超大规模集成电路铜镍硅和铜铬锆引线框架材料研发方案(一)
产业结构调整指导目录(2011年本)(2013年修正)
产业结构调整指导目录(2011年本)(2013年修正) 文章属性•【制定机关】国家发展和改革委员会•【公布日期】2013.02.16•【文号】国家发展和改革委员会令第21号•【施行日期】2013.05.01•【效力等级】部门规章•【时效性】失效•【主题分类】宏观调控和经济管理综合规定正文产业结构调整指导目录(2011年本)(修正)(2011年3月27日国家发展改革委第9号令公布,根据2013年2月16日国家发展改革委第21 号令公布的《国家发展改革委关于修改<产业结构调整指导目录(2011年本)>有关条款的的决定》修正)第一类鼓励类一、农林业1、中低产田综合治理与稳产高产基本农田建设2、农产品基地建设3、蔬菜、瓜果、花卉设施栽培(含无土栽培)先进技术开发与应用4、优质、高产、高效标准化栽培技术开发与应用5、畜禽标准化规模养殖技术开发与应用6、重大病虫害及动物疫病防治7、农作物、家畜、家禽及水生动植物、野生动植物遗传工程及基因库建设8、动植物(含野生)优良品种选育、繁育、保种和开发;生物育种;种子生产、加工、贮藏及鉴定9、种(苗)脱毒技术开发与应用10、旱作节水农业、保护性耕作、生态农业建设、耕地质量建设及新开耕地快速培肥技术开发与应用11、生态种(养)技术开发与应用12、农用薄膜无污染降解技术及农田土壤重金属降解技术开发与应用13、绿色无公害饲料及添加剂开发14、内陆流域性大湖资源增殖保护工程15、远洋渔业、渔政渔港工程16、牛羊胚胎(体内)及精液工厂化生产17、农业生物技术开发与应用18、耕地保养管理与土、肥、水速测技术开发与应用19、农、林作物和渔业种质资源保护地、保护区建设;动植物种质资源收集、保存、鉴定、开发与应用20、农作物秸秆还田与综合利用(青贮饲料,秸秆氨化养牛、还田,秸秆沼气及热解、气化,培育食用菌,固化成型燃料,秸秆人造板,秸秆纤维素燃料乙醇、非粮饲料资源开发利用等)21、农村可再生资源综合利用开发工程(沼气工程、“三沼”综合利用、沼气灌装提纯等)22、平垸行洪退田还湖恢复工程23、食(药)用菌菌种培育24、草原、森林灾害综合治理工程25、利用非耕地的退耕(牧)还林(草)及天然草原植被恢复工程26、动物疫病新型诊断试剂、疫苗及低毒低残留兽药(含兽用生物制品)新工艺、新技术开发与应用27、优质高产牧草人工种植与加工28、天然橡胶及杜仲种植生产29、无公害农产品及其产地环境的有害元素监测技术开发与应用30、有机废弃物无害化处理及有机肥料产业化技术开发与应用31、农牧渔产品无公害、绿色生产技术开发与应用32、农林牧渔产品储运、保鲜、加工与综合利用33、天然林等自然资源保护工程34、碳汇林建设、植树种草工程及林木种苗工程35、水土流失综合治理技术开发与应用36、生态系统恢复与重建工程37、海洋、森林、野生动植物、湿地、荒漠、草原等自然保护区建设及生态示范工程38、防护林工程39、石漠化防治及防沙治沙工程40、固沙、保水、改土新材料生产41、抗盐与耐旱植物培植42、速生丰产林工程、工业原料林工程、珍贵树种培育及名特优新经济林建设43、竹藤基地建设、竹藤精深加工产品及竹副产品开发44、森林抚育、低产林改造工程45、野生经济林树种保护、改良及开发利用46、珍稀濒危野生动植物保护工程47、林业基因资源保护工程48、次小薪材、沙生灌木及三剩物深加工与产品开发49、野生动植物培植、驯养繁育基地及疫源疫病监测预警体系建设50、道地中药材及优质、丰产、濒危或紧缺动植物药材的种植(养殖)51、香料、野生花卉等林下资源人工培育与开发52、木基复合材料及结构用人造板技术开发53、木质复合材料、竹质工程材料生产及综合利用54、松脂林建设、林产化学品深加工55、人工增雨防雹等人工影响天气技术开发与应用56、数字(信息)农业技术开发与应用57、农业环境与治理保护技术开发与应用58、海水养殖及产品深加工,海洋渔业资源增殖与保护59、生态清洁型小流域建设及面源污染防治60、农田主要机耕道(桥)建设61、油茶、油棕等木本粮油基地建设62、生物质能源林定向培育与产业化63、粮油干燥节能设备、农户绿色储粮生物技术、驱鼠技术、农户新型储粮仓(彩钢板组合仓、钢骨架矩形仓、钢网式干燥仓、热浸镀锌钢板仓等)推广应用64、农作物、林木害虫密度自动监测技术开发与应用 