）要满足某种金相组织。
这是因为，不同的温度，金属有不同的金相组织。
如果超过终轧温度，就会出现其他组织的金相组织，这就影响了轧制质量。
终轧温度是控制金属合金组织性能的重要条件,需考虑到晶粒大小、第二相的析出。
保温时间主要考虑到合金对温度的敏感性。
C194合金对温度不敏感,加热时间的影响较小,实验中控制在2 h。
重点研究开轧温度和终轧温度的确定及其对组织性能的影响。
3.1）开轧温度实验合金的屈服强度和延伸率随温度的变化关系合金在铸态时的屈服强度随实验温度的升高而明显降低；同时,合金的延伸率随实验温度的升高急剧上升。
IC用铜基引线框架材料的现状与发展
金 中应 用最 广 泛 的 是 高 导 电 型合 金 Ｋ Ｃ Ｃ Ｆ （ ｕ一０ １Ｆ ．０ ｅ
一
０ ０ Ｐ 和 中 强 中 导 型合 金 Ｃ ９ 。Ｃ ９ ．３ ） １４ １４合 金 具 有 高 我 国铜 基 引 线 框架 材 料 的研 究 和 开 发起 步较 晚 ，
导 热 性 和优 良的机 械性 能 ， 因此应 用 十 分广 泛 。 与 国外 先进 水 平 相 比 ， 论 在 产 品 质 量 、 产 规 模 方 无 生
据 报 道 ， 过 大 量 试 验 ， 内 已经 研 制 出 比较 经 国
理想 的 Ｃ ９ 金 。该 合 金 经 过 ８０ ℃ 、 ｈ的 固溶 处 １４合 ５ １
理后 具有 良好 的 机 械 性 能 ； 固 溶 处 理 、 轧 、 效 经 冷 时 （０ Ｃ、 ５０ ｏ 保温 ３ ５ｈ 后 ， 经 冷 精 轧 轧 至 厚 度 为 ０ ３ ． ） 再 ．
焊性 能 较 差 。 加 入 ｚ ｎ元 素 能 有 效 改 善 合 金 的 钎 焊 性 。关 于 ｃ ｕ—Ｎ —ｓ 系合 金 中析 出 物 的 结 构 研 究 不 ｉ ｉ
断 深入 ， 点 也 不 断更 新 ， 最 初 认 定 的 ７一Ｎ，ｉ 观 从 ｉ ： ｓ 到 后 来 的 ８ ｉ ｉ近 几 年 很 多 研 究 者 则 认 为 其 具 有 与 一Ｎ ， Ｓ
ｃ —ｚ 系合 金 等 。 常用 的合 金 牌 号及 性 能见 表 １ 。 ｒ ｒ 当前 的发 展方 向是 开发 强 度 为 ５０～６０ Ｍ ａ 电 导 率 ５ ５ Ｐ 、 为８ ０％ ～８ ５％ Ｉ Ｃ Ａ Ｓ的高 强度 、 导 电性能 的合 金 。 高
表 １ 常用 铜 基 引 线 框 架 材 料 的 合 金 牌 号 和 性 能
高性能引线框架用铜合金及其设备制作方法与相关技术
一种高性能引线框架用铜合金及其制备方法，其成分包括：0.2～0.6wt％Fe，0.05～0.15wt％P，0.1～0.2wt％Zn，0.05～0.15wt％Co，0.01～0.1wt％Zr，0.01～0.1wt％Ti，其余为铜和不可避免的杂质元素；其中，Fe和P元素的质量百分比值为4～6:1，Fe和Co元素的质量百分含量总和范围为0.3～0.7％，Zr和Ti元素的质量百分含量总和范围为0.05～0.15％。
其制备方法包括熔铸、热轧、冷轧、时效、精轧、最终退火。
本技术通过降低Fe元素含量、控制热轧终了温度和阶梯时效制度，使合金析出更加充分，且细小和弥散分布，配之以合理冷轧变形量，实现强度、导电弯曲和蚀刻性能的匹配。
技术要求1.一种高性能引线框架用铜合金，其特征在于，所述铜合金的成分包括：0.2wt％～0.6wt％Fe，0.05wt％～0.15wt％P，0.1wt％～0.2wt％Zn，0.05wt％～0.15wt％Co，0.01wt％～0.1wt％Zr，0.01wt％～0.1wt％Ti，其余为铜和不可避免的杂质元素；其中，Fe和P元素的质量百分比值为4～6:1，Fe和Co元素的质量百分含量总和范围为0.3％～0.7％，Zr和Ti元素的质量百分含量总和范围为0.05％～0.15％。