65、森林、草原火灾自动监测报警技术开发与应用66、气象卫星工程(卫星研制、生产及配套软件系统、地面接收处理设备等)和气象信息服务二、水利1、江河堤防建设及河道、水库治理工程2、跨流域调水工程3、城乡供水水源工程4、农村饮水安全工程5、蓄滞洪区建设6、海堤建设7、江河湖库清淤疏浚工程8、病险水库、水闸除险加固工程9、堤坝隐患监测与修复技术开发与应用10、城市积涝预警和防洪工程11、出海口门整治工程12、综合利用水利枢纽工程13、牧区水利工程14、淤地坝工程15、水利工程用土工合成材料及新型材料开发制造16、灌区改造及配套设施建设17、防洪抗旱应急设施建设18、高效输配水、节水灌溉技术推广应用19、水情水质自动监测及防洪调度自动化系统开发20、水文应急测报、旱情监测基础设施建设21、灌溉排水泵站更新改造工程22、水利血吸虫病防治工程(采用护坡、吹填、隔离沟、涵闸改造、设置沉螺池、抬洲降滩等防螺灭螺工程措施和疫情监测、防治宣教等措施)23、农田水利设施建设工程(灌排渠道、涵闸、泵站建设等)24、防汛抗旱新技术新产品开发与应用25、山洪地质灾害防治工程(山洪地质灾害防治区监测预报预警体系建设及山洪沟、泥石流沟和滑坡治理等)26、水生态系统及地下水保护与修复工程27、水源地保护工程(水源地保护区划分、隔离防护、水土保持、水资源保护、水生态环境修复及有关技术开发推广)28、水土流失监测预报自动化系统(水土流失数据采集存储、智能传输、数据分析处理、科学预测预报、数据库管理一体化)开发与应用29、洪水风险图编制技术及应用(大江大河中下游及重点防洪区、防洪保护区等特定地区洪涝灾害信息专题地图)30、水资源管理信息系统建设(以水源、取水、输水、供水、用水、耗水和排水等水资源开发利用主要环节的监测及大江大河行政边界控制断面、地下水超采区监测为基础,以国家电子政务外网和国家防汛指挥系统骨干网为依托,以水资源业务应用系统为核心的综合管理信息系统)31、水文站网基础设施建设及其仪器设备开发与应用三、煤炭1、煤田地质及地球物理勘探2、120 万吨/年及以上高产高效煤矿(含矿井、露天)、高效选煤厂建设3、矿井灾害(瓦斯、煤尘、矿井水、火、围岩、地温、冲击地压等)防治4、型煤及水煤浆技术开发与应用5、煤炭共伴生资源加工与综合利用6、煤层气勘探、开发、利用和煤矿瓦斯抽采、利用7、煤矸石、煤泥、洗中煤等低热值燃料综合利用8、管道输煤9、煤炭高效洗选脱硫技术开发与应用10、选煤工程技术开发与应用11、地面沉陷区治理、矿井水资源保护与利用12、煤电一体化建设13、提高资源回收率的采煤方法、工艺开发与应用14、矿井采空区矸石回填技术开发与应用15、井下救援技术及特种装备开发与应用16、煤矿生产过程综合监控技术、装备开发与应用17、大型煤炭储运中心、煤炭交易市场建设18、矿井进出人员自动监控记录系统开发与应用19、新型矿工避险自救器材开发与应用20、建筑物下、铁路等基础设施下、水体下采用煤矸石等物质充填采煤技术开发与应用四、电力1、水力发电2、单机60万千瓦及以上超临界、超超临界机组电站建设3、采用背压(抽背)型热电联产、热电冷多联产、30万千瓦及以上热电联产机组4、缺水地区单机60万千瓦及以上大型空冷机组电站建设5、重要用电负荷中心且天然气充足地区天然气调峰发电项目6、30万千瓦及以上循环流化床、增压流化床、整体煤气化联合循环发电等洁净煤发电7、单机 30 万千瓦及以上采用流化床锅炉并利用煤矸石、中煤、煤泥等发电8、500千伏及以上交、直流输变电9、在役发电机组脱硫、脱硝改造10、电网改造与建设11、继电保护技术、电网运行安全监控信息技术开发与应用12、大型电站及大电网变电站集约化设计和自动化技术开发与应用13、跨区电网互联工程技术开发与应用14、输变电节能、环保技术推广应用15、降低输、变、配电损耗技术开发与应用16、分布式供电及并网技术推广应用17、燃煤发电机组脱硫、脱硝及复合污染物治理18、火力发电脱硝催化剂开发生产19、水力发电中低温水恢复措施工程、过鱼措施工程技术开发与应用20、大容量电能储存技术开发与应用21、电动汽车充电设施22、乏风瓦斯发电技术及开发利用23、垃圾焚烧发电成套设备24、分布式电源五、新能源1、太阳能热发电集热系统、太阳能光伏发电系统集成技术开发应用、逆变控制系统开发制造2、风电与光伏发电互补系统技术开发与应用3、太阳能建筑一体化组件设计与制造4、高效太阳能热水器及热水工程,太阳能中高温利用技术开发与设备制造5、生物质纤维素乙醇、生物柴油等非粮生物质燃料生产技术开发与应用6、生物质直燃、气化发电技术开发与设备制造7、农林生物质资源收集、运输、储存技术开发与设备制造;农林生物质成型燃料加工设备、锅炉和炉具制造8、以畜禽养殖场废弃物、城市填埋垃圾、工业有机废水等为原料的大型沼气生产成套设备9、沼气发电机组、沼气净化设备、沼气管道供气、装罐成套设备制造10、海洋能、地热能利用技术开发与设备制造11、海上风电机组技术开发与设备制造12、海上风电场建设与设备制造六、核能1、铀矿地质勘查和铀矿采冶、铀精制、铀转化2、先进核反应堆建造与技术开发3、核电站建设4、高性能核燃料元件制造5、乏燃料后处理6、同位素、加速器及辐照应用技术开发7、先进的铀同位素分离技术开发与设备制造8、辐射防护技术开发与监测设备制造9、核设施实体保护仪器仪表开发10、核设施退役及放射性废物治理11、核电站延寿及退役技术和设备12、核电站应急抢险技术和设备七、石油、天然气1、常规石油、天然气勘探与开采2、页岩气、油页岩、油砂、天然气水合物等非常规资源勘探开发3、原油、天然气、液化天然气、成品油的储运和管道输送设施及网络建设4、油气伴生资源综合利用5、油气田提高采收率技术、安全生产保障技术、生态环境恢复与污染防治工程技术开发利用6、放空天然气回收利用与装置制造7、天然气分布式能源技术开发与应用8、石油储运设施挥发油气回收技术开发与应用9、液化天然气技术开发与应用八、钢铁1、黑色金属矿山接替资源勘探及关键勘探技术开发2、煤调湿、风选调湿、捣固炼焦、配型煤炼焦、干法熄焦、导热油换热、焦化废水深度处理回用、煤焦油精深加工、苯加氢精制、煤沥青制针状焦、焦油加氢处理、焦炉煤气高附加值利用等先进技术的研发与应用3、非高炉炼铁技术4、先进压水堆核电管、百万千瓦火电锅炉管、耐蚀耐压耐温油井管、耐腐蚀航空管、高耐腐蚀化工管生产5、高性能、高质量及升级换代钢材产品技术开发与应用。
集成电路用铜基引线框架材料的发展与展望
2 S h o f ae il in ea dEn ie r g, ’ n Unv ri fTe h oo y Xia 1 0 8 c o l trasS e c n gn ei Xia iest o c n lg , ’n 7 0 4 ) o M c n y
A b ta t sr c
c l a e r v e d, n h p e mo t e u r me t en lc rct o d c iiy a d sr n t sp i t d o t Th c u l u t r e i we a d t e u p r s q i r e n i g ee t ii c n u t t n t e g h i on e u . ea t a i b y v — t fr s a c fc p e - a e e d fa a e ila o ea d a r a sd s rb d Th a f la r mem a e ilb — y o e e r h o o p rb s d la r mem t ra th m n b o d i e c i e . e g p o e d f a tra e
I hsp p r h r p ryrq i me t fc p e- ae e dfa tr lu e tr rt i— n t i a e ,t ep o et e ur e n so o p rb s d la rmemaei s di i eg aecr a nn
Ke r y wo ds
itr r tdcr ut c p e- a e ed fa , ir l yn , te g h,c n u t i n eg ae ic i, o p rb sd la rme m coal ig srn t o o d ci t v y
C70250
两种合金最大的不同是它们的化学成分,C70250 不包含铍,这样可以避免与铍相关的高成 本,工艺上不需要特殊的环境保护措施。当加工的经济性变得更为重要时,C70250 可以提供 更为适合的解决方法。 2.2.5 C70250 合金是半导体封装引线框架理想的选择
在半导体引线框架用新型合金开发方面, C15100 C19400 和 C19500 都是由奥林公司研发 的合金,得到了全世界的认可,用于 P-DIP’S, PLCC’S 和 SOIC’S.引线框架。最近的发展方向 是多引线、小间距、表面实装,诸如 、 ,屏蔽的 PQFP’S TQFP’S PQFP’S 和 TSOP’S 集成电 路,目前已经形成对高强度和硬度的引线框架材料的需求。在加工过程中,强度是防止非常精 密引线发生塑性变形所必需的。新的封装由于尺寸的缩小同时也要求具有高的导热性能。 C70250 合金具有这些性能,已经变成小间距引线框架的选材。