2.根据权利要求1所述的铜合金，其特征在于，所述的铜合金成分还包括其他元素，所述其他元素为Sn、Ag、Si、Cr、Ni、Mg中的一种或几种混合元素，所述其他元素的总质量百分比含量小于0.1％。
3.根据权利要求1所述的铜合金，其特征在于，所述的铜合金成分中，铜采用电解铜，Fe采用Cu-10wt％Fe中间合金，Co采用Cu-10wt％Co中间合金，Zr采用Cu-15wt％Zr中间合金，P采用Cu-14wt％P中间合金，钛采用海绵钛，Zn采用纯Zn。
4.根据权利要求1-3任一所述的铜合金，其特征在于，所述的铜合金制得的合金产品抗拉强度580MPa-630MPa，电导率78-85％IACS，软化温度达550℃～575℃。
超大规模集成电路铜镍硅和铜铬锆引线框架材料研发方案(二)
超大规模集成电路铜镍硅和铜铬锆引线框架材料研发方案一、实施背景随着信息技术的飞速发展，集成电路（IC）已成为当代电子设备的基石。
然而，随着半导体工艺的进步，芯片特征尺寸不断缩小，使得芯片与外部电路之间的连接成为了一个重要挑战。
为了解决这个问题，铜镍硅和铜铬锆被选为引线框架材料，因为它们具有高电导率、高热导率、良好的机械强度和耐腐蚀性。
二、工作原理铜镍硅和铜铬锆引线框架材料的主要工作原理是利用这些材料的电导率和机械强度，以实现芯片与外部电路之间的可靠连接。
这些引线框架材料具有良好的可焊性和耐疲劳性，能够在多次插拔和高温环境下保持稳定。
三、实施计划步骤1. 开展基础研究：了解铜镍硅和铜铬锆材料的性质、合成方法、表面处理工艺等基础性问题。
2. 工艺技术研究：研究适用于大规模生产的铜镍硅和铜铬锆引线框架制造工艺，包括精密加工、表面处理、焊接等。
3. 产品设计与开发：根据芯片特点和应用需求，设计开发出具有良好兼容性和高性能的铜镍硅和铜铬锆引线框架。
4. 样品制备与测试：制造铜镍硅和铜铬锆引线框架样品，并进行各种性能测试，包括电导率、机械强度、耐腐蚀性等。
5. 批量生产：根据测试结果，对产品进行优化，然后进行批量生产和市场推广。
四、适用范围铜镍硅和铜铬锆引线框架材料适用于各种需要高可靠性连接的集成电路封装领域，如微处理器、存储器、传感器等。
随着5G、物联网、人工智能等技术的不断发展，这些材料的应用前景十分广阔。
五、创新要点1. 材料创新：通过优化铜镍硅和铜铬锆材料的成分和制备工艺，提高材料的综合性能。
2. 工艺创新：开发新的制造工艺，提高生产效率，降低生产成本。
3. 技术创新：结合新材料和新技术，如3D打印技术，实现复杂结构的快速制造。
六、预期效果1. 提高芯片连接可靠性：铜镍硅和铜铬锆引线框架材料具有良好的电导率和机械强度，能够提高芯片与外部电路之间的连接可靠性。
2. 缩小封装体积：采用高密度封装技术，使封装体积进一步缩小，提高封装密度。
CuNiSi引线框架材料的研究进展
模 的迅速推进 ， 以及半导体器件不断向高集成、 高
密度 方 向的发 展 ， 引 线 框架 材 料 的强 度 及 导 电 对
导热等性能要求越来越高。铜合金具有高导电、
高导热、 价格低廉等特点 ， 正逐渐替代可伐合金和 ＦＮ４ ｅｉ ２合金 ， 成为制造引线框架 的主导材料。 目 前开发的铜合金引线框架材料已达 １０多种 ， ０ 用
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３４・ ６
江
西
科
学
２１ 年第 ２ ０１ ９卷
框架材 料发展 的初期 ， 主要 以导 电率 大于 ８ ％ ０ ＩＣ 、 Ａ Ｓ 强度 在 ４０ Ｍ ａ左 右 的高导 电型合 金 为 ０ Ｐ 主， Ｃ — 如 ｕＰ系列 的 Ｃ ２０ Ｃ ．ｅ １２ ，ｕＦ 系列的 Ｋ Ｃ等 ； Ｆ 第 ２阶段是从 ２ ０世 纪 ８ Ｏ年代起 ， 主要 是导电率