表 5 C70250 合金化学成分
成分范围%
公称成分 铜+合金元素 Ni
Si
Mg Fe Pb Zn Mn
% % 96.2 Cu 3 Ni
% % 0.65 Si 0.15
% Min99.5
2.2~4.2 0.25~1.2 0.05~0.3 ≤0.2 ≤0.05 ≤1 ≤0.1
Mg
表 6 C70250 物理技术性能
1
C70250 的成分为 % 、 % 、 % 、 3 Ni 0.65 Si 0.15 Mg Cu 余量。表 5 列出了合金的化学成分。
C70250 的化学成分是根据美国专利#4594221 和 #4728372 得出的。ASTM 在 B422-90 标准中包
高端集成电路引线框架铜合金材料研发与应用
高端集成电路引线框架铜合金材料研发与应用引言随着科技的不断进步和人们对高质量电子设备的需求日益增长,高端集成电路作为电子产品的核心部件,对于材料的要求也越来越高。
其中,引线框架是集成电路中非常重要的组成部分,它承担着电信号传输和功耗控制的关键任务。
铜合金作为一种优质的引线框架材料,具有良好的导电性、导热性和机械强度,因此在高端集成电路中得到广泛应用。
本文将深入探讨高端集成电路引线框架铜合金材料的研发与应用。
研发历程铜合金材料的优势1.优良的导电性:铜合金具有出色的电导率,能够快速传导电信号,提高集成电路的工作效率。
2.良好的导热性:铜合金具有较高的导热系数,能够有效散热,保证集成电路的稳定性。
3.高强度和耐腐蚀性:铜合金具有较高的机械强度和抗腐蚀能力,能够提供可靠的引线支撑。
研发目标1.提高铜合金的导电性和导热性;2.提高铜合金的机械强度和耐腐蚀性;3.降低铜合金的成本。
研发方法和过程1.材料筛选:通过大量实验和数据分析,筛选出具备良好导电性和导热性的铜合金材料;2.工艺优化:优化材料的制备工艺,提高材料的机械强度和耐腐蚀性;3.合金配比调整:通过调整铜合金的配比,降低材料的成本;4.综合评估:对优化后的铜合金材料进行综合评估,选取最优方案。
应用案例案例一:5G通信领域随着5G技术的快速发展,高端集成电路在5G通信领域的应用越来越广泛。
在此背景下,高导电性、高导热性和高强度的铜合金引线框架成为必备的关键材料。
通过引线框架的优化设计和铜合金材料的应用,可以提高5G通信设备的性能,实现更快的数据传输和更低的功耗。
案例二:人工智能芯片人工智能芯片作为近年来的热门领域,对高端集成电路的要求也越来越高。
铜合金引线框架因其优越的导电性和导热性,在人工智能芯片中得到广泛应用。
通过铜合金引线框架的应用,可以提高人工智能芯片的计算速度和稳定性,进一步推动人工智能技术的发展。
案例三:工业自动化在工业自动化领域,高端集成电路引线框架铜合金材料的应用也十分重要。
引线框架材料研发制造方案(二)
引线框架材料研发制造方案一、实施背景随着科技的迅速发展,电子产品日益普及,对高性能引线框架材料的需求持续增长。
传统引线框架材料在性能、成本和环保方面已无法满足现代电子产品的严苛要求。
因此,开展新型引线框架材料的研发和制造,对于满足市场和环境需求,推动电子产业升级具有重要意义。
二、工作原理引线框架材料是一种用于集成电路封装的关键基础材料,其作用是提供电信号传输路径,保护芯片免受外部机械和化学因素的影响。
新型引线框架材料的研发工作原理主要涉及以下几个方面:首先,通过成分设计,调整材料的化学组成;其次,利用先进的加工技术,如精密铸造、高精度冲压等,改变材料的微观结构;最后,通过热处理工艺,优化材料的性能。
三、实施计划步骤1.市场需求分析:对电子产品市场进行深入调研,了解用户需求和行业趋势。
2.材料选择与设计:根据市场需求,选择合适的材料成分,并进行微观结构设计。
3.加工工艺研究:研发先进的加工技术,确保材料制造的精确性和一致性。
4.性能测试与优化:通过实验测试,评估材料的各项性能指标,如导电率、耐腐蚀性、机械强度等,并进行持续优化。
5.中试生产:在确保工艺成熟和产品质量稳定后,进行中试生产,以验证大规模生产的可行性和经济效益。
6.市场推广与合作:与电子制造商合作,推广新型引线框架材料,并建立长期合作关系。
四、适用范围本方案适用于各类电子产品制造商,特别是需要高性能、低成本和环保型引线框架材料的电子产品制造商。
五、创新要点1.材料创新:通过成分设计和微观结构调整,提高材料的综合性能。
2.加工技术创新:研发新型加工技术,提高生产效率和质量。
3.环保设计:注重环保理念,采用绿色生产工艺和环保材料。
4.市场应用创新:根据市场需求,提供定制化产品和服务。
六、预期效果1.提高电子产品性能和可靠性。
2.降低生产成本和提高生产效率。
3.实现环保生产和可持续发展。
4.增强市场竞争力,拓展市场份额。
5.推动电子产业的技术创新和产业升级。
高端集成电路引线框架铜合金材料研发与应用
高端集成电路引线框架铜合金材料研发与应用一、引言高端集成电路是现代电子技术的重要组成部分,它具有高集成度、高性能、高可靠性等特点。
而其中的引线框架则是集成电路中最为关键的部分之一,其质量和可靠性直接影响着整个芯片的性能和寿命。
因此,研究和开发高品质的引线框架材料对于提升集成电路质量和可靠性具有非常重要的意义。
二、传统引线框架材料存在问题传统引线框架材料主要采用镍铁合金或钨合金等材料制作,这些材料虽然具有较好的导电性和耐腐蚀性能,但同时也存在一些问题。
首先,这些材料硬度较大,在加工过程中容易产生裂纹和变形等缺陷;其次,这些材料价格昂贵,难以满足大规模生产需求;最后,这些材料由于密度较大,在使用过程中容易导致芯片热量积聚过多而影响芯片稳定运行。
三、铜合金作为新型引线框架材料针对传统引线框架材料存在的问题,近年来研究人员开始关注铜合金作为新型引线框架材料。
铜合金具有良好的导电性和热导性能,同时密度较小、硬度适中,易于加工成型。
另外,铜合金价格相对较低,可以满足大规模生产需求。
因此,铜合金被认为是一种非常有潜力的引线框架材料。
四、铜合金引线框架材料研发进展目前,国内外已经有不少研究机构和企业开始进行铜合金引线框架材料的研发工作。
其中,美国IBM公司开发出了一种新型铜合金引线框架材料,并在其生产的Power7系列芯片中使用。
该材料不仅具有优异的导电性和耐腐蚀性能,而且硬度适中、加工容易、价格相对较低。
此外,在国内也有不少企业开始进行相关研究工作,并取得了一定进展。
五、应用前景随着集成电路技术的不断发展和应用领域的不断扩大,高品质的引线框架材料将会越来越受到关注和重视。
铜合金作为一种新型引线框架材料,具有优异的性能和广阔的应用前景。
未来,随着铜合金材料技术的进一步发展和完善,相信它将会在集成电路领域中得到更加广泛的应用。
六、结论高端集成电路引线框架铜合金材料研发与应用是一个非常重要的课题。
传统引线框架材料存在缺陷,而铜合金作为一种新型引线框架材料具有优异的性能和广阔的应用前景。
引线框架铜合金新材料研制现状及发展
应用与市场 | Application & Market文|王碧文人类社会已进入信息时代,这个时代的核心是集成电路,又称为IC 产业。
集成电路由芯片、引线框架、塑封三部份组成,其中引线框架的作用是导电、散热、联接外部电路,因此要求制作引线框架材料具有高强度、高导电、良好的冲压和蚀刻性能。
目前全世界百分之八十的引线框架使用铜合金高精带材制作,据不完全统计,引线框架合金约77种,按合金系划分主要有铜-铁-磷、铜-镍-硅、铜-铬-锆三大系列,按着性能可分为高导电、高强度、中强中导等系列(表1),按着合金强化原理又可分为固溶强化、析出强化、两种强化共有的柝衷型等,引线框架用高精铜带已成为所有带材的代表,引领着带材发展方向,目前国内外现代生产方法是大锭热轧-高精冷轧法。
铜铁磷系合金是引线框架材的主体引线框架铜合金的研究、开发是铜合金发展历史上研究最深入、最成功、最有代表性,也是世界各国铜合金研究的热点。
日本及发达国家对引线框架合金研究、开发远早于中国,它们已形成Cu-Fe-P、Cu-Ni-Si、Cu-Cr-Zr 三大系列,主要生产厂和合金牌号见表2。
其中应用量最大合金是Cu-Fe-P 系,主要牌号是美国研发的C19200和C19400,目前中国该两牌号引线框架合金已产业化生产。
引线框架铜合金新材料研制现状及发展科学技术现代化对铜及铜合金材料提出越来越多的新要求,比如高强度、高导电、高导热、高耐蚀、节能、环保、特种功能等,所有这些新要求,将推动铜及铜合金材料的现代化进程。
本刊将分期介绍引线框架合金、环保合金、铜铬锆合金、多元复杂耐磨黄铜的研究现状及发展。
本文主要介绍了引线框架铜合金的代表性合金种类和生产厂家,并详细介绍了新型引线框架合金材料的性能和攻关方向。
世界有色金属 2012年 第8期58的强度和抗应力松弛能力。
但C7025却不需要BeCu 那么高的成本和操作技术。
C7025合金具有出众的破坏弯曲加工性能。
2021年中国中高压电接触材料及制品行业相关政策汇总