ｃ ｐ ｅ ｌ ｙｆｒｌａ ｒｍｅｍａｅ ａｓ ｔｅ ｒｓ ａｃ ｔｔ ｓｏ ｕ Ｓ ｌ ｙｆｒｌａ ｒｍｅｍａｅ ａｓｉ ｏ ｐ ｒａｌ ｏ ｅ ｄ ｆ ｏ ａ ｔｒ ｌ，ｈ ｅ ｅ ｒｈ ｓａｕ ｆＣ Ｎｉｉａｌ ｏ ｄ ｆａ ｔｒ ｌ ｓ ｉ ｏ ｅ ｉ ｄ ｓ ｒ ｅ ｎ ｄ ｔｅｄ ｖ ｌｐ ｎ ｒｓ ｅ ｔｉ ａ ａｙ ｅ ． ｅｃ ｂ ｄ，ａ ｅ ｅｏ ｍｅ ｔｐｏ ｐ ｃ ｓ ｎ ｌｚｄ ｉ ｈ
万 珍 珍
（ 江西省科学 院应 用物 理研究所 ， 江西 南 昌 ３０２ ） ３０９
摘要： 引线框 架材料是 集成 电路封装和 半导体元器件的主要材料 ， 起到 支撑和 固定 芯片、 传输 电信号和散热的 作 用。Ｃ ＮＳ 合金材料具有 高的强度 、 高的导 电率 ， ｕ ｉｉ 较 而且价格低 廉 ， 近年 来作 为引线框 架材料得 到 了很 大的
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高端集成电路引线框架铜合金材料研发与应用
引言
随着科技的不断进步和人们对高质量电子设备的需求日益增长，高端集成电路作为电子产品的核心部件，对于材料的要求也越来越高。
其中，引线框架是集成电路中非常重要的组成部分，它承担着电信号传输和功耗控制的关键任务。
铜合金作为一种优质的引线框架材料，具有良好的导电性、导热性和机械强度，因此在高端集成电路中得到广泛应用。
本文将深入探讨高端集成电路引线框架铜合金材料的研发与应用。
研发历程
铜合金材料的优势
1.优良的导电性：铜合金具有出色的电导率，能够快速传导电信号，提高集成
电路的工作效率。
2.良好的导热性：铜合金具有较高的导热系数，能够有效散热，保证集成电路
的稳定性。
3.高强度和耐腐蚀性：铜合金具有较高的机械强度和抗腐蚀能力，能够提供可
靠的引线支撑。
研发目标
1.提高铜合金的导电性和导热性；
2.提高铜合金的机械强度和耐腐蚀性；
3.降低铜合金的成本。
研发方法和过程
1.材料筛选：通过大量实验和数据分析，筛选出具备良好导电性和导热性的铜
合金材料；
2.工艺优化：优化材料的制备工艺，提高材料的机械强度和耐腐蚀性；
3.合金配比调整：通过调整铜合金的配比，降低材料的成本；
4.综合评估：对优化后的铜合金材料进行综合评估，选取最优方案。
应用案例
案例一：5G通信领域
随着5G技术的快速发展，高端集成电路在5G通信领域的应用越来越广泛。
在此背景下，高导电性、高导热性和高强度的铜合金引线框架成为必备的关键材料。
通过引线框架的优化设计和铜合金材料的应用，可以提高5G通信设备的性能，实现更
快的数据传输和更低的功耗。
案例二：人工智能芯片
人工智能芯片作为近年来的热门领域，对高端集成电路的要求也越来越高。
铜合金引线框架因其优越的导电性和导热性，在人工智能芯片中得到广泛应用。
通过铜合金引线框架的应用，可以提高人工智能芯片的计算速度和稳定性，进一步推动人工智能技术的发展。
案例三：工业自动化
在工业自动化领域，高端集成电路引线框架铜合金材料的应用也十分重要。
工业自动化设备对于稳定性和可靠性的要求较高，铜合金材料能够提供良好的导电性和耐腐蚀性，保证设备的正常工作。
通过使用铜合金引线框架，可以提高工业自动化设备的精密度和效率，提升生产效益。
结论
高端集成电路引线框架铜合金材料的研发与应用在现代科技领域中扮演着重要的角色。
铜合金材料的优良导电性、导热性、机械强度和耐腐蚀性赋予了集成电路高性能和稳定性的保障。
通过持续的研发工作，不断优化铜合金材料的性能和降低成本，将为高端集成电路行业的发展提供强大的支持。
随着新一代技术的兴起，高端集成电路引线框架铜合金材料的研发与应用将继续迎来新的机遇和挑战。