2021年中国中高压电接触材料及制品行
业相关政策汇总
电接触材料是电器开关的核心组件和关键材料,负担接通、断开电路及负载电流的任务,材料性能决定了电器开关的开断能力和接触可靠性。
由于这类温控器要求技术含量高,此前中国这类电接触复合材料主要依赖进口。
国家统计局颁布的国民经济行业分类分类中高压电接触材料及制品行业属于“C32有色金属冶炼和压延加工业”;
根据国家统计局颁布的战略性新兴产业分类(2018)中高压电接触材料及制品行业属于之“3新材料产业”之“3。
2先进有色金属材料”
2、行业主管部门及监管体制
中高压电接触材料及制品行业由国家发改委和工业和信息化部等政府主管部门宏观调控和行政管理。
国家发改委负责拟订并组织实施国民经济和社会发展战略、中长期规划和年度计划,负责产业政策的研究制定、行业的管理与规划等。
工业和信息化部负责研究提出工业发展战略,拟订工业行业规划和产业政策并组织实施指导工业行业技术法规和行业标准的拟订;按国务院规定权限审批、核准国家规划内和年度计划规模内工业、通信业和信息化固定资产投资项目等。
行业自律管理组织包括中国有色金属工业协会、中国电器工业协会
3、主要法律法规政策
显示,新材料行业是中国推动“卡脖子”技术实现自主可控的重要领域,是中国推动从高速发展向高质量发展的重要抓手。
中国针对新材料行业颁布了一系列法律法规和行业政策,推动了中高压电接触材料及制品行业的快速发展。
高性能引线框架用铜合金及其设备制作方法与相关技术
一种高性能引线框架用铜合金及其制备方法,其成分包括:0.2~0.6wt%Fe,0.05~0.15wt%P,0.1~0.2wt%Zn,0.05~0.15wt%Co,0.01~0.1wt%Zr,0.01~0.1wt%Ti,其余为铜和不可避免的杂质元素;其中,Fe和P元素的质量百分比值为4~6:1,Fe和Co元素的质量百分含量总和范围为0.3~0.7%,Zr和Ti元素的质量百分含量总和范围为0.05~0.15%。
其制备方法包括熔铸、热轧、冷轧、时效、精轧、最终退火。
本技术通过降低Fe元素含量、控制热轧终了温度和阶梯时效制度,使合金析出更加充分,且细小和弥散分布,配之以合理冷轧变形量,实现强度、导电弯曲和蚀刻性能的匹配。
技术要求1.一种高性能引线框架用铜合金,其特征在于,所述铜合金的成分包括:0.2wt%~0.6wt%Fe,0.05wt%~0.15wt%P,0.1wt%~0.2wt%Zn,0.05wt%~0.15wt%Co,0.01wt%~0.1wt%Zr,0.01wt%~0.1wt%Ti,其余为铜和不可避免的杂质元素;其中,Fe和P元素的质量百分比值为4~6:1,Fe和Co元素的质量百分含量总和范围为0.3%~0.7%,Zr和Ti元素的质量百分含量总和范围为0.05%~0.15%。
2.根据权利要求1所述的铜合金,其特征在于,所述的铜合金成分还包括其他元素,所述其他元素为Sn、Ag、Si、Cr、Ni、Mg中的一种或几种混合元素,所述其他元素的总质量百分比含量小于0.1%。
3.根据权利要求1所述的铜合金,其特征在于,所述的铜合金成分中,铜采用电解铜,Fe采用Cu-10wt%Fe中间合金,Co采用Cu-10wt%Co中间合金,Zr采用Cu-15wt%Zr中间合金,P采用Cu-14wt%P中间合金,钛采用海绵钛,Zn采用纯Zn。
4.根据权利要求1-3任一所述的铜合金,其特征在于,所述的铜合金制得的合金产品抗拉强度580MPa-630MPa,电导率78-85%IACS,软化温度达550℃~575℃。
超大规模集成电路铜镍硅和铜铬锆引线框架材料研发方案(二)
超大规模集成电路铜镍硅和铜铬锆引线框架材料研发方案一、实施背景随着信息技术的飞速发展,集成电路(IC)已成为当代电子设备的基石。
然而,随着半导体工艺的进步,芯片特征尺寸不断缩小,使得芯片与外部电路之间的连接成为了一个重要挑战。
为了解决这个问题,铜镍硅和铜铬锆被选为引线框架材料,因为它们具有高电导率、高热导率、良好的机械强度和耐腐蚀性。
二、工作原理铜镍硅和铜铬锆引线框架材料的主要工作原理是利用这些材料的电导率和机械强度,以实现芯片与外部电路之间的可靠连接。
这些引线框架材料具有良好的可焊性和耐疲劳性,能够在多次插拔和高温环境下保持稳定。
三、实施计划步骤1. 开展基础研究:了解铜镍硅和铜铬锆材料的性质、合成方法、表面处理工艺等基础性问题。
2. 工艺技术研究:研究适用于大规模生产的铜镍硅和铜铬锆引线框架制造工艺,包括精密加工、表面处理、焊接等。
3. 产品设计与开发:根据芯片特点和应用需求,设计开发出具有良好兼容性和高性能的铜镍硅和铜铬锆引线框架。
4. 样品制备与测试:制造铜镍硅和铜铬锆引线框架样品,并进行各种性能测试,包括电导率、机械强度、耐腐蚀性等。
5. 批量生产:根据测试结果,对产品进行优化,然后进行批量生产和市场推广。
四、适用范围铜镍硅和铜铬锆引线框架材料适用于各种需要高可靠性连接的集成电路封装领域,如微处理器、存储器、传感器等。
随着5G、物联网、人工智能等技术的不断发展,这些材料的应用前景十分广阔。
五、创新要点1. 材料创新:通过优化铜镍硅和铜铬锆材料的成分和制备工艺,提高材料的综合性能。
2. 工艺创新:开发新的制造工艺,提高生产效率,降低生产成本。
3. 技术创新:结合新材料和新技术,如3D打印技术,实现复杂结构的快速制造。
六、预期效果1. 提高芯片连接可靠性:铜镍硅和铜铬锆引线框架材料具有良好的电导率和机械强度,能够提高芯片与外部电路之间的连接可靠性。
2. 缩小封装体积:采用高密度封装技术,使封装体积进一步缩小,提高封装密度。
超大规模集成电路用超高纯铜钴镍产业化制备技术
超大规模集成电路(VLSI)是当今电子信息产业中的重要组成部分,其应用范围涵盖了电脑、手机、智能家居等多个领域。
在VLSI制程中,金属线路铜钴镍(CuCoNi)被广泛应用于成像层、导电层和保护层,是VLSI制程中不可或缺的材料之一。
然而,由于VLSI电路的不断微型化和功能复杂化,对CuCoNi材料的纯度和性能要求也不断提高,超高纯CuCoNi产业化制备技术的研究和发展显得尤为重要。
铜钴镍合金是一种重要的多元合金材料,具有良好的导电、热导和机械性能,在VLSI制程中扮演着重要的角色。
目前,全球对VLSI制程中所使用的CuCoNi材料的要求已经越来越严格,必须具备超高纯度、均匀性和稳定性。
然而,传统的CuCoNi制备技术往往无法满足这些要求,急需一种高效、稳定的CuCoNi产业化制备技术。
为了满足VLSI制程对CuCoNi材料的要求,一些国际知名企业和科研机构纷纷投入到超高纯CuCoNi产业化制备技术的研发中。
他们主要聚焦于以下几个方面:1.材料纯化技术针对CuCoNi材料中可能存在的杂质和不纯物质,科研人员采用多种物理、化学方法进行材料纯化技术的研究。
通过熔炼、溶液淬火、离心沉淀等工艺手段,有效提高CuCoNi材料的超高纯度,降低杂质含量。
为了确保CuCoNi材料的均匀性和稳定性,还需要对材料的晶体结构和晶界进行深入研究。
2.生产工艺技术在超高纯CuCoNi产业化制备技术中,生产工艺技术是至关重要的一环。
科研人员通过改良和创新生产工艺,不断提高CuCoNi材料的制备效率和质量稳定性。
3.设备技术超高纯CuCoNi产业化制备技术离不开先进的设备技术的支持。
科研人员积极探索利用先进的材料制备设备,如真空熔炼炉、高温电弧炉、等离子熔炼设备等,来实现CuCoNi材料的快速、高效制备。
值得注意的是,超高纯CuCoNi产业化制备技术的研究和发展不仅仅是为了VLSI制程,还将对现代微电子、新能源电池、光电子器件等领域产生深远影响。
引线框架用铜带研发成功
引线框架用铜带研发成功
佚名
【期刊名称】《有色设备》
【年(卷),期】2004(000)006
【摘要】由于技术原因,目前国内90%的引线框架用铜带依赖进口。
由宁波兴业电子铜带有限公司组织实施、北京有色金属研究总院、中科院金属研究所、上海大学等科研单位参与的“引线框架用铜带的研制与开发”项目,2002年被科技部列为“超大规模集成电路配套材料”的“863”计划和国家计委的产业化推进项目。
同时也是国家“十五”重大科技专项项目。
该项目已核定国拨科研经费250万元,【总页数】1页(P20)
【正文语种】中文
【中图分类】TN405.96
【相关文献】
1.引线框架铜带性能与工艺分析 [J], 田军涛
2.C19400引线框架高精铜带制造工艺研究 [J], 葛小牛;徐向棋
3.引线框架用铜带产品现状及研发进展 [J], 张文芹;
4.我国引线框架用铜带项目获得发展 [J],
5.明年我国引线框架铜带需求量将达5.2万吨 [J], 洛铜
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超大规模集成电路铜镍硅和铜铬锆引线
框架材料研发方案
一、实施背景
随着信息技术的飞速发展,集成电路(IC)已成为当代电子设备的基石。
然而,随着IC技术的不断进步,对封装材料的要求也日益提高。
铜镍硅和铜铬锆引线框架材料作为两种高性能的封装材料,具有优良的电导率、热导率以及耐高温性能,已成为超大规模集成电路封装的关键材料。
然而,由于这两种材料在制备工艺和性能调控等方面存在较大难度,因此亟待进行深入的研发工作,以提高其制备工艺和性能调控的效率与稳定性。
二、工作原理
铜镍硅和铜铬锆引线框架材料的工作原理主要基于其优良的电导率和热导率。
在封装过程中,这两种材料作为导线框架的主要构成部分,能够有效地实现芯片与外部电路之间的电连接,同时还能有效地导出热量,保证封装的稳定性和可靠性。
三、实施计划步骤
1. 实验室基础研究:这一阶段主要进行基础的理论研究和实验参数摸索,包括对铜镍硅和铜铬锆引线框架材料的制备工艺、性能调控技术以及应用领域进行深入研究,确定研发的技术路线。
2. 实验工艺优化:根据实验室基础研究的结果,对铜镍硅和铜铬锆引线框架材料的制备工艺进行优化,以提高这两种材料的性能和稳定性。
3. 中试生产:在实验工艺优化的基础上,进行中试生产,对生产工艺进行进一步的验证和调整。
4. 产品化及产业化:通过中试生产的验证,进一步完善生产工艺,进行工业化生产和推广。
四、适用范围
铜镍硅和铜铬锆引线框架材料适用于超大规模集成电路封装,包括但不限于微处理器、存储器、逻辑电路等各类集成电路的封装。
五、创新要点
1. 材料设计:铜镍硅和铜铬锆引线框架材料需要进行精细的材料设计,以优化其电导率、热导率以及耐高温性能。
2. 制备工艺:优化制备工艺,实现大规模生产的同时,提高产品的质量和稳定性。
3. 性能调控:深入研究铜镍硅和铜铬锆引线框架材料的性能
调控技术,以满足不同集成电路封装的需求。
六、预期效果
通过上述研发工作的实施,预计可以达到以下效果:
1. 提高铜镍硅和铜铬锆引线框架材料的制备效率和稳定性,降低生产成本。
2. 优化铜镍硅和铜铬锆引线框架材料的性能调控技术,提高封装的稳定性和可靠性。
3. 通过产业化推广,实现铜镍硅和铜铬锆引线框架材料的广泛应用,提高我国集成电路封装材料的自给率。
七、达到收益
通过铜镍硅和铜铬锆引线框架材料的研发,可以获得以下收益:
1. 提高我国集成电路封装材料的技术水平和自给率,降低对外依存度。
2. 提升我国集成电路产业的竞争力,促进相关产业的发展。
3. 为我国信息技术的快速发展提供坚实的材料保障,推动信息产业的快速发展。
八、优缺点分析
1. 优点:铜镍硅和铜铬锆引线框架材料具有优良的电导率、热导率以及耐高温性能,可以满足集成电路封装的严苛要求。
同时,这两种材料还具有较好的化学稳定性和机械强度,能
够保证封装的可靠性和稳定性。
此外,这两种材料的价格相对较为低廉,可以降低集成电路封装的成本。
2. 缺点:铜镍硅和铜铬锆引线框架材料的制备工艺较为复杂,需要经过多道工序和复杂的热处理过程,生产周期较长,生产成本较高。
同时,这两种材料的性能调控技术难度较大,需要深入研究和实验验证,才能实现性能的优化和提高。
此外,由于铜镍硅和铜铬锆引线框架材料的制备和使用过程中涉及到高温、腐蚀等环境因素,因此需要加强生产设备和环保设施的投入和维护,以保证生产的稳定性和可持续性。
九、下一步需要改进的地方
为了进一步提高铜镍硅和铜铬锆引线框架材料的研发水平,下一步需要改进的地方包括:
1. 加强基础理论研究,深入探究这两种材料的物理和化学性质以及其与封装工艺的关系,为材料的优化设计提供更为准确的指导。
2. 继续优化制备工艺和性能调控技术,提高制备效率和稳定性,降低生产成本和能耗,实现绿色可持续生产。
3. 拓展铜镍硅和铜铬锆引线框架材料的应用领域,不仅局限于集成电路封装,还可以应用于其他电子器件、微电子器件等领域,进一步扩大其应用范围。
4. 加强与国际同行的合作与交流,引进先进技术、设备和人才,提高我国在集成电路封装材料领域的整体竞争力。
5. 建立健全铜镍硅和铜铬锆引线框架材料的标准体系和质量检测体系,保证产品的质量和可靠性,提升我国集成电路封装材料的国际信誉。
6. 加强相关的知识产权保护和科技成果转化工作,鼓励企业进行技术创新和自主研发,推动我国集成电路封装材料产业的良性发展。
铜镍硅和铜铬锆引线框架材料的研发是一个具有重要意义的项目,可以有效地提高我国集成电路封装的水平和竞争力,促进信息产业的快速发展。
在实施过程中,需要加强基础研究、优化制备工艺和性能调控技术、拓展应用领域、加强国际合作与交流、建立健全标准体系和质量检测体系、加强知识产权保护和科技成果转化工作等方面进行改进和完善,以推动我国在集成电路封装材料领域的整体发展和提升